KR20240021947A - 유기주석 화합물을 제조하는 방법 - Google Patents

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KR20240021947A
KR20240021947A KR1020247001515A KR20247001515A KR20240021947A KR 20240021947 A KR20240021947 A KR 20240021947A KR 1020247001515 A KR1020247001515 A KR 1020247001515A KR 20247001515 A KR20247001515 A KR 20247001515A KR 20240021947 A KR20240021947 A KR 20240021947A
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데이비드 엠 에머트
토마스 엠 카메론
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엔테그리스, 아이엔씨.
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Abstract

본 발명은 알킬 및 아릴 치환기를 갖는 특정 유기주석 화합물을 제조하기 위한 쉬운 방법을 제공한다. 이들 화합물은 예를 들어 마이크로전자 장치 제조에 사용되는 극자외선 (EUV) 리소그래피 기술에서 고순도 주석 산화물 필름의 증착 시 전구체로 결국 유용한 특정 알킬아미노- 및 알콕시-치환된 알킬 주석 화합물의 합성에서의 중간체로서 유용하다.

Description

유기주석 화합물을 제조하는 방법
본 발명은 유기주석 화학 분야에 속하며, 특히 특정 유기주석 중간체를 쉽게 제조하는 방법에 관한 것이다.
특정 유기주석 화합물은 특정 마이크로전자 장치의 제조에 사용되는 극자외선 (EUV) 리소그래피 기술과 같은 응용분야에서 고순도 주석 (IV) 산화물을 증착하는 데 유용한 것으로 나타났다.
특히 흥미로운 것은 알킬아미노 기 (또는 알콕시 기) 및 알킬 기의 조합을 갖는 유기주석 화합물이며, 이는 주석-함유 필름을 마이크로전자 장치 기판에 증착할 때 액체 전구체로서 유용하다. 따라서, 고순도 주석 산화물 필름의 증착에 사용하기 위한 고순도 형태의 이러한 유기주석 화합물을 제조하기 위한 개선된 방법이 필요하다.
알킬, 아릴 또는 할로 치환기를 갖는 특정 유기주석 화합물을 제조하기 위한 쉬운 방법이 제공된다. 이들 화합물은 예를 들어 마이크로전자 장치 제조에 사용되는 극자외선 (EUV) 리소그래피 기술에서 고순도 주석 산화물 필름의 증착 시 전구체로 유용한 특정 알킬아미노- 및 알콕시-치환된 알킬 주석 화합물의 합성에서의 중간체로서 유용하다. 예를 들어, 본 발명의 방법을 사용하여 이소프로필트리페닐 주석을 제조한 후, 주석 테트라클로라이드에 이어서 디메틸아민 및 리튬 디메틸아미드와 반응시켜 트리스(디메틸아미도)이소프로필 주석을 얻을 수 있다.
도 1은 CDCl3에 기록된 실시예 1의 Ph3Sn-iPr (이소프로필 트리페닐 주석)의 1H-NMR이다.
도 2는 CDCl3에 기록된 실시예 1의 Ph3Sn-iPr의 119Sn-NMR이다.
도 3은 2-아이오도프로판에서 기록된 실시예 2의 iPrSnI3의 119Sn-NMR이다.
본 명세서 및 첨부된 청구범위에 사용된 바와 같은 단수형은 내용이 달리 명시하지 않는 한 복수형을 포함한다. 본 명세서 및 첨부된 청구범위에 사용된 바와 같은 용어 "또는"은 일반적으로 내용이 달리 명시하지 않는 한 "및/또는"을 포함하는 의미로 사용된다.
"약"이라는 용어는 일반적으로 인용된 값과 동등한 것으로 간주되는 (예를 들어, 동일한 기능 또는 결과를 갖는) 수의 범위를 지칭한다. 많은 경우에, "약"이라는 용어는 가장 가까운 유효 숫자로 반올림된 수를 포함할 수 있다.
끝점을 사용하여 표현된 수의 범위는 범위 내에 포함된 모든 수를 포함한다 (예를 들어, 1 내지 5는 1, 1.5, 2, 2.75, 3, 3.80, 4 및 5를 포함한다).
