JP2000340806A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP2000340806A JP2000340806A JP11147426A JP14742699A JP2000340806A JP 2000340806 A JP2000340806 A JP 2000340806A JP 11147426 A JP11147426 A JP 11147426A JP 14742699 A JP14742699 A JP 14742699A JP 2000340806 A JP2000340806 A JP 2000340806A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】逆回復時のリカバリー電流による素子破壊を防
ぎ、順方向電圧を低減したＰＩＮダイオードを提供する
ことを目的とする。 【解決手段】コンタクトマージン９下部のアノード領域
３内部にトレンチ絶縁溝１１を形成しており、トレンチ
絶縁溝内部は絶縁体を有していることを特徴とする。
ぎ、順方向電圧を低減したＰＩＮダイオードを提供する
ことを目的とする。 【解決手段】コンタクトマージン９下部のアノード領域
３内部にトレンチ絶縁溝１１を形成しており、トレンチ
絶縁溝内部は絶縁体を有していることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＰＩＮダイオードに
関し、詳しくはアノード領域にトレンチを有する半導体
装置に関する。
関し、詳しくはアノード領域にトレンチを有する半導体
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５に従来のＰＩＮダイオードの構造の
断面図を示す。従来のＰＩＮダイオードはN+型半導体基
板３１上にN−層３２を有し、端部を除くN−層３２の表
面層にアノード領域３３を有している。N−層３２端部
の表面層にはチャネルストッパー領域３４を形成してい
る。そしてアノード領域３３上の一部とチャネルストッ
パー領域３４上の一部に接して、N−層３２上に絶縁層
３５を形成している。チャネルストッパー領域３４上及
び絶縁層３５上の一部にＥＱＰＲ電極（Ｅｑｕｉｖａｌ
ｅｎｔ Ｐｏｔｅｎｔｉａｌ Ｒｉｎｇ電極）３６を有
し、アノード領域３３上の一部及び絶縁層３５上の一部
にアノード電極３７を有している。アノード領域３３と
アノード電極３７との接続面をアノードコンタクト領域
３８、アノード電極３７下部の絶縁層３５とアノード領
域３３との接続部分をコンタクトマージン３９とする。
半導体基板３１のN−層３２形成面と反対の面上にはカ
ソード電極４０を有している。以上の構造より成るＰＩ
Ｎダイオードは、導通時にダイオード内部に蓄積される
キャリアによって逆回復時にＩｒｒを発生する。この際
アノード領域終端部外周Ｎ−領域４１に蓄積された正孔
電流成分は外周Ｎ−領域４１と、アノードコンタクト領
域３７の終端部分４２との最短距離ａを通りアノード領
域終端部４２へ達し、アノード領域終端部４２における
電流集中の原因となる。そこで、コンタクトマージンの
幅を大きくすることでアノード領域３７の横方向の抵抗
を大きくしてｐｎ接合の順バイアスを弱め、外周Ｎ−領
域４１へのキャリア蓄積を低減し、逆回復時にアノード
領域終端部４２への電流集中を緩和している。アノード
領域３３の層厚４３は４〜１５μｍであるため、コンタ
クトマージンの幅は少なくとも１５μｍ以上とし、好ま
しくは３０〜６０μｍに設定し、電流集中を緩和するた
めに十分な幅を確保している。
断面図を示す。従来のＰＩＮダイオードはN+型半導体基
板３１上にN−層３２を有し、端部を除くN−層３２の表
面層にアノード領域３３を有している。N−層３２端部
の表面層にはチャネルストッパー領域３４を形成してい
る。そしてアノード領域３３上の一部とチャネルストッ
パー領域３４上の一部に接して、N−層３２上に絶縁層
３５を形成している。チャネルストッパー領域３４上及
び絶縁層３５上の一部にＥＱＰＲ電極（Ｅｑｕｉｖａｌ
ｅｎｔ Ｐｏｔｅｎｔｉａｌ Ｒｉｎｇ電極）３６を有
し、アノード領域３３上の一部及び絶縁層３５上の一部
にアノード電極３７を有している。アノード領域３３と
アノード電極３７との接続面をアノードコンタクト領域
３８、アノード電極３７下部の絶縁層３５とアノード領
域３３との接続部分をコンタクトマージン３９とする。
半導体基板３１のN−層３２形成面と反対の面上にはカ
ソード電極４０を有している。以上の構造より成るＰＩ
Ｎダイオードは、導通時にダイオード内部に蓄積される
キャリアによって逆回復時にＩｒｒを発生する。この際
