EP1063676B1 - Vorrichtung und Verfahren zur energie- und winkelaufgelösten Elektronenspektroskopie - Google Patents

Vorrichtung und Verfahren zur energie- und winkelaufgelösten Elektronenspektroskopie Download PDF

Info

Publication number
EP1063676B1
EP1063676B1 EP00111394A EP00111394A EP1063676B1 EP 1063676 B1 EP1063676 B1 EP 1063676B1 EP 00111394 A EP00111394 A EP 00111394A EP 00111394 A EP00111394 A EP 00111394A EP 1063676 B1 EP1063676 B1 EP 1063676B1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
grid
energy
imaging
filtering
deflection unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
EP00111394A
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
EP1063676A2 (de
EP1063676A3 (de
Inventor
Philippe Dr. Staib
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Staib Instrumente GmbH
Original Assignee
Staib Instrumente GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Staib Instrumente GmbH filed Critical Staib Instrumente GmbH
Publication of EP1063676A2 publication Critical patent/EP1063676A2/de
Publication of EP1063676A3 publication Critical patent/EP1063676A3/de
Application granted granted Critical
Publication of EP1063676B1 publication Critical patent/EP1063676B1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
    • H01J37/05Electron or ion-optical arrangements for separating electrons or ions according to their energy or mass
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/252Tubes for spot-analysing by electron or ion beams; Microanalysers

