DE19833524A1 - Röntgen-Analysegerät mit Gradienten-Vielfachschicht-Spiegel - Google Patents

Röntgen-Analysegerät mit Gradienten-Vielfachschicht-Spiegel

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DE19833524A1
DE19833524A1 DE19833524A DE19833524A DE19833524A1 DE 19833524 A1 DE19833524 A1 DE 19833524A1 DE 19833524 A DE19833524 A DE 19833524A DE 19833524 A DE19833524 A DE 19833524A DE 19833524 A1 DE19833524 A1 DE 19833524A1
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Abstract

Ein Röntgen-Analysegerät mit einem paraboloidförmig gekrümmten Gradienten-Vielschicht-Bragg-Reflektor (5) ist dadurch gekennzeichnet, daß die Schichten des Reflektors (5) direkt auf einer konkav gekrümmten Oberfläche eines paraboloidförmig ausgehöhlten Substrats aufgebracht sind, daß die dem Reflektor zugewandte konkave Substratoberfläche eine maximal zulässige Formabweichung DOLLAR F1 eine maximale zulässige Welligkeit DOLLAR F2 und eine maximal zulässige Rauhigkeit DOLLAR F3 aufweist, daß die Röntgenstrahlung (7) unter einem Einfallswinkel 0 DEG < THETA 5 DEG auf die gekrümmte Oberfläche des Reflektors (5) trifft, daß die Periodendicke d der Reflektorbeschichtung zur Paraboloidöffnung hin in x-Richtung gemäß DOLLAR F4 und DOLLAR F5 zunimmt und daß die Abweichung DELTAd/DELTAx kleiner ist als d/2x. Dadurch wird die Transmission des Analysegerätes erheblich verbessert, die Zuverlässigkeit und Lebensdauer deutlich erhöht und der Fertigungsaufwand verringert.

