JP5315251B2 - それぞれの結晶方位を持つ多層を有するｘ線集束光学系及びこの光学系を形成する方法 - Google Patents
それぞれの結晶方位を持つ多層を有するｘ線集束光学系及びこの光学系を形成する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5315251B2 JP5315251B2 JP2009537384A JP2009537384A JP5315251B2 JP 5315251 B2 JP5315251 B2 JP 5315251B2 JP 2009537384 A JP2009537384 A JP 2009537384A JP 2009537384 A JP2009537384 A JP 2009537384A JP 5315251 B2 JP5315251 B2 JP 5315251B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical system
- curved
- layers
- diffractive
- rays
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 91
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 55
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 206010068052 Mosaicism Diseases 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K2201/00—Arrangements for handling radiation or particles
- G21K2201/06—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
- G21K2201/062—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements the element being a crystal
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K2201/00—Arrangements for handling radiation or particles
- G21K2201/06—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
- G21K2201/064—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements having a curved surface
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Lenses (AREA)
Description
本発明は、一般的に、Ｘ線光学系に関する。具体的には、それぞれの層が所定の結晶方位を持つ多層を有するＸ線集束結晶光学系の改良に関する。
Ｘ線解析システムでは、高いＸ線ビーム強度および小さいビームのスポット・サイズが、試料の露光時間の短縮と空間分解能を向上させおよびその結果として信号対背景雑音比とＸ線解析測定の全体の品質の改善させるために、重要である。過去においては、回転陽極Ｘ線管またはシンクロトロンのような高価で強力なＸ線源だけが、高強度Ｘ線ビームを発生させるために利用可能な選択肢であった。最近のＸ線光学系装置の発展によって、Ｘ線源から発散するＸ線を集束させることによって集めることが可能になった。Ｘ線集束光学系と、小さな低パワーのＸ線源との組み合わせは、より高価な装置を用いて達成されるのと同等の強度を持つＸ線ビームを作り出すことができる。その結果、小さく廉価なＸ線源、励起光学系および集光系の組み合わせに基づくシステムは、例えば、小さな研究室または現場におけるＸ線解析装置の入手可能性と能力を大幅に拡大してきた。
励起および／または検出経路におけるＸ線ビームの単色化も、上述のように有用である。既存の１つのＸ線単色化技術は、例えば、ゲルマニウム（Ｇｅ）またはシリコン（Ｓｉ）結晶のような光学結晶上でのＸ線の回折に基づくものである。湾曲した結晶は、対象物へ到達するフォトンの単色化を実現すると同時に、Ｘ線源から発散する輻射を対象物上へ偏向させることができる。２つのよく用いられる型の湾曲した結晶は、一重に湾曲した結晶と二重に湾曲した結晶（ＤＣＣ）として知られている。この分野においてローランド円形配置として知られる配置を用いると、一重に湾曲した結晶は、二次元での集束を実現し、第３の面または直交する面内ではＸ線輻射は集束されないまま残る。二重に湾曲した結晶は、線源からのＸ線を全三次元の中の１点の対象物への集束を実現する。この三次元集束は、この分野では、「点対点（point-to-point）」集束と呼ばれている。
セラー（Ｃｅｌｌｅｒ）ら、「シリコン・オン・インシュレータ技術の最先端（Ｆｒｏｎｔｉｅｒ ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ−ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）」、ジャーナル・オブ・アップライド・フィジックス（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）、９３巻、９号、２００３年５月１日
本明細書と共通の譲受人に譲渡された特許文献１および２は、Ｘ線の集束と単色化のための湾曲したＸ線光学系の様々な構成を開示している。一般には、これらの文献は、湾曲した光学系素子に形成した（例えば、Ｓｉのような）材料のフレキシブル層を開示している。光学系の単色化機能と伝達効率は、光学系の結晶構造によって決定される。本発明は、湾曲した結晶光学系の形成に関するある種の改良を提供し、動作特性上の重要な利点を提供するものである。
