TW202304941A - 製備有機錫化合物的方法 - Google Patents
製備有機錫化合物的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202304941A TW202304941A TW111122574A TW111122574A TW202304941A TW 202304941 A TW202304941 A TW 202304941A TW 111122574 A TW111122574 A TW 111122574A TW 111122574 A TW111122574 A TW 111122574A TW 202304941 A TW202304941 A TW 202304941A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- formula
- compound
- alkyl
- group
- snx
- Prior art date
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 126
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 56
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 41
- -1 tin (IV) halide Chemical class 0.000 claims description 21
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 19
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000000460 chlorine Chemical group 0.000 claims description 18
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 18
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Chemical group BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052740 iodine Chemical group 0.000 claims description 14
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical group [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 13
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 13
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 13
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000011630 iodine Chemical group 0.000 claims description 12
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 5
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 5
- 125000005011 alkyl ether group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 4
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 claims description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 4
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 4
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 4
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 3
- 125000004400 (C1-C12) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 2
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 6
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 abstract description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 abstract description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- FMKOJHQHASLBPH-UHFFFAOYSA-N isopropyl iodide Chemical compound CC(C)I FMKOJHQHASLBPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BNQJBSRILJIDSX-UHFFFAOYSA-N triphenyl(propan-2-yl)stannane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Sn](C=1C=CC=CC=1)(C(C)C)C1=CC=CC=C1 BNQJBSRILJIDSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940045348 brown mixture Drugs 0.000 description 3
- YDGSUPBDGKOGQT-UHFFFAOYSA-N lithium;dimethylazanide Chemical compound [Li+].C[N-]C YDGSUPBDGKOGQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000011150 stannous chloride Nutrition 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L tin(II) chloride (anhydrous) Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sn+2] AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical group 0.000 description 2
- 150000001350 alkyl halides Chemical class 0.000 description 2
- 125000005265 dialkylamine group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- ULYZAYCEDJDHCC-UHFFFAOYSA-N isopropyl chloride Chemical compound CC(C)Cl ULYZAYCEDJDHCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DBYQHFPBWKKZAT-UHFFFAOYSA-N lithium;benzene Chemical compound [Li+].C1=CC=[C-]C=C1 DBYQHFPBWKKZAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 241000894007 species Species 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- IMNIKXMHMHIKDX-UHFFFAOYSA-K trichloro(propan-2-yl)stannane Chemical compound CC(C)[Sn](Cl)(Cl)Cl IMNIKXMHMHIKDX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 125000006527 (C1-C5) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAMYKGVDVNBCFQ-UHFFFAOYSA-N 2-bromopropane Chemical compound CC(C)Br NAMYKGVDVNBCFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 description 1
- MTNOHTZGQTZQKE-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)[Sn] Chemical compound C(C)(C)[Sn] MTNOHTZGQTZQKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical group [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 description 1
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000010 aprotic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- QKIUAMUSENSFQQ-UHFFFAOYSA-N dimethylazanide Chemical compound C[N-]C QKIUAMUSENSFQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 1
- 239000003517 fume Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 description 1
