JPS5878361A - 荷電粒子エネルギ−分析装置 - Google Patents
荷電粒子エネルギ−分析装置Info
- Publication number
- JPS5878361A JPS5878361A JP56175179A JP17517981A JPS5878361A JP S5878361 A JPS5878361 A JP S5878361A JP 56175179 A JP56175179 A JP 56175179A JP 17517981 A JP17517981 A JP 17517981A JP S5878361 A JPS5878361 A JP S5878361A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grid
- charged
- energy
- pass filter
- reflective surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/44—Energy spectrometers, e.g. alpha-, beta-spectrometers
- H01J49/46—Static spectrometers
- H01J49/48—Static spectrometers using electrostatic analysers, e.g. cylindrical sector, Wien filter
- H01J49/488—Static spectrometers using electrostatic analysers, e.g. cylindrical sector, Wien filter with retarding grids
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はローパスフィルタ及びバイパスフィルタを組合
せた荷電粒子エネルギー分析装置に関する。こ＼でロー
パスフィルタと云うのは成るエネ１− ルギー値よりも低いエネルギーの荷電粒子だけを選択的
に反射する装置であり、バイパスフィルタは成るエネル
ギー値よりも高いエネルギーを持った荷電粒子だけを透
過させる装置である。ローパスフィルタは反射面とその
前面に反射面と平行して張設されたグリッドよりなって
おり、グリッドを基準にして反射面を分析対象の荷電粒
子と同極性に荷電しである。グリッドと反射面間の電位
差を■とすると荷電粒子中、（Ｖ）ｅＶ（Ｖ電子ボルト
）以上のエネルギーを有するものは反射面に入射して吸
収され（Ｖ）ｅＶ以下のエネルギーを有する荷電粒子が
取出される。ハ″イパスフィルタは平行に張設された２
重グリッドで、荷電粒子の入射側のグリッドを基準にし
てその後のグリッドを荷電粒子と同極性に荷電し、両者
間の電位差をＶとすると、（至）０７以上の荷電粒子は
両グリッドを透過し、（至）ｅＶより低いエネルギーの
粒子は入射側へ反射さレル。ソコでバイパスフィルタと
ローパスフィルタを組合せて任意に設定しだせまいエネ
ルギー幅内に含まれるエネルギーを持った粒子が選別し
て取出される。
せた荷電粒子エネルギー分析装置に関する。こ＼でロー
パスフィルタと云うのは成るエネ１− ルギー値よりも低いエネルギーの荷電粒子だけを選択的
に反射する装置であり、バイパスフィルタは成るエネル
ギー値よりも高いエネルギーを持った荷電粒子だけを透
過させる装置である。ローパスフィルタは反射面とその
前面に反射面と平行して張設されたグリッドよりなって
おり、グリッドを基準にして反射面を分析対象の荷電粒
子と同極性に荷電しである。グリッドと反射面間の電位
差を■とすると荷電粒子中、（Ｖ）ｅＶ（Ｖ電子ボルト
）以上のエネルギーを有するものは反射面に入射して吸
収され（Ｖ）ｅＶ以下のエネルギーを有する荷電粒子が
取出される。ハ″イパスフィルタは平行に張設された２
重グリッドで、荷電粒子の入射側のグリッドを基準にし
てその後のグリッドを荷電粒子と同極性に荷電し、両者
間の電位差をＶとすると、（至）０７以上の荷電粒子は
両グリッドを透過し、（至）ｅＶより低いエネルギーの
粒子は入射側へ反射さレル。ソコでバイパスフィルタと
ローパスフィルタを組合せて任意に設定しだせまいエネ