従来技術の欠点を克服し、さらなる利点が提供される本発明は、１つの側面においては、Ｘ線を受け入れおよび方向付けする光学系であって、この光学系は、類似のまたは異なる材料組成と、類似のまたは異なる結晶方位とを有する少なくとも２つの層を備えたことを特徴とする。これらの層のそれぞれは、回折効果を示し、その集合としての効果は、受け取ったＸ線に回折効果を与える。１つの実施形態では、これらの層はシリコンであり、シリコン・オン・インシュレータ接合技術を用いて張り合わされる。他の実施形態では、接着剤接合技術を用いても良い。この光学系は、湾曲した、単色化光学系であっても良い。
本発明の他の側面においては、本発明は、少なくとも２つの層のそれぞれが、所定の結晶方位を持つ少なくとも２つの材料層を張り合わせるために、絶縁物上に材料を接合する技術を用いたＸ線光学系を形成する方法である。１つの実施形態では、これら２つの層は、湾曲した、単色化光学系に形成されても良い。
さらに別の特徴および利点は、本発明の技術を通して実現される。本発明の他の実施形態と側面も、ここに詳しく記述され請求項に記載された本発明の一部分であると考えられる。
図１Ａ〜図１Ｉを参照しながら、Ｘ線光学系の構造とこれを形成するための典型的な技術が開示される。（これら図における寸法は例示的な目的のみであり、誇張されていて、必ずしも比例しない。）以下にさらに説明するように、本発明によって形成される光学系は、各層が、異なる所定の結晶方位を有する、例えば、シリコンの多層であって、シリコン・オン・インシュレータ接合技術を用いて張り合わされている多層を含む。
シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）接合技術は、この分野では公知であり、非特許文献１に記載されている。この文献の全ては、参照することによってここに取り込まれているものとする。一般には、ＳＯＩ技術は、例えば、ファンデアワールス力のような原子／分子レベルでの分子的接着と、多分、化学的に支援された接着を含む。「絶縁物上の材料」という用語は、ここでは広く用いられ、材料をシリコンに制限することなく、この技術のファミリーを含む。本発明は、１つの実施形態では、それぞれが異なる結晶方位を持つ可能性のある層の多層構造を有する、湾曲した単色化Ｘ線光学系を作製するために、ＳＯＩプロセス技術の成熟度に依拠している。
（たとえば、シリコンまたはゲルマニウムのような）第１の基板１０が、（ハッチングパターンの方向で表される）第１の結晶方位をもって備えられる。熱的成長のような既知のプロセス（非特許文献１を参照）を用いて、酸化物層２０が基板１０上に形成される。第２の結晶方位を持つ（例えば、シリコンのような）第２の層３０が、上述のＳＯＩ接合技術を用いて層１０に接着される。次に、（例えば、化学機械的研磨のような標準的プレーナ研磨工程を用いて）第２の層が研磨され１００、層３０´を残す。１つの実施形態では、残留層の厚さは、シリコン層が１−５μｍであり、介在する酸化物層は約０．１−０．５μｍである。
このステップは、もう１つの酸化物層４０と(再度、それ自身の、所望の方位を持った)他の層５０を用いて繰り返される。そこで、層５０は、研磨され１００、層５０´を残す。
もう１つの酸化物層６０と(再度、それ自身の、所望の方位を持った)他の層７０を用いて、このステップは再び繰り返される。そこで、層７０は研磨され１００、層７０´を残す。
図２は、４つの出来上がった層を持ち、それぞれがそれ自身の予め定められた結晶方位をもって出来上がった薄い（約２０―５０μｍの）積層構造１１０を示す。この例では４層が示されているが、本発明は、設計パラメータに依存して任意の複数の層に拡げることができる。しかも、全ての方位が異なる必要はない。各層の結晶方位を前もって決めることによって、構造全体の回折特性を最適化できる。
本発明によれば、個々の結晶層のそれぞれは、個々の回折効果を備える。これらの回折効果は個別にモデル化でき、そこで、出来上がった光学系におけるその集合としての効果を予想することができ、最終の設計条件に従って実装される。これは、公知の「多層」光学系と対比すべきものである。「多層」光学系では、オングストローム／ナノメートル厚さの多層を持ち、それぞれは個々の回折効果を持つことはなく、層内での相互作用が全体としての回折効果を生じることになる。
本発明の他の側面では、同じ光学系において、層間で同じ、または異なる結晶方位（またはその混合）を持ち、材料組成が異なる層を用いることができる。また、層間で同じ、または異なる結晶方位（またはその混合）を持ち、材料組成が類似の（または同じ）層を用いることもできる。本発明のこれらの任意の側面では、とくに、上記した絶縁物上に材料を接着する方法が不適当である場合には、絶縁物上に材料を接合する技術に関して上述した一連のステップにおいて隣接する結晶層を接着するため、（例えば、エポキシのような）接着剤の層を用いることもできる。
次に、構造１１０は、二重に湾曲した結晶（ＤＣＣ）の光学系を含む、湾曲した、単色化光学系に形成することができる。そのような二重に湾曲した光学系装置の１実施形態は、図３および３Ａに描かれているが、詳しくは特許文献３に記述されている。特許文献３の全体は、参照することによってここに取り込まれているものとする。
図３の実施形態では、二重に湾曲した光学系装置は、フレキシブル層１１０と、厚いエポキシ層１１２と、および支持板１１４とを含む。装置の構造は、図３Ａにおける断面立面図に更に示されている。