Description

Die Erfindung betrifft ein Röntgen-Analysegerät mit
  • - einer Röntgenstrahlung emittierenden Quelle,
  • - einer zu analysierenden Probe,
  • - einem auf Röntgenstrahlung ansprechenden Detektor,
  • - strahlformenden und/oder strahlbegrenzenden Mitteln und
  • - einem gekrümmten Vielschicht-Bragg-Reflektor, der im Strahlgang zwischen der Quelle und der Probe angeordnet ist und eine sich periodisch wiederho­ lenden Folge von Schichten umfaßt, wobei eine Periode aus mindestens zwei Einzelschichten A, B besteht, die unterschiedliche Brechungsindex-Dekremente δA ≠ δB und die Dicken dA und dB besitzen,
  • - wobei die Periodendicke, also die Summe d = dA + dA + dC + . , . der Einzelschichten A, B, C, . , . einer Periode entlang einer x-Richtung sich stetig ändert, und
  • - wobei der Reflektor derart gekrümmt ist, daß er eine Teilfläche eines Paraboloids bildet, in dessen Brennlinie bzw. Brennpunkt die Quelle oder ein Bild der Quelle liegt, so daß nach der Refle­ xion ein Parallelstrahlenbündel entsteht.
Ein solches Röntgen-Analysegerät ist bekannt aus der WO 95/22758.
Röntgen-Analysegeräte, wie beispielsweise Röntgenspektrome­ ter und Röntgendiffraktometer dienen der zerstörungsfreien Analyse von festen, pulverförmigen und flüssigen Meßproben. In Diffraktometern, insbesondere Pulver-Diffraktometern sind vorwiegend fokusierende Strahlanordnungen verwirklicht, die eine hohe Ausnutzung des die Probe beleuchtenden Rönten­ strahlbündels gewährleisten. Zum Monochromatisieren des Röntgenlichts aus der Quelle werden in derartigen Geräten unter anderem Vielschicht-Reflektoren eingesetzt, an denen eine Bragg-Reflexion des einfallenden Lichts erfolgt. Bei der Verwendung von ebenen Reflektoranordnungen wird jedoch die Bragg-Bedingung lediglich für einen einzigen Einfalls­ winkel θ pro eingestrahlter Wellenlänge erfüllt, so daß eine extrem hohe Parallelität der einfallenden Strahlung erfor­ derlich ist.
Eine Verbesserung demgegenüber stellen die sogenannten Gra­ dienten-Vielschichtspiegel (Graded Multilayer Mirror) dar, bei denen die verwendeten Schichten eine monoton steigende Periodendicke auf einem ebenen Substrat aufweisen, um auch ein divergentes Bündel einfallender Strahlung monochromati­ sieren zu können.
Eine weitere erhebliche Verbesserung wird erreicht durch den Einsatz eines gekrümmten Vielfachschichtspiegels, wie er in der eingangs zitierten WO 95/22758 beschrieben ist.
Die Krümmung dieses Parabolspiegels ist dabei auf eine be­ stimmte Wellenlänge abgestimmt, so daß sich neben der Mono­ chromatisierung auch eine Fokusierungswirkung auf den ein­ fallenden Strahl ergibt, ein größerer Raumwinkel der Quelle erfaßt werden kann und der austretende Strahl parallelisiert wird.
Verwirklicht wird ein derartiger gekrümmter Gradienten-Viel­ schicht-Spiegel durch sukzessive Aufbringung von Schichten lateral variierender Dicke auf ein ebenes Substrat, in der Regel ein Silizium-Wafer, anschließendes Krümmen des Sub­ strats mit dem aufgebrachten Vielschicht-Reflektor und Auf­ kleben dieser Anordnung auf einen in der Regel gekrümmten Substrathalter, der meist aus Aluminium, vorzugsweise aus Invar besteht.
Nachteilig hierbei ist jedoch die hohe Empfindlichkeit eines solchen gekrümmten Reflektors selbst bezüglich ganz geringer Geometriefehler, da die Strahlung aus der Quelle in nahezu streifendem Einfall in der Größenordnung von 1° auf die Spiegeloberfläche auftrifft. Dadurch wirkt sich jede noch so kleine Verunreinigung oder Unebenheit der Substratoberfläche verheerend auf die Formtreue des Spiegels aus. Ausführlich sind diese Effekte beispielsweise in J. Phys. D: Appl. Phys. 28 (1995) A 270 bis A 275 diskutiert.
Weiter entstehen erhebliche Fehler durch Spannungen, bzw. Relaxationseffekte des Substrats in den Randbereichen. Be­ reits eine Abweichung in der Größenordnung von 30" von der vorgegebenen parabolischen Sollkurve, was durch eine Formab­ weichung von 10 µm auf eine Länge von etwa 60 mm hervorgeru­ fen wird, wird zu merklichen Winkelfehlern führen, die sich auf Richtung und Homogenität des Querschnitts des reflek­ tierten Strahls und seine Photonenflußdichte auswirken.
Demnach genügt bereits ein Partikel in der Größenordnung ei­ nes Staubkorns auf der Oberfläche des Substrathalters, um die aufgebrachten Vielfachschichten und damit die gesamte Optik nennenswert zu "verbiegen". Aufgrund der Spannungen an den Waferenden wegen der inhomogenen Spannungsverteilung zwischen den Randbereichen und der Mitte stehen die Enden mehr oder weniger gerade vom Zentrum weg oder wölben sich gar in Gegenrichtung, so daß in diesen Bereichen einfallende Strahlen in völlig falsche Richtungen reflektiert werden.
Eine weitere, nicht zu vernachlässigende Fehlerquelle wird durch die Verwendung von Klebstoff zur Befestigung des Sub­ strats mit aufgebrachten Mehrfachschichten an einem mechani­ schen Halter hervorgerufen. Durch die Belastung mit Röntgen­ strahlung während des Betriebs kommt es oft zu einem Auf­ quellen des Klebers und damit zu einer Deformation der ge­ samten Spiegelstruktur, so daß der entsprechende Reflektor unbrauchbar wird.
Zur Herstellung eines gekrümmten Vielschicht-Bragg-Reflek­ tors nach der aus WO 95/22758 bekannten Art ist ein hoher fertigungstechnischer Aufwand erforderlich. Die zunächst ebene "Spiegelgesichtsfläche" wird durch optische Aufspren­ gung auf eine gekrümmte Referenzfläche aus Spiegelglas auf­ gebracht, wo sie durch Adhäsion in der richtigen Krümmungs­ position fixiert bleibt. Anschließend erfolgt dann die Auf­ klebung auf einen geeigneten Substrathalter.
Nachteilig ist schließlich auch die Tatsache, daß der vorge­ schlagene gekrümmte Vielschicht-Bragg-Reflektor lediglich einen Zuwachs an reflektierter Photonenflußdichte von einem Faktor 6 durch Parallelisierung des einfallenden divergenten Strahlenbündels erbringt, während der theoretisch erreichba­ re Wert eine Verbesserung um einen Faktor 30 ergeben müßte. Die Differenz zwischen der tatsächlichen und der theoreti­ schen Wirkung wird durch die oben genannten geometrischen Fehler aufgrund der Fertigung und des Aufbaus des Rönten­ spiegels erklärbar.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es demgegenüber, ein Röntgen-Analysegerät der eingangs beschriebenen Art vorzu­ stellen, bei dem die Transmission mit möglichst geringem technischen Aufwand erheblich verbessert ist und die Zuver­ lässigkeit und Lebensdauer der Komponenten deutlich erhöht ist.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß die Schichten des Reflektors direkt auf einer konkav gekrümmten Oberfläche eines paraboloidförmig ausgehöhlten Substrats aufgedampft, aufgesputtert oder aufgewachsen sind, wobei die Krümmung der konkaven Substratoberfläche in einer xy-Ebene der Formel
y2 = 2px (1)
folgt mit
0,02 mm < p < 0,5 mm,
vorzugsweise
p ≈ 0,1 mm,
  • - daß die dem Reflektor zugewandte konkave Substrat­ oberfläche eine maximal zulässige Formabweichung von
    Δp = √2px.ΔθR (2)
    aufweist,
    wobei ΔθR die Halbwertsbreite des Bragg-Reflexes des Reflektors ist, und
    im Bereich 0,01° < ΔθR < 0,5°,
    vorzugsweise 0,02° < ΔθR < 0,20°
    liegt,
  • - daß die dem Reflektor zugewandte konkave Sub­ stratoberfläche eine maximale zulässige Welligkeit (Winkelfehler) von
  • - aufweist,
  • - daß die dem Reflektor zugewandte konkave Sub­ stratoberfläche eine maximal zulässige RMS-Rauhigkeit von
    vorzugsweise Δy ≦ 0,3 nm aufweist,