ルギー幅内に含まれるエネルギーを持った粒子が選別し
て取出される。
上述シタローパスフィルタ及ヒバイパスフィルタを用い
て構成された荷電粒子エネルギー分析装置で従来提案さ
れているものは第１図に示すような構造になっている。
て構成された荷電粒子エネルギー分析装置で従来提案さ
れているものは第１図に示すような構造になっている。
Ｍは０点を曲率中心とする球面反射面でその前側に同心
的にグリッドＧ１が配置され、両者でローパスフィルタ
を構成している。Ｍからみて０点の反対側に０点を曲率
中心とする２重球面グリッドＧ２．Ｇ３があって、Ｇ２
、Ｇ３によりバイパスフィルタを構成している。
的にグリッドＧ１が配置され、両者でローパスフィルタ
を構成している。Ｍからみて０点の反対側に０点を曲率
中心とする２重球面グリッドＧ２．Ｇ３があって、Ｇ２
、Ｇ３によりバイパスフィルタを構成している。
グリッドＧｌ、Ｇ２は同電位に保たれ、０１Ｍ間及びＧ
２．Ｇ３間に夫々適当な電圧が印加されている。０点の
傍の８点に荷電粒子の放射点を置くと、成るエネルギー
■１以下の荷電粒子はＭで反射されて０点の傍に一旦集
束した後発散して・・イパスフィルタであるグリッドＧ
２．Ｇ３に入射し、成るエネルギーｖ２以下の粒子が反
射され、エネルギーがｖｌとｖａとの間にある粒子だけ
がグリッドＧ３を通過するから、これを検出する。この
構成によるときは、取出されたエネルギーＶ１と■２と
の間の荷電粒子は発散していて、荷電粒子放射源の像を
形成していないから、成る特定のエネルギーを持った放
射電子による試料の像を観測すると云うようなことがで
きない。また実際問題として８点はローパスフィルタと
ノ＼イノぐスフイルタで囲まれた中にあり、こ＼に試料
をセットすることはできなくて、具体的には側方に試料
励起部があり、試料から放射された荷電粒子を電子光学
系で８点に導き、８点からＭに向けて放射している（特
公昭５１−２３９６号）ので、装置構成として複雑であ
り、更に曲率中心０点をはさんで両側にローパスフィル
タとノ・イパスフィルタが配置されているので装置が大
型となる。
２．Ｇ３間に夫々適当な電圧が印加されている。０点の
傍の８点に荷電粒子の放射点を置くと、成るエネルギー
■１以下の荷電粒子はＭで反射されて０点の傍に一旦集
束した後発散して・・イパスフィルタであるグリッドＧ
２．Ｇ３に入射し、成るエネルギーｖ２以下の粒子が反
射され、エネルギーがｖｌとｖａとの間にある粒子だけ
がグリッドＧ３を通過するから、これを検出する。この
構成によるときは、取出されたエネルギーＶ１と■２と
の間の荷電粒子は発散していて、荷電粒子放射源の像を
形成していないから、成る特定のエネルギーを持った放
射電子による試料の像を観測すると云うようなことがで
きない。また実際問題として８点はローパスフィルタと
ノ＼イノぐスフイルタで囲まれた中にあり、こ＼に試料
をセットすることはできなくて、具体的には側方に試料
励起部があり、試料から放射された荷電粒子を電子光学
系で８点に導き、８点からＭに向けて放射している（特
公昭５１−２３９６号）ので、装置構成として複雑であ
り、更に曲率中心０点をはさんで両側にローパスフィル
タとノ・イパスフィルタが配置されているので装置が大
型となる。
本発明は上述した既提案の装置の欠点を解消し、単純化
された小型な構成で試料の像観察が可能であり性能的に
も優れた荷電粒子エネルギー分析装置を提供しようとす
るものである。以下実施例によって本発明を説明する。
された小型な構成で試料の像観察が可能であり性能的に
も優れた荷電粒子エネルギー分析装置を提供しようとす
るものである。以下実施例によって本発明を説明する。
第２図は本発明の一実施例を示す。Ｍｌは０点を曲率中
心とする凹面反射面で０１は反射面Ｍ１と同心的に配置
されたグリッドである。Ｍ２は０点より反射面Ｍ１に近
い所に置かれた凸面反射面でその前面にはグリッドＧ２
が張設されており、Ｍ２はグリッドＧ２と背後のシール
ド板］とで囲まれている。グリッドＧ２及びシールド１
はグリッドＧ１と同電位にしである。２つの反射面Ｍ１
、Ｍ２の各曲率中心を結ぶ線はこの装置の光軸であって
、この光軸上で反射面Ｍ１の背後に荷電粒子入射口Ａ１
が設けられており、同光軸上で反射面Ｍ１の前方、Ｍ２
の後方に荷電粒子出射口Ａ２が設けられている。装置全
体を光学系と考えたときＡ１の像がＡ２に形成されるよ
うになっている。
心とする凹面反射面で０１は反射面Ｍ１と同心的に配置
されたグリッドである。Ｍ２は０点より反射面Ｍ１に近
い所に置かれた凸面反射面でその前面にはグリッドＧ２
が張設されており、Ｍ２はグリッドＧ２と背後のシール
ド板］とで囲まれている。グリッドＧ２及びシールド１
はグリッドＧ１と同電位にしである。２つの反射面Ｍ１
、Ｍ２の各曲率中心を結ぶ線はこの装置の光軸であって
、この光軸上で反射面Ｍ１の背後に荷電粒子入射口Ａ１
が設けられており、同光軸上で反射面Ｍ１の前方、Ｍ２
の後方に荷電粒子出射口Ａ２が設けられている。装置全
体を光学系と考えたときＡ１の像がＡ２に形成されるよ
うになっている。
入射口Ａ１を形成しているシールド２とこのシールド端
のグリッドＧ３とは同電位で通常アース電位になってい
る。グリッドＧ３は入射口Ａ１の中心を曲率中心とする
球面であり、グリッド０３の前方グリッドＧ１の延長面
上にグリッドＧ３と同心球的にグリッドＧ４が設けられ
、これらのグリッドＧ３．Ｇ４によってプレノ・イパス
フィルタが構成されている。Ａ１に入射した荷電粒子は
Ａ１．０３間では加速されることなく直進する。Ｇ４は
グリッドＧ１と同電位で０３に対し荷電粒子を減速する
ように電位が与えられている。このＧ３．０４間の電位
差をＶａとすると荷電粒子中エネルギーが（Ｖａ ）ｅ
Ｖ以下の粒子はＧ４で反射され、ｖａ（θ■）以上の粒
子だけが０４を通過する。荷電粒子出射口Ａ２の左方に
はＡ２の中心を曲率中心として同心的に３重に球面グリ
ッドＧ５、Ｇ６．Ｇ７が設けられ、Ｇ５はグリッドＧ１
と同電位にしである。このためグリッドＧｌと０５との
間の空間は全体が同電位である。上述したグリッドＧ４
を通過してこのグリッドＧｌ、０５間の空間に進入した
荷電粒子はそのま＼直進してグリッドＧ２に入射する。
のグリッドＧ３とは同電位で通常アース電位になってい
る。グリッドＧ３は入射口Ａ１の中心を曲率中心とする
球面であり、グリッド０３の前方グリッドＧ１の延長面
上にグリッドＧ３と同心球的にグリッドＧ４が設けられ
、これらのグリッドＧ３．Ｇ４によってプレノ・イパス
フィルタが構成されている。Ａ１に入射した荷電粒子は
Ａ１．０３間では加速されることなく直進する。Ｇ４は
グリッドＧ１と同電位で０３に対し荷電粒子を減速する
ように電位が与えられている。このＧ３．０４間の電位
差をＶａとすると荷電粒子中エネルギーが（Ｖａ ）ｅ
Ｖ以下の粒子はＧ４で反射され、ｖａ（θ■）以上の粒
子だけが０４を通過する。荷電粒子出射口Ａ２の左方に
はＡ２の中心を曲率中心として同心的に３重に球面グリ
ッドＧ５、Ｇ６．Ｇ７が設けられ、Ｇ５はグリッドＧ１
と同電位にしである。このためグリッドＧｌと０５との
間の空間は全体が同電位である。上述したグリッドＧ４
を通過してこのグリッドＧｌ、０５間の空間に進入した
荷電粒子はそのま＼直進してグリッドＧ２に入射する。
凸面反射面Ｍ２はグリッドＧ２に対し荷電粒子を反射す
るように電位ＶＤが与えられ、Ｖ ｂ ） Ｖ ａとし
ておくと、荷電粒子中エネルギーが（Ｖｂ）ｅＶ以上の
ものは反射面Ｍ２に入射して吸収され、（Ｖｂ）ｅＶ以
下の粒子が反射される。即ちグリッドＧ２と反射面Ｍ２
とでプレローパスフィルタを構成している。以上２つの
プレフィルタによってエネルギーが（Ｖａ）選 θＶ〜（ｖｂ）ｅＶの粒子が送別される。この粒子はグ
リッドＧ１に向って直進する。反射面Ｍｌの電位を■１
としＶｂ）Ｖｌ）Ｖａに設定しておくと、エネルギー（
Ｖｌ）θＶ以下の粒子がＭｌで反射され直進してグリッ
ドＧ５に向う。グリッドＧ６の電位を■２としてＶ １
：＞Ｖ ２）Ｖ ａとすると、エネルギー（Ｖ２）ｅＶ
以」二の粒子がグリッドＧ６を通過し、結局Ｇ６を通過
する粒子はエネルギーが（Ｖ２）ｅＶから（■１）θ■
の間のものだけとなる。この粒子は出射口Ａ２に収束す
る。Ｇ６を通過した荷電粒子は速度が殆んどＯになって
いるからグリッドＧ７で加速するようになっている。荷
電粒子による像を投影しないで、単に荷電粒子を検出す
るだけの場合グリッドＧ７による加速は不要で検出器の