Definitions

  • the invention relates to devices and methods for imaging a particle beam consisting of charged particles with a specific energy and angular distribution onto a detector, and a spectrometer, in particular for electron diffraction measurements, with energy and angular resolution.
  • interaction of the sample in the sample may result in the emission of charged particles whose spatial (or angular) and energy distribution may indicate physical or chemical interactions or characteristics of the particle species involved of the interaction region.
  • numerous analytical methods e.g. using electron diffraction studies or spectroscopic studies realized.
  • a problem of the known analysis methods is the simultaneous detection of the angular and the energy distribution of a particle beam (eg from electrons, ions or ion groups, atoms or groups of atoms).
  • a particle beam eg from electrons, ions or ion groups, atoms or groups of atoms.
  • RHEED method studying the reflection of high-energy electrons on a sample
  • the modeling of the purely elastic scattering allows an improved structure resolution.
  • the image errors in the conventional energy-selective imaging are caused in particular by an inhomogeneous scattering angle focusing and by disturbing moiré patterns on the lattice-shaped filter electrodes 3, 4.
  • the limited quality of the Streuwinkelfokusstechnik means that, especially for larger scattering angles of the relationship between the distances of the parallel partial beams and the angular distribution of the scattered electrons is no longer linear. Depending on the application, this limits the image size and / or the resolution of the image.
  • US-A-3 937 957 discloses a charged particle energy estimating apparatus having a power analyzer and an electron lens system with a charged particle accelerating path.
  • the electron lens system is composed of two individual lenses for generating an intermediate image.
  • the object of the invention is to provide improved devices and methods for the angular and energy-resolving imaging of a particle beam, which are characterized by an increased imaging quality, in particular by extended scattered light images and / or higher resolutions in the imaging. It is a further object of the invention to provide a suitably equipped spectrometer and method for its operation and use.
  • a first important aspect of the invention is the provision of an imaging device for the energy- and angle-selective imaging of charged particles, eg electrons, with an upstream entrance aperture or upstream, transversely to the particle beam extending entrance lattice.
  • the entrance lattice is electrically separated from the deflection device and is preferably of ground potential. It serves to limit the electric field emerging on the sample side from the deflection device and allows better edge-beam steering.
  • the edge beam steering means that the linearity of the relationship between scattering angles and distances of the parallelized particle paths is ensured even with larger scattering angles towards Hautbundung.
  • the entry lattice is a substantially planar lattice which is perpendicular to the axis of the deflection device and is preferably designed for the imaging of larger scattering angle ranges of up to +/- 10 °. If, on the other hand, it depends more on the highest linearity (minimum distortion) in the image depending on the application, then, according to a second design form of the entrance lattice, this is designed as a ball grid. As a ball grid, the entrance grid is in the form of a spherical surface section with an associated predetermined ball radius.
  • Another important aspect of the invention is to develop a device according to the invention for energy and angle resolved imaging of a charged particle beam on a detector device based on the above-mentioned combination of a deflector for generating parallel and decelerated particle beams and a filter device to the effect that the Filter device consists of a single, with respect to the parallel particle beams vertically oriented filter grid.
  • the filter grid forms when interacting with the deflector a Gegenfeldanalysator, for example, in electron diffraction studies of the filtering inelastically scattered electrons used.
  • the transition from a group of filter electrodes to a single filter grid, in particular in cooperation with the upstream entrance grid, represents an important advantage both in terms of simplifying the overall design and in terms of imaging quality. It has surprisingly been found by the inventor that the Filter grating can achieve the same high-sensitivity energy selectivity as in the conventional imaging device, but no moire patterns arise and thus the image quality is improved.
  • the invention also provides a spectrometer, in particular an electron diffraction or electron diffraction spectrometer equipped with the imaging device described above.
  • a spectrometer in particular an electron diffraction or electron diffraction spectrometer equipped with the imaging device described above.
  • Preferred applications of such a spectrometer are in electron diffraction studies at all common energies (LEED, MEED, HEED, corresponding to low-, medium-, high-energy-electron diffraction), energy- and angle-resolved ion scattering investigations, in the structure analysis by elastic scattering and i- nelastic diffusion (eg on the basis of Kikushi lines) or in angle-resolved electron spectroscopy.
  • the imaging device according to the invention is not limited to use in a simple diffraction spectrometer.
  • the invention further provides a method for imaging a particle beam of charged particles having a specific energy and angular distribution using the imaging device according to the invention on a detector device, wherein the particles are deflected by a deflector into parallel and decelerated particle beams or paths and directed onto a filter grid which, in cooperation with the deflector, energy selectively passes particles of energy above a certain limit energy to a detector and reflects particles of lower energy.
  • the particles before entering the deflection device, the particles pass through a sample-side, field-free space, which is shielded by the deflection device with a plane or spherical-shaped inlet grid.
  • the invention offers the advantages of an extremely good energy resolution, which, for example, at 10 keV electron energy rd. 2 eV is. Furthermore, the imaging properties compared to conventional devices are significantly improved, which manifests itself in particular in a reduction of the distortion in the imaging of diffraction maxima. Further advantages result from the simple construction of the imaging device according to the invention, the freedom of distortion of the image (improved scattering angle focusing) and the extension of the imaging dimensions (enlargement of the evaluable imageable scattering angle).
  • the invention will now be described by way of example with reference to an apparatus for imaging electron beams having a particular energy and angular distribution, but is not limited to the imaging of electrons but is also applicable to imaging other charged particles.
  • the Fign. 1 to 3 show a schematic sectional view of an imaging device 100 according to the invention for the energy and angular resolution imaging of an electron beam 108, wherein for reasons of clarity, only those in a housing 101 accommodated imaging stages are shown.
  • the imaging stages include an entrance region 110, a baffle 120, a filter device 130, and a detector device 140.
  • the straight circular cylinder housing 101 further includes support means for mounting said components within the housing, electrical connection means for applying the desired control voltage to the components and for picking up image signals from the detector device 140 and outer mounts for attaching the housing 101 to, for example, a spectrometer.
  • these parts are known per se and therefore not illustrated in detail.
  • the geometric dimensions of the imaging device 100 are chosen application-dependent and are for example in the range of approx. 5 cm to 15 cm for the housing diameter and 0.5 to 1.5 times the housing diameter for the axial length of the imaging stages.
  • the optical axis of the device 100 coincides with the cylinder axis of the housing 101.
  • the entry region 110 is formed in the illustrated embodiment of the invention by an entrance window 111 in the form of a step-shaped aperture.
  • the entrance window 111 is preferably at ground potential, so that a field-free space is formed on the sample side in front of the imaging device 100, and serves to block out portions of the electron beam 108 with large scattering angles. For example, a suppression of scattering angles above +/- 6 ° is provided.
  • the step-shaped structure of the entrance window 111 comprises an axially symmetrically mounted annular diaphragm part 111a, an axially extending, cylindrical part 111b and a further annular diaphragm part 111c mounted on its sample-side end. The step-shaped structure allows a partial take-off of the electric fields of the deflector 120 on the sample side.
  • the deflection device 120 comprises four deceleration lenses 121, 122, 123 and 124. Alternatively, however, fewer (at least one) or more deceleration lenses may also be provided.
  • the Abbremslinsen are axially symmetrical mounted on the inside of the housing 101 and preferably formed as sheet metal rings. The dimensioning and control of the brake lenses 121-124 is selected depending on the application. There are provided either for each Abbremslinse a separate terminal device for acting on a variable control voltage or for all Abbremslinsen a common terminal device and fixed divider stages for setting the control voltages to the individual Abbremslinsen.
  • the filter grid 131 is a flat grid that extends perpendicular to the housing axis over the entire incidence area of the electron beam 108 formed by the entrance window 111 and the brake lenses 121-124.
  • the detector device 140 comprises a luminescent screen 141, which cooperates with suitable sensor means (not shown).
  • the sensor means may comprise a CCD camera, a photodiode and / or an electron multiplier.
  • the luminescent screen 141 is preferably constructed with an electrically conductive material to avoid electrical charges. For very sensitive low current measurements, the luminescent screen 141 may also be provided by a channel plate electron multiplier be replaced, then behind a matched screen is attached.
  • the electron beam 108 is a bundle of electrons that form divergent particle tracks after scattering at the sample surface.
  • the webs are shown by lines, each having a gradation in the scattering angle of 1 ° per line.
  • the electrons move in the direction of arrow A under the influence of the electric fields emanating from the braking lenses 121-124, forming an electron beam 109 having substantially parallel, straight particle paths.
  • the electrons are braked by increasing in the beam direction counterpotentials of Abbremslinsen.
  • the electron beam 109 forms an electron current distribution corresponding to the original angular distribution through a reference plane perpendicular to the direction of movement A, wherein for large scattering angles, large distances from the housing axis and for smaller scattering angles smaller distances from the housing axis are formed.
  • the braking lenses thus fulfill a dual function.
  • the mentioned parallel particle paths are formed.
  • the electrons are decelerated, the deceleration is preferably so strong that the electrons have the lowest possible energy when passing through the last deceleration lens 124. This achieves an improved energy resolution at the filter grid 131. It will be a Deceleration by approx. 90% sought, whereby a rd. 10-fold improvement in energy resolution is achieved.
  • the steady-state potentials applied to the decelerating lenses 121-124 may be calculated based on electrostatics (e.g., for field distribution of individual lenses) depending on the particular design and accuracy required, or may be determined by appropriate numerical simulations.
  • the input variables for the simulations are in particular the requirements that the particle paths after passing through the deflector 140 should run parallel and strongly braked. For parallelization, for example, a divergence of the particle paths of less than 0.5 ° is considered as a simulation condition. Another condition is the setting of a linear angle deviation. This means that the linear relationship between the scattering angle and the distance of the respective particle trajectory from the cylinder axis should be maintained even with large scattering angles. This minimizes the aberration referred to as pincushion deformation.
  • the determination of the potentials of the Abbremslinsen by calculation or numerical simulation is also carried out in the below-described, modified embodiments of the invention.
  • the electrons After passing through the Abbremslinse 123, the electrons hit the filter grid 131, which is acted upon by a potential difference (Filter Abbremspotential) against the Abbremslinse 124 to form a Abbremsfeldes such that electrons with an energy below a predetermined energy limit reflected in the particle (s. Arrow B) and only particles with a higher energy to the detector device 140 are transmitted.
  • the achievable sensitivity of the energy selectivity is on the design of the filter grid 131 and the operating parameters, in particular the strength of the Abbremsfeldes and the size of the grid openings (mesh size), dependent. In order to achieve a high imaging quality, grid openings of the order of magnitude of 300 ⁇ m or smaller are preferred on the filter grid 131.
  • the electrons with a sufficiently high energy pass through the grid openings of the filter grid 131 and strike the luminescent screen 141. It can be provided that an acceleration potential is formed between the luminescent screen 141 and the filter grid 131.
  • Example values for the potentials of the decelerating lenses 121-124 are respectively -6 kV, -9 kV, -9.4 kV and -10 kV.
  • the field grid 131 is at a potential of -7 kV.
  • FIG. 1 and 2 illustrate the filtering effect of the imaging device 100 according to the invention.
  • the electrons of the electron beam have an energy of 10001 eV.
  • all the electrons pass through the filter grid 131 to the fluorescent screen 141.
  • the electrons according to FIG. 2 have only an energy of 9999 eV, then all the electrons are reflected at the filter grating 131 and directed back into the imaging device.
  • the Fign. Figures 1 and 2 illustrate the excellent energy resolution of approx. 2 eV at an electron energy of approx. 10 keV.
  • FIG. 3 illustrates a further advantage of the invention, namely the excellent scattering angle focusing, with different electron beam scattering angles of 0 ° and 5 °, respectively.
  • ⁇ x an electron beam expansion
  • ⁇ x / 5 to ⁇ x / 10 an expansion on the luminescent screen 141 with a dimension in the range of ⁇ x / 5 to ⁇ x / 10 is achieved.
  • a particular advantage of the filter grid 131 is the focusing effect of the mesh or grid openings. By a slight field penetration through the mesh, these each form a small electro-optical lens. However, this focusing effect is only at electron energies of approx. 2 to 6 eV, i. for the already decelerated, slow electrons.
  • the Fign. 4 to 6 show a modified embodiment of the invention.
  • the imaging device 100 is, apart from the characteristics of the entrance region 110, substantially identical to the imaging device 100 shown in FIGS. 1 to 3 built. Therefore, the same reference numerals are used for the same components.
  • a substantially flat entrance lattice 112 is provided in the entry region 110 and extends perpendicularly to the axis of the cylindrical housing 101.
  • the entrance grating 112 is at ground potential, so that a field-free space is formed on the sample side in front of the imaging device 100.
  • the entrance lattice 112 extends over the entire incidence area of the electron beam 108 and is preferably formed like the filter lattice 131 as a rectangular or oblique strip and wire mesh.
  • the geometric dimensioning of the entrance grating 112 is selected depending on the application. For example, results in a large mesh size of approx. 300 ⁇ m a high transmission of approx. 90%, so that even weak reflexes can be imaged by the sample. This limits the resolution of the image. For smaller mesh sizes of up to approx. 50 ⁇ m is the transmission with approx. 60% lower, but the resolution of the image improves.
  • the entrance grating 112 is preferably made as an electrolytically etched plate.
  • the plate is substantially planar so that the entrance lattice 112 has deviations from a planar orientation of less than 1/10 mm over the entire lattice surface.
  • FIGS. 4 and 5 show, analogously to FIGS. 1 and 2 show the high energy selectivity of the imaging device 100 according to the invention. Electrons emanating from a sample biased with a voltage of -300 V are transmitted by the filter grid 131 with an energy of 10001 eV (see FIG of 9999 eV from the filter grating 131 (see Fig. 5).
  • FIG. 6 illustrates, analogously to FIG. 3, the improved scattering angle focusing on the imaging apparatus 100 according to the invention for an electron beam with scattering angles of 0 ° and 3 °, respectively.
  • the advantage of the embodiment of FIG. 4 is the extended angular range in electron imaging. It is possible to image scatter angles of up to +/- 10 ° with excellent focusing properties.
  • Example values for the potentials of the braking lenses 121-124 in the embodiment according to FIGS. 4 to 6 are respectively -5.5 kV, -7.5 kV, -8.85 kV and -10 kV.
  • the filter grid 131 is in turn at a potential of -7 kV.
  • the Fign. 7 to 11 illustrate further modifications of an imaging apparatus 100 according to the invention, in which in each case a ball entry grille 113 with a small spherical radius for smaller angular ranges (FIGS. 7, 8) or a larger spherical radius for large angular ranges of up to +/- 23 ° ( Figures 9 to 11) is provided.
  • the ball grid 113 is in each case like the entrance grid 112 in the above-explained embodiment of a grid with an application-selected mesh size. It extends on a spherical surface with an application-dependent selected spherical radius in the range of approx. 50 mm to 150 mm.
  • the ball entry grid 113 is axially symmetrical with respect to the optical axis of the imaging apparatus 100.
  • the lattice edge is connected to the housing interior via an annular support 116 located in a reference plane aligned perpendicular to the optical axis.
  • the vertical distance of the holder 116 from the sample 102 preferably corresponds to three to four times the value of the radius of the ball entry grid 113, but may also be smaller.
  • the ball entry grating 113 which is at ground potential, forms a field-free space on the sample side and defines a first equipotential surface of the first deceleration lens 121 of the deflection region 120.
  • Example values for the potentials of the decelerating lenses 121-124 are respectively corresponding to -4 kV, -5 kV, -8.6 kV and -10 kV (Fig. 7) and -3 kV, -7 kV, -8.8 kV and -10 kV ( Figure 9).
  • the filter grids 131 are in both cases at a potential of -7 kV.
  • a ball entry grid is made as follows.
  • a grid, as it is also etched to form a flat filter grid from a plate or foil, is stretched to a spherical shape and stiffened thereon, for example, by a coating. Subsequently, the grid now extending on a spherical surface is provided on the edge with a suitable holder for mounting in the housing.
  • Fig. 9 shows the passage of electrons with an energy of 10006 eV through the filter grid 131. In the corresponding imaging of electrons with a lower energy of z. B. 10004 eV they are reflected on the filter grid 131 (Fig. 10).
  • Fig. 12 illustrates the high quality of imaging of electron beams even at large scattering angles. The dependence of the distortion on the scattering angle is shown.
  • the curve progressions designated with version 1 to version 4 correspond to the above-explained embodiments according to FIGS. 1, 4, 7 and 9, respectively.
  • the distortion values shown can not be achieved with generic imaging devices.
  • the grazing incidence of the electron irradiation can be changed so that an irradiation spot in the form of an ellipse having a transverse dimension in the range of 300 ⁇ m to 1 mm and a longitudinal dimension 5 to 10 times larger is provided. Due to the excellent Streuwinkelfokusstechnik all emanating from such a light spot, parallel rays are focused on a point that can be measured accurately because of the spot sharpness achieved in its position.
  • FIG. 13 shows, with an image sequence, the energy filtering with an imaging device according to the invention during the examination of the electron diffraction on a silicon sample.
  • the four individual images show the diffraction pattern at different Abbremspotentialen the filter grid 131 (see above). In particular, deceleration potentials of respectively V p - 300 V, V p - 15 V, V p - 2 V and V p were set.
  • the energy filtering not only provides a clean separation of the scattered reflections from background rays, but also the possibility of a more accurate evaluation of the positions of the scattered reflections.
  • the curve x1 shows an elastic scattering peak with a half width of 3.4 eV. In the range of inelastic scattering (curve x5), shares of surface plasmons (a), volume plasmons (b) and multiple scattering losses (c) can be identified.
  • An imaging device is preferably attached to a diffraction spectrometer, which is illustrated schematically in an overview in FIG. 15.
  • 15 shows an RHEED apparatus with an RHEED electron beam source 350, a spectrometer 300 according to the invention, control elements 360 and a data processing unit 370.
  • the electron beam source 350 is constructed in a manner known per se and provided for irradiating the sample 320.
  • the scattered electron beam is detected by the spectrometer 300, in which an imaging device according to one of the embodiments explained above is provided.
  • the luminescent screen here with the reference numeral 315) is observed simultaneously via two measuring channels.
  • a beam splitter 331 provides a field to image capture with a two-dimensional detector (eg, a CCD camera 330) and a sub-image to a fast response dynamic sensor 332 for capturing an integral image signal representing the luminance of the entire diffraction image.
  • a two-dimensional detector eg, a CCD camera 330
  • a fast response dynamic sensor 332 for capturing an integral image signal representing the luminance of the entire diffraction image.
  • the control elements 360 comprise a supply unit 361 of the electron beam source 350, a deflection unit 362 for the electron beam source 350, a spectrometer control unit 360, a lock-in system 364 and a current amplifier 365.
  • the data processing unit 370 which is preferably implemented by a computer control, comprises a circuit 371 for providing the control signals to the supply unit 361, an irradiation parameter setting circuit 372, a spectrometer control signal supply circuit 373, a lock-in data acquisition circuit 374, a growth control circuit 375 by means of an MBE (not shown) And a circuit 376 for image processing and display.
  • the energy- and angle-selective imaging of charged particles according to the invention can be modified as follows. Deviating from the above-described compact design of the imaging device extended designs can be realized in the axial direction or beam direction, if, for example, the Sample should be as far away from the detector as possible due to their temperature or to avoid contamination. Furthermore, collecting electrodes for receiving reflected or deflected parts of the electron beam 108 away from the filter grid 131 can additionally be provided within the housing, which suck the electrons which are not to be imaged. Finally, an imaging device according to the invention can be provided with a device for shifting the image detail, as known from DE-OS 197 01 192. Such a device is formed for example by a deflection and adjusting coil and has the advantage that a cropping can be computer controlled, without a deterioration of the vacuum takes place in the sample chamber.
  • An important feature of the invention is the simultaneous energy filtering over a very large angular range with stigmatic imaging on a very large, flat focal plane. This focusing is maintained for particles that are emitted not only on the axis but over a larger area. This property is very important for diffraction applications, as in the diffraction area the sample is irradiated with a wider electron beam (1 - 5 mm).

