DE112019002822T5 - Wellenlängendispersives röntgenspektrometer - Google Patents

Wellenlängendispersives röntgenspektrometer Download PDF

Info

Publication number
DE112019002822T5
DE112019002822T5 DE112019002822.7T DE112019002822T DE112019002822T5 DE 112019002822 T5 DE112019002822 T5 DE 112019002822T5 DE 112019002822 T DE112019002822 T DE 112019002822T DE 112019002822 T5 DE112019002822 T5 DE 112019002822T5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
ray
rays
layers
longitudinal axis
spectrometer according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE112019002822.7T
Other languages
English (en)
Inventor
Wenbing Yun
Janos Kirz
Benjamin Donald Stripe
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sigray Inc
Original Assignee
Sigray Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sigray Inc filed Critical Sigray Inc
Publication of DE112019002822T5 publication Critical patent/DE112019002822T5/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/36Measuring spectral distribution of X-rays or of nuclear radiation spectrometry

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

Ein Röntgenspektrometer umfasst mindestens eine Röntgenoptik, die derart konfiguriert ist, dass sie Röntgenstrahlen mit einer einfallenden Intensitätsverteilung als Funktion der Röntgenstrahlenergie empfängt, und mindestens einen Röntgendetektor, der so konfiguriert ist, dass er Röntgenstrahlen von der mindestens einen Röntgenoptik empfängt und eine räumliche Verteilung der Röntgenstrahlen von der mindestens einen Röntgenoptik aufzeichnet. Die mindestens eine Röntgenoptik umfasst mindestens ein Substrat mit mindestens einer Oberfläche, die sich mindestens teilweise um und entlang einer Längsachse erstreckt. Ein Abstand zwischen der mindestens einen Oberfläche und der Längsachse in mindestens einer Querschnittsebene parallel zur Längsachse variiert als Funktion der Position entlang der Längsachse. Die mindestens eine Röntgenoptik umfasst ferner mindestens eine Mosaikkristallstruktur und/oder eine Vielzahl von Schichten auf oder über mindestens einem Teil der mindestens einen Oberfläche. Die Vielzahl von Schichten hat eine erste Vielzahl von ersten Schichten, die ein erstes Material umfassen, und eine zweite Vielzahl von zweiten Schichten, die ein zweites Material umfassen. Die ersten Schichten und die zweiten Schichten wechseln einander in einer Richtung ab, welche senkrecht zu der mindestens einen Oberfläche verläuft.