アノード領域終端部外周Ｎ−領域４１に蓄積された正孔
電流成分は外周Ｎ−領域４１と、アノードコンタクト領
域３７の終端部分４２との最短距離ａを通りアノード領
域終端部４２へ達し、アノード領域終端部４２における
電流集中の原因となる。そこで、コンタクトマージンの
幅を大きくすることでアノード領域３７の横方向の抵抗
を大きくしてｐｎ接合の順バイアスを弱め、外周Ｎ−領
域４１へのキャリア蓄積を低減し、逆回復時にアノード
領域終端部４２への電流集中を緩和している。アノード
領域３３の層厚４３は４〜１５μｍであるため、コンタ
クトマージンの幅は少なくとも１５μｍ以上とし、好ま
しくは３０〜６０μｍに設定し、電流集中を緩和するた
めに十分な幅を確保している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、コンタ
クトマージン３９の幅を大きくすることにより、アノー
ドコンタクト３８の面積は減少し、順方向電圧を増大さ
せる原因となっていた。そこで本発明は逆回復時のリカ
バリー電流による素子破壊を防ぎ、アノードコンタクト
３８の面積を拡大して順方向電圧を低減したＰＩＮダイ
オードを提供することを目的とする。
クトマージン３９の幅を大きくすることにより、アノー
ドコンタクト３８の面積は減少し、順方向電圧を増大さ
せる原因となっていた。そこで本発明は逆回復時のリカ
バリー電流による素子破壊を防ぎ、アノードコンタクト
３８の面積を拡大して順方向電圧を低減したＰＩＮダイ
オードを提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明における半導体装
置は、高濃度第一導電型の半導体基板と、前記半導体基
板上に形成された低濃度第一導電型の半導体層と、前記
低濃度第一導電型の半導体層上の一部に形成された第二
導電型半導体領域と、前記第二導電型半導体領域端部上
及び前記低濃度第一導電型の半導体層上に形成された絶
縁層と、前記第二導電型半導体領域端部上に形成された
前記絶縁層上の一部及び前記第二導電型半導体領域上に
形成された電極と、前記電極と前記絶縁層との接続部下
の前記第二導電型半導体領域に形成され、内部に絶縁体
を有するトレンチとを具備することを特徴とする。前記
トレンチは前記第二導電型半導体領域の層厚にほぼ等し
い長さか、あるいは前記第二導電型半導体領域を突き抜
けて前記低濃度第一導電型の半導体層に達する長さを有
することを特徴とする。あるいは前記トレンチは複数形
成されていることを特徴とする。
置は、高濃度第一導電型の半導体基板と、前記半導体基
板上に形成された低濃度第一導電型の半導体層と、前記
低濃度第一導電型の半導体層上の一部に形成された第二
導電型半導体領域と、前記第二導電型半導体領域端部上
及び前記低濃度第一導電型の半導体層上に形成された絶
縁層と、前記第二導電型半導体領域端部上に形成された
前記絶縁層上の一部及び前記第二導電型半導体領域上に
形成された電極と、前記電極と前記絶縁層との接続部下
の前記第二導電型半導体領域に形成され、内部に絶縁体
を有するトレンチとを具備することを特徴とする。前記
トレンチは前記第二導電型半導体領域の層厚にほぼ等し
い長さか、あるいは前記第二導電型半導体領域を突き抜
けて前記低濃度第一導電型の半導体層に達する長さを有
することを特徴とする。あるいは前記トレンチは複数形
成されていることを特徴とする。
【発明の実施の形態】本発明における半導体装置の実施
の形態を以下の実施例を用いて説明する。図１は本発明
における第一の実施例の半導体装置の断面を示す図であ
る。第一の実施例はコンタクトマージン下部のアノード
領域内にトレンチ絶縁溝を形成し、アノード領域終端か
らアノードコンタクト終端までの横方向の抵抗を増大し
てアノード外周におけるキャリアの蓄積を低減し、逆回
復時のリカバリー電流の集中を緩和するものである。こ
の半導体の構造について説明する。N+型半導体基板１上
にN−層２を有し、端部を除くN−層２の表面層にアノー
ド領域３を有している。N−層２端部の表面層にはチャ
ネルストッパー領域４を形成している。そしてアノード
領域３上の一部とチャネルストッパー領域４上の一部に
接して、N−層２上に絶縁層５を形成している。チャネ
ルストッパー領域４上及び絶縁層５上の一部にＥＱＰＲ
電極（Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ Ｐｏｔｅｎｔｉａｌ Ｒ
ｉｎｇ電極）６を有し、アノード領域３上の一部及び絶
縁層５上の一部にアノード電極７を有している。アノー
ド領域３とアノード電極７との接続面をアノードコンタ
クト領域８、アノード電極７下部の絶縁層５とアノード
