JP6787797B2 - 電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
このようなSAWデバイスによれば、圧電体基板1の圧電効果によってIDT2が振動することで、所定のフィルタ動作が行われる。
一方、モジュール化で適用される上記トランスファモールディング法は、一般的に160℃前後に融解した封止用の樹脂を6MPa前後の圧力で電子部品の周辺に流し込むため、SAWデバイスに6MPa前後の圧力がかかることになる。
しかし、屋根部6の樹脂層を厚くすると、電子デバイスの低背化・小型化が図れないし、最善の方法とはならない。
しかし、これら特許文献2乃至4に記載されているものにおいては、補強構造による耐モールド圧力性向上の効果が期待できる反面、補強構造の製作過程による製造工数及び材料費の増大は避けられず、またSAWデバイスの高さの増加が懸念されるため、最善の方法とは言い難い。
図2において、10はトランスファモールディング法により成形された樹脂封止体であり、この封止体10は、実施例では屋根部7の外側とSAWデバイスの外周に形成される(少なくとも屋根部7の外側に配置されればよい)。
上記IDT2及び電極3は、Al、Cu、Au、Niの内のいずれかを主成分とする材料、若しくはこれらの材料の合金、又は金属間化合物を多層に積層した化合物等から形成される。上記保護膜4は、ケイ素、酸素、窒素の内いずれかを主成分とする材料、若しくはこれらの材料の化合物を多層に積層した化合物から形成されている。
このSAWデバイスの屋根部7のドーム形状は、トランスファモールディング法により樹脂封止する際にSAWデバイスにかかる圧力(例えば6MPa)に十分耐え、中空部50が潰されてIDT2に接触して電気的機能を損うことはない。図2の矢示に示されるように、SAWデバイスにトランスファモールド成形が施されると、ドーム状の屋根部7に残留圧縮応力ベクトルが生じ、この残留応力がトランスファモールド形成時の圧力に対する反力(又は抗力)となり、中空部50の潰れを防ぐためである。
最初に、図3(a)及び図4のステップ101に示されるように、IDT2、電極3、保護膜4を形成した圧電体基板1上に、例えばラミネータ等の装置を用いて、第1有機レジスト12を貼る。
図3(b)及び図4のステップ102では、壁部5を形成するために露光する。この露光は、パターン精度、製造作業性、製造コスト等を考慮した上で、等倍露光若しくは縮小投影露光を選択する。
その後、図3(d)及び図4のステップ105では、壁部5を立体構造として形成する現像を行う。このとき、外部端子8に接続する電極3の一部を露出する。
図3(f)及び図4のステップ107に示されるように、上記壁部5の上面に、例えばラミネータ等の装置を用いて第2有機レジスト14を貼る。この第2有機レジスト14は、壁部5を形成した上記第1有機レジスト12と同一品若しくは異種品のどちらでも構わない。第2有機レジストは、パターン精度、製造作業性、製造コスト等を考慮したうえで選定する。
図3(h)及び図4のステップ109,110では、第2有機レジスト14に付着しているレジスト保護フィルムを剥がし、酸の拡散及び架橋反応の促進を目的とした露光後の加熱処理を行う。この露光後の加熱処理により、ドーム状の屋根部7が形成される。
図3(j)及び図4のステップ112では、現像後の加熱処理を行う。露光後及び現像後の加熱処理は、適切な一定温度で行うことが望ましい。これらの加熱条件は、圧電体基板1、IDT2の形状、壁部5のパターン、屋根部7のパターンによって適時選択可能なパラメータである。このパラメータの代表例は、露光後の加熱が90℃で5分、現像後の加熱が200℃で60分である。
特に、ドーム状の屋根部7を形成する加熱処理は、圧電体基板側をホットプレートに接するようにして加熱処理することが好ましい。一方、第2有機レジスト表面から加熱するRTA法は、加熱への初期において表面が硬化してしまうため避けるのが好ましい。
そして、このようにして作製されたSAWデバイスは、他の回路部品と共に図示しない実装基板に実装された状態で、トランスファモールディング法により樹脂封止され、図2に示されるように、SAWデバイスの周囲が封止体10によって樹脂封止される。このとき、トランスファモールド圧がかかることになるが、上記ドーム状の屋根部7は、トランスファモールド圧に十分耐え得る強固な構造となるので、中空構造体が潰れることもない。
図6に、中空面積とドーム状の屋根部7のたわみとの関係を示しており、実施例のドーム型(図の60)は、従来の平型(図の61)に比べたわみが小さくなり、実施例では耐モールド圧力性が向上することが確認されている。
以上、実施例を詳述したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、種々の変形及び変更が可能である。
3…電極、 4…保護膜、
5…壁部、 6…屋根部、
7…屋根部、 8…外部端子、
10…封止体、 12…第1有機レジスト、
14…第2有機レジスト、 50…中空部。
Claims (1)
- 基板に、電子部品を作製する工程と、
上記基板上に第1有機レジストを形成し、この第1有機レジストのパターニングにより上記電子部品の上方に中空部を設けるための壁部を形成する工程と、
上記壁部の上に上記中空部の屋根部を構成する第2有機レジストを配置する工程と、
上記第2有機レジストを露光する工程と、
上記第2有機レジストの加熱処理を行うことにより、上記屋根部をドーム状に形成する工程と、
上記第2有機レジストの現像を行う工程と、
少なくとも上記ドーム状の屋根部の外側をモールド樹脂により封止する工程と、含んでなる電子デバイスの製造方法。
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