Description

  • INANSPRUCHNAHME DER PRIORITÄT
  • Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der am 4. Juni 2018 eingereichten U.S. provisional application Nr. 62/680,451 und der am 5. Juni 2018 eingereichten U.S. provisional application Nr. 62/680,795 , die beide in ihrer Gesamtheit durch Verweis hierin aufgenommen werden.
  • HINTERGRUND
  • Technisches Gebiet
  • Der vorliegende Anmeldung betrifft Röntgenspektrometer im Allgemeinen.
  • Beschreibung des Standes der Technik
  • Röntgenfluoreszenz (engl. X-rayfluorescence, XRF) kann das Ergebnis von elastischer oder unelastischer Streuung sein, oder eines Übergangs zwischen Energieniveaus in einem Target, das mit Röntgenstrahlen, Elektronen oder anderen Teilchen beschossen wird. Eigenschaften des Röntgenfluoreszenzspektrums können Informationen über die chemische Zusammensetzung und Einblicke in die elektronische Struktur und/oder den chemischen Zustand des Targetmaterials liefern. Röntgenfluoreszenzspektren werden oft durch Vergleich mit theoretischen Berechnungen oder durch Vergleich mit bekannten Röntgenemissionsspektren von Modellmaterialien analysiert. Röntgenfluoreszenzspektren werden typischerweise über einen großen Winkelbereich emittiert, sodass das Röntgenspektrometer eine große Winkelakzeptanz haben kann, um einen größeren Anteil der Emissionsröntgenstrahlen zu empfangen und die Datenerfassung zu beschleunigen.
  • -Röntgenspektrometer wurden bereits für verschiedene miteinander verwandte Techniken entwickelt. Die Röntgenspektroskopie umfasst Techniken der energiedispersiven Spektroskopie (engl. energy dispersive spectrocopy, EDS), bei der die Energien der emittierten Röntgenstrahlen mit einem energiedispersiven Festkörperdetektor analysiert werden, und der wellenlängendispersiven Spektroskopie (engl. wavelength dispersive spectroscopy, WDS), bei der die emittierten Röntgenstrahlen entweder mit Kristallen oder Beugungsgittern analysiert werden, um die emittierten Röntgenstrahlen zu dispergieren, und wobei mindestens ein Röntgendetektor (z.B. Linear- oder Flächendetektoren) zur Aufnahme des Röntgenemissionsspektrums verwendet wird. WDS bietet im Allgemeinen eine höhere Energieauflösung als EDS. Zudem wird das Spektrum in WDS oft nacheinander aufgezeichnet, zu einem Zeitpunkt jeweils eine Wellenlänge (oder Energie), wodurch diese Technik zeitaufwendiger ist.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • In einem Aspekt der Erfindung wird ein Röntgenspektrometer bereitgestellt, wobei das Röntgenspektrometer mindestens eine Röntgenoptik, welche dafür konfiguriert ist Röntgenstrahlen mit einer einfallenden Intensitätsverteilung als Funktion der Röntgenstrahlenergie zu empfangen, und mindestens einen Röntgendetektor umfasst, welcher dafür konfiguriert ist, Röntgenstrahlen von der mindestens einen Röntgenoptik zu empfangen und eine räumliche Verteilung der Röntgenstrahlen von der mindestens einen Röntgenoptik aufzuzeichnen. Die mindestens eine Röntgenoptik umfasst mindestens ein Substrat, das mindestens eine Oberfläche umfasst, die sich mindestens teilweise um und entlang einer Längsachse erstreckt. Der Abstand zwischen der mindestens einen Oberfläche und der Längsachse in mindestens einer zur Längsachse parallelen Querschnittsebene in Abhängigkeit von der Position entlang der Längsachse variiert. Die mindestens eine Röntgenoptik umfasst ferner mindestens eine Mosaikkristallstruktur und/oder eine Vielzahl von Schichten auf oder über mindestens einem Teil der mindestens einen Oberfläche. Die Vielzahl von Schichten umfasst eine erste Vielzahl von ersten Schichten, die ein erstes Material umfassen, und eine zweite Vielzahl von zweiten Schichten, die ein zweites Material umfassen. Die ersten Schichten und die zweiten Schichten wechseln einander in einer Richtung senkrecht zu der mindestens einen Oberfläche.
  • In einem weiteren Aspekt wird ein Röntgenspektrometer bereitgestellt, wobei das Röntgenspektrometer einen Mehrschichtstapel umfasst, welche dafür konfiguriert ist, Röntgenstrahlen mit einer einfallenden Intensitätsverteilung als Funktion der Röntgenenergie zu empfangen. Der Mehrschichtstapel umfasst eine erste Vielzahl von ersten Schichten, die ein erstes Material umfassen, und eine zweite Vielzahl von zweiten Schichten, die ein zweites Material umfassen. Die ersten Schichten und die zweiten Schichten wechseln einander ab. Ein erster Teil des Mehrschichtstapels ist dafür konfiguriert einen ersten Teil der empfangenen Röntgenstrahlen zu richten, und ein zweiter Teil des Mehrschichtstapels ist dafür konfiguriert einen zweiten Teil der empfangenen Röntgenstrahlen zu richten, wobei der zweite Teil des Mehrschichtstapels seitlich vom ersten Teil des Mehrschichtstapels versetzt vorliegt. Der gerichtete erste Teil der empfangenen Röntgenstrahlen weist eine erste Intensitätsverteilung als Funktion der Röntgenstrahlenergie auf und der gerichtete zweite Teil der empfangenen Röntgenstrahlen weist eine zweite Intensitätsverteilung als Funktion der Röntgenstrahlenergie auf, wobei sich die zweite Intensitätsverteilung von der ersten Intensitätsverteilung unterscheidet. Das Röntgenspektrometer umfasst ferner mindestens einen Röntgendetektor, der dafür konfiguriert den gerichteten ersten Teil und den gerichteten zweiten Teil der empfangenen Röntgenstrahlen von der mindestens einen Röntgenoptik zu empfangen und eine räumliche Verteilung des gerichteten ersten Teils und des gerichteten zweiten Teils der empfangenen Röntgenstrahlen von dem Mehrschichtstapel aufzuzeichnen.
  • Ein weiterer Aspekt der Erfindung wird ein Röntgenspektrometer bereitgestellt, wobei das Röntgenspektrometer mindestens eine Röntgenoptik umfasst, welche dafür konfiguriert ist, Röntgenstrahlen mit einer spektralen Bandbreite von mehr als 100 eV zu empfangen. Die mindestens eine Röntgenoptik umfasst mindestens eine Oberfläche, die sich mindestens teilweise um und entlang einer Längsachse erstreckt, und eine Vielzahl von Schichten auf oder über mindestens einem Teil der mindestens einen Oberfläche. Die mindestens eine Röntgenoptik ist dafür konfiguriert, die empfangenen Röntgenstrahlen zu beugen und eine räumliche Trennung der empfangenen Röntgenstrahlen als Funktion der Röntgenstrahlenergie für mindestens einen Teil der spektralen Bandbreite der empfangenen Röntgenstrahlen gemäß der Bragg-Beziehung zu bewirken. Das Röntgenspektrometer umfasst ferner mindestens einen Röntgendetektor, der dafür konfiguriert ist, eine räumliche Verteilung von mindestens einem Teil der von der mindestens einen -Röntgenoptik gebeugten Röntgenstrahlen aufzuzeichnen.
  • Figurenliste
    • 1A-1C zeigen schematisch Querschnittsansichten verschiedener Konfigurationen eines beispielhaften Röntgenspektrometers in Übereinstimmung mit bestimmten hier beschriebenen Ausführungsformen.
    • 1D zeigt schematisch ein beispielhaftes Röntgenspektrum der empfangenen Röntgenstrahlen und zwei beispielhafte Röntgenspektren für Röntgenstrahlen von einer Röntgenoptik gemäß bestimmter hier beschriebenen Ausführungsformen.
    • 2A-2B, 3A-3C, 4A-4D und 5A-5B zeigen beispielhaft berechnete Röntgenspektren, welche durch ausgewählte Mehrschichtparameter in Übereinstimmung mit bestimmten hier beschriebenen Ausführungsformen erhalten wurden.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Bestimmte hier beschriebene Ausführungsformen stellen ein wellenlängendispersives Röntgenspektrometer mit paralleler Erfassung von Röntgenstrahlen unterschiedlicher Wellenlängen bereit. In bestimmten dieser Ausführungsformen ist das Röntgenspektrometer derart konfiguriert, dass es gleichzeitig ein ganzes Röntgenspektrum oder ein Spektralsegment umfassend einen Bereich von Röntgenenergien, von den vom Röntgenspektrometer empfangenen Röntgenstrahlen aufzeichnet.
  • 1A-1C zeigen schematisch Querschnittsansichten verschiedener Konfigurationen eines beispielhaften Röntgenspektrometers 100 in Übereinstimmung mit bestimmten hier beschriebenen Ausführungsformen. Wie in 1A schematisch dargestellt, umfasst das Röntgenspektrometer 100 mindestens eine Röntgenoptik 110, die derart konfiguriert ist, dass sie Röntgenstrahlen 10 mit einer einfallenden Intensitätsverteilung als Funktion der Röntgenenergie (z.B. ein einfallendes Röntgenenergiespektrum) empfängt. Die mindestens eine Röntgenoptik 110 umfasst mindestens ein Substrat 112 mit mindestens einer Oberfläche 114, die sich mindestens teilweise um und entlang einer Längsachse 120 erstreckt. Der Abstand zwischen der mindestens einen Oberfläche 114 und der Längsachse 120 in mindestens einer zur Längsachse 120 parallelen Querschnittsebene variiert in Abhängigkeit von der Position entlang der Längsachse 120. Die mindestens eine Röntgenoptik 110 umfasst ferner mindestens eine Mosaikkristallstruktur und/oder eine Vielzahl von Schichten 116 auf oder über mindestens einem Teil der mindestens einen Oberfläche 114. Die Vielzahl von Schichten 116 umfasst eine erste Vielzahl von ersten Schichten 116a, die ein erstes Material umfassen, und eine zweite Vielzahl von zweiten Schichten 116b, die ein zweites Material umfassen, wobei die ersten Schichten 116a und die zweiten Schichten 116b in einer Richtung senkrecht zu der mindestens einen Oberfläche 114 einander abwechseln. Das Röntgenspektrometer 100 umfasst ferner mindestens einen Röntgendetektor 130, der derart konfiguriert ist, dass er Röntgenstrahlen 20 von (z.B. reflektiert von; gebeugt von) der mindestens einen Röntgenoptik 110 empfängt und eine räumliche Verteilung der Röntgenstrahlen 20 von der mindestens einen Röntgenoptik 110 aufzeichnet. Die Querschnittsansichten der 1A-1C liegen in einer Querschnittsebene, die parallel zur Längsachse 120 verläuft (z.B. die Querschnittsebene schließt die Längsachse 120 ein).
  • In bestimmten Ausführungsformen umfasst das mindestens eine Substrat 112 (z.B. aus Glas oder Siliziumoxid) ein einziges, einheitlichen Element. Beispielsweise kann das Substrat 112 eine hohle axialsymmetrische Struktur (z.B. ein axialsymmetrisches Rohr) umfassen, die sich entlang der Längsachse 120 erstreckt, und die mindestens eine Oberfläche 114 umfasst eine Innenfläche der Struktur, welche sich vollständig um die Längsachse 120 erstreckt (z.B. die Längsachse 120 umgibt; sich 360 Grad um die Längsachse 120 erstreckt). In bestimmten anderen Ausführungsformen umfasst das mindestens eine Substrat 112 mindestens einen Teil einer hohlen axialsymmetrischen Struktur (z.B. einen Teil eines axialsymmetrischen Rohrs), welche sich entlang der Längsachse 120 erstreckt, mit einer Innenfläche, die sich nur teilweise um die Längsachse 120 erstreckt (z.B. weniger als 360 Grad; in einem Bereich von 45 Grad bis 360 Grad; in einem Bereich von 45 Grad bis 315 Grad; in einem Bereich von 180 Grad bis 360 Grad; in einem Bereich von 90 Grad bis 270 Grad). In bestimmten Ausführungsformen besteht das mindestens eine Substrat 112 aus mehreren Substratabschnitten (z.B. 2, 3, 4, 5, 6 oder mehr), die voneinander getrennt sind (z.B. mit Zwischenräumen zwischen den Substratabschnitten) und um die Längsachse 120 verteilt sind, wobei sich die Oberfläche 114 jedes Substratabschnitts zumindest teilweise um und entlang der Längsachse 120 erstreckt. Zum Beispiel können sich die Oberflächen 114 der mehreren Substratabschnitte jeweils um die Längsachse 120 um einen Winkel in einem Bereich von 15 Grad bis 175 Grad, in einem Bereich von 30 Grad bis 115 Grad und/oder in einem Bereich von 45 Grad bis 85 Grad um die Längsachse 120 erstrecken.
  • In bestimmten Ausführungsformen variiert der Abstand zwischen der mindestens einen Oberfläche 114 und der Längsachse 120 (z.B. in einer Querschnittsebene parallel zur und einschließlich der Längsachse 120) in Abhängigkeit von der Position entlang der Längsachse 120. Die Oberfläche 114 kann z.B. eine Innenfläche einer hohlen axialsymmetrischen Struktur (z.B. einem Rohr) mit einem Innendurchmesser umfassen, der in Abhängigkeit von der Position entlang der Längsachse 120 variiert.
  • Zum Beispiel kann, wie schematisch in 1A dargestellt, mindestens ein Teil der mindestens einen Oberfläche 114 ein im Wesentlichen gerades Querschnittsprofil in einer Ebene aufweisen, welche die Längsachse 120 umfasst, wobei der Teil der mindestens einen Oberfläche 114 einen ersten Innendurchmesser an einer ersten Position entlang der Längsachse 120 und einen zweiten Innendurchmesser an einer zweiten Position entlang der Längsachse 120 aufweist, wobei der zweite Innendurchmesser kleiner als der erste Innendurchmesser ist (z.B. kann die mindestens eine Röntgenoptik 110 konisch oder kegelförmig ausgestaltet sein).
  • Für ein anderes Beispiel kann die mindestens eine Oberfläche 114 in mindestens einer Querschnittsebene parallel zur Längsachse 120 gekrümmt sein (z.B. in einer Querschnittsebene, welche die Längsachse 120 einschließt). In bestimmten solchen Ausführungsformen ist die mindestens eine Oberfläche 114 konkav und eine Flächennormale 118 der mindestens einen Oberfläche 114 (z.B. in einer Richtung senkrecht zu der mindestens einen Oberfläche 114) ist an verschiedenen Orten entlang der mindestens einen Oberfläche 114 unterschiedlich orientiert (z.B. an verschiedene Orten, die in einer Richtung entlang der Längsachse 120 in der Querschnittsebene parallel zur Längsachse 120 voneinander beabstandet sind). Wie zum Beispiel schematisch durch die 1B und 1C dargestellt, weist ein erster Teil der mindestens einen Oberfläche 114 eine erste Flächennormale 118a auf und ein zweiter Teil der mindestens einen Oberfläche 114 eine zweite Flächennormale 118b. Wie hier beschrieben, haben die Röntgenstrahlen 20 aus der mindestens einen Mosaikkristallstruktur und/oder die Vielzahl der Schichten 116 auf dem ersten, zweiten und dritten Teil der mindestens einen Oberfläche 114 (z.B. Röntgenstrahlen 20a, 20b, 20c) unterschiedliche spektrale Eigenschaften und breiten sich in verschiedene Richtungen aus, wie schematisch durch 1A dargestellt.
  • In bestimmten Ausführungsformen hat die mindestens eine Oberfläche 14 eine erste lineare Abmessung (z.B. Länge) parallel zur Längsachse 120 in einem Bereich von 3 mm bis 150 mm, eine zweite lineare Abmessung (z.B. Breite) senkrecht zur ersten linearen Abmessung in einem Bereich von 1 mm bis 50 mm und eine maximale lineare Abmessung (z.B. einen Innendurchmesser; eine maximale Länge eines geraden Liniensegments, welches zwei Punkte auf der Oberfläche 114 verbindet) in einem Bereich von 1 mm bis 50 mm in einer Ebene senkrecht zur Längsachse 120, eine Oberflächenrauhigkeit in einem Bereich von 0,1 nm bis 1 nm und/oder eine Vielzahl von Oberflächentangentialebenen mit einem Bereich von Winkeln relativ zur Längsachse 120 in einem Bereich von 0,01 rad bis 0,5 rad (z.B. in einem Bereich von 0,01 rad bis 0,4 rad; in einem Bereich von 0,01 rad bis 0,3 rad).
  • In bestimmten Ausführungsformen ist die mindestens eine Oberfläche 114 konkav und mindestens ein Teil der Oberfläche 114 weist einen Teil eines quadratischen Profils in einer Querschnittsebene auf, welche die Längsachse 120 umfasst. In bestimmten Ausführungsformen umfasst die mindestens eine Oberfläche 114 mehrere Abschnitte mit Querschnittsprofilen (z.B. in einer Querschnittsebene, welche die Längsachse 120 umfasst), die entsprechende quadratische Profile aufweisen. Beispiele für quadratische Profile, die mit bestimmten hier beschriebenen Ausführungsformen kompatibel sind, umfassen ohne Beschränkung: mindestens ein Ellipsoid; mindestens ein Paraboloid; mindestens ein Hyperboloid; oder eine Kombination zweier oder mehrere dieser.
  • Zum Beispiel zeigt in Übereinstimmung mit bestimmten hier beschriebenen Ausführungsformen 1B schematisch eine Querschnittsansicht eines beispielhaften Röntgenspektrometers 100, bei dem die Oberfläche 114 einen Teil eines ellipsoidischen Profils in einer Querschnittsebene aufweist, welche die Längsachse 120 umfasst. Wie schematisch in 1B dargestellt, ist die Röntgenquelle 150 (z.B. eine Probe, welche Röntgenfluoreszenzstrahlen aussendet) in einem ersten Fokus 160 des Ellipsoidprofils positioniert, und die Röntgenstrahlen 20 von der Oberfläche 114 umfassen ein konvergentes Röntgenstrahlenbündel, welches auf einen zweiten Fokus 162 des Ellipsoidprofils gerichtet ist und von dem mindestens einen Röntgendetektor 130 empfangen wird, der vom zweiten Fokus 162 entfernt positioniert vorliegt. In bestimmten solchen Ausführungsformen kann das Röntgenspektrometer 100 ferner eine Apertur (nicht gezeigt) aufweisen, die zwischen der mindestens einen Oberfläche 114 und dem mindestens einen Röntgendetektor 130 (z.B. am oder nahe dem zweiten Fokus 162) angeordnet ist. Die Apertur kann eine Dimension haben, die zwischen 20% und 300% der Strahlgröße des Röntgenstrahls an der Position der Apertur beträgt. Als weiteres Beispiel zeigt in Übereinstimmung mit bestimmten hier beschriebenen Ausführungsformen 1C schematisch eine Querschnittsansicht eines beispielhaften Röntgenspektrometers 100, bei dem die Oberfläche 114 einen Teil eines parabolischen Profils in einer Querschnittsebene aufweist, welche die Längsachse 120 umfasst. Wie schematisch in 1C dargestellt, wird die Röntgenquelle 150 (z.B. eine Probe, die Röntgenfluoreszenzstrahlung aussendet) im Fokus 170 des parabolischen Profils positioniert und die Röntgenstrahlen 20 werden kollimiert und von dem mindestens einen Röntgendetektor 130 empfangen.
  • In bestimmten Ausführungsformen besteht die Vielzahl der Schichten 116 auf oder über mindestens einem Teil der mindestens einen Oberfläche 114 aus einer Vielzahl von synthetischen Mehrfachschichten (z.B. ein Mehrschichtstapel; ein Stapel von Schichten 116a, 116b, die nacheinander auf die Oberfläche 114 und übereinander aufgebracht wurden, wobei die Schichten 116a, 116b ausgewählte Materialien und ausgewählte Dicken aufweisen). In bestimmten Ausführungsformen werden die ersten Schichten 116a und/oder die zweiten Schichten 116b durch mindestens eines der folgenden Verfahren gebildet: Atomlagenabscheidung (engl. atomic layer deposition, ALD), chemische Dampfabscheidung (engl. chemical-vapor deposition, CVD), Kathodenzerstäubung oder eine Kombination zweier oder mehrerer dieser.
  • Jede der Vielzahl von Schichten 116 bestimmter Ausführungsformen weist eine Dicke in einem Bereich von 0,3 nm bis 9 nm auf (z. B. in einem Bereich von 0,3 nm bis 6 nm), und die Gesamtdicke der Vielzahl von Schichten 116 bestimmter Ausführungsformen beträgt weniger als 1000 nm (z. B. weniger als 400 nm). Beispielsweise kann die Vielzahl der Schichten 116 eine Anzahl von Schichten umfassen, die größer als 10 und kleiner als 100.000, größer als 10 und kleiner als 10.000 und/oder größer als 10 und kleiner als 500 ist (z.B. die Anzahl der ersten Schichten 116a ist größer als 5 und kleiner als 50.000, größer als 5 und kleiner als 5.000 und/oder größer als 5 und kleiner als 250; die Anzahl der zweiten Schichten 116b ist größer als 5 und kleiner als 50.000, größer als 5 und kleiner als 5.000 und/oder größer als 5 und kleiner als 250).
  • In bestimmten Ausführungsformen sind die Vielzahl von Schichten 116 in mehreren Gruppen (z.B. Paaren) von Schichten nebeneinander und übereinander angeordnet, wobei die Periode des Mehrschichtstapels (z.B. Abstand zwischen äquivalenten Positionen zweier benachbarter Gruppen) in einem Bereich von 1 nm bis 20 nm (z.B. in einem Bereich von 1 nm bis 9 nm) liegt. In bestimmten Ausführungsformen sind die Schichtdicken innerhalb einer Schichtgruppe untereinander gleich, während sich in anderen Ausführungsformen die Schichtdicken innerhalb einer Schichtgruppe sich von voneinander unterscheiden.
  • Zum Beispiel kann für eine periodische Vielzahl von Schichten 116 umfassend Paare von Schichten 116a, 116b, welche einander überlagern (z.B. ein Mehrschichtstapel), jede der ersten Schichten 116a eine erste Dicke (d1) aufweisen, jede der zweiten Schichten 116b eine zweite Dicke (d2) aufweisen, und die ersten Schichten 116a und die zweiten Schichten 116b können einander mit einer Periodizität abwechseln (z.B. in einer Richtung entlang der Flächennormalen 118 der mindestens einen Oberfläche 114). Die Periodizität des Mehrschichtstapels kann gleich der Summe der Schichtdicke 116a (d1) und der Schichtdicke 116b (d2) sein. Die Dicken der Schichten 116a, 116b können untereinander gleich sein (z.B. d1 = d2) oder die Dicken der Schichten 116a können sich voneinander unterscheiden (z.B. d1 / d2 in einem Bereich von 0,1 bis 3, in einem Bereich von 0,1 bis 0,9 oder in einem Bereich von 0,2 bis 0,9).
  • In bestimmten Ausführungsformen ändert sich die Periodizität in der Vielzahl der Schichten 116 nicht, während sich die Periodizität in bestimmten anderen Ausführungsformen in mindestens einer Richtung ändert. Beispielsweise ist die Vielzahl der Schichten 116 bestimmter Ausführungsformen mit unterschiedlichen d-Abständen (z.B. Mehrschichtstapelperioden) in einer Richtung senkrecht zur mindestens einen Oberfläche 114 abgestuft (z.B. eine Richtung entlang der Flächennormalen 118 der mindestens einen Oberfläche 114) (z.B. ist die Vielzahl der Schichten 116 tiefenabgestuft). Die Vielzahl der Schichten 116 bestimmter anderer Ausführungsformen ist mit unterschiedlichen d-Abständen (z.B. Mehrschichtstapelperioden) entlang einer Richtung parallel zur Oberfläche 114 abgestuft (z.B. eine Richtung allgemein entlang der Längsachse; eine Richtung senkrecht zur Flächennormalen 118 der Oberfläche 114) (z.B. die Vielzahl der Schichten 116 ist seitlich abgestuft).
  • In bestimmten Ausführungsformen umfasst das erste Material der ersten Schichten 116a ein erstes Element mit einer ersten Ordnungszahl (z.B. ein Element mit niedriger Z-Zahl mit einer Ordnungszahl kleiner oder gleich 15) und einer ersten Elektronendichte und das zweite Material der zweiten Schichten 116b ein zweites Element mit einer zweiten Ordnungszahl (z.B. ein Element mit hoher Z-Zahl mit einer Ordnungszahl größer oder gleich 14) und einer zweiten Elektronendichte, wobei die zweite Ordnungszahl größer als die erste Ordnungszahl und/oder die zweite Elektronendichte größer als die erste Elektronendichte ist. Beispiele für das erste Element sind unter anderem: Silizium, Bor und Kohlenstoff. Beispiele für das zweite Element sind unter anderem: Chrom, Molybdän und Platin. In bestimmten Ausführungsformen ist der Massendichteunterschied zwischen dem ersten und dem zweiten Material größer oder gleich 1 g/cm3.
  • In bestimmten Ausführungsformen umfasst die mindestens eine Mosaikkristallstruktur eine oder mehrere Mosaikgraphitkristallstrukturen, einschließlich, aber nicht beschränkt auf, hochorientierten pyrolytischen Graphit (engl. highly ordered pyrolytic graphite, HOPG), hochgeglühten pyrolytischen Graphit (engl. highly annealed pyrolytic graphite, HAPG) oder eine Kombination dieser. In bestimmten Ausführungsformen hat die mindestens eine Mosaikkristallstruktur eine Dicke in einem Bereich von 5 Mikrometer bis 100 Mikrometer (z.B. 10 Mikrometer bis 100 Mikrometer) und weist eine Mosaizität (z.B. Mosaikausbreitung) in einem Bereich von 0,05 Grad bis 1 Grad auf (z.B. 0,1 Grad bis 1 Grad).
  • In bestimmten Ausführungsformen ist mindestens eine Mosaikkristallstruktur und/oder die Vielzahl der Schichten 116 dafür konfiguriert Röntgenspektren mit einer vorbestimmten Intensitätsverteilung als Funktion der Röntgenenergie zu liefern, indem sie eine spektrale Modifikation der empfangenen Röntgenstrahlen 10 bewirken, welche auf die mindestens eine Röntgenoptik 110 einfallen und von dieser gerichtet bzw. gelenkt werden, und die spektrale Modifikation ist abhängig von der Position entlang der mindestens einen Röntgenoptik 110, an der die empfangenen Röntgenstrahlen 10 auf die mindestens eine Röntgenoptik 110 einfallen. Wie zum Beispiel schematisch in 1A dargestellt, trifft mindestens ein erster Teil 10a der empfangenen Röntgenstrahlen 10 auf einen ersten Teil der Röntgenoptik 110 an einem ersten Satz von Orten auf, und die Röntgenstrahlen 20a breiten sich in einer oder mehreren entsprechenden Richtungen aus und treffen auf den mindestens einen Röntgendetektor 130 an entsprechenden einer oder mehreren Positionen 132a auf. Zusätzlich trifft mindestens ein zweiter Teil 10b der empfangenen Röntgenstrahlen 10 auf einen zweiten Teil der Röntgenoptik 110 an einem zweiten Satz von Orten und die Röntgenstrahlen 20b breiten sich in einer oder mehreren entsprechenden Richtungen aus und treffen auf den mindestens einen Röntgendetektor 130 an einer oder mehreren entsprechenden Positionen 132b.