  • - daß die Röntgenstrahlung unter einem Einfallswin­ kel 0° < θ ≦ 5° auf die gekrümmte Oberfläche des Re­ flektors trifft,
  • - daß sich die Periodendicke d derart entlang der x-Richtung ändert, daß die Röntgenstrahlung einer be­ stimmten Wellenlänge λ einer punktförmigen Röntgen­ quelle unabhängig vom Auftreffpunkt (x, y) auf dem Reflektor stets Bragg-Reflexion erfährt, indem die Periodendicke d in x-Richtung zur Paraboloidöffnung hin gemäß
    und
    zunimmt, wobei δ das Dekrement des mittleren Bre­ chungsindex des Vielschicht-Bragg-Reflektors ist,
  • - daß die Abweichung Δd/Δx von der in Gleichung (5) und (6) definierten Periodendicke d an jedem Punkt des Vielschicht-Bragg-Reflektors entlang der x-Richtung kleiner ist als
  • - daß für die Periodendicke d gilt:
    1 nm ≦ d ≦ 20 nm,
  • - daß für die Anzahl N der Perioden gilt:
    10 < N < 500, vorzugsweise 50 ≦ N ≦ 100,
  • - und daß für die Energie E der Lichtquanten der Röntgenstrahlung gilt:
    0,1 keV < E < 0,1 MeV.
Durch das direkte Aufbringen der Reflektorschichten auf eine konkav gekrümmte Oberfläche sind viel geringere Fertigungs­ toleranzen bezüglich der Spiegelkrümmung und der Fehlerfrei­ heit der Schichten einhaltbar, wobei der Fertigungsaufwand bei der Montage wesentlich geringer ist, da das Substrat be­ reits eine gekrümmte Oberfläche besitzt und nicht erst auf den Substrathalter aufgekrümmt werden muß. Prinzipiell kann daher der Substrathalter sogar ganz entfallen, so daß insge­ samt weniger Teile erforderlich sind. Selbst der Verwendung eines zusätzlichen Halterungskörpers und Befestigung des Substrats mittels Klebstoff auf demselben ist die Verwendung von Kleber im Hinblick auf eine kaum vermeidbare Alterung und Degeneration aufgrund der Strahlungsexposition des Kle­ bers erheblich unkritischer, da die schichtabgewandte Seite des Substrats eben sein kann und die Verbindung mit einem (Substrat-)Halter nicht unter Spannung erfolgen muß, so daß selbst bei einer leichten Veränderung der Klebeschicht im Laufe der Zeit keine wesentliche Beeinträchtigung des Spie­ gels hervorgerufen wird.
Der Vollständigkeit halber sei erwähnt, daß eine "Parabolo­ idform" auch die beiden Extremfälle Rotationsparaboloid und Parabelzylinder einschließen soll.
Die genaue Variation der Periodendicke d in x-Richtung wurde in Gleichung (5) und (6) beschrieben. Fertigungstechnische Vereinfachungen wie eine lineare Näherung sind als Abwand­ lungen der hier beschriebenen Erfindung anzusehen.
Vorteilhafterweise besteht bei Ausführungsformen des erfin­ dungsgemäßen Röntgen-Analysegeräts das Substrat aus amorphem oder polykristallinem Material, welches einerseits einfacher hochfein zu bearbeiten ist als kristallines Material was ge­ krümmte Flächen anbelangt, andererseits in der Beschaffung erheblich preisgünstiger, da es seit vielen Jahrzehnten in der optischen Industrie in großem Umfang verwendet wird.
Bei vorteilhaften Weiterbildungen dieser Ausführungsform be­ steht das Substrat aus Glas, amorphem Silicium, Keramikmate­ rial, Quarzglas oder Kunststoff, so daß die konkave Parabo­ loidoberfläche in das Substrat mit extrem hoher Genaugigkeit bei vertretbarem Fertigungsaufwand eingeschliffen bzw. ein­ poliert werden kann. Die Schichtstruktur des gekrümmten Re­ flektors wird danach insbesondere durch Aufdampfen, Aufsput­ tern oder Aufwachsen auf die konkave Substratoberfläche auf­ gebracht.
Besonders bevorzugt ist eine Ausführungsform des erfindungs­ gemäßen Rönten-Analysegeräts, bei der das Substrat eine sol­ che Dicke D aufweist, daß es als formstabiler mechanischer Trägerkörper für den gekrümmten Reflektor wirkt, wobei D vorzugsweise 0,05 L < D < 0,5 L mit L = Länge des Substrats in x-Richtung. Dadurch wird ein bislang erforderliches me­ chanisches Teil, nämlich der Substrathalter überflüssig, der eine zusätzliche Fehlerquelle und einen erhöhten Fertigungs­ aufwand hervorrufen würde. Außerdem entfällt die Verklebung Substrat und Substrathalter, so daß die oben angesprochenen Probleme einer Alterung der Klebeschicht nicht mehr auftre­ ten können.
Vorzugsweise gilt für die Anzahl n der Einzelschichten A, B, C, . . . pro Periode: 2 ≦ n ≦ 4.
Das erfindungsgemäße Röntgen-Analysegerät ist vorzugsweise Teil eines hochauflösenden Spektrometers oder Diffraktome­ ters.
Bei einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung werden die Ein­ zelschichtdicken einer Periode so gewählt, daß die 2. Beu­ gungsordnung eine Auslöschung erfährt. Bei Monochromatoren werden neben der 1. Beugungsordnung auch die höheren Beu­ gungsordnungen (2-fache, 3-fache, . . . Photonenenergie) über­ tragen. In vielen Anwendungen stören höhere Beugungsordnun­ gen, insbesondere die 2. Beugungsordnung. Besteht die Peri­ ode aus zwei Einzelschichten A und B, so kann eine struktu­ relle Auslöschung der 2. Beugungsordnung näherungsweise er­ reicht werden, indem dA = dB gewählt wird. Bei genauerer Be­ trachtung unter Berücksichtigung von Brechungs- und Absorp­ tionseffekten muß man zur Auslöschung der 2. Beugungsordnung jedoch fordern, daß dA = dB.k mit 1 ≦ k ≦ 1,05, wenn A die Einzelschicht mit der höheren Dichte und B die Einzelschicht mit der niedrigeren Dichte bezeichnet.
Eine weitere bevorzugte Ausführungsform zeichnet sich da­ durch aus, daß im Strahlengang zwischen der Quelle, der Pro­ be und dem Detektor ein Kollimator angeordnet ist, der par­ allel zueinander orientierte und auf die Strahlrichtung der Röntgenstrahlung ausgerichtete Lamellen aufweist.
Bei einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform des erfin­ dungsgemäßen Röntgen-Analysegeräts ist im Strahlengang zwi­ schen dem gekrümmten Reflektor und der Probe ein erster Mo­ nochromator angeordnet, der vorzugsweise als Mehrfach-Mono­ chromator, insbesondere als Vielfach-"Channel-Cut"-Monochro­ mator vom Typ (+--+) ausgebildet sein kann.
Eine weitere vorteilhafte Ausführungsform zeichnet sich durch einen im Strahlengang zwischen dem gekrümmten Reflek­ tor und der Probe angeordneten zweiten ebenen oder gekrümm­ ten Vielschicht-Bragg-Reflektor aus.
Vorteilhaft ist auch eine Ausführungsform, bei der im Strah­ lengang zwischen der Probe und dem Detektor ein zweiter Mo­ nochromator angeordnet ist, der insbesondere als ebener Kri­ stall-Monochromator ausgebildet sein kann.
Besonders vorteilhaft ist eine Weiterbildung mit einem zwei­ ten gekrümmten Vielschicht-Bragg-Reflektor, der den gleichen Aufbau wie der erste Reflektor aufweist und mit seiner Para­ boloidöffnung auf die Probe ausgerichtet ist, wobei eine Blende im Brennpunkt des zweiten Reflektors zwischen dem zweiten Reflektor und dem Detektor positioniert ist.
Die Kombination des zweiten Vielschicht-Bragg-Reflektors mit der Blende im Brennpunkt bildet eine Analysatoranordnung, die es erlaubt, Röntgenstrahlung einer bestimmten Wellenlän­ ge nach ihrer Austrittsrichtung zu selektieren. Insbesondere kann damit die von der Probe diffus reflektierte Strahlung austrittsrichtungsselektiv erfaßt werden.
In den Rahmen der vorliegenden Erfindung fällt auch ein ge­ krümmter Vielschicht-Bragg-Reflektor mit den oben beschrie­ benen Merkmalen zum Einbau in ein erfindungsgemäßes Röntgen- Analysegerät.
