JP2007227806A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板1におけるIGBTの形成領域とダイオードの形成領域以外の領域(周辺部)において、主面側の表層部に、P導電型の第5半導体領域6が形成され、第1半導体領域2、第3半導体領域4および第5半導体領域6が、電気的に共通接続され、第5半導体領域6に対向して、裏面側の表層部に、P導電型の第6半導体領域7aが形成され、第2半導体領域3、第4半導体領域5および第6半導体領域7aが、電気的に共通接続されてなる半導体装置100とする。
【選択図】図1
Description
図1(a),(b)は、本実施形態における半導体装置の一例で、それぞれ、半導体装置100,101の模式的な断面図である。尚、図1(a),(b)は、半導体装置100,101の左端部構造を示した図であり、半導体装置100,101の中央部では、IGBT形成部とダイオード形成部が、適宜繰り返し配置されている。また、半導体装置100,101の右端部構造は、図1(a),(b)の左右を反転した構造となっている。
第1実施形態の半導体装置は、IGBTとダイオードが同じN導電型の半導体基板に形成されてなる半導体装置であって、IGBTとダイオード以外の領域で、主面側の表層部に形成されたP導電型の第5半導体領域に対向して、裏面側の表層部にP導電型の第6半導体領域が形成されてなる半導体装置であった。本実施形態は、IGBT、ダイオードおよび第5半導体領域の基板面における配置が特定の関係にある半導体装置に関する。
上記実施形態の図1〜図6に示した半導体装置100〜108は、いずれも、N導電型の半導体基板に、P導電型の第1半導体領域2をチャネル形成領域とするNチャネルのIGBTとP導電型の第3半導体領域4をアノードとするダイオードが形成された半導体装置である。一方、上記半導体装置100〜108における各領域の導電型を全て逆転した半導体装置で、P導電型の半導体基板に、N導電型の第1半導体領域をチャネル形成領域とするPチャネルのIGBTと、N導電型の第3半導体領域をカソードとするダイオードが形成された半導体装置についても、上記した半導体装置100〜108において説明した効果が、同様に得られることは言うまでもない。従って、上記半導体装置100〜108における各領域の導電型を全て逆転した半導体装置についても、IGBTとダイオードが同じ半導体基板に形成されてなる小型の半導体装置であって、ダイオードのリカバリー特性の劣化を抑制できる半導体装置とすることができる。
1 半導体基板
2 第1半導体領域
3 第2半導体領域
4 第3半導体領域
5 第4半導体領域
6,6b〜6g 第5半導体領域
6a 第7半導体領域
7a,7b 第6半導体領域
8 電極
9a ゲート配線
9b パッド電極
10 絶縁膜
D (正規の)ダイオード
PDa,PDb 寄生PNダイオード
Claims (17)
- IGBTとダイオードが、同じN導電型の半導体基板に形成されてなる半導体装置であって、
前記IGBTの形成領域において、
前記半導体基板の主面側の表層部に、IGBTのチャネル形成領域となるP導電型の第1半導体領域が形成され、
前記第1半導体領域に対向して、前記半導体基板の裏面側の表層部に、IGBTのコレクタ領域となるP導電型の第2半導体領域が形成され、
前記ダイオードの形成領域において、
前記半導体基板の主面側の表層部に、ダイオードのアノード領域となるP導電型の第3半導体領域が形成され、
前記第3半導体領域に対向して、前記半導体基板の裏面側の表層部に、ダイオードのカソード領域となるN導電型の第4半導体領域が形成され、
前記半導体基板における前記IGBTの形成領域と前記ダイオードの形成領域以外の領域において、
主面側の表層部に、P導電型の第5半導体領域が形成され、
前記第1半導体領域、前記第3半導体領域および前記第5半導体領域が、電気的に共通接続され、
前記第5半導体領域に対向して、裏面側の表層部に、P導電型の第6半導体領域が形成され、
前記第2半導体領域、前記第4半導体領域および前記第6半導体領域が、電気的に共通接続されてなることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体基板の主面側の表層部に、前記第1半導体領域、前記第3半導体領域および前記第5半導体領域を取り囲んで、P導電型の第7半導体領域が形成され、
前記第5半導体領域における前記第7半導体領域側の端部と、前記第5半導体領域へ接続する電極の端部との間の距離が、前記半導体基板からなるN導電型の第8半導体領域における正孔の拡散長以上であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - IGBTとダイオードが、同じP導電型の半導体基板に形成されてなる半導体装置であって、
前記IGBTの形成領域において、
前記半導体基板の主面側の表層部に、IGBTのチャネル形成領域となるN導電型の第1半導体領域が形成され、
前記第1半導体領域に対向して、前記半導体基板の裏面側の表層部に、IGBTのコレクタ領域となるN導電型の第2半導体領域が形成され、
前記ダイオードの形成領域において、
前記半導体基板の主面側の表層部に、ダイオードのカソード領域となるN導電型の第3半導体領域が形成され、
前記第3半導体領域に対向して、前記半導体基板の裏面側の表層部に、ダイオードのアノード領域となるP導電型の第4半導体領域が形成され、
前記半導体基板における前記IGBTの形成領域と前記ダイオードの形成領域以外の領域において、
主面側の表層部に、N導電型の第5半導体領域が形成され、
前記第1半導体領域、前記第3半導体領域および前記第5半導体領域が、電気的に共通接続され、
前記第5半導体領域に対向して、裏面側の表層部に、N導電型の第6半導体領域が形成され、
前記第2半導体領域、前記第4半導体領域および前記第6半導体領域が、電気的に共通接続されてなることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体基板の主面側の表層部に、前記第1半導体領域、前記第3半導体領域および前記第5半導体領域を取り囲んで、N導電型の第7半導体領域が形成され、
前記第5半導体領域における前記第7半導体領域側の端部と、前記第5半導体領域へ接続する電極の端部との間の距離が、前記半導体基板からなるP導電型の第8半導体領域における電子の拡散長以上であることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。 - 前記第6半導体領域が、前記第5半導体領域の直下に限定配置されてなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第6半導体領域が、前記第2半導体領域と前記第4半導体領域を除いた前記半導体基板の全面に配置されてなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記IGBTの形成領域が、前記ダイオードの形成領域を取り囲んで、前記半導体基板に配置され、
前記第5半導体領域が、前記IGBTの形成領域を取り囲んで、前記半導体基板に配置されてなることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の半導体装置。 - IGBTとダイオードが、同じN導電型の半導体基板に形成されてなる半導体装置であって、
前記IGBTの形成領域において、
前記半導体基板の主面側の表層部に、IGBTのチャネル形成領域となるP導電型の第1半導体領域が形成され、
前記第1半導体領域に対向して、前記半導体基板の裏面側の表層部に、IGBTのコレクタ領域となるP導電型の第2半導体領域が形成され、
前記ダイオードの形成領域において、
前記半導体基板の主面側の表層部に、ダイオードのアノード領域となるP導電型の第3半導体領域が形成され、
前記第3半導体領域に対向して、前記半導体基板の裏面側の表層部に、ダイオードのカソード領域となるN導電型の第4半導体領域が形成され、
前記IGBTの形成領域が、前記ダイオードの形成領域を取り囲んで、前記半導体基板に配置され、
前記半導体基板における前記IGBTの形成領域と前記ダイオードの形成領域以外の領域において、
主面側の表層部に、P導電型の第5半導体領域が形成され、
前記第5半導体領域が、前記IGBTの形成領域を取り囲んで、前記半導体基板に配置され、
前記第1半導体領域、前記第3半導体領域および前記第5半導体領域が、電気的に共通接続され、
前記第2半導体領域と前記第4半導体領域が、電気的に共通接続されてなることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体基板の主面側の表層部に、前記第1半導体領域、前記第3半導体領域および前記第5半導体領域を取り囲んで、P導電型の第7半導体領域が形成され、
前記第5半導体領域における前記第7半導体領域側の端部と、前記第5半導体領域へ接続する電極の端部との間の距離が、前記半導体基板からなるN導電型の第8半導体領域における正孔の拡散長以上であることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置。 - IGBTとダイオードが、同じP導電型の半導体基板に形成されてなる半導体装置であって、
前記IGBTの形成領域において、
前記半導体基板の主面側の表層部に、IGBTのチャネル形成領域となるN導電型の第1半導体領域が形成され、
前記第1半導体領域に対向して、前記半導体基板の裏面側の表層部に、IGBTのコレクタ領域となるN導電型の第2半導体領域が形成され、
前記ダイオードの形成領域において、
前記半導体基板の主面側の表層部に、ダイオードのカソード領域となるN導電型の第3半導体領域が形成され、
前記第3半導体領域に対向して、前記半導体基板の裏面側の表層部に、ダイオードのアノード領域となるP導電型の第4半導体領域が形成され、
前記IGBTの形成領域が、前記ダイオードの形成領域を取り囲んで、前記半導体基板に配置され、
前記半導体基板における前記IGBTの形成領域と前記ダイオードの形成領域以外の領域において、
主面側の表層部に、N導電型の第5半導体領域が形成され、
前記第5半導体領域が、前記IGBTの形成領域を取り囲んで、前記半導体基板に配置され、
前記第1半導体領域、前記第3半導体領域および前記第5半導体領域が、電気的に共通接続され、
前記第2半導体領域と前記第4半導体領域が、電気的に共通接続されてなることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体基板の主面側の表層部に、前記第1半導体領域、前記第3半導体領域および前記第5半導体領域を取り囲んで、N導電型の第7半導体領域が形成され、
前記第5半導体領域における前記第7半導体領域側の端部と、前記第5半導体領域へ接続する電極の端部との間の距離が、前記半導体基板からなるP導電型の第8半導体領域における電子の拡散長以上であることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。 - 前記第5半導体領域が、前記第3半導体領域より低不純物濃度に形成されてなることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第5半導体領域が、前記第3半導体領域より浅く形成されてなることを特徴とする請求項1乃至12のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第5半導体領域が、一部を重複して隣接する複数の拡散領域からなることを特徴とする請求項1乃至13のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第5半導体領域に、絶縁性を有するトレンチが形成されてなることを特徴とする請求項1乃至14のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第5半導体領域上に、絶縁膜を介して、前記IGBTのゲート配線が配置されてなることを特徴とする請求項1乃至15のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第5半導体領域上に、絶縁膜を介して、パッド電極が配置されてなることを特徴とする請求項1乃至16のいずれか一項に記載の半導体装置。
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