  • In Übereinstimmung mit bestimmten hier beschriebenen Ausführungsformen zeigt 1D schematisch ein beispielhaftes Röntgenspektrum 200 (durchgezogene Linie) der empfangenen Röntgenstrahlen 10, die auf die mindestens eine Röntgenoptik 110 des beispielhaften Röntgenspektrometers 100 der 1A-1C einfallen. 1D zeigt auch schematisch ein Beispiel für ein erstes Röntgenspektrum 210a (gestrichelte Linie) für die Röntgenstrahlen 20 von einem ersten Ort entlang der mindestens einen Röntgenoptik 110 und ein Beispiel für ein zweites Röntgenspektrum 210b (gepunktete Linie) für die Röntgenstrahlen 20 von einem zweiten Ort entlang der mindestens einen Röntgenoptik 110. Der erste und der zweite Ort sind in einer Richtung entlang der Längsachse 120 gegeneinander verschoben. Die beiden Röntgenspektren 210a, 210b sind in in der 1D weder zum Röntgenspektrum 200 noch zueinander maßstabsgerecht dargestellt. In bestimmten Ausführungsformen liegen die beiden Peaks der beiden Röntgenspektren 210a, 210b innerhalb von 1 keV voneinander entfernt. Während 1D zwei beispielhafte Röntgenspektren 210a, 210b für Röntgenstrahlen 20 von zwei verschiedenen Orten entlang der mindestens einen Röntgenoptik 110 schematisch darstellt, ergibt sich eine kontinuierliche Verschiebung der Energie des Röntgenspektrums 210 während der Ort, von dem aus die Röntgenstrahlen 20 gerichtet werden, sich entlang der mindestens einen Röntgenoptik 110 verschiebt.
  • Das einfallende Röntgenspektrum 200 weist eine einfallende Intensitätsverteilung als Funktion der Röntgenstrahlenergie auf, und jedes der ersten und zweiten Röntgenspektren 210a, 210b weist eine entsprechende erste bzw. zweite Intensitätsverteilung als Funktion der Röntgenstrahlenergie auf, wobei jede der ersten und zweiten Intensitätsverteilungen von der einfallenden Intensitätsverteilung und voneinander verschieden sind. Wie schematisch zum Beispiel in 1D dargestellt, hat das beispielhafte einfallende Röntgenspektrums 200 der einfallenden empfangenen Röntgenstrahlung 10 (z.B. entsprechend der emittierten Röntgenstrahlung von einem elektronenbeschossenen Röntgentarget) wesentliche Intensitätswerte über einen breiten Bereich von Röntgenenergien (z.B. in einem Bereich von 0,5 keV bis 25 keV), sowie charakteristische Kα und Kβ Emissionslinien, während jedes der beispielhaften ersten und zweiten Röntgenspektren 210a, 210b der Röntgenstrahlen 20 einen Peak mit einem substantiellen Intensitätswert bei einer bestimmten entsprechenden Röntgenstrahlenergie und viel niedrigere Intensitätswerte bei anderen Röntgenenergien aufweist. In bestimmten Ausführungsformen liegt die Energiebandbreite der Röntgenstrahlen 20 in einem Bereich von 100 eV bis 5 keV.
  • Zum Beispiel weist die mindestens eine Röntgenoptik 110, welche in 1B schematisch dargestellt ist, einen Teil der mindestens einen Oberfläche 114 auf, welche ein Querschnittsprofil besitzt, welches einem Teil eines Ellipsoids entspricht. In bestimmten Ausführungsformen trifft zumindest ein Teil der von der Röntgenquelle 150 emittierten Röntgenstrahlen (z.B. Punktquelle; Emitter von Röntgenfluoreszenzstrahlung; eine divergierende Röntgenquelle) auf die mindestens eine Röntgenoptik 110 (z.B. die empfangenen Röntgenstrahlen 10) und weist dabei einen Bereich von Röntgenenergien und eine isotrope räumliche Verteilung auf. Wie in 1B gezeigt, treffen die empfangenen Röntgenstrahlen 10a, 10b auf entsprechende Teile der mindestens einen Röntgenoptik 110 unter den Winkeln θα bzw. θb ein, relativ zu einer Ebene senkrecht zur Flächennormalen 118a, 118b der Teile der Oberfläche 114, die unter den entsprechenden Teilen der Vielzahl von Schichten 116 liegen. Die mindestens eine Mosaikkristallstruktur und/oder die Vielzahl der Schichten 116 ist derart konfiguriert, dass ein hohes Reflexionsvermögen erhalten wird (z.B. sind Beugungsbedingungen erfüllt), wenn die Bragg-Beziehung (2d sin θ = n λ) erfüllt ist, wobei d die Periode der mindestens einen Mosaikkristallstruktur oder der Vielzahl der Schichten 116, θ der Winkel, λ die Röntgenwellenlänge und n eine ganze Zahl (z.B. 1, 2, ...) ist. In der Beispielausführung von 1B ist die Wellenlänge der Röntgenstrahlen 20a kürzer als die Wellenlänge der Röntgenstrahlen 20b (z.B. welche von einer Position stammen, welche hinter (stromabwärts) der Position liegt, von der aus die Röntgenstrahlen 20a gerichtet sind), und dementsprechend ist die Energie der Röntgenstrahlen 20a höher als die Energie der Röntgenstrahlen 20b. Hinter dem zweiten Fokus 162 des Ellipsoidprofils sind die Röntgenstrahlen 20a und 20b räumlich voneinander getrennt. Die Platzierung mindestens eines Röntgendetektors 130 mit ausreichender räumlicher Auflösung an einer Position stromabwärts des Fokus 162 ermöglicht eine Spektroskopie der Röntgenstrahlen 20, welche von der mindestens einen Röntgenoptik 110 empfangen werden.
  • Als ein weiteres Beispiel, weist die mindestens eine Röntgenoptik 110, welche in 1C schematisch dargestellt ist, mindestens eine Mosaikkristallstruktur und/oder die Vielzahl der Schichten 116 auf einem Teil der mindestens einen Oberfläche 114 auf, welche ein Querschnittsprofil aufweist, das einem Teil eines Paraboloids entspricht. In dieser Ausführungsform werden die empfangenen Röntgenstrahlen 10 (z.B. von einer Punktquelle oder einem Röntgenfluoreszenzstrahler emittiert; eine divergierende Röntgenquelle) von der mindestens einen Röntgenoptik 110 gerichtet bzw. gelenkt und die Röntgenstrahlen 20 parallel zur Längsachse 120 kollimiert. Gerichtete Röntgenstrahlen 20a mit höheren Energien und kleineren Ablenkwinkeln sind weiter von der Längsachse 120 entfernt, während gerichtete Röntgenstrahlen 20b (z.B. von einer Position, die stromaufwärts von der Position liegt, von der aus die Röntgenstrahlen 20a gerichtet werden) mit niedrigeren Energien und größeren Ablenkwinkeln näher an der Längsachse 120 liegen. Die Röntgenstrahlen 20a und 20b sind räumlich voneinander getrennt, und die Anordnung eines Röntgendetektors 130 mit ausreichender räumlicher Auflösung an einer Position stromabwärts von der mindestens einen Röntgenoptik 110 ermöglicht die Spektroskopie der Röntgenstrahlen von der mindestens einen Röntgenoptik 110. Als ein weiteres Beispiel, weist die in 1A schematisch dargestellte mindestens eine Röntgenoptik 110 mindestens eine Mosaikkristallstruktur und/oder die Vielzahl der Schichten 116 auf einem Teil der mindestens einen Oberfläche 114 auf, die ein im wesentlichen gerades Querschnittsprofil in einer Ebene besitzt, welche die Längsachse 120 umfasst. In dieser Ausführungsform ist die Energie der Röntgenstrahlen 20a höher als die Energie der Röntgenstrahlen 20b, und die Röntgenstrahlen 20a treffen auf den mindestens einen Röntgendetektor 130 an Positionen 132a auf, welche weiter von der Längsachse 120 entfernt sind, als die Positionen 132b, an denen die Röntgenstrahlen 20b auf den mindestens einen Röntgendetektor 130 auftreffen-.
  • In bestimmten Ausführungsformen umfasst der mindestens eine Röntgendetektor 130 einen Pixel-Array-Röntgendetektor, der dafür konfiguriert ist eine räumliche Verteilung von mindestens einem Teil der Röntgenstrahlen 20 aufzuzeichnen, welche von der mindestens einen Röntgenoptik 110 empfangen werden. Zum Beispiel kann der Pixel-Array-Röntgendetektor eindimensional sein (z.B. sich entlang einer Dimension erstrecken; sich entlang einer Richtung senkrecht zur Längsachse 120 erstrecken) oder zweidimensional (z.B. sich entlang zweier orthogonaler Dimensionen erstrecken; sich entlang zweier Richtungen erstrecken, die zueinander und zur Längsachse 120 senkrecht sind), mit Pixelgrößen in einem Bereich von 1 Mikrometer bis 200 Mikrometer (z.B. in einem Bereich von 2 Mikrometer bis 200 Mikrometer; in einem Bereich von 3 Mikrometer bis 200 Mikrometer). Beispielhafte Röntgendetektoren 130, die mit bestimmten hier beschriebenen Ausführungsformen kompatibel sind, umfassen unter anderem: CCD-Detektor bzw. Direktdetektion ladungsgekoppeltes Bauelement (engl. direct-detection charge coupled device, CCD) Detektor, CMOS-Detektor bzw. komplementären Metalloxid-Halbleiter (engl. complementary metal-oxide-semiconductor, CMOS) Detektor, einen energieauflösender Röntgendetektor, einen indirekter Umwandlungsdetektor umfassend einen Röntgenszintillator, Photonenzählungsdetektor.
  • In bestimmten Ausführungsformen ist eine Energieauflösung des Röntgenspektrometers 100 zumindest teilweise von den räumlichen Verschiebungen der Positionen 132, an denen die Röntgenstrahlen 20 auf den mindestens einen Röntgendetektor 130 auftreffen, und von den Größen der Pixel des Pixel-Array-Röntgendetektors 130 abhängig. Diese räumlichen Verschiebungen der Positionen 132 werden mit den Energien der Röntgenstrahlen 10 durch die Bragg-Beziehung (2d sin θ = nλ = nhc/E) in Beziehung gesetzt, welche die verschiedenen Winkel θ der einfallenden Röntgenstrahlen 10 (z.B. aufgrund der Krümmung der mindestens einen Oberfläche 114) und die d-Abstände der mindestens einen Mosaikkristallstruktur (z.B. Abstand zwischen benachbarten Atomschichten innerhalb der Mosaikgraphitkristallstrukturen) und/oder der Vielzahl der Schichten 116 (z.B. der Periode des Mehrschichtstapels) zur Röntgenwellenlänge λ und der Röntgenenergie E. Wie zum Beispiel in 1A-1C dargestellt, resultiert der Bereich der Streifwinkel für die einfallenden Röntgenstrahlen 10, die über die mindestens eine Röntgenoptik 110 einfallen, in einen Bereich von Trajektorien der Röntgenstrahlen 20, die auf den mindestens einen Röntgendetektor 130 über einen Bereich von Positionen 132 auftreffen. Somit entspricht die räumliche Auflösung des mindestens einen Röntgendetektors 130 (z.B. die Größe der Pixel) einer Energieauflösung des Röntgenspektrometers 100 (z.B. werden kleinere Pixel jeweils von Röntgenstrahlen 20 in einem kleineren Energiebereich getroffen, während größere Pixel jeweils von Röntgenstrahlen 20 in einem größeren Energiebereich getroffen werden). In bestimmten Ausführungsformen werden die Abstände zwischen den Vielzahl von Schichten (z.B. d-Abstände), die Krümmung der mindestens einen Oberfläche 114, der Abstand zwischen der mindestens einen Röntgenoptik 110 und dem mindestens einen Röntgendetektor 130 und/oder die räumliche Auflösung des Röntgendetektors 130 (z.B. die Pixelgrößen) so gewählt, dass eine vorgegebene Energieauflösung (z.B. weniger als 50 eV) erreicht wird. In bestimmten Ausführungsformen ist die mindestens eine Röntgenoptik 110 derart konfiguriert, dass verschiedene Röntgenenergiebereiche der Röntgenstrahlen 20 auf entsprechend verschiedene Bereiche 132 des mindestens einen Röntgendetektors 130 gerichtet sind, so dass die räumlichen Positionen der verschiedenen Bereiche 132 den Röntgenstrahlen innerhalb der verschiedenen Röntgenenergiebereiche entsprechen (z.B. und zur Unterscheidung zwischen ihnen verwendet werden können). Zum Beispiel werden die Pixelgrößen des Pixel-Array-Röntgendetektors 130 und der Abstand zwischen der Röntgenoptik 110 und dem Pixel-Array-Röntgendetektor 130 derart gewählt, dass das von der Röntgenoptik 110 gestreute Röntgenspektrum mit ausreichender Energieauflösung gemäß der Bragg-Beziehung aufgezeichnet wird.
  • In bestimmten Ausführungsformen umfasst der mindestens eine Röntgendetektor 130 einen energieauflösenden Röntgendetektor, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus: einem Silizium-Drift-Detektor, einem Kolorimeter auf Supraleiter-Basis, einem Lithium-Drift-Silizium-Detektor, einem Lithium-Drift-Germanium-Detektor und einer pin-Diode. Zusätzlich zu den oben beschriebenen Abhängigkeiten der Energieauflösung des Röntgenspektrometers 100 kann die Energieauflösung bestimmter solcher Ausführungsformen auch zumindest teilweise von der Energieauflösung jedes der Detektorelemente (z.B. Pixel) des energieauflösenden Röntgendetektors abhängig sein.
  • In bestimmten Ausführungsformen umfasst das Röntgenspektrometer 100 ferner mindestens eine Strahlblende 140, die derart konfiguriert ist, dass sie im Röntgenstrahlengang angeordnet werden kann, um Röntgenstrahlen, die sich entlang der Längsachse 120 ausbreiten, aber die Vielzahl von Schichten 116 der mindestens einen Röntgenoptik 110 nicht bestrahlen, daran zu hindern, den mindestens einen Röntgendetektor 130 zu erreichen (z.B. zu unterbrechen; zu stoppen). Die mindestens eine Strahlblende 140 bestimmter Ausführungsformen definiert einen Kegelwinkel (z.B. weniger als 3 Grad; weniger als 50 mrad), der um die Längsachse 120 zentriert ist. Die mindestens eine Strahlenblende 140 kann an der Austrittsseite der mindestens einen Röntgenoptik 110 (siehe z.B. 1A) und/oder an der Eintrittsseite der mindestens einen Röntgenoptik 110 positioniert werden. Zum Beispiel kann die mindestens eine Strahlenblende 140 durch dünne strahlförmige Drähte, die mechanisch an eine Stützstruktur gekoppelt sind, oder durch eine dünne Membran in Position gehalten werden.
  • In bestimmten Ausführungsformen wird die Vielzahl der Schichten 116 auf einem Substrat 112 (z.B. aus Glas oder Siliziumoxid) gebildet (z.B. abgeschieden) umfassend mindestens eine Oberfläche 114. In bestimmten anderen Ausführungsformen besteht die mindestens eine Röntgenoptik 110 aus einem Mehrschichtstapel (z.B. aus einer Vielzahl von Schichten 116 mit abwechselnd ersten Schichten 116a und zweiten Schichten 116b) auf einem Substrat 112, das ein metallisches Material (z.B. Nickel) umfasst. Zum Beispiel können eine oder mehrere der Schichten aus der Vielzahl von Schichten 116 auf (z.B. über) einer konvexen Außenfläche eines Metalldorns abgeschieden werden, dessen Außenfläche derart geformt ist, dass diese als Dorn für die Abscheidung einer Beschichtung dient, die den Mehrschichtstapel umfasst (z.B. unter Verwendung von Techniken wie Atomlagenabscheidung (engl. atomic layer deposition, ALD), chemische Dampfabscheidung (engl. chemical vapour deposition, CVD), Sputtern usw.). Zum Beispiel kann die Außenseite des Dorns das gewünschte Profil eines Teils eines vorbestimmten quadratischen Profils haben (z.B. Paraboloid; Ellipsoid; Hyperboloid) und der abgeschiedene Mehrschichtstapel wird das gleiche quadratische Profil haben. Nach Zugabe von ausreichend Material (z.B. Ni) auf dem abgeschiedenen Mehrschichtstapel, um eine ausreichende Steifigkeit zu erreichen, kann der Dorn dann entfernt werden (z.B. weggeätzt; mit flüssigem Stickstoff gekühlt, um die Trennung des Dorns vom Mehrschichtstapel zu erleichtern), um die axialsymmetrischen Mehrschichten als Innenfläche der Röntgenoptik 110 freizulegen. In bestimmten solchen Ausführungsformen kann die Röntgenoptik 110 vollständig aus den Mehrschichtmaterialien bestehen.
  • 2A-2B, 3A-3C, 4A-4D und 5A-5B zeigen berechnete beispielhafte-Röntgenspektren, die durch ausgewählte Mehrschicht-Stapelparameter in Übereinstimmung mit bestimmten hier beschriebenen Ausführungsformen erhalten wurden. 2A-2B entsprechen einer Vielzahl (N=40) von Silizium/Molybdän-Mehrschichten, wobei der Mehrschichtstapel eine Periode von 3 nm aufweist. 3A-3C entsprechen einer Vielzahl (N=40) von Silizium/Molybdän-Mehrschichten, wobei der Mehrschichtenstapel eine Periode von 4,5 nm aufweist. 4A-4B entsprechen einer Vielzahl (N=40) von Borcarbid (B4C)/Platin-Mehrschichten, wobei der Mehrschichtenstapel eine Periode von 4,5 nm aufweist, und 4C-4D entsprechen einer Vielzahl (N=40) von Borcarbid (B4C)/Platin-Mehrschichten, wobei der Mehrschichtenstapel eine Periode von 6 nm aufweist und 5A-5B entsprechen einer Vielzahl (N=40) von Borcarbid (B4C)/Molybdän-Mehrschichten, wobei der Mehrschichtstapel eine Periode von 6 nm aufweist.
  • Die folgenden Tabellen zeigen berechnete Werte der spektralen Abdeckung verschiedener beispielhafter Röntgenspektrometer 100 in Übereinstimmung mit bestimmten hier beschriebenen Ausführungsformen. Die Oberfläche 114 (z.B. Spiegel) dieser beispielhaften Röntgenspektrometer 100 ist ellipsoid, was für einen großen Quelle-zu-Optik-Abstand (z.B. Probenabstand) eine gute Annäherung an ein Paraboloid-Profil darstellt, und die Berechnungen wurden für verschiedene Eintrittsaperturen und periodische Mehrschicht-d-Abstände (z.B. Perioden der Mehrschichtstapel) durchgeführt. Für jede dieser Berechnungen ist die Ellipsoid-Halbhauptachse gleich der Hälfte des Abstands zwischen Quelle und Probe. Tabelle 1: Beispielkonfigurationen
    Beispiel 1 Beispiel 2 Beispiel 3 Beispiel 4 Beispiel 5 Beispiel 6
    Quellen-Demagnifikationsfaktor 13000 20000 13000 20000 13000 20000
    Abstand zwischen Quelle und Probe (Meter) 500 500 500 500 500 500
    Ellipsoid-Halbkugelachse (mm) 40 50 120 150 80 100
    Länge des Spiegels (mm) 40 30 40 30 40 30
    Arbeitsabstand (mm) 25.1 15.0 25.1 15.0 25.1 15.0
    Innendurchmesser der Eintrittsöffnung (mm) 1.83 1.90 5.48 5.69 3.65 3.79
    Innendurchmesser der Austrittsöffnung (mm) 1.13 1.10 3.40 3.29 2.27 2.19
    Bruchteil des Verlustes durch Austrittsöffnung 0.39 0.33 0.39 0.33 0.39 0.33
    Strahlquerschnitt, welcher von der Linse unterbrochen wird (mm2) 1.61 1.88 14.47 16.95 6.43 7.54
    Streifwinkel am vorderen Ende des Spiegels (mrad) 7.01 10.54 21.03 31.62 14.02 21.08
    Streifwinkel bei 2/3 Spiegellänge vom stromaufwärtigen Ende (mrad) 9.12 14.14 27.37 42.43 18.24 28.29
    Streifwinkel am spiegelabwärtigen Ende (mrad) 11.29 18.26 33.86 54.78 22.57 36.52
    Tabelle 2: Vergleich der Beispiele 1 und 2 für verschiedene Mehrschichtstapel-Perioden an drei Positionen: (i) am spiegelnden stromaufwärtigen Ende, (ii) an 2/3 der Spiegellänge vom stromaufwärtigen Ende und (iii) am spiegelnden stromabwärtigen Ende.
    Beispiel 1 Beispiel 2 Beispiel 1 Beispiel 2 Beispiel 1 Beispiel 2
    Minimale Energie aus 3 nm Mehrschich tperiode Minimale Energie aus 3 nm Mehrschicht periode Minimale Energie aus 4 nm Mehrschicht periode Minimale Energie aus 4 nm Mehrschicht periode Minimale Energie aus 6 nm Mehrschicht periode Minimale Energie aus 6 nm Mehrschicht periode
    29.48354 19.60614 22.11265 14.70461 14.74177 9.803072
    22.65559 14.61281 16.99169 10.95961 11.32779 7.306405
    18.31217 11.31896 13.73412 8.489219 9.156083 5.659479
    Tabelle 3: Vergleich der Beispiele 3 und 4 für verschiedene mehrschichtige Stapelperioden an drei Positionen: (i) am stromaufwärtigen Ende des Spiegels, (ii) an 2/3 der Spiegellänge vom stromaufwärtigen Ende und (iii) am stromabwärtigen Ende des Spiegels.
    Beispiel 3 Beispiel 4 Beispiel 3 Beispiel 4 Beispiel 3 Beispiel 4
    Minimale Energie aus 3 nm Mehrschich tperiode Minimale Energie aus 3 nm Mehrschicht periode Minimale Energie aus 4 nm Mehrschicht periode Minimale Energie aus 4 nm Mehrschicht periode Minimale Energie aus 6 nm Mehrschicht periode Minimale Energie aus 6 nm Mehrs chi cht periode
    9.827845 6.535381 7.370884 4.901536 4.913923 32.67691
    7.551863 4.870937 5.663897 3.653202 3.775932 24.35468
    6.104055 3.772986 4.578041 2.82974 3.052028 18.86493
    Tabelle 4: Vergleich der Beispiele 5 und 6 für verschiedene mehrschichtige Stapelperioden an drei Positionen: (i) am stromaufwärtigen Ende des Spiegels, (ii) an 2/3 der Spiegellänge vom stromaufwärtigen Ende und (iii) am stromabwärtigen Ende des Spiegels.
    Beispiel 5 Beispiel 6 Beispiel 5 Beispiel 6 Beispiel 5 Beispiel 6
    Minimale Energie aus 3 nm Mehrschich tperiode Minimale Energie aus 3 nm Mehrschicht periode Minimale Energie aus 4 nm Mehrschicht periode Minimale Energie aus 4 nm Mehrschicht periode Minimale Energie aus 6 nm Mehrschicht periode Minimale Energie aus 6 nm Mehrschicht periode
    14.74177 9.803072 11.05633 7.352304 7.370884 4.901536
    11.32779 7.306405 8.495846 5.479804 5.663897 3.653202
    9.156083 5.659479 6.867062 4.244609 4.578041 2.82974
  • In bestimmten Ausführungsformen ist das Röntgenspektrometer 100 für einen Arbeitsbereich von 0,5 keV bis 4 keV konfiguriert, während in bestimmten anderen Ausführungsformen der Arbeitsbereich nach unten bis zu 0,2 keV und/oder nach oben bis zu 14 keV reicht. Solche Röntgenenergiebereiche können unter Verwendung von Mehrschichtbeschichtungen mit hohem Wirkungsgrad und hoher Energieauflösung erreicht werden, wobei geeignete Materialien, Dicken und anderen Parameter der Mehrschichtbeschichtungen in Übereinstimmung mit bestimmten hier beschriebenen Ausführungsformen anhand der offenbarten Informationen eindeutig bestimmt werden können.
  • In bestimmten Ausführungsformen ist das Röntgenspektrometer 100 eine Komponente eines Röntgenanalysesystems, das eine Anregungsquelle für Strahlung und/oder Partikel umfasst (z. B. eine Röntgenquelle, die derart konfiguriert ist, dass sie Röntgenstrahlen emittiert; eine Elektronenquelle, die derart konfiguriert ist, dass sie Elektronen emittiert; eine Laboranregungsquelle), die eine Probe (z. B. ein zu analysierendes Objekt) beleuchtet. In bestimmten Ausführungsformen umfasst die Anregungsquelle ein optisches System (z.B. zusätzliche Röntgenoptik; Elektronenoptik), das zwischen der Anregungsquelle und der Probe angeordnet ist, um die Strahlung und/oder Partikel auf die Probe zu lenken und/oder zu fokussieren. Die Probe ist derart konfiguriert, dass sie als Reaktion auf die Anregung Röntgenstrahlen (z.B. Röntgenfluoreszenzstrahlen) aussendet, und die emittierten Röntgenstrahlen werden vom Röntgenspektrometer 100 empfangen, detektiert und analysiert. In bestimmten Ausführungsformen steht das Röntgenspektrometer 100 in operativeer Kommunikation mit einem Rasterelektronenmikroskop (engl. scanning electron microsope, SEM) (z.B. als Zubehör zum SEM) und ist derart konfiguriert, dass es Röntgenstrahlen empfängt, die von einer Probe im SEM emittiert werden (z.B. Röntgenstrahlen, die durch den Elektronenbeschuss der Probe im SEM erzeugt werden). In bestimmten derartigen Ausführungsformen ist das Röntgenspektrometer 100 derart konfiguriert, dass es eine Energieauflösung (z.B. durch Auflösen oder Trennen) der charakteristischen Linien weicher Röntgenfluoreszenzstrahlen verschiedener Elemente ermöglicht, die nahe beieinander liegen oder einander überlappen können.
  • In bestimmten Ausführungsformen ist das Röntgenanalysesystem ferner derart konfiguriert, dass es die Röntgenenergie für jedes Pixel des Pixelarrays kalibriert (z.B. durch Empfang der von einer Röntgenquelle mit bekanntem Röntgenspektrum emittierten Röntgenstrahlen). Beispielsweise kann das Röntgenspektrometer 100 derart konfiguriert werden, dass es die von der Röntgenquelle emittierten Röntgenstrahlen 10 empfängt und mindestens einen Teil der empfangenen Röntgenstrahlen auf den mindestens einen Röntgendetektor 130 richtet.
  • Es sei angemerkt, dass die hier offengelegten Ausführungsformen sich nicht gegenseitig ausschließen und in verschiedenen Formen miteinander kombiniert werden können.
  • Die hier beschriebene und beanspruchte Erfindung soll in ihrem Umfang nicht durch die hier offengelegten konkreten beispielhaften Ausführungsführen beschränkt werden, da diese Ausführungsformen zur Illustrationen mehrerer Aspekte der Erfindung gedacht sind, und nicht zu deren Einschränkung. Alle gleichwirkenden und gleichwertigen Ausführungsbeispiele sollen in den Anwendungsbereich dieser Erfindung fallen. In der Tat werden für den Fachmann, zusätzlich zu den hier gezeigten und beschriebenen Ausführungsformen, werden aus der vorstehenden Beschreibung verschiedene Abwandlungen der Erfindung in Form und Detail ersichtlich. Der Umfang und die Schutzbreite der Erfindung sollte durch keine der hier offengelegten beispielhaften Ausführungsformen eingeschränkt werden.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • US 62/680451 [0001]
    • US 62/680795 [0001]

Claims (29)

  1. Ein Röntgenspektrometer umfassend: mindestens eine Röntgenoptik, welche zum Empfangen von Röntgenstrahlen mit einer einfallenden Intensitätsverteilung als Funktion der Röntgenstrahlenergie konfiguriert ist, wobei die mindestens eine Röntgenoptik umfasst: mindestens ein Substrat umfassend mindestens eine Oberfläche, welche sich mindestens teilweise um und entlang einer Längsachse erstreckt, wobei ein Abstand zwischen der mindestens einen Oberfläche und der Längsachse in mindestens einer zur Längsachse parallelen Querschnittsebene in Abhängigkeit von der Position entlang der Längsachse variiert; und mindestens eine Mosaikkristallstruktur und/oder eine Vielzahl von Schichten auf oder über mindestens einem Teil der mindestens einen Oberfläche, wobei die Vielzahl von Schichten eine erste Vielzahl von ersten Schichten umfassend ein erstes Material und eine zweite Vielzahl von zweiten Schichten umfassend ein zweites Material umfasst, wobei die ersten Schichten und die zweiten Schichten sich einander in einer Richtung senkrecht zu der mindestens einen Oberfläche abwechseln; und mindestens einen Röntgendetektor, welcher zum Empfang von Röntgenstrahlen von der mindestens einen Röntgenoptik konfiguriert ist und eine räumliche Verteilung der Röntgenstrahlen von der mindestens einen Röntgenoptik aufzeichnet.
  2. Röntgenspektrometer nach Anspruch 1, wobei ein erster Teil der mindestens einen Röntgenoptik dafür konfiguriert ist, einen ersten Teil der empfangenen Röntgenstrahlen auf den mindestens einen Röntgendetektor zu richten, ein zweiter Teil der mindestens einen Röntgenoptik dafür eingerichtet ist, einen zweiten Teil der empfangenen Röntgenstrahlen auf den mindestens einen Röntgendetektor zu richten, der zweite Teil der mindestens einen Röntgenoptik, gegenüber dem ersten Teil der mindestens einen Röntgenoptik entlang einer Richtung parallel zur Längsachse versetzt ist, wobei der gerichtete erste Teil der empfangenen Röntgenstrahlen eine erste Intensitätsverteilung als Funktion der Röntgenstrahlenenergie aufweist, der gerichtete zweite Teil der empfangenen Röntgenstrahlen eine zweite Intensitätsverteilung als Funktion der Röntgenstrahlenenergie aufweist und wobei die zweite Intensitätsverteilung sich von der ersten Intensitätsverteilung unterscheidet.
  3. Röntgenspektrometer nach Anspruch 2, wobei sich die empfangenen Röntgenstrahlen entlang mindestens einer Richtung mit einer von Null verschiedenen Komponente parallel zur Längsachse ausbreiten, wobei der erste Teil der empfangenen Röntgenstrahlen auf den ersten Teil der mindestens einen Röntgenoptik unter einem ersten streifenden Einfallswinkel auftrifft, während der zweite Teil der empfangenen Röntgenstrahlen auf den zweiten Teil der mindestens einen Röntgenoptik unter einem zweiten streifenden Einfallswinkel auftrifft, welcher sich von dem ersten streifenden Einfallswinkel unterscheidet.
  4. Röntgenspektrometer nach Anspruch 2, wobei der gerichtete erste Teil der empfangenen Röntgenstrahlen sich zu einem ersten Teil des mindestens einen Röntgendetektors ausbreitet und der gerichtete zweite Teil der empfangenen Röntgenstrahlen sich zu einem zweiten Teil des mindestens einen Röntgendetektors ausbreitet, wobei der zweite Teil des mindestens einen Röntgendetektors gegenüber dem ersten Teil des mindestens einen Röntgendetektors räumlich versetzt vorliegt.
  5. Röntgenspektrometer nach Anspruch 1, wobei die mindestens eine Röntgenoptik dafür konfiguriert ist, Röntgenstrahlen innerhalb verschiedener Röntgenenergiebereiche auf entsprechende verschiedene Bereiche des mindestens einen Röntgendetektors zu richten, sodass räumliche Positionen der verschiedenen Bereiche zu Röntgenstrahlen innerhalb verschiedener Röntgenenergiebereiche korrespondieren.
  6. Röntgenspektrometer nach Anspruch 1, wobei sich die mindestens eine Oberfläche der mindestens einen Röntgenoptik um die Längsachse in einem Winkel erstreckt, welcher in einem Bereich von 45 Grad bis 315 Grad liegt.
  7. Röntgenspektrometer nach Anspruch 1, wobei die mindestens eine Oberfläche eine Länge parallel zur Längsachse in einem Bereich von 3 mm bis 150 mm, eine Breite senkrecht zur Länge in einem Bereich von 1 mm bis 50 mm, einen Innendurchmesser in einer Ebene senkrecht zur Längsachse in einem Bereich von 1 mm bis 50 mm, eine Oberflächenrauhigkeit in einem Bereich von 0,1 nm bis 1 nm und/oder eine Vielzahl von Oberflächentangentialebenen mit einem Bereich von Winkeln relativ zur Längsachse in einem Bereich von 0,01 rad bis 0,4 rad aufweist.
  8. Röntgenspektrometer nach Anspruch 1, wobei mindestens ein Teil der mindestens einen Oberfläche konkav ist und in mindestens einer Querschnittsebene parallel zur Längsachse gekrümmt ist, wobei mindestens ein Teil der Oberfläche in der Querschnittsebene ein quadratisches Profil aufweist.
  9. Röntgenspektrometer nach Anspruch 8, wobei das quadratische Profil ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus: mindestens einem Ellipsoid; mindestens einem Paraboloid; mindestens einem Hyperboloid; oder einer Kombination zweier oder mehrerer dieser.
  10. Röntgenspektrometer nach Anspruch 1, wobei jede Schicht der Vielzahl von Schichten eine Dicke in einem Bereich von 0,3 nm bis 9 nm aufweist.
  11. Röntgenspektrometer nach Anspruch 1, wobei sich die ersten Schichten und die zweiten Schichten mit einer Periodizität abwechseln, welche sich in der Vielzahl der Schichten nicht ändert.
  12. Röntgenspektrometer nach Anspruch 1, wobei das erste Material der Vielzahl von Schichten mindestens eines der folgenden umfasst: Silizium, Bor und Kohlenstoff, und das zweite Material der Vielzahl von Schichten mindestens eines der folgenden umfasst: Chrom, Molybdän und Platin.
  13. Röntgenspektrometer nach Anspruch 1, wobei der mindestens eine Röntgendetektor einen Pixel-Array-Röntgendetektor umfasst.
  14. Röntgenspektrometer nach Anspruch 13, wobei der Pixel-Array-Röntgendetektor ein Pixel-Array umfasst, welches sich entlang einer Dimension erstreckt.
  15. Röntgenspektrometer nach Anspruch 13, wobei der Pixel-Array-Röntgendetektor ein Pixel-Array umfasst, welches sich entlang zweier orthogonaler Dimensionen erstreckt.
  16. Röntgenspektrometer nach Anspruch 13, wobei der Pixelarray-Röntgendetektor mindestens eines der folgenden umfasst: einen Direktdetektion ladungsgekoppeltes Bauelement (CCD) Detektor; einen komplementären Metalloxid-Halbleiter (CMOS) Detektor; einen energieauflösenden Röntgendetektor; einen indirekten Umwandlungsdetektor umfassend einen Röntgenszintillator; einen Photonenzählungsdetektor.
  17. Röntgenspektrometer nach Anspruch 13, wobei der Pixel-Array-Röntgendetektor Pixel mit Breiten in einem Bereich von 1 Mikrometer bis 200 Mikrometer umfasst.
  18. Röntgenspektrometer nach Anspruch 1, ferner umfassend mindestens eine Strahlblende, die dafür konfiguriert ist zu verhindern, dass Röntgenstrahlen den mindestens einen Röntgendetektor erreichen, die sich entlang der Längsachse ausbreiten, aber nicht die mindestens eine Röntgenoptik bestrahlen.
  19. Röntgenspektrometer nach Anspruch 1, wobei die mindestens eine Mosaikkristallstruktur eine oder mehrere Mosaikgraphitkristallstrukturen umfasst, die aus der Gruppe ausgewählt sind bestehend aus: hochorientiertem pyrolytischem Graphit; hochgeglühtem pyrolytischem Graphit; einer Kombination dieser.
  20. Ein Röntgenspektrometer umfassend: einen Mehrschichtstapel, welcher zum Empfangen von Röntgenstrahlen mit einer einfallenden Intensitätsverteilung als Funktion der Röntgenstrahlenergie konfiguriert ist, wobei der Mehrschichtstapel eine erste Vielzahl von ersten Schichten umfassend ein erstes Material und eine zweite Vielzahl von zweiten Schichten umfassend ein zweites Material umfasst, wobei die ersten Schichten und die zweiten Schichten einander abwechseln, wobei ein erster Teil des Mehrschichtstapels dafür konfiguriert ist, einen ersten Teil der empfangenen Röntgenstrahlen zu richten, ein zweiten Teil des Mehrschichtstapels dafür konfiguriert ist, einen zweiten Teil der empfangenen Röntgenstrahlen zu richten, wobei der zweite Teil des Mehrschichtstapels gegenüber dem ersten Teil des Mehrschichtstapels seitlich versetzt vorliegt, wobei der gerichtete erste Teil der empfangenen Röntgenstrahlen eine erste Intensitätsverteilung als Funktion der Röntgenstrahlenergie aufweist, wobei der gerichtete zweite Teil der empfangenen Röntgenstrahlen eine zweite Intensitätsverteilung als Funktion der Röntgenstrahlenergie aufweist und wobei sich die zweite Intensitätsverteilung von der ersten Intensitätsverteilung unterscheidet; und mindestens einen Röntgendetektor, welcher dafür konfiguriert ist, den gerichteten ersten Teil und den gerichteten zweiten Teil der von der mindestens einen Röntgenoptik empfangenen Röntgenstrahlen zu empfangen und eine räumliche Verteilung des gerichteten ersten Teils und des gerichteten zweiten Teils der empfangenen Röntgenstrahlen aus dem Mehrschichtstapel aufzuzeichnen.
  21. Ein Röntgenspektrometer umfassend: mindestens eine Röntgenstrahloptik, welche zum Empfang von Röntgenstrahlen mit einer spektralen Bandbreite von mehr als 100 eV konfiguriert ist, wobei die mindestens eine Röntgenstrahloptik mindestens eine Oberfläche umfasst, die sich mindestens teilweise um und entlang einer Längsachse erstreckt, wobei die mindestens eine Röntgenstrahloptik eine Vielzahl von Schichten auf oder über mindestens einem Teil der mindestens einen Oberfläche umfasst, wobei die mindestens eine Röntgenstrahloptik derart konfiguriert ist, dass sie die empfangenen Röntgenstrahlen beugt und eine räumliche Trennung der empfangenen Röntgenstrahlen als Funktion der Röntgenstrahlenenergie für mindestens einen Teil der spektralen Bandbreite der empfangenen Röntgenstrahlen gemäß der Bragg-Beziehung bewirkt; und mindestens einen Röntgendetektor, der derart konfiguriert ist, dass er eine räumliche Verteilung von mindestens einem Teil der von der mindestens einen Röntgenoptik gebeugten Röntgenstrahlen aufzeichnet.
  22. Röntgenspektrometer nach Anspruch 21, wobei die mindestens eine Oberfläche eine konkave Oberfläche aufweist, welche in einer Ebene parallel zur Längsachse gekrümmt ist.
  23. Röntgenspektrometer nach Anspruch 22, wobei die konkave Oberfläche mindestens einen Teil aufweist, der axialsymmetrisch um die Längsachse ist.
  24. Röntgenspektrometer nach Anspruch 22, wobei eine Krümmung der konkaven Oberfläche, Abstände zwischen der Vielzahl von Schichten, ein Abstand zwischen der mindestens einen Röntgenoptik und dem mindestens einen Röntgendetektor und/oder eine räumliche Auflösung des mindestens einen Röntgendetektors dafür konfiguriert sind, eine Energieauflösung von weniger als 50 eV zu liefern.
  25. Röntgenspektrometer nach Anspruch 21, wobei sich die mindestens eine Oberfläche um die Längsachse in einem Winkel um die Längsachse erstreckt, welcher in einem Bereich von 45 Grad bis 360 Grad liegt.
  26. Röntgenspektrometer nach Anspruch 21, wobei mindestens ein Teil der mindestens einen Oberfläche ein im Wesentlichen gerades Querschnittsprofil aufweist in einer Ebene parallel zur und einschließlich der Längsachse.
  27. Röntgenspektrometer nach Anspruch 21, wobei die Vielzahl von Schichten eine erste Vielzahl von ersten Schichten umfassend ein erstes Material und eine zweite Vielzahl von zweiten Schichten umfassend ein zweites Material umfasst, wobei sich die ersten Schichten und die zweiten Schichten miteinander abwechseln.
  28. Röntgenspektrometer nach Anspruch 27, wobei sich die ersten Schichten und die zweiten Schichten mit einer Periodizität abwechseln, die sich in der Vielzahl der Schichten nicht ändert.
  29. Röntgenspektrometer nach Anspruch 21, wobei die Vielzahl der Schichten eine Mosaikkristallstruktur umfasst, die aus der Gruppe ausgewählt ist bestehend aus: hochorientiertem pyrolytischem Graphit; hochgeglühtem pyrolytischem Graphit; einer Kombination dieser.
DE112019002822.7T 2018-06-04 2019-05-30 Wellenlängendispersives röntgenspektrometer Pending DE112019002822T5 (de)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862680451P 2018-06-04 2018-06-04
US62/680,451 2018-06-04
US201862680795P 2018-06-05 2018-06-05
US62/680,795 2018-06-05
PCT/US2019/034740 WO2019236384A1 (en) 2018-06-04 2019-05-30 Wavelength dispersive x-ray spectrometer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE112019002822T5 true DE112019002822T5 (de) 2021-02-18

Family

ID=68694660

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112019002822.7T Pending DE112019002822T5 (de) 2018-06-04 2019-05-30 Wellenlängendispersives röntgenspektrometer

Country Status (5)

Country Link
US (2) US10989822B2 (de)
JP (1) JP7195341B2 (de)
CN (1) CN112424591B (de)
DE (1) DE112019002822T5 (de)
WO (1) WO2019236384A1 (de)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020132360A1 (en) * 2018-12-20 2020-06-25 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Off-axis capillary x-ray optics
CN114729907B (zh) 2019-09-03 2023-05-23 斯格瑞公司 用于计算机层析x射线荧光成像的系统和方法
CN111443101A (zh) * 2020-04-09 2020-07-24 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种用于不同晶体x射线衍射效率的直接比对系统
US11163075B1 (en) * 2020-08-10 2021-11-02 Loram Technologies, Inc. X-ray attenuation spectrometer
CN113030139B (zh) * 2021-05-31 2021-08-13 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种新型晶体及紧凑型成像装置
US11992350B2 (en) 2022-03-15 2024-05-28 Sigray, Inc. System and method for compact laminography utilizing microfocus transmission x-ray source and variable magnification x-ray detector
US11885755B2 (en) 2022-05-02 2024-01-30 Sigray, Inc. X-ray sequential array wavelength dispersive spectrometer