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Electron Tubes For Measurement (AREA)

Description

  • Die Erfindung betrifft Vorrichtungen und Verfahren zur Abbildung eines aus geladenen Teilchen mit einer bestimmten Energie- und Winkelverteilung bestehenden Teilchenstrahls auf einen Detektor, und ein Spektrometer, insbesondere für Elektronenbeugungsmessungen, mit Energie- und Winkelauflösung.
  • Bei der Bestrahlung einer Materialprobe mit elektromagnetischer Strahlung oder geladenen Teilchen kann es durch Wechselwirkungsvorgänge in der Probe zur Abstrahlung geladener Teilchen kommen, deren Raum- (oder Winkel-) und Energieverteilung Rückschlüsse auf physikalische oder chemische Vorgänge bei der Wechselwirkung oder auf Merkmale der beteiligten Teilchensorten oder des Wechselwirkungsbereiches zulassen. Auf dieser Grundlage wurden zahlreiche Analyseverfahren, z.B. unter Verwendung von Elektronenbeugungsuntersuchungen oder spektroskopischen Untersuchungen, realisiert.
  • Ein Problem der bekannten Analyseverfahren ist die gleichzeitige Erfassung der Winkel- und der Energieverteilung eines Teilchenstrahls (z.B. aus Elektronen, Ionen oder Ionengruppen, Atomen oder Atomgruppen). Beispielsweise besteht bei der Untersuchung der Reflexion hochenergetischer Elektronen an einer Probe (RHEED-Verfahren) ein Interesse an energiegefiltert aufgenommenen Beugungsbildern, um elastische und unelastische Streuvorgänge voneinander zu trennen. Die Modellierung der rein elastischen Streuungen erlaubt eine verbesserte Strukturauflösung.
  • In DE-OS 197 01 192 werden herkömmliche Systeme zur simultanen Orts- und Energieauflösung bei der Elektronenbeugungsuntersuchung erläutert. Bei einer ersten Bauform wird ein Rastermechanismus implementiert, der eine Abtastung von Ausschnitten des Beugungsbildes und deren Energieanalyse erlaubt, jedoch störanfällig und zeitaufwendig ist, so daß insbesondere Echtzeitanalysen, z.B. zur Beobachtung von Oberflächenveränderungen an Festkörpern, nur eingeschränkt oder gar nicht möglich sind. Eine echte simultane Energie- und Winkelauflösung wird erst mit einer zweiten Bauform erreicht, bei der ein Beugungsbild durch Filterpaare oder -tripel (allgemein: Gruppen von Filterelektroden) beobachtet wird. Zwischen den Filterelektroden werden vorbestimmte Abbremsfelder ausgebildet, die beispielsweise von elastisch gestreute Elektronen durchlaufen werden und die inelastisch gestreuten Elektronen reflektieren.
  • Zur Realisierung der zweiten Bauform werden beispielsweise von Y. Horio in "Jpn. J. Appl. Phys.", Bd. 35, 1996, S. 3559 ff., Filterelektroden in Form von Kugelgittern beschrieben, die jedoch wegen des zwangsläufig kleinen Arbeitsabstandes, der geringen Energieauflösung und einer Anfälligkeit gegenüber Verunreinigungen nachteilig sind. Demgegenüber wurde gemäß DE-OS 197 01 192 (s. Fig. 16) eine Verbesserung durch die Verwendung von Filterelektroden in Form ebener Gitterelektroden 3, 4 und die Kombination derartiger Filterelektroden mit einer Ablenkeinrichtung 1 zur Ausbildung paralleler Elektronenstrahlen erzielt, deren gegenseitige Abstände der Winkelverteilung der Elektronen entsprechen und die auf die Filterelektroden gerichtet sind. Mit dieser Kombination paralleler Elektronenbahnen mit ebenen Filterelektroden können zwar die obengenannten Nachteile der Technik nach Y. Horio in Bezug auf den Arbeitsabstand des Detektors 2 von der Probe, die Empfindlichkeit und die Robustheit der Abbildungseinrichtung überwunden werden. Für Meßaufgaben mit extremen Anforderungen kann die Abbildungsqualität (hochauflösende Elektronenbeugung), bei denen beispielsweise der Abstand von Beugungsmaxima mit hoher Genauigkeit gemessen werden muß, treten jedoch auch bei der Technik mit den ebenen Filterelektroden einschränkende Bildfehler auf.
  • Die Bildfehler bei der herkömmlichen energieselektiven Abbildung werden insbesondere durch eine inhomogene Streuwinkelfokussierung und durch störende Moiré-Muster an den gitterförmigen Filterelektroden 3, 4 verursacht. Die beschränkte Qualität der Streuwinkelfokussierung führt dazu, daß insbesondere bei größeren Streuwinkeln der Zusammenhang zwischen den Abständen der parallelen Teilstrahlen und der Winkelverteilung der gestreuten Elektronen nicht mehr linear ist. Je nach Anwendungsfall wird dadurch die Bildgröße und/oder die Auflösung der Abbildung beschränkt.
  • In US-A-3 937 957 wird eine Vorrichtung zur Bestimmung der Energie von geladenen Teilchen beschrieben, die einen Energieanalysator und ein Elektronlinsensystem mit einem Beschleunigungsweg für die geladenen Teilchen aufweist. Das Elektronenlinsensystem ist aus zwei individuellen Linsen zur Erzeugung eines Zwischenbildes zusammengesetzt.
  • Die Aufgabe der Erfindung ist es, verbesserte Vorrichtungen und Verfahren zur winkel- und energieauflösenden Abbildung eines Teilchenstrahls anzugeben, die sich durch eine erhöhte Abbildungsqualität, insbesondere durch erweiterte Streulichtbilder und/oder höhere Auflösungen bei der Abbildung, auszeichnen. Es ist ferner die Aufgabe der Erfindung, ein entsprechend ausgestattetes Spektrometer und Verfahren zu dessen Betrieb und Verwendung anzugeben.
  • Diese Aufgaben werden durch eine Vorrichtung, ein Spektrometer und ein Verfahren mit den Merkmalen der Gegenstände von Patentanspruch 1 bzw. 13 gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
  • Ein erster wichtiger Gesichtspunkt der Erfindung besteht in der Ausstattung einer Abbildungseinrichtung zur energie- und winkelselektiven Abbildung geladener Teilchen, z.B. Elektronen, mit einer vorgeschalteten Eintrittsblende oder einem vorgeschalteten, sich quer zum Teilchenstrahl erstreckenden Eintrittsgitter. Das Eintrittsgitter ist von der Ablenkeinrichtung elektrisch getrennt und liegt vorzugsweise aus Massepotential. Es dient der Begrenzung des probenseitig aus der Ablenkeinrichtung austretenden elektrischen Feldes und erlaubt eine bessere Randstrahllenkung. Die Randstrahllenkung bedeutet, daß die Linearität des Zusammenhangs zwischen Streuwinkeln und Abständen der parallelisierten Teilchenbahnen auch bei größeren Streuwinkeln hin zur Bildberandung gewährleistet ist. Gemäß einer ersten Gestaltungsform ist das Eintrittsgitter ein im wesentlichen ebenes, auf der Achse der Ablenkeinrichtung senkrecht stehendes Gitter, das vorzugsweise für die Abbildung größerer Streuwinkelbereiche von bis zu +/- 10° ausgelegt ist. Kommt es hingegen anwendungsabhängig mehr auf die höchste Linearität (minimalste Verzerrung) bei der Abbildung an, so wird gemäß einer zweiten Gestaltungsform des Eintrittsgitters dieses als Kugelgitter ausgebildet. Als Kugelgitter besitzt das Eintrittsgitter die Form eines Kugeloberflächenausschnitts mit einem zugehörigen vorbestimmten Kugelradius.
  • Ein weiterer wichtiger Gesichtspunkt der Erfindung besteht darin, eine erfindungsgemäße Vorrichtung zur energie- und winkelaufgelösten Abbildung eines Strahls geladener Teilchen auf eine Detektoreinrichtung auf der Basis der obengenannten Kombination aus einer Ablenkeinrichtung zur Erzeugung paralleler und abgebremster Teilchenstrahlen und einer Filtereinrichtung dahingehend weiter zu entwickeln, daß die Filtereinrichtung aus einem einzigen, in Bezug auf die parallelen Teilchenstrahlen senkrecht ausgerichteten Filtergitter besteht. Dies bedeutet, daß zwischen der Ablenkeinrichtung und der Detektoreinrichtung lediglich eine, sich quer zu den Teilchenstrahlen erstreckende Filtergitter-Elektrode angeordnet ist und der Raum zwischen der Ablenkeinrichtung und der Detektoreinrichtung im übrigen frei von weiteren strahlformenden Elektroden ist. Das Filtergitter bildet bei Zusammenwirkung mit der Ablenkeinrichtung einen Gegenfeldanalysator, der beispielsweise bei Elektronenbeugungsuntersuchungen der Filterung inelastisch gestreuter Elektronen dient.
  • Der Übergang von einer Gruppe von Filterelektroden zu einem einzelnen Filtergitter stellt insbesondere in Zusammenwirkung mit dem vorgeschalteten Eintrittsgitter einen wichtigen Vorteil sowohl in Bezug auf die Vereinfachung des Gesamtaufbaus als auch in Bezug auf die Abbildungsqualität dar. Es wurde vom Erfinder überraschenderweise festgestellt, daß sich mit dem Filtergitter die gleiche hochempfindliche Energieselektivität wie bei der herkömmlichen Abbildungsvorrichtung erreichen läßt, wobei jedoch keine Moire-Muster entstehen und damit die Bildqualität verbessert wird.
  • Gegenstand der Erfindung ist auch ein Spektrometer, insbesondere ein Elektronenbeugungs- oder Elektronendiffraktions-Spektrometer, das mit der oben beschriebenen Abbildungseinrichtung ausgestattet ist. Bevorzugte Anwendungen eines derartigen Spektrometers liegen bei Elektronendiffraktionsuntersuchungen bei allen üblichen Energien (LEED, MEED, HEED, entsprechend Low-, Medium-, High-Energy- Electron Diffraction), bei energie- und winkelaufgelösten Ionenstreuungsuntersuchungen, bei der Strukturanalyse durch elastische Streuung und i-nelastische Diffusion (z.B. auf der Basis von Kikushi-Linien) oder bei der winkelaufgelösten Elektronenspektroskopie. Der Einsatz der erfindungsgemäßen Abbildungsvorrichtung ist jedoch nicht auf die Verwendung in einem einfachen Beugungsspektrometer beschränkt.