Weitere Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der Be­ schreibung und der Zeichnung. Ebenso können die vorstehend genannten und die noch weiter aufgeführten Merkmale erfin­ dungsgemäß jeweils einzeln für sich oder zu mehreren in be­ liebigen Kombinationen Verwendung finden. Die gezeigten und beschriebenen Ausführungsformen sind nicht als abschließende Aufzählung zu verstehen, sondern haben vielmehr beispielhaf­ ten Charakter für die Schilderung der Erfindung.
Die Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und wird anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1: eine erste Ausführungsform des erfindungsgemäßen Röntgen-Analysegeräts;
Fig. 2: den schematischen Aufbau des der Monochromatisie­ rung und Parallelisierung dienenden gekrümmten Vielschicht-Bragg-Reflektors;
Fig. 3: den schematischen Strahlengang am Vielschicht- Bragg-Reflektor nach Fig. 2;
Fig. 4a: ein Beispiel für die sog. spärische Aberration bei der Approximation eines Parabelzylinderspiegels mit p = 0,1 mm durch einen Kreiszylinderspiegel von 7643 mm Radius und einer Mittelpunktsposition von (x0 = 90 mm, y0 = -7639 mm);
Fig. 4b: die Strahlablenkung Δα aufgrund der sphärischen Ab­ erration bei Zugrundelegung des in Fig. 4a darge­ stellten Kreiszylinderspiegels im Bereich 60 mm ≦ x ≦ 120 mm;
Fig. 5: eine weitere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Röntgen-Analysegeräts zur Vermessung von massiven Werkstücken;
Fig. 6: eine Ausführungsform mit Vierfach-"Channel-Cut"-Mo­ nochromator vom Tpy (+--+);
Fig. 7: eine Ausführungsform mit einem zweiten Bragg- Reflektor;
Fig. 8: eine Ausführungsform mit einem zweiten Monochroma­ tor; und
Fig. 9: eine Ausführungsform mit einem zweiten gekrümmten Vielschicht-Bragg-Reflektor und einem "Channel- Cut"-Monochromator.
Das in Fig. 1 schematisch dargestellte Dünnschicht-Diffrak­ tometer umfaßt eine aus einer Glühkathode 1, einer Fokus­ sierelektrode 2 und eine Anode 3 bestehende Röntgenröhre 4, einen parabolisch gekrümmten Vielschicht-Bragg-Reflektor 5 zur Parallelisierung und Umlenkung der von dem strichförmi­ gen Elektronenfokus 6 auf der Anode 3 divergent austretenden Röntgenstrahlung 7 in Richtung der auf einem Glassubstrat 8 angeordneten Dünnschichtprobe 9, einen Detektor 10 (z. B. Proportionalzähler, Szintillationszähler etc.) sowie einen dem Detektor 10 vorgelagerten Kollimator 11. Da die Lamellen des Kollimators 11 parallel zueinander orientiert und auf die im Zentrum des Meßkreises 12 dreh- und höhenverstellbar gelagerte Probe 9 ausgerichtet sind, gelangt nur die unter einem definierten Winkel 2 ϑ von der Probe gestreute Rönt­ genstrahlung 13 als nahezu paralleles Bündel zum Detektor 10. Die Divergenz der vom Detektor 10 erfaßten Strahlung 13 hängt hierbei vom verwendeten Kollimator ab und beträgt ty­ pischerweise 0,1 bis 0,4°. Weiterhin enthält das Diffrakto­ meter justierbare Blenden 14, 15, die den Querschnitt des primären Röntgenstrahls 7 und des die Probe 9 beleuchtenden Parallelstrahls 7' in horizontaler Richtung begrenzen.
Als Röntgenspiegel zur Erzeugung des parallelen monochroma­ tischen Strahlenbündels 7' ist in dem erfindungsgemäßen Dif­ fraktometer ein gekrümmter Vielschicht-Bragg-Reflektor 5 vorgesehen. Dieser im oberen Teil von Fig. 2 schematisch im Schnitt dargestellte Paraboloid-Röntgenspiegel enthält eine sich periodisch wiederholende Folge von Schichten aus Mate­ rialien A und B mit den Brechungsindex-Dekrementen δA ≠ δB, wobei die Anzahl der Einzelschichten innerhalb einer Periode mindestens zwei ist. Die einzelnen Schichten erzeugt man vorzugsweise durch Aufsputtern, Aufdampfen oder Aufwachsen der entsprechenden Materialien A bzw. B z. B. auf einer sehr glatten, vorzugsweise geschliffenen und polierten konkav ge­ krümmten Oberfläche eines paraboloidförmig ausgehöhlten Sub­ strats S, wobei die Schichten amorph oder kristallin sein können. Für einen aus einer periodischen Folge von zwei Schichten bestehenden Vielschicht-Bragg-Reflektor 5 kommt beispielsweise die Kombination der Materialien A/B : Mo/B4C, Re/Si, Re/C, W/Si, W/C, Ta/Si, W/Be, Mo/Be, Mo/Si, Mo/C, Ni/C, Au/C, AuPd/C, ReW/B, ReW/C, Al/Be oder V/C in Be­ tracht.
Um den divergent auf den parabolisch gekrümmten Vielschicht­ spiegel 5 einfallenden Primärstrahl 7 in ein monochromati­ sches paralleles Strahlenbündel 7' zu reflektieren, darf die durch die Periodendicke d = dA + dB gegebene "Gitterkon­ stante" des Systems nicht konstant sein. Die Periodendicke d muß sich vielmehr über die Länge des Reflektors 5 derart ändern, daß Röntgenstrahlung einer bestimmten Wellenlänge unabhängig vom Auftreffort bzw. Einfallswinkel stets die Bragg-Gleichung erfüllt. In Fig. 2 ist die Zunahme der Peri­ odendicke d mit der Länge l des Reflektors 5 in X-Richtung stark überzeichnet dargestellt. In der Praxis beträgt die Periodendicke d für einen W/Si-Reflektor und Cu-Kα-Strahlung am Punkt a (l = 0 mm) beispielsweise d (a) = 4 nm.
Sie wächst dann gemäß Gleichung (5) und (6) mit der Länge l an, um am Punkt b (l = 50 mm) schließlich den Wert d (b) = 5 nm anzunehmen (s. auch Fig. 3). Die röntgenopti­ schen Eigenschaften solcher als "Graded-Multilayer-Bragg"- Struktur bezeichneten Vielschichtsysteme sind näher be­ schrieben in SPIE Vol. 563, Application of Thin-Film Multi­ layered Structures to Figured X-Ray Optics (1985), S. 114-134.
Die schichtseitige Oberfläche des Substrats S folgt, wie in Fig. 2 schematisch dargestellt, in der xy-Ebene einer Krüm­ mung gemäß der Formel y2 = 2 px mit p ≈ 0,1 mm. Damit ergibt sich eine paraboloidförmige konkave Aushöhlung des Substrats S, deren Kontur die aufgebrachten Schichten A, B folgen.
Strichpunktiert gezeichnet ist die zur x-Richtung parallele Symmetrieachse der Parabeln mit dem Brennpunkt F. Bei einer Punktquelle nimmt der Reflektor 5 vorzugsweise die Form ei­ nes Rotationsparaboloids um die strichpunktiert gezeichnete Symmetrieachse der Parabeln an. Bei einer Strichquelle nimmt der Reflektor 5 vorzugsweise die Form eines Parabelzylinders an. Im Prinzip sind auch alle Paraboloide als Zwischenformen denkbar.
Ein in ca. 150 mm Entfernung vom Röhrenbrennfleck 6 angeord­ nete und etwa 60 mm lange Vielschicht-Bragg-Reflektor 5 kann beispielsweise Cu-Kα-Strahlung mit einer Strahldivergenz von etwa 0,5° erfassen und sie mit annähernd 80% der Primär­ strahlintensität in ein ca. 1 mm breites paralleles und monochromatisches Strahlenbündel reflektieren.
Fig. 3 zeigt schematisch den Strahlengang am Paraboloid- Röntgenspiegel 5 nach Fig. 2. Die von der linienförmigen, senkrecht zur Zeichenebene im Fokus F positionierten Rönt­ durch das parabolische Bragg-Gitter des Gradienten-Vielfach­ schicht-Spiegels 5 so gebeugt, daß ein reflektiertes Paral­ lelstrahlenbündel 7' entsteht.
Besonders wichtig für die Leistungsfähigkeit des erfindungs­ gemäßen Röntgen-Analysegeräts ist die Genauigkeit des loka­ len d-Werts sowie die Genauigkeit der Parabelform des ge­ krümmten Vielschicht-Bragg-Reflektors 5. Zur Visualisierung eines prinzipiellen Optikfehlers, der sogenannten sphäri­ schen Aberration ist in Fig. 4a die Abweichung der Kreisform 41 von der Parabelform 40 (stark überhöht) dargestellt. Die Kurven 40 und 41 schneiden sich bei einem x-Wert von 90 mm. Die Parabel 40 folgt wiederum der Formel y = 2px mit p = 0,1 mm, während der Kreis (bzw. die Kugel) 41 im gezeig­ ten Beispiel einen Radius von 7,643 m besitzt.