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical group II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000012705 liquid precursor Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012452 mother liquor Substances 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- PVWOIHVRPOBWPI-UHFFFAOYSA-N n-propyl iodide Chemical compound CCCI PVWOIHVRPOBWPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000003548 sec-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUTCEZPPWBHGIX-UHFFFAOYSA-N tin(2+) Chemical compound [Sn+2] IUTCEZPPWBHGIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QBCKEYNDGBJQNY-UHFFFAOYSA-K triiodo(propan-2-yl)stannane Chemical compound C(C)(C)[Sn](I)(I)I QBCKEYNDGBJQNY-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/22—Tin compounds
- C07F7/2208—Compounds having tin linked only to carbon, hydrogen and/or halogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/22—Tin compounds
- C07F7/2284—Compounds with one or more Sn-N linkages
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Abstract
本發明提供製備某些具有烷基及芳基取代基之有機錫化合物之簡易方法。此等化合物可用作合成某些經烷胺基-及烷氧基-取代之烷基錫化合物之中間體，該等烷基錫化合物繼而可用作在用於微電子裝置製造之例如極端紫外光(EUV)微影術技術中沉積高純度氧化錫膜之前驅體。
Description
本發明屬於有機錫化學領域，及特定言之，係關於製備某些有機錫中間體之簡易方法。
已顯示某些有機錫化合物可用於在諸如用於製造某些微電子裝置之極端紫外線(EUV)微影術之應用中沉積高純氧化錫(IV)。
特別受關注的為具有烷胺基(或烷氧基)及烷基之組合之有機錫化合物，其可用作於沉積含錫膜在微電子裝置基板上之液體前驅體。因此，對改善的用於製造用於沉積高純氧化錫膜之以高純形式之此等有機錫化合物之方法存在需求。
本發明提供製備某些具有烷基、芳基或鹵基取代基之有機錫化合物之簡易方法。此等化合物可用作合成某些經烷胺基-及烷氧基-取代之烷基錫化合物之中間體，該等烷基錫化合物可用作以用於微電子裝置製造之例如極端紫外光(EUV)微影術技術沉積高純度氧化錫膜的前驅體。例如，本發明之方法可用於製備異丙基三苯基錫，然後可使其與四氯化錫反應，接著與二甲胺及二甲基醯胺鋰反應，以得到參(二甲醯胺基)異丙基錫。
如本說明書及隨附申請專利範圍中所用，除非上下文另有明確指定，否則單數形式「一(a/an)」及「該」包含複數個提及物。如本說明書及隨附申請專利範圍中所用，除非上下文另有明確指定，否則術語「或」一般以包含「及/或」之其含義採用。
術語「約」一般係指認為等效於詳述值(例如，具有相同功能或結果)之數字範圍。於許多情況下，術語「約」可包含圓整至最近有效數字之數字。
使用端點表示之數值範圍包含歸入該範圍內之所有數字(例如，1至5包含1、1.5、2、2.75、3、3.80、4及5)。
於第一態樣中，本發明提供一種製備式(I)化合物之方法：
(Q)
3SnR (I)，
其中Q選自
(a)苯基，
(b)式(C
1-C
12烷基)
2N-之基團，
(c)式C
1-C
12烷基-O-之基團；及
(d)鹵化物(F、Cl、Br、I)，且
其中R為C
1-C
12烷基，
該方法包括使式SnX
2化合物(其中X選自氟、氯、溴、及碘)與莫耳過量之式Q-M化合物(其中M選自Li、Na及K)組合，接著與式R-X化合物組合。
於此方法之一個實施例中，Q選自(a)、(b)或(c)。作為此實施例之特定實例，一般將式Q-M化合物緩慢添加(同時控制所得之放熱反應)至包含二鹵錫化合物(SnX
2)及非質子溶劑，例如醚，諸如四氫呋喃、乙醚、二正丁基醚、二甲氧基乙烷及類似者之反應混合物中以形成式Q
3SnM化合物。如上所指定，基於式SnX
2化合物之起始量，利用莫耳過量之式Q-M化合物。於一個實施例中，利用約2.7至約3.3莫耳當量，諸如2.8至約3.2莫耳當量或2.9至約3.1莫耳當量，及於另一實施例中，利用約3莫耳當量。一旦式Q-M化合物之添加完成，就可將反應混合物加熱至高於環境溫度之溫度，例如，約40℃至80℃，或約55℃至65℃，持續足以確保此等兩種物質完全反應之時間段。接下來，將一般等莫耳量之式R-X化合物添加至反應混合物中，其然後得到所需式(I)之產物。於某些實施例中，以基於式SnX