この装置において、エポキシ層１１２は、フレキシブル層１１０を、曲率を持った選択された形状に保持し拘束する。エポキシ層の厚さは、２０μｍより大きく、フレキシブル層の厚さは、５μｍより大きいのが好適である。さらに、典型的には、エポキシ層の厚さは、フレキシブル層の厚さより厚い。フレキシブル層は、雲母、Ｓｉ、Ｇｅ、石英、プラスチック、ガラスなどを含む多くの種類の材料の中の１つであって良い。エポキシ層１１２は、粘性度が１０3〜１０4ポアズの程度で、ポットライフ（可使用時間：pot life）は３０〜６０分である糊状のものであって良い。支持板１１４は、エポキシとよく接着する固形物であって良い。支持板の表面１１８は、平坦であっても（図３Ａ）または湾曲していても良く、その正確な形状と表面仕上げは、フレキシブル層の形状と表面仕上げに比べて決定的ではない。図３および図３Ａの装置では、特別仕上げの支持板は必要ではない。
フレキシブル層を取り囲んで薄いプラスチックのような保護材料１１６の薄いシートがあり、これは、フレキシブル層の端部の周りに用いられる（図３Ａを参照)。この保護材料は、鋳型が再利用できるように製造鋳型を保護し、フレキシブル層とサイズがぴったりか小さめの鋳型のときは、または犠牲鋳型の時には必要ないであろう。
二重に湾曲した結晶（ＤＣＣ）光学系のような二重に湾曲した光学系装置は、現在は、材料解析の分野で、大きな立体角からのＸ線を集めて集束させ、Ｘ線源からの利用可能な線束を増加させるために用いられている。特性Ｘ線の三次元的な集束は、小さなＸ線源のときに使われるドーナツ型の結晶からの回折によって実現可能である。この点から点へのジョアン（Ｊｏｈａｎ）幾何形状が、図４に示されている。各結晶光学素子２００の回折面は、結晶表面に平行にすることができる。点線源および焦点を含む焦点円２１０が半径Ｒ0を持つときには、結晶表面は、例えば、焦点円の面内で２Ｒ0の曲率半径Ｒを持ち、垂直な面内ではｒ＝２Ｒ0ｓｉｎ2θBragの曲率半径を持ち、その半径は線源と焦点間を結ぶ線分上に中心を持つ。線源から発散し、結晶のロッキング・カーブ内の角度で結晶表面に入射するＸ線は、焦点すなわち像点へ効率よく反射される。ＤＣＣベースのシステムに対する焦点での単色線束密度は、より強力な線源と同程度の線源−対象間距離を持つ従来のシステムのものよりも数桁大きい。この増大は、（ここに記述したように）Ｘ線の蛍光と回折を含む多くの異なる応用分野で用いられるときに非常に高感度を実現する。
さらなる増強手段として、図４が示しているように、光学系装置が、ローランド（Ｒｏｗｌａｎｄ）円の周りに格子パターン状に配置された、多数の二重に湾曲した結晶光学素子２００であって、各素子は、（素子間で、類似のまたは異なる層構造を持つ)上記したようなフレキシブルな構造１１０から形成されているような結晶光学素子２００を備えても良い。このような構造は、ブラッグ回折によって発散する輻射の捕捉と方向付けを最適化するために構成されても良い。１つの側面では、いろいろな原子的回折面方位を持つ複数の光学結晶は、発散するＸ線を捕捉して焦点へ集束させるために用いることができる。他の側面では、結晶の二次元または三次元行列をＸ線源に対して配置して、発散するＸ線を三次元的に捕捉して集束させることができる。このような構造のさらなる詳細は、上に取り込まれた特許文献３に発表されている。
本発明の積層光学系構造は、以下の利点を提供する。
光学系のモザイク度およびロッキング・カーブが、層方位の設計によって制御される。
光学系の効率が増大する。（それ自身の所望の方位をもつ）各層はそれ自身の視野を持つ。その結果、効率を増大させ、および光学系がより大きな線源のスポット・サイズを収容（accommodate）可能とする複合の視野を持つ。そして、より大きな線源のスポット・サイズを収容する（accommodate）ことにより、システムの設置が容易になる。
光学系の帯域（すなわち、単色化）を制御することができ、ある種の単色化の応用においては、帯域を増大させることができて有利である。
ここで描かれたステップ群は、一例に過ぎず、本発明の精神から逸脱することなしに、ここに記述したこれらの図またはステップ（または操作）には多くの変形があり得る。例えば、これらのステップ群は、異なる順番で行ってもよく、あるいはステップを付け加えたり取り除いたり、または変形したりしても良い。これらの変形の全ては、本発明の請求項の一部分と考えられる。
好適な実施形態がここでは詳しく描かれおよび記述されたが、本発明の精神から逸脱することなしに、さまざまな改良、追加、置換などをすることができること、およびそれらは以下の請求項で規定される本発明の範囲内であると考えられることは、当業者には明らかであろう。
Claims (26)
- Ｘ線を受け入れおよび方向付けをする、湾曲した単色化回折性光学系において、
Ｘ線を受け入れるための単一の連続したプレーナ最上部層を含み、各々が類似の材料組成および異なる結晶方位に従った個々の回折効果を有する少なくとも２つのプレーナ結晶層
を備えたことを特徴とする単色化回折性光学系。 - 前記層は、絶縁物上に材料を接合する技術を用いて張り合わされることを特徴とする請求項１に記載の光学系。
- 前記層はシリコンであり、シリコン・オン・インシュレータ接合技術を用いて張り合わされることを特徴とする請求項２に記載の光学系。
- 前記層は、接着剤技術を用いて張り合わされることを特徴とする請求項１に記載の光学系。
- 前記光学系は、２重に湾曲した、点焦点の、単色化光学系であって、各層はその結晶方位にしたがったＸ線回折性を示すことを特徴とする請求項３に記載の光学系。
- 前記光学系は、２重に湾曲した、点焦点の、単色化光学系であることを特徴とする請求項１に記載の光学系。
- 各層は、その結晶方位に従ってＸ線回折性を示すことを特徴とする請求項１に記載の光学系。
- Ｘ線を受け入れおよび方向付けをする、湾曲した単色化回折性光学系において、
Ｘ線を受け入れるための単一の連続したプレーナ最上部層を含み、各々が異なる材料組成および異なる結晶方位に従った個々の回折効果を有する少なくとも２つのプレーナ結晶層