Diese sogenannte sphärische Aberration ist im Zusammenhang mit der zu fordernden Formgenauigkeit des Paraboloid-Reflek­ tors 5 hervorhebenswert, da fast in der gesamten Lichtoptik, bei der achsennahe Strahlen vorausgesetzt werden, durch die sphärische Abweichung von der paraboloiden Form entstehende Fehler einfach hingenommen werden. Beim vorliegenden erfin­ dungsgemäßen Röntgen-Analysegerät jedoch tritt die Röntgen­ strahlung 7 unter einem sehr flachen Einfallswinkel θ ≈ 1° auf die gekrümmte Oberfläche des Reflektors 5 auf, was bei Vorliegen der sphärischen Aberration zu erheblichen Abbil­ dungsfehlern führen würde.
Fig. 4b zeigt schematisch die Strahlenablenkung α als Funk­ tion vom Abstand x des Auftreffpunkts auf Grund der sphäri­ schen Aberration bei Zugrundelegung eines Reflektors, der der in Fig. 4a gezeigten sphärischen Kurve 41 folgt. Der ak­ zeptable Grenzwert der Strahlenablenkung Δα ist gestrichelt gezeichnet. Bei diesem Grenzwert kommt es bereits zu einem fast vollständigen Intensitätsverlust der reflektierten Strahlung.
Dementsprechend werden folgende Anforderungen an einen gekrümmten Vielschicht-Bragg-Reflektor 5 zum Einsatz in einem erfindungsgemäßen Röntgen-Analysegerät formuliert:
  • 1. Zielgenauigkeit der Deposition (Wie genau müssen d-Wert und Fokusabstand zusammenstimmen, wenn man annimmt, daß das Substrat formgetreu ist?)
    Maximale d-Wert-Abweichung bei gegebenem Fokusabstands­ intervall:
    Δd/Δf = 0,5 d/f
    Für die in der Diffraktometrie typischerweise verwendete Röntgenstrahlung Cu-Ka (λ = 0,154 nm, E = 8045 eV), einen Spiegel bestehend aus abwechselnden Schichten von W und Si und einem Parabelparameter p = 0,1 mm ergibt sich für einen mittleren Spiegelabstand xo von der Röntgenquelle folgende maximal zulässige Abweichung vom idealen d(x)-Zusammenhang, wie oben in Gleichung (5) und (6) definiert:
    Δd/Δx = 0,018 nm/mm für xo = 90 mm
    Δd/ΔAx = 0,014 nm/mm für xo = 150 mm
    Der ideale d(f)-Zusammenhang lautet:
    d(f) = λ (f/2p)\-1/\_2
    In dem hier interessanten Bereich von f = 70 . . . 110 mm bzw. 120 . . . 80 mm verläuft d(f) fast linear.
  • 2. Formtreue der Parabel (Welche Winkelfehler darf die Para­ belform aufweisen, damit der austretende Strahl gegenüber der inhärenten Divergenz keine wesentliche Divergenzver­ größerung erfährt?)
    Die Halbwertsbreite ΔθR des Bragg-Reflexes einer Viel­ fachschicht beträgt ΔθR = 0,232 λd(ΦA - ΦB) [siehe AIP Conf. Proc. (USA) 75 (1981 170-178].
    Für die in der Diffraktometrie typischerweise verwendete Röntgenstrahlung Cu-Ka (λ = 0,154 nm, E = 8045 eV), einen Spiegel bestehend aus abwechselnden Schichten von W und Si (A = W, B = Si) und einem Parabelparameter p = 0,1 mm ergeben sich für einen Abstand x von der Röntgenquelle folgende maximal zulässige Winkelfehler 0,5 ΔθR der Para­ bel/Vielfachschicht:
    Wohlgemerkt, die in der Tabelle aufgeführten Werte 0,5 ΔθR führen zu fast vollständigem Intensitätsverlust. Die Firma Zeiss spezifiziert den Winkelfehler ihrer ge­ schliffenen Parabol-Spiegel mit: ≦ 1 arcsec = 0,00028°.
    Aus obigen Winkelfehlertoleranzen ergibt sich die Forde­ rung nach einer echten Parabelform. Welchen Fehler man machen würde, wenn man statt der Parabel- eine Kreisform verwendet, sieht man aus Fig. 4b.
  • 3. Rauhigkeit der Substratoberfläche (Aus welchen unter­ schiedlichen Höhen darf der Strahl reflektiert werden, damit die Intensität des austretenden Strahls nicht weg­ interferiert wird?)
    Δy = λ/(4π sin θ) = d/2π (Grenzwert für 1/e Abfall, d. h. 63% Intensitätsverlust)
    Für die in der Diffraktometrie typischerweise verwendete Röntgenstrahlung Cu-Ka (λ = 0,154 nm, E = 8045 eV), einen Spiegel bestehend aus abwechselnden Schichten von W und Si (A = W, B = Si) und einem Parabelparameter p = 0,1 mm ergibt sich für einen Abstand x von der Röntgenquelle folgende maximal zulässige Abweichung Δy von der idealen Parabelform:
    Dynamische Rechnungen gemäß der Fresnel'schen Theorie er­ geben genauere Werte, die jedoch betragsmäßig ähnlich sind. Zeiss spezifiziert die RMS-Rauhigkeit seiner ge­ schliffenen Parabol-Spiegel aus Quartz mit: ≦ 0,5 nm. In der Regel erreicht Zeiss 0,3 nm.
Aufgrund der in einem erfindungsgemäßen Analysegerät ver­ wirklichten Parallelstrahl-Röntgenoptik hat die Probengeome­ trie keinen Einfluß auf die Winkelgenauigkeit und Winkelauf­ lösung der jeweiligen Messung. In dem in Fig. 5 dargestell­ ten Diffraktometer lassen sich daher beispielsweise auch massive Werkstücke 18 beliebiger Form (Formteile), Bruchflä­ chen, Korrosionsflächen und Ausgrabungsgegenstände untersu­ chen, die nicht verändert werden dürfen.
Bei dem in Fig. 6 unten dargestellten Parallelstrahl-Mehr- Kristall-Diffraktometer ist dem als Kondensor dienenden Vielschicht-Bragg-Reflektor 5 ein beispielsweise aus der US-A-4,567,605 an sich bekannter "Channel-Cut"-Monochroma­ tor 19 nachgeschaltet, der das parallele Primärstrahl­ bündel 7' in Richtung der im Zentrum eines hochauflösenden Omega-Goniometers angeordneten Probe 20 umlenkt. Da ein paralleles Strahlenbündel in den Monochromator 19 eintritt, wird nahezu die gesamte Primärstrahlintensität transmit­ tiert. Bei dem in konventionellen Mehrkristall-Diffraktome­ tern verwirklichten divergenten Strahlengang (siehe Fig. 6 oben) geht hingegen mehr als 90% der Primärstrahlintensität bei der Reflexion am dritten Monochromatorkristall 21 verlo­ ren.
Zwei-Kristall-Diffraktometer eignen sich für hochgenaue Un­ tersuchungen der Realstruktur von Einkristallen im Vergleich zu einem idealen Referenzkristall. Um auch in solchen Gerä­ ten eine Parallelstrahl-Röntgenoptik zu verwirklichen, ist ein wiederum als Kondensor wirkender Vielschicht-Bragg- Reflektor 5 im Strahlengang zwischen der Röntgenröhre 4 und einem hochreinen Referenzkristall 22 angeordnet, wie in Fig. 7 schematisch dargestellt ist. Die am Referenz­ kristall 22 Bragg-reflektierte Strahlung 23 fällt dann als paralleles Bündel auf die Probe 24, wird dort nochmals ge­ beugt und schließlich als paralleles Bündel 25 im Detek­ tor 10 nachgewiesen.
Mit dem in Fig. 8 dargestellten Parallelstrahl-Reflektometer lassen sich insbesondere dünne Schichten 26 und glatte Ober­ flächen untersuchen, wobei man die Größe des vom parallen Primärstrahlbündel 27 ausgeleuchteten Bereichs mit Hilfe einer in Pfeilrichtung verschiebbaren Schneidenblende 28 variieren kann. Ein einem Szintiallationszähler 29 vorgela­ gerter ebener Monochromator 30 dient der Unterdrückung uner­ wünschter Streustrahlung. Er ist unmittelbar hinter einer Blende 31 angeordnet, deren Abstand zur Probe 26 etwa 50 cm beträgt.
Fig. 9 schließlich zeigt eine Ausführungsform des erfin­ dungsgemäßen Röntgen-Analysegeräts, bei der in Strahlrich­ tung des reflektierten Parallelstrahlenbündels 7' dem ersten Vielschicht-Bragg-Reflektor 5 ein "Channel-Cut"-Monochroma­ tor 19 folgt, der im Prinzip denselben Aufbau aufweist wie der in Fig. 6 gezeigte. Diesem folgt in Strahlrichtung eine Probe 32. Die unter einem Winkel 2 ϑ von der Probe 32 re­ flektierte Strahlung trifft unter flachem Winkel auf einen zweiten gekrümmten Vielschicht-Bragg-Reflektor 35, der den gleichen Aufbau wie der erste Reflektor 5 aufweist und mit seiner Paraboloidöffnung auf die Probe 32 ausgerichtet ist. Im Brennpunkt des zweiten Reflektors 35, zwischen diesem und dem Detektor 29 ist eine Blende 33 positioniert.
Die Anordnung nach Fig. 9 erlaubt es, die von der Probe 32 diffus reflektierte Strahlung selektiv nach ihrer Austritts­ richtung zu erfassen, da die Kombination aus dem zweiten Vielschicht-Bragg-Reflektor 35 und der in seinem Brennpunkt angeordneten Blende 33 als Analysator wirkt.

Claims (15)

1. Röntgen-Analysegerät mit
  • 1. einer Röntgenstrahlung (7) emittierenden Quelle (6),
  • 2. einer zu analysierenden Probe (9; 18; 20; 24; 26; 32),
  • 3. einem auf Röntgenstrahlung ansprechenden Detektor (10; 29),
  • 4. strahlformenden und/oder strahlbegrenzenden Mitteln (14, 15; 28, 31; 33) und
  • 5. einem gekrümmten Vielschicht-Bragg-Reflektor (5), der im Strahlgang zwischen der Quelle (6) und der Probe angeordnet ist und eine sich periodisch wiederholen­ den Folge von Schichten umfaßt, wobei eine Periode aus mindestens zwei Einzelschichten A, B besteht, die unterschiedliche Brechungsindex-Dekremente δA ≠ δB und die Dicken dA und dB besitzen,
  • 6. wobei die Periodendicke, also die Summe d = dA + dA + dC + der Einzelschichten A, B, C, . . . einer Periode entlang einer x-Richtung sich stetig ändert, und
  • 7. wobei der Reflektor (5) derart gekrümmt ist, daß er eine Teilfläche eines Paraboloids bildet, in dessen Brennlinie bzw. Brennpunkt die Quelle (6) oder ein Bild der Quelle (6) liegt, so daß nach der Reflexion ein Parallelstrahlenbündel (7') entsteht,
dadurch gekennzeichnet,
  • 1. daß die Schichten des Reflektors (5) direkt auf einer konkav gekrümmten Oberfläche eines paraboloidförmig ausgehöhlten Substrats (S) aufgedampft, aufgesputtert oder aufgewachsen sind, wobei die Krümmung der konka­ ven Substratoberfläche in einer xy-Ebene der Formel
    y2 = 2px
    folgt mit 0,02 mm < p < 0,5 mm, vorzugsweise p ≈ 0,1 mm,
  • 2. daß die dem Reflektor (5) zugewandte konkave Sub­ stratoberfläche eine maximal zulässige Formabweichung von
    Δp = √2px.ΔθR
    aufweist,
    wobei ΔθR die Halbwertsbreite des Bragg-Reflexes des Reflektors (5) ist, und im Bereich
    0,01° < ΔθR < 0,5°, vorzugsweise
    0,02° < ΔθR < 0,20° liegt,
  • 3. daß die dem Reflektor (5) zugewandte konkave Sub­ stratoberfläche eine maximale zulässige Welligkeit von
    aufweist,
  • 4. daß die dem Reflektor (5) zugewandte konkave Sub­ stratoberfläche eine maximal zulässige Rauhigkeit von
    vorzugsweise Δy ≦ 0,3 nm aufweist,
  • 5. daß die Röntgenstrahlung (7) unter einem Einfallswin­ kel 0° < θ ≦ 5° auf die gekrümmte Oberfläche des Re­ flektors (5) trifft,
  • 6. daß sich die Periodendicke d derart entlang der x-Richtung ändert, daß die Röntgenstrahlung einer be­ stimmten Wellenlänge λ einer punktförmigen Röntgen­ quelle unabhängig vom Auftreffpunkt (x, y) auf dem Reflektor (5) stets Bragg-Reflexion erfährt, indem die Periodendicke d zur Paraboloidöffnung hin in x-Richtung gemäß
    und
    zunimmt, wobei δ das Dekrement des mittleren Bre­ chungsindex des Vielschicht-Bragg-Reflektors (5) ist,
  • 7. daß die Abweichung Δd/Δx der Periodendicke d an jedem Punkt des Vielschicht-Bragg-Reflektors (5) entlang der x-Richtung kleiner ist als
  • 8. daß für die Periodendicke d gilt:
    1 nm ≦ d ≦ 20 nm,
  • 9. daß für die Anzahl N der Perioden gilt:
    10 < N < 500, vorzugsweise 50 ≦ N ≦ 100,
  • 10. und daß für die Energie E der Lichtquanten der Röntgenstrahlung gilt:
    0,1 keV < E < 0,1 MeV.
2. Röntgen-Analysegerät nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Substrat (S) aus amorphem oder poly­ kristallinem Material besteht.
3. Röntgen-Anlaysegerät nach Anspruch 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Substrat (S) aus Glas, amorphem Silizium, Keramikmaterial, Quarzglas oder Kunststoff besteht.
4. Röntgen-Analysegerät nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (5) eine solche Dicke D aufweist, daß es als formstabiler mechanischer Trägerkörper für den Reflektor (5) wirkt, wobei D vorzugsweise 0,05 L < D < 0,5 L mit L = Länge des Substrats (S) in x-Richtung.
5. Röntgen-Analysegerät nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß für die Anzahl n der Einzelschichten A, B, C, . . pro Periode gilt:
2 ≦ n ≦ 4.
6. Röntgen-Analysegerät nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Röntgen-Analy­ segerät Teil eines hochauflösenden Spektrometers oder Diffraktometers ist.
7. Röntgen-Analysegerät nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß jede Periode aus genau zwei Einzelschichten A und B besteht, wobei die Schichtdicken im Intervall dA.0,95 ≦ dB ≦ dA.1,05 liegen.
8. Röntgen-Analysegerät nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß im Strahlengang zwischen der Quelle (6), der Probe (9; 18) und dem Detektor (10) ein Kollimator (11) angeordnet ist, der parallel zueinander orientierte und auf die Strahlrich­ tung der Röntgenstrahlung (7) ausgerichtete Lamellen aufweist.
9. Röntgen-Analysegerät nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, gekennzeichnet durch einen im Strahlengang zwischen dem gekrümmten Reflektor (5) und der Probe (20) angeordneten ersten Monochromator (19).
10. Röntgen-Analysegerät nach Anspruch 9, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der erste Monochromator (19) ein Mehr­ fach-Monochromator, vorzugsweise ein Channel-Cut-Mono­ chromator ist.
11. Röntgen-Analysegerät nach einem der Ansprüche 1 bis 7, gekennzeichnet durch einen im Strahlengang zwischen dem gekrümmten Reflektor (5) und der Probe (24) angeordne­ ten zweiten ebenen oder gekrümmten Vielschicht-Bragg- Reflektor (22).
12. Röntgen-Analysegerät nach einem der Ansprüche 1 bis 7, gekennzeichnet durch einen im Strahlengang zwischen der Probe (26) und dem Detektor (29) angeordneten zweiten Monochromator (30).
13. Röntgen-Analysegerät nach Anspruch 12, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der zweite Monochromator (30) ein ebener Kristall-Monochromator ist.
14. Röntgen-Analysegerät nach einem der Ansprüche 1 bis 7, gekennzeichnet durch einen im Strahlengang zwischen der Probe (32) und dem Detektor (39) angeordneten weiteren gekrümmten Vielschicht-Bragg-Reflektor (35), der den­ selben Aufbau wie der erste Reflektor (5) aufweist und mit seiner Paraboloidöffnung auf die Probe (32) ausge­ richtet ist, wobei eine Blende (33) im Brennpunkt des weiteren Reflektors (35) zwischen dem weiteren Reflek­ tor (35) und dem Detektor (29) positioniert ist.
15. Gekrümmter Vielschicht-Bragg-Reflektor (5; 35) zum Ein­ bau in ein Röntgen-Analysegerät nach einem der vorher­ gehenden Ansprüche.
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002022681A (ja) * 2000-05-29 2002-01-23 Koninkl Philips Electronics Nv 多層鏡及び射出コリメータが設けられるx線分析装置
EP1324351A2 (de) * 2001-12-18 2003-07-02 Bruker AXS GmbH Röntgen-optisches System mit Blende im Fokus eines Röntgen-Spiegels
DE10254026B4 (de) * 2002-11-20 2006-09-14 Incoatec Gmbh Reflektor für Röntgenstrahlung
DE102008049163A1 (de) * 2008-09-24 2010-04-08 BAM Bundesanstalt für Materialforschung und -prüfung Vorrichtung zum Bestrahlen mit Röntgenstrahlung
EP2175456A2 (de) 2008-10-08 2010-04-14 Incoatec GmbH Röntgenanalyseinstrument mit verfahrbarem Aperturfenster
US7860217B2 (en) 2007-09-28 2010-12-28 Rigaku Corporation X-ray diffraction measuring apparatus having debye-scherrer optical system therein, and an X-ray diffraction measuring method for the same
DE102013008486A1 (de) 2013-05-18 2014-11-20 Saxray GmbH Rauscharmes optisches Element zur Detektion von Strahlung mittels Messung elektrischer Signale
DE112010001478B4 (de) * 2009-07-01 2016-05-04 Rigaku Corp. Verwendung einer Röntgenvorrichtung
US9335282B2 (en) 2012-04-02 2016-05-10 Rigaku Corporation X-ray topography apparatus
EP3147654A4 (de) * 2014-06-05 2017-12-20 Rigaku Corporation Röntgenstrahldiffraktometer
EP3364421A1 (de) * 2017-02-17 2018-08-22 Rigaku Corporation Röntgenoptische vorrichtung