電位に引かれて加速される。荷電粒子入射口Ａｌの所に
試料を置きＸ線或は紫外線による照射その他適宜の方法
で励起すると、試料から放射される電子は上述した作用
でエネルギー選別が行われ、特定のエネルギーの電子に
よる試料の像が出射口Ａ２上に形成される。
るように電位ＶＤが与えられ、Ｖ ｂ ） Ｖ ａとし
ておくと、荷電粒子中エネルギーが（Ｖｂ）ｅＶ以上の
ものは反射面Ｍ２に入射して吸収され、（Ｖｂ）ｅＶ以
下の粒子が反射される。即ちグリッドＧ２と反射面Ｍ２
とでプレローパスフィルタを構成している。以上２つの
プレフィルタによってエネルギーが（Ｖａ）選 θＶ〜（ｖｂ）ｅＶの粒子が送別される。この粒子はグ
リッドＧ１に向って直進する。反射面Ｍｌの電位を■１
としＶｂ）Ｖｌ）Ｖａに設定しておくと、エネルギー（
Ｖｌ）θＶ以下の粒子がＭｌで反射され直進してグリッ
ドＧ５に向う。グリッドＧ６の電位を■２としてＶ １
：＞Ｖ ２）Ｖ ａとすると、エネルギー（Ｖ２）ｅＶ
以」二の粒子がグリッドＧ６を通過し、結局Ｇ６を通過
する粒子はエネルギーが（Ｖ２）ｅＶから（■１）θ■
の間のものだけとなる。この粒子は出射口Ａ２に収束す
る。Ｇ６を通過した荷電粒子は速度が殆んどＯになって
いるからグリッドＧ７で加速するようになっている。荷
電粒子による像を投影しないで、単に荷電粒子を検出す
るだけの場合グリッドＧ７による加速は不要で検出器の
電位に引かれて加速される。荷電粒子入射口Ａｌの所に
試料を置きＸ線或は紫外線による照射その他適宜の方法
で励起すると、試料から放射される電子は上述した作用
でエネルギー選別が行われ、特定のエネルギーの電子に
よる試料の像が出射口Ａ２上に形成される。
この場合Ａ１の像がＡ２に縮小して結像するという従来
のエネルギー分析装置にない特徴をもっている。グリッ
ドＧｌ、Ｇ２．Ｇ５を同電位に保ち、これらに対するＭ
ｌ、Ｍ２．Ｇ６の電位差を一定に保ちつ＼Ｇｌ、Ｇ２．
Ｇ５の電位を変えることによって荷電粒子のエネルギー
走査を行う。なお荷電粒子の進行方向を逆にして、Ａ２
を入射口、ＡＩを出射口としてもよい。この場合Ｇ’ｉ
’、Ｇ６は同電位でアース電位とする。この場合、Ａ２
の像はＡ１に拡大して結像する。
のエネルギー分析装置にない特徴をもっている。グリッ
ドＧｌ、Ｇ２．Ｇ５を同電位に保ち、これらに対するＭ
ｌ、Ｍ２．Ｇ６の電位差を一定に保ちつ＼Ｇｌ、Ｇ２．
Ｇ５の電位を変えることによって荷電粒子のエネルギー
走査を行う。なお荷電粒子の進行方向を逆にして、Ａ２
を入射口、ＡＩを出射口としてもよい。この場合Ｇ’ｉ
’、Ｇ６は同電位でアース電位とする。この場合、Ａ２
の像はＡ１に拡大して結像する。
厳密には反射面とグリッド間或は２枚のグリッド間での
荷電粒子の反射透過の関係は両者間の電位差だけでなく
入射角も関係する。第３図で面Ｐ１．２２間の電位差を
Ｖ、ＰＩの電位を０とし、荷電粒子のエネルギーを（Ｖ
’）ｅＶとすると、入射角θの場合、ＰＩ Ｆ２間の電
界の作用を受けるのは粒子の運動速度のうち電界方向の
成分であるから見掛上の粒子のエネルギーはＶ’ｃｏｓ
θであり、反射条件はＶ’ ｃｏｓθくｖとなる。ｃｏ
、ｓθ≠１−θ２／２ であるからθが小さい間はθの
影響は無視できる。第４図は各グリッド及び反射面の電
位の関係及びフィルタの特性を示す。ＦｌはグリッドＧ
３．Ｇ４よりなるプレバイパスフィルタの特性、Ｆ２は
グリッドＧ２と反射面Ｍ２よりなるプレローパスフィル
タの特性、Ｆ３はグリッドＧ１と反射面Ｍｌよりなるロ
ーパスフィルタ、Ｆ４はグリッドＧ５，５６よりなるバ
イパスフィルタの特性を示す。グリッドＧ３．Ｇ４及び
Ｇ５゜Ｇ６は夫々粒子がその面に垂直に入射するからθ
−〇である。θの影響は反射面Ｍｌ、Ｍ２において現れ
ることになるが、夫々反射面を抵抗層にし面に沼って電
位勾配を与えることでθの影響を補償することができる
。
荷電粒子の反射透過の関係は両者間の電位差だけでなく
入射角も関係する。第３図で面Ｐ１．２２間の電位差を
Ｖ、ＰＩの電位を０とし、荷電粒子のエネルギーを（Ｖ
’）ｅＶとすると、入射角θの場合、ＰＩ Ｆ２間の電
界の作用を受けるのは粒子の運動速度のうち電界方向の
成分であるから見掛上の粒子のエネルギーはＶ’ｃｏｓ
