KR20230131941A - 유기주석 화합물을 제조하는 방법 - Google Patents
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Abstract
알킬 및 알킬아미노 또는 알킬 및 알콕시 치환기를 갖는 특정 유기주석 화합물을 제조하기 위한 용이한 방법이 제공된다. 상기 방법은, 예를 들어, 특정 마이크로전자 장치의 제조에 사용되는 극자외선광 (EUV) 리소그래피 기술에 있어서, 고순도 산화주석 막의 증착에 있어서 전구체로서 특히 유용한 고순도 형태의 유기주석 화합물을 제공한다.
Description
본 발명은 유기주석 화학 분야에 속한다. 특히, 본 발명은 특정 유기주석 화합물을 제조하기 위한 용이한 방법에 관한 것이다.
특정 유기주석 화합물은 특정 마이크로전자 장치의 제조에 사용되는 극자외선 (EUV) 리소그래피 기술과 같은 응용분야에서 고순도 산화주석 막의 증착에 유용한 것으로 나타났다.
알킬아미노 기와 알킬 기의 조합을 갖는 유기주석 화합물이 특히 주목을 받고 있다. 따라서, 고순도 산화주석 막의 증착에 사용하기 위한 고순도 형태의 이러한 유기주석 화합물을 제조하기 위한 개선된 방법이 필요하다.
발명의 요약
알킬 및 알킬아미노 치환기 또는 알킬 및 알콕시 치환기를 갖는 특정 유기주석 화합물을 제조하기 위한 용이한 방법이 제공된다. 한 실시양태에서, 상기 방법은 고순도 형태의 유기주석 전구체 화합물, 예를 들어 트리스(디메틸아미도)이소프로필 틴 (CAS 번호 1913978-89-8)을 제공한다. 따라서, 상기 방법의 생성물은, 예를 들어, 마이크로전자 장치 제조에 사용되는 극자외선광 (EUV) 리소그래피 기술에 있어서 고순도 산화주석 막의 증착에 특히 유용하다.
본 발명은 하기 화학식 (I)의 화합물을 제조하는 방법에 관한 것이다:
여기서 각각의 R은 C1-C5 알킬 기로부터 독립적으로 선택되고, 각각의 R1은 C1-C5 알킬 기로부터 독립적으로 선택되고, R2는 수소 또는 C1-C5 알킬 기로부터 선택된다. 상기 방법은
하기 화학식 (A)의 화합물
(여기서 M은 나트륨, 리튬, 또는 칼륨으로부터 선택됨)을 화학식 L-R2의 화합물 (여기서 L은 이탈기임)과 접촉시키는 것을 포함한다.
본 발명은 추가로 하기 화학식 (I)의 화합물을 제조하는 방법에 관한 것이다:
여기서 각각의 R은 C1-C5 알킬 기로부터 독립적으로 선택되고, 각각의 R1은 C1-C5 알킬 기로부터 독립적으로 선택되고, R2는 수소 또는 C1-C5 알킬 기로부터 선택된다. 상기 방법은
하기 화학식 (II)의 화합물
(여기서 각각의 R3은 직쇄 또는 분지쇄 C1-C8 알킬 기, 페닐 기, 및 치환된 페닐 기로부터 독립적으로 선택됨)을 화학식 (R4)3Si-N(R)(R1)의 화합물과 접촉시키는 것을 포함한다.
본 발명은 추가로 하기 화학식 (II)의 화합물에 관한 것이다:
여기서 각각의 R3은 직쇄 또는 분지쇄 C1-C8 알킬 기, 페닐 기, 및 치환된 페닐 기로부터 독립적으로 선택되고, R2는 수소 또는 C1-C5 알킬 기로부터 선택된다.
본 명세서 및 첨부된 청구범위에서 사용되는 바와 같이, 단수 형태는, 내용상 달리 명확하게 기재되어 있지 않는 한, 복수의 지시대상을 포함한다. 본 명세서 및 첨부된 청구범위에서 사용되는 바와 같이, 용어 "또는"은 일반적으로, 내용상 달리 명확하게 기재되어 있지 않는 한, "및/또는"을 포함하는 의미로 사용된다.
용어 "약"은 일반적으로 언급된 값과 동등한 것으로 간주되는 (예를 들어, 동일한 기능 또는 결과를 갖는) 숫자 범위를 의미한다. 많은 경우에, 용어 "약"은 가장 가까운 유효 숫자로 반올림된 숫자를 포함할 수 있다.
끝점을 사용하여 표현된 숫자 범위는 해당 범위 내에 포함된 모든 숫자를 포함한다 (예를 들어, 1 내지 5는 1, 1.5, 2, 2.75, 3, 3.80, 4 및 5를 포함함).
첫 번째 측면에서, 본 발명은 하기 화학식 (I)의 화합물을 제조하는 방법을 제공한다:
여기서 각각의 R은 C1-C5 알킬 기로부터 독립적으로 선택되고, 각각의 R1은 C1-C5 알킬 기로부터 독립적으로 선택되고, R2는 수소 또는 C1-C5 알킬 기로부터 선택된다. 상기 방법은
하기 화학식 (A)의 화합물
을 화학식 L-R2의 화합물과 배합하는 것을 포함하며, 여기서 L은 이탈기, 예컨대 할라이드 또는 치환 또는 비치환된 방향족 또는 알킬 술포네이트이고, M은 나트륨, 리튬, 또는 칼륨으로부터 선택된다. 예를 들어, 화학식 (A)의 화합물을 화학식 L-R2의 화합물과 접촉시킬 수 있으며, 여기서 L은 브로모, 아이오도, 또는 클로로이다. 구체적인 예로서, L은 아이오도이다.
상기 방법에서, 각각의 R 및 각각의 R1은 직쇄 또는 분지쇄 알킬 기, 예컨대 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, n-부틸, t-부틸, sec-부틸, n-펜틸, 이소펜틸, 또는 sec-펜틸 기로부터 독립적으로 선택될 수 있다. 한 구체적인 실시양태에서, 각각의 R 및 각각의 R1은 C1-C3 알킬 기, 예컨대 메틸, 에틸, 또는 프로필 기로부터 독립적으로 선택된다. 더욱이, 상기 방법에서, R2는 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄 알킬 기일 수 있는 C1-C5 알킬 기로부터 선택된다. 예를 들어, R2는 직쇄 또는 분지쇄 알킬 기, 예컨대 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, n-부틸, t-부틸, sec-부틸, n-펜틸, 이소펜틸, 또는 sec-펜틸 기일 수 있다. 또한, R2는 시클릭 C1-C5 기, 예컨대 시클로프로필 기일 수 있다. 또한, R2는 불포화 C1-C5 기, 예컨대 비닐 기 또는 아세틸레닐 기일 수 있다. 이러한 R2 기 중 임의의 것은 예컨대 하나 이상의 할로겐 기 또는 에테르 기로 추가로 치환될 수 있다. 예를 들어, R2는 화학식 -(CH2)n(CHaFb)m을 갖는 플루오린화 알킬 기 (여기서 m은 1 내지 5이고, m + n은 1 내지 5이고, b는 1 내지 3이고, a + b = 3임), 예컨대 모노플루오린화 C1-C5 알킬 기, 예컨대 -CH2F 또는 -CH2CH2F 기, 및 과플루오린화 C1-C5 기, 예컨대 -CF3 또는 CF2CF3 기일 수 있다. 대안적으로, R2는 알킬에테르 기일 수 있고, 여기서 알킬 부분은 C1-C5 알킬 기이다. 한 구체적인 실시양태에서, 각각의 R 및 각각의 R1은 메틸이고, R2는 메틸, 에틸, 또는 이소프로필이다. 또한, M은 바람직하게는 리튬일 수 있다. 화학식 (A)의 화합물은 화학식 (I)의 화합물의 합성에 있어서 유용한 중간체이다.
하기 화학식 (A)의 화합물
은, 디할로스타난, 예컨대 SnCl2를 하기 화학식 (B)의 화합물과 반응시킴으로써 제조될 수 있다:
이와 관련하여, 화학식 (A)의 화합물을 형성하기 위해 SnCl2의 양을 기준으로 적어도 약 3 몰당량의 화학식 (B)의 화합물이 이용되지만, 원한다면 추가적인 당량도 사용될 수 있다. 예를 들어, 적어도 약 3.1 몰당량, 예컨대 적어도 약 3.25, 3.5, 또는 3.75 내지 약 4 당량의 화학식 (B)의 화합물이 사용될 수 있다. 화학식 (B)의 화합물의 예는 비-친핵성 강염기, 예컨대 리튬 디메틸아미드, 리튬 메틸에틸아미드, 리튬 디에틸아미드 등을 포함한다. 반응은 일반적으로 약 -15℃ 내지 적당히 상승된 온도, 예컨대 약 60℃의 범위의 온도에서 수행될 수 있지만, 예를 들어, 반응 규모 또는 반응 시간에 따라 다른 온도도 사용될 수 있다. 예를 들어, 반응 온도는 약 -30℃ 내지 약 90℃, 예컨대 약 -10℃ 내지 약 80℃ 및 약 -5℃ 내지 약 70℃일 수 있다. 일부 실시양태에서, 반응 온도가 0℃ 초과인 것이 바람직할 수 있다. 적합한 용매는 비양성자성 용매, 예컨대, 예를 들어, 알칸, 예컨대 헥산 및 방향족 용매, 예컨대 톨루엔뿐만 아니라, 극성 비양성자성 용매, 예컨대, 예를 들어, 디메톡시에탄 및 테트라히드로푸란을 포함한다. 다른 적합한 용매는 공지되어 있거나 관련 기술분야의 통상의 기술자에 의해 결정될 수 있다. 또한, 이러한 방법의 단계 중 하나 이상은 바람직하게는 물질 및/또는 생성물이 광에 노출되는 것을 최소화하는 조건 (예컨대, 예를 들어, 갈색 유리 제품의 사용)에서 수행될 수 있다.
따라서, 화학식 (A)의 화합물이 동일반응계에서 형성된 후에, 이를 화학식 L-R2의 화합물 (여기서, R2 및 L은 상기에 정의된 바와 같음)과 반응시켜 화학식 (I)의 화합물을 제공할 수 있다. 한 실시양태에서, 화학식 (I)의 화합물은 하기 특정 구조를 갖는다:
두 번째 측면에서, 본 발명은 하기 화학식 (I)의 화합물을 제조하는 방법을 제공한다:
여기서 각각의 R 및 R1은 상기에 기술된 바와 같다. 이러한 측면에서, 상기 방법은 하기 화학식 (II)의 화합물
(여기서 각각의 R3은 직쇄 또는 분지쇄 C1-C8 알킬 기, 페닐 기, 및 치환된 페닐 기로부터 독립적으로 선택됨)과 화학식 (R4)3Si-N(R)(R1)의 화합물 (여기서 R4는 C1-C3 알킬 기로부터 선택됨)을 배합하는 것을 포함한다. 예를 들어, 화학식 (II)의 화합물을 화학식 (R4)3Si-N(R)(R1)의 화합물 (여기서 R4는 메틸 기임)과 접촉시킬 수 있다. 한 실시양태에서, 화학식 (II)의 화합물의 경우에, R2는 메틸, 에틸, 또는 이소프로필이고 각각의 R3은 메틸이다.
이러한 측면에서, 화학식 (I)의 화합물을 형성하기 위해 화학식 (II)의 화합물에 비해 적어도 약 3 몰당량의 화학식 (R4)3Si-N(R)(R1)의 화합물이 이용되지만, 원한다면 추가적인 당량도 사용될 수 있다. 한 구체적인 예에서, 화학식 (R4)3Si-N(R)(R1)의 화합물은 (CH3)3SiN(CH3)2이다.
치환된 페닐 기의 예는 C1-C4 알킬, C1-C4 알콕시, C1-C4 알킬술포닐, 히드록시, 시아노, 니트로, 할로, 트리할로메틸, 페닐, 페녹시, C3-C6 시클로알킬 등으로부터 선택된 기로 한 번 이상 치환된 페닐 기를 포함한다. 치환된 페닐 기의 구체적인 예는 2,6-디-t-부틸펜-1-일, 2,4,6-트리메틸페닐 등을 포함한다.
추가의 측면에서, 본 발명은, 놀랍게도 화학식 (I)의 화합물의 합성에 있어서 중간체로서 유용한 것으로 밝혀진, 상기에 기술된 바와 같은 화학식 (II)의 화합물에 관한 것이다.
화학식 (II)의 중간체는 SnCl2와 같은 디할로스타난을 몰 과량의 화학식 M-OR3의 화합물 (여기서 M 및 R3은 상기에 기술된 바와 같음)과 반응시켜 하기 화학식 (C)의 화합물을 제공함으로써 제조될 수 있다:
여기서 n은 1 이상이다. 또한, 이러한 화합물을 화학식 X-R2의 화합물과 반응시켜 화학식 (II)의 화합물을 제공할 수 있다.
상기 측면에서, n은 화학식 (C)에서 R3 기의 상대적인 크기에 따라 1 이상이고, 특정 경우에 상기에 제시된 반복 단위의 중합 수준에 따라 매우 큰 수 또는 불확정적인 수일 수 있다. 따라서, 제시된 바와 같이, 화학식 (C)의 화합물은 이량체, 삼량체, 올리고머, 및 심지어 불확정적인 길이의 매우 긴 선형 중합체를 형성하는 경향이 있을 것이다. 예를 들어, 화학식 (C)의 화합물은 하기 구조를 가질 것이다:
추가적으로, 화학식 (C)의 화합물의 형성으로 인해 불가피하게 이량체, 삼량체 등과 같은 화학종의 혼합 집단이 생성될 것이다. 화학식 (C)의 중간체 화합물은 SnCl2와 화학식 M-OR3의 화합물 (여기서 M 및 R3은 상기에 정의된 바와 같음)을 반응시킴으로써 제조될 수 있다. 몰과량, 예를 들어 약 2 몰당량의 화학식 M-OR3의 화합물이 일부 경우에 사용될 수 있지만, 원한다면 추가적인 당량도 사용될 수 있다. 예를 들어, 적어도 약 2.1 몰당량, 예컨대 적어도 약 2.25, 2.5, 또는 2.75 내지 약 3 당량의 화학식 (B)의 화합물이 사용될 수 있다. 첫 번째 측면에서, 반응은 약 -15℃ 내지 적당히 상승된 온도, 예컨대 약 60℃의 범위의 온도에서 수행될 수 있지만, 다른 온도도 사용될 수 있다. 예를 들어, 반응 온도는 약 -30℃ 내지 약 90℃, 예컨대 약 -10℃ 내지 약 80℃ 및 약 -5℃ 내지 약 70℃일 수 있다. 일부 실시양태에서, 반응 온도가 0℃ 초과인 것이 바람직할 수 있다. 적합한 용매는 비양성자성 용매, 예컨대, 예를 들어, 알칸, 예컨대 헥산 및 방향족 용매, 예컨대 톨루엔뿐만 아니라, 극성 비양성자성 용매, 예컨대, 예를 들어, 디메톡시에탄, 및 테트라히드로푸란을 포함한다. 다른 적합한 용매는 공지되어 있거나 관련 기술분야의 통상의 기술자에 의해 결정될 수 있다. 또한, 이러한 방법의 단계 중 하나 이상은 바람직하게는 물질 및/또는 생성물이 광에 노출되는 것을 최소화하는 조건 (예컨대, 예를 들어, 갈색 유리 제품의 사용)에서 수행될 수 있다.
또 다른 측면에서, 본 발명은, 하기 반응식에 제시된 바와 같이, 상기 화학식 (I)의 화합물을 예컨대 실온에서 화학식 R3-OH의 알콜로 처리하여 화학식 (II)의 화합물로 전환할 수 있는 방법을 제공한다:
화학식 (I)의 주석 아미드를 화학식 (II)의 주석 알콕시드로 전환함으로써, 주석 아미드를 형성하는 반응으로부터 생성된 임의의 불순물도 전환한다. 예를 들어, 화학식 (I)의 화합물은 하기 화학식 (Ia)를 갖는 불순물
을 포함할 수 있고, 이는 특히 증류에 의해 화학식 (I)의 화합물로부터 분리하기가 매우 어려울 수 있다. 이러한 불순물은, 상기에 제시된 바와 같이 혼합물이 상응하는 알콕시드로 전환될 때, 화학식 (II)의 화합물로부터 제거하기가 훨씬 더 쉬울 수 있다. 더욱이, R3이 이소프로필 기와 같이 부피가 큰 경우에, 재결정화에 의한 정제도 가능할 수 있다. 정제 후에, 화학식 (II)의 화합물을 상기에 논의된 바와 같은 화학식 (R4)3Si-N(R)(R1)의 화합물과 반응시킴으로써, 화학식 (I)의 화합물이 현저히 감소된 양의 화학식 (Ia)의 화합물, 예컨대 90%, 95%, 97% 또는 99% 초과로 제거된 이러한 불순물을 갖도록 화학식 (I)의 화합물을 개질할 수 있다. 따라서, 이러한 측면은 화학식 (I)의 화합물의 정제 방법일 수 있다.
상기에 적혀 있는 바와 같이, 이렇게 제조된 화학식 (I)의 화합물은 산화주석 막을 마이크로전자 장치의 표면 상에 증착하는 데 있어서 전구체로서 유용하다.
본 발명은 그의 특정 실시양태의 하기 실시예에 의해 추가로 예시될 수 있지만, 이러한 실시예는 단지 예시를 목적으로 포함되며 달리 구체적으로 서술되지 않는 한 본 발명의 범위를 제한하려는 의도가 없음을 이해할 것이다.
실시예
실시예 1
틴 II 클로라이드 (SnCl2) (1.0 g, 5.21 mmol) 및 리튬 디메틸아미드 (LiN(CH3)2) (0.836 g, 16.4 mmol)를 자기 교반 막대가 장착된 20 mL 신틸레이션 바이알에 넣고 테트라히드로푸란 (THF) (10 mL)으로 희석하였다. 생성된 복숭아색 혼합물을 55℃에서 60시간 동안 가열하였다. 생성된 회색 혼합물을 0.2 μm 주사기 필터를 통해 여과하여 암적색 용액을 얻었다. 생성된 암적색 용액에 2-아이오도프로판 (0.885 g, 5.21 mmol)을 첨가하고 반응물을 교반하면서 60℃에서 1시간 동안 가열하였더니, 색이 더 밝은 오렌지색으로 변하였다. 생성된 순수한 반응 혼합물에 대한 1H- 및 119Sn-NMR은 iPrSn(N(CH3)2)3의 형성에 부합한다 (119Sn-NMR, -64.18 ppm).
실시예 2 (R2Sn(NR)(NR1)로부터의 R2Sn(OR3)3의 제조)
iPrSn(N(CH3)2)3을 바이알 (1.0 g, 3.4 mmol)에 넣고 헥산 (3.5 mL)을 첨가하였다. 메탄올 (0.40 g, 12.5 mmol)을 실온에서 혼합물에 첨가하였고, 비등에 의해 입증되는 바와 같이 반응이 즉각적으로 일어났다. 5분 후에, 용매를 감압 하에 제거하여 백색 고체 (0.76 g, 2.98 mmol, 수율 87.7%)를 얻었다. 1H-NMR (400 MHz, C6D6, 298K) δ 3.81 (s, 9H); 2.38 (m, 1H); 1.48 (d, 6H) ppm.
실시예 3 (R2Sn(OR3)3으로부터의 R2Sn(NR)(R1)의 제조)
iPrSn(OCH3)3 (2.5 g, 9.8 mmol)을 교반 막대가 장착된 40 ml 바이알에 넣고 톨루엔 10 mL로 희석하였다. 별도의 바이알에서 (CH3)3SiN(CH3)2 (3.44 g, 29.4 mmol)를 톨루엔 10 mL에 용해시켰다. (CH3)3SiN(CH3)2 용액을 iPrSn(OCH3)3 바이알에 첨가하고 생성된 백색 혼합물을 교반하면서 70℃에서 12시간 동안 가열하였다. 1시간 후에 반응물은 투명한 용액이 되었다.
다음날 아침 반응물은 약간 탁한 무색 용액이 되었다. 반응물을 실온으로 냉각시키고 휘발성 물질을 감압 하에 제거하여 약간 탁한 무색 액체 (질량: 2.44 g, 조질 생성물 수율: 84.7%)를 얻었다.
수집된 물질을 교반 막대가 장착된 50 mL 둥근 바닥 플라스크에 넣었다. 단형 증류 헤드에 온도계 및 10 mL 수집 플라스크를 부착하였다. 상기 장치를 800 Torr의 기준선까지 동적 진공 하에 놓고 포트를 60℃로 가열하였다. 58℃의 포트 온도에 도달했을 때 800 Torr의 압력에서 수집 플라스크 (헤드 온도: 38℃)에서 무색 액체가 관찰되었다. 액체가 응축기에서 관찰되지 않을 때 가열 맨틀을 껐다. 0.96 g (수율 31.4%)을 수집하였다. 순수한 생성물 샘플에 대해 수집된 1H- 및 119Sn-NMR을 통해 iPrSn(N(CH3)2)3이 합성되었음을 알 수 있었으며, 이는 이전에 수집된 NMR 데이터에 부합한다.
실시예 4
반응 용기에서, SnCl2를 2 몰당량의 Li-OCH3와 반응시킬 수 있었다. 이어서, 생성된 화합물 [Sn(OCH3)2]n을 단리하고 2-아이오도프로판과 반응시켜 트리스(메톡시)이소프로필 스타난을 제공할 수 있었다. 또한, 생성된 트리스(메톡시)이소프로필 스타난을 3 몰당량의 (CH3)3Si-N(CH3)2와 반응시켜 이소프로필(트리스)디메틸아미노 틴을 제공할 수 있었다.
실시예 5 - MeSn(NMe2)3의 합성
LiSn(NMe2)3 (2.0 g, 7.75 mmol)을 자기 교반 막대가 장착된 40 mL 바이알에 넣고 테트라히드로푸란 (10 mL)에 용해시켰다. 별도의 바이알에서, 아이오도메탄 (1.31 g, 9.29 mmol)을 THF (2 mL)로 희석하고, 용액을 교반하면서 LiSn(NMe2)3 용액에 첨가하였고, 이로 인해 반응물이 탁해지고 만져보니 따뜻하였다. 생성된 혼합물을 실온에서 2일 동안 교반하였다. 1H-NMR 및 119Sn-NMR을 반응 혼합물의 여과된 분액에 대해 기록하였다.
1H-NMR (400 MHz, THF, 298K): δ 0.29 (s, 3H); 2.61 (s, 18H) ppm. 119Sn {1H} -NMR (149 MHz, THF, 298K): δ -15.04 ppm.
실시예 6 - EtSn(NMe2)3의 합성
LiSn(NMe2)3 (2.0 g, 7.75 mmol)을 자기 교반 막대가 장착된 40 mL 바이알에 넣고 테트라히드로푸란 (15 mL)에 용해시켰다. 별도의 바이알에서, 아이오도에탄 (1.44 g, 9.29 mmol)을 THF (2 mL)로 희석하고 용액을 -35℃로 냉각시켰다. 냉각시키자마자, 아이오도에탄 용액을 교반하면서 LiSn(NMe2)3 용액에 첨가하였고, 이로 인해 반응물을 만져보니 따뜻하였다. 생성된 혼합물을 실온에서 20분 동안 교반하고, 1H-NMR 및 119Sn-NMR을 반응 혼합물의 여과된 분액에 대해 기록하였다. NMR을 통해 EtSn(NMe2)3이 존재함을 알 수 있었다:
1H-NMR (400 MHz, THF, 298K): δ 0.89 (t, 3H); 1.16 (q, 2H); 2.66 (s, 18H) ppm. 119Sn {1H} -NMR (149 MHz, THF, 298K): δ -39.13 ppm.
실시예 7 - CF3CH2Sn(OtBu)3의 합성
CF3CH2Sn(NMe2)3 (2 g, 5.98 mmol)을 자기 교반 막대가 장착된 갈색 40 mL 바이알에 넣고 헥산 (3 mL)으로 희석하였다. 별도의 바이알에서, tBuOH (1.32 g, 17.9 mmol)를 헥산 (5 mL)에 용해시키고, 교반하면서 2분에 걸쳐 천천히 Sn-아미드 용액에 적가하였다. 첨가하는 동안 약간의 비등이 관찰되었다. 첨가가 완료되자마자, 생성된 용액을 RT에서 10분 동안 교반하고, 이어서 감압 하에 건조시켜 약간 갈색인 용액을 얻었다. C6D6 용액에 대해 기록된 1H-, 13C-, 19F-, 및 119Sn-NMR을 통해 CF3CH2Sn(OtBu)3이 형성되었음을 알 수 있었다. NMR을 통해 생성물 순도가 > 90%임을 알 수 있었다.
1H-NMR (400 MHz, C6D6, 298K): δ 1.31 (s, 27H); 1.76 (q, 2H) ppm. 13C-NMR (100 MHz, C6D6, 298K): 28.49 (q), 33.55, 33.69, 74.41 ppm. 119Sn {1H} -NMR (149 MHz, C6D6, 298K): δ -228.35 (q) ppm. 19F-NMR (376 MHz, C6D6, 298K); δ -51.95 (t) ppm.
본 발명은 그의 특정 실시양태를 참조하여 상세하게 기술되었지만, 본 발명의 진의 및 범위 내에서 변형 및 수정이 이루어질 수 있음을 이해할 것이다.
Claims (20)
- 하기 화학식 (I)의 화합물을 제조하는 방법으로서,
(여기서 각각의 R은 C1-C5 알킬 기로부터 독립적으로 선택되고, 각각의 R1은 C1-C5 알킬 기로부터 독립적으로 선택되고, R2는 수소 또는 C1-C5 알킬 기로부터 선택됨),
여기서 상기 방법은
하기 화학식 (A)의 화합물
(여기서 M은 나트륨, 리튬, 또는 칼륨으로부터 선택됨)을 화학식 L-R2의 화합물 (여기서 L은 이탈기임)과 접촉시키는 것을 포함하는 것인
방법. - 제1항에 있어서, L이 할라이드 또는 치환 또는 비치환된 방향족 또는 알킬 술포네이트인 방법.
- 제1항에 있어서, L이 브로모, 아이오도, 또는 클로로인 방법.
- 제1항에 있어서, 각각의 R 및 각각의 R1이 C1-C3 알킬 기로부터 독립적으로 선택된 것인 방법.
- 제1항에 있어서, R2가 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄 알킬 기인 방법.
- 제1항에 있어서, R2가 시클릭 C1-C5 기인 방법.
- 제1항에 있어서, R2가 불포화 C1-C5 기인 방법.
- 제7항에 있어서, 불포화 C1-C5 기가 비닐 기 또는 아세틸레닐 기인 방법.
- 제1항에 있어서, R2가 하나 이상의 할로겐 기 또는 에테르 기로 추가로 치환된 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 화학식 A의 화합물이 디할로스타난과 하기 화학식 (B)의 화합물의 반응에 의해 제조된 것인 방법.
- 제10항에 있어서, 디할로스타난이 SnCl2인 방법.
- 하기 화학식 (I)의 화합물을 제조하는 방법으로서,
(여기서 각각의 R은 C1-C5 알킬 기로부터 독립적으로 선택되고, 각각의 R1은 C1-C5 알킬 기로부터 독립적으로 선택되고, R2는 수소 또는 C1-C5 알킬 기로부터 선택됨),
여기서 상기 방법은
하기 화학식 (II)의 화합물
(여기서 각각의 R3은 직쇄 또는 분지쇄 C1-C8 알킬 기, 페닐 기, 및 치환된 페닐 기로부터 독립적으로 선택됨)을 화학식 (R4)3Si-N(R)(R1)의 화합물 (여기서 R4는 C1-C3 알킬 기로부터 선택됨)과 접촉시키는 것을 포함하는 것인
방법. - 제12항에 있어서, R3이, C1-C4 알킬, C1-C4 알콕시, C1-C4 알킬술포닐, 히드록시, 시아노, 니트로, 할로, 트리할로메틸, 페닐, 페녹시, 및 C3-C6 시클로알킬로부터 선택된 기로 한 번 이상 치환된 페닐 기로부터 선택된 치환된 페닐 기인 방법.
- 제13항에 있어서, 치환된 페닐 기가 2,6-디-t-부틸펜-1-일 기 또는 2,4,6-트리메틸페닐 기인 방법.
- 제12항에 있어서, 화학식 (R4)3Si-N(R)(R1)의 화합물이 (CH3)3Si-N(CH3)2인 방법.
- 제12항에 있어서, 화학식 (II)의 화합물이, 디아할로스타난을 화학식 M-OR3의 화합물 (여기서 M은 나트륨, 리튬, 또는 칼륨으로부터 선택됨)과 반응시켜 하기 화학식 (C)의 화합물 (여기서 n은 1 이상임)을 제공함으로써 제조된 것인 방법.
- 제16항에 있어서, 화학식 (C)의 화합물을 화학식 X-R2의 화합물과 추가로 반응시켜 화학식 (II)의 화합물을 제공하는 것인 방법.
- 하기 화학식 (II)의 화합물:
여기서 각각의 R3은 직쇄 또는 분지쇄 C1-C8 알킬 기, 페닐 기, 및 치환된 페닐 기로부터 독립적으로 선택되고, R2는 수소 또는 C1-C5 알킬 기로부터 선택된다. - 제18항에 있어서, R2가 이소프로필인 화합물.
- 제18항에 있어서, R3이 2,6-디-t-부틸펜-1-일 또는 2,4,6-테트라메틸페닐인 화합물.
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