Families Citing this family (83)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6345086B1 (en) * 1999-09-14 2002-02-05 Veeco Instruments Inc. X-ray fluorescence system and method
US6317483B1 (en) * 1999-11-29 2001-11-13 X-Ray Optical Systems, Inc. Doubly curved optical device with graded atomic planes
US6556652B1 (en) * 2000-08-09 2003-04-29 Jordan Valley Applied Radiation Ltd. Measurement of critical dimensions using X-rays
DE10040813A1 (de) * 2000-08-21 2002-03-21 Zeiss Carl Spektrometeranordnung
GB0031040D0 (en) * 2000-12-20 2001-01-31 Koninkl Philips Electronics Nv X-ray diffractometer
US6870896B2 (en) 2000-12-28 2005-03-22 Osmic, Inc. Dark-field phase contrast imaging
US6804324B2 (en) * 2001-03-01 2004-10-12 Osmo, Inc. X-ray phase contrast imaging using a fabry-perot interferometer concept
US6512814B2 (en) * 2001-04-12 2003-01-28 Jordan Valley Applied Radiation X-ray reflectometer
JP2005503671A (ja) * 2001-09-18 2005-02-03 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ X線を用いて半導体材料のウェハを検査する方法
US6771735B2 (en) * 2001-11-07 2004-08-03 Kla-Tencor Technologies Corporation Method and apparatus for improved x-ray reflection measurement
DE10160472B4 (de) * 2001-12-08 2004-06-03 Bruker Axs Gmbh Röntgen-optisches System und Verfahren zur Abbildung einer Strahlungsquelle
US6822995B2 (en) * 2002-02-21 2004-11-23 Finisar Corporation GaAs/AI(Ga)As distributed bragg reflector on InP
US7295586B2 (en) * 2002-02-21 2007-11-13 Finisar Corporation Carbon doped GaAsSb suitable for use in tunnel junctions of long-wavelength VCSELs
JP2003255089A (ja) * 2002-03-05 2003-09-10 Rigaku Industrial Co X線分光素子およびそれを用いた蛍光x線分析装置
DE60308645T2 (de) * 2002-06-19 2007-10-18 Xenocs Optische anordnung und verfahren dazu
EP1532639A2 (de) * 2002-07-26 2005-05-25 Bede Plc Optisches bauelement für energiereiche strahlung
WO2004012236A2 (en) * 2002-07-30 2004-02-05 Stephen John Henderson High reflectivity and high flux x-ray optic element and method of making same using ald
US6792075B2 (en) * 2002-08-21 2004-09-14 Hypernex, Inc. Method and apparatus for thin film thickness mapping
EP1403882B1 (de) * 2002-09-03 2012-06-13 Rigaku Corporation Parabolspiegel und bewegliche Röntgenquelle zur Erzeugung von parallelen Röntgenstrahlen unterschiedlicher Wellenlängen
JP3757199B2 (ja) * 2002-09-03 2006-03-22 株式会社リガク X線小角散乱光学系
US7072442B1 (en) * 2002-11-20 2006-07-04 Kla-Tencor Technologies Corporation X-ray metrology using a transmissive x-ray optical element
US20040234030A1 (en) * 2002-12-06 2004-11-25 Miller Jesse R. Method and apparatus for x-ray diffraction analysis
WO2004079754A1 (en) * 2003-02-28 2004-09-16 Osmic, Inc. X-ray optical system with adjustable convergence
DE10322137A1 (de) * 2003-05-16 2004-12-16 Siemens Ag Röntgengerät mit verbesserter Effizienz
JP2005083862A (ja) * 2003-09-08 2005-03-31 Canon Inc 光学薄膜およびこれを用いたミラー
JP2005339933A (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Yazaki Corp シールド電線の固定構造
US7068753B2 (en) * 2004-07-30 2006-06-27 Jordan Valley Applied Radiation Ltd. Enhancement of X-ray reflectometry by measurement of diffuse reflections
US7120228B2 (en) * 2004-09-21 2006-10-10 Jordan Valley Applied Radiation Ltd. Combined X-ray reflectometer and diffractometer
US7600916B2 (en) * 2004-12-01 2009-10-13 Jordan Valley Semiconductors Ltd. Target alignment for X-ray scattering measurements
US7076024B2 (en) * 2004-12-01 2006-07-11 Jordan Valley Applied Radiation, Ltd. X-ray apparatus with dual monochromators
US7474732B2 (en) 2004-12-01 2009-01-06 Jordan Valley Applied Radiation Ltd. Calibration of X-ray reflectometry system
US7804934B2 (en) 2004-12-22 2010-09-28 Jordan Valley Semiconductors Ltd. Accurate measurement of layer dimensions using XRF
US7110491B2 (en) * 2004-12-22 2006-09-19 Jordan Valley Applied Radiation Ltd. Measurement of critical dimensions using X-ray diffraction in reflection mode
US7139365B1 (en) 2004-12-28 2006-11-21 Kla-Tencor Technologies Corporation X-ray reflectivity system with variable spot
US7415096B2 (en) * 2005-07-26 2008-08-19 Jordan Valley Semiconductors Ltd. Curved X-ray reflector
EP1925932B1 (de) * 2005-08-29 2017-02-22 Rigaku Corporation Kleinwinkelröntgenstreustrahlungsvorrichtung und messverfahren für kleinwinkelröntgenstreustrahlung
KR101374308B1 (ko) * 2005-12-23 2014-03-14 조르단 밸리 세미컨덕터즈 리미티드 Xrf를 사용한 층 치수의 정밀 측정법
US7742564B2 (en) * 2006-01-24 2010-06-22 The University Of North Carolina At Chapel Hill Systems and methods for detecting an image of an object by use of an X-ray beam having a polychromatic distribution
US7519153B1 (en) * 2006-03-24 2009-04-14 Kla-Tencor Technologies Corporation X-ray metrology with diffractors
US7481579B2 (en) * 2006-03-27 2009-01-27 Jordan Valley Applied Radiation Ltd. Overlay metrology using X-rays
DE102006015933B3 (de) * 2006-04-05 2007-10-31 Incoatec Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Justieren eines optischen Elements
US20070274447A1 (en) * 2006-05-15 2007-11-29 Isaac Mazor Automated selection of X-ray reflectometry measurement locations
US7406153B2 (en) * 2006-08-15 2008-07-29 Jordan Valley Semiconductors Ltd. Control of X-ray beam spot size
IL180482A0 (en) * 2007-01-01 2007-06-03 Jordan Valley Semiconductors Inspection of small features using x - ray fluorescence
US20080192889A1 (en) * 2007-02-14 2008-08-14 Martin Rohde Handheld x-ray fluorescence spectrometer
WO2009012352A1 (en) * 2007-07-18 2009-01-22 Bruker Biosciences Corporation Handheld spectrometer including wireless capabilities
US7680243B2 (en) * 2007-09-06 2010-03-16 Jordan Valley Semiconductors Ltd. X-ray measurement of properties of nano-particles
JP4861283B2 (ja) * 2007-09-28 2012-01-25 株式会社リガク X線回折装置およびx線回折方法
JP4861284B2 (ja) * 2007-09-28 2012-01-25 株式会社リガク X線回折装置およびx線回折方法
US7801272B2 (en) * 2007-09-28 2010-09-21 Rigaku Corporation X-ray diffraction apparatus and X-ray diffraction method
KR100949141B1 (ko) * 2007-11-06 2010-03-25 원광대학교산학협력단 X-선 튜브 광원에서의 특성방사선 획득 장치
US20090252977A1 (en) * 2008-04-07 2009-10-08 Canon Kabushiki Kaisha Multilayer film reflector
CA2745370A1 (en) 2008-12-01 2010-06-10 Brookhaven Science Associates Systems and methods for detecting an image of an object using multi-beam imaging from an x-ray beam having a polychromatic distribution
WO2010141735A2 (en) * 2009-06-04 2010-12-09 Nextray, Inc. Strain matching of crystals and horizontally-spaced monochromator and analyzer crystal arrays in diffraction enhanced imaging systems and related methods
US8204174B2 (en) * 2009-06-04 2012-06-19 Nextray, Inc. Systems and methods for detecting an image of an object by use of X-ray beams generated by multiple small area sources and by use of facing sides of adjacent monochromator crystals
US8243878B2 (en) * 2010-01-07 2012-08-14 Jordan Valley Semiconductors Ltd. High-resolution X-ray diffraction measurement with enhanced sensitivity
US8687766B2 (en) 2010-07-13 2014-04-01 Jordan Valley Semiconductors Ltd. Enhancing accuracy of fast high-resolution X-ray diffractometry
KR101170452B1 (ko) 2010-08-12 2012-08-07 한국원자력연구원 다층박막구조를 이용한 반파장 억제 방법 및 이를 이용한 장치
US8437450B2 (en) 2010-12-02 2013-05-07 Jordan Valley Semiconductors Ltd. Fast measurement of X-ray diffraction from tilted layers
DE102010062472A1 (de) * 2010-12-06 2012-06-06 Bruker Axs Gmbh Punkt-Strich-Konverter
US8781070B2 (en) 2011-08-11 2014-07-15 Jordan Valley Semiconductors Ltd. Detection of wafer-edge defects
US9390984B2 (en) 2011-10-11 2016-07-12 Bruker Jv Israel Ltd. X-ray inspection of bumps on a semiconductor substrate
US20130108023A1 (en) * 2011-11-02 2013-05-02 Alex Deyhim Development of a double crystal monochromator
US9269468B2 (en) * 2012-04-30 2016-02-23 Jordan Valley Semiconductors Ltd. X-ray beam conditioning
US9389192B2 (en) 2013-03-24 2016-07-12 Bruker Jv Israel Ltd. Estimation of XRF intensity from an array of micro-bumps
JP6025211B2 (ja) * 2013-11-28 2016-11-16 株式会社リガク X線トポグラフィ装置
EP2896960B1 (de) * 2014-01-15 2017-07-26 PANalytical B.V. Röntgenvorrichtung für SAXS und Bragg-Brentano Messungen
US9632043B2 (en) 2014-05-13 2017-04-25 Bruker Jv Israel Ltd. Method for accurately determining the thickness and/or elemental composition of small features on thin-substrates using micro-XRF
US9726624B2 (en) 2014-06-18 2017-08-08 Bruker Jv Israel Ltd. Using multiple sources/detectors for high-throughput X-ray topography measurement
US9606073B2 (en) 2014-06-22 2017-03-28 Bruker Jv Israel Ltd. X-ray scatterometry apparatus
US9829448B2 (en) 2014-10-30 2017-11-28 Bruker Jv Israel Ltd. Measurement of small features using XRF
JP6069609B2 (ja) * 2015-03-26 2017-02-01 株式会社リガク 二重湾曲x線集光素子およびその構成体、二重湾曲x線分光素子およびその構成体の製造方法
CN104807845B (zh) * 2015-04-21 2018-05-08 南京航空航天大学 一种快速检测化妆品中重金属含量的掠入式x荧光测量装置
DE102015226101A1 (de) * 2015-12-18 2017-06-22 Bruker Axs Gmbh Röntgenoptik-Baugruppe mit Umschaltsystem für drei Strahlpfade und zugehöriges Röntgendiffraktometer
US10684238B2 (en) 2016-01-11 2020-06-16 Bruker Technologies Ltd. Method and apparatus for X-ray scatterometry
DE102017202802A1 (de) * 2017-02-21 2018-08-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Objektiv und optisches System mit einem solchen Objektiv
US10753890B2 (en) * 2017-03-09 2020-08-25 Malvern Panalytical B.V. High resolution X-ray diffraction method and apparatus
EP3401926A1 (de) * 2017-05-09 2018-11-14 Deutsches Elektronen-Synchrotron DESY Optisches element für röntgenstrahlenablenkung
US10816487B2 (en) 2018-04-12 2020-10-27 Bruker Technologies Ltd. Image contrast in X-ray topography imaging for defect inspection
JP2019191167A (ja) 2018-04-23 2019-10-31 ブルカー ジェイヴィ イスラエル リミテッドBruker Jv Israel Ltd. 小角x線散乱測定用のx線源光学系
JP7308233B2 (ja) 2018-07-05 2023-07-13 ブルカー テクノロジーズ リミテッド 小角x線散乱計測計
EP3779525B1 (de) * 2019-08-13 2024-01-03 Istituto Nazionale di Astrofisica Verfahren zum aufbringen eines kohlenstoffbasierten überzugs auf eine optische einheit mit streifendem einfall
US11781999B2 (en) 2021-09-05 2023-10-10 Bruker Technologies Ltd. Spot-size control in reflection-based and scatterometry-based X-ray metrology systems

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4684565A (en) * 1984-11-20 1987-08-04 Exxon Research And Engineering Company X-ray mirrors made from multi-layered material
US4924490A (en) * 1988-02-09 1990-05-08 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha X-ray mirror and production thereof
DE4407278A1 (de) * 1994-03-04 1995-09-07 Siemens Ag Röntgen-Analysegerät
US5646976A (en) * 1994-08-01 1997-07-08 Osmic, Inc. Optical element of multilayered thin film for X-rays and neutrons

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8204584A (nl) 1982-11-25 1984-06-18 Philips Nv Roentgen analyse apparaat met een vier-kristal monochromator.
US4525853A (en) 1983-10-17 1985-06-25 Energy Conversion Devices, Inc. Point source X-ray focusing device
US6069934A (en) * 1998-04-07 2000-05-30 Osmic, Inc. X-ray diffractometer with adjustable image distance

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4684565A (en) * 1984-11-20 1987-08-04 Exxon Research And Engineering Company X-ray mirrors made from multi-layered material
US4924490A (en) * 1988-02-09 1990-05-08 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha X-ray mirror and production thereof
DE4407278A1 (de) * 1994-03-04 1995-09-07 Siemens Ag Röntgen-Analysegerät
US5646976A (en) * 1994-08-01 1997-07-08 Osmic, Inc. Optical element of multilayered thin film for X-rays and neutrons

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
A. BRUSON et al., X-ray scattering from nonideal multilayer structures: Calculations in the kine- matical approximation, J. Appl. Phys. 77(3), 1 February 1995, p.1001-1009 *
H. HOGREFE et al., Soft x-ray scattering from rough surfaces: experimental and theoretical analysis, Applied Optics Vol.26 No.14, 15 July 1987, p.2851-2858 *

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002022681A (ja) * 2000-05-29 2002-01-23 Koninkl Philips Electronics Nv 多層鏡及び射出コリメータが設けられるx線分析装置
DE10125454B4 (de) * 2000-05-29 2008-04-17 Panalytical B.V. Gerät zur Röntgenanalyse mit einem Mehrschichtspiegel und einem Ausgangskollimator
EP1324351A2 (de) * 2001-12-18 2003-07-02 Bruker AXS GmbH Röntgen-optisches System mit Blende im Fokus eines Röntgen-Spiegels
EP1324351A3 (de) * 2001-12-18 2007-07-18 Bruker AXS GmbH Röntgen-optisches System mit Blende im Fokus eines Röntgen-Spiegels
DE10254026B4 (de) * 2002-11-20 2006-09-14 Incoatec Gmbh Reflektor für Röntgenstrahlung
DE10254026B9 (de) * 2002-11-20 2007-04-19 Incoatec Gmbh Reflektor für Röntgenstrahlung
DE10254026C5 (de) * 2002-11-20 2009-01-29 Incoatec Gmbh Reflektor für Röntgenstrahlung
DE102008048917B4 (de) * 2007-09-28 2016-07-28 Rigaku Corp. Röntgendiffraktionsmessapparat mit einem optischen Debye-Scherrer-System und Röntgendiffraktionsmessverfahren für diesen Apparat
US7860217B2 (en) 2007-09-28 2010-12-28 Rigaku Corporation X-ray diffraction measuring apparatus having debye-scherrer optical system therein, and an X-ray diffraction measuring method for the same
DE102008049163A1 (de) * 2008-09-24 2010-04-08 BAM Bundesanstalt für Materialforschung und -prüfung Vorrichtung zum Bestrahlen mit Röntgenstrahlung
DE102008050851B4 (de) * 2008-10-08 2010-11-11 Incoatec Gmbh Röntgenanalyseinstrument mit verfahrbarem Aperturfenster
DE102008050851A1 (de) 2008-10-08 2010-04-22 Incoatec Gmbh Röntgenanalyseinstrument mit verfahrbarem Aperturfenster
EP2175456A2 (de) 2008-10-08 2010-04-14 Incoatec GmbH Röntgenanalyseinstrument mit verfahrbarem Aperturfenster
DE112010001478B4 (de) * 2009-07-01 2016-05-04 Rigaku Corp. Verwendung einer Röntgenvorrichtung
US9336917B2 (en) 2009-07-01 2016-05-10 Rigaku Corporation X-ray apparatus, method of using the same and X-ray irradiation method
US9335282B2 (en) 2012-04-02 2016-05-10 Rigaku Corporation X-ray topography apparatus
DE102013004503B4 (de) * 2012-04-02 2017-08-03 Rigaku Corporation Verwendung einer Röntgenstrahlvorrichtung zur Untersuchung von Kristalldefekten
DE102013008486A1 (de) 2013-05-18 2014-11-20 Saxray GmbH Rauscharmes optisches Element zur Detektion von Strahlung mittels Messung elektrischer Signale
EP3147654A4 (de) * 2014-06-05 2017-12-20 Rigaku Corporation Röntgenstrahldiffraktometer
US10436723B2 (en) 2014-06-05 2019-10-08 Rigaku Corporation X-ray diffractometer with multilayer reflection-type monochromator
EP3364421A1 (de) * 2017-02-17 2018-08-22 Rigaku Corporation Röntgenoptische vorrichtung
US10629319B2 (en) 2017-02-17 2020-04-21 Rigaku Corporation X-ray optical device

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Publication number Publication date
US6226349B1 (en) 2001-05-01
DE19833524B4 (de) 2004-09-23

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