JP4120925B2 - 銅錯体およびこれを用いた銅含有薄膜の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、化学気相蒸着法により銅あるいは銅含有合金等の金属薄膜または銅酸化物を一構成成分とする複合酸化物薄膜等の銅含有薄膜を形成させる際に使用される銅錯体に関する。また、当該銅錯体を用いた銅あるいは銅含有合金等の金属薄膜または銅酸化物を一構成成分とする複合酸化物薄膜の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
金属銅薄膜(以下、単に銅薄膜と称す)はシリコン半導体の銅配線に利用される。また酸化銅を一構成成分とする金属酸化物薄膜(以下、単に酸化銅薄膜と称す)は、高温超伝導体の材料として応用が期待される。
銅薄膜、あるいは酸化銅を成分として含む複合酸化物薄膜を蒸着法により形成させる方法は数種知られているが、銅原子を含む化合物を特定の環境条件下で熱分解させ、金属銅薄膜あるいは酸化銅薄膜等の銅含有薄膜を基板上に析出させる化学気相蒸着法(以下、CVD法と称す)も多用されるものの一つである。
【0003】
CVD法により金属銅あるいは酸化銅薄膜を形成させる原料としては、β−ジケトネート銅錯体が良く用いられている。例えば、特開平5−59551号公報には、1価の銅のβ−ジケトネート錯体を銅源として使用し、シリコン半導体の銅配線として使用される銅薄膜を形成させる方法が開示されている。
1価の銅のβ−ジケトネート錯体は、不均化反応を利用して金属銅を析出させることが可能であり、化学的には都合の良い化合物である反面、本質的に熱的に不安定であることから、蒸気圧を得るために加熱気化させる際に多量の原料が分解してしまう欠点を有する。
【0004】
一方、2価の銅のβ−ジケトナート錯体としてCVD法で最も多用されるものにジピバロイルメタナト銅(II)錯体がある。これは、1価の銅のβ−ジケトナート錯体より熱安定性に優れるが、融点が198℃と高いことからライン上での原料固化閉塞の問題があった。また、成膜速度が遅いという問題もあった。
尚、ジピバロイルメタナト銅錯体に限らず、従来公知の銅のβ−ジケトナート錯体の多くは、蒸気圧が低く、そのため成膜速度が遅く、また融点が高いため、ライン上での原料固化閉塞の問題があり、実用的な材料としては不適であった。
【0005】
上記欠点を解決するものとして、特開2001−181840号公報には、室温では液体で存在する2価の銅のβ−ジケトナート錯体が開示されている。
式(II)で示されるこの2価銅のβ−ジケトナート銅錯体は、室温で粘性のある液体であり、基板への定常的な原料供給性やライン上での原料閉塞の問題は解決されるものの、銅膜の成膜速度は、従来のジピバロイルメタナト銅錯体のそれと変わらず、銅薄膜生産性の点では、依然問題を抱えたものである。
【0006】
【化2】
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、低融点で且つ熱的安定性に優れ、CVD法による銅薄膜又は酸化銅薄膜形成に適した銅錯体の提供を目的とする。また、該銅錯体を用いたCVD法による銅薄膜又は酸化銅薄膜等の銅含有薄膜形成方法の提供を目的とする
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、シリルエーテル結合を持つβ−ジケトナートを配位子とする銅錯体が、前記課題を解決した銅錯体となることを見出し、本発明を完成した。
すなわち本発明は、下記一般式(I)’で表されるβ−ジケトネート基(式中Zは、Hまたは炭素原子数1〜4のアルキル基、Xは、式(I−I)で表される基(式中Raは、炭素原子数1〜5の直鎖または分枝のアルキレン基を、Rb、Rc、Rdは、夫々独立して炭素原子数1〜5の直鎖または分枝のアルキル基を表す)を、Yは、式(I−I)で表される基(式中Raは、炭素原子数1〜5の直鎖または分枝のアルキレン基を、Rb、Rc、Rdは、夫々独立して炭素原子数1〜5の直鎖または分枝のアルキル基を表す)かまたは、炭素数1〜8の直鎖または分枝のアルキル基を表す)を配位子とする一般式(I)で表される銅錯体に関する。
【0009】
【化3】
【0010】
また、本発明は、上記記載の銅錯体を用いて行なうCVD法による銅薄膜あるいは酸化銅薄膜等の銅含有薄膜製造方法に関する。
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明において、銅錯体の配位子として用いられ、目的とする銅β−ジケトナート錯体を与える、シリルエーテルを含有するβ−ジケトン化合物の具体的な例としては、式(III)’〜(XIV)’に示される化合物が挙げられる。
【0012】
【化4】
【0013】
これらのβ−ジケトン化合物は、次式に示すように、シリル化されたケトンとシリル化された有機酸エステルあるいは、シリル化された有機酸エステルとケトン等の組み合わせで塩基の存在下反応させ、酸処理後、蒸留あるいはカラムクロマト法等の精製手段により得るか、あるいは他の公知法によって得ることができる。
【0014】
【化5】
【0015】
β−ジケトナート銅錯体すなわちβ−ジケトンのエノラートアニオンが配位した銅錯体は、上記方法で合成単離されたβ−ジケトンと水酸化銅との反応(銅錯体合成法1)あるいは、β−ジケトンのエノラートアニオンと塩化第二銅などの銅塩との反応(銅錯体合成法2)によって得られる。合成で用いられる溶媒として、ヘキサン、トルエン等の炭化水素類、THF、ジメトキシエタン等のエーテル類、アセトニトリル等のニトリル類、ジクロロメタン等のハロゲン類、イソプロパノール等のアルコール類、酢酸エチルなどのエステル類など、ほとんどの有機溶媒が使用できる。合成法1において反応で生成する水は、反応溶媒、例えば、トルエンと共に、共沸脱水するかあるいは、THF溶媒のように反応後、室温で減圧下溶媒留去の際、溶媒と共に留去される方法で反応系外へ留去するか、あるいは脱水剤、例えば、無水硫酸ソーダ、無水硫酸マグネシウム、無水硫酸銅、あるいはモレキュラシーブス、吸水性ポリマー(ノニオン系 )等を反応系に共存させて脱水除去することができる。
【0016】
【化6】
【0017】
【化7】
【0018】
反応で得られた銅錯体の精製は、市販のクロマト用シリカゲルあるいは、市販のクロマト用シリカゲルを脱水処理した脱水シリカゲルを用いるカラムクロマト法、あるいは蒸留法あるいはこれ等の方法の組み合わせで行うことができる。
【0019】
前記したシリルエーテル系のβ−ジケトナート配位子を含む銅錯体の例を式(III)に示す。これは、配位子として、上記式(III)’に示される化合物、すなわち、前記一般式(I)においてXが(CH3)3SiO−C(CH3)2−基、Yが(CH3)3C−基、ZがHであるβ−ジケトンのエノラートアニオンを配位子とする銅錯体、ビス(2,6,6−トリメチル−2−(トリメチルシリロキシ)−3,5−ヘプタジオナト)銅(II)錯体[以下、Cu(sobd)2と称す]である。
【0020】
【化8】
【0021】
式(IV)’〜式(XIV)’に示されるβ−ジケトンについても、夫々のβ−ジケトンのエノラートアニオンを配位子とした、式(III)と同様の構造式で表される銅錯体(IV)〜(XIV)を与える。
【0022】
【化9】
【0023】
本発明での銅錯体のCVD法での気化方法として、銅錯体そのものを気化室に直接送付させる方法、あるいは本発明の銅錯体を適当な溶媒、例えば、ヘキサン、トルエン、テトラヒドロフラン等の溶媒に希釈し、気化室にその溶液を送付し気化させる方法等に使用できる。
また、基板上への蒸着についても公知のCVD法が使用できる。減圧下または不活性ガス存在下での単純な熱分解による銅蒸着の他に、還元性のガス、例えば、水素等を本発明の銅錯体と共存させて、あるいは水素ガス存在下においてプラズマCVD法で金属銅を蒸着させる方法にも使用できる。
更に、酸素存在下での熱分解あるいはプラズマCVD法で、酸化銅膜を蒸着させることも可能である。
以下では、具体例を挙げて、本発明を更に詳しく説明する。
【0024】
実施例1
(1)2,6−ジメチル−2,6−ジ(トリメチルシリロキシ)−3,5−ヘプタジオン[式(V)’で示される化合物、以下dsobdと称す]の合成:
50mlのフラスコに60%水素化ナトリウム1.80g(45.0mmol)および2−(トリメチルシリロキシ)−2−メチル−プロピオン酸メチル9.83g(51.7mmol)を入れ、その溶液を120℃に加熱しながら、トルエン9mlに2−(トリメチルシリロキシ)−2−メチル−3−ブタノン 3.00g(17.2mmol)を溶かしたトルエン溶液をゆっくり滴下した。滴下終了後、120℃で1時間反応させた。その後、室温に戻し、反応液を酢酸−トルエン溶媒で弱酸性にした。生成した酢酸ナトリウムを濾別し、黄色の溶液を得た。この溶液を濃縮し脱水したシリカゲルを用いるカラムクロマト法により、反応での主生成物であった目的とする2,6−ジメチル−2,6−ジ(トリメチルシリロキシ)−3,5−ヘプタジオンを1.20g(3.61mmol、収率21%)得た。
【0025】
得られた化合物は、NMR、IR、MSで同定した。
・1H−NMR(CDCl3):
δ0.15(s 9H)、1.41(s 9H)、4.00(s 0.4H)、6.43(s 0.8H)、15.55(s 0.8H)
IR(cm−1): 2961、1605(br)、1252,1198,1048,842
・MS (m/e):332
【0026】
(2)Cu(dsobd)2[ビス(2,6−ジメチル−2,6−ジ(トリメチルシリロキシ)−3,5−ヘプタジオナト)銅(II)]錯体の合成:
上述の方法で目的とするβ−ジケトン配位子の生成が確認されたことから、上記と同じ反応の生成物に銅源を添加し、銅錯体の合成を試みた。
すなわち、50mlのフラスコに60%水素化ナトリウム1.80g(45.0mmol)および2−(トリメチルシリロキシ)−2−メチル−プロピオン酸メチル9.83g(51.7mmol)を入れ、その溶液を120℃に加熱しながら、トルエン9mlに2−(トリメチルシリロキシ)−2−メチル−3−ブタノン 3.00g(17.2mmol)を溶かしたその溶液をゆっくり滴下した。滴下終了後、120℃で1時間反応させた。その後、反応液を30℃に冷却した。この時点で、2,6−ジメチル−2,6−ジ(トリメチルシリロキシ)−3,5−ヘプタジオナトNa塩が1.28g(3.61mmol)得られている。そこでこの反応液に塩化第二銅 0.24g(1.78mmol)を加えた。反応液はすぐに暗緑色に変化した。80℃で2時間攪拌を続け、室温に戻した後、反応液を水洗した。得られた有機層を乾燥後、脱水したシリカゲルを充填したカラムクロマト法により、目的の銅錯体、ビス(2,6−ジメチル−2,6−ジ(トリメチルシリロキシ)−3,5−ヘプタジオナト)銅(II)を1.10g(1.52mmol、収率85% (塩化第二銅基準))得た。
【0027】
得られた化合物の同定は、IR、元素分析により行った。
・IR(cm−1):2978、1567、1498、1414、1252、1197、1045、842
・元素分析:C30H62O8Si4Cu
測定値 C:49.0%、H:8.99%、Cu:8.6%
理論値 C:49.6%、H:8.60%、Cu:8.74%
IR分析では、β−ジケトン特有の1605cm−1のピークが消失し、代わりにジケトナート特有のピーク1567cm−1が得られており、銅錯体の生成が確認される。尚、この銅錯体は、新規物質である。
【0028】
実施例2
(1)2,6,6−トリメチル−2−(トリメチルシリロキシ)−3,5−ヘプタジオン[(式(III)’で示される化合物、以下sobdと称す]の合成:
50mlのフラスコにナトリウムアミド 0.40g(10.3mmol)およびピナコリン1.20g(12.0mmol)をトルエン3mlに懸濁させ、室温で30分攪拌した。その後、トルエン6mlに2−(トリメチルシリロキシ)−2−メチル−プロピオン酸メチル1.00g(5.25mmol)を溶かしたトルエン溶液をゆっくり滴下した。滴下終了後、室温で1時間反応させた。その後、反応液を酢酸−トルエン溶媒で弱酸性にした。生成した酢酸ナトリウムを濾別し、黄色の溶液を得た。この溶液を濃縮し脱水したシリカゲルを用いるカラムクロマト法により、反応での主生成物であった目的とする2,6,6−トリメチル−2−(トリメチルシリロキシ)−3,5−ヘプタジオンを0.83g(3.21mmol、収率61%)得た。
【0029】
得られた化合物は、NMR、IR、MSで同定した。
・1H−NMR(CDCl3):
δ0.14(s 9H)、1.17(s 9H)、1.39(s 6H)、3.86
(s 0.3H)、6.09(s 0.85H)、15.72(s 0.85H)
IR(cm−1): 2966、1600(br)、1252,1197,1045,841
・MS (m/e):258
【0030】
(2)Cu(sobd)2[ビス(2,6,6−トリメチル−2−(トリメチルシリロキシ)−3,5−ヘプタジオナト)銅(II)錯体、式(III)で示される化合物]の合成:
上述の方法で目的とするβ−ジケトン配位子の生成が確認されたことから、上記と同じ反応の生成物に銅源を添加し、銅錯体の合成を試みた。
すなわち、50mlのフラスコにナトリウムアミド 0.40g(10.3mmol)およびピナコリン1.20g(12.0mmol)をトルエン3mlに懸濁させ、室温で30分攪拌した。その後、トルエン6mlに2−(トリメチルシリロキシ)−2−メチル−プロピオン酸メチル1.00g(5.25mmol)を溶かしたトルエン溶液をゆっくり滴下した。滴下終了後、室温で1時間反応させた。その後、同様にその反応液に塩化第二銅 0.22g(1.60mmol)を加えた。反応液はすぐに暗緑色に変化した。室温で1時間攪拌を続け、その後、反応液を水洗した。得られた有機層を乾燥後、脱水したシリカゲルを充填したカラムクロマト法により、目的の銅錯体、ビス(ビス(2,6,6−トリメチル−2−(トリメチルシリロキシ)−3,5−ヘプタジオナト)銅(II)を0.80g(1.38mmol、収率86%(塩化第二銅基準))得た。
【0031】
得られた化合物の同定は、IR、元素分析により行った。
・IR(cm−1):2960、1561、1501、1412、1252、1196、1047、840
・元素分析:C26H50O6Si2Cu
測定値 C:54.8%、H:8.20%、Cu:11%
理論値 C:54.0%、H:8.71%、Cu:11.0%
・融点:59℃
IR分析では、β−ジケトン特有の1600cm−1のピークが消失し、代わりにジケトナート特有のピーク1561cm−1が得られている。尚、この銅錯体は、新規物質である。
【0032】
実施例3
(1)2,6−ジメチル−2−(トリメチルシリロキシ)−3,5−ヘプタジオン[式(VIII)’で示される化合物、以下sopdと称す]の合成。
50mlのフラスコにナトリウムアミド 0.50g(12.8mmol)および3−メチル−2−ブタノン 0.45g(5.22mmol)をヘキサン1.5gに懸濁させ、15℃で30分攪拌した。その後、ヘキサン3gに2−(トリメチルシリロキシ)−2−メチル−プロピオン酸メチル1.20g(6.31mmol)を溶かしたヘキサン溶液をゆっくり滴下した。滴下終了後、15℃で1時間反応させた。その後、反応液を酢酸−トルエン溶媒で弱酸性にした。生成した酢酸ナトリウムを濾別し、黄色の溶液を得た。この溶液を濃縮し脱水したシリカゲルを用いるカラムクロマト法により、反応での主生成物であった目的とする2,6−ジメチル−2−(トリメチルシリロキシ)−3,5−ヘプタジオンを0.91g(3.71mmol、収率71%)得た。
【0033】
得られた化合物は、NMR、IR、MSで同定した。
・1H−NMR(CDCl3):
δ0.14(s 9H)、1.14(d 6H)、1.39(s 6H)、2.44−2.50(m 0.85H)、2.64−2.69(m 0.15H)、3.77(s 0.3H)、5.97(s 0.85H)、15.51(s 0.85H)
IR(cm−1): 2971、1606(br)、1253,1199,1045,842
・MS (m/e):244
【0034】
(2)Cu(sopd)2[ビス(2,6−ジメチル−2−(トリメチルシリロキシ)−3,5−ヘプタジオナト)銅(II)錯体、式(VIII)で示される化合物]の合成:
上述の方法で目的とするβ−ジケトン配位子の生成が確認されたことから、上記と同じ反応の生成物に銅源を添加し、銅錯体の合成を試みた。
すなわち、50mlのフラスコにナトリウムアミド 0.50g(12.8mmol)および3−メチル−2−ブタノン 0.45g(5.22mmol)をヘキサン1.5gに懸濁させ、15℃で30分攪拌した。その後、ヘキサン3gに2−(トリメチルシリロキシ)−2−メチル−プロピオン酸メチル1.20g(6.31mmol)を溶かしたヘキサン溶液をゆっくり滴下した。滴下終了後、15℃で1時間反応させた。その後、その反応液に塩化第二銅 0.25g(1.86mmol)を加えた。反応液はすぐに暗緑色に変化した。室温で1時間攪拌を続け、その後、反応液を水洗した。得られた有機層を乾燥後、脱水したシリカゲルを充填したカラムクロマト法により、目的の銅錯体、ビス(2,6−ジメチル−2−(トリメチルシリロキシ)−3,5−ヘプタジオナト)銅(II)を0.86g(1.56mmol、収率84%(塩化第二銅基準))得た。
【0035】
得られた化合物の同定は、IR、元素分析により行った。
・IR(cm−1):2965、1592、1501、1428、1252、1199、1044、847
・元素分析:C24H46O6Si2Cu
測定値 C:53.2%、H:8.53%、Cu:11%
理論値 C:52.4%、H:8.42%、Cu:11.5%
・融点:62℃
IR分析では、β−ジケトン特有の1606cm−1のピークが消失し、代わりにジケトナート特有のピーク1592cm−1が得られている。尚、この銅錯体は、新規物質である。
【0036】
実施例4
(1)別法によるsopdの合成
50mlのフラスコにナトリウムアミド 13.7g(0.351mol)をヘキサン200mlに懸濁させ、そこに2−(トリメチルシリロキシ)−2−メチル−プロピオン酸メチル26.7g(0.140mol)を加えた。その溶液に3−メチル−2−ブタノン 12.1g(0.141mmol)を滴下し、15℃に保った。反応の進行に伴い、反応液からアンモニアガスの発生が見られる。15℃で1時間反応した後、反応液を酢酸で弱酸性にした。得られたヘキサン層を水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、蒸留(101℃/8mmHg)により目的とする2,6−ジメチル−2−(トリメチルシリロキシ)−3,5−ヘプタジオンを18.8g(0.770mol、収率55%)得た。
【0037】
得られた化合物は、NMR、IR、MSで同定した。
・1H−NMR(CDCl3):
δ0.14(s 9H)、1.14(d 6H)、1.39(s 6H)、2.44−2.50(m 0.85H)、2.64−2.69(m 0.15H)、3.77(s 0.3H)、5.97(s 0.85H)、15.51(s 0.85H)
IR(cm−1): 2971、1606(br)、1253,1199,1045,842
・MS (m/e):244
以下の(2−1)〜(2−3)では、この方法で得た2,6−ジメチル−2−(トリメチルシリロキシ)−3,5−ヘプタジオンを配位子とし、三種の異なる方法で銅錯体Cu(sopd)2の合成を行った。
【0038】
(2−1) Cu(sopd)2錯体の合成[トルエン共沸脱水法による]:
100mlのフラスコに水酸化銅 4.43g(45.4mmol)および2,6−ジメチル−2−(トリメチルシリロキシ)−3,5−ヘプタジオン 22.2g(90.8mmol)およびトルエン50mlを入れ、加熱(130℃)により反応で生成する水をトルエンと共に共沸脱水し、水分定量受器で所定量の水の留去を確認した。およそ1時間で反応が終了した。得られた暗緑色の液をろ過後濃縮し、粘性の暗緑色液体が得られた。その液を179℃/0.5Torrで蒸留精製することにより、目的の銅錯体、ビス(2,6−ジメチル−2−(トリメチルシリロキシ)−3,5−ヘプタジオナト)銅(II)を20.2g(36.8mmol、収率81%)得た。
【0039】
(2−2) Cu(sopd)2錯体の合成[THF溶媒中室温合成法による]:
2,6−ジメチル−2−(トリメチルシリロキシ)−3,5−ヘプタジオンと水酸化銅(II)とを、室温下、エーテル類、アセトニトリル類、アルコール類、ケトン類、エステル類あるいは炭化水素等の有機溶媒中で反応させることにより、目的とする銅錯体Cu(sopd)2が得られるが、ここでは、THF溶媒中での合成例を示す。
100mlのフラスコに水酸化銅 4.50g(46.2mmol)および2,6−ジメチル−2−(トリメチルシリロキシ)−3,5−ヘプタジオン22.6g(92.3mmol)および THF50mlを入れ、脱水剤の添加無しに室温で1時間攪拌した。得られた暗青色の液をろ過後、THF溶媒を留去濃縮し、粘性の暗緑色液体が得られた。その液を179℃/0.5Torrで蒸留精製することにより、目的の銅錯体、ビス(2,6−ジメチル−2−(トリメチルシリロキシ)−3,5−ヘプタジオナト)銅(II)を21.1g(38.3mmol、収率83%)得た。
【0040】
(2−3) Cu(sopd)2錯体の合成[ジメトキシエタン溶媒中室温合成による]:
ここでは、ジメトキシエタン溶媒中での合成例を示す。
50mlのフラスコに水酸化銅 1.10g(11.3mmol)および2,6−ジメチル−2−(トリメチルシリロキシ)−3,5−ヘプタジオン5.00g(20.5mmol)および ジメトキシエタン15mlを入れ、脱水剤の添加無しに室温で2時間攪拌した。得られた暗青色の液をろ過後、ジメトキシエタン溶媒を留去濃縮し、粘性の暗緑色液体が得られた。その液を179℃/0.5Torrで蒸留精製することにより、目的の銅錯体、ビス(2,6−ジメチル−2−(トリメチルシリロキシ)−3,5−ヘプタジオナト)銅(II)を4.57g(8.30mmol、収率81%)得た。
【0041】
上記(2−3)で得られた銅錯体の同定は、IR、元素分析により行った。
・IR(cm−1):3458(br)、2963、1568、1518、1422、1251、1196、1035、889、841
・元素分析:C24H46O6Si2Cu
測定値 C:53.0%、H:8.39%、Cu:11.5%
理論値 C:52.4%、H:8.42%、Cu:11.5%
融点:62℃
尚、(2−1)、(2−2)で得られた化合物も、ここに示したものとほとんど同じ分析値を示す。
【0042】
この銅錯体のIR分析では、β−ジケトン特有の1606cm−1のピークが消失し、代わりにジケトナート特有のピーク1568cm−1が現れている。また3400cm−1付近に見られるブロードなピークは、銅錯体に配位した結晶水に由来する。なお、このブロードのピークは、蒸留後の保存状態が良い場合には認められない。
【0043】
(3)蒸着試験
ここでは、実施例3で調製した銅錯体Cu(sopd)2[式(VIII)で示される化合物]を用いて、CVD法による蒸着試験を実施し、製膜特性を評価した。なお、比較のため、式(II)で示されるビス(6-エチル−2,2−ジメチル−3,5−デカンジオナト)銅錯体を用いた蒸着試験を実施した。
試験には、図1に示す装置を使用した。気化器(ガラス製アンプル)1に入れた銅錯体8は、ヒーター2で加熱され気化し、ヒーター6で予熱後導入されたヘリウムガスに同伴し気化器を出る。気化器を出たガスは、水素ガスラインより導入された予熱水素ガスと合流し、反応器3に導入される。ガラス製反応器の中央部はヒーター4で加熱可能な構造となっている。反応器に導入された銅錯体は、反応器内中央部にセットされ所定の温度に加熱され還元雰囲気下にある被蒸着基板7の表面上で還元熱分解し、基板上に金属銅が析出する。反応器を出たガスは、トラップ5を経て、大気中に排気される。
【0044】
銅薄膜生成特性は、銅錯体気化温度、基板温度等の蒸着条件に依存するが、今回採用した蒸着条件及び製膜結果を表1に示す。尚、被蒸着基板としては、7mm×40mmサイズの矩形のものを使用した。
結果を表1に示す。
本発明のCu(sopd)2が、従来公知の材料に比して、優れた成膜性を有することが分かる。
【0045】
【表1】
【0046】
【発明の効果】
本発明の銅錯体は、2価の銅錯体であることから、熱的に不安定である1価の銅錯体に比べ熱安定性に優れており、気化器での熱分解が抑制される。また従来知られている2価の銅錯体に比べ、銅の成膜速度が速く、より実用的であり、半導体の配線材料として需要の大きい銅薄膜の製造に威力を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図1】銅薄膜形成に使用したCVD装置の概略説明図である。
【符号の説明】
1.ガラス製アンプル
2.ヒーター(気化器)
3.反応器
4.ヒーター(反応器)
5.トラップ
6.ヒーター(予熱部)
7.基板
8.原料銅錯体
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- 請求項1に記載の銅錯体を用いて行なう化学気相蒸着法による銅含有薄膜製造方法。
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