領域３との接続部分をコンタクトマージン９とする。コ
ンタクトマージン９下部のアノード領域内部にアノード
領域の層厚１０にほぼ等しい深さのトレンチ絶縁溝１１
を形成している。トレンチ絶縁溝１１内部にはＳｉＮか
らなる絶縁体を形成している。半導体基板１のN−層２
形成面と反対の面上にはカソード電極１３を有してい
る。
の形態を以下の実施例を用いて説明する。図１は本発明
における第一の実施例の半導体装置の断面を示す図であ
る。第一の実施例はコンタクトマージン下部のアノード
領域内にトレンチ絶縁溝を形成し、アノード領域終端か
らアノードコンタクト終端までの横方向の抵抗を増大し
てアノード外周におけるキャリアの蓄積を低減し、逆回
復時のリカバリー電流の集中を緩和するものである。こ
の半導体の構造について説明する。N+型半導体基板１上
にN−層２を有し、端部を除くN−層２の表面層にアノー
ド領域３を有している。N−層２端部の表面層にはチャ
ネルストッパー領域４を形成している。そしてアノード
領域３上の一部とチャネルストッパー領域４上の一部に
接して、N−層２上に絶縁層５を形成している。チャネ
ルストッパー領域４上及び絶縁層５上の一部にＥＱＰＲ
電極（Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ Ｐｏｔｅｎｔｉａｌ Ｒ
ｉｎｇ電極）６を有し、アノード領域３上の一部及び絶
縁層５上の一部にアノード電極７を有している。アノー
ド領域３とアノード電極７との接続面をアノードコンタ
クト領域８、アノード電極７下部の絶縁層５とアノード
領域３との接続部分をコンタクトマージン９とする。コ
ンタクトマージン９下部のアノード領域内部にアノード
領域の層厚１０にほぼ等しい深さのトレンチ絶縁溝１１
を形成している。トレンチ絶縁溝１１内部にはＳｉＮか
らなる絶縁体を形成している。半導体基板１のN−層２
形成面と反対の面上にはカソード電極１３を有してい
る。
【０００５】第一の実施例において、トレンチ絶縁溝１
１の形成により、導通時にアノード領域終端部外周Ｎ−
領域１４におけるキャリアの蓄積を低減することができ
る。逆回復時に外周Ｎ−領域１４の正孔電流成分はトレ
ンチ絶縁溝１１下のアノード領域を通りアノードコンタ
クト終端部１５へ達する。この逆回復時の電流の流れを
図１のａに示している。トレンチ絶縁溝１１を形成する
ことにより、外周Ｎ−領域１４からアノードコンタクト
終端部１５への正孔電流成分の移動距離はアノード領域
の層厚１０より大きくなる。従ってアノードコンタクト
終端部１５への電流集中を防ぐことができる。更にトレ
ンチ絶縁溝１１を形成して正孔電流成分の移動距離を長
くすることにより、コンタクトマージン９の幅を従来よ
りも小さくすることが可能になる。この結果アノードコ
ンタクト領域８を大きくできるため、順方向電圧の低減
が可能になる。第一の実施例において一つのトレンチ絶
縁溝１１を形成したが、代わりに複数のトレンチ絶縁溝
を形成することも可能である。図２に３つのトレンチ絶
縁溝を有する半導体装置の断面を示す。トレンチ絶縁溝
１１内部はＳｉＮからなる絶縁体を形成したが代わりに
ＴｉＮ等の絶縁体を形成してもよい。
１の形成により、導通時にアノード領域終端部外周Ｎ−
領域１４におけるキャリアの蓄積を低減することができ
る。逆回復時に外周Ｎ−領域１４の正孔電流成分はトレ
ンチ絶縁溝１１下のアノード領域を通りアノードコンタ
クト終端部１５へ達する。この逆回復時の電流の流れを
図１のａに示している。トレンチ絶縁溝１１を形成する
ことにより、外周Ｎ−領域１４からアノードコンタクト
終端部１５への正孔電流成分の移動距離はアノード領域
の層厚１０より大きくなる。従ってアノードコンタクト
終端部１５への電流集中を防ぐことができる。更にトレ
ンチ絶縁溝１１を形成して正孔電流成分の移動距離を長
くすることにより、コンタクトマージン９の幅を従来よ
りも小さくすることが可能になる。この結果アノードコ
ンタクト領域８を大きくできるため、順方向電圧の低減
が可能になる。第一の実施例において一つのトレンチ絶
縁溝１１を形成したが、代わりに複数のトレンチ絶縁溝
を形成することも可能である。図２に３つのトレンチ絶
縁溝を有する半導体装置の断面を示す。トレンチ絶縁溝
１１内部はＳｉＮからなる絶縁体を形成したが代わりに
ＴｉＮ等の絶縁体を形成してもよい。
【０００６】次に第二の実施例における半導体装置につ
いて説明する。図３は第二の実施例における半導体装置
の断面を示す図である。第二の実施例はトレンチ絶縁溝
をアノード領域の層厚より大きく形成する点で第一の実
施例と異なる。第二の実施例における半導体装置の構造