2之起始物質之量計約0.7至約1.3莫耳當量，諸如約0.8至約1.2莫耳當量或約0.9至約1.1莫耳當量添加式R-X化合物。
於該方法之另一實施例中，Q選自(d)。作為此實施例之特定實例，將式Q-M化合物以1.2:1至1:1.2之比率，諸如1.1:1至1:1.2之比率，及較佳地以1:1比率添加至二鹵錫化合物(SnX
2)中，其中Q為鹵化物。一旦式Q-M化合物之添加完成，就可將反應混合物加熱至高於環境溫度之溫度(例如，約180℃至220℃)持續足以確保完全反應以形成具有式Q
3SnM之化合物之時間段。接下來，將一般過量之R-X添加至反應混合物中。一旦化合物R-X之添加完成，就可將反應混合物加熱至高於環境溫度之溫度(例如，約90℃至140℃)持續足以確保此等物質之完全反應之時間段，其然後得到所需式(I)之產物，其中Q為鹵化物。於某些實施例中，以基於式SnX
2之起始物質之量計約4至約8莫耳當量添加該式R-X化合物。
於此方法中，R可選自C
1-C
12烷基，其可為直鏈或分支鏈烷基，諸如甲基、乙基、丙基、丁基、異丙基、異丁基、第二丁基等。此外，R可為環狀C
1-C
5基團，諸如環丙基。同樣，R可為不飽和C
1-C
5基團，諸如乙烯基或乙炔基。此等R基團中之任一者可進一步(諸如)經一或多個鹵素基團或醚基團取代。例如，R可為具有式-(CH
2)
n(CH
aF
b)
m之氟化烷基，其中m為1至5且m + n為1至5且其中b為1至3且a + b = 3，包括單氟化C
1-C
5烷基，諸如-CH
2F或-CH
2CH
2F基團，及全氟化C
1-C
5基團，諸如-CF
3或CF
2CF
3基團。或者，R可為烷基醚基團，其中該烷基部分為C
1-C
5烷基。
於一個實施例中，X選自氯或溴。例如，於一個實施例中，式R-X之反應物可為2-溴丙烷或2-氯丙烷。
式(I)化合物(諸如其中Q為苯基、式(C
1-C1
2烷基)
2N-之基團或式C
1-C
12烷基-O-之基團)可用作合成某些二烷基醯胺基有機錫前驅體化合物之中間體，該等化合物可用於氣相沉積含錫膜在微電子裝置表面上。於一個實施例中，式(I)化合物為異丙基三苯基錫。
於此第一態樣之一個特定實施例中，本發明提供一種製備下式化合物之方法
，
其中R
1為C
1-C
6烷基，其包括使式SnX
2化合物(其中X為氯或溴)與莫耳過量之式(Ph)Li化合物(其中Ph為苯基)接觸，接著添加式R
1X化合物。於一個實施例中，R
1為異丙基且X為氯。
如上所指定，式(I)化合物(諸如其中Q為苯基、式(C
1-C1
2烷基)
2N-之基團、式C
1-C
12烷基-O-之基團或鹵化物(諸如F、Cl、Br或I))可用作形成二烷基醯胺基烷基錫化合物之中間體。因此，於第二態樣中，本發明提供一種製備式(II)化合物之方法：
(II)，
其中R為C
1-C
12烷基且R
2為C
1-C
12烷基，該方法包括：
(a)使式SnX
2化合物(其中X選自氟、氯、溴、及碘)與莫耳過量之式Q-M化合物(其中M選自Li、Na及K，且Q為苯基、式(C
1-C
12烷基)
2N-之基團或式C
1-C
12烷基-O-之基團)接觸，
(b)添加式R-X化合物(其中R為C
1-C
12烷基)，以得到式(Q)
3SnR化合物，
(c)與鹵化錫(IV)反應，以得到烷基三鹵錫，及
(d)與式(R
2)
2NH化合物及與式(R
2)
2N-M化合物反應。
於此方法中，步驟(a)及(b)係類似於以上第一態樣中所詳述之彼等。作為特定實例，諸如[苯基]
3Sn-[異丙基]之化合物可藉由將二鹵化錫 (II) (諸如SnCl
2)與(Ph)Li組合，及進一步與異丙基鹵化物組合來形成。所得[苯基]
3Sn-[異丙基]可進一步與鹵化錫(IV) (諸如SnCl
4)反應，以得到三鹵錫中間體，諸如三氯化異丙基錫，然後可使其與式(R
2)
2NH之二烷基胺(諸如二甲胺)及式(R
2)
2N-M化合物(諸如二甲基醯胺鋰)反應，以得到式(IIa)化合物：
。
或者，本發明亦提供一種製備式(II)化合物之方法，其中R為C
1-C
12烷基且R
2為C
1-C
12烷基，該方法包括：
(a)使式SnX
2化合物(其中X選自氟、氯、溴、及碘)與式Q-M化合物(其中M選自Li、Na及K，且Q為鹵化物)接觸，
(b)添加式R-X化合物，其中R為C
1-C
12烷基；以得到式(Q)
3SnR化合物，及
(c)使式(R
2)
2NH化合物與式(R
2)
2N-M化合物反應。
於此方法中，步驟(a)及(b)係類似於以上第一態樣中所詳述之彼等。作為特定實例，烷基三鹵化錫(諸如三氯化異丙基錫)可藉由使金屬鹵化物 (M-X) (諸如KCl)與鹵化錫(II) (SnX
2) (諸如SnCl
2)反應，以得到三鹵錫中間體，然後可使其與烷基鹵(R-X) (諸如碘丙烷)反應以形成具有式Q
3SnR之化合物，諸如[氯]
3Sn-[異丙基]來形成。如上，然後可使此與式(R
2)
2NH之二烷基胺(諸如二甲胺)及式(R
2)
2NM之醯胺金屬(諸如二甲基醯胺鋰)反應，以得到式(IIa)化合物。
於某些實施例中，Q為式(C
1-C
4烷基)
2N-之基團，且選自下式之群：
a. (CH
3)
2N-;
b. (CH
3CH
2)