θであり、反射条件はＶ’ ｃｏｓθくｖとなる。ｃｏ
、ｓθ≠１−θ２／２ であるからθが小さい間はθの
影響は無視できる。第４図は各グリッド及び反射面の電
位の関係及びフィルタの特性を示す。ＦｌはグリッドＧ
３．Ｇ４よりなるプレバイパスフィルタの特性、Ｆ２は
グリッドＧ２と反射面Ｍ２よりなるプレローパスフィル
タの特性、Ｆ３はグリッドＧ１と反射面Ｍｌよりなるロ
ーパスフィルタ、Ｆ４はグリッドＧ５，５６よりなるバ
イパスフィルタの特性を示す。グリッドＧ３．Ｇ４及び
Ｇ５゜Ｇ６は夫々粒子がその面に垂直に入射するからθ
−〇である。θの影響は反射面Ｍｌ、Ｍ２において現れ
ることになるが、夫々反射面を抵抗層にし面に沼って電
位勾配を与えることでθの影響を補償することができる
。
第２図の実施例ではＭｌの曲率半径Ｒ］、 ＝ １００
、Ｍ２の曲率半径：Ｒ２＝２５．ＭｌとＭ２との間隔６
０．ＭｌとＡ１との距離２０（単位釜ｍａｎ）でＡ２に
おけるＡ１の像の倍率は０．４−である。なお第２図で
Ｒ（）は各グリッド間及びグリッドと反射面間の電界の
端縁における乱れを防ぐだめの保護環である。
、Ｍ２の曲率半径：Ｒ２＝２５．ＭｌとＭ２との間隔６
０．ＭｌとＡ１との距離２０（単位釜ｍａｎ）でＡ２に
おけるＡ１の像の倍率は０．４−である。なお第２図で
Ｒ（）は各グリッド間及びグリッドと反射面間の電界の
端縁における乱れを防ぐだめの保護環である。
本発明荷電粒子エネルギー分析装置は上述したような構
成で、第１図の構成に比し大きさが約半分となり、荷電
粒子入射口に荷電粒子を入射させるための別の電子光学
系が不要で、荷電粒子入射用の電子光学系を用いると試
料に対して余り大きな立体角で荷電粒子を取込むことが
できないのに比し、広い立体角中に放射される粒子を取
込めるから、感度が高められ、電子光学系が不要だから
構造的にも簡単であり、また選択されたエネルギーの放
射粒子による試料の像が得られ、しかもエネルギー分析
器自身で像の拡大縮小ができる。
成で、第１図の構成に比し大きさが約半分となり、荷電
粒子入射口に荷電粒子を入射させるための別の電子光学
系が不要で、荷電粒子入射用の電子光学系を用いると試
料に対して余り大きな立体角で荷電粒子を取込むことが
できないのに比し、広い立体角中に放射される粒子を取
込めるから、感度が高められ、電子光学系が不要だから
構造的にも簡単であり、また選択されたエネルギーの放
射粒子による試料の像が得られ、しかもエネルギー分析
器自身で像の拡大縮小ができる。
第１図は既提案の荷電粒子エネルギー分析装置の側面略
図、第２図は本発明の一実施例装置の縦断側面図、第３
図は粒子反射部の拡大図、第４図は各グリッド及び反射
面の電位の関係及びフィルタ特性を示すグラフである。 Ｍｌ、Ｍ２・・・反射面、０１〜Ｇ７・・・グリシ、ド
、Ａｌ・・・荷電粒子入射口、Ａ２・・・荷電粒子出射
口。
図、第２図は本発明の一実施例装置の縦断側面図、第３
図は粒子反射部の拡大図、第４図は各グリッド及び反射
面の電位の関係及びフィルタ特性を示すグラフである。 Ｍｌ、Ｍ２・・・反射面、０１〜Ｇ７・・・グリシ、ド
、Ａｌ・・・荷電粒子入射口、Ａ２・・・荷電粒子出射
口。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 凹面反射面と、その曲率中心より凹面反射面に近い位置
に凹面反射面に向けて配置された凸面反射面と、この凸
面反射面に対向して配置された荷電粒子の一つの入射或
は出射開口と、この開口の上記凸面及び凹面の両反射面
を介して形成される像の位置に配置された他の荷電粒子
の出射或は入射口とよりなり、上記各反射面はその前面
にグリッドを張設してローパスフィルタとし、上記凸面
１こ 反射面の後方増上記他の荷電粒子の出射或は入射口の中
心を曲率中心として二重グリッドよりなるバイパスフィ
ルターを設けた荷電粒子エネルギー分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56175179A JPS5878361A (ja) | 1981-10-31 | 1981-10-31 | 荷電粒子エネルギ−分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56175179A JPS5878361A (ja) | 1981-10-31 | 1981-10-31 | 荷電粒子エネルギ−分析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5878361A true JPS5878361A (ja) | 1983-05-11 |
| JPH0114667B2 JPH0114667B2 (ja) | 1989-03-13 |
Family
ID=15991646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56175179A Granted JPS5878361A (ja) | 1981-10-31 | 1981-10-31 | 荷電粒子エネルギ−分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5878361A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6297250A (ja) * | 1985-10-22 | 1987-05-06 | Shimadzu Corp | 電子エネルギ−アナライザ |
| US5107111A (en) * | 1989-01-30 | 1992-04-21 | Shimadzu Corporation | Spherical electrode type charged particle analyzer |
| DE19929185A1 (de) * | 1999-06-25 | 2001-01-04 | Staib Instr Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur energie- und winkelaufgelösten Elektronenspektroskopie |
| US7141800B2 (en) * | 2003-07-11 | 2006-11-28 | Charles E. Bryson, III | Non-dispersive charged particle energy analyzer |
-
1981
- 1981-10-31 JP JP56175179A patent/JPS5878361A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6297250A (ja) * | 1985-10-22 | 1987-05-06 | Shimadzu Corp | 電子エネルギ−アナライザ |
| US5107111A (en) * | 1989-01-30 | 1992-04-21 | Shimadzu Corporation | Spherical electrode type charged particle analyzer |
| DE19929185A1 (de) * | 1999-06-25 | 2001-01-04 | Staib Instr Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur energie- und winkelaufgelösten Elektronenspektroskopie |
| US6492644B1 (en) | 1999-06-25 | 2002-12-10 | Staib Instrumente Gmbh | Device and method for energy and angle-resolved electron spectroscopy |
| US7141800B2 (en) * | 2003-07-11 | 2006-11-28 | Charles E. Bryson, III | Non-dispersive charged particle energy analyzer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0114667B2 (ja) | 1989-03-13 |
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