Family Cites Families (545)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1203495A (en) 1913-05-09 1916-10-31 Gen Electric Vacuum-tube.
US1355126A (en) 1916-12-16 1920-10-12 Gen Electric X-ray tube
US1211092A (en) 1915-06-05 1917-01-02 Gen Electric X-ray tube.
US1215116A (en) 1916-10-24 1917-02-06 Gen Electric X-ray apparatus.
US1328495A (en) 1918-07-15 1920-01-20 Gen Electric X-ray apparatus
US1790073A (en) 1927-07-02 1931-01-27 Pohl Ernst Rontgen tube
BE355009A (de) 1927-10-18
US1917099A (en) 1929-10-18 1933-07-04 Gen Electric x-ray tube
US2926270A (en) 1957-12-30 1960-02-23 Gen Electric Rotating anode x-ray tube
US3795832A (en) 1972-02-28 1974-03-05 Machlett Lab Inc Target for x-ray tubes
US4165472A (en) 1978-05-12 1979-08-21 Rockwell International Corporation Rotating anode x-ray source and cooling technique therefor
US4266138A (en) 1978-07-11 1981-05-05 Cornell Research Foundation, Inc. Diamond targets for producing high intensity soft x-rays and a method of exposing x-ray resists
US4192994A (en) * 1978-09-18 1980-03-11 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Diffractoid grating configuration for X-ray and ultraviolet focusing
US4227112A (en) 1978-11-20 1980-10-07 The Machlett Laboratories, Inc. Gradated target for X-ray tubes
JPS5744841A (en) 1980-09-01 1982-03-13 Hitachi Ltd Method and apparatus for x-ray diffraction
DE3222511C2 (de) 1982-06-16 1985-08-29 Feinfocus Röntgensysteme GmbH, 3050 Wunstorf Feinfokus-Röntgenröhre
US4523327A (en) 1983-01-05 1985-06-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Multi-color X-ray line source
US4727000A (en) * 1983-06-06 1988-02-23 Ovonic Synthetic Materials Co., Inc. X-ray dispersive and reflective structures
FR2548447B1 (fr) 1983-06-28 1986-02-21 Thomson Csf Tube a rayons x a foyer de forte intensite
US4807268A (en) 1983-11-04 1989-02-21 University Of Southern California Scanning monochrometer crystal and method of formation
US4642811A (en) 1984-06-12 1987-02-10 Northwestern University EXAFS spectrometer
US5016265A (en) * 1985-08-15 1991-05-14 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Variable magnification variable dispersion glancing incidence imaging x-ray spectroscopic telescope
US4798446A (en) * 1987-09-14 1989-01-17 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Aplanatic and quasi-aplanatic diffraction gratings
US4945552A (en) * 1987-12-04 1990-07-31 Hitachi, Ltd. Imaging system for obtaining X-ray energy subtraction images
JPH0795045B2 (ja) * 1988-01-12 1995-10-11 株式会社島津製作所 X線分光装置
JPH0631887B2 (ja) 1988-04-28 1994-04-27 株式会社東芝 X線ミラー及びその製造方法
US5001737A (en) 1988-10-24 1991-03-19 Aaron Lewis Focusing and guiding X-rays with tapered capillaries
US4951304A (en) 1989-07-12 1990-08-21 Adelphi Technology Inc. Focused X-ray source
US5249216B1 (en) 1989-10-19 1996-11-05 Sumitomo Electric Industries Total reflection x-ray fluorescence apparatus
US5008918A (en) 1989-11-13 1991-04-16 General Electric Company Bonding materials and process for anode target in an x-ray tube
EP0432568A3 (en) 1989-12-11 1991-08-28 General Electric Company X ray tube anode and tube having same
US4972449A (en) 1990-03-19 1990-11-20 General Electric Company X-ray tube target
US5204887A (en) * 1990-06-01 1993-04-20 Canon Kabushiki Kaisha X-ray microscope
US5173928A (en) 1990-07-09 1992-12-22 Hitachi, Ltd. Tomograph using phase information of a signal beam having transmitted through a to-be-inspected object
JPH0769477B2 (ja) 1990-09-05 1995-07-31 理学電機工業株式会社 X線分光装置
US5119408A (en) 1990-10-31 1992-06-02 General Electric Company Rotate/rotate method and apparatus for computed tomography x-ray inspection of large objects
US5148462A (en) 1991-04-08 1992-09-15 Moltech Corporation High efficiency X-ray anode sources
JPH0582419A (ja) 1991-09-20 1993-04-02 Fujitsu Ltd X線透過窓およびその製造方法
US5452142A (en) 1992-10-20 1995-09-19 Hughes Aircraft Company Approach for positioning, fabricating, aligning and testing grazing, convex, hyperbolic mirrors
JPH06188092A (ja) 1992-12-17 1994-07-08 Hitachi Ltd X線発生用タ−ゲットとx線源とx線撮像装置
US5371774A (en) 1993-06-24 1994-12-06 Wisconsin Alumni Research Foundation X-ray lithography beamline imaging system
JPH0720293A (ja) * 1993-06-30 1995-01-24 Canon Inc X線ミラー及びこれを用いたx線露光装置とデバイス製造方法
JPH0756000A (ja) 1993-08-17 1995-03-03 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd マイクロx線ターゲット
GB9318197D0 (en) 1993-09-02 1993-10-20 Medical Res Council Improvements in or relating xo x-ray tubes
JP3512874B2 (ja) 1993-11-26 2004-03-31 株式会社東芝 X線コンピュータ断層撮影装置
DE69433045T2 (de) 1993-11-26 2004-06-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Computertomograph
US5737387A (en) 1994-03-11 1998-04-07 Arch Development Corporation Cooling for a rotating anode X-ray tube
JP3191554B2 (ja) 1994-03-18 2001-07-23 株式会社日立製作所 X線撮像装置
EP0708970B1 (de) 1994-05-11 1998-08-12 University of Colorado Roentgenstrahlungsoptik mit streifendem lichteinfall und sphaerischen spiegeln
US5646976A (en) * 1994-08-01 1997-07-08 Osmic, Inc. Optical element of multilayered thin film for X-rays and neutrons
JP3612795B2 (ja) 1994-08-20 2005-01-19 住友電気工業株式会社 X線発生装置
US5878110A (en) 1994-08-20 1999-03-02 Sumitomo Electric Industries, Ltd. X-ray generation apparatus
JPH08128971A (ja) 1994-10-31 1996-05-21 Rigaku Corp Exafs測定装置
JPH08184572A (ja) 1995-01-04 1996-07-16 Hitachi Ltd 全反射x線分析装置
DE19509516C1 (de) 1995-03-20 1996-09-26 Medixtec Gmbh Medizinische Ger Mikrofokus-Röntgeneinrichtung
JPH095500A (ja) 1995-06-26 1997-01-10 Shimadzu Corp X線顕微鏡
US5729583A (en) 1995-09-29 1998-03-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce Miniature x-ray source
US5682415A (en) 1995-10-13 1997-10-28 O'hara; David B. Collimator for x-ray spectroscopy
JPH09187455A (ja) 1996-01-10 1997-07-22 Hitachi Ltd 位相型x線ct装置
US5602899A (en) 1996-01-31 1997-02-11 Physical Electronics Inc. Anode assembly for generating x-rays and instrument with such anode assembly
US5778039A (en) 1996-02-21 1998-07-07 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for the detection of light elements on the surface of a semiconductor substrate using x-ray fluorescence (XRF)
DE69730550T2 (de) 1996-03-29 2005-11-10 Hitachi, Ltd. Phasenkontrast-Röntgenabbildungssystem
US5912940A (en) 1996-06-10 1999-06-15 O'hara; David Combination wavelength and energy dispersive x-ray spectrometer
US5825848A (en) 1996-09-13 1998-10-20 Varian Associates, Inc. X-ray target having big Z particles imbedded in a matrix
US5772903A (en) 1996-09-27 1998-06-30 Hirsch; Gregory Tapered capillary optics
RU2224311C2 (ru) 1997-04-08 2004-02-20 Экс Эр Ти Лимитед Получение рентгеновского изображения с высоким разрешением очень малых объектов
US5812629A (en) 1997-04-30 1998-09-22 Clauser; John F. Ultrahigh resolution interferometric x-ray imaging
AU9197798A (en) 1997-08-15 1999-03-08 David B. O'hara Apparatus and method for improved energy dispersive x-ray spectrometer
US6108397A (en) 1997-11-24 2000-08-22 Focused X-Rays, Llc Collimator for x-ray proximity lithography
JPH11304728A (ja) 1998-04-23 1999-11-05 Hitachi Ltd X線計測装置
DE19820861B4 (de) 1998-05-09 2004-09-16 Bruker Axs Gmbh Simultanes Röntgenfluoreszenz-Spektrometer
JP3712531B2 (ja) 1998-06-10 2005-11-02 株式会社リガク Xafs測定方法及びxafs測定装置
US6108398A (en) 1998-07-13 2000-08-22 Jordan Valley Applied Radiation Ltd. X-ray microfluorescence analyzer
GB9815968D0 (en) 1998-07-23 1998-09-23 Bede Scient Instr Ltd X-ray focusing apparatus
US6118853A (en) 1998-10-06 2000-09-12 Cardiac Mariners, Inc. X-ray target assembly
US6125167A (en) 1998-11-25 2000-09-26 Picker International, Inc. Rotating anode x-ray tube with multiple simultaneously emitting focal spots
WO2000031523A2 (en) 1998-11-25 2000-06-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. X-ray analysis apparatus including a parabolic x-ray mirror and a crystal monochromator
EP1110224A2 (de) 1999-01-26 2001-06-27 Focused X-Rays LLC Röntgenstrahlungsinterferometer
JP2000306533A (ja) 1999-02-19 2000-11-02 Toshiba Corp 透過放射型x線管およびその製造方法
US6181773B1 (en) 1999-03-08 2001-01-30 Direct Radiography Corp. Single-stroke radiation anti-scatter device for x-ray exposure window
US6389100B1 (en) 1999-04-09 2002-05-14 Osmic, Inc. X-ray lens system
JP2001021507A (ja) 1999-07-05 2001-01-26 Rigaku Corp Xafs測定装置
US6278764B1 (en) 1999-07-22 2001-08-21 The Regents Of The Unviersity Of California High efficiency replicated x-ray optics and fabrication method
JP2001035428A (ja) 1999-07-22 2001-02-09 Shimadzu Corp X線発生装置
DE19934987B4 (de) 1999-07-26 2004-11-11 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Röntgenanode und ihre Verwendung
US6421417B1 (en) * 1999-08-02 2002-07-16 Osmic, Inc. Multilayer optics with adjustable working wavelength
JP3488843B2 (ja) 1999-08-26 2004-01-19 理学電機株式会社 X線分光装置及びxafs測定装置
US6307916B1 (en) 1999-09-14 2001-10-23 General Electric Company Heat pipe assisted cooling of rotating anode x-ray tubes
US6381303B1 (en) 1999-09-29 2002-04-30 Jordan Valley Applied Radiation Ltd. X-ray microanalyzer for thin films
DE19955392A1 (de) 1999-11-18 2001-05-23 Philips Corp Intellectual Pty Monochromatische Röntgenstrahlenquelle
GB9927555D0 (en) 1999-11-23 2000-01-19 Bede Scient Instr Ltd X-ray fluorescence apparatus
TWI282909B (en) 1999-12-23 2007-06-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and a method for manufacturing a device
US6811612B2 (en) 2000-01-27 2004-11-02 The University Of Chicago Patterning of nanocrystalline diamond films for diamond microstructures useful in MEMS and other devices
US6504902B2 (en) 2000-04-10 2003-01-07 Rigaku Corporation X-ray optical device and multilayer mirror for small angle scattering system
US20030054133A1 (en) 2000-08-07 2003-03-20 Wadley Hadyn N.G. Apparatus and method for intra-layer modulation of the material deposition and assist beam and the multilayer structure produced therefrom
UA59495C2 (uk) 2000-08-07 2003-09-15 Мурадін Абубєкіровіч Кумахов Рентгенівський вимірювально-випробувальний комплекс
US6815363B2 (en) 2000-08-11 2004-11-09 The Regents Of The University Of California Method for nanomachining high aspect ratio structures
US6891627B1 (en) 2000-09-20 2005-05-10 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen
US6829327B1 (en) 2000-09-22 2004-12-07 X-Ray Optical Systems, Inc. Total-reflection x-ray fluorescence apparatus and method using a doubly-curved optic
US6553096B1 (en) 2000-10-06 2003-04-22 The University Of North Carolina Chapel Hill X-ray generating mechanism using electron field emission cathode
US6445769B1 (en) 2000-10-25 2002-09-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Internal bearing cooling using forced air
US6463123B1 (en) 2000-11-09 2002-10-08 Steris Inc. Target for production of x-rays
US6847699B2 (en) 2000-12-04 2005-01-25 Advanced Ceramics Research, Inc. Composite components for use in high temperature applications
US6430260B1 (en) 2000-12-29 2002-08-06 General Electric Company X-ray tube anode cooling device and systems incorporating same
JP2002336232A (ja) 2001-05-16 2002-11-26 Fuji Photo Film Co Ltd 位相コントラスト画像生成方法および装置並びにプログラム
AU2002315331A1 (en) * 2001-06-19 2003-01-02 X-Ray Optical Systems, Inc. Wavelength dispersive xrf system using focusing optic for excitation and a focusing monochromator for collection
AU2002321885A1 (en) 2001-08-03 2003-02-24 Hill-Rom Services, Inc. Patient point-of-care computer system
US6914723B2 (en) 2001-11-09 2005-07-05 Xradia, Inc. Reflective lithography mask inspection tool based on achromatic Fresnel optics
JP2003149392A (ja) 2001-11-09 2003-05-21 Tohken Co Ltd X線増強反射板及びx線検査装置
US6917472B1 (en) 2001-11-09 2005-07-12 Xradia, Inc. Achromatic fresnel optics for ultraviolet and x-ray radiation
WO2003049510A2 (en) 2001-12-04 2003-06-12 X-Ray Optical Systems, Inc. X-ray source assembly having enhanced output stability, and fluid stream analysis applications thereof
DE10162093A1 (de) * 2001-12-18 2003-07-10 Bruker Axs Gmbh Röntgen-optisches System mit Blende im Fokus einer Röntgen-Spiegels
JP2005516376A (ja) 2002-01-31 2005-06-02 ザ ジョンズ ホプキンズ ユニバーシティ 選択可能なx線周波数をより効率よく生成するx線源および方法
JP2003297891A (ja) 2002-01-31 2003-10-17 Rigaku Industrial Co 半導体用蛍光x線分析装置
DE10391780D2 (de) 2002-03-26 2005-02-17 Fraunhofer Ges Forschung Röntgenstrahlquelle mit einer kleinen Brennfleckgrösse
JP2003288853A (ja) 2002-03-27 2003-10-10 Toshiba Corp X線装置
US7180981B2 (en) 2002-04-08 2007-02-20 Nanodynamics-88, Inc. High quantum energy efficiency X-ray tube and targets
JP4322470B2 (ja) 2002-05-09 2009-09-02 浜松ホトニクス株式会社 X線発生装置
US6560315B1 (en) 2002-05-10 2003-05-06 Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc Thin rotating plate target for X-ray tube
US20050282300A1 (en) 2002-05-29 2005-12-22 Xradia, Inc. Back-end-of-line metallization inspection and metrology microscopy system and method using x-ray fluorescence
US7245696B2 (en) 2002-05-29 2007-07-17 Xradia, Inc. Element-specific X-ray fluorescence microscope and method of operation
JP2004089445A (ja) 2002-08-30 2004-03-25 Konica Minolta Holdings Inc X線発生装置およびx線画像撮像システム
US6763086B2 (en) 2002-09-05 2004-07-13 Osmic, Inc. Method and apparatus for detecting boron in x-ray fluorescence spectroscopy
DE10241423B4 (de) 2002-09-06 2007-08-09 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung und Aufbringung eines Streustrahlenrasters oder Kollimators auf einen Röntgen- oder Gammadetektor
US7015467B2 (en) 2002-10-10 2006-03-21 Applied Materials, Inc. Generating electrons with an activated photocathode
US7268945B2 (en) 2002-10-10 2007-09-11 Xradia, Inc. Short wavelength metrology imaging system
JP3998556B2 (ja) 2002-10-17 2007-10-31 株式会社東研 高分解能x線顕微検査装置
US7365909B2 (en) 2002-10-17 2008-04-29 Xradia, Inc. Fabrication methods for micro compounds optics
US10638994B2 (en) 2002-11-27 2020-05-05 Hologic, Inc. X-ray mammography with tomosynthesis
US6947522B2 (en) 2002-12-20 2005-09-20 General Electric Company Rotating notched transmission x-ray for multiple focal spots
JP4445397B2 (ja) 2002-12-26 2010-04-07 敦 百生 X線撮像装置および撮像方法
US7119953B2 (en) 2002-12-27 2006-10-10 Xradia, Inc. Phase contrast microscope for short wavelength radiation and imaging method
US7079625B2 (en) 2003-01-20 2006-07-18 Siemens Aktiengesellschaft X-ray anode having an electron incident surface scored by microslits
GB0309374D0 (en) 2003-04-25 2003-06-04 Cxr Ltd X-ray sources
GB0525593D0 (en) 2005-12-16 2006-01-25 Cxr Ltd X-ray tomography inspection systems
US8094784B2 (en) 2003-04-25 2012-01-10 Rapiscan Systems, Inc. X-ray sources
GB0812864D0 (en) 2008-07-15 2008-08-20 Cxr Ltd Coolign anode
US6707883B1 (en) 2003-05-05 2004-03-16 Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc X-ray tube targets made with high-strength oxide-dispersion strengthened molybdenum alloy
US7006596B1 (en) 2003-05-09 2006-02-28 Kla-Tencor Technologies Corporation Light element measurement
US7076026B2 (en) 2003-06-13 2006-07-11 Osmic, Inc. Beam conditioning system
US7280634B2 (en) 2003-06-13 2007-10-09 Osmic, Inc. Beam conditioning system with sequential optic
US6975703B2 (en) 2003-08-01 2005-12-13 General Electric Company Notched transmission target for a multiple focal spot X-ray source
US7023955B2 (en) 2003-08-12 2006-04-04 X-Ray Optical System, Inc. X-ray fluorescence system with apertured mask for analyzing patterned surfaces
US7003077B2 (en) 2003-10-03 2006-02-21 General Electric Company Method and apparatus for x-ray anode with increased coverage
US7057187B1 (en) 2003-11-07 2006-06-06 Xradia, Inc. Scintillator optical system and method of manufacture
US7394890B1 (en) 2003-11-07 2008-07-01 Xradia, Inc. Optimized x-ray energy for high resolution imaging of integrated circuits structures
US7170969B1 (en) 2003-11-07 2007-01-30 Xradia, Inc. X-ray microscope capillary condenser system
US7218703B2 (en) 2003-11-21 2007-05-15 Tohken Co., Ltd. X-ray microscopic inspection apparatus
US7130375B1 (en) 2004-01-14 2006-10-31 Xradia, Inc. High resolution direct-projection type x-ray microtomography system using synchrotron or laboratory-based x-ray source