2N-;
c. (正丙基)
2N-;
d. (異丙基)
2N-;
e. (第三丁基)
2N-；
f. (第二丁基)
2N-；及
g. (正丁基)
2N-。
於其他實施例中，R為式C
1-C
4烷基-O-之基團，且選自下式之群：
a. CH
3O- ；
b. CH
3CH
2O- ；
a.正丙基-O- ；
b.異丙基-O-；
c.第三丁基-O- ；
d.第二丁基-O- ；及
e.正丁基-O- 。
實例 實例 1 —— 合成異丙基三苯基錫 (Ph
3SniPr)
於經氮氣填充之手套箱中，將SnCl
2(15 g，78.2 mmol)放入配備有磁性攪拌棒之250 mL圓底燒瓶中及用THF (約50 mL)稀釋以形成稍渾濁溶液。將燒瓶放在250 mL加熱套上及經由注射器緩慢添加PhLi (1.9M (n-Bu)
2O，129 mL，246 mmol)。在添加後，反應立即呈現為暗紅色混合物，展示放熱，及開始回流。緩慢添加PhLi以控制放熱(歷時約20分鐘2.5個注射器的量)及在完成添加後，反應呈現為暗紅色/棕色混合物。添加另外THF (約50 mL)，使燒瓶配備有冷凝器，及將反應在60℃下加熱，同時攪拌6小時。
於此時後，反應呈現為暗棕色混合物。將2-氯丙烷於40 mL小瓶中稱重及經由吸量管快速添加至混合物中，藉此在完成添加後，反應變成淺棕色混合物，將其在室溫下攪拌。在減壓下自反應移除溶劑及將所得黏性黃色混合物帶出手套箱及放入通風櫥中。將產物溶解於二氯甲烷(約50 mL)中及於分液漏斗中用DI H
2O (3 x 100 mL)洗滌。於第三次水洗後，將合併之有機層經MgSO
4乾燥，透過可棄式聚乙烯過濾燒結料過濾，及將所得桃紅色/黃色溶液在減壓下乾燥，以得到淺黃色固體：20.2 g (65.7%)。
1H-NMR (CDCl
3400 MHz)；
d, 6H, 1.528 ppm;
sept, 1H, 2.15 ppm;
m, 9H, 7.42 ppm;
m, 6H, 7.63 ppm。
119Sn{
1H}-NMR (CDCl
3, 150 MHz); -103.318 ppm。
實例 2 —— 合成異丙基三碘化錫 (iPrSnI
3)
於經氮氣填充之手套箱中，將KCl (1.93 g，26.0 mmol)及SnCl
2(5 g，26.0 mmol)於配備有磁性攪拌棒之40 mL小瓶中合併及在195℃下加熱，藉此，於加熱一小時後，反應呈現為淺黃色液體。將混合物冷卻至室溫，固化成白色固體。將2-碘丙烷(26.5 g，156 mmol)添加至反應中及將混合物在125℃下攪拌12小時，此時，反應呈現為黃色/橙色混合物。在母液之等分試樣上記錄之
1H-及
119Sn-NMR與iPrSnI
3之生成一致。
1H-NMR (400 MHz，2-碘丙烷，298K)：0.14 (d, 6H); 2.82 (sept, 1H) ppm；
119Sn{
1H}-NMR (149 MHz，2-碘丙烷，298K): -439.54 ppm。
態樣
於第一態樣中，本發明提供一種製備式(I)化合物之方法：
(Q)
3SnR (I)，
其中Q選自
(a)苯基，
(b)式(C
1-C
12烷基)
2N-之基團，
(c)式C
1-C
12烷基-O-之基團；及
(d)鹵化物，且
其中R為C
1-C
12烷基，
該方法包括使式SnX
2化合物(其中X選自氟、氯、溴、及碘)與莫耳過量之式Q-M化合物(其中M選自Li、Na及K)接觸，接著與式R-X化合物組合。
於第二態樣中，本發明提供如第一態樣之方法，其中Q為苯基、式(C
1-C
12烷基)
2N-之基團或式C
1-C
12烷基-O-之基團。
於第三態樣中，本發明提供如第一或第二態樣之方法，其中M為Li。
於第四態樣中，本發明提供如第一至第三態樣中任一項之方法，其中R為甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、第二丁基、正戊基、異戊基或第二戊基。
於第五態樣中，本發明提供如第一至第四態樣中任一項之方法，其中R為環狀C
1-C
5基團。
於第六態樣中，本發明提供如第一至第四態樣中任一項之方法，其中R為乙烯基或乙炔基。
於第七態樣中，本發明提供如第一至第四態樣中任一項之方法，其中R進一步經一或多個鹵素基團或醚基團取代。
於第八態樣中，本發明提供如第一至第四態樣中任一項之方法，其中R為全氟化C
1-C
5基團。
於第九態樣中，本發明提供如第一至第四態樣中任一項之方法，其中R為具有為C
1-C
5基團之烷基部分之烷基醚基團。
於第十態樣中，本發明提供如第二至第九態樣中任一項之方法，其中該式Q-M化合物之莫耳過量為基於該式SnX
2化合物之量計約2.7至約3.3。
於第十一態樣中，本發明提供如第一至第十態樣中任一項之方法，其中Q為苯基，X為氯，R為異丙基，且M為鋰。
於第十二態樣中，本發明提供如第一至第十一態樣中任一項之方法，其中該式(I)化合物為：
其中R
1為C
1-C
6烷基。
於第十三態樣中，本發明提供如第十二態樣之方法，其中R
1為異丙基且X為氯。
於第十四態樣中，本發明提供如第一態樣之方法，其中Q為鹵化物。
於第十五態樣中，本發明提供如第十四態樣之方法，其中該式Q-M化合物及該式SnX
2化合物係以1.2:1至1:1.2之比率組合。
於第十六態樣中，本發明提供一種製備式(II)化合物之方法：
(II)，
其中R為C
1-C
12烷基且R
2為C
1-C