  • Gegenstand der Erfindung ist ferner ein Verfahren zur Abbildung eines Teilchenstrahls aus geladenen Teilchen mit einer bestimmten Energie- und Winkelverteilung unter Verwendung der erfindungsgemäßen Abbildungsvorrichtung auf einer Detektoreinrichtung, bei dem die Teilchen mit einer Ablenkeinrichtung zu parallelen und abgebremsten Teilchenstrahlen oder -bahnen geformt und auf ein Filtergitter gerichtet werden, das im Zusammenwirken mit der Ablenkeinrichtung energieselektiv Teilchen mit einer Energie oberhalb einer bestimmten Grenzenergie zu einem Detektor durchläßt und Teilchen mit geringeren Energie reflektiert. Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung durchlaufen die Teilchen vor Eintritt in die Ablenkeinrichtung einen probenseitigen feldfreien Raum, der mit einem ebenen oder kugelausschnittsförmigen Eintrittsgitter von der Ablenkeinrichtung abgeschirmt ist.
  • Die Erfindung bietet die Vorteile einer äußerst guten Energieauflösung, die beispielsweise bei 10 keV Elektronenenergie rd. 2 eV beträgt. Ferner werden die Abbildungseigenschaften gegenüber herkömmlichen Vorrichtungen erheblich verbessert, was sich insbesondere in einer Reduzierung der Verzeichnung bei der Abbildung von Beugungsmaxima äußert. Weitere Vorteile ergeben sich aus dem einfachen Aufbau der erfindungsgemäßen Abbildungsvorrichtung, der Verzerrungsfreiheit der Abbildung (verbesserte Streuwinkelfokussierung) und der Erweiterung der Abbildungsdimensionen (Vergrößerung der auswertbar abbildbaren Streuwinkel).
  • Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung werden im folgenden unter Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. Es zeigen:
  • Fig. 1
    eine erste Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Abbildungsvorrichtung in schematischer Schnittansicht,
    Fig. 2
    eine Illustration der Vorrichtung gemäß Fig. 1 bei vollständiger Reflektion der Teilchenstrahlen,
    Fig. 3
    eine Illustration der Fokussierungseigenschaften der Vorrichtung gemäß Fig. 1 bei verschiedenen Streuwinkeln,
    Fig. 4
    eine weitere Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Abbildungsvorrichtung mit einem ebenen Eintrittsgitter in schematischer Schnittansicht,
    Fig. 5
    eine Illustration der Vorrichtung gemäß Fig. 4 bei vollständiger Reflektion der Teilchenstrahlen,
    Fig. 6
    eine Illustration der Fokussierungseigenschaften der Vorrichtung gemäß Fig. 5 bei verschiedenen Streuwinkeln,
    Fig. 7
    eine weitere Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Abbildungsvorrichtung mit einem kugelförmig gekrümmten Eintrittsgitter in schematischer Schnittansicht,
    Fig. 8
    eine Illustration der Fokussierungseigenschaften der Vorrichtung gemäß Fig. 7 bei verschiedenen Streuwinkeln,
    Fig. 9
    eine weitere Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Abbildungsvorrichtung mit einem kugelförmig gekrümmten Eintrittsgitter in schematischer Schnittansicht,
    Fig. 10
    eine Illustration der Vorrichtung gemäß Fig. 9 bei vollständiger Reflektion der Teilchenstrahlen,
    Fig. 11
    eine Illustration der Fokussierungseigenschaften der Vorrichtung gemäß Fig. 9 bei verschiedenen Streuwinkeln,
    Fig. 12
    eine Kurvendarstellung zur Illustration der Verzeichnung als Funktion des Streuwinkels für die in den Fign. 1 bis 11 illustrierten Ausführungsformen der Erfindung,
    Fig. 13
    eine Illustration der Energiefilterung eines Beugungsbildes,
    Fig. 14
    eine Kurvendarstellung zur Illustration einer Energieverlustmessung an einer Siliziumprobe,
    Fig. 15
    eine schematische Übersichtsdarstellung einer RHEED-Apparatur, die mit einem erfindungsgemäßen Spektrometer ausgestattet ist, und
    Fig. 16
    eine Schnittansicht einer herkömmlichen Abbildungsvorrichtung für Elektronenstrahlen (Stand der Technik).
  • Die Erfindung wird im folgenden beispielhaft unter Bezug auf eine Vorrichtung zur Abbildung von Elektronenstrahlen mit einer bestimmten Energie- und Winkelverteilung beschrieben, ist jedoch nicht auf die Abbildung von Elektronen beschränkt, sondern auch bei der Abbildung anderer geladener Teilchen entsprechend anwendbar.
  • Die Fign. 1 bis 3 zeigen in schematischer Schnittansicht eine erfindungsgemäße Abbildungsvorrichtung 100 zur energie- und winkelauflösenden Abbildung eines Elektronenstrahls 108, wobei aus Übersichtlichkeitsgründen lediglich die in einem Gehäuse 101 untergebrachten Abbildungsstufen gezeigt sind. Die Abbildungsstufen umfassen im einzelnen einen Eintrittsbereich 110, eine Ablenkeinrichtung 120, eine Filtereinrichtung 130 und eine Detektoreinrichtung 140. Das Gehäuse 101 in Form eines geraden Kreiszylinders enthält ferner Halterungsmittel zur Anbringung der genannten Komponenten im Gehäuseinneren, elektrische Anschlußeinrichtungen zur Beaufschlagung der Komponenten mit den gewünschten Steuerspannung und zur Abnahme von Bildsignalen von der Detektoreinrichtung 140 und äußere Halterungen zur Anbringung des Gehäuses 101 beispielsweise an einem Spektrometer. Diese Teile sind jedoch an sich bekannt und daher im einzelnen nicht illustriert. Die geometrischen Dimensionen der Abbildungsvorrichtung 100 werden anwendungsabhängig gewählt und liegen beispielsweise im Bereich von rd. 5 cm bis 15 cm für den Gehäusedurchmesser und dem 0.5 bis 1.5-fachen Gehäusedurchmesser für die axiale Länge der Abbildungsstufen. Die optische Achse der Vorrichtung 100 fällt mit der Zylinderachse des Gehäuses 101 zusammen.
  • Der Eintrittsbereich 110 wird bei der dargestellten Ausführungsform der Erfindung durch ein Eintrittsfenster 111 in Form einer stufenförmigen Blende gebildet. Das Eintrittsfenster 111 liegt vorzugsweise auf Massepotential, so daß probenseitig vor der Abbildungsvorrichtung 100 ein feldfreier Raum gebildet wird, und dient der Ausblendung von Anteilen des Elektronenstrahls 108 mit großen Streuwinkeln. Es ist beispielsweise eine Ausblendung von Streuwinkeln oberhalb von +/- 6° vorgesehen. Der stufenförmige Aufbau des Eintrittsfensters 111 umfaßt ein axialsymmetrisch angebrachtes Ringblendenteil 111a, ein sich axial erstreckendes, zylinderförmiges Teil 111b und ein an dessen probenseitigen Ende angebrachtes weiteres Ringblendenteil 111c. Der stufenförmige Aufbau erlaubt einen teilweisen Ausgriff der elektrischen Felder der Ablenkeinrichtung 120 auf deren Probenseite.
  • Die Ablenkeinrichtung 120 umfaßt bei der dargestellten Ausführungsform vier Abbremslinsen 121, 122, 123 und 124. Alternativ können aber auch weniger (mindestens eine) oder mehr Abbremslinsen vorgesehen sein. Die Abbremslinsen sind axialsymmetrisch auf der Innenseite des Gehäuses 101 angebracht und vorzugsweise als Blechringe ausgebildet. Die Dimensionierung und Ansteuerung der Abbremslinsen 121-124 wird anwendungsabhängig gewählt. Es sind entweder für jede Abbremslinse eine separate Anschlußeinrichtung zur Beaufschlagung mit einer variablen Steuerspannung oder für alle Abbremslinsen eine gemeinsame Anschlußeinrichtung und feste Teilerstufen zur Einstellung der Steuerspannungen an den einzelnen Abbremslinsen vorgesehen.
  • In der Filtereinrichtung 130 ist ausschließlich ein Filtergitter 131 vorgesehen, das im Inneren des Gehäuses 101 zwischen der in Richtung des einfallenden Elektronenstrahls 108 letzten Abbremslinse 124 und der Detektoreinrichtung 140 angebracht ist. Das Filtergitter 131 ist ein ebenes Gitternetz, das sich senkrecht zur Gehäuseachse über den gesamten, durch das Eintrittsfenster 111 und die Abbremslinsen 121-124 gebildeten Einfallsbereich des Elektronenstrahls 108 erstreckt. Das Gitternetz besitzt vorzugsweise eine hohe Transmission von rd. T = 90% und wird durch ein rechteckiges oder schiefwinkliges Streifen- oder Drahtgitter gebildet.
  • Die Detektoreinrichtung 140 umfaßt einen Leuchtschirm 141, der mit geeigneten Sensormitteln (nicht dargestellt) zusammenwirkt. Die Sensormittel können eine CCD-Kamera, eine Photodiode und/oder einen Elektronenvervielfacher umfassen. Der Leuchtschirm 141 ist zur Vermeidung von elektrischen Aufladungen vorzugsweise mit einem elektrisch leitenden Material aufgebaut. Für sehr empfindliche Messungen mit geringen Strömen kann der Leuchtschirm 141 auch durch einen Channel-Plate-Elektronenvervielfacher ersetzt werden, hinter dem dann ein angepaßter Leuchtschirm angebracht ist.