US7023950B1 (en) 2004-02-11 2006-04-04 Martin Annis Method and apparatus for determining the position of an x-ray cone beam produced by a scanning electron beam
US7215736B1 (en) 2004-03-05 2007-05-08 Xradia, Inc. X-ray micro-tomography system optimized for high resolution, throughput, image quality
US7203281B2 (en) 2004-03-11 2007-04-10 Varian Medical Systems, Inc. Encapsulated stator assembly for an x-ray tube
DE102004013620B4 (de) 2004-03-19 2008-12-04 GE Homeland Protection, Inc., Newark Elektronenfenster für eine Flüssigmetallanode, Flüssigmetallanode, Röntgenstrahler und Verfahren zum Betrieb eines solchen Röntgenstrahlers
JP2005276760A (ja) 2004-03-26 2005-10-06 Shimadzu Corp X線発生装置
DE112005000798T5 (de) 2004-04-08 2007-04-05 Japan Science And Technology Agency, Kawaguchi Röntgenstrahlen-Target und Vorrichtungen, die es verwenden
US7412024B1 (en) 2004-04-09 2008-08-12 Xradia, Inc. X-ray mammography
US7286640B2 (en) 2004-04-09 2007-10-23 Xradia, Inc. Dual-band detector system for x-ray imaging of biological samples
US7330533B2 (en) 2004-05-05 2008-02-12 Lawrence Livermore National Security, Llc Compact x-ray source and panel
WO2005109969A2 (en) 2004-05-05 2005-11-17 The Regents Of The University Of California Compact x-ray source and panel
US6870172B1 (en) 2004-05-21 2005-03-22 Kla-Tencor Technologies Corporation Maskless reflection electron beam projection lithography
US7075073B1 (en) * 2004-05-21 2006-07-11 Kla-Tencor Technologies Corporation Angle resolved x-ray detection
US7203269B2 (en) 2004-05-28 2007-04-10 General Electric Company System for forming x-rays and method for using same
US7095822B1 (en) 2004-07-28 2006-08-22 Xradia, Inc. Near-field X-ray fluorescence microprobe
US7365918B1 (en) 2004-08-10 2008-04-29 Xradia, Inc. Fast x-ray lenses and fabrication method therefor
US7103138B2 (en) 2004-08-24 2006-09-05 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Sampling in volumetric computed tomography
US7120228B2 (en) 2004-09-21 2006-10-10 Jordan Valley Applied Radiation Ltd. Combined X-ray reflectometer and diffractometer
EP1812935A2 (de) * 2004-11-09 2007-08-01 Carl Zeiss SMT AG Durch einbiegung eines master-stücks gewonnene optische hochpräzisionsoberfläche
US7298882B2 (en) 2005-02-15 2007-11-20 Siemens Aktiengesellschaft Generalized measure of image quality in medical X-ray imaging
WO2006092874A1 (ja) 2005-03-01 2006-09-08 Osaka University 高分解・高速テラヘルツ分光計測装置
NL1028481C2 (nl) 2005-03-08 2006-09-11 Univ Delft Tech Microröntgenbron.
US20060233309A1 (en) 2005-04-14 2006-10-19 Joerg Kutzner Laser x-ray source apparatus and target used therefore
WO2006115114A1 (ja) 2005-04-20 2006-11-02 Kyoto Institute Of Technology フレネルゾーンプレート及び該フレネルゾーンプレートを使用したx線顕微鏡
US8306184B2 (en) 2005-05-31 2012-11-06 The University Of North Carolina At Chapel Hill X-ray pixel beam array systems and methods for electronically shaping radiation fields and modulation radiation field intensity patterns for radiotherapy
EP1731099A1 (de) 2005-06-06 2006-12-13 Paul Scherrer Institut Interferometer zur quantitativen Phasenkontrastbildgebung und -tomographie mit einer inkohärenten polychromatischen Röntgenquelle
DE102005026578A1 (de) 2005-06-08 2006-12-21 Comet Gmbh Vorrichtung zur Röntgen-Laminographie und/oder Tomosynthese
US7406151B1 (en) 2005-07-19 2008-07-29 Xradia, Inc. X-ray microscope with microfocus source and Wolter condenser
CN101356589B (zh) 2005-08-01 2013-02-27 纽约州立大学研究基金会 采用点聚焦、弯曲单色光学器件的x射线成像系统
DE102005036285B4 (de) 2005-08-02 2013-06-20 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Bestimmung der relativen Lage einer Röntgenquelle zu einem Röntgenbilddetektor und entsprechendes Röntgensystem
JP2007093581A (ja) 2005-09-01 2007-04-12 Jeol Ltd 波長分散型x線分光器
US7359487B1 (en) 2005-09-15 2008-04-15 Revera Incorporated Diamond anode
US7382864B2 (en) 2005-09-15 2008-06-03 General Electric Company Systems, methods and apparatus of a composite X-Ray target
KR100772639B1 (ko) 2005-10-18 2007-11-02 한국기계연구원 다이아몬드상 카본 박막을 이용한 미세 임프린트리소그래피용 스탬프 및 그 제조방법
DE202005017496U1 (de) 2005-11-07 2007-03-15 Comet Gmbh Target für eine Mikrofocus- oder Nanofocus-Röntgenröhre
DE102005052992A1 (de) 2005-11-07 2007-05-16 Siemens Ag Streustrahlenraster zur Reduktion einer Streustrahlung in einem Röntgengerät und Röntgengerät mit einem Streustrahlenraster
DE102005053386A1 (de) 2005-11-07 2007-05-16 Comet Gmbh Nanofocus-Röntgenröhre
US20070108387A1 (en) 2005-11-14 2007-05-17 Xradia, Inc. Tunable x-ray fluorescence imager for multi-element analysis
US7443953B1 (en) 2005-12-09 2008-10-28 Xradia, Inc. Structured anode X-ray source for X-ray microscopy
DE502006007410D1 (de) 2005-12-27 2010-08-26 Paul Scherrer Inst Psi Fokus-Detektor-Anordnung zur Erzeugung von Phasenkontrast-Röntgenaufnahmen und Verfahren hierzu
DE102006037282B4 (de) 2006-02-01 2017-08-17 Siemens Healthcare Gmbh Fokus-Detektor-Anordnung mit röntgenoptischem Gitter zur Phasenkontrastmessung
DE102006037257B4 (de) 2006-02-01 2017-06-01 Siemens Healthcare Gmbh Verfahren und Messanordnung zur zerstörungsfreien Analyse eines Untersuchungsobjektes mit Röntgenstrahlung
DE102006017290B4 (de) 2006-02-01 2017-06-22 Siemens Healthcare Gmbh Fokus/Detektor-System einer Röntgenapparatur, Röntgen-System und Verfahren zur Erzeugung von Phasenkontrastaufnahmen
DE102006037254B4 (de) 2006-02-01 2017-08-03 Paul Scherer Institut Fokus-Detektor-Anordnung zur Erzeugung projektiver oder tomographischer Phasenkontrastaufnahmen mit röntgenoptischen Gittern, sowie Röntgen-System, Röntgen-C-Bogen-System und Röntgen-Computer-Tomographie-System
WO2007088934A1 (ja) 2006-02-01 2007-08-09 Toshiba Electron Tubes & Devices Co., Ltd. X線源及び蛍光x線分析装置
DE102006046034A1 (de) 2006-02-01 2007-08-16 Siemens Ag Röntgen-CT-System zur Erzeugung projektiver und tomographischer Phasenkontrastaufnahmen
DE102006063048B3 (de) 2006-02-01 2018-03-29 Siemens Healthcare Gmbh Fokus/Detektor-System einer Röntgenapparatur zur Erzeugung von Phasenkontrastaufnahmen
DE102006015356B4 (de) 2006-02-01 2016-09-22 Siemens Healthcare Gmbh Verfahren zur Erzeugung projektiver und tomographischer Phasenkontrastaufnahmen mit einem Röntgen-System
DE102006037256B4 (de) 2006-02-01 2017-03-30 Paul Scherer Institut Fokus-Detektor-Anordnung einer Röntgenapparatur zur Erzeugung projektiver oder tomographischer Phasenkontrastaufnahmen sowie Röntgensystem, Röntgen-C-Bogen-System und Röntgen-CT-System
DE102006015358B4 (de) 2006-02-01 2019-08-22 Paul Scherer Institut Fokus/Detektor-System einer Röntgenapparatur zur Erzeugung von Phasenkontrastaufnahmen, zugehöriges Röntgen-System sowie Speichermedium und Verfahren zur Erzeugung tomographischer Aufnahmen
DE102006017291B4 (de) 2006-02-01 2017-05-24 Paul Scherer Institut Fokus/Detektor-System einer Röntgenapparatur zur Erzeugung von Phasenkontrastaufnahmen, Röntgensystem mit einem solchen Fokus/Detektor-System sowie zugehöriges Speichermedium und Verfahren
DE102006037255A1 (de) 2006-02-01 2007-08-02 Siemens Ag Fokus-Detektor-Anordnung einer Röntgenapparatur zur Erzeugung projektiver oder tomographischer Phasenkontrastaufnahmen
DE102006037281A1 (de) 2006-02-01 2007-08-09 Siemens Ag Röntgenoptisches Durchstrahlungsgitter einer Fokus-Detektor-Anordnung einer Röntgenapparatur zur Erzeugung projektiver oder tomographischer Phasenkontrastaufnahmen von einem Untersuchungsobjekt
US7796726B1 (en) 2006-02-14 2010-09-14 University Of Maryland, Baltimore County Instrument and method for X-ray diffraction, fluorescence, and crystal texture analysis without sample preparation
JP2007218683A (ja) 2006-02-15 2007-08-30 Renesas Technology Corp 臭素化合物の分析方法および分析装置
JP4878311B2 (ja) 2006-03-03 2012-02-15 キヤノン株式会社 マルチx線発生装置
US7412030B1 (en) 2006-03-03 2008-08-12 O'hara David Apparatus employing conically parallel beam of X-rays
WO2007125833A1 (ja) 2006-04-24 2007-11-08 The University Of Tokyo X線撮像装置及びx線撮像方法
US7529343B2 (en) 2006-05-04 2009-05-05 The Boeing Company System and method for improved field of view X-ray imaging using a non-stationary anode
US7463712B2 (en) 2006-05-18 2008-12-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Scatter correction for x-ray imaging using modulation of primary x-ray spatial spectrum
JP4912743B2 (ja) 2006-05-18 2012-04-11 浜松ホトニクス株式会社 X線管及びそれを用いたx線照射装置
US8078265B2 (en) 2006-07-11 2011-12-13 The General Hospital Corporation Systems and methods for generating fluorescent light images
EP1879020A1 (de) 2006-07-12 2008-01-16 Paul Scherrer Institut Röntgenstrahlungsinterferometer für die Phasenkontrastbildgebung
US20080037706A1 (en) 2006-08-08 2008-02-14 Panalytical B.V. Device and method for performing X-ray analysis
US7522707B2 (en) 2006-11-02 2009-04-21 General Electric Company X-ray system, X-ray apparatus, X-ray target, and methods for manufacturing same
JP5315251B2 (ja) 2006-11-16 2013-10-16 エックス−レイ オプティカル システムズ インコーポレーテッド それぞれの結晶方位を持つ多層を有するx線集束光学系及びこの光学系を形成する方法
US7902528B2 (en) 2006-11-21 2011-03-08 Cadence Design Systems, Inc. Method and system for proximity effect and dose correction for a particle beam writing device
JP2008145111A (ja) 2006-12-06 2008-06-26 Univ Of Tokyo X線撮像装置、これに用いるx線源、及び、x線撮像方法
EP1933170A1 (de) 2006-12-07 2008-06-18 Universiteit Gent Computertomographieverfahren und -system
EP2097771A2 (de) 2006-12-22 2009-09-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Energieauflösendes detektionssystem und bildgebungssystem
DE102006062452B4 (de) 2006-12-28 2008-11-06 Comet Gmbh Röntgenröhre und Verfahren zur Prüfung eines Targets einer Röntgenröhre
IL180482A0 (en) 2007-01-01 2007-06-03 Jordan Valley Semiconductors Inspection of small features using x - ray fluorescence
US7412131B2 (en) 2007-01-02 2008-08-12 General Electric Company Multilayer optic device and system and method for making same
US7499521B2 (en) 2007-01-04 2009-03-03 Xradia, Inc. System and method for fuel cell material x-ray analysis
US20080181363A1 (en) 2007-01-25 2008-07-31 Uchicago Argonne, Llc Surface topography with X-ray reflection phase-contrast microscopy
US7601399B2 (en) 2007-01-31 2009-10-13 Surface Modification Systems, Inc. High density low pressure plasma sprayed focal tracks for X-ray anodes
US7864426B2 (en) 2007-02-13 2011-01-04 Xradia, Inc. High aspect-ratio X-ray diffractive structure stabilization methods and systems
JP2008197495A (ja) 2007-02-14 2008-08-28 Konica Minolta Medical & Graphic Inc X線撮像フイルム及び製造方法、x線撮像方法、システム
JP2008200359A (ja) 2007-02-21 2008-09-04 Konica Minolta Medical & Graphic Inc X線撮影システム
CN101883980B (zh) 2007-03-15 2013-06-12 X射线光学系统公司 用于确定样品价态的x射线荧光方法
US7920676B2 (en) 2007-05-04 2011-04-05 Xradia, Inc. CD-GISAXS system and method
DE102007029730B4 (de) 2007-06-27 2017-06-08 Paul Scherer Institut Mess-System mit einem Phasenkontrast-Kontrastmittel und dessen Verwendung zur nicht-invasiven Bestimmung von Eigenschaften eines Untersuchungsobjektes
US7680243B2 (en) 2007-09-06 2010-03-16 Jordan Valley Semiconductors Ltd. X-ray measurement of properties of nano-particles
AT10598U1 (de) 2007-09-28 2009-06-15 Plansee Metall Gmbh Ríntgenanode mit verbesserter warmeableitung
US8699667B2 (en) 2007-10-02 2014-04-15 General Electric Company Apparatus for x-ray generation and method of making same
DE102007048743B4 (de) * 2007-10-08 2010-06-24 Ifg - Institute For Scientific Instruments Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung der energetischen Zusammensetzung von elektromagnetischen Wellen
US7920673B2 (en) 2007-10-30 2011-04-05 Massachusetts Institute Of Technology Phase-contrast x-ray imaging
ATE524056T1 (de) 2007-11-15 2011-09-15 Suisse Electronique Microtech Interferometervorrichtung und verfahren
CN101576515B (zh) 2007-11-23 2012-07-04 同方威视技术股份有限公司 X射线光栅相衬成像系统及方法
CN101873828B (zh) 2007-11-26 2013-03-27 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于x射线相位对比成像的探测装置
EP2075569B1 (de) 2007-12-31 2012-02-15 Xenocs S.A. Röntgenstrahlvorrichtung
DE102008007413A1 (de) 2008-02-04 2009-08-27 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Röntgentarget
RU2489762C2 (ru) 2008-02-14 2013-08-10 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Детектор рентгеновского излучения для формирования фазово-контрастных изображений
JP5158699B2 (ja) 2008-02-20 2013-03-06 国立大学法人 東京大学 X線撮像装置、及び、これに用いるx線源
JP5294653B2 (ja) 2008-02-28 2013-09-18 キヤノン株式会社 マルチx線発生装置及びx線撮影装置
US8559597B2 (en) 2008-03-05 2013-10-15 X-Ray Optical Systems, Inc. XRF system having multiple excitation energy bands in highly aligned package
JP5153388B2 (ja) 2008-03-06 2013-02-27 株式会社リガク X線発生装置ならびにx線分析装置、x線透過像計測装置及びx線干渉計
US7848483B2 (en) 2008-03-07 2010-12-07 Rigaku Innovative Technologies Magnesium silicide-based multilayer x-ray fluorescence analyzers
US7813475B1 (en) 2008-03-11 2010-10-12 Xradia, Inc. X-ray microscope with switchable x-ray source
CN101978257B (zh) 2008-03-19 2014-12-17 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于相位衬度成像的旋转x射线装置
US8068579B1 (en) 2008-04-09 2011-11-29 Xradia, Inc. Process for examining mineral samples with X-ray microscope and projection systems
US7876883B2 (en) 2008-04-10 2011-01-25 O'hara David Mammography X-ray homogenizing optic
JP5451150B2 (ja) 2008-04-15 2014-03-26 キヤノン株式会社 X線用線源格子、x線位相コントラスト像の撮像装置
CN102027561A (zh) 2008-05-15 2011-04-20 皇家飞利浦电子股份有限公司 生成x射线束的方法和系统
US7672433B2 (en) 2008-05-16 2010-03-02 General Electric Company Apparatus for increasing radiative heat transfer in an x-ray tube and method of making same
US7787588B1 (en) 2008-07-21 2010-08-31 Xradia, Inc. System and method for quantitative reconstruction of Zernike phase-contrast images
US8520803B2 (en) 2008-08-14 2013-08-27 Koninklijke Philips N.V. Multi-segment anode target for an X-ray tube of the rotary anode type with each anode disk segment having its own anode inclination angle with respect to a plane normal to the rotational axis of the rotary anode and X-ray tube comprising a rotary anode with such a multi-segment anode target
US8036341B2 (en) 2008-08-14 2011-10-11 Varian Medical Systems, Inc. Stationary x-ray target and methods for manufacturing same
US7974379B1 (en) 2008-09-09 2011-07-05 Xradia, Inc. Metrology and registration system and method for laminography and tomography
JP2010063646A (ja) 2008-09-11 2010-03-25 Fujifilm Corp 放射線位相画像撮影装置
US8602648B1 (en) 2008-09-12 2013-12-10 Carl Zeiss X-ray Microscopy, Inc. X-ray microscope system with cryogenic handling system and method
DE102008048683A1 (de) 2008-09-24 2010-04-08 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Bestimmung von Phase und/oder Amplitude zwischen interferierenden benachbarten Röntgenstrahlen in einem Detektorpixel bei einem Talbot-Interferometer
DE102008048688B4 (de) 2008-09-24 2011-08-25 Paul Scherrer Institut Röntgen-CT-System zur Erzeugung tomographischer Phasenkontrast- oder Dunkelfeldaufnahmen
DE102008049200B4 (de) 2008-09-26 2010-11-11 Paul Scherrer Institut Verfahren zur Herstellung von röntgenoptischen Gittern, röntgenoptisches Gitter und Röntgen-System
EP2168488B1 (de) 2008-09-30 2013-02-13 Siemens Aktiengesellschaft Röntgen-CT-System zur Röntgen-Phasenkontrast-und/oder Röntgen-Dunkelfeld-Bildgebung
US7929667B1 (en) 2008-10-02 2011-04-19 Kla-Tencor Corporation High brightness X-ray metrology
CN101413905B (zh) 2008-10-10 2011-03-16 深圳大学 X射线微分干涉相衬成像系统
CN103876761B (zh) 2008-10-29 2016-04-27 佳能株式会社 X射线成像装置和x射线成像方法
US8559594B2 (en) 2008-10-29 2013-10-15 Canon Kabushiki Kaisha Imaging apparatus and imaging method
US8353628B1 (en) 2008-12-04 2013-01-15 Xradia, Inc. Method and system for tomographic projection correction
CN102257591B (zh) 2008-12-17 2014-06-04 皇家飞利浦电子股份有限公司 将高z焦点轨迹层附着于用作旋转阳极靶的碳-碳复合衬底
DE102009004702B4 (de) 2009-01-15 2019-01-31 Paul Scherer Institut Anordnung und Verfahren zur projektiven und/oder tomographischen Phasenkontrastbildgebung mit Röntgenstrahlung
CN102325498B (zh) 2009-02-05 2013-07-10 中国科学院高能物理研究所 基于低剂量单步光栅的x射线相位衬度成像
US7949095B2 (en) 2009-03-02 2011-05-24 University Of Rochester Methods and apparatus for differential phase-contrast fan beam CT, cone-beam CT and hybrid cone-beam CT
US9881710B2 (en) 2009-03-27 2018-01-30 Koninklijke Philips N.V. Achromatic phase-contrast imaging