12烷基，其中該方法包括
(a)使式SnX
2化合物(其中X選自氟、氯、溴、及碘)與莫耳過量之式Q-M化合物(其中M選自Li、Na及K，且Q為苯基、式(C
1-C
12烷基)
2N-之基團或式C
1-C
12烷基-O-之基團)接觸，
(b)添加式R-X化合物(其中R為C
1-C
12烷基)，以得到式(Q)
3SnR化合物，
(c)與鹵化錫(IV)反應，以得到烷基三鹵錫，及
(d)與式(R
2)
2NH化合物及與式(R
2)
2N-M化合物反應；
或其中該方法包括
(a)使式SnX
2化合物(其中X選自氟、氯、溴、及碘)與式Q-M化合物(其中M選自Li、Na及K，且Q為鹵化物)接觸，
(b)添加式R-X化合物，其中R為C
1-C
12烷基；以得到式(Q)
3SnR化合物，及
(c)與式(R
2)
2NH化合物及與式(R
2)
2N-M化合物反應。
於第十七態樣中，本發明提供如第十六態樣之方法，其包括
(a)使式SnX
2化合物(其中X選自氟、氯、溴、及碘)與莫耳過量之式Q-M化合物(其中M選自Li、Na及K，且Q為苯基、式(C
1-C
12烷基)
2N-之基團或式C
1-C
12烷基-O-之基團)接觸，
(b)添加式R-X化合物(其中R為C
1-C
12烷基)，以得到式(Q)
3SnR化合物，
(c)與鹵化錫(IV)反應，以得到烷基三鹵錫，及
(d)與式(R
2)
2NH化合物及與式(R
2)
2N-M化合物反應。
於第十八態樣中，本發明提供如第十六態樣之方法，其包括
(a)使式SnX
2化合物(其中X選自氟、氯、溴、及碘)與式Q-M化合物(其中M選自Li、Na及K，且Q為鹵化物)接觸，
(b)添加式R-X化合物，其中R為C
1-C
12烷基；以得到式(Q)
3SnR化合物，及
(c)與式(R
2)
2NH化合物及與式(R
2)
2N-M化合物反應。
於第十九態樣中，本發明提供如第十六至第十八態樣中任一項之方法，其中該式(II)化合物為
。
於第二十態樣中，本發明提供一種具有式(Q)
3SnR之化合物，其中Q為苯基且其中R選自由以下組成之群：
甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、第二丁基、正戊基、異戊基或第二戊基，
環狀C
1-C
5基團，
乙烯基或乙炔基，
全氟化C
1-C
5基團，及
烷基醚基團，其中該烷基部分為C
1-C
5基團。
因此已描述本發明之若干說明性實施例，熟習此項技術者應容易瞭解，可於本文所附之申請專利範圍之範圍內進行及使用又其他實施例。由此文件覆蓋之本發明之許多優點已於上述描述中闡述。然而，應瞭解，本發明於許多態樣中僅係說明性。本發明之範圍當然以表述隨附申請專利範圍之語言限定。
圖1為於CDCl
3中記錄之實例1之Ph
3Sn-iPr (異丙基三苯基錫)之
1H-NMR。
圖2為於CDCl
3中記錄之實例1之Ph
3Sn-iPr之
119Sn-NMR。
圖3為於2-碘丙烷中記錄之實例2之iPrSnI
3之
119Sn-NMR。
Claims (10)
- 一種製備式(I)化合物之方法： (Q) 3SnR (I)， 其中Q選自 (a)苯基， (b)式(C 1-C 12烷基) 2N-之基團， (c)式C 1-C 12烷基-O-之基團；及 (d)鹵化物，且 其中R為C 1-C 12烷基， 該方法包括使式SnX 2化合物(其中X選自氟、氯、溴、及碘)與莫耳過量之式Q-M化合物(其中M選自Li、Na及K)接觸，接著與式R-X化合物組合。
- 如請求項1之方法，其中Q為苯基、式(C 1-C 12烷基) 2N-之基團或式C 1-C 12烷基-O-之基團。
- 如請求項2之方法，其中該式Q-M化合物之莫耳過量為基於該式SnX 2化合物之量計約2.7至約3.3。
- 如請求項2之方法，其中該式(I)化合物為：， 其中R 1為C 1-C 12烷基。
- 如請求項1之方法，其中Q為鹵化物。
- 如請求項1之方法，其中該式Q-M化合物及該式SnX 2化合物係以1.2:1至1:1.2之比率組合。
- 一種製備式(II)化合物之方法：(II)， 其中R為C 1-C 12烷基且R 2為C 1-C 12烷基，其中該方法為第一方法，該第一方法包括： (a)使式SnX 2化合物(其中X選自氟、氯、溴、及碘)與莫耳過量之式Q-M化合物(其中M選自Li、Na及K，且Q為苯基、式(C 1-C 12烷基) 2N-之基團或式C 1-C 12烷基-O-之基團)接觸， (b)添加式R-X化合物(其中R為C 1-C 12烷基)，以得到式(Q) 3SnR化合物， (c)與鹵化錫(IV)反應，以得到烷基三鹵錫，及 (d)與式(R 2) 2NH化合物及與式(R 2) 2N-M化合物反應； 或其中該方法為第二方法，該第二方法包括： (a)使式SnX 2化合物(其中X選自氟、氯、溴、及碘)與式Q-M化合物(其中M選自Li、Na及K，且Q為鹵化物)接觸， (b)添加式R-X化合物，其中R為C 1-C 12烷基；以得到式(Q) 3SnR化合物，及 (c)與式(R 2) 2NH化合物及與式(R 2) 2N-M化合物反應。
- 如請求項7之方法，其中該方法包括 (a)使式SnX 2化合物(其中X選自氟、氯、溴、及碘)與莫耳過量之式Q-M化合物(其中M選自Li、Na及K，且Q為苯基、式(C 1-C 12烷基) 2N-之基團或式C 1-C 12烷基-O-之基團)接觸， (b)添加式R-X化合物(其中R為C 1-C 12烷基)，以得到式(Q) 3SnR化合物， (c)與鹵化錫(IV)反應，以得到烷基三鹵錫，及 (d)與式(R 2) 2NH化合物及與式(R 2) 2N-M化合物反應。