を備えたことを特徴とする単色化回折性光学系。 - 前記層は、絶縁物上に材料を接合する技術を用いて張り合わされることを特徴とする請求項８に記載の光学系。
- 前記層の少なくとも１つはシリコンであり、シリコン・オン・インシュレータ接合技術を用いて前記光学系の中で張り合わされることを特徴とする請求項９に記載の光学系。
- 前記層は、接着剤技術を用いて張り合わされることを特徴とする請求項８に記載の光学系。
- 前記光学系は、２重に湾曲した、点焦点の、単色化光学系であることを特徴とする請求項８に記載の光学系。
- 各層は、その結晶方位に従ってＸ線回折性を示すことを特徴とする請求項８に記載の光学系。
- Ｘ線を受け入れおよび方向付けをする、湾曲した単色化回折性光学系において、
Ｘ線を受け入れるための単一の連続したプレーナ最上部層を含み、各々が異なる材料組成を有しならびに類似のもしくは異なる結晶方位に従った個々の回折効果を有する少なくとも２つのプレーナ結晶層
を備えたことを特徴とする単色化回折性光学系。 - 前記層は、絶縁物上に材料を接合する技術を用いて張り合わされることを特徴とする請求項１４に記載の光学系。
- 前記層は、接着剤技術を用いて張り合わされることを特徴とする請求項１４に記載の光学系。
- 前記光学系は、２重に湾曲した、点焦点の、単色化光学系であることを特徴とする請求項１４に記載の光学系。
- 各層は、その結晶方位に従ってＸ線回折性を示すことを特徴とする請求項１４に記載の光学系。
- Ｘ線を受け入れおよび方向付けをする、湾曲した単色化回折性光学系を形成する方法において、
絶縁物上に材料を接合する技術を用いて、Ｘ線を受け入れるための単一の連続したプレーナ最上部層を含み、各々が所定の結晶方位ならびに類似のもしく異なる材料組成に従った個々の回折効果を有する少なくとも２つのプレーナ材料層を張り合わせるステップと、
前記少なくとも２つの張り合わされた層を、湾曲した単色化回折性光学系に形成するステップと
を備えることを特徴とする方法。 - 鋳型を用いて前記少なくとも２つの層を湾曲した光学系に形成するステップをさらに備えることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
- 前記湾曲した光学系は、２重に湾曲した、点焦点の、単色化光学系であることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
- Ｘ線を受け入れおよび方向付けをする、湾曲した単色化回折性光学系を形成する方法において、
接着剤接合技術を用いて、Ｘ線を受け入れるための単一の連続したプレーナ最上部層を含み、各々が所定の結晶方位ならびに類似のもしくは異なる材料組成に従った個々の回折効果を有する少なくとも２つのプレーナ材料層を張り合わせるステップと、
前記少なくとも２つの張り合わされた層を、湾曲した、単色化回折性光学系に形成するステップと
を備えることを特徴とする方法。 - 鋳型を用いて、前記少なくとも２つの張り合わせた層を湾曲した光学系に形成するステップをさらに備えることを特徴とする請求項２２に記載の方法。
- 前記湾曲した光学系は、２重に湾曲した、点焦点の、単色化光学系であることを特徴とする請求項２２に記載の方法。
- 前記光学系は、２重に湾曲した、点焦点の、単色化光学系であって、各層は、その結晶方位に従ってＸ線回折性を示すことを特徴とする請求項１０に記載の光学系。
- 前記光学系は、２重に湾曲した、点焦点の、単色化光学系であって、各層は、その結晶方位に従ってＸ線回折性を示すことを特徴とする請求項１５に記載の光学系。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US86613406P | 2006-11-16 | 2006-11-16 | |
| US60/866,134 | 2006-11-16 | ||
| PCT/US2007/084938 WO2008061221A2 (en) | 2006-11-16 | 2007-11-16 | X-ray focusing optic having multiple layers with respective crystal orientations |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010510494A JP2010510494A (ja) | 2010-04-02 |
| JP2010510494A5 JP2010510494A5 (ja) | 2013-06-13 |
| JP5315251B2 true JP5315251B2 (ja) | 2013-10-16 |
Family
ID=39358362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009537384A Expired - Fee Related JP5315251B2 (ja) | 2006-11-16 | 2007-11-16 | それぞれの結晶方位を持つ多層を有するｘ線集束光学系及びこの光学系を形成する方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7738629B2 (ja) |
| EP (1) | EP2097907B1 (ja) |
| JP (1) | JP5315251B2 (ja) |
| CN (1) | CN101558454B (ja) |
| WO (1) | WO2008061221A2 (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6084222B2 (ja) | 2011-08-15 | 2017-02-22 | エックス−レイ オプティカル システムズ インコーポレーテッド | 重質試料用の試料粘度／流量制御およびそのｘ線分析応用 |