JP5548188B2 (ja) 2009-03-27 2014-07-16 株式会社リガク X線発生装置とそれを用いた検査装置
JP2010236986A (ja) 2009-03-31 2010-10-21 Fujifilm Corp 放射線位相画像撮影装置
JP2010249533A (ja) 2009-04-10 2010-11-04 Canon Inc タルボ・ロー干渉計用の線源格子
AU2010237049B2 (en) 2009-04-16 2015-12-03 Eric H. Silver Monochromatic x-ray methods and apparatus
JP2010253194A (ja) 2009-04-28 2010-11-11 Fujifilm Corp 放射線位相画像撮影装置
US8989351B2 (en) 2009-05-12 2015-03-24 Koninklijke Philips N.V. X-ray source with a plurality of electron emitters
US20100310041A1 (en) * 2009-06-03 2010-12-09 Adams William L X-Ray System and Methods with Detector Interior to Focusing Element
US8351569B2 (en) 2009-06-12 2013-01-08 Lawrence Livermore National Security, Llc Phase-sensitive X-ray imager
CN102802529B (zh) 2009-06-16 2015-09-16 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于微分相衬成像的校正方法
EP3121592A1 (de) 2009-07-01 2017-01-25 Rigaku Corporation Röntgenvorrichtung, verfahren zur verwendung davon und röntgenbestrahlungsverfahren
JP2011029072A (ja) 2009-07-28 2011-02-10 Canon Inc X線発生装置及びそれを備えたx線撮像装置。
JP5626750B2 (ja) 2009-08-04 2014-11-19 国立大学法人広島大学 測定装置及び測定方法
EP2284524B1 (de) 2009-08-10 2014-01-15 FEI Company Mikrokalometrie für die Röntgenstrahlspektroskopie
US8526575B1 (en) 2009-08-12 2013-09-03 Xradia, Inc. Compound X-ray lens having multiple aligned zone plates
JP5670111B2 (ja) 2009-09-04 2015-02-18 東京エレクトロン株式会社 X線発生用ターゲット、x線発生装置、及びx線発生用ターゲットの製造方法
EP2478842A4 (de) 2009-09-16 2013-10-23 Konica Minolta Med & Graphic Röntgenbildgebungsvorrichtung, röntgenbildgebungssystem und röntgenbildgebungsverfahren
JP5690827B2 (ja) 2009-09-18 2015-03-25 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光学表面の形状を測定する方法及び干渉測定デバイス
JP5459659B2 (ja) 2009-10-09 2014-04-02 キヤノン株式会社 X線位相コントラスト像の撮像に用いられる位相格子、該位相格子を用いた撮像装置、x線コンピューター断層撮影システム
US8249220B2 (en) 2009-10-14 2012-08-21 Rigaku Innovative Technologies, Inc. Multiconfiguration X-ray optical system
US8058621B2 (en) 2009-10-26 2011-11-15 General Electric Company Elemental composition detection system and method
JP5464419B2 (ja) 2009-11-02 2014-04-09 国立大学法人東北大学 分光結晶、波長分散型x線分析装置および元素分布測定方法
FR2953320B1 (fr) 2009-11-27 2013-07-05 Gen Electric Grille anti-diffusante inversee
JP5269041B2 (ja) 2009-12-04 2013-08-21 キヤノン株式会社 X線撮像装置およびx線撮像方法
US8588372B2 (en) 2009-12-16 2013-11-19 General Electric Company Apparatus for modifying electron beam aspect ratio for X-ray generation
JP5538936B2 (ja) 2010-02-10 2014-07-02 キヤノン株式会社 解析方法、プログラム、記憶媒体、x線位相イメージング装置
US8208602B2 (en) 2010-02-22 2012-06-26 General Electric Company High flux photon beams using optic devices
JP5725870B2 (ja) 2010-02-22 2015-05-27 キヤノン株式会社 X線撮像装置およびx線撮像方法
US8989474B2 (en) 2010-03-18 2015-03-24 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. X-ray image capturing system
JP5438649B2 (ja) 2010-03-26 2014-03-12 富士フイルム株式会社 放射線撮影システム及び位置ずれ判定方法
JP5378335B2 (ja) 2010-03-26 2013-12-25 富士フイルム株式会社 放射線撮影システム
JP2011218147A (ja) 2010-03-26 2011-11-04 Fujifilm Corp 放射線撮影システム
JP2012090944A (ja) 2010-03-30 2012-05-17 Fujifilm Corp 放射線撮影システム及び放射線撮影方法
JP5548085B2 (ja) 2010-03-30 2014-07-16 富士フイルム株式会社 回折格子の調整方法
JP2011224329A (ja) 2010-03-30 2011-11-10 Fujifilm Corp 放射線撮影システム及び方法
JP2013528804A (ja) 2010-05-19 2013-07-11 シルヴァー,エリック,エイチ ハイブリッドx線光学機器および方法
US8509386B2 (en) 2010-06-15 2013-08-13 Varian Medical Systems, Inc. X-ray target and method of making same
DE102010017426A1 (de) 2010-06-17 2011-12-22 Karlsruher Institut für Technologie Gitter aus mindestens zwei Materialien für die Röntgenbildgebung
DE102010017425A1 (de) 2010-06-17 2011-12-22 Karlsruher Institut für Technologie Geneigte Phasengitterstrukturen
CA2803683C (en) 2010-06-28 2020-03-10 Paul Scherrer Institut A method for x-ray phase contrast and dark-field imaging using an arrangement of gratings in planar geometry
WO2012005128A1 (en) 2010-07-05 2012-01-12 Canon Kabushiki Kaisha X-ray source, x-ray imaging apparatus, and x-ray computed tomography imaging system
JP5646906B2 (ja) 2010-08-06 2014-12-24 キヤノン株式会社 X線装置およびx線測定方法
JP5731214B2 (ja) 2010-08-19 2015-06-10 富士フイルム株式会社 放射線撮影システム及びその画像処理方法
US8406378B2 (en) 2010-08-25 2013-03-26 Gamc Biotech Development Co., Ltd. Thick targets for transmission x-ray tubes
WO2012032950A1 (en) 2010-09-08 2012-03-15 Canon Kabushiki Kaisha X-ray differential phase contrast imaging using a two-dimensional source grating with pinhole apertures and two-dimensional phase and absorption gratings
JP2012103237A (ja) 2010-10-14 2012-05-31 Canon Inc 撮像装置
US10028716B2 (en) 2010-10-19 2018-07-24 Koniklijke Philips N.V. Differential phase-contrast imaging
CN103168228B (zh) 2010-10-19 2015-11-25 皇家飞利浦电子股份有限公司 微分相位对比成像
WO2012057140A1 (ja) 2010-10-27 2012-05-03 富士フイルム株式会社 放射線撮影システム及び放射線画像生成方法
CN103188996B (zh) 2010-10-29 2015-06-24 富士胶片株式会社 放射线照相相衬成像设备
BR112013011030A8 (pt) 2010-11-08 2017-11-07 Koninklijke Philips Electronics Nv Fonte de raios x, sistema de aquisição de imagens por raios x, método para determinar alterações no rendimento de emissões de raios x de um tubo de raios x, elemento de programa de computador para controlar um aparelho e meio legível por computador
US9748012B2 (en) 2010-12-21 2017-08-29 Konica Minolta, Inc. Method for manufacturing metal grating structure, metal grating structure manufactured by the method, and X-ray imaging device using the metal grating structure
JP2012130586A (ja) 2010-12-22 2012-07-12 Fujifilm Corp 放射線画像検出装置、放射線撮影装置、及び放射線撮影システム
US8744048B2 (en) 2010-12-28 2014-06-03 General Electric Company Integrated X-ray source having a multilayer total internal reflection optic device
FR2969918B1 (fr) 2010-12-29 2013-12-13 Gen Electric Procede et dispositif de mise en oeuvre d'une grille anti-diffusante
US9968316B2 (en) 2010-12-29 2018-05-15 General Electric Company High-frequency anti-scatter grid movement profile for line cancellation
EP2663898B1 (de) 2011-01-12 2015-03-25 Eulitha A.G. Verfahren und system zum drucken von periodischen mustern hoher auflösung
KR101239765B1 (ko) 2011-02-09 2013-03-06 삼성전자주식회사 엑스레이 발생장치 및 이를 포함하는 엑스레이 촬영 시스템
WO2012122398A2 (en) 2011-03-09 2012-09-13 California Institute Of Technology Talbot imaging devices and systems
JP5777360B2 (ja) 2011-03-14 2015-09-09 キヤノン株式会社 X線撮像装置
JP5475925B2 (ja) 2011-04-20 2014-04-16 富士フイルム株式会社 放射線撮影装置及び画像処理方法
US8831179B2 (en) 2011-04-21 2014-09-09 Carl Zeiss X-ray Microscopy, Inc. X-ray source with selective beam repositioning
US20120307970A1 (en) 2011-05-31 2012-12-06 General Electric Company Multispot x-ray phase-contrast imaging system
EP2713884B1 (de) 2011-06-01 2019-07-31 Total SA Röntgentomograph
JP5812700B2 (ja) 2011-06-07 2015-11-17 キヤノン株式会社 X線放出ターゲット、x線発生管およびx線発生装置
JP2012256559A (ja) 2011-06-10 2012-12-27 Canon Inc 放射線透過型ターゲット
US9486175B2 (en) 2011-07-04 2016-11-08 Koninklijke Philips N.V. Phase contrast imaging apparatus
RU2620892C2 (ru) 2011-07-04 2017-05-30 Конинклейке Филипс Н.В. Устройство формирования изображений методом фазового контраста
JP6070555B2 (ja) 2011-07-27 2017-02-01 コニカミノルタ株式会社 金属格子の製造方法
CA2843311C (en) 2011-07-29 2016-06-07 The Johns Hopkins University Differential phase contrast x-ray imaging system and components
JP2013050441A (ja) 2011-08-03 2013-03-14 Canon Inc 波面測定装置、波面測定方法、及びプログラム並びにx線撮像装置
AT12862U1 (de) 2011-08-05 2013-01-15 Plansee Se Anode mit linearer haupterstreckungsrichtung
EP2740127B1 (de) * 2011-08-06 2017-11-29 Rigaku Innovative Technologies, Inc. Nanoröhrchenbasierte vorrichtung zum lenken von röntgenphotonen und neutronen
JP5875297B2 (ja) 2011-08-31 2016-03-02 キヤノン株式会社 放射線発生管及びそれを用いた放射線発生装置、放射線撮影システム
JP5871529B2 (ja) 2011-08-31 2016-03-01 キヤノン株式会社 透過型x線発生装置及びそれを用いたx線撮影装置
US9430832B2 (en) 2011-08-31 2016-08-30 Koninklijke Philips N.V. Differential phase contrast imaging with energy sensitive detection
JP5854707B2 (ja) 2011-08-31 2016-02-09 キヤノン株式会社 透過型x線発生管及び透過型x線発生装置
JP5901180B2 (ja) 2011-08-31 2016-04-06 キヤノン株式会社 透過型x線発生装置及びそれを用いたx線撮影装置
JP5896649B2 (ja) 2011-08-31 2016-03-30 キヤノン株式会社 ターゲット構造体及びx線発生装置
JP2013063099A (ja) 2011-09-15 2013-04-11 Canon Inc X線撮像装置
CN102507623B (zh) * 2011-10-14 2014-03-05 深圳市世纪天源环保技术有限公司 一种非扫描式波长色散型x射线荧光光谱仪
US9001968B2 (en) 2011-10-27 2015-04-07 Lawrence Livermore National Security, Llc Method for characterization of a spherically bent crystal for Kα X-ray imaging of laser plasmas using a focusing monochromator geometry
US20130108015A1 (en) 2011-10-28 2013-05-02 Csem Centre Suisse D'electronique Et De Microtechnique S.A - Recherche Et Developpement X-ray interferometer
JP2013096750A (ja) 2011-10-28 2013-05-20 Hamamatsu Photonics Kk X線分光検出装置
US20150117599A1 (en) 2013-10-31 2015-04-30 Sigray, Inc. X-ray interferometric imaging system
JP5990734B2 (ja) 2011-11-30 2016-09-14 株式会社リガク 蛍光x線分析装置
US9597050B2 (en) 2012-01-24 2017-03-21 Koninklijke Philips N.V. Multi-directional phase contrast X-ray imaging
JP5984403B2 (ja) 2012-01-31 2016-09-06 キヤノン株式会社 ターゲット構造体及びそれを備える放射線発生装置
JP5911323B2 (ja) 2012-02-06 2016-04-27 キヤノン株式会社 ターゲット構造体及びそれを備える放射線発生装置並びに放射線撮影システム
US20150055743A1 (en) 2012-02-24 2015-02-26 University Of Massachusetts Medical School Apparatus and method for x-ray phase contrast imaging
WO2013130525A1 (en) 2012-02-28 2013-09-06 X-Ray Optical Systems, Inc. X-ray analyzer having multiple excitation energy bands produced using multi-material x-ray tube anodes and monochromating optics
JP6009178B2 (ja) 2012-03-01 2016-10-19 株式会社神戸製鋼所 アルミニウム材内の介在物可視化方法
EP2822468B1 (de) 2012-03-05 2017-11-01 University Of Rochester Verfahren und vorrichtung für differenzielle phasenkontrast-fächerstrahl-ct, kegelstrahl-ct und hybrid-kegelstrahl-ct
KR20130101839A (ko) 2012-03-06 2013-09-16 삼성전자주식회사 엑스레이 소스
JP6036321B2 (ja) 2012-03-23 2016-11-30 株式会社リガク X線複合装置
DE102012005767A1 (de) 2012-03-25 2013-09-26 DüRR DENTAL AG Phasenkontrast-Röntgen-Tomographiegerät
US8735844B1 (en) 2012-03-26 2014-05-27 Massachusetts Institute Of Technology Compact neutron imaging system using axisymmetric mirrors
JP5936895B2 (ja) 2012-03-27 2016-06-22 株式会社リガク X線発生装置のターゲット及びその製造方法並びにx線発生装置
WO2013160153A1 (de) 2012-04-24 2013-10-31 Siemens Aktiengesellschaft Röntgenvorrichtung
US9007562B2 (en) 2012-04-26 2015-04-14 Colorado State University Research Foundation Extreme ultraviolet/soft X-ray laser nano-scale patterning using the demagnified talbot effect
US20150117616A1 (en) 2012-05-11 2015-04-30 Hamamatsu Photonics K.K. X-ray generation device and x-ray generation method
US9761021B2 (en) 2012-05-14 2017-09-12 Koninklijke Philips N.V. Dark field computed tomography imaging
WO2013184213A2 (en) 2012-05-14 2013-12-12 The General Hospital Corporation A distributed, field emission-based x-ray source for phase contrast imaging
JP2013239317A (ja) 2012-05-15 2013-11-28 Canon Inc 放射線発生ターゲット、放射線発生装置および放射線撮影システム
WO2014001975A2 (en) 2012-06-27 2014-01-03 Koninklijke Philips N.V. Grating-based differential phase contrast imaging
EP2690646A1 (de) 2012-07-26 2014-01-29 Agilent Technologies, Inc. Gradientenvakuum für Röntgenquelle mit hohem Fluss
US9291578B2 (en) 2012-08-03 2016-03-22 David L. Adler X-ray photoemission microscope for integrated devices
US9129715B2 (en) 2012-09-05 2015-09-08 SVXR, Inc. High speed x-ray inspection microscope
FR2995439A1 (fr) 2012-09-10 2014-03-14 Commissariat Energie Atomique Source de rayons x generant un faisceau de taille nanometrique et dispositif d'imagerie comportant au moins une telle source
US9520260B2 (en) 2012-09-14 2016-12-13 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Photo emitter X-ray source array (PeXSA)
WO2014054497A1 (ja) 2012-10-04 2014-04-10 東京エレクトロン株式会社 X線発生用ターゲットの製造方法及びx線発生用ターゲット
KR101399505B1 (ko) 2012-11-08 2014-05-27 주식회사 아이에스피 에너지 분산형 형광 분석기의 프레임 누적 스캔 방법
AU2012258412A1 (en) 2012-11-30 2014-06-19 Canon Kabushiki Kaisha Combining differential images by inverse Riesz transformation
US9700267B2 (en) 2012-12-21 2017-07-11 Carestream Health, Inc. Method and apparatus for fabrication and tuning of grating-based differential phase contrast imaging system
US9357975B2 (en) 2013-12-30 2016-06-07 Carestream Health, Inc. Large FOV phase contrast imaging based on detuned configuration including acquisition and reconstruction techniques
US9494534B2 (en) 2012-12-21 2016-11-15 Carestream Health, Inc. Material differentiation with phase contrast imaging
US9001967B2 (en) 2012-12-28 2015-04-07 Carestream Health, Inc. Spectral grating-based differential phase contrast system for medical radiographic imaging
US9008278B2 (en) 2012-12-28 2015-04-14 General Electric Company Multilayer X-ray source target with high thermal conductivity
JP6253233B2 (ja) 2013-01-18 2017-12-27 キヤノン株式会社 透過型x線ターゲットおよび、該透過型x線ターゲットを備えた放射線発生管、並びに、該放射線発生管を備えた放射線発生装置、並びに、該放射線発生装置を備えた放射線撮影装置
JP6061692B2 (ja) 2013-01-18 2017-01-18 キヤノン株式会社 放射線発生管及び放射線発生装置及びそれらを用いた放射線撮影装置
US9439613B2 (en) 2013-02-12 2016-09-13 The Johns Hopkins University System and method for phase-contrast X-ray imaging
JP2014171799A (ja) 2013-03-12 2014-09-22 Canon Inc X線撮像装置及びx線撮像システム
JP2014178130A (ja) 2013-03-13 2014-09-25 Canon Inc X線撮像装置及びx線撮像システム
KR101434821B1 (ko) 2013-04-10 2014-08-26 주식회사엑스엘 비확산게터를 갖는 회전 양극형 엑스선관
WO2014194995A1 (en) 2013-06-07 2014-12-11 Paul Scherrer Institut Image fusion scheme for differential phase contrast imaging
JP6207246B2 (ja) 2013-06-14 2017-10-04 キヤノン株式会社 透過型ターゲットおよび該透過型ターゲットを備える放射線発生管、放射線発生装置、及び、放射線撮影装置
DE102013214393A1 (de) 2013-07-23 2014-11-20 Siemens Aktiengesellschaft Röntgenaufnahmesystem zur differentiellen Phasenkontrast-Bildgebung eines Untersuchungsobjekts mit Phase-Stepping
JP6188470B2 (ja) 2013-07-24 2017-08-30 キヤノン株式会社 放射線発生装置及びそれを用いた放射線撮影システム
WO2015014677A1 (en) 2013-07-30 2015-02-05 Koninklijke Philips N.V. Monochromatic attenuation contrast image generation by using phase contrast ct
JP2015028879A (ja) 2013-07-30 2015-02-12 東京エレクトロン株式会社 X線発生用ターゲット及びx線発生装置
WO2015015851A1 (ja) 2013-07-30 2015-02-05 コニカミノルタ株式会社 医用画像システム及び関節軟骨状態のスコア判定方法
US9778213B2 (en) 2013-08-19 2017-10-03 Kla-Tencor Corporation Metrology tool with combined XRF and SAXS capabilities
US9445775B2 (en) 2013-08-19 2016-09-20 University Of Houston System Single step differential phase contrast x-ray imaging
US20150055745A1 (en) 2013-08-23 2015-02-26 Carl Zeiss X-ray Microscopy, Inc. Phase Contrast Imaging Using Patterned Illumination/Detector and Phase Mask
JP6232603B2 (ja) 2013-08-30 2017-11-22 国立大学法人大阪大学 X線撮像装置及びx線撮像方法
US20150092924A1 (en) 2013-09-04 2015-04-02 Wenbing Yun Structured targets for x-ray generation
JP2015072263A (ja) 2013-09-09 2015-04-16 キヤノン株式会社 X線撮像システム
US9939392B2 (en) 2013-09-12 2018-04-10 The United States Of America, As Represented By The Secretary, Department Of Health And Human Services Demodulation of intensity modulation in X-ray imaging
US10269528B2 (en) 2013-09-19 2019-04-23 Sigray, Inc. Diverging X-ray sources using linear accumulation
US9543109B2 (en) 2013-09-19 2017-01-10 Sigray, Inc. X-ray sources using linear accumulation
US9570265B1 (en) 2013-12-05 2017-02-14 Sigray, Inc. X-ray fluorescence system with high flux and high flux density
US10297359B2 (en) 2013-09-19 2019-05-21 Sigray, Inc. X-ray illumination system with multiple target microstructures
US10416099B2 (en) 2013-09-19 2019-09-17 Sigray, Inc. Method of performing X-ray spectroscopy and X-ray absorption spectrometer system
JP2016537797A (ja) 2013-09-19 2016-12-01 シグレイ、インコーポレイテッド 直線累積を用いたx線ソース
US9390881B2 (en) 2013-09-19 2016-07-12 Sigray, Inc. X-ray sources using linear accumulation
US9448190B2 (en) 2014-06-06 2016-09-20 Sigray, Inc. High brightness X-ray absorption spectroscopy system
US10295485B2 (en) * 2013-12-05 2019-05-21 Sigray, Inc. X-ray transmission spectrometer system
US20190088381A9 (en) 2013-09-19 2019-03-21 Sigray, Inc. X-ray illuminators with high flux and high flux density
JP6338341B2 (ja) 2013-09-19 2018-06-06 キヤノン株式会社 透過型放射線管、放射線発生装置及び放射線撮影システム
US9449781B2 (en) 2013-12-05 2016-09-20 Sigray, Inc. X-ray illuminators with high flux and high flux density
US10153061B2 (en) 2013-09-26 2018-12-11 Konica Minolta, Inc. Metal grating for X-rays, production method for metal grating for X-rays, metal grating unit for X-rays, and X-ray imaging device