- 如請求項7之方法，其中該方法包括 (a)使式SnX 2化合物(其中X選自氟、氯、溴、及碘)與式Q-M化合物(其中M選自Li、Na及K，且Q為鹵化物)接觸， (b)添加式R-X化合物，其中R為C 1-C 12烷基；以得到式(Q) 3SnR化合物，及 (c)與式(R 2) 2NH化合物及與式(R 2) 2N-M化合物反應。
- 一種具有式(Q) 3SnR之化合物，其中Q為苯基且其中R選自由以下組成之群： 甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、第二丁基、正戊基、異戊基或第二戊基， 環狀C 1-C 5基團， 乙烯基或乙炔基， 全氟化C 1-C 5基團，及 烷基醚基團，其中該烷基部分為C 1-C 5基團。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US202163212251P | 2021-06-18 | 2021-06-18 | |
| US63/212,251 | 2021-06-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202304941A true TW202304941A (zh) | 2023-02-01 |
Family
ID=84490012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111122574A TW202304941A (zh) | 2021-06-18 | 2022-06-17 | 製備有機錫化合物的方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220402945A1 (zh) |
| EP (1) | EP4355752A1 (zh) |
| JP (1) | JP2024522233A (zh) |
| KR (1) | KR20240021947A (zh) |
| CN (1) | CN117651708A (zh) |
| TW (1) | TW202304941A (zh) |
| WO (1) | WO2022266421A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI817463B (zh) * | 2020-07-03 | 2023-10-01 | 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 | 製備有機錫化合物的方法 |
| US11697660B2 (en) * | 2021-01-29 | 2023-07-11 | Entegris, Inc. | Process for preparing organotin compounds |
| US11827659B2 (en) * | 2022-03-31 | 2023-11-28 | Feng Lu | Organometallic tin compounds as EUV photoresist |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4050014A3 (en) * | 2014-10-23 | 2022-12-14 | Inpria Corporation | Organometallic solution based high resolution patterning compositions |
| EP4273625A3 (en) * | 2015-10-13 | 2024-02-28 | Inpria Corporation | Organotin oxide hydroxide patterning compositions, precursors, and patterning |
| CA2975104A1 (en) * | 2017-08-02 | 2019-02-02 | Seastar Chemicals Inc. | Organometallic compounds and methods for the deposition of high purity tin oxide |
| US10787466B2 (en) * | 2018-04-11 | 2020-09-29 | Inpria Corporation | Monoalkyl tin compounds with low polyalkyl contamination, their compositions and methods |
| WO2019217749A1 (en) * | 2018-05-11 | 2019-11-14 | Lam Research Corporation | Methods for making euv patternable hard masks |
| KR102446361B1 (ko) * | 2019-10-15 | 2022-09-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 포토 레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
| KR102619719B1 (ko) * | 2020-05-12 | 2023-12-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
| TWI817463B (zh) * | 2020-07-03 | 2023-10-01 | 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 | 製備有機錫化合物的方法 |
| KR20230131941A (ko) * | 2021-01-28 | 2023-09-14 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 유기주석 화합물을 제조하는 방법 |
| US11697660B2 (en) * | 2021-01-29 | 2023-07-11 | Entegris, Inc. | Process for preparing organotin compounds |
-
2022
- 2022-06-17 EP EP22825891.9A patent/EP4355752A1/en active Pending
- 2022-06-17 TW TW111122574A patent/TW202304941A/zh unknown
- 2022-06-17 WO PCT/US2022/033954 patent/WO2022266421A1/en active Application Filing
- 2022-06-17 KR KR1020247001515A patent/KR20240021947A/ko active Search and Examination
- 2022-06-17 US US17/843,021 patent/US20220402945A1/en active Pending
- 2022-06-17 CN CN202280050405.9A patent/CN117651708A/zh active Pending
- 2022-06-17 JP JP2023577665A patent/JP2024522233A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20240021947A (ko) | 2024-02-19 |
| WO2022266421A1 (en) | 2022-12-22 |
| JP2024522233A (ja) | 2024-06-11 |
| EP4355752A1 (en) | 2024-04-24 |
| CN117651708A (zh) | 2024-03-05 |
| US20220402945A1 (en) | 2022-12-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW202304941A (zh) | 製備有機錫化合物的方法 | |
| TWI821891B (zh) | 製備有機錫化合物的方法 | |
| JP5524979B2 (ja) | アミジン誘導体をリガンドとする新規ゲルマニウム化合物及びその製造方法 | |
| US11697660B2 (en) | Process for preparing organotin compounds | |
| JP2023539735A (ja) | 反応物の供給に好都合な配位子を持つ有機スズ組成物の製造方法 | |
| TW202406919A (zh) | 三鹵化烷基錫之組合物及相關方法 | |
| JP4120925B2 (ja) | 銅錯体およびこれを用いた銅含有薄膜の製造方法 | |
| JP5463750B2 (ja) | アザボラシクロペンテン化合物の製造方法 | |
| JP5488786B2 (ja) | アザボラシクロペンテン化合物の製造方法及びその合成中間体 | |
| JP7094987B2 (ja) | カルボキシレートの存在下におけるトリアルキルインジウム化合物の生成 | |
| JP5488789B2 (ja) | アルコキシアザボラシクロペンテン化合物の製造方法 | |
| JP3751713B2 (ja) | トリアリールボランホスフィン錯体の製造法 | |
| RU2322447C2 (ru) | Комплексы оксалата димеди (i) в качестве веществ-предшественников для нанесения металлической меди | |
| TWI844949B (zh) | 氟烷基錫前驅物之合成 | |
| Bříza et al. | Synthesis of polyfluorinated alkynes, novel building blocks for fluorous chemistry | |
| TW202321268A (zh) | 氟烷基錫前驅物之合成 | |
| JP5423212B2 (ja) | アミノアザボラシクロペンテン化合物の製造方法 | |
| TW202030194A (zh) | 三衍生物之製造方法及有機銅化合物 |