제1 측면에서, 본 개시내용은 하기 화학식 (I)의 화합물을 제조하는 방법을 제공하며: (Q)3SnR (I)
(여기서 Q는 하기로부터 선택되고:
(a) 페닐,
(b) 화학식 (C1-C12 알킬)2N-의 기,
(c) 화학식 (C1-C12 알킬-O)-의 기; 및
(d) 할라이드 (F, Cl, Br, I),
여기서 R은 C1-C12 알킬 기임),
방법은 화학식 SnX2의 화합물 (여기서 X는 플루오로, 클로로, 브로모, 및 아이오도로부터 선택됨)을 몰 과량의 화학식 Q-M의 화합물 (여기서 M은 Li, Na, 및 K로부터 선택됨)과 조합한 후, 화학식 R-X의 화합물과 조합하는 것을 포함한다.
상기 방법의 한 실시양태에서, Q는 (a), (b), 또는 (c)로부터 선택된다. 이러한 실시양태의 구체적인 예로서, 화학식 Q-M의 화합물은 일반적으로 디할로 주석 화합물 (SnX2) 및 비양성자성 용매, 예를 들어 테트라히드로푸란, 디에틸 에테르, 디-n-부틸 에테르, 디메톡시에탄 등과 같은 에테르를 포함하는 반응 혼합물에 (생성되는 발열 반응을 제어하면서) 천천히 첨가하여 화학식 Q3SnM의 화합물을 형성한다. 상기 언급된 바와 같이, 화학식 SnX2의 화합물의 출발량을 기준으로 몰 과량의 화학식 Q-M의 화합물이 사용된다. 한 실시양태에서, 약 2.7 내지 약 3.3 몰 당량, 예컨대 2.8 내지 약 3.2 몰 당량 또는 2.9 내지 약 3.1 몰 당량이 사용되고, 또 다른 실시양태에서, 약 3 몰 당량이 사용된다. 화학식 Q-M의 화합물의 첨가가 완료되면, 반응 혼합물을 이들 2가지 종의 반응이 완료되는 것을 보장하기에 충분한 시간 동안 주위 온도보다 높은 온도, 예를 들어 약 40℃ 내지 80℃, 또는 약 55℃ 내지 65℃로 가열할 수 있다. 다음으로, 일반적으로 등몰량의 화학식 R-X의 화합물을 반응 혼합물에 첨가하고, 이어서 화학식 (I)의 원하는 생성물을 제공한다. 특정 실시양태에서, 화학식 R-X의 화합물은 화학식 SnX2의 출발 물질의 양을 기준으로 약 0.7 내지 약 1.3 몰 당량, 예컨대 약 0.8 내지 약 1.2 몰 당량 또는 약 0.9 내지 약 1.1 몰 당량으로 첨가된다.
방법의 또 다른 실시양태에서, Q는 (d)로부터 선택된다. 상기 실시양태의 구체적인 예로서, 화학식 Q-M의 화합물은 디할로 주석 화합물 (SnX2)에 1.2:1 내지 1:1.2의 비율, 예컨대 1.1:1 내지 1:1.2의 비율, 및 바람직하게는 1:1의 비율로 첨가되며, 여기서 Q는 할라이드이다. 화학식 Q-M의 화합물의 첨가가 완료되면, 반응 혼합물을 화학식 Q3SnM을 갖는 화합물을 형성하는 반응이 완료되는 것을 보장하기에 충분한 시간 동안 주위 온도보다 높은 온도, 예를 들어 약 180℃ 내지 220℃로 가열할 수 있다. 다음으로, 일반적으로 과량의 R-X를 반응 혼합물에 첨가한다. 화합물 R-X의 첨가가 완료되면, 반응 혼합물을 이들 종의 반응이 완료되는 것을 보장하기에 충분한 시간 동안 주위 온도보다 높은 온도, 예를 들어 약 90℃ 내지 140℃로 가열할 수 있으며, 이는 이후 화학식 (I)의 원하는 생성물을 제공하고, 여기서 Q는 할라이드이다. 특정 실시양태에서, 화학식 R-X의 화합물은 화학식 SnX2의 출발 물질의 양을 기준으로 약 4 내지 약 8 몰 당량 첨가된다.