| CN103946693B (zh) | 2011-10-06 | 2017-05-03 | X射线光学系统公司 | 可移除式x‑射线分析仪用的可移动型运输及屏蔽装置 |
| JP6139543B2 (ja) | 2011-10-26 | 2017-05-31 | エックス−レイ オプティカル システムズ インコーポレーテッド | Ｘ線分析エンジンおよび分析器のために高度に位置合わせされた単色化ｘ線光学素子および支持構造体 |
| US20150117599A1 (en) * | 2013-10-31 | 2015-04-30 | Sigray, Inc. | X-ray interferometric imaging system |
| US9417197B2 (en) | 2012-04-25 | 2016-08-16 | Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation | Method of measuring thickness of Fe—Zn alloy phase of galvannealed steel sheet and apparatus for measuring the same |
| JP5928363B2 (ja) * | 2013-02-01 | 2016-06-01 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶ウエーハの評価方法 |
| US9883793B2 (en) | 2013-08-23 | 2018-02-06 | The Schepens Eye Research Institute, Inc. | Spatial modeling of visual fields |
| US10295485B2 (en) | 2013-12-05 | 2019-05-21 | Sigray, Inc. | X-ray transmission spectrometer system |
| US9927378B2 (en) | 2013-10-25 | 2018-03-27 | Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation | On-line coating adhesion determination apparatus of galvannealed steel sheet, and galvannealed steel sheet manufacturing line |
| USRE48612E1 (en) | 2013-10-31 | 2021-06-29 | Sigray, Inc. | X-ray interferometric imaging system |
| JP6069609B2 (ja) * | 2015-03-26 | 2017-02-01 | 株式会社リガク | 二重湾曲ｘ線集光素子およびその構成体、二重湾曲ｘ線分光素子およびその構成体の製造方法 |
| US10020087B1 (en) * | 2015-04-21 | 2018-07-10 | Michael Kozhukh | Highly reflective crystalline mosaic neutron monochromator |
| US10677744B1 (en) * | 2016-06-03 | 2020-06-09 | U.S. Department Of Energy | Multi-cone x-ray imaging Bragg crystal spectrometer |
| US10989822B2 (en) | 2018-06-04 | 2021-04-27 | Sigray, Inc. | Wavelength dispersive x-ray spectrometer |
| JP7394464B2 (ja) * | 2018-07-04 | 2023-12-08 | 株式会社リガク | 蛍光ｘ線分析装置 |
| DE112019003777T5 (de) | 2018-07-26 | 2021-04-08 | Sigray, Inc. | Röntgenreflexionsquelle mit hoher helligkeit |
| US10656105B2 (en) | 2018-08-06 | 2020-05-19 | Sigray, Inc. | Talbot-lau x-ray source and interferometric system |
| DE112019004433B4 (de) | 2018-09-04 | 2024-09-12 | Sigray, Inc. | System und verfahren für röntgenstrahlfluoreszenz mit filterung |
| US11056308B2 (en) | 2018-09-07 | 2021-07-06 | Sigray, Inc. | System and method for depth-selectable x-ray analysis |
| WO2021162947A1 (en) | 2020-02-10 | 2021-08-19 | Sigray, Inc. | X-ray mirror optics with multiple hyperboloidal / hyperbolic surface profiles |
