JP2002080965A - 有機銅錯体 - Google Patents
有機銅錯体Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、気化時の熱安定性にも
優れ、ＣＶＤ法による銅薄膜形成に適した有機銅錯体の
提供を目的とする。 【解決手段】 下記一般式（I）で表される有機
銅錯体［式中Ｒ1、Ｒ2は炭素原子数１〜８のアルキル基
または炭素原子数１〜８のパーフルオロアルキル基、Ｒ
3は、Ｈ、Ｆ原子あるいは炭素原子数１〜８のパーフル
オロアルキル基、Ｒ4〜Ｒ7は、少なくともその中の一つ
は、−Ｒa−Ｍ−Ｒb（Ｒaは、炭素原子数１から５の直
鎖または分枝のアルキレン基、また式中Ｒbは、炭素原
子数１から５の直鎖または分枝のアルキル基、あるいは
アルケニル基を表し、またＭはＯ原子または、Ｓ原子を
表す。）で表せる基であり、残りは、Ｈまたは炭素原子
数１から８の直鎖または分枝のアルキル基である。］。 【化１】
優れ、ＣＶＤ法による銅薄膜形成に適した有機銅錯体の
提供を目的とする。 【解決手段】 下記一般式（I）で表される有機
銅錯体［式中Ｒ1、Ｒ2は炭素原子数１〜８のアルキル基
または炭素原子数１〜８のパーフルオロアルキル基、Ｒ
3は、Ｈ、Ｆ原子あるいは炭素原子数１〜８のパーフル
オロアルキル基、Ｒ4〜Ｒ7は、少なくともその中の一つ
は、−Ｒa−Ｍ−Ｒb（Ｒaは、炭素原子数１から５の直
鎖または分枝のアルキレン基、また式中Ｒbは、炭素原
子数１から５の直鎖または分枝のアルキル基、あるいは
アルケニル基を表し、またＭはＯ原子または、Ｓ原子を
表す。）で表せる基であり、残りは、Ｈまたは炭素原子
数１から８の直鎖または分枝のアルキル基である。］。 【化１】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の配線等の
銅薄膜を化学蒸着法（以下、ＣＶＤ法と称す）により形
成させる際に銅源として使用される有機銅錯体に関す
る。
銅薄膜を化学蒸着法（以下、ＣＶＤ法と称す）により形
成させる際に銅源として使用される有機銅錯体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＣＶＤ法により銅薄膜を形成させる原料
として、下記式（II）に示す（ビニルトリメチルシラ
ン）（ヘキサフルオロアセチルアセトナト）銅（I）錯
体［以下、Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ｔｍｖｓ）と称す］が良
く知られている（特開平５−５９５５１号公報）。
として、下記式（II）に示す（ビニルトリメチルシラ
ン）（ヘキサフルオロアセチルアセトナト）銅（I）錯
体［以下、Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ｔｍｖｓ）と称す］が良
く知られている（特開平５−５９５５１号公報）。
【０００３】
【化２】 また、米国特許 ５，９９４，５７１号には、下記式（I
II）で示されるエチレン誘導体の２−メチル−１−ブテ
ンを配位子とする有機銅錯体が示されている。
II）で示されるエチレン誘導体の２−メチル−１−ブテ
ンを配位子とする有機銅錯体が示されている。
【０００４】
【化３】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、ＣＶＤ
法による銅膜形成用として従来知られている有機銅錯体
は、β−ジケトンとオレフィンを配位子として含むもの
であるが、上記式（II）、式（III）で示される有機銅
錯体のように、銅に配位しているオレフィン配位子が、
モノオレフィンである場合、すなわち、二重結合に付い
ている基が、Ｈ原子あるいはアルキル基またはシリル基
である場合、有機銅錯体は、熱安定性が低い問題点があ
る。例えば、式（II）あるいは式（III）に示される有
機銅錯体は、４０℃、減圧状態下では、分解が起こる程
に熱安定性が低い。このように熱安定性が低いため、有
機銅錯体を気化せる際の加熱温度に対して、気化容器内
で分解反応が起こる問題があった。
法による銅膜形成用として従来知られている有機銅錯体
は、β−ジケトンとオレフィンを配位子として含むもの
であるが、上記式（II）、式（III）で示される有機銅
錯体のように、銅に配位しているオレフィン配位子が、
モノオレフィンである場合、すなわち、二重結合に付い
ている基が、Ｈ原子あるいはアルキル基またはシリル基
である場合、有機銅錯体は、熱安定性が低い問題点があ
る。例えば、式（II）あるいは式（III）に示される有
機銅錯体は、４０℃、減圧状態下では、分解が起こる程
に熱安定性が低い。このように熱安定性が低いため、有
機銅錯体を気化せる際の加熱温度に対して、気化容器内
で分解反応が起こる問題があった。
【０００６】本発明は、気化時の熱安定性にも優れ、Ｃ
ＶＤ法による銅薄膜形成に適した有機銅錯体の提供を目
的とする。
ＶＤ法による銅薄膜形成に適した有機銅錯体の提供を目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、より安定
性に優れた有機銅錯体を見出すべく研究を行った結果、
下記の化合物を配位子とする銅錯体の熱安定性が高いこ
とを見出し、本発明を完成した。
性に優れた有機銅錯体を見出すべく研究を行った結果、
下記の化合物を配位子とする銅錯体の熱安定性が高いこ
とを見出し、本発明を完成した。
【０００８】すなわち本発明は、下記一般式（I）
【化４】 で表される化学蒸着用有機銅錯体［式中Ｒ1、Ｒ2は炭素
原子数１〜８のアルキル基または炭素原子数１〜８のパ
ーフルオロアルキル基、Ｒ3は、Ｈ、Ｆ原子あるいは炭
素原子数１〜８のパーフルオロアルキル基、Ｒ4〜Ｒ
7は、少なくともその中の一つは、−Ｒa−Ｍ−Ｒb（Ｒa
は、炭素原子数１〜５の直鎖または分枝のアルキレン
基、また式中Ｒbは、炭素原子数１〜５の直鎖または分
枝のアルキル基、あるいはアルケニル基を表し、またＭ
はＯ原子または、Ｓ原子を表す。）で表せる基であり、
残りは、Ｈまたは炭素原子数１〜８の直鎖または分枝の
アルキル基である。］に関するものである。
原子数１〜８のアルキル基または炭素原子数１〜８のパ
ーフルオロアルキル基、Ｒ3は、Ｈ、Ｆ原子あるいは炭
素原子数１〜８のパーフルオロアルキル基、Ｒ4〜Ｒ
7は、少なくともその中の一つは、−Ｒa−Ｍ−Ｒb（Ｒa
は、炭素原子数１〜５の直鎖または分枝のアルキレン
基、また式中Ｒbは、炭素原子数１〜５の直鎖または分
枝のアルキル基、あるいはアルケニル基を表し、またＭ
はＯ原子または、Ｓ原子を表す。）で表せる基であり、
残りは、Ｈまたは炭素原子数１〜８の直鎖または分枝の
アルキル基である。］に関するものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】一般式（I）で示される本発明の
有機銅錯体に配位する配位子の一つであるオレフィン配
位子は、銅に配位している炭素原子間の二重結合の他
に、−Ｒa−Ｍ−Ｒbで示されるエーテル結合あるいはチ
オエーテル結合を少なくとも１個を有していることを特
徴とする。本発明で使用される、−Ｒa−Ｍ−Ｒbで示さ
れるエーテル結合あるいはチオエーテル結合を少なくと
も１個を有しているオレフィン配位子の例としては、例
えば次の式（IＶ'）〜（Ｘ'）に示される化合物が挙げ
られる。
有機銅錯体に配位する配位子の一つであるオレフィン配
位子は、銅に配位している炭素原子間の二重結合の他
に、−Ｒa−Ｍ−Ｒbで示されるエーテル結合あるいはチ
オエーテル結合を少なくとも１個を有していることを特
徴とする。本発明で使用される、−Ｒa−Ｍ−Ｒbで示さ
れるエーテル結合あるいはチオエーテル結合を少なくと
も１個を有しているオレフィン配位子の例としては、例
えば次の式（IＶ'）〜（Ｘ'）に示される化合物が挙げ
られる。
【００１０】
【化５】
【００１１】もう一方の配位子であるβ−ジケトンは、
Ｒ1、Ｒ2およびＲ3種により種々のものが存在し利用出
来るが、Ｒ1＝Ｒ2＝ＣＦ3、Ｒ3＝Ｈである１，１，１，
５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオン
が、生成銅錯体の融点、熱安定性更には入手の容易さの
観点から最も好ましい材料である。
Ｒ1、Ｒ2およびＲ3種により種々のものが存在し利用出
来るが、Ｒ1＝Ｒ2＝ＣＦ3、Ｒ3＝Ｈである１，１，１，
５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオン
が、生成銅錯体の融点、熱安定性更には入手の容易さの
観点から最も好ましい材料である。
【００１２】これらの配位子を用いた具体的な銅錯体の
例としては、例えば、前記一般式（I）においてＲ1、Ｒ
2がＣＦ3基で、Ｒ3がＨ原子、またＲ4、Ｒ5がＨ原子、
Ｒ6がＣＨ3基で、Ｒ7がＣＨ3−Ｏ−ＣＨ2−ＣＨ2−基で
ある有機銅錯体［式（IＶ）］を挙げることが出来る。
例としては、例えば、前記一般式（I）においてＲ1、Ｒ
2がＣＦ3基で、Ｒ3がＨ原子、またＲ4、Ｒ5がＨ原子、
Ｒ6がＣＨ3基で、Ｒ7がＣＨ3−Ｏ−ＣＨ2−ＣＨ2−基で
ある有機銅錯体［式（IＶ）］を挙げることが出来る。
【００１３】
【化６】
【００１４】この１−メトキシ−３−メチル−３−ブテ
ンを配位子とする銅錯体、（１−メトキシ−３−メチル
−３−ブテン）（１，１，１，５，５，５−ヘキサフル
オロ−２，４−ペンタンジオナト）銅（Ｉ）［以下、Ｃ
ｕ（ｈｆａｃ）（ｍｍｂ）と称す］は、融点０℃、すな
わち室温で液体であり、優れた熱安定性を示す。尚、こ
の有機銅錯体は、新規物質である。
ンを配位子とする銅錯体、（１−メトキシ−３−メチル
−３−ブテン）（１，１，１，５，５，５−ヘキサフル
オロ−２，４−ペンタンジオナト）銅（Ｉ）［以下、Ｃ
ｕ（ｈｆａｃ）（ｍｍｂ）と称す］は、融点０℃、すな
わち室温で液体であり、優れた熱安定性を示す。尚、こ
の有機銅錯体は、新規物質である。
【００１５】また、式（Ｖ'）〜（Ｘ'）に示される含エ
ーテル或いは含チオエーテルオレフィン配位子に対応し
て、夫々下記式（Ｖ）〜（Ｘ）に示す銅錯体を挙げるこ
とができる。
ーテル或いは含チオエーテルオレフィン配位子に対応し
て、夫々下記式（Ｖ）〜（Ｘ）に示す銅錯体を挙げるこ
とができる。
【化７】
【００１６】本発明の有機銅錯体は、室温付近では液体
として存在するか比較的低い融点を有し、且つ熱安定性
にも優れていることから、液体原料を使用する公知のＣ
ＶＤ法が適用できる。例えば、蒸着原料の供給には、必
要に応じて加熱しながらの、キャリャーガスバブリング
による気化法が使用できる。また、基板上への蒸着につ
いても公知のＣＶＤ法が使用できるが、蒸着条件につい
ては公知法同様、基板種、装置等の変化に応じて適宜変
更が必要なことは言うまでもないことである。
として存在するか比較的低い融点を有し、且つ熱安定性
にも優れていることから、液体原料を使用する公知のＣ
ＶＤ法が適用できる。例えば、蒸着原料の供給には、必
要に応じて加熱しながらの、キャリャーガスバブリング
による気化法が使用できる。また、基板上への蒸着につ
いても公知のＣＶＤ法が使用できるが、蒸着条件につい
ては公知法同様、基板種、装置等の変化に応じて適宜変
更が必要なことは言うまでもないことである。
【００１７】
【実施例】本発明の有機銅錯体は、酸化銅（Ｉ）と、配
位子である、β−ジケトン化合物及びエーテル結合およ
び／またはチオエーテル結合を有するオレフィン化合物
とを反応させて合成することが出来る。生成物の精製
は、常法のカラムクロマトグラフィーにより容易に実施
することができる。以下では、具体例を挙げて、本発明
を更に詳しく説明する。
位子である、β−ジケトン化合物及びエーテル結合およ
び／またはチオエーテル結合を有するオレフィン化合物
とを反応させて合成することが出来る。生成物の精製
は、常法のカラムクロマトグラフィーにより容易に実施
することができる。以下では、具体例を挙げて、本発明
を更に詳しく説明する。
【００１８】実施例１ 合成 本例では、式（IＶ）として前述の、Ｃｕ（ｈｆａｃ）
（ｍｍｂ）すなわち、一般式（I）において、Ｒ1および
Ｒ2がＣＦ3基、Ｒ3がＨ原子で、またＲ4、Ｒ5がＨ原
子、Ｒ6がＣＨ3−基で、Ｒ7がＣＨ3−Ｏ−ＣＨ2−ＣＨ2
−基である有機銅錯体の合成を例示する。反応はすべて
アルゴン雰囲気下で行う。アルゴン置換した１００ｃｃ
二口フラスコに、乾燥ヘキサン４０ｍｌを入れ、それに
酸化銅（Ｉ）２．８６ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）を懸濁さ
せた。その懸濁液に１−メトキシ−３−メチル−３−ブ
テン［［化５］における式（IＶ'）］ ２．００ｇ（２
０．０ｍｍｏｌ）を添加し、３０分間室温で攪拌した
後、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４
−ペンタンジオン４．１６ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）を滴
下した。滴下終了後、室温で２時間攪拌して反応させた
後、未反応の酸化銅をアルゴン下でろ別し、緑色溶液を
得た。この溶液を濃縮することにより、化合物粗体を緑
色液体として得た。該粗体は、アルゴン雰囲気下、シリ
カゲルを充填材とするカラムクロマトグラフィーで処理
し、目的とするＣｕ（ｈｆａｃ）（ｍｍｂ）を５．４１
ｇ（１４．６ｍｍｏｌ 収率７３％）得た。
（ｍｍｂ）すなわち、一般式（I）において、Ｒ1および
Ｒ2がＣＦ3基、Ｒ3がＨ原子で、またＲ4、Ｒ5がＨ原
子、Ｒ6がＣＨ3−基で、Ｒ7がＣＨ3−Ｏ−ＣＨ2−ＣＨ2
−基である有機銅錯体の合成を例示する。反応はすべて
アルゴン雰囲気下で行う。アルゴン置換した１００ｃｃ
二口フラスコに、乾燥ヘキサン４０ｍｌを入れ、それに
酸化銅（Ｉ）２．８６ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）を懸濁さ
せた。その懸濁液に１−メトキシ−３−メチル−３−ブ
テン［［化５］における式（IＶ'）］ ２．００ｇ（２
０．０ｍｍｏｌ）を添加し、３０分間室温で攪拌した
後、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４
−ペンタンジオン４．１６ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）を滴
下した。滴下終了後、室温で２時間攪拌して反応させた
後、未反応の酸化銅をアルゴン下でろ別し、緑色溶液を
得た。この溶液を濃縮することにより、化合物粗体を緑
色液体として得た。該粗体は、アルゴン雰囲気下、シリ
カゲルを充填材とするカラムクロマトグラフィーで処理
し、目的とするＣｕ（ｈｆａｃ）（ｍｍｂ）を５．４１
ｇ（１４．６ｍｍｏｌ 収率７３％）得た。
【００１９】この有機銅化合物の同定は、ＮＭＲ及び元
素分析により行った。 ・１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ１．８７（ｓ ３
Ｈ）、２．３６（ｍ ２Ｈ）、３．３９（ｓ ３Ｈ）、
３．７２（ｍ ２Ｈ）、４．２８（ｓ １Ｈ）、４．３５
（ｓ １Ｈ）６．０５（ｂｒ １Ｈ） ・元素分析：Ｃ11Ｈ13Ｆ6Ｏ3Ｃｕ 測定値 Ｃ：３４．０％、Ｈ：３．２０％、Ｃｕ：１７
％ 理論値 Ｃ：３５．６％、Ｈ：３．５３ ％、Ｃｕ：１
７．１％ ・融点：０℃
素分析により行った。 ・１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ１．８７（ｓ ３
Ｈ）、２．３６（ｍ ２Ｈ）、３．３９（ｓ ３Ｈ）、
３．７２（ｍ ２Ｈ）、４．２８（ｓ １Ｈ）、４．３５
（ｓ １Ｈ）６．０５（ｂｒ １Ｈ） ・元素分析：Ｃ11Ｈ13Ｆ6Ｏ3Ｃｕ 測定値 Ｃ：３４．０％、Ｈ：３．２０％、Ｃｕ：１７
％ 理論値 Ｃ：３５．６％、Ｈ：３．５３ ％、Ｃｕ：１
７．１％ ・融点：０℃
【００２０】この有機銅錯体をガラスフラスコに入れ、
ロータリーポンプで減圧下、５０℃で１時間加熱したと
ころ、黄緑色の液状のままで、目視における変質は全く
確認されなかった。
ロータリーポンプで減圧下、５０℃で１時間加熱したと
ころ、黄緑色の液状のままで、目視における変質は全く
確認されなかった。
【００２１】実施例２：［化７］において式（ＶIII）
で示される銅錯体の合成 実施例１における含エーテルオレフィン配位子である１
−メトキシ−３−メチル−３−ブテンの代わりに１−メ
トキシ−３−ブテン［（化５）における式（ＶIII'）］
を１．７２ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）用いた他は、実施例
１と同様に行い、目的とする（１−メトキシ−３−ブテ
ン）（１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，
４−ペンタジオナト）銅（I）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ｍ
ｂ）と称す］を５．３５ｇ（１５．０ｍｍｏｌ 収率７
５％）得た。
で示される銅錯体の合成 実施例１における含エーテルオレフィン配位子である１
−メトキシ−３−メチル−３−ブテンの代わりに１−メ
トキシ−３−ブテン［（化５）における式（ＶIII'）］
を１．７２ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）用いた他は、実施例
１と同様に行い、目的とする（１−メトキシ−３−ブテ
ン）（１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，
４−ペンタジオナト）銅（I）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ｍ
ｂ）と称す］を５．３５ｇ（１５．０ｍｍｏｌ 収率７
５％）得た。
【００２２】この有機銅化合物の同定は、ＮＭＲ及び元
素分析により行った。 ・１Ｈ−ＮＭＲ（Ｃ6Ｄ5ＣＤ3）：δ１．７３（ｍ ２
Ｈ）、３．０１（ｓ ３Ｈ）、３．０４（ｍ ２Ｈ）、
３．８０（ｄ １Ｈ）、３．９０（ｄ １Ｈ）、４．６８
（ｍ １Ｈ）、６．１７（ｂｒ１Ｈ） ・元素分析：Ｃ10Ｈ11Ｆ6Ｏ3Ｃｕ 測定値 Ｃ：３２．５％、Ｈ：３．０２％、Ｃｕ：１７
％ 理論値 Ｃ：３３．７％、Ｈ：３．１１ ％、Ｃｕ：１
７．８％・融点：２０℃
素分析により行った。 ・１Ｈ−ＮＭＲ（Ｃ6Ｄ5ＣＤ3）：δ１．７３（ｍ ２
Ｈ）、３．０１（ｓ ３Ｈ）、３．０４（ｍ ２Ｈ）、
３．８０（ｄ １Ｈ）、３．９０（ｄ １Ｈ）、４．６８
（ｍ １Ｈ）、６．１７（ｂｒ１Ｈ） ・元素分析：Ｃ10Ｈ11Ｆ6Ｏ3Ｃｕ 測定値 Ｃ：３２．５％、Ｈ：３．０２％、Ｃｕ：１７
％ 理論値 Ｃ：３３．７％、Ｈ：３．１１ ％、Ｃｕ：１
７．８％・融点：２０℃
【００２３】Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ｍｂ）についても実施
例１同様、各有機銅錯体をガラスフラスコに入れ、ロー
タリーポンプで減圧下、５０℃で１時間加熱してその熱
安定性を調べた。何れの有機銅錯体も、黄緑色の液状を
維持し、目視における変質は全く確認されなかった。
例１同様、各有機銅錯体をガラスフラスコに入れ、ロー
タリーポンプで減圧下、５０℃で１時間加熱してその熱
安定性を調べた。何れの有機銅錯体も、黄緑色の液状を
維持し、目視における変質は全く確認されなかった。
【００２４】比較例１〜３ ここでは、エーテル結合を含まないオレフィンをオレフ
ィン配位子として含む銅錯体の例を示す。１−メトキシ
−３−メチル−３−ブテンの代わりに、ビニルトリメチ
ルシラン（比較例１）、２−メチル−１−ブテン（同
２）、２−メチル−１−ヘプテン（同３）を用いた以外
は実施例１と同様の方法で銅錯体の合成を行った。２−
メチル−１−ブテンは式（III）に示される従来公知の
銅錯体を与える筈であるが、これと、２−メチル−１−
ヘプテンをオレフィン配位子として含む銅錯体について
は、反応後溶液をアルゴン雰囲気下、常法であるカラム
クロマトグラフィーにより得られた溶液を室温における
減圧下濃縮中に、何れも、黄色から褐色を経て黒褐色へ
変色し、室温で既に分解が生起していることが確認され
る。
ィン配位子として含む銅錯体の例を示す。１−メトキシ
−３−メチル−３−ブテンの代わりに、ビニルトリメチ
ルシラン（比較例１）、２−メチル−１−ブテン（同
２）、２−メチル−１−ヘプテン（同３）を用いた以外
は実施例１と同様の方法で銅錯体の合成を行った。２−
メチル−１−ブテンは式（III）に示される従来公知の
銅錯体を与える筈であるが、これと、２−メチル−１−
ヘプテンをオレフィン配位子として含む銅錯体について
は、反応後溶液をアルゴン雰囲気下、常法であるカラム
クロマトグラフィーにより得られた溶液を室温における
減圧下濃縮中に、何れも、黄色から褐色を経て黒褐色へ
変色し、室温で既に分解が生起していることが確認され
る。
【００２５】ビニルトリメチルシランは、式（II）に示
される、従来良く知られている有機銅錯体Ｃｕ（ｈｆａ
ｃ）（ｔｍｖｓ）を与える。この錯体は、２−メチル−
１−ブテン、２−メチル−１−ヘプテンをオレフィン配
位子とする錯体とは異なり単離できる程度には安定であ
るが、この有機銅錯体Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ｔｍｖｓ）を
ガラスフラスコに入れたものをロータリーポンプ減圧
下、４０℃で２０分間加熱したところ、黄色から黒色に
変質して、やがてガラス壁に金属銅の析出が観測され、
分解が生起していることが確認される。
される、従来良く知られている有機銅錯体Ｃｕ（ｈｆａ
ｃ）（ｔｍｖｓ）を与える。この錯体は、２−メチル−
１−ブテン、２−メチル−１−ヘプテンをオレフィン配
位子とする錯体とは異なり単離できる程度には安定であ
るが、この有機銅錯体Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ｔｍｖｓ）を
ガラスフラスコに入れたものをロータリーポンプ減圧
下、４０℃で２０分間加熱したところ、黄色から黒色に
変質して、やがてガラス壁に金属銅の析出が観測され、
分解が生起していることが確認される。
【００２６】すなわち、β−ジケトンと、エーテル結合
を有するオレフィン化合物を配位子として含む本発明の
有機銅錯体は何れも、式（II）、式（III）で示される
従来公知の、β−ジケトンと、エーテル結合を持たない
オレフィン化合物を配位子とする有機銅錯体に比して、
気化の際の加熱に対してより優れた安定性を示すことが
確認される。
を有するオレフィン化合物を配位子として含む本発明の
有機銅錯体は何れも、式（II）、式（III）で示される
従来公知の、β−ジケトンと、エーテル結合を持たない
オレフィン化合物を配位子とする有機銅錯体に比して、
気化の際の加熱に対してより優れた安定性を示すことが
確認される。
【００２７】実施例３〜５ 蒸着試験 良好な熱安定性を示すことが確認されたＣｕ（ｈｆａ
ｃ）（ｍｍｂ）、Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ｍｂ）について、
ＣＶＤ法による蒸着試験を実施した。試験には図１に示
す装置を使用した。ガラス製アンプル１に封入された有
機銅錯体１０はヒータ２で加熱され気化し、内径１０ｍ
ｍのガラス製反応器３に導入される。反応器の中央部は
ヒータ４で加熱可能な構造となっており、また、他端
は、凝縮器を経て真空ポンプ５に接続されている。所定
圧で反応器に導入された気体状の有機銅錯体は、反応器
中央部にセットされ所定温度に加熱された被蒸着基板１
１と接触・分解し、基板表面に金属銅が析出する。銅薄
膜生成は、有機銅錯体気化温度、基板温度、系内圧等の
蒸着条件に依存するが、今回採用した蒸着条件を表１に
示す。尚、被蒸着基板としては、７ｍｍ×４０ｍｍサイ
ズの矩形のものを使用した。
ｃ）（ｍｍｂ）、Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ｍｂ）について、
ＣＶＤ法による蒸着試験を実施した。試験には図１に示
す装置を使用した。ガラス製アンプル１に封入された有
機銅錯体１０はヒータ２で加熱され気化し、内径１０ｍ
ｍのガラス製反応器３に導入される。反応器の中央部は
ヒータ４で加熱可能な構造となっており、また、他端
は、凝縮器を経て真空ポンプ５に接続されている。所定
圧で反応器に導入された気体状の有機銅錯体は、反応器
中央部にセットされ所定温度に加熱された被蒸着基板１
１と接触・分解し、基板表面に金属銅が析出する。銅薄
膜生成は、有機銅錯体気化温度、基板温度、系内圧等の
蒸着条件に依存するが、今回採用した蒸着条件を表１に
示す。尚、被蒸着基板としては、７ｍｍ×４０ｍｍサイ
ズの矩形のものを使用した。
【００２８】基板上に生成した銅薄膜については、先ず
目視により膜表面状態を観察した。次いで、銅薄膜の面
比抵抗を４点探針法で測定した後、基板を長手方向と直
角方向に切断し、膜厚を走査型電子顕微鏡で測定した。
そして、該測定値を用いる一般的方法に従って比抵抗値
を計算した。また、膜厚測定値と蒸着に要した時間か
ら、成膜速度を算出した。結果を表１に示す。
目視により膜表面状態を観察した。次いで、銅薄膜の面
比抵抗を４点探針法で測定した後、基板を長手方向と直
角方向に切断し、膜厚を走査型電子顕微鏡で測定した。
そして、該測定値を用いる一般的方法に従って比抵抗値
を計算した。また、膜厚測定値と蒸着に要した時間か
ら、成膜速度を算出した。結果を表１に示す。
【００２９】
【表１】
【００３０】
【発明の効果】本発明の有機銅錯体は、融点も十分に低
く且つ熱安定性に優れているので、ＣＶＤ法における経
時的変化の少ない原料供給を可能にする。また、比抵抗
値が十分に低く、均一性に優れた銅薄膜を与える。採用
した温和なＣＶＤ条件下としては、十分な成膜速度も示
す。従って、半導体基板上への配線の形成等、ＣＶＤ法
による銅薄膜製造が要求される工程で使用される銅源と
して、その有用性は大である。
く且つ熱安定性に優れているので、ＣＶＤ法における経
時的変化の少ない原料供給を可能にする。また、比抵抗
値が十分に低く、均一性に優れた銅薄膜を与える。採用
した温和なＣＶＤ条件下としては、十分な成膜速度も示
す。従って、半導体基板上への配線の形成等、ＣＶＤ法
による銅薄膜製造が要求される工程で使用される銅源と
して、その有用性は大である。
【図面の簡単な説明】
【図１】銅薄膜形成に使用したＣＶＤ装置の概略説明図
である。
である。
１．ガラス製アンプル ２．ヒーター（気化器） ３．反応器 ４．ヒーター（反応器） ５．真空ポンプ １０．原料有機銅錯体 １１．基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4H006 AA01 AA03 AB80 AB90 4H048 AA01 AA03 AB80 AB90 VA11 VA20 VA22 VA40 VA56 VB10 4K030 AA11 BA01 CA04 CA05 CA12 FA10 4M104 BB04 DD45 HH20
Claims (2)
- 【請求項１】 下記一般式（Ｉ） 【化１】 で表される、化学蒸着用有機銅錯体［式中Ｒ1、Ｒ2は炭
素原子数１〜８のアルキル基または炭素原子数１〜８の
パーフルオロアルキル基、Ｒ3は、Ｈ、Ｆ原子あるいは
炭素原子数１〜８のパーフルオロアルキル基、Ｒ4〜Ｒ7
は、少なくともその中の一つは、−Ｒa−Ｍ−Ｒb（Ｒa
は、炭素原子数１〜５の直鎖または分枝のアルキレン
基、また式中Ｒbは、炭素原子数１〜５の直鎖または分
枝のアルキル基、あるいはアルケニル基を表し、またＭ
はＯ原子または、Ｓ原子を表す。）で表せる基であり、
残りは、Ｈまたは炭素原子数１〜８の直鎖または分枝の
アルキル基である。］。 - 【請求項２】 Ｒ1及びＲ2が、ＣＦ3基であり、且つ、
Ｒ3がＨ原子である請求項１に記載の有機銅錯体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000255108A JP2002080965A (ja) | 2000-06-23 | 2000-08-25 | 有機銅錯体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000190014 | 2000-06-23 | ||
| JP2000-190014 | 2000-06-23 | ||
| JP2000255108A JP2002080965A (ja) | 2000-06-23 | 2000-08-25 | 有機銅錯体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002080965A true JP2002080965A (ja) | 2002-03-22 |
Family
ID=26594588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000255108A Pending JP2002080965A (ja) | 2000-06-23 | 2000-08-25 | 有機銅錯体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002080965A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5454141B2 (ja) * | 2007-07-19 | 2014-03-26 | 宇部興産株式会社 | 有機白金錯体及び当該白金錯体を用いた化学気相蒸着法による白金含有薄膜の製造法 |
-
2000
- 2000-08-25 JP JP2000255108A patent/JP2002080965A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5454141B2 (ja) * | 2007-07-19 | 2014-03-26 | 宇部興産株式会社 | 有機白金錯体及び当該白金錯体を用いた化学気相蒸着法による白金含有薄膜の製造法 |
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