は、トレンチ絶縁溝２１以外は第一の実施例と同様の構
造であるため、説明を省略する。第二の実施例において
トレンチ絶縁溝２１はアノード電極２３と絶縁層２４の
接続部分、すなわちコンタクトマージン２５下のアノー
ド領域２６に形成され、Ｎ―層２７に達する長さを有す
る。トレンチ絶縁溝２１内部にはＳｉＮからなる絶縁体
を形成している。トレンチ絶縁溝２１により逆回復時に
アノード領域終端部からアノードコンタクト領域２９へ
の正孔電流成分の移動経路ｂは遮断される。従ってアノ
ード領域終端部外周Ｎ−領域２８の正孔電流成分はアノ
ード領域終端部以外の領域を通ってアノードコンタクト
領域２９へ達する。アノード領域終端部外周Ｎ−領域２
８の正孔電流成分は図中ａに示す移動経路を通り、アノ
ードコンタクト領域２９へ移動する。第二の実施例にお
いてＮ―層２７に達するトレンチ絶縁溝２１を形成する
ことにより、導通時にアノード領域終端外周Ｎ−領域２
８におけるキャリアの蓄積を低減することができる。ま
た、逆回復時におけるリカバリー電流のアノードコンタ
クト終端部への集中を緩和することが可能となる。更
に、コンタクトマージン２５の幅を従来りも小さくする
ことが可能になる。この結果アノードコンタクト領域２
９を大きくできるため、順方向電圧の低減が可能にな
る。
いて説明する。図３は第二の実施例における半導体装置
の断面を示す図である。第二の実施例はトレンチ絶縁溝
をアノード領域の層厚より大きく形成する点で第一の実
施例と異なる。第二の実施例における半導体装置の構造
は、トレンチ絶縁溝２１以外は第一の実施例と同様の構
造であるため、説明を省略する。第二の実施例において
トレンチ絶縁溝２１はアノード電極２３と絶縁層２４の
接続部分、すなわちコンタクトマージン２５下のアノー
ド領域２６に形成され、Ｎ―層２７に達する長さを有す
る。トレンチ絶縁溝２１内部にはＳｉＮからなる絶縁体
を形成している。トレンチ絶縁溝２１により逆回復時に
アノード領域終端部からアノードコンタクト領域２９へ
の正孔電流成分の移動経路ｂは遮断される。従ってアノ
ード領域終端部外周Ｎ−領域２８の正孔電流成分はアノ
ード領域終端部以外の領域を通ってアノードコンタクト
領域２９へ達する。アノード領域終端部外周Ｎ−領域２
８の正孔電流成分は図中ａに示す移動経路を通り、アノ
ードコンタクト領域２９へ移動する。第二の実施例にお
いてＮ―層２７に達するトレンチ絶縁溝２１を形成する
ことにより、導通時にアノード領域終端外周Ｎ−領域２
８におけるキャリアの蓄積を低減することができる。ま
た、逆回復時におけるリカバリー電流のアノードコンタ
クト終端部への集中を緩和することが可能となる。更
に、コンタクトマージン２５の幅を従来りも小さくする
ことが可能になる。この結果アノードコンタクト領域２
９を大きくできるため、順方向電圧の低減が可能にな
る。
【０００７】第二の実施例において一つのトレンチ絶縁
溝２１を形成したが、代わりに複数のトレンチ絶縁溝を
形成することも可能である。図４に３つのトレンチ絶縁
溝を有する半導体装置の断面を示す。トレンチ絶縁溝２
１内部はＳｉＮからなる絶縁体を形成したが代わりにＴ
ｉＮ等の絶縁体を形成してもよい。
溝２１を形成したが、代わりに複数のトレンチ絶縁溝を
形成することも可能である。図４に３つのトレンチ絶縁
溝を有する半導体装置の断面を示す。トレンチ絶縁溝２
１内部はＳｉＮからなる絶縁体を形成したが代わりにＴ
ｉＮ等の絶縁体を形成してもよい。
【０００８】
【図１】第一の実施例における半導体装置の断面を示す
図、
図、
【図２】第一の実施例における３つのトレンチ絶縁溝を
有する半導体装置の断面を示す図、
有する半導体装置の断面を示す図、
【図３】第二の実施例における半導体装置の断面を示す
図、
図、
【図４】第二の実施例における３つのトレンチ絶縁溝を
有する半導体装置の断面を示す図、
有する半導体装置の断面を示す図、
【図５】従来の半導体装置の断面を示す図。
１… Ｎ+型半導体基板 ２… Ｎ−層 ３…アノード領域 ４…チャネルストッパー領域 ５…絶縁層 ６…ＥＱＰＲ電極 ７…アノード電極 ８…アノードコンタクト領域 ９…コンタクトマージン １０…アノード領域の層厚 １１…トレンチ絶縁溝 １３…カソード電極 １４…アノード領域終端部外周Ｎ−領域 １５…アノードコンタクト終端部
Claims (3)
- 【請求項１】高濃度第一導電型の半導体基板と、前記半
導体基板上に形成された低濃度第一導電型の半導体層
と、前記低濃度第一導電型の半導体層上の一部に形成さ
れた第二導電型半導体領域と、前記第二導電型半導体領
域端部上及び前記低濃度第一導電型の半導体層上に形成
された絶縁層と、前記第二導電型半導体領域端部上に形
成された前記絶縁層上の一部及び前記第二導電型半導体
領域上に形成された電極と、前記電極と前記絶縁層との
接続部下の前記第二導電型半導体領域に形成され、内部
に絶縁体を有するトレンチと、を具備することを特徴と
する半導体装置。 - 【請求項２】前記トレンチは前記第二導電型半導体領域
の層厚にほぼ等しい長さか、あるいは前記第二導電型半
導体領域を突き抜けて前記低濃度第一導電型の半導体層
に達する長さを有することを特徴とする請求項１に記載
の半導体装置。 - 【請求項３】前記トレンチは複数形成されていることを
特徴とする請求項１あるいは請求項２に記載の半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11147426A JP2000340806A (ja) | 1999-05-27 | 1999-05-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11147426A JP2000340806A (ja) | 1999-05-27 | 1999-05-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000340806A true JP2000340806A (ja) | 2000-12-08 |
Family
ID=15430057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11147426A Pending JP2000340806A (ja) | 1999-05-27 | 1999-05-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000340806A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7999347B2 (en) | 2008-05-27 | 2011-08-16 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| US8102025B2 (en) | 2006-02-24 | 2012-01-24 | Denso Corporation | Semiconductor device having IGBT and diode |
| JP2012204541A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Toshiba Corp | 電力用半導体装置 |
| JP2016015427A (ja) * | 2014-07-03 | 2016-01-28 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
-
1999
- 1999-05-27 JP JP11147426A patent/JP2000340806A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8102025B2 (en) | 2006-02-24 | 2012-01-24 | Denso Corporation | Semiconductor device having IGBT and diode |
| DE102007008568B4 (de) * | 2006-02-24 | 2012-11-08 | Denso Corporation | Halbleitervorrichtung mit IGBT und Diode |
| DE102007008568B8 (de) * | 2006-02-24 | 2013-01-17 | Denso Corporation | Halbleitervorrichtung mit IGBT und Diode |
| US7999347B2 (en) | 2008-05-27 | 2011-08-16 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| JP2012204541A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Toshiba Corp | 電力用半導体装置 |
| JP2016015427A (ja) * | 2014-07-03 | 2016-01-28 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050414 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050606 |