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  1. 弾性波を伝搬させる基板と、
    該基板の主面上に配置された励振電極と、
    前記基板の主面上に配置され、蓋体と、該蓋体上に配置された絶縁部材とを有し、前記基板と前記蓋体との間に収容空間を有するカバー体と、
    該カバー体に配置された、前記絶縁部材および前記蓋体を貫通する貫通孔と、
    貫通孔内に配置されるとともに前記励振電極に電気的に接続された外部接続用電極と、該外部接続用電極と電気的に接続された、前記外部接続用電極の材料と異なる材料からなる外部接続端子と、を備え、
    前記外部接続用電極および前記外部接続端子は、前記貫通孔内であって、前記収容空間よりも上方で接触している弾性波装置。
  2. 前記貫通孔は、前記基板と反対側の開口領域が、前記基板側の開口領域と重なるように配置されている請求項1に記載の弾性波装置。
  3. 前記外部接続用電極および前記外部接続端子が接触する部分は、前記絶縁部材内に位置している請求項1または2に記載の弾性波装置。
  4. 前記貫通孔は、前記絶縁部材の内壁面と、前記蓋体の内壁面とが連続している請求項1〜3のいずれかに記載の弾性波装置。
  5. 前記外部接続用電極は、柱状である請求項1〜4のいずれかに記載の弾性波装置。
  6. 前記カバー体は、前記基板および前記蓋体の間に位置する枠体を有する請求項1〜5のいずれかに記載の弾性波装置。
  7. 前記貫通孔は、前記枠体を貫通している請求項6に記載の弾性波装置。
  8. 前記枠体は、ウレタンアクリレート系の樹脂、ポリエステルアクリレート系の樹脂またはエポキシアクリレート系の樹脂からなる請求項6または7に記載の弾性波装置。
  9. 前記励振電極を覆う保護層をさらに有し、
    前記カバー体は、前記保護層上に配置されている請求項1〜8のいずれかに記載の弾性波
    装置。
  10. 前記貫通孔は、前記外部接続端子を収容する部分が、前記外部接続用電極側の幅よりも開口部側の幅の方が大きい請求項1〜のいずれかに記載の弾性波装置。
  11. 前記外部接続端子は、半田を含む請求項1〜10のいずれかに記載の弾性波装置。
  12. 前記外部接続用電極は、半田、Cu、AuおよびNiのうち少なくとも1つを含む請求項1〜11のいずれかに記載の弾性波装置。
  13. 前記貫通孔と前記外部接続用電極と間に位置する下地層をさらに有する請求項1〜12のいずれかに記載の弾性波装置。
  14. 前記下地層は、上端が、前記絶縁部材内に位置している請求項13に記載の弾性波装置。
  15. 前記下地層は、上端が、前記外部接続用電極の上端よりも下方に位置している請求項13または14に記載の弾性波装置。
  16. 前記下地層は、Cu、CrおよびTiのうち少なくとも1つを含む請求項13〜15のいずれかに記載の弾性波装置。
  17. 前記蓋体と前記絶縁部材との間に位置する導体層をさらに有する請求項1〜16のいずれかに記載の弾性波装置。
  18. 前記導体層は、前記外部接続端子と連続的につながっている請求項1〜17のいずれかに記載の弾性波装置。
  19. 前記導体層は、インダクタンス成分を有する請求項17または18に記載の弾性波装置。
  20. 請求項1〜7のいずれかに記載の弾性波装置と、
    該弾性波装置の前記外部接続端子を介して主面上に実装された回路基板とを有する弾性波モジュール。
  21. 前記回路基板の前記主面上に配置されたICをさらに有する請求項20に記載の弾性波モジュール。
  22. 前記回路基板上に配置された、前記弾性波装置を封止する樹脂をさらに有する請求項20または21に記載の弾性波モジュール。
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