  • Im Betriebszustand tritt ein von der schematisch am linken Bildrand in Fig. 1 illustrierten Probe 102 ausgehender Elektronenstrahl 108 durch das Eintrittsfenster 111 in die Ablenkeinrichtung 120 ein. Der Elektronenstrahl 108 ist ein Bündel von Elektronen, die nach Streuung an der Probenoberfläche divergente Teilchenbahnen bilden. In der Darstellung sind die Bahnen durch Linien gezeigt, die jeweils eine Abstufung im Streuwinkel von 1° pro Linie besitzen. Der von dem Eintrittsfenster 111 durchgelassene Ausschnitt der Winkelverteilung für Streuwinkel unterhalb +/- 6° bildet eine Elektronenstromverteilung durch eine auf der Gehäsueachse senkrecht stehende Bezugsebene. Die Elektronen bewegen sich unter dem Einfluß der von den Abbremslinsen 121-124 ausgehenden elektrischen Feldern in Richtung des Pfeiles A, wobei ein Elektronenstrahl 109 mit im wesentlichen parallelen, geraden Teilchenbahnen geformt wird. Dabei werden die Elektronen durch in Strahlrichtung steigende Gegenpotentiale der Abbremslinsen abgebremst. Der Elektronenstrahl 109 bildet eine der ursprünglichen Winkelverteilung entsprechenden Elektronenstromverteilung durch eine Bezugsebene senkrecht zur Bewegungsrichtung A, wobei für große Streuwinkel große Abstände von der Gehäuseachse und für geringe Streuwinkel geringere Abstände von der Gehäuseachse ausgebildet werden.
  • Die Abbremslinsen erfüllen somit eine Doppelfunktion. Einerseits werden die genannten parallelen Teilchenbahnen (sogenanntes "paralleles Beugungsbild") ausgebildet. Andererseits werden die Elektronen abgebremst, wobei die Abbremsung vorzugsweise so stark ist, daß die Elektronen beim Durchtritt durch die letzte Abbremslinse 124 eine möglichst geringe Energie besitzen. Damit wird eine verbesserte Energieauflösung am Filtergitter 131 erzielt. Es wird beispielsweise eine Abbremsung um rd. 90% angestrebt, wodurch eine rd. 10-fache Verbesserung der Energieauflösung erzielt wird.
  • Die stationären Potentiale, mit denen die Abbremslinsen 121-124 beaufschlagt werden, können auf der Grundlage der Elektrostatik (z.B. zur Feldverteilung einzelner Linsen) in Abhängigkeit von der konkreten Bauform und der erforderlichen Genauigkeit berechnet oder durch geeignete numerische Simulationen ermittelt werden. Als Eingangsgrößen für die Simulationen dienen insbesondere die Forderungen, daß die Teilchenbahnen nach Durchtritt durch die Ablenkeinrichtung 140 parallel und stark abgebremst verlaufen sollen. Zur Parallelisierung wird beispielsweise eine Divergenz der Teilchenbahnen von weniger als 0.5° als Simulationsbedingung berücksichtigt. Eine weitere Bedingung besteht in der Einstellung einer linearen Winkelabweichung. Dies bedeutet, daß der lineare Zusammenhang zwischen dem Streuwinkel und dem Abstand der jeweiligen Teilchenbahn von der Zylinderachse auch bei großen Streuwinkeln erhalten bleiben soll. Dadurch wird der als Kissenverformung bezeichnete Abbildungsfehler minimiert. Die Ermittlung der Potentiale der Abbremslinsen durch Berechnung oder numerische Simulation erfolgt auch bei den unten erläuterten, abgewandelten Ausführungsformen der Erfindung.
  • Nach Durchtritt durch die Abbremslinse 123 treffen die Elektronen auf das Filtergitter 131, das mit einer Potentialdifferenz (Filter-Abbremspotential) gegenüber der Abbremslinse 124 zur Bildung eines Abbremsfeldes derart beaufschlagt ist, daß Elektronen mit einer Energie unterhalb einer vorbestimmten Grenzenergie im Teilchenstrahl reflektiert (s. Pfeil B) und nur Teilchen mit einer höheren Energie zur Detektoreinrichtung 140 durchgelassen werden. Die erreichbare Empfindlichkeit der Energieselektivität ist von der Bauform des Filtergitters 131 und den Betriebsparametern, insbesondere der Stärke des Abbremsfeldes und der Größe der Gitteröffnungen (Maschengröße), abhängig. Zur Erzielung einer hohen Abbildungsqualität werden am Filtergitter 131 Gitteröffnungen der Größenordnung 300 µm oder geringer bevorzugt.
  • Die Elektronen mit einer genügend hohen Energie treten durch die Gitteröffnungen des Filtergitters 131 hindurch und treffen auf den Leuchtschirm 141. Es kann vorgesehen sein, daß zwischen dem Leuchtschirm 141 und dem Filtergitter 131 ein Beschleunigungspotential ausgebildet ist.
  • Beispielwerte für die Potentiale der Abbremslinsen 121-124 sind jeweils entsprechend -6 kV, -9 kV, -9.4 kV und -10 kV. Das Feldgitter 131 liegt auf einem Potential von -7 kV.
  • Die in den Fign. 1 und 2 eingezeichneten Elektronenbahnen illustrieren die Filterwirkung der erfindungsgemäßen Abbildungseinrichtung 100. Bei der Darstellung gemäß Fig. 1 besitzen die Elektronen des Elektronenstrahls eine Energie von 10001 eV. Abgesehen von den Teilstrahlen mit hohen Streuwinkeln (+/- 6°), die nicht zu einer fehlerfreien Abbildung beitragen und daher am Filtergitter 131 reflektiert werden, treten sämtliche Elektronen durch das Filtergitter 131 zum Leuchtschirm 141 durch. Besitzen die Elektronen jedoch gemäß Fig. 2 lediglich eine Energie von 9999 eV, so werden alle Elektronen am Filtergitter 131 reflektiert und in die Abbildungsvorrichtung zurückgerichtet. Die Fign. 1 und 2 illustrieren die hervorragende Energieauflösung von rd. 2 eV bei einer Elektronenenergie von rd. 10 keV.
  • Die Fig. 3 illustriert einen weiteren Vorteil der Erfindung, nämlich die hervorragende Streuwinkelfokussierung, bei verschiedenen Streuwinkeln des Elektronenstrahls von 0° bzw. 5°.
    Bei einer Elektronenstrahlausdehnung δx am Probenort wird beispielsweise eine Ausdehnung auf dem Leuchtschirm 141 mit einer Dimension im Bereich von δx/5 bis δx/10 erzielt.
  • Ein besonderer Vorteil des Filtergitters 131 besteht in der fokussierenden Wirkung der Maschen oder Gitteröffnungen. Durch einen geringfügigen Feldurchgriff durch die Maschen bilden diese jeweils eine kleine elektrooptische Linse. Dieser Fokussierungseffekt wird jedoch nur bei Elektronenenergien von rd. 2 bis 6 eV, d.h. für die bereits abgebremsten, langsamen Elektronen.
  • Die Fign. 4 bis 6 zeigen eine abgewandelte Ausführungsform der Erfindung. Die Abbildungseinrichtung 100 ist, abgesehen von den Eigenschaften des Eintrittsbereiches 110, im wesentlichen identisch wie die Abbildungsvorrichtung 100 gemäß den Fign. 1 bis 3 aufgebaut. Für die gleichen Komponenten werden daher die gleichen Bezugszeichen verwendet.
  • Gemäß Fig. 4 ist im Eintrittsbereich 110 ein im wesentlichen ebenes Eintrittsgitter 112 vorgesehen, das sich senkrecht zur Achse des zylinderförmigen Gehäuses 101 erstreckt. Das Eintrittsgitter 112 liegt auf Massepotential, so daß probenseitig vor der Abbildungsvorrichtung 100 ein feldfreier Raum gebildet wird. Das Eintrittsgitter 112 erstreckt sich über den gesamten Einfallsbereich des Elektronenstrahls 108 und ist vorzugsweise wie das Filtergitter 131 als rechteckiges oder schiefwinkliges Streifen- und Drahtnetz ausgebildet. Die geometrische Dimensionierung des Eintrittsgitters 112 wird anwendungsabhängig gewählt. Beispielsweise ergibt sich bei einer großen Maschenweite von rd. 300 µm eine hohe Transmission von rd. 90%, so daß auch schwache Reflexe von der Probe abgebildet werden können. Dadurch wird jedoch die Auflösung der Abbildung beschränkt. Bei kleineren Maschenweiten von bis zu rd. 50 µm ist die Transmission mit rd. 60% geringer, wobei jedoch die Auflösung der Abbildung sich verbessert.
  • Das Eintrittsgitter 112 wird vorzugsweise als elektrolytisch geätzte Platte hergestellt. Die Platte ist im wesentlichen eben, so daß das Eintrittsgitter 112 Abweichungen von einer ebenen Ausrichtung von weniger als 1/10 mm über der gesamten Gitterfläche aufweist.
  • Die Fign. 4 und 5 zeigen analog zu den Fign. 1 und 2 die hohe Energieselektivität der erfindungsgemäßen Abbildungsvorrichtung 100. Elektronen, die von einer mit einer Spannung von -300 V vorgespannten Probe ausgehen, werden mit einer Energie von 10001 eV vom Filtergitter 131 durchgelassen (s. Fig. 4) bzw. mit einer Energie von 9999 eV vom Filtergitter 131 reflektiert (s. Fig. 5).
  • Fig. 6 illustriert analog zu Fig. 3 die verbesserte Streuwinkelfokussierung an der erfindungsgemäßen Abbildungsvorrichtung 100 für einen Elektronenstrahl mit Streuwinkeln von 0° bzw. 3°. Neben dieser Verbesserung der Abbildungsqualität besteht der Vorteil der Ausführungsform gemäß Fig. 4 in dem erweiterten Winkelbereich bei der Elektronenabbildung. Es können Streuwinkel von bis zu +/- 10° mit hervorragenden Fokussierungseigenschaften abgebildet werden.
  • Beispielwerte für die Potentiale der Abbremslinsen 121-124 bei der Ausführungsform gemäß den Fign. 4 bis 6 sind jeweils entsprechend -5,5 kV, -7,5 kV, -8,85 kV und -10 kV. Das Filtergitter 131 liegt wiederum bei einem Potential von -7 kV.
  • Die Fign. 7 bis 11 illustrieren weitere Abwandlungen einer erfindungsgemäßen Abbildungsvorrichtung 100, bei denen im Eintrittsbereich 110 jeweils ein Kugeleintrittsgitter 113 mit einem geringen Kugelradius für geringere Winkelbereiche (Fign. 7, 8) oder einem größeren Kugelradius für große Winkelbereiche von bis zu +/- 23° (Fign. 9 bis 11) vorgesehen ist. Das Kugelgitter 113 besteht jeweils wie das Eintrittsgitter 112 bei der oben erläuterten Ausführungsform aus einem Gitternetz mit einer anwendungsabhängig gewählten Maschenweite. Es erstreckt sich auf einer Kugeloberfläche mit einem anwendungsabhängig gewählten Kugelradius im Bereich von rd. 50 mm bis 150 mm. Das Kugeleintrittsgitter 113 ist in Bezug auf die optische Achse der Abbildungsvorrichtung 100 axialsymmetrisch angebracht. Der Gitterrand ist über eine ringförmige, in einer senkrecht zur optischen Achse ausgerichteten Bezugsebene liegende Halterung 116 mit dem Gehäuseinneren verbunden. Der senkrechte Abstand der Halterung 116 von der Probe 102 entspricht vorzugsweise dem drei- bis vier-fachen Wert des Radius des Kugeleintrittsgitters 113, kann aber auch geringer sein. Vorteilhafterweise besteht keine empfindliche Abhängigkeit der Abbildungseigenschaften der Abbildungsvorrichtung 100 vom Probenabstand, so daß dieser anwendungsabhängig variieren kann.
  • Das auf Massepotential liegende Kugeleintrittsgitter 113 bildet probenseitig einen feldfreien Raum und definiert eine erste Äquipotentialfläche der ersten Abbremslinse 121 des Ablenkbereiches 120.
  • Beispielwerte für die Potentiale der Abbremslinsen 121-124 sind jeweils entsprechend -4 kV, -5 kV, -8,6 kV und -10 kV (Fig. 7) bzw. -3 kV, -7 kV, -8,8 kV und -10 kV (Fig. 9). Die Filtergitter 131 liegen in beiden Fällen bei einem Potential von -7 kV.
  • Ein Kugeleintrittsgitter wird wie folgt hergestellt. Ein Gitternetz, wie es beispielsweise auch zur Bildung eines ebenen Filtergitters aus einer Platte oder Folie geätzt wird, wird auf eine kugelförmige Form gespannt und auf dieser beispielsweise durch eine Beschichtung versteift. Anschließend wird das nunmehr sich auf einer Kugeloberfläche erstreckende Gitternetz am Rand mit einer geeigneten Halterung zur Anbringung im Gehäuse versehen.
  • Der Vorteil der Anbringung des Kugeleintrittsgitter 115 besteht in der weiteren Verbesserung der Linearität der Abbildung bei hohen Streuwinkeln. Die Verzerrung wird minimiert und die Streulichtfokussierung wird verbessert. Dies ist in den Fign. 8 bzw. 11 illustriert. Des weiteren wird die Energieselektivität verbessert. So zeigt Fig. 9 den Hindurchtritt von Elektronen mit einer Energie von 10006 eV durch das Filtergitter 131. Bei der entsprechenden Abbildung von Elektronen mit einer geringeren Energie von z. B. 10004 eV werden diese am Filtergitter 131 reflektiert (Fig. 10).
  • Fig. 12 illustriert die hohe Qualität der Abbildung von Elektronenstrahlen auch bei großen Streuwinkeln. Es ist die Abhängigkeit der Verzeichnung vom Streuwinkel dargestellt. Die mit Version 1 bis Version 4 bezeichneten Kurvenverläufe entsprechen den oben erläuterten Ausführungsformen gemäß den Fig. 1, 4, 7 bzw. 9. Die dargestellten Verzeichnungswerte sind mit gattungsgemäßen Abbildungsvorrichtungen nicht erzielbar.
  • Bei Elektronenbeugungsuntersuchungen kann erfindungsgemäß zum streifenden Einfall der Elektronenbestrahlung übergegangen werden, so daß sich ein Bestrahlungsfleck in Form einer Ellipse ergibt, die eine Querdimension im Bereich von 300 µm bis 1 mm und eine 5- bis 10-fach größere Längsdimension besitzt. Durch die hervorragende Streuwinkelfokussierung werden alle von einem derartigen Beleuchtungsfleck ausgehenden, parallelen Strahlen auf einen Punkt fokussiert, der wegen der damit erzielten Spot-Schärfe in seiner Lage genau vermessen werden kann.
  • In Fig. 13 ist mit einer Bildfolge die Energiefilterung mit einer erfindungsgemäßen Abbildungsvorrichtung bei der Untersuchung der Elektronenbeugung an einer Siliziumprobe dargestellt. Die (111)-Oberfläche der Siliziumprobe wird unter Einstellung einer Strahlspannung von Vp = 15000 V bestrahlt und der gebeugte Elektronenstrahl mit Streuwinkeln von +/- 10° erfaßt. Dies entspricht einem Gesamtgesichtsfeld von 20°. Die vier Einzelbilder zeigen das Beugungsbild bei verschiedenen Abbremspotentialen des Filtergitters 131 (s. oben). Im einzelnen wurden Abbremspotentiale von jeweils entsprechend Vp - 300 V, Vp - 15 V, Vp - 2 V und Vp eingestellt. Die Energiefilterung liefert nicht nur eine saubere Trennung der Streureflexe von Hintergrundstrahlen, sondern auch die Möglichkeit einer genaueren Auswertung der Positionen der Streureflexe.
  • Fig. 14 illustriert eine mit einer erfindungsgemäßen Abbildungsvorrichtung durchgeführte Energieverlustmessung bei der Streuung von Elektronen an der (111)-Oberfläche von Silizium bei einer Temperatur von T = 585°C. Es ist die Abhängigkeit des vom Detektor für einen bestimmten Reflex gelieferten Detektorsignals (willkürliche Einheiten) von der Energie der gestreuten Elektronen. Durch die Variation des Abbremspotentials des Filtergitters 131 gegenüber dem Ablenkbereich 120 kann der Streuanteil für die verschiedenen Energiebereiche aufgenommen werden. Die Kurve x1 zeigt einen elastischen Streupeak mit einer Halbwertsbreite von 3.4 eV. Im Bereich inelastischer Streuungen (Kurve x5) können Anteile von Oberflächenplasmonen (a), Volumenplasmonen (b) und Mehrfachstreuverlusten (c) identifiziert werden.
  • Eine erfindungsgemäße Abbildungsvorrichtung wird vorzugsweise an einem Diffraktionsspektrometer angebracht, das schematisch in Übersichtsdarstellung in Fig. 15 illustriert ist. Fig. 15 zeigt eine RHEED-Apparatur mit einer RHEED-Elektronenstrahlquelle 350, einem erfindungsgemäßen Spektrometer 300, Steuerungselementen 360 und einer Datenverarbeitungseinheit 370. Die Elektronenstrahlquelle 350 ist in an sich bekannter Weise aufgebaut und zur Bestrahlung der Probe 320 vorgesehen. Das gestreute Elektronenbündel wird vom Spektrometer 300 erfaßt, in dem eine Abbildungsvorrichtung gemäß einer der oben erläuterten Ausführungsformen vorgesehen ist. Der Leuchtschirm (hier mit dem Bezugszeichen 315) wird über zwei Meßkanäle simultan beobachtet. Ein Strahlteiler 331 liefert ein Teilbild an eine Bilderfassung mit einem zweidimensionalen Detektor (z.B. einer CCD-Kamera 330) und ein Teilbild an einen schnell ansprechenden, dynamischen Sensor 332 zur Erfassung eines integralen Bildsignals, das die Leuchtdichte des gesamten Beugungsbildes repräsentiert.
  • Die Steuerungselemente 360 umfassen eine Versorgungseinheit 361 der Elektronenstrahlquelle 350, eine Ablenkeinheit 362 für die Elektronenstrahlquelle 350, eine Spektrometersteuereinheit 360, ein Lock-in-System 364 und einen Stromverstärker 365. Die Datenverarbeitungseinheit 370, die vorzugsweise durch eine Computersteuerung implementiert wird, umfaßt eine Schaltung 371 zur Bereitstellung der Steuersignale für die Versorgungseinheit 361, eine Schaltung 372 zur Vorgabe von Bestrahlungsparametern, eine Schaltung 373 zur Lieferung von Spektrometersteuersignalen, eine Schaltung 374 zur Lock-in-Datenaufnahme, eine Schaltung 375 zur Steuerung von Wachstumsvorgängen mittels einer (nicht dargestellten) MBE-Apparatus und eine Schaltung 376 zur Bildverarbeitung und -anzeige.
  • Weitere Einzelheiten des Spektrometeraufbaus gemäß Fig. 15 sind an sich aus DE-OS 197 01 192 bekannt, in Bezug auf Einzelheiten des Spektrometers und der Elektrodenansteuerung bei der Elektronenabbildung.
  • Die erfindungsgemäße energie- und winkelselektive Abbildung geladener Teilchen kann wie folgt modifiziert werden. Abweichend vom oben erläuterten kompakten Aufbau der Abbildungsvorrichtung können in axialer Richtung bzw. Strahlrichtung verlängerte Bauformen realisiert werden, falls beispielsweise die Probe aufgrund ihrer Temperatur oder zur Vermeidung von Verunreinigungen möglichst weit vom Detektor entfernt sein soll. Ferner können innerhalb des Gehäuses zusätzlich Auffangelektroden zur Aufnahme reflektierter oder vom Filtergitter 131 weggelenkter Teile des Elektronenstrahls 108 vorgesehen sein, die die Elektronen, die nicht abgebildet werden sollen, absaugen. Schließlich kann eine erfindungsgemäße Abbildungsvorrichtung mit einer Einrichtung zur Verschiebung des Bildausschnitts versehen sein, wie sie DE-OS 197 01 192 bekannt ist. Eine derartige Einrichtung wird beispielsweise durch eine Ablenk- und Justierspule gebildet und besitzt den Vorteil, daß eine Bildausschnittswahl computergesteuert erfolgen kann, ohne daß eine Verschlechterung des Vakuums im Probenraum erfolgt.
  • Ein wichtiges Merkmal der Erfindung besteht in der gleichzeitigen Energiefilterung über einem sehr großen Winkelbereich mit stigmatischer Abbildung auf eine sehr große, flache Fokalebene. Diese Fokussierung bleibt erhalten für Teilchen, die nicht nur auf der Achse, sondern über einem größeren Bereich emittiert werden. Diese Eigenschaft ist für Diffraktionsanwendungen sehr wichtig, da im Diffraktionsbereich die Probe mit einem breiteren Elektronenstrahl (1 - 5 mm) bestrahlt wird.

Claims (16)

  1. Vorrichtung zur Abbildung eines Teilchenstrahls (108), der geladene Teilchen mit einer bestimmten Energie- und Winkelverteilung umfasst, auf einer Detektoreinrichtung (140), wobei die Vorrichtung (100) eine Ablenkeinrichtung (120) mit mindestens einer Abbremslinse (121-124), die dazu vorgesehen ist, im Teilchenstrahl (108) im wesentlichen parallele Teilchenbahnen (109) auszubilden, deren gegenseitigen Abstände der Winkelverteilung der Teilchen entsprechen, und eine Filtereinrichtung (130) umfasst, die zwischen der Ablenkeinrichtung (120) und der Detektoreinrichtung (140) angeordnet ist, wobei die Filtereinrichtung (130) mit einem Potential zur Bildung eines Abbremsfeldes beaufschlagbar und dazu eingerichtet ist, für die Teilchen energieselektiv durchlässig zu sein,
    dadurch gekennzeichnet, dass
    probenseitig vor der Ablenkeinrichtung (120) ein Eintrittsfenster (111) in Form einer axialsymmetrischen Stufenblende oder eines Eintrittsgitter (112, 113) angeordnet ist, das von der Ablenkeinrichtung (120) elektrisch getrennt ist und auf Massepotential liegt.
  2. Vorrichtung gemäß Anspruch 1, bei der das Eintrittsgitter ein ebenes Eintrittsgitter (112) ist, das senkrecht zur optischen Achse der Vorrichtung (100) angeordnet ist.
  3. Vorrichtung gemäß Anspruch 1, bei der das Eintrittsgitter ein Kugeleintrittsgitter (113) in Gestalt eines Kugeloberflächenausschnitts mit einem vorbestimmten Kugelradius ist.
  4. Vorrichtung gemäß Anspruch 3, bei der der Probenabstand zwischen einer Probe (102), von der die geladenen Teilchen ausgehen, und dem Kugeleintrittsgitter (113) dem drei- bis vierfachen Betrag des Kugelradius entspricht.
  5. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei der das Eintrittsgitter (112, 113) Gitteröffnungen mit charakteristischen Dimensionen besitzt, die kleiner oder gleich 300 µm betragen.
  6. Vorrichtung gemäß Anspruch 1, bei der die Filtereinrichtung (130) ein Filtergitter (131) umfasst und der Raum von der in Strahlrichtung letzten Abbremslinse (124) der Ablenkeinrichtung (120) bis zur Detektoreinrichtung (140) im übrigen frei von Elektroden zur Teilchenstrahlformung ist.
  7. Vorrichtung gemäß Anspruch 6, bei der das Filtergitter (131) so angeordnet ist, dass der Teilchenstrahl (109) mit den parallelen Teilchenbahnen im wesentlichen senkrecht zur Filtergitterebene verläuft.
  8. Vorrichtung gemäß Anspruch 6, bei der das Filtergitter (131) Maschengrößen mit charakteristischen Dimensionen umfasst, die kleiner oder gleich 300 µm betragen.
  9. Vorrichtung gemäß Anspruch 6, bei der zwischen der in Strahlrichtung letzten Abbremslinse (124) der Ablenkeinrichtung (120) und dem Filtergitter (131) ein Filter-Abbremspotential anliegt, dessen Betrag eine Grenzenergie bestimmt, wobei Teilchen mit einer Energie oberhalb der Grenzenergie das Filtergitter (131) passieren können.
  10. Vorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Detektoreinrichtung (140) einen Abbildungsschirm (141) zur Bildung eines optischen Bildes und Sensormittel zur Erfassung des optischen Bildes umfasst.
  11. Vorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Abbremspotentiale der Abbremslinsen (121-124) und das Filter-Abbremspotential des Filtergitters (131) für die Abbildung von Elektronen, Ionen, Ionengruppen oder geladenen Atom- oder Molekülgruppen ausgebildet sind.
  12. Spektrometer, das mit einer Abbildungsvorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11 ausgestattet ist.
  13. Verfahren zur Abbildung eines Teilchenstrahls, der geladene Teilchen mit einer bestimmten Energie- und Winkelverteilung umfasst, mit einer Abbildungsvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11 auf der Detektoreinrichtung (140), wobei der Teilchenstrahl (108) die Ablenkeinrichtung (120) mit der mindestens einen Abbremslinse (121-124) zur Ausbildung im wesentlichen paralleler Teilchenbahnen (109) und die Filtereinrichtung (130) durchläuft, die für die Teilchen energieselektiv durchlässig ist, dadurch gekennzeichnet, dass der in die Ablenkeinrichtung (120) eintretende Teilchenstrahl (108) durch das Eintrittsfenster (111) in Form einer stufenförmigen Blende begrenzt wird oder durch das probenseitig vor der Ablenkeinrichtung (120) angeordnetes Eintrittsgitter (112, 113), durch das vor der Ablenkeinrichtung (120) ein feldfreier Raum gebildet wird, hindurchtritt.
  14. Verfahren gemäß Anspruch 13, bei dem der feldfreie Raum durch ein ebenes oder kugelförmiges Eintrittsgitter (112, 113) begrenzt wird.
  15. Verfahren gemäß Anspruch 13, bei dem der Teilchenstrahl (108) in der Filtereinrichtung (130) ein Filtergitter (131) durchläuft, das mit einem Abbremspotential gegenüber der in Strahlrichtung letzten Abbremslinse (124) zur Bildung eines Abbremsfeldes in Bezug auf die Ablenkeinrichtung (120) beaufschlagt wird.
  16. Verwendung einer Vorrichtung, eines Spektrometers oder eines Verfahrens gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche zur energie- und winkelaufgelösten Abbildung von Elektronen, Ionen, Ionengruppen oder geladenen Atom- oder Molekülgruppen, für Elektronendiffraktionsuntersuchungen, zur Strukturanalyse durch Trennung elastischer und inelastischer Streuungen, und/oder zur winkelaufgelösten Photo- und Auger-Elektronenspektroskopie.
EP00111394A 1999-06-25 2000-05-26 Vorrichtung und Verfahren zur energie- und winkelaufgelösten Elektronenspektroskopie Expired - Lifetime EP1063676B1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19929185 1999-06-25
DE19929185A DE19929185A1 (de) 1999-06-25 1999-06-25 Vorrichtung und Verfahren zur energie- und winkelaufgelösten Elektronenspektroskopie

Publications (3)

Publication Number Publication Date
EP1063676A2 EP1063676A2 (de) 2000-12-27
EP1063676A3 EP1063676A3 (de) 2005-06-15
EP1063676B1 true EP1063676B1 (de) 2007-02-07

Family

ID=7912545

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP00111394A Expired - Lifetime EP1063676B1 (de) 1999-06-25 2000-05-26 Vorrichtung und Verfahren zur energie- und winkelaufgelösten Elektronenspektroskopie

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6492644B1 (de)
EP (1) EP1063676B1 (de)
JP (1) JP4620221B2 (de)
DE (2) DE19929185A1 (de)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1401007B1 (de) * 2002-09-18 2005-06-15 Staib Instrumente GmbH Elektronenbeugungsvorrichtung zur Anwendung in einer Produktionsumgebung und für Hochdruck-Abscheidungsverfahren
DE10318562A1 (de) * 2003-04-24 2004-11-11 Carl Zeiss Sms Gmbh Anordnung zur Inspektion von Objekten, insbesondere von Masken in der Mikrolithographie
DE10318560A1 (de) * 2003-04-24 2004-11-11 Carl Zeiss Sms Gmbh Anordnung zur Inspektion von Objekten, insbesondere von Masken in der Mikrolithographie
US7163101B2 (en) * 2003-10-30 2007-01-16 William Anthony Harper Flexible liquid packet with rigid insert
EP2058834B1 (de) * 2006-07-26 2015-12-09 National University Corporation Nara Institute of Science and Technology Verzögerungslinse zur der korrektur der sphärischen aberration, linsensystem mit korrektur der sphärischen abberation, elektronenspektroskopieeinrichtung und photoelektronen-mikroskop
CN1995996B (zh) * 2006-12-27 2011-04-20 中国科学院物理研究所 一种准连续或连续激光角分辨光电子能谱分析装置
GB0700754D0 (en) * 2007-01-15 2007-02-21 Oxford Instr Analytical Ltd Charged particle analyser and method
JP5222712B2 (ja) * 2008-12-22 2013-06-26 株式会社日立製作所 電子スピン検出器並びにそれを用いたスピン偏極走査電子顕微鏡及びスピン分解光電子分光装置
WO2014185074A1 (en) * 2013-05-15 2014-11-20 Okinawa Institute Of Science And Technology School Corporation Leed for sem
DE102015210893B4 (de) 2015-06-15 2019-05-09 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Analyseeinrichtung zur Analyse der Energie geladener Teilchen und Teilchenstrahlgerät mit einer Analyseeinrichtung
EP3324421A4 (de) * 2015-07-15 2019-04-24 National University corporation Nara Institute of Science and Technology Elektrostatische linse und parallelstrahlerzeugungsvorrichtung und parallelstrahldeckungsvorrichtung mit verwendung einer elektrostatischen linse und eines kollimators
CN107247847B (zh) * 2017-06-14 2018-12-25 中科超精(安徽)科技有限公司 一种基于舍选抽样的电子多次散射角抽样方法
US10424458B2 (en) 2017-08-21 2019-09-24 Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of Commerce Electron reflectometer and process for performing shape metrology
DE102017130072B4 (de) 2017-12-15 2021-05-20 Leibniz-Institut Für Festkörper- Und Werkstoffforschung Dresden E.V. Impulsauflösendes Photoelektronenspektrometer und Verfahren zur impulsauflösenden Photoelektronenspektroskopie
WO2019216348A1 (ja) * 2018-05-09 2019-11-14 国立大学法人奈良先端科学技術大学院大学 減速比可変球面収差補正静電レンズ、広角エネルギーアナライザ、及び、二次元電子分光装置
US11742172B2 (en) * 2019-01-11 2023-08-29 Hitachi High-Tech Corporation Charged particle beam device and control method thereof
DE102019107327A1 (de) 2019-03-21 2020-09-24 Specs Surface Nano Analysis Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Elektronentransfer von einer Probe zu einem Energieanalysator und Elektronen-Spektrometervorrichtung
JP7030089B2 (ja) * 2019-09-30 2022-03-04 日本電子株式会社 インプットレンズおよび電子分光装置
SE544610C2 (en) * 2021-01-29 2022-09-20 Scienta Omicron Ab Angle-resolving photoelectron spectrometer and method

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2331091C3 (de) * 1973-06-19 1980-03-20 Leybold-Heraeus Gmbh, 5000 Koeln Einrichtung zur Bestimmung der Energie geladener Teilchen
DE2826604A1 (de) * 1978-06-19 1980-01-24 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Einrichtung zur bestimmung der energie geladener teilchen
JPS5875754A (ja) * 1981-10-30 1983-05-07 Shimadzu Corp 荷電粒子エネルギ−分析装置
JPS5878361A (ja) * 1981-10-31 1983-05-11 Shimadzu Corp 荷電粒子エネルギ−分析装置
US4764673A (en) * 1987-04-30 1988-08-16 Kevex Corporation Electric electron energy analyzer
JPS6424352A (en) * 1987-07-20 1989-01-26 Fujitsu Ltd Energy analyzing device
US5444242A (en) * 1992-09-29 1995-08-22 Physical Electronics Inc. Scanning and high resolution electron spectroscopy and imaging
US5689111A (en) * 1995-08-10 1997-11-18 Analytica Of Branford, Inc. Ion storage time-of-flight mass spectrometer
JP3347491B2 (ja) * 1994-10-12 2002-11-20 日本電子株式会社 球面収差補正静電型レンズ
US5654543A (en) * 1995-11-02 1997-08-05 Hewlett-Packard Company Mass spectrometer and related method
US5757009A (en) * 1996-12-27 1998-05-26 Northrop Grumman Corporation Charged particle beam expander
DE19701192C2 (de) * 1997-01-15 2000-10-05 Staib Instr Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Betrieb eines Spektrometers mit Energie- und Winkelauflösung

Also Published As

Publication number Publication date
DE19929185A1 (de) 2001-01-04
DE50014031D1 (de) 2007-03-22
JP4620221B2 (ja) 2011-01-26
EP1063676A2 (de) 2000-12-27
US6492644B1 (en) 2002-12-10
EP1063676A3 (de) 2005-06-15
JP2001035434A (ja) 2001-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1063676B1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur energie- und winkelaufgelösten Elektronenspektroskopie
DE112011102323B4 (de) Ionendetektionsanordnung
DE69526688T2 (de) Hochauflösungs-Rasterelektronenspektroskopie mit Bilderzeugung
DE102016121522A1 (de) Verfahren zum Durchlassen von Ionen durch eine Apertur
DE102016009641A1 (de) Detektor- und Schlitzkonfiguration in einem lsotopenverhältnis-Massenspektrometer
DE3854283T2 (de) Direkt-abbildendes monochromatisches Elektronenmikroskop.
DE69127957T2 (de) Ionenstreuungsspektrometer
DE69117347T2 (de) Energie-Analysatoren für Ladungsträgerpartikel
EP0854495B1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum betrieb eines Spektrometers mit Energie- und Winkel-auflösung
DE2331091C3 (de) Einrichtung zur Bestimmung der Energie geladener Teilchen
DE3045013C2 (de)
DE69115589T2 (de) Mehrkanal-Ladungsteilchen-Analysator
DE4041297A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum waehlen der aufloesung eines ladungsteilchenstrahl-analysators
DE102010056321B9 (de) Partikelstrahlmikroskop
DE112018006761B4 (de) Einen strahl geladener teilchen anwendende vorrichtung
DE2705430C3 (de) Elektrostatischer Analysator für geladene Teilchen
DE2646394C2 (de) Vorrichtung zur Bestimmung des Spinpolarisationsgrades eines Elektronenstrahls
DE69121463T2 (de) Ionenbündelvorrichtung
DE112015006478T5 (de) Atomsonde mit weitem Sichtfeld
DE2105805C3 (de) Gerät zur Elektronenspektroskopie
DE19953300A1 (de) Instrument zum Detektieren von geladenen Teilchen
DE2659385C3 (de) Ionen-Mikrosonden-Analysator
DE102017009299C5 (de) Vorrichtung zur Analyse einer Probe mittels Elektronen sowie Verwendung und Verfahren
DE102020104151B3 (de) Abbildungsvorrichtung für Elektronen und ein Abbildungsverfahren zur Reduktion des Untergrundsignals in abbildenden elektronenoptischen Geräten
DE102014019408B4 (de) Abbildende Energiefiltervorrichtung und Verfahren zu deren Betrieb

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE

AX Request for extension of the european patent

Free format text: AL;LT;LV;MK;RO;SI

PUAL Search report despatched

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009013

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A3

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE

AX Request for extension of the european patent

Extension state: AL LT LV MK RO SI

17P Request for examination filed

Effective date: 20051125

AKX Designation fees paid

Designated state(s): DE FR GB

GRAP Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR1

GRAS Grant fee paid

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR3

GRAA (expected) grant

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: B1

Designated state(s): DE FR GB

REG Reference to a national code

Ref country code: GB

Ref legal event code: FG4D

Free format text: NOT ENGLISH

REF Corresponds to:

Ref document number: 50014031

Country of ref document: DE

Date of ref document: 20070322

Kind code of ref document: P

GBT Gb: translation of ep patent filed (gb section 77(6)(a)/1977)

Effective date: 20070411

ET Fr: translation filed
PLBE No opposition filed within time limit

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT

26N No opposition filed

Effective date: 20071108

REG Reference to a national code

Ref country code: FR

Ref legal event code: PLFP

Year of fee payment: 17

REG Reference to a national code

Ref country code: FR

Ref legal event code: PLFP

Year of fee payment: 18

REG Reference to a national code

Ref country code: FR

Ref legal event code: PLFP

Year of fee payment: 19

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Payment date: 20190521

Year of fee payment: 20

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Payment date: 20190703

Year of fee payment: 20

Ref country code: GB

Payment date: 20190523

Year of fee payment: 20

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R071

Ref document number: 50014031

Country of ref document: DE

REG Reference to a national code

Ref country code: GB

Ref legal event code: PE20

Expiry date: 20200525

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Free format text: LAPSE BECAUSE OF EXPIRATION OF PROTECTION

Effective date: 20200525