| US20240035990A1 (en) | 2022-07-29 | 2024-02-01 | X-Ray Optical Systems, Inc. | Polarized, energy dispersive x-ray fluorescence system and method |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4261771A (en) * | 1979-10-31 | 1981-04-14 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method of fabricating periodic monolayer semiconductor structures by molecular beam epitaxy |
| US4675889A (en) * | 1985-07-08 | 1987-06-23 | Ovonic Synthetic Materials Company, Inc. | Multiple wavelength X-ray dispersive devices and method of making the devices |
| US5127028A (en) * | 1990-08-01 | 1992-06-30 | Wittry David B | Diffractord with doubly curved surface steps |
| JP2968993B2 (ja) * | 1990-11-29 | 1999-11-02 | 株式会社リコー | Ｘ線分光器 |
| JP2968995B2 (ja) | 1990-11-30 | 1999-11-02 | 株式会社リコー | 多波長分光素子 |
| US5164975A (en) * | 1991-06-13 | 1992-11-17 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Multiple wavelength X-ray monochromators |
| CN1030551C (zh) * | 1991-07-30 | 1995-12-20 | 双向合成材料有限公司 | 改进型中子反射超级镜面结构 |
| WO1996034274A2 (en) * | 1995-04-26 | 1996-10-31 | Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing an x-ray optical element for an x-ray analysis apparatus |
| US6285506B1 (en) * | 1999-01-21 | 2001-09-04 | X-Ray Optical Systems, Inc. | Curved optical device and method of fabrication |
| US6498830B2 (en) * | 1999-02-12 | 2002-12-24 | David B. Wittry | Method and apparatus for fabricating curved crystal x-ray optics |
| CN1122830C (zh) * | 2000-03-10 | 2003-10-01 | 中国科学院高能物理研究所 | 同步辐射x射线多层膜反射率计装置 |
| WO2004013867A2 (en) * | 2002-08-02 | 2004-02-12 | X-Ray Optical Systems, Inc. | An optical device for directing x-rays having a plurality of optical crystals |
| EP1634065A2 (en) * | 2003-06-02 | 2006-03-15 | X-Ray Optical Systems, Inc. | Method and apparatus for implementing xanes analysis |
-
2007
- 2007-11-16 EP EP07871499.5A patent/EP2097907B1/en not_active Not-in-force
- 2007-11-16 CN CN200780046503.0A patent/CN101558454B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-11-16 US US11/941,377 patent/US7738629B2/en active Active
- 2007-11-16 JP JP2009537384A patent/JP5315251B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-11-16 WO PCT/US2007/084938 patent/WO2008061221A2/en active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2008061221A2 (en) | 2008-05-22 |
| US20080117511A1 (en) | 2008-05-22 |
| WO2008061221A3 (en) | 2008-10-09 |
| US7738629B2 (en) | 2010-06-15 |
| JP2010510494A (ja) | 2010-04-02 |
| EP2097907B1 (en) | 2013-07-03 |
| CN101558454A (zh) | 2009-10-14 |
| EP2097907A2 (en) | 2009-09-09 |
| CN101558454B (zh) | 2013-11-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5315251B2 (ja) | それぞれの結晶方位を持つ多層を有するｘ線集束光学系及びこの光学系を形成する方法 | |