상기 방법에서, R은 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 이소프로필, 이소부틸, sec-부틸 등과 같은 직쇄 또는 분지쇄 알킬 기일 수 있는 C1-C12 알킬 기로부터 선택될 수 있다. 추가로, R은 시클로프로필 기와 같은 시클릭 C1-C5 기일 수 있다. 또한, R은 비닐 기, 또는 아세틸레닐 기와 같은 불포화 C1-C5 기일 수 있다. 임의의 이들 R 기는 하나 이상의 할로겐 기 또는 에테르 기와 같이 추가로 치환될 수 있다. 예를 들어, R은 m이 1 내지 5이고, m + n이 1 내지 5이고, b가 1 내지 3이고, a + b = 3인 화학식 -(CH2)n(CHaFb)m을 갖는 플루오린화 알킬 기일 수 있으며, -CH2F 또는 -CH2CH2F 기와 같은 모노플루오린화된 C1-C5 알킬 기, 및 -CF3 또는 CF2CF3 기와 같은 퍼플루오린화된 C1-C5 기를 포함한다. 대안적으로, R은 알킬에테르 기일 수 있고, 여기서 알킬 부분은 C1-C5 알킬 기이다.
한 실시양태에서, X는 클로로 또는 브로모로부터 선택된다. 예를 들어, 한 실시양태에서 화학식 R-X의 반응물은 2-브로모프로판 또는 2-클로로프로판일 수 있다.
Q가 페닐, 화학식 (C1-C12 알킬)2N-의 기, 또는 화학식 C1-C12 알킬-O-의 기인 것과 같은 화학식 (I)의 화합물은 특정 디알킬아미도 유기주석 전구체 화합물의 합성에서 중간체로서 유용하며, 상기 화합물은 주석-함유 필름을 마이크로전자 장치의 표면에 기상 증착하는 데 유용하다. 한 실시양태에서, 화학식 (I)의 화합물은 이소프로필 트리페닐주석이다.
이러한 제1 측면의 한 구체적 실시양태에서, 본 발명은 하기 화학식의 화합물을 제조하는 방법을 제공하며:
Figure pct00001
여기서 R1은 C1-C6 알킬이고, 이는 X가 클로로 또는 브로모인 화학식 SnX2의 화합물과, Ph가 페닐인 화학식 (Ph)Li의 화합물의 몰 과량을 접촉시킨 후, 화학식 R1X의 화합물을 첨가하는 단계를 포함한다. 한 실시양태에서, R1은 이소프로필이고 X는 클로로이다.
상기에서 언급한 바와 같이, Q가 페닐, 화학식 (C1-C12 알킬)2N-의 기, 화학식 C1-C12 알킬-O-의 기, 또는 F, Cl, Br, 또는 I와 같은 할라이드인 것과 같은 화학식 (I)의 화합물은 디알킬아미도 알킬 주석 화합물의 형성에서 중간체로서 유용하다. 따라서, 제2 측면에서, 본 개시내용은 화학식 (II)의 화합물을 제조하는 방법을 제공하며:
Figure pct00002
여기서 R은 C1-C12 알킬 기이고, R2는 C1-C12 알킬 기이며, 하기를 포함한다:
(a) 화학식 SnX2의 화합물 (여기서 X는 플루오로, 클로로, 브로모, 및 아이오도로부터 선택됨)을 몰 과량의 화학식 Q-M의 화합물 (여기서 M은 Li, Na, 및 K로부터 선택되고, Q는 페닐, 화학식 (C1-C12 알킬)2N-의 기, 또는 화학식 C1-C12 알킬-O-의 기로부터 선택됨)과 접촉시키는 단계,
(b) 화학식 R-X의 화합물 (여기서 R은 C1-C12 알킬 기임)을 첨가하여 화학식 (Q)3SnR의 화합물을 제공하는 단계,
(c) 주석 (IV) 할라이드와 반응시켜 알킬 트리할로주석을 제공하는 단계, 및
(d) 화학식 (R2)2NH의 화합물 및 화학식 (R2)2N-M의 화합물과 반응시키는 단계.
상기 방법에서, 단계 (a) 및 (b)는 상기 제1 측면에서 언급한 것과 유사하다. 구체적인 예로서, SnCl2와 같은 주석 (II) 디할라이드와 (Ph)Li를 조합하고, 이소프로필 할라이드를 추가로 조합하여 [페닐]3Sn-[이소프로필]과 같은 화합물을 형성할 수 있다. 생성된 [페닐]3Sn-[이소프로필]은 SnCl4와 같은 주석 (IV) 할라이드와 추가로 반응하여 이소프로필주석 트리클로라이드와 같은 트리할로주석 중간체를 제공할 수 있으며, 이어서 이는 디메틸아민과 같은 화학식 (R2)2NH의 디알킬아민을 리튬 디메틸아미드와 같은 화학식 (R2)2N-M의 화합물과 반응하여 화학식 (IIa)의 화합물을 제공한다:
Figure pct00003
대안적으로, 본 개시내용은 또한 R이 C1-C12 알킬 기이고 R2가 C1-C12 알킬 기인 화학식 (II)의 화합물을 제조하는 방법을 제공하며, 이는 하기를 포함한다:
(a) 화학식 SnX2의 화합물 (여기서 X는 플루오로, 클로로, 브로모, 및 아이오도로부터 선택됨)을, M이 Li, Na, 및 K로부터 선택되고, Q가 할라이드인 화학식 Q-M의 화합물과 접촉시키는 단계,
(b) 화학식 R-X의 화합물 (여기서 R은 C1-C12 알킬 기임)을 첨가하여 화학식 (Q)3SnR의 화합물을 제공하는 단계, 및
(c) 화학식 (R2)2NH의 화합물 및 화학식 (R2)2N-M의 화합물과 반응시키는 단계.
상기 방법에서, 단계 (a) 및 (b)는 상기 제1 측면에서 언급한 것과 유사하다. 구체적인 예로서, 이소프로필 주석 트리클로라이드와 같은 알킬 주석 트리할라이드는 KCl과 같은 금속 할라이드 (M-X)와 SnCl2와 같은 주석 (II) 할라이드 (SnX2)를 반응시켜 트리할로주석 중간체를 제공함으로써 형성될 수 있으며, 이어서 아이오도프로판과 같은 알킬 할라이드 (R-X)와 반응하여 [클로로]3Sn-[이소프로필]과 같은 화학식 Q3SnR을 갖는 화합물을 형성할 수 있다. 상기와 같이, 이어서 디메틸아민과 같은 화학식 (R2)2NH의 디알킬아민 및 리튬 디메틸아미드와 같은 화학식 (R2)2NM의 금속 아미드와 반응하여 화학식 (IIa)의 화합물을 제공할 수 있다.
특정 실시양태에서, Q는 화학식 (C1-C4 알킬)2N-의 기이고, 하기 화학식의 기로부터 선택된다:
a. (CH3)2N-;
b. (CH3CH2)2N-;
c. (n-프로필)2N-;
d. (이소프로필)2N-;
e. (tert-부틸)2N-;
f. (sec-부틸)2N-; 및
g. (n-부틸)2N-.
다른 실시양태에서, R은 화학식 C1-C4 알킬-O-의 기이고, 하기 화학식의 기로부터 선택된다:
a. CH3O-;
b. CH3CH2O- ;
a. n-프로필-O-;
b. 이소프로필-O-;
c. tert-부틸-O-;
d. sec-부틸-O-; 및
e. n-부틸-O-.
실시예
실시예 1 - 이소프로필트리페닐주석 (Ph3SniPr)의 합성
질소가 채워진 글러브박스에서, SnCl2 (15 g, 78.2 mmol)를 자기 교반 막대가 장착된 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 넣고 THF (~50 mL)로 희석하여 약간 탁한 용액을 형성했다. 플라스크를 250 mL 가열 맨틀 위에 놓고 PhLi (1.9M (n-Bu)2O, 129 mL, 246 mmol)를 주사기를 통해 천천히 첨가했다. 첨가 시, 반응물은 즉시 암적색 혼합물로 나타나고, 발열을 나타내며, 환류되기 시작했다. 발열을 제어하기 위해 PhLi를 천천히 첨가하였고 (2.5개의 주사기를 약 20분에 걸쳐) 첨가 완료 시 반응물은 암적색/갈색 혼합물로 나타났다. 추가의 THF (~50 mL)를 첨가하고, 플라스크에 응축기를 장착하고, 반응물을 6시간 동안 교반하면서 60℃에서 가열하였다.
이 시간 이후, 반응물은 암갈색 혼합물로 나타났다. 2-클로로프로판을 40 mL 바이알에 계량하고 피펫을 통해 혼합물에 신속하게 첨가했으며, 첨가 완료 시 반응물은 밝은 갈색 혼합물로 바뀌었고 이를 실온에서 교반했다. 감압 하에 반응물로부터 용매를 제거하고, 생성된 끈적끈적한 노란색 혼합물을 글러브박스에서 꺼내어 흄 후드에 두었다. 생성물을 디클로로메탄 (~50 mL)에 용해시키고 분별 깔때기에서 DI H2O (3 x 100 mL)로 세척했다. 3차 물 세척 후, 조합한 유기 층을 MgSO4로 건조시키고 일회용 폴리에틸렌 필터 프릿을 통해 여과하고, 생성된 복숭아색/노란색 용액을 감압 하에 건조하여 연한 노란색 고체 20.2 g (65.7%)을 얻었다.
1H-NMR (CDCl3 400 MHz); d, 6H, 1.528 ppm; sept, 1H, 2.15 ppm; m, 9H, 7.42 ppm; m, 6H, 7.63 ppm. 119Sn{1H}-NMR (CDCl3, 150 MHz); -103.318 ppm.
실시예 2 - 이소프로필주석 트리아이오다이드 (iPrSnI3)의 합성
질소가 채워진 글러브박스에서, KCl (1.93 g, 26.0 mmol)과 SnCl2 (5 g, 26.0 mmol)를 자기 교반 막대가 장착된 40 mL 바이알에 조합하고 195℃로 가열했으며, 1시간 가열 후 반응물은 밝은-노란색 액체로 나타났다. 혼합물을 실온으로 냉각시켜 백색 고체로 고체화시켰다. 2-아이오도프로판 (26.5 g, 156 mmol)을 반응물에 첨가하고 혼합물을 125℃에서 12시간 동안 교반하였고, 이때 반응물은 노란색/주황색 혼합물로 나타났다. 모액의 분취량에 기록된 1H- 및 119Sn-NMR은 iPrSnI3의 생성과 일치한다.
1H-NMR (400 MHz, 2-아이오도프로판, 298K): 0.14 (d, 6H); 2.82 (sept, 1H) ppm; 119Sn{1H}-NMR (149 MHz, 2-아이오도프로판, 298K): -439.54 ppm.
측면들
제1 측면에서, 본 개시내용은 하기 화학식 (I)의 화합물을 제조하는 방법을 제공하며: (Q)3SnR (I)
(여기서 Q는 하기로부터 선택되고:
(a) 페닐,
(b) 화학식 (C1-C12 알킬)2N-의 기,
(c) 화학식 C1-C12 알킬-O-의 기; 및
(d) 할라이드,
여기서 R은 C1-C12 알킬 기임),
방법은 화학식 SnX2의 화합물 (여기서 X는 플루오로, 클로로, 브로모, 및 아이오도로부터 선택됨)을 몰 과량의 화학식 Q-M의 화합물 (여기서 M은 Li, Na, 및 K로부터 선택됨)과 접촉시킨 후, 화학식 R-X의 화합물과 조합하는 것을 포함한다.
제2 측면에서, 본 개시내용은 Q가 페닐, 화학식 (C1-C12 알킬)2N-의 기, 또는 화학식 C1-C12 알킬-O-의 기인, 제1 측면의 방법을 제공한다.
제3 측면에서, 본 개시내용은 M이 Li인, 제1 또는 제2 측면의 방법을 제공한다.
제4 측면에서, 본 개시내용은 R이 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, n-부틸, t-부틸, sec-부틸, n-펜틸, 이소펜틸, 또는 sec-펜틸 기인, 제1 내지 제3 측면 중 어느 한 측면의 방법을 제공한다.
제5 측면에서, 본 개시내용은 R이 시클릭 C1-C5 기인, 제1 내지 제4 측면 중 어느 한 측면의 방법을 제공한다.
제6 측면에서, 본 개시내용은 R이 비닐 기 또는 아세틸레닐 기인, 제1 내지 제4 측면 중 어느 한 측면의 방법을 제공한다.
제7 측면에서, 본 개시내용은 R이 하나 이상의 할로겐 기 또는 에테르 기로 추가로 치환되는 것인, 제1 내지 제4 측면 중 어느 한 측면의 방법을 제공한다.
제8 측면에서, 본 개시내용은 R이 퍼플루오린화된 C1-C5 기인, 제1 내지 제4 측면 중 어느 한 측면의 방법을 제공한다.
제9 측면에서, 본 개시내용은 R이 C1-C5 기인 알킬 부분을 갖는 알킬에테르 기인, 제1 내지 제4 측면 중 어느 한 측면의 방법을 제공한다.
제10 측면에서, 본 개시내용은 화학식 Q-M의 화합물의 몰 과량이 화학식 SnX2의 화합물의 양을 기준으로 약 2.7 내지 약 3.3인, 제2 내지 제9 측면 중 어느 한 측면의 방법을 제공한다.
제11 측면에서, 본 개시내용은 Q가 페닐이고, X가 클로로이고, R이 이소프로필이고, M이 리튬인, 제1 내지 제10 측면 중 어느 한 측면의 방법을 제공한다.
제12 측면에서, 본 개시내용은 하기 화학식 (I)의 화합물이
Figure pct00004
이며,
R1이 C1-C6 알킬인, 제1 내지 제11 측면 중 어느 한 측면의 방법을 제공한다.
제13 측면에서, 본 개시내용은 R1이 이소프로필이고 X가 클로로인, 제12 측면의 방법을 제공한다.
제14 측면에서, 본 개시내용은 Q가 할라이드인, 제1 측면의 방법을 제공한다.
제15 측면에서, 본 개시내용은 화학식 Q-M의 화합물과 화학식 SnX2의 화합물이 1.2:1 내지 1:1.2의 비율로 조합되는 것인, 제14 측면의 방법을 제공한다.
제16 측면에서, 본 개시내용은 화학식 (II)의 화합물을 제조하는 방법을 제공하며:
Figure pct00005
여기서 R은 C1-C12 알킬 기이고, R2는 C1-C12 알킬 기이고, 여기서 방법은 하기를 포함하거나:
(a) 화학식 SnX2의 화합물 (여기서 X는 플루오로, 클로로, 브로모, 및 아이오도로부터 선택됨)을 몰 과량의 화학식 Q-M의 화합물 (여기서 M은 Li, Na, 및 K로부터 선택되고, Q는 페닐, 화학식 (C1-C12 알킬)2N-의 기, 또는 화학식 C1-C12 알킬-O-의 기임)과 접촉시키는 단계,
(b) 화학식 R-X의 화합물 (여기서 R은 C1-C12 알킬 기임)을 첨가하여 화학식 (Q)3SnR의 화합물을 제공하는 단계,
(c) 주석 (IV) 할라이드와 반응시켜 알킬 트리할로주석을 제공하는 단계, 및
(d) 화학식 (R2)2NH의 화합물 및 화학식 (R2)2N-M의 화합물과 반응시키는 단계,
또는 여기서 방법은 하기를 포함한다:
(a) 화학식 SnX2의 화합물 (여기서 X는 플루오로, 클로로, 브로모, 및 아이오도로부터 선택됨)을 화학식 Q-M의 화합물 (여기서 M은 Li, Na, 및 K로부터 선택되고, Q는 할라이드임)과 접촉시키는 단계,
(b) 화학식 R-X의 화합물 (여기서 R은 C1-C12 알킬 기임)을 첨가하여 화학식 (Q)3SnR의 화합물을 제공하는 단계, 및
(c) 화학식 (R2)2NH의 화합물 및 화학식 (R2)2N-M의 화합물과 반응시키는 단계.
제17 측면에서, 본 개시내용은 하기를 포함하는 제16 측면의 방법을 제공한다:
(a) 화학식 SnX2의 화합물 (여기서 X는 플루오로, 클로로, 브로모, 및 아이오도로부터 선택됨)을 몰 과량의 화학식 Q-M의 화합물 (여기서 M은 Li, Na, 및 K로부터 선택되고, Q는 페닐, 화학식 (C1-C12 알킬)2N-의 기, 또는 화학식 C1-C12 알킬-O-의 기임)과 접촉시키는 단계,
(b) 화학식 R-X의 화합물 (여기서 R은 C1-C12 알킬 기임)을 첨가하여 화학식 (Q)3SnR의 화합물을 제공하는 단계,
(c) 주석 (IV) 할라이드와 반응시켜 알킬 트리할로주석을 제공하는 단계, 및
(d) 화학식 (R2)2NH의 화합물 및 화학식 (R2)2N-M의 화합물과 반응시키는 단계.
제18 측면에서, 본 개시내용은 하기를 포함하는 제16 측면의 방법을 제공한다:
(a) 화학식 SnX2의 화합물 (여기서 X는 플루오로, 클로로, 브로모, 및 아이오도로부터 선택됨)을 화학식 Q-M의 화합물 (여기서 M은 Li, Na, 및 K로부터 선택되고, Q는 할라이드임)과 접촉시키는 단계,
(b) 화학식 R-X의 화합물 (여기서 R은 C1-C12 알킬 기임)을 첨가하여 화학식 (Q)3SnR의 화합물을 제공하는 단계, 및
(c) 화학식 (R2)2NH의 화합물 및 화학식 (R2)2N-M의 화합물과 반응시키는 단계.
제19 측면에서, 본 개시내용은 화학식 (II)의 화합물이 하기인,
Figure pct00006
제16 내지 제18 측면 중 어느 한 측면의 방법을 제공한다.
제20 측면에서, 본 개시내용은 화학식 (Q)3SnR의 화합물을 제공하며, 여기서 Q는 페닐이고, R은 하기로 이루어진 군으로부터 선택된다:
메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, n-부틸, t-부틸, sec-부틸, n-펜틸, 이소펜틸, 또는 sec-펜틸 기,
시클릭 C1-C5 기,
비닐 기 또는 아세틸레닐 기,
퍼플루오린화된 C1-C5 기, 및
알킬 부분이 C1-C5 기인 알킬에테르 기.
본 개시내용의 여러 예시적인 실시양태를 기재하였으므로, 통상의 기술자는 첨부된 청구범위의 범위 내에서 다른 실시양태가 만들어지고 사용될 수 있다는 것을 쉽게 이해할 것이다. 본 발명에서 다루는 개시내용의 수많은 이점이 상기 상세한 설명에 기재되었다. 그러나 본 개시내용은 많은 측면에서 단지 예시적일 뿐이라는 것이 이해될 것이다. 물론, 본 개시내용의 범위는 첨부된 청구범위가 표현하는 언어로 정의된다.

Claims (20)

  1. 화학식 (I)의 화합물을 제조하는 방법이며,
    (Q)3SnR (I)
    (여기서 Q는 하기로부터 선택되고:
    (a) 페닐,
    (b) 화학식 (C1-C12 알킬)2N-의 기,
    (c) 화학식 C1-C12 알킬-O-의 기; 및
    (d) 할라이드,
    여기서 R은 C1-C12 알킬 기임),
    화학식 SnX2의 화합물 (여기서 X는 플루오로, 클로로, 브로모, 및 아이오도로부터 선택됨)을 몰 과량의 화학식 Q-M의 화합물 (여기서 M은 Li, Na, 및 K로부터 선택됨)과 접촉시킨 후, 화학식 R-X의 화합물과 조합하는 것을 포함하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, Q가 페닐, 화학식 (C1-C12 알킬)2N-의 기, 또는 화학식 C1-C12 알킬-O-의 기인 방법.
  3. 제1항에 있어서, M이 Li인 방법.
  4. 제1항에 있어서, R이 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, n-부틸, t-부틸, sec-부틸, n-펜틸, 이소펜틸, 또는 sec-펜틸 기인 방법.
  5. 제1항에 있어서, R이 시클릭 C1-C5 기인 방법.
  6. 제1항에 있어서, R이 비닐 기 또는 아세틸레닐 기인 방법.
  7. 제1항에 있어서, R이 하나 이상의 할로겐 기 또는 에테르 기로 추가로 치환되는 것인 방법.
  8. 제1항에 있어서, R이 퍼플루오린화된 C1-C5 기인 방법.
  9. 제1항에 있어서, R이 알킬에테르 기이고, 알킬 부분이 C1-C5 기인 방법.
  10. 제2항에 있어서, 화학식 Q-M의 화합물의 몰 과량이 화학식 SnX2의 화합물의 양을 기준으로 약 2.7 내지 약 3.3인 방법.
  11. 제2항에 있어서, Q가 페닐이고, X가 클로로이고, R이 이소프로필이고, M이 리튬인 방법.
  12. 제2항에 있어서, 화학식 (I)의 화합물이
    Figure pct00007

    이며,
    R1이 C1-C12 알킬인 방법.
  13. 제12항에 있어서, R1이 이소프로필이고 X가 클로로인 방법.
  14. 제1항에 있어서, Q가 할라이드인 방법.
  15. 제12항에 있어서, 화학식 Q-M의 화합물과 화학식 SnX2의 화합물이 1.2:1 내지 1:1.2의 비율로 조합되는 것인 방법.
  16. 화학식 (II)의 화합물을 제조하는 방법이며,
    Figure pct00008

    (여기서 R은 C1-C12 알킬 기이고 R2는 C1-C12 알킬 기임)
    여기서 방법은
    (a) 화학식 SnX2의 화합물 (여기서 X는 플루오로, 클로로, 브로모, 및 아이오도로부터 선택됨)을 몰 과량의 화학식 Q-M의 화합물 (여기서 M은 Li, Na, 및 K로부터 선택되고, Q는 페닐, 화학식 (C1-C12 알킬)2N-의 기, 또는 화학식 C1-C12 알킬-O-의 기임)과 접촉시키는 단계,
    (b) 화학식 R-X의 화합물 (여기서 R은 C1-C12 알킬 기임)을 첨가하여 화학식 (Q)3SnR의 화합물을 제공하는 단계,
    (c) 주석 (IV) 할라이드와 반응시켜 알킬 트리할로주석을 제공하는 단계, 및
    (d) 화학식 (R2)2NH의 화합물 및 화학식 (R2)2N-M의 화합물과 반응시키는 단계
    를 포함하는 제1 방법이거나:
    또는 여기서 방법은
    (a) 화학식 SnX2의 화합물 (여기서 X는 플루오로, 클로로, 브로모, 및 아이오도로부터 선택됨)을 화학식 Q-M의 화합물 (여기서 M은 Li, Na, 및 K로부터 선택되고, Q는 할라이드임)과 접촉시키는 단계,
    (b) 화학식 R-X의 화합물 (여기서 R은 C1-C12 알킬 기임)을 첨가하여 화학식 (Q)3SnR의 화합물을 제공하는 단계, 및
    (c) 화학식 (R2)2NH의 화합물 및 화학식 (R2)2N-M의 화합물과 반응시키는 단계
    를 포함하는 제2 방법인
    방법.
  17. 제16항에 있어서,
    (a) 화학식 SnX2의 화합물 (여기서 X는 플루오로, 클로로, 브로모, 및 아이오도로부터 선택됨)을 몰 과량의 화학식 Q-M의 화합물 (여기서 M은 Li, Na, 및 K로부터 선택되고, Q는 페닐, 화학식 (C1-C12 알킬)2N-의 기, 또는 화학식 C1-C12 알킬-O-의 기임)과 접촉시키는 단계,
    (b) 화학식 R-X의 화합물 (여기서 R은 C1-C12 알킬 기임)을 첨가하여 화학식 (Q)3SnR의 화합물을 제공하는 단계,
    (c) 주석 (IV) 할라이드와 반응시켜 알킬 트리할로주석을 제공하는 단계, 및
    (d) 화학식 (R2)2NH의 화합물 및 화학식 (R2)2N-M의 화합물과 반응시키는 단계
    를 포함하는 방법.
  18. 제16항에 있어서,
    (a) 화학식 SnX2의 화합물 (여기서 X는 플루오로, 클로로, 브로모, 및 아이오도로부터 선택됨)을 화학식 Q-M의 화합물 (여기서 M은 Li, Na, 및 K로부터 선택되고, Q는 할라이드임)과 접촉시키는 단계,
    (b) 화학식 R-X의 화합물 (여기서 R은 C1-C12 알킬 기임)을 첨가하여 화학식 (Q)3SnR의 화합물을 제공하는 단계, 및
    (c) 화학식 (R2)2NH의 화합물 및 화학식 (R2)2N-M의 화합물과 반응시키는 단계
    를 포함하는 방법.
  19. 제16항에 있어서, 화학식 (II)의 화합물이
    Figure pct00009

    인 방법.
  20. 화학식 (Q)3SnR을 갖는 화합물이며, 여기서
    Q는 페닐이고,
    R은
    메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, n-부틸, t-부틸, sec-부틸, n-펜틸, 이소펜틸, 또는 sec-펜틸 기,
    시클릭 C1-C5 기,
    비닐 기 또는 아세틸레닐 기,
    퍼플루오린화된 C1-C5 기, 및
    알킬 부분이 C1-C5 기인 알킬에테르 기
    로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인
    화합물.
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