EP3042383A1 (de) 2013-10-07 2016-07-13 Siemens Healthcare GmbH Phasenkontrast-röntgenbildgebungsvorrichtung und phasengitter für eine solche
JP6166145B2 (ja) 2013-10-16 2017-07-19 浜松ホトニクス株式会社 X線発生装置
JP6256941B2 (ja) 2013-10-17 2018-01-10 国立大学法人大阪大学 X線撮像方法及びx線撮像装置
US9970119B2 (en) 2013-10-25 2018-05-15 Konica Minolta, Inc. Curved grating structure manufacturing method, curved grating structure, grating unit, and x-ray imaging device
US9719947B2 (en) 2013-10-31 2017-08-01 Sigray, Inc. X-ray interferometric imaging system
US10304580B2 (en) 2013-10-31 2019-05-28 Sigray, Inc. Talbot X-ray microscope
US9874531B2 (en) 2013-10-31 2018-01-23 Sigray, Inc. X-ray method for the measurement, characterization, and analysis of periodic structures
WO2015066333A1 (en) 2013-10-31 2015-05-07 Sigray, Inc. X-ray interferometric imaging system
JP6025211B2 (ja) * 2013-11-28 2016-11-16 株式会社リガク X線トポグラフィ装置
JP6335729B2 (ja) 2013-12-06 2018-05-30 キヤノン株式会社 透過型ターゲットおよび該透過型ターゲットを備えるx線発生管
US9588066B2 (en) 2014-01-23 2017-03-07 Revera, Incorporated Methods and systems for measuring periodic structures using multi-angle X-ray reflectance scatterometry (XRS)
US9594036B2 (en) 2014-02-28 2017-03-14 Sigray, Inc. X-ray surface analysis and measurement apparatus
US9823203B2 (en) 2014-02-28 2017-11-21 Sigray, Inc. X-ray surface analysis and measurement apparatus
US9934930B2 (en) 2014-04-18 2018-04-03 Fei Company High aspect ratio x-ray targets and uses of same
JP6529984B2 (ja) 2014-05-01 2019-06-12 シグレイ、インコーポレイテッド X線干渉イメージングシステム
EP3139836B1 (de) 2014-05-09 2021-07-07 The Johns Hopkins University System und verfahren für phasenkontrast-röntgenbildgebung
KR20170009909A (ko) 2014-05-15 2017-01-25 시그레이, 아이엔씨. 주기적 구조의 측정과 특성화 및 분석을 위한 x-선 방법
US10401309B2 (en) 2014-05-15 2019-09-03 Sigray, Inc. X-ray techniques using structured illumination
WO2015187219A1 (en) 2014-06-06 2015-12-10 Sigray, Inc. X-ray absorption measurement system
JP6667215B2 (ja) 2014-07-24 2020-03-18 キヤノン株式会社 X線遮蔽格子、構造体、トールボット干渉計、x線遮蔽格子の製造方法
CN105374654B (zh) 2014-08-25 2018-11-06 同方威视技术股份有限公司 电子源、x射线源、使用了该x射线源的设备
US10231687B2 (en) 2014-10-17 2019-03-19 Triple Ring Technologies, Inc. Method and apparatus for enhanced X-ray computing arrays
CN105628718A (zh) 2014-11-04 2016-06-01 同方威视技术股份有限公司 多能谱x射线光栅成像系统与成像方法
CN105606633B (zh) 2014-11-04 2019-03-19 清华大学 X射线相衬成像系统与成像方法
JP7171190B2 (ja) 2014-11-11 2022-11-15 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 線源-検出器装置
KR20160075078A (ko) 2014-12-19 2016-06-29 삼성전자주식회사 다파장 x-선을 이용한 박막 두께 측정 장치
US10431414B2 (en) 2015-04-17 2019-10-01 NanoRay Biotech Co., Ltd. Composite target and X-ray tube with the composite target
US10352880B2 (en) 2015-04-29 2019-07-16 Sigray, Inc. Method and apparatus for x-ray microscopy
JP6377572B2 (ja) 2015-05-11 2018-08-22 株式会社リガク X線発生装置、及びその調整方法
WO2016187623A1 (en) 2015-05-15 2016-11-24 Sigray, Inc. X-ray techniques using structured illumination
US10151713B2 (en) 2015-05-21 2018-12-11 Industrial Technology Research Institute X-ray reflectometry apparatus for samples with a miniscule measurement area and a thickness in nanometers and method thereof
EP3307167B1 (de) 2015-06-15 2018-11-07 Koninklijke Philips N.V. Kacheldetektoranordnung für differenzphasenkontrast-ct
EP3314576B1 (de) 2015-06-26 2019-11-27 Koninklijke Philips N.V. Robuste rekonstruktion für dunkelfeld- und phasenkontrast-ct
US10153062B2 (en) 2015-06-30 2018-12-11 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. Illumination and imaging device for high-resolution X-ray microscopy with high photon energy
JP6594075B2 (ja) 2015-07-22 2019-10-23 キヤノン株式会社 画像処理装置、撮像システム、画像処理方法
US10295486B2 (en) 2015-08-18 2019-05-21 Sigray, Inc. Detector for X-rays with high spatial and high spectral resolution
US10283311B2 (en) 2015-08-21 2019-05-07 Electronics And Telecommunications Research Institute X-ray source
JP6657664B2 (ja) 2015-08-21 2020-03-04 住友ゴム工業株式会社 化学状態測定方法
US10705031B2 (en) 2015-08-27 2020-07-07 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. X-ray imaging with a detector capable of resolving photon energy
JP6422123B2 (ja) 2015-08-27 2018-11-14 国立大学法人東北大学 放射線画像生成装置
JP6322172B2 (ja) * 2015-09-11 2018-05-09 株式会社リガク X線小角光学系装置
EP3355315A4 (de) 2015-09-25 2019-06-26 Osaka University Röntgenmikroskop
US10182490B2 (en) 2015-09-25 2019-01-15 Moxtek, Inc. X-ray tube integral heatsink
US10352695B2 (en) 2015-12-11 2019-07-16 Kla-Tencor Corporation X-ray scatterometry metrology for high aspect ratio structures
CN109073769B (zh) 2016-02-19 2022-11-25 卡里姆·S·卡里姆 用于x射线探测器中的改进的量子探测效率的方法及装置
US10816705B2 (en) 2016-03-02 2020-10-27 Alcorix Co. Super-high aspect ratio diffractive optics fabricated by batch-processing
JP6501230B2 (ja) 2016-03-08 2019-04-17 株式会社リガク 多元素同時型蛍光x線分析装置および多元素同時蛍光x線分析方法
US11123027B2 (en) 2016-03-31 2021-09-21 The Regents Of The University Of California Stationary X-ray source
WO2017204850A1 (en) 2016-05-27 2017-11-30 Sigray, Inc. Diverging x-ray sources using linear accumulation
KR20190015531A (ko) 2016-06-05 2019-02-13 시그레이, 아이엔씨. 엑스선 현미경 관찰을 위한 방법 및 장치
EP3258253A1 (de) 2016-06-13 2017-12-20 Technische Universität München Röntgen-tensortomografiesystem
EP3261110A1 (de) 2016-06-21 2017-12-27 Excillum AB Röntgenstrahlenquelle mit ionisierungswerkzeug
JPWO2018016369A1 (ja) 2016-07-20 2019-05-09 株式会社島津製作所 X線位相差撮像装置
WO2018035171A1 (en) 2016-08-16 2018-02-22 Massachusetts Institute Of Technology Nanoscale x-ray tomosynthesis for rapid analysis of integrated circuit (ic) dies
JP7044764B6 (ja) 2016-09-08 2022-05-31 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ X線撮像のための線源格子
US10217596B2 (en) 2016-09-29 2019-02-26 General Electric Company High temperature annealing in X-ray source fabrication
US10775323B2 (en) 2016-10-18 2020-09-15 Kla-Tencor Corporation Full beam metrology for X-ray scatterometry systems
EP3312868A1 (de) 2016-10-21 2018-04-25 Excillum AB Strukturiertes röntgentarget
DE102016223797A1 (de) 2016-11-30 2018-05-30 Technische Universität München Röntgen-CT-Verfahren, Probenhalter und Röntgen-CT-Vorrichtung
US10281414B2 (en) 2016-12-01 2019-05-07 Malvern Panalytical B.V. Conical collimator for X-ray measurements
US10247683B2 (en) 2016-12-03 2019-04-02 Sigray, Inc. Material measurement techniques using multiple X-ray micro-beams
CN110168406A (zh) 2017-01-02 2019-08-23 皇家飞利浦有限公司 X射线探测器和x射线成像装置
JP7216650B2 (ja) 2017-01-19 2023-02-01 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ X線放射を生成するためのx線源装置
EP3598116B1 (de) 2017-03-15 2021-07-21 Rigaku Corporation Röntgenfluoreszenzanalyseverfahren, röntgenfluoreszenzanalyseprogramm und röntgenfluoreszenzspektrometer
DE102017205113A1 (de) 2017-03-27 2018-09-27 Siemens Aktiengesellschaft Ermitteln der Pose einer Röntgeneinheit relativ zu einem Objekt anhand eines digitalen Modells des Objekts
CN110383052B (zh) 2017-03-30 2022-05-03 株式会社理学 X射线分析辅助设备和x射线分析设备
CA3071104C (en) 2017-03-31 2023-10-03 Sensus Healthcare, Inc. Three-dimensional beam forming x-ray source
DE102017003517A1 (de) 2017-04-11 2018-10-11 Universität Hamburg Verfahren und Messvorrichtung zur Röntgenfluoreszenz-Messung
EP3391821B1 (de) 2017-04-20 2024-05-08 Shimadzu Corporation Phasenkontrast-röntgenbildgebungssystem
JP6849518B2 (ja) 2017-04-28 2021-03-24 浜松ホトニクス株式会社 X線管及びx線発生装置
US10520454B2 (en) 2017-05-02 2019-12-31 Fei Company Innovative X-ray source for use in tomographic imaging
JP6874835B2 (ja) 2017-05-18 2021-05-19 株式会社島津製作所 X線分光分析装置
US10727142B2 (en) 2017-05-30 2020-07-28 Kla-Tencor Corporation Process monitoring of deep structures with X-ray scatterometry
US10634628B2 (en) 2017-06-05 2020-04-28 Bruker Technologies Ltd. X-ray fluorescence apparatus for contamination monitoring
JP6792519B2 (ja) 2017-06-07 2020-11-25 浜松ホトニクス株式会社 X線発生装置
EP3416181A1 (de) 2017-06-15 2018-12-19 Koninklijke Philips N.V. Röntgenstrahlquelle und verfahren zur herstellung einer röntgenstrahlquelle
FR3069098B1 (fr) 2017-07-11 2020-11-06 Thales Sa Source generatrice de rayons ionisants compacte, ensemble comprenant plusieurs sources et procede de realisation de la source
EP3428928A1 (de) 2017-07-11 2019-01-16 FEI Company Lamellenförmige targets für die röntgengenerierung
US11333621B2 (en) 2017-07-11 2022-05-17 Kla-Tencor Corporation Methods and systems for semiconductor metrology based on polychromatic soft X-Ray diffraction
KR101966794B1 (ko) 2017-07-12 2019-08-27 (주)선재하이테크 전자 집속 개선용 엑스선관
EP3428629B1 (de) 2017-07-14 2022-12-07 Malvern Panalytical B.V. Analyse von röntgenspektren mittels kurvenanpassung
US10872708B2 (en) 2017-07-24 2020-12-22 Board Of Supervisors Of Louisiana State University And Agricultural And Mechanical College Phase contrast X-ray interferometry
EP3439017B1 (de) 2017-08-04 2021-03-03 Edax Inc. Systeme zur detektion von energiereichen röntgenstrahlen in elektronenmikroskopen
US10847336B2 (en) 2017-08-17 2020-11-24 Bruker AXS, GmbH Analytical X-ray tube with high thermal performance
EP3447538A1 (de) 2017-08-23 2019-02-27 Koninklijke Philips N.V. Röntgenstrahldetektion
US10914694B2 (en) 2017-08-23 2021-02-09 Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of Commerce X-ray spectrometer
US10811213B2 (en) 2017-09-15 2020-10-20 Canon Medical Systems Corporation X-ray CT apparatus and insert
EP3459461A1 (de) 2017-09-25 2019-03-27 Koninklijke Philips N.V. Röntgenbildgebungs-referenzabtastung
WO2019064360A1 (ja) 2017-09-27 2019-04-04 株式会社島津製作所 X線分光分析装置、及び該x線分光分析装置を用いた化学状態分析方法
US10748736B2 (en) 2017-10-18 2020-08-18 Kla-Tencor Corporation Liquid metal rotating anode X-ray source for semiconductor metrology
JP7320501B2 (ja) 2017-10-18 2023-08-03 ケーエー・イメージング・インコーポレイテッド 位相コントラストx線イメージングシステムおよび位相コントラストx線イメージング方法
US10624195B2 (en) 2017-10-26 2020-04-14 Moxtek, Inc. Tri-axis x-ray tube
EP3477289A1 (de) 2017-10-30 2019-05-01 FEI Company Röntgenspektroskopie in einem ladungsträgerteilchenmikroskop
JP7069670B2 (ja) 2017-12-04 2022-05-18 コニカミノルタ株式会社 X線撮影システム
EP3496128A1 (de) 2017-12-11 2019-06-12 Koninklijke Philips N.V. Drehanode für eine röntgenquelle
EP3498170A1 (de) 2017-12-12 2019-06-19 Koninklijke Philips N.V. Vorrichtung und verfahren zur ausrichtung eines röntgengitters auf eine röntgenstrahlungsquelle und röntgenbilderfassungssystem
CN111542783A (zh) 2017-12-28 2020-08-14 Asml荷兰有限公司 用于确定衬底上的结构的感兴趣的特性的量测设备与方法
US10895541B2 (en) 2018-01-06 2021-01-19 Kla-Tencor Corporation Systems and methods for combined x-ray reflectometry and photoelectron spectroscopy
JP7020169B2 (ja) 2018-02-23 2022-02-16 コニカミノルタ株式会社 X線撮影システム
JP6857400B2 (ja) 2018-03-01 2021-04-14 株式会社リガク X線発生装置、及びx線分析装置
US10748735B2 (en) 2018-03-29 2020-08-18 The Boeing Company Multi-spectral X-ray target and source
JP7067221B2 (ja) 2018-04-12 2022-05-16 コニカミノルタ株式会社 X線撮影システム
US20190341219A1 (en) 2018-05-07 2019-11-07 Washington University Multi-pixel x-ray source with tungsten-diamond transmission target
US10727023B2 (en) 2018-05-07 2020-07-28 Moxtek, Inc. X-ray tube single anode bore
WO2019232650A1 (en) 2018-06-08 2019-12-12 Ka Imaging Inc. Method and system for determining virtual outputs for a multi-energy x-ray imaging apparatus
JP6954232B2 (ja) 2018-06-08 2021-10-27 株式会社島津製作所 X線検査装置およびx線検査装置におけるx線管のターゲットの消耗度判定方法
DE102018210315B4 (de) 2018-06-25 2021-03-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Erfassung einer Struktur einer Lithografiemaske sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
JP6871629B2 (ja) 2018-06-29 2021-05-12 株式会社リガク X線分析装置及びその光軸調整方法
US10692184B2 (en) 2018-07-05 2020-06-23 SVXR, Inc. Super-resolution X-ray imaging method and apparatus
KR102142488B1 (ko) 2018-08-03 2020-08-07 한국과학기술원 미세 결함 검사용 비파괴 검사 장치 및 방법
PL3633360T3 (pl) 2018-10-01 2022-11-14 Scienta Omicron Ab Układ i system do twardej rentgenowskiej spektroskopii fotoelektronów
US11302508B2 (en) 2018-11-08 2022-04-12 Bruker Technologies Ltd. X-ray tube
EP3664119A1 (de) 2018-12-07 2020-06-10 Siemens Healthcare GmbH Röntgenvorrichtung und verfahren zur anwendung von röntgenstrahlung
EP3663749A1 (de) 2018-12-07 2020-06-10 Siemens Healthcare GmbH Röntgenbildgebungssystem und verfahren zur röntgenbildgebung
US20200194212A1 (en) 2018-12-13 2020-06-18 General Electric Company Multilayer x-ray source target with stress relieving layer
US11399788B2 (en) 2019-01-15 2022-08-02 Duke University Systems and methods for tissue discrimination via multi-modality coded aperture x-ray imaging
JP7165400B2 (ja) 2019-03-19 2022-11-04 株式会社リガク X線分析装置
KR102362008B1 (ko) 2019-04-15 2022-02-14 캐논 아네르바 가부시키가이샤 X선 발생 장치 및 x선 촬영 장치
CN113678025A (zh) 2019-04-18 2021-11-19 棱镜传感器公司 用于在医学透射射线照相中操纵x射线的同轴x射线聚焦光学器件
JP7188261B2 (ja) 2019-04-24 2022-12-13 株式会社島津製作所 X線位相イメージング装置
US11022571B2 (en) 2019-05-30 2021-06-01 The Boeing Company X-ray scattering method and system for non-destructively inspecting bond line and porosity
JP6619916B1 (ja) 2019-06-24 2019-12-11 キヤノンアネルバ株式会社 X線発生管、x線発生装置およびx線撮像装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20190369272A1 (en) 2019-12-05
CN112424591A (zh) 2021-02-26
WO2019236384A1 (en) 2019-12-12
JP2021526214A (ja) 2021-09-30
JP7195341B2 (ja) 2022-12-23
CN112424591B (zh) 2024-05-24
US10845491B2 (en) 2020-11-24
US10989822B2 (en) 2021-04-27
US20190369271A1 (en) 2019-12-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112019002822T5 (de) Wellenlängendispersives röntgenspektrometer
DE102006037256B4 (de) Fokus-Detektor-Anordnung einer Röntgenapparatur zur Erzeugung projektiver oder tomographischer Phasenkontrastaufnahmen sowie Röntgensystem, Röntgen-C-Bogen-System und Röntgen-CT-System
DE102013004503B4 (de) Verwendung einer Röntgenstrahlvorrichtung zur Untersuchung von Kristalldefekten
DE102011053081B4 (de) Fächerröntgenstrahlbildgebungssysteme, die gradierte mehrschichtige optische Bauelemente verwenden
EP2793056B1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der energetischen Zusammensetzung von elektromagnetischen Wellen
DE112021002841T5 (de) System und Verfahren für Röntgenabsorptionsspektroskopie unter Verwendung eines Kristallanalysators und mehrerer Detektorelemente
DE102010053323B3 (de) Verfahren zur räumlich aufgelösten Messung von Parametern in einem Querschnitt eines Strahlenbündels energiereicher Strahlung mit hoher Intensität
EP1647840B1 (de) Röntgen- oder neutronenoptisches Analysegerät mit variabel ausgeleuchtetem Streifendetektor
DE19833524A1 (de) Röntgen-Analysegerät mit Gradienten-Vielfachschicht-Spiegel
DE112010001478T5 (de) Röntgenvorrichtung, Verfahren zum Verwenden der Röntgenvorrichtungund Röntgenbestrahlungsverfahren
DE112021004828T5 (de) System und verfahren unter verwendung von röntgenstrahlen für tiefenauflösende messtechnik und analyse
EP1063676B1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur energie- und winkelaufgelösten Elektronenspektroskopie
DE10245676A1 (de) Phasenkontrast-Röntgengerät zur Erstellung eines Phasenkontrast-Bildes eines Objekts und Verfahren zum Erstellen des Phasenkontrast-Bildes
DE2331091C3 (de) Einrichtung zur Bestimmung der Energie geladener Teilchen
WO1995022758A1 (de) Röntgen-analysegerät
DE102010022851B4 (de) Röntgenstrahlungsvorrichtung zur Erzeugung von quasimonochromatischer Röntgenstrahlung und Radiographie-Röntgenaufnahmesystem
DE602004012031T2 (de) Detektionseinheit zur Röntgenstreumessung
DE2912210C2 (de) Szintillatoranordnung mit einem Szintillatorkörper von trapezförmigem Querschnitt
DE102007048743B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung der energetischen Zusammensetzung von elektromagnetischen Wellen
EP0456897A1 (de) Messanordnung für die Röntgenfluoreszenzanalyse
DE102016101988A1 (de) Röntgenanalysator, Vorrichtung und Verfahren zur Röntgenabsorptionsspektroskopie
WO2020260100A1 (de) Messanordnung für röntgenstrahlung mit verminderten parallax-effekten
DE102010002778A1 (de) Konfokaler Multilamellenröntgenwellenleiter
EP4049010B1 (de) Röntgenvorrichtung mit mehreren strahlpfaden
DE19955848A1 (de) Verfahren zur röntgenologischen Abbildung von Untersuchungsobjekten mit geringen Dichteunterschieden sowie röntgenoptische Systeme

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed