JP7268643B2

JP7268643B2 - 弾性波装置及び複合フィルタ装置

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Publication number: JP7268643B2
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Description

本発明は、実装基板上に弾性波素子チップが実装されている、弾性波装置に関する。

従来、弾性波表面波フィルタを用いたマルチプレクサなどが広く用いられている。この種のマルチプレクサなどでは、圧電基板において複数の弾性波素子が構成されている。この複数の弾性波素子が構成されている圧電基板が、実装基板にバンプなどを介して実装されている。下記の特許文献１に記載の弾性波装置では、上記弾性波素子からの放熱性を高めるために、弾性波素子と対向している実装基板上に絶縁膜が形成されている。この絶縁膜により弾性波素子からの熱を放散させている。絶縁膜は、複数の弾性波素子に対向する領域にまたがるように形成されている。

特開２０１８－９３３８９号公報

特許文献１に記載の弾性波装置では、絶縁膜が空気より熱導電率が高いことを利用して、放熱性を高めている。しかしながら、十分な放熱性が得られないことがあった。

本発明の目的は、放熱性がより一層高められた弾性波装置を提供することにある。

本発明は、対向し合う第１及び第２の主面を有し、前記第１の主面にバンプ実装用の電極ランドが形成されている実装基板と、主面を有する圧電性基板と、前記圧電性基板の前記主面に設けられている機能電極及び実装用のバンプとを有する弾性波素子チップとを備え、前記弾性波素子チップの前記バンプが前記実装基板の前記第１の主面に設けられた前記バンプ実装用の電極ランドに接合されており、前記実装基板の前記第１の主面の上方において、前記弾性波素子チップの前記機能電極に対向している領域内に設けられている、熱輻射パターンをさらに備え、前記熱輻射パターンが、前記実装基板の前記第１の主面と前記第２の主面との間の内層部分に接続されており、前記熱輻射パターンが、前記第１の主面において前記バンプ実装用の電極ランドと電気的に接続されていない、弾性波装置である。

本発明によれば、放熱性がより一層高められた弾性波装置を提供することができる。

（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の各正面断面図である。本発明の第１の実施形態の弾性波装置で用いられている弾性波素子チップの平面図である。本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置内の送信フィルタの回路図である。本発明の第１の実施形態の弾性波装置で用いられている実装基板の斜視図である。本発明の第１の実施形態の弾性波装置で用いられている実装基板の第１の主面の電極構造を示す平面図である。本発明の第１の実施形態の弾性波装置で用いられている実装基板の第１の主面の下の内層の電極構造を示す平面図である。本発明の第１の実施形態の弾性波装置で用いられている実装基板内の、図６に示した内層よりも下の内層の電極構造を示す平面図である。本発明の第１の実施形態の弾性波装置で用いられている実装基板の第２の主面の電極構造を示す平面図である。本発明の第１の実施形態の弾性波装置の略図的平面図である。実施例の弾性波装置及び比較例の弾性波装置における入力電力Ｐｉｎと、出力電力Ｐｏｕｔとの関係を示す図である。本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。本発明の複合フィルタ装置の一例を示す回路図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。

図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の各正面断面図である。

実装基板２上に、弾性波素子チップ３がバンプ７を用いて実装されている。

実装基板２は、複数の基板層２ａ～２ｃを有する積層基板である。実装基板２は、絶縁性セラミックスあるいは合成樹脂などの適宜の絶縁性材料からなる。実装基板２は、第１の主面２ｄと、第１の主面２ｄと対向している第２の主面２ｅとを有する。第１の主面２ｄ上に、バンプ７により、弾性波素子チップ３が実装されている。弾性波素子チップ３は、圧電性基板４を有する。圧電性基板４は、対向し合う第１，第２の主面４ａ，４ｂを有する。第１の主面４ａ上に、機能電極５が設けられている。本実施形態では、機能電極５は、ＩＤＴ電極である。なお、弾性波を励振するための電極であれば、ＩＤＴ電極以外の機能電極５であってもよい。

第１の主面４ａ上には、電極ランド６が設けられている。電極ランド６は、機能電極５と電気的に接続されている。電極ランド６上に金属よりなるバンプ７が設けられている。バンプ７が、実装基板２の第１の主面２ｄ上に設けられた実装用の電極ランド１７に接合されている。

上記圧電性基板４は、ＬｉＴａＯ_３やＬｉＮｂＯ_３などの圧電単結晶からなる。圧電性基板４は、圧電セラミックスからなるものであってもよい。また、圧電性基板４は、支持基板上に直接または間接に圧電膜が積層された構造を有していてもよい。

図２は、上記弾性波素子チップ３の圧電性基板４の第１の主面４ａ上に設けられた電極構造を、第１の主面４ａ側から視た平面図である。弾性波素子チップ３は、送信フィルタ３Ａと、受信フィルタ３Ｂとを有する、デュプレクサである。ここで、送信フィルタ３Ａは、複数の弾性波共振子を有するラダー型フィルタである。

図３は、送信フィルタ３Ａの回路図である。送信端子ＴＸと、アンテナ端子ＡＮＴを結ぶ直列腕に、複数の直列腕共振子Ｓ１～Ｓ４が配置されている。直列腕と基準電位とを結ぶ複数の並列腕に、それぞれ並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２及びＰ３が設けられている。

直列腕共振子Ｓ１～Ｓ４及び並列腕共振子Ｐ１～Ｐ３は、それぞれ、ＩＤＴ電極を有する１ポート型弾性表面波共振子である。図２では、各弾性波共振子が設けられている領域のみを略図的に示すこととする。

なお、受信フィルタ３Ｂは、複数の弾性波共振子を有する弾性波フィルタである。

図２に示すバンプ７により、弾性波素子チップ３が、前述した実装基板２の第１の主面２ｄに接合されている。それによって、弾性波素子チップ３が実装基板２に実装されている。

図４は、実装基板２の斜視図である。また、図５は、実装基板２の第１の主面２ｄに設けられている電極構造を示す平面図であり、図６は、実装基板２の内層に配置されている電極構造を示す平面図である。より具体的には、図１（ａ）の基板層２ａと基板層２ｂとの界面に位置している電極構造を示す図である。また、図７は、図６に示した電極構造より下の内層に位置している電極構造を示す平面図である。より具体的には図１（ａ）の基板層２ｂと基板層２ｃとの界面に設けられた電極構造を示す図である。

また、図８は、実装基板２の第２の主面２ｅに設けられている電極構造を示す平面図である。図９は、上記実装基板２上の電極構造上に、弾性波素子チップ３の第１の主面２ｄ上の電極を配置した状態を示す模式的平面図である。なお、図９では、実装基板２の第１の主面２ｄ上の電極構造を実線で示している。そして、弾性波素子チップ３の第１の主面２ｄ側の電極は破線で示している。

図１（ａ）に示すように、弾性波装置１では、上記実装基板２の第１の主面２ｄに、弾性波素子チップ３の機能電極５としてのＩＤＴ電極が対向している。そして、この機能電極５に対向している領域内において、熱輻射パターン８が実装基板２の第１の主面２ｄに設けられている。本実施形態では、熱輻射パターン８は、機能電極５に対向している受熱部８ａと、受熱部８ａよりも断面積が小さい伝熱部８ｂとを有する。図示のように、熱輻射パターン８の受熱部８ａは、弾性波素子チップ３の機能電極５に近接されている。他方、弾性波素子チップ３では、駆動時には、機能電極５が設けられている部分で圧電性基板４が高温となる。従って、駆動に際して生じた熱が、輻射により、熱輻射パターン８側に伝達される。そのため、熱が、熱輻射パターン８から速やかに放散される。

実装基板２の電極構造を図５～図８を参照してより詳細に説明する。

図５に示すように、第１の主面２ｄ上には、実装用の電極ランド１１，１３，１５，１７が設けられている。そして、この電極ランド１１，１３，１５，１７に、弾性波素子チップ３側のバンプ７がそれぞれ接合される。なお、弾性波装置１では、実際には８個のバンプにより弾性波素子チップ３が実装基板２に実装されている。図５において、一点鎖線の円で上記８個のバンプが接合される部分を示す。ここでは、８個のバンプのうち、上記アンテナ端子ＡＮＴ、送信端子ＴＸ、受信端子及び熱輻射パターン８に近いグラウンド電位に接続される、合計４つのバンプ７を代表して、上記のように結合を説明している。

実装用の電極ランド１１は、弾性波素子チップ３のアンテナ端子に接続される。ここで、電極ランド１１は、ビア導体１２の上端に接続されている。このビア導体１２は図６に示す電極２１に下端が接続されている。電極２１には、ビア導体２２の上端が接続されている。このビア導体２２は、図７に示すビア導体３１の上端に接続されている。ビア導体３１の下端は、図８に示す外部電極４１に接続される。この外部電極４１がアンテナに接続される。

なお、図５に示す電極ランド１３には、ビア導体１４の上端が接続されている。このビア導体１４の下端が、図６に示す電極２３に接続されている。電極２３にはビア導体２４の上端が接続されている。ビア導体２４の下端は、図７に示すビア導体３２に接続されている。ビア導体３２は、図８に示す外部電極４３に接続されている。外部電極４３は、送信電力を入力する入力電極となる。

すなわち、外部電極４２から入力された送信信号が、送信フィルタ３Ａを介しアンテナ端子を経て、外部電極４１からアンテナに出力される。

上記外部電極４１と外部電極４２との間に前述したラダー型フィルタからなる送信フィルタ３Ａが接続されている。

複数の熱輻射パターン８の伝熱部８ｂは、実装基板２内に設けられた電極２７に接続されている。すなわち、熱輻射パターン８は、実装基板２の外装部分に接続されている。それによって、熱が、実装基板２の内層部分に速やかに逃がされる。

また、電極２７は大きな面積を有するが、複数のビア導体２８の上端がこの電極２７に接続されている。複数のビア導体２８の下端は、図７に示す大きな面積を有する電極３４に接続されている。この電極３４の下面に、複数のビア導体３５の上端が接続されている。

複数のビア導体３５の下端は、図８に示す外部電極４４，４５，４６または４７に接続されている。外部電極４４，４５，４６，４７は、グラウンド電位に接続される電極である。

従って、本実施形態では、上記熱輻射パターン８は、最終的にグラウンド電位に接続されている。よって、複数の外部電極４４，４５，４６，４７を介し熱を外部に速やかに逃がすことができる。また、図６に示した大きな面積の電極２７に、熱輻射パターン８が接続されているため、熱をより効果的に電極２７側に逃がすことができる。電極２７は、ビア導体３５、電極３４及びビア導体３５を介して、実装基板２の第２の主面２ｅに設けられた外部電極４４に接続されている。このようにして、熱輻射パターン８が、外部電極４４に接合され、熱が、熱輻射パターン８から実装基板２の内層を経て、第２の主面２ｅ側に速やかに逃がされる。

図４及び図５に示すように、複数の熱輻射パターン８が、実装基板２の第１の主面２ｄ上に設けられている。なお、図４では、熱輻射パターン８の受熱部は正多角形の平面形状を有するように図示されているが、図５等においては、図示を容易とするために受熱部８ａ、熱輻射パターン８の平面形状は円形で示すこととする。

また、弾性波素子チップ３では、機能電極５は複数設けられている。すなわち、直列腕共振子Ｓ１～Ｓ４及び並列腕共振子Ｐ１～Ｐ３が、それぞれ、機能電極５としてのＩＤＴ電極を有する。

この複数の熱輻射パターン８は、直列腕共振子Ｓ２，Ｓ３及び並列腕共振子Ｐ２，Ｐ３の機能電極５に、すなわち各ＩＤＴ電極に１対１で対向するように設けられている。従って、直列腕共振子Ｓ２，Ｓ３及び並列腕共振子Ｐ２，Ｐ３で発生した熱が速やかに実装基板２側に逃がされることになる。そのため、放熱性に優れた弾性波装置１を提供することができる。

また、熱輻射パターン８は、電極ランド１７と、第１の主面２ｄ上において電気的に接続されていない。そのため、熱輻射パターン８から実装基板２の内層部分に熱を速やかに逃がすことが可能とされている。上記複数の熱輻射パターン８以外に、熱輻射パターン８Ａが設けられている。熱輻射パターン８Ａは、直列腕共振子Ｓ１及び並列腕共振子Ｐ１の双方のＩＤＴ電極に対抗するように配置されている。このように、各ＩＤＴ電極に１対１で対向している熱輻射パターン８以外に、複数のＩＤＴ電極に跨るように設けられた熱輻射パターン８Ａを設けてもよい。

なお、送信フィルタ３Ａは、上記のようなラダー型フィルタに限らず、複数の弾性波共振子を有する他の帯域通過型フィルタであってもよい。また、受信フィルタ３Ｂの回路構成は特に限定されるものではない。弾性波素子チップ３では、上記送信フィルタ３Ａが設けられている部分が本発明の実施形態を構成している。

熱輻射パターン８は、熱を放散させるために設けられているものであるため、好ましくは、熱伝導性に優れた材料からなる。熱伝導性は、空気より高ければよいが、金属などの熱伝導性が高い材料が望ましい。もっとも、アルミナなどの絶縁性セラミックスによって、熱輻射パターン８を構成してもよい。

また、上記実施形態では、熱輻射パターン８は、相対的に面積の小さな伝熱部８ｂ上に相対的に面積の大きな受熱部８ａが連ねられていたが、受熱部８ａと同じ断面積の伝熱部８ｂを設けてもよい。

また、上記実施形態では、外部電極４４，４５，４６または４７に最終的に熱輻射パターン８が接続されていたが、熱輻射パターン８はグラウンド電位に接続される外部電極以外の浮き電極に電気的に接続されていてもよい。

もっとも、熱輻射パターン８は、前述した外部電極４１、外部電極４２及び外部電極４３に電気的に接続されていないことが望ましい。さもないと、電気的経路を経て、熱が他の弾性波共振子に伝わるおそれがある。

上記実施形態では、ラダー型フィルタの直列腕共振子Ｓ２，Ｓ３及び並列腕共振子Ｐ２，Ｐ３の各ＩＤＴ電極と対向するように、熱輻射パターン８が配置されていた。上記のように、本発明においては、好ましくは、１個のＩＤＴ電極に１個の熱輻射パターン８が対向しており、熱輻射パターン８が、複数のＩＤＴ電極に跨がって対向していないことが好ましい。すなわち、１つの熱輻射パターン８は、２以上のＩＤＴ電極と平面視において重なっていないことが好ましい。それによって、各ＩＤＴ電極で生じた熱をより一層速やかに実装基板２側に逃がすことができる。上述したように、熱輻射パターン８Ａについては、直列腕共振子Ｓ１及び並列腕共振子Ｐ１の双方のＩＤＴ電極に対向するように設けられている。

上記ラダー型フィルタでは、好ましくは、最も周波数の高い共振周波数を有する直列腕共振子以外の直列腕共振子または最も周波数の低い反共振周波数を有する並列腕共振子以外の並列腕共振子のＩＤＴ電極に対向するように熱輻射パターンが配置される。この場合、発熱が生じやすい直列腕共振子または並列腕共振子に対向するように熱輻射パターンが対向される。そのため、放熱性をより一層高めることができる。

また、好ましくは、合成容量が最も大きい直列腕共振子以外の直列腕共振子または合成容量が最も小さい並列腕共振子以外の並列腕共振子のＩＤＴ電極に対向するように熱輻射パターンが配置される。この場合にも、発熱の大きな直列腕共振子または並列腕共振子に対向するように熱輻射パターンが配置されることになる。従って、弾性波装置の放熱性を効果的に高めることができる。

なお、上記機能電極５と熱輻射パターン８との間の距離は、好ましくは、７０μｍ以下であり、その場合には、放熱性をより一層高めることができる。さらに好ましくは、３０μｍ以下である。この場合には、輻射熱による放熱性をより一層高めることができる。

熱輻射パターン８が、ビア導体と同じ面積の場合には、実装基板２の第１の主面２ｄ上において、熱輻射パターン８を構成するための面積を小さくすることができる。好ましくは、複数の機能電極５が設けられている場合、熱輻射パターン８は、単位時間あたりの発熱量が最も大きい共振子のＩＤＴ電極に対向していることが望ましい。それによって、少ない熱輻射パターン８により、放熱性を効果的に高めることができる。

上記実施形態の弾性波装置１の送信フィルタ３Ａの実施例を下記の設計パラメータで作製した。

直列腕共振子及び並列腕共振子の構成は下記の表１に示す通りとした。

なお、電極材料としては、Ｐｔ／Ａｌを主電極とした積層電極を用いた。

また各共振子のＩＤＴ電極に対向するように、主成分としてＣｕからなる熱輻射パターン８を設けた。熱輻射パターン８の受熱部８ａの面積は０．０１８ｍｍ^２、厚みは０．０１４ｍｍ、伝熱部８ｂの断面積は０．００２ｍｍ^２、長さは０．０２５ｍｍとした。

上記熱輻射パターンが設けられていないことを除いては、上記実施例と同様にして構成された比較例の弾性波装置を作製した。

上記実施例及び比較例の弾性波装置につき、共振端子側、すなわち入力側から電力を印加し、出力側の電力を測定した。この入力側の電力Ｐｉｎと、出力側の電力Ｐｏｕｔとの関係を図１０に示す。図１０から明らかなように、比較例に比べ、実施例によれば、同じ電力を入力した場合であっても、出力電力Ｐｏｕｔを大きくすることができる。しかも、比較例では、入力電力Ｐｉｎが３１．５ｄＢｍを超えると、破壊し、それ以上大きな電力を投入することができなかった。これは、ＩＤＴ電極は溶断したためと考えられる。すなわち、実施例によれば、比較例の弾性波装置に比べ、放熱性を効果的に高め得ることがわかる。

図１１は、第２の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。弾性波装置５１では、実装基板５２が、第１の主面５２ａと第２の主面５２ｂとを有する。第１の主面５２ａ上に、熱輻射パターン５６として、平板状の金属膜が設けられている。この熱輻射パターン５６は、図示されていない部分において、実装基板５２の内層あるいは第２の主面５２ｂ側に熱を放散するように金属膜やビア導体に接続されている。

他方、弾性波素子チップ５３は、圧電性基板５４を有する。圧電性基板５４の第１の主面５４ａ上に機能電極５５としてＩＤＴ電極が設けられている。この機能電極５５に対向するように前述した熱輻射パターン５６が配置されている。

圧電性基板５４を封止するように、封止樹脂層５７が設けられている。

弾性波装置５１においても、熱輻射パターン５６が設けられているため、機能電極５５が設けられている部分で生じた熱を、効果的に逃がすことができる。そのため、放熱性に優れた弾性波装置５１を提供することができる。

図１２は、第３の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。弾性波装置６１では、実装基板６２に弾性波素子チップ６３が実装されている。

もっとも、実装基板６２もまた、圧電性基板６４を用いて構成されている。第１の主面６２ａ上に、機能電極６５が設けられている。それによって、実装基板６２においても弾性波素子が構成されている。弾性波素子チップ６３は、圧電性基板６４を有する。圧電性基板６４の第１の主面６４ａに、機能電極６５が設けられている。そして、弾性波素子チップ６３の圧電性基板６４の第１の主面６４ａと、実装基板６２の第１の主面６２ａとが、空間を隔てて対向している。実装基板６２の第１の主面６２ａ上には、金属膜６６が設けられている。この金属膜６６に、接合剤６７を介して、熱輻射パターン６８が固定されている。熱輻射パターン６８は、金属などの伝熱性に優れた材料からなる板状の部材である。

熱輻射パターン６８が、弾性波素子チップ６３の機能電極６５と、実装基板６２の第１の主面６２ａ上の機能電極６５とが対向している部分に至るように配置されている。すなわち、機能電極６５同士が対向している空間に、上記熱輻射パターン６８が配置されている。熱輻射パターン６８は、接合剤６７を介して金属膜６６に片持ち梁で支持されている。

接合剤６７は、熱伝導性に優れた適宜の接合剤により構成することができる。このような接合剤としては、はんだなどを好適に用いることができる。従って、上下の弾性波素子の機能電極６５で生じた熱が、熱輻射パターン６８を介して、実装基板６２の内層側に速やかに逃がされる。このように、実装基板６２側に、さらに複数の弾性波素子を構成してもよい。その場合、熱輻射パターン６８を、弾性波素子チップ６３側の機能電極６５と、実装基板６２側に設けられた機能電極６５との間に配置することが好ましい。

図１３は、本発明の複合フィルタ装置の一例を示す回路図である。複合フィルタ装置９１では、共通端子８３に、複数の帯域通過型フィルタ８２Ａ、９２Ｂ，９２Ｃ，……の一端が接続されている。この帯域通過型フィルタ８２Ａ、９２Ｂ，９２Ｃ，……などの少なくとも１つの共振子に、本発明の弾性波装置を用いることにより、該弾性波装置を用いた帯域通過型フィルタにおける放熱性を高めることができる。

１…弾性波装置
２…実装基板
２ａ～２ｃ…基板層
２ｄ，２ｅ…第１，第２の主面
３…弾性波素子チップ
３Ａ…送信フィルタ
３Ｂ…受信フィルタ
４…圧電性基板
４ａ，４ｂ…第１，第２の主面
５…機能電極
６…電極ランド
７…バンプ
８，８Ａ…熱輻射パターン
８ａ…受熱部
８ｂ…伝熱部
１１，１３，１５，１７…電極ランド
１２，１４，２２，２４，２８，３１，３２，３５…ビア導体
２１，２３，２７，３４…電極
４１～４７…外部電極
５１…弾性波装置
５２…実装基板
５２ａ，５２ｂ…第１，第２の主面
５３…弾性波素子チップ
５４…圧電性基板
５４ａ…第１の主面
５５…機能電極
５６…熱輻射パターン
５７…封止樹脂層
６１…弾性波装置
６２…実装基板
６２ａ…第１の主面
６３…弾性波素子チップ
６４…圧電性基板
６４ａ…第１の主面
６５…機能電極
６６…金属膜
６７…接合剤
６８…熱輻射パターン
８２Ａ，９２Ｂ，９２Ｃ…帯域通過型フィルタ
８３…共通端子
９１…複合フィルタ装置
Ｓ１～Ｓ４…直列腕共振子
Ｐ１～Ｐ３…並列腕共振子

Claims

対向し合う第１及び第２の主面を有し、前記第１の主面にバンプ実装用の電極ランドが形成されている実装基板と、
主面を有する圧電性基板と、前記圧電性基板の前記主面に設けられている機能電極及び実装用のバンプとを有する弾性波素子チップとを備え、
前記弾性波素子チップの前記バンプが前記実装基板の前記第１の主面に設けられた前記バンプ実装用の電極ランドに接合されており、
前記実装基板の前記第１の主面の上方において、前記弾性波素子チップの前記機能電極に対向している領域内に設けられている、熱輻射パターンをさらに備え、
前記熱輻射パターンが、前記実装基板の前記第１の主面と前記第２の主面との間の内層部分に接続されており、前記熱輻射パターンが、前記第１の主面において、前記バンプ実装用の電極ランドと電気的に接続されておらず、
前記機能電極が、複数のＩＤＴ電極を有し、複数の前記ＩＤＴ電極に対応する複数の前記熱輻射パターンがそれぞれ設けられており、１つの前記熱輻射パターンが、少なくとも２つの前記ＩＤＴ電極と平面視において重なっていない、弾性波装置。
対向し合う第１及び第２の主面を有し、前記第１の主面にバンプ実装用の電極ランドが形成されている実装基板と、
主面を有する圧電性基板と、前記圧電性基板の前記主面に設けられている機能電極及び実装用のバンプとを有する弾性波素子チップとを備え、
前記弾性波素子チップの前記バンプが前記実装基板の前記第１の主面に設けられた前記バンプ実装用の電極ランドに接合されており、
前記実装基板の前記第１の主面の上方において、前記弾性波素子チップの前記機能電極に対向している領域内に設けられている、熱輻射パターンをさらに備え、
前記熱輻射パターンが、前記実装基板の前記第１の主面と前記第２の主面との間の内層部分に接続されており、前記熱輻射パターンが、前記第１の主面において、前記バンプ実装用の電極ランドと電気的に接続されておらず、
複数の直列腕共振子と複数の並列腕共振子とを有するラダー型フィルタであって、各直列腕共振子及び各並列腕共振子が弾性波装置からなり、最も周波数の高い共振周波数を有する直列腕共振子以外の直列腕共振子または最も周波数の低い反共振周波数を有する並列腕共振子以外の並列腕共振子のＩＤＴ電極に対向するように前記熱輻射パターンが配置されている、弾性波装置。
対向し合う第１及び第２の主面を有し、前記第１の主面にバンプ実装用の電極ランドが形成されている実装基板と、
主面を有する圧電性基板と、前記圧電性基板の前記主面に設けられている機能電極及び実装用のバンプとを有する弾性波素子チップとを備え、
前記弾性波素子チップの前記バンプが前記実装基板の前記第１の主面に設けられた前記バンプ実装用の電極ランドに接合されており、
前記実装基板の前記第１の主面の上方において、前記弾性波素子チップの前記機能電極に対向している領域内に設けられている、熱輻射パターンをさらに備え、
前記熱輻射パターンが、前記実装基板の前記第１の主面と前記第２の主面との間の内層部分に接続されており、前記熱輻射パターンが、前記第１の主面において、前記バンプ実装用の電極ランドと電気的に接続されておらず、
複数の直列腕共振子と複数の並列腕共振子とを有するラダー型フィルタであって、各直列腕共振子及び各並列腕共振子が弾性波装置からなり、合成容量が最も大きい共振周波数を有する直列腕共振子以外の直列腕共振子または合成容量が最も小さい並列腕共振子以外の並列腕共振子のＩＤＴ電極に対向するように前記熱輻射パターンが配置されている、弾性波装置。
前記実装基板の前記第１の主面に至るように設けられたビア導体をさらに備え、前記熱輻射パターンが前記ビア導体に接続されている、請求項１に記載の弾性波装置。
前記実装基板の前記第１の主面に至っているビア導体をさらに備え、前記熱輻射パターンが、前記弾性波素子チップの前記機能電極と前記実装基板の前記第１の主面との間の空間に位置しており、かつ前記ビア導体に接続されている、請求項１に記載の弾性波装置。
前記熱輻射パターンが、金属または絶縁性材料からなる、請求項１～５のいずれか一項に記載の弾性波装置。
前記熱輻射パターンが、前記ビア導体の前記実装基板の前記第１の主面に露出している部分と同一の平面形状を有する、請求項４または５に記載の弾性波装置。
前記機能電極が、複数のＩＤＴ電極を有し、前記熱輻射パターンが、単位時間あたりの発熱量が最も大きいＩＤＴ電極に対向するように設けられている、請求項１～７のいずれか一項に記載の弾性波装置。
複数の前記熱輻射パターンが、前記実装基板の前記第２の主面側において接続されている、請求項１に記載の弾性波装置。
前記弾性波素子チップの前記機能電極と、前記熱輻射パターンとの間の距離が７０μｍ以下である、請求項１～９のいずれか一項に記載の弾性波装置。
複数の帯域通過型フィルタが一端で共通接続されている複合フィルタ装置であって、少なくとも１つの帯域通過型フィルタが、請求項１～１０のいずれか一項に記載の弾性波装置からなる共振子を有する、複合フィルタ装置。