JP2009105265A - 制御回路を備える半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】IGBT部20と、IGBT部20の異常状態を検知する制御回路21を備え、前記IGBT部20のコレクタ領域5側の裏面には、IGBT部20直下に選択的にコレクタ領域5を形成する構成を備える半導体装置とする。
【選択図】 図1
Description
前記の内燃機関用点火装置に用いられるスイッチング手段43として採用されるIGBTに求められる電気特性としては低オン電圧特性と低スイッチング損失特性が重視される。従来、内燃機関用点火装置に用いられるIGBTは、図7の要部断面図に示すような、低オン電圧特性とするために薄いエピタキシャル層(n型ドリフト層)26を有するパンチスルー型IGBTが用いられてきたが、前記電気特性を考慮してFZ基板を用いたノンパンチスルー(以降、NPTと略記することもある)型IGBTや、さらに特性改善できるフィールドストップ(バッファ層)形IGBTが検討されている。ここでいうフィールドストップ(以降FSと略記することもある)型IGBTはパンチスルー型IGBTの一種である。通常のパンチスルー型IGBTは図7のように低抵抗半導体基板25の上に形成されるエピタキシャル層26にMOSゲート構造などの半導体機能層を作り込む構造のものを言い、エピタキシャル層26を必要とするため、高コストである。
この回路21を内蔵するIGBTでは、IGBTがオンして導通状態のとき、図10の矢印33で示したようにコレクタ1から正孔が表面のpウエル6へ向かって流れ込む。この正孔による電流はIGBTの主電流となるが、それだけではなく、上述の回路部分21を構成するp領域9へも流れ込む。この正孔による回路21へと流れ込む電流(矢印34)は、回路部21に存在する寄生トランジスタの動作を誘発することがあるため、その動作を抑制する目的で、前記IGBT部20と前記回路部21との間にp型領域(コンタクトp領域)8を設け、大きなコンタクト面積でエミッタ電極と短絡することにより、前記p型領域9へ流れ込む電流をエミッタ電極へ逃がして回路部21へ流れる電流を少なくする構成をとっている。
ところが、イグナイタ用の誘導負荷回路では、IGBTがオン状態からオフ状態に移る際に、電流が急激に減少する過程(di/dt)では、一次側コイルにはそのコイルインダクタンスLとそのコイルに流れる電流の減少とに対応してその減少を抑制する方向の電圧(=L×di/dt(IGBTのコレクタ側が正の方向))が急激に上昇し、オフ状態になると急激に前記電圧が下降する(サージ電圧)現象が生じる。この急激に発生するサージ電圧(数100V)がIGBTのコレクタ−ゲート間にゲート側をアノード側とするように配置されるツエナーダイオード16のツエナー電圧によってクランプされると、前記一次側コイル45の電圧が二次側コイル42に誘起され、二次側コイル42に逆方向の電圧が発生する。前述の過程で、前記一次側の正のサージ電圧は下降時に負電圧(数10〜100V)にいたることがある。一次側が逆方向の電圧になると、前記IGBTのコレクタ1に逆バイアスがかかることになるので、IGBTが破壊されることがあった。
一方、前述のように、パンチスルー型IGBTはエピタキシャル層を必要とするために高コストになるという問題がある。これに対して、前記NPT型およびFS型IGBTは安価なFZ−n基板を用いることができ、低コストで、オン電圧も小さくすることができるデバイスであるので、内燃機関用点火装置に用いられるIGBT用としての適用の検討が要請されている。
また、別の方法として、IGBTチップの表面側にコレクタと同電位のn型領域を設けて、これをワイヤボンディングでコレクタと接続する逆導通型のIGBTが考案されている(特許文献2)。同様に、IGBTにFWDを内蔵させる構造を有する逆導通型IGBTの特許文献は多数公開されている(特許文献3、4、5、6)。
また、前記特許文献2の記述は、本来、ここで説明している負コレクタ電圧への対策ではなく、インバータなどのL負荷駆動回路において、通常は別個に外付けされるフライホイーリングダイオード(FWD)をIGBTに内蔵させることに関するものである。
前述の特許文献2に記載の構造では、負コレクタバイアスが印加されても、コレクタと同電位の金属電極が、正電位側のエミッタ側表面の周端部に設けられている前記n型領域とオーミック接続となっているため、エミッタ電極と接触しているpウエルを通して大きな電流が流れることから、電圧降下がほとんどなく、熱の発生が少なく、また電流が集中することが無い。しかし、半導体チップ表面(エミッタ)側端部に大きな面積のn型領域を形成する必要があり、このためチップサイズが増大するという問題がある。
さらに、前述したように、回路部21を内蔵する図10のIGBTのオン時においては、異常なラッチアップ動作を防ぐために、IGBT活性領域部20と回路部分21の間には大きなコンタクト領域を設ける必要があると説明したが、その結果、IGBTのチップサイズが大きくなってしまうという問題がある。
本発明は、前述した問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、IGBT部がオンからオフに移る際にコレクタ側に負電圧が生じても破壊され難く、オン時にはコレクタ側から制御回路部への電流を少なくして制御回路部での寄生トランジスタ動作を抑制し、IGBT部のラッチアップ破壊を起こり難くした、制御回路を備える半導体装置を、チップサイズをそれほど大きくすることなく提供することである。
図1〜図5は、それぞれ、本発明にかかる実施例1〜5のIGBTの要部断面図である。図6は実施例1にかかるIGBTの製造工程を説明するための主要な製造ステップ毎の要部断面図である。図7は従来のイグナイタ用の制御回路を備えるIGBTの要部断面図である。図8はイグナイタ点火回路の基本回路図である。図9は従来のイグナイタ用IGBTで、負コレクタサージによるIGBTの破壊について説明するための要部断面図である。図10はオン時の正孔電流による制御回路部への影響を説明するための要部断面図である。図11は本発明にかかる実施例1とは異なるIGBTの要部断面図である。
前記pウエル6内でn+エミッタ領域7表面とpウエル6表面とに共通に接触するエミッタ電極3−1と、前記半導体基板(ドリフト層)4の他方の主面(裏面とする)に被覆されるコレクタ電極40とを備える。前述のIGBT活性領域部20の周囲にガードリング6−1を含む耐圧構造部39と、この耐圧構造部39の外側の半導体基板表面に高濃度n+領域15とが取り巻く。この高濃度n+領域15は切断されたIGBTチップの切断部となる。図1の右端はIGBTチップの切断端部ではなく、IGBTの活性領域内の任意の位置を端部として描かれている。これ以降説明する断面図についても同様である。
前記耐圧構造部39に囲まれる内側領域には前記IGBT活性領域部20の他に、回路部21とこの回路部21の周囲を取り巻き、且つ回路部21内のpウエル9に接するコンタクトp領域8を有する。このコンタクトp領域8の表面には前記エミッタ電極3−1が接触している。また、この回路部21は、pウエル9の表面に形成されるn+型ドレイン10−1とソース10−2に挟まれるpウエル9の表面上にゲート絶縁膜11を介して積層されるゲート電極12から構成されるnチャネルMOSFETを有し、前記n+型ドレイン10−1を前記エミッタ電極3−1に接続させることにより、前述のように、IGBTが過電流や過電圧、また発熱による破壊を防止するため、動作状況を監視して異常時にはゲート信号を制御する機能を奏するようにされている。
このような構成とすることで、コレクタ1とエミッタ3間に負コレクタサージが印加された場合に、このショットキー接合部分の低い耐圧によって逆方向の主電流を流すことができ、電流集中を抑え発熱を抑えることができる。また、IGBT導通時に、正孔電流はp領域5からのみ流れることから、回路部分21へ正孔電流の回り込みは極端に少なくなり、回路部分21とIGBT活性領域部20との間の距離を従来の数100μm程度から100μm以下にまで縮めることができ、チップサイズを縮小することができる。
以上の説明では、図1に示すIGBTのように、コレクタ領域5がIGBT活性領域部20に対応する領域の裏面側に形成される構成について説明したが、図11のように、コレクタ領域5をIGBT活性領域部20とその外周を取り巻く耐圧構造部39とに対応する領域に形成する構成としてもよい。
図6(b)では、回路部21と最周辺部の高濃度n+領域15のパターン形成以外は通常のIGBTの製造工程と同様の工程により、表面MOSデバイス構造を製造する。図6(c)では半導体基板の表側を保護フィルム35で保護したのち、裏面側を点線36で示す厚さを研削して基板を耐圧で決まる所定の厚さ(70μm〜120μm)にする。図6(d)では裏面側にフォト工程によって、レジストフィルムを開口し、ここにイオン注入38などの方法でp型不純物、たとえばボロン37を導入する。後述する構成のように、必要に応じて、高濃度n+型領域23(後述の図3、4、5)を形成する場合には同様にフォト工程で開口し、リンや砒素などの不純物を導入する。ウエハ全面に導入する場合にはフォト工程は不要である。
その後、400℃程度の熱処理を行って、導入した不純物を熱的に活性化してコレクタ領域5を形成する。このとき、この温度では導入した不純物は100%活性化できないことから、さらに濃度を高めるためには、たとえばレーザーアニール装置によれば、ほぼ100%の活性化を達成することができる。その後、図6(e)において裏面にTi/Ni/Auなどの積層金属膜からなるコレクタ電極40を形成して完成する。このとき、裏面側の半導体表面と接触する金属はn型領域と良好な接触を得やすいTiあるいはAlなどを用いることが好ましい。さらに、ゲート2と高濃度n+領域との間にはコレクタ1とゲート2間に加わる過電圧をクランプするためのツエナーダイオード16が接続される。このツエナーダイオード16は外付けでも、IGBTのチップに内蔵させる構成であってもよい。
以上説明したように、本発明にかかる実施例1〜5によれば、オン状態からオフ状態に移る過渡期に負コレクタバイアスが印加される場合には、大きな電流は広い面積領域に分散して流れ、電流集中を防止でき、IGBTの破壊を発生し難くすることができる。また、IGBTがオン状態においては流れる正孔電流がIGBT部に抑制されることから、寄生トランジスタの影響による制御回路部のラッチアップを抑えることができるので、制御回路部分とIGBT部分の距離を縮めてIGBTのサイズを小さくすることができる。
2 ゲート
3 エミッタ
4 半導体基板、ドリフト層
5 コレクタ領域、p領域
6 pウェル
7 n+エミッタ領域
8 p型領域、コンタクトp領域
9 pウェル
10−1 ドレイン
10−2 ソース
11 ゲート絶縁膜
12 ゲート電極
13 ゲート絶縁膜
14 ゲート電極
15 高濃度n+領域
16 ツエナーダイオード
17 pn接合
19 pn接合
20 IGBT活性領域部
21 回路部
22 nバッファ層
23 高濃度n+型領域
24 裏面全体に付加されたバッファ層
25 高濃度コレクタ層、低抵抗半導体基板
26 エピタキシャル層、n型ドリフト層
30 負コレクタサージ
32 切断終端部領域
33 矢印
34 矢印
35 表面保護フィルム
36 点線
37 ボロン
38 イオン注入
39 耐圧構造部
40 コレクタ電極、金属電極。
Claims (6)
- 一導電型半導体基板の一方の主面に、
他導電型ベース領域と、該ベース領域表面に形成される一導電型エミッタ領域と、該エミッタ領域表面と前記他導電型ベース領域表面とに共通に接触するエミッタ電極と、前記エミッタ領域表面と前記半導体基板の表面とに挟まれる前記他導電型ベース領域の表面にゲート絶縁膜を介して積層されるゲート電極とを含む活性領域と、
該活性領域をリング状に取り囲む耐圧構造部と、
少なくとも前記活性領域に対応する他方の主面側領域に選択的に形成される他導電型コレクタ領域と、
該他方の主面に接触するコレクタ電極とを有するIGBT部と、
前記一方の主面側の耐圧構造部の外側に設けられ、前記半導体基板の不純物濃度より高濃度の一導電型領域を有し、該一導電型領域の表面と前記ゲート電極との間に該ゲート電極側をアノード側とする方向に接続されるツエナーダイオードを有している半導体装置において、
前記耐圧構造部の内側に配置され、前記IGBT部内の前記エミッタ電極と表面で接触する他導電型ウエルによりリング状に取り囲まれ、前記エミッタ電極から前記IGBT部の異常状態を検知して、IGBT部のゲート電圧を制御することによってIGBT部の破壊を防止するように構成される制御回路部を備え、該制御回路部の前記コレクタ電極側が一導電型の領域のみであることを特徴とする制御回路を備える半導体装置。 - 前記他導電型コレクタ領域と前記一導電型半導体基板領域との間の接合面に一導電型半導体基板領域よりも高濃度の一導電型バッファ領域を介在させることを特徴とする請求項1記載の制御回路を備える半導体装置。
- 前記他導電型コレクタ領域の深さが1μm程度であることを特徴とする請求項1または2記載の制御回路を備える半導体装置。
- 前記他方の主面側の一導電型半導体基板領域表面の一部に該一導電型半導体基板領域の不純物濃度よりも高濃度の一導電型領域を備えていることを特徴とする請求項1または2記載の制御回路を備える半導体装置。
- 前記他方の主面側に、前記他導電型コレクタ領域と前記高濃度の一導電型領域のいずれよりも深く、不純物濃度が前記一導電型半導体基板領域と前記高濃度の一導電型領域の不純物濃度の中間の不純物濃度を有する一導電型層を備えることを特徴とする請求項4記載の制御回路を備える半導体装置。
- 前記他導電型コレクタ領域の深さが1μm程度であることを特徴とする請求項4記載の制御回路を備える半導体装置。
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