| US7991116B2 (en) | Monochromatic x-ray micro beam for trace element mapping | |
| Kunz et al. | A dedicated superbend X-ray microdiffraction beamline for materials, geo-, and environmental sciences at the advanced light source | |
| JP6139543B2 (ja) | Ｘ線分析エンジンおよび分析器のために高度に位置合わせされた単色化ｘ線光学素子および支持構造体 | |
| JP4189770B2 (ja) | Ｘ線用ターゲット及びそれを用いた装置 | |
| JP4731178B2 (ja) | 光学反射素子、その製造方法、及びその素子を具備する光学機器 | |
| US20110026680A1 (en) | X-ray generating device | |
| JP2019012695A (ja) | Ｘ線ソース | |
| CN110530907B (zh) | X射线吸收测量系统 | |
| US20220291155A1 (en) | Hard x-ray photoelectron spectroscopy apparatus | |
| JP2010510494A5 (ja) | ||
| WO2007016484A2 (en) | X-ray imaging systems employing point-focusing, curved monochromating optics | |
| JP2005534183A (ja) | 光学デバイス | |
| JP5173435B2 (ja) | Ｘ線モノクロメーターまたは中性子モノクロメーター | |
| Yasui et al. | BL09XU: an advanced hard X-ray photoelectron spectroscopy beamline of SPring-8 | |
| Padmore et al. | Sub-micron white-beam focusing using elliptically bent mirrors | |
| Michette et al. | Active microstructured arrays for x-ray optics | |
| Sanmartin et al. | Progress on the development of active micro-structured optical arrays for X-ray optics | |
| Sanmartin et al. | Development of spider micro-structured optical arrays for x-ray optics | |
| JP2017190987A (ja) | Ｘ線光学系基材の製造方法及びｘ線光学系基材 | |
| Bavdaz et al. | X-ray Optics: new technologies at ESA | |
| Sanli et al. | Multilayer Fresnel Zone Plates for X-ray Microscopy | |
| MacDowell et al. | Progress toward submicron hard x-ray imaging using elliptically bent mirrors and its applications | |
| Zhu et al. | Development of X‐ray Microscopy at IPOE | |
| Sanmartin et al. | A novel deformable mirror with curvature and tip/tilt control based on the spider actuator concept |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101116 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101116 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121019 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130116 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130123 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130419 |
|
| A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20130419 |
|
| RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433 Effective date: 20130529 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130607 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20130529 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130708 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5315251 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |