JP5936895B2 - X線発生装置のターゲット及びその製造方法並びにx線発生装置 - Google Patents
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Description
するダイヤモンド基板は電気的絶縁性の材料である。このため、特許文献1のように、ダイヤモンド基板の中に小さな円柱状のターゲットを形成したような場合には、このターゲットを電源に接続する接続部が不完全である場合、ターゲットを損傷する虞があるという問題がある。
本願発明は、上述の背景の下でなされたものであり、高強度のX線を安定して発生させることができるX線発生用ターゲット、X線発生装置、及びX線発生用ターゲットの製造方法を提供することを目的とする。
(1)X線発生装置の内部に配置されて加速された電子が照射されることでX線を発生するX線発生装置のターゲットであって、
導電性材料で構成され、開口部を備えたホルダ部と、
前記ホルダ部の上記開口部を塞ぐように気密に接合されたダイヤモンド板と、
前記ダイヤモンド板の表面に設けられた薄膜ターゲットとを備え、
前記薄膜ターゲットはその外周部が前記ホルダ部に至るまでそのまま延長して設けられて前記ホルダ部に電気的に接続されたものであり、
前記ホルダ部はX線発生装置の電源に電気的に接続されるように構成されたものであり、
前記ダイヤモンド板は、前記薄膜ターゲットが形成された側が真空雰囲気に配置され、前記薄膜ターゲットが形成された側と反対側が冷媒に熱的に接触されて冷却される側に配置されるようにX線発生装置に組み込まれるものであることを特徴とするX線発生装置のターゲット。
(2)前記ダイヤモンド板は、前記薄膜ターゲットが形成された側が真空雰囲気に配置され、前記薄膜ターゲットが形成された側と反対側が冷媒に直接接触して冷却される側に配置されるようにX線発生装置に組み込まれるものであることを特徴とする(1)に記載のX線発生装置のターゲット。
(3)前記ダイヤモンド板は、結晶学的空間群Fd3mに属する結晶構造を持つダイヤモンド材料からなることを特徴とする(1)又は(2)に記載のX線発生装置のターゲット。
(4)前記薄膜ターゲットは、Al、Cr、Fe、Ni、Cu、Mo、W、Ag、Au、Rh、Sm、Laなどの導電性金属物質で構成されていることを特徴とする(1)〜(3)のいずれかに記載のX線発生装置のターゲット。
(5)前記ダイヤモンド板は、厚さ0.3mm〜1.5mm、直径2mm〜25mmの円板状もしくは楕円板状であることを特徴とする(1)〜(4)のいずれかに記載のX線発生装置のターゲット。
(6)前記薄膜ターゲットと前記ダイヤモンド板との間に厚さ1nm〜20nmの下地膜が形成されていることを特徴とする(1)〜(5)のいずれかに記載のX線発生装置のターゲット。
(7)前記下地膜が、Cr、Ti、V、W、Moのいずれかであることを特徴とする(6)に記載のX線発生装置のターゲット。
(8)前記ダイヤモンド板の前記薄膜ターゲットが形成された側と反対側に、厚さ1nm〜20nm厚の下地膜をつけ、その上に、5μm〜10μmの耐腐食性膜を形成したことを特徴とする(1)〜(7)のいずれかに記載のX線発生装置のターゲット。
(9)前記下地膜がCr、Ti、V、W、Moのいずれかであり、前記耐腐食性膜がAu、Crのいずれかであることを特徴とする(8)に記載のX線発生装置のターゲット。
(10)前記ホルダ部は円筒状をなしたものであり、
前記ダイヤモンド板は、前記円筒状ホルダ部の上部開口部を塞ぐように該円筒状ホルダ部に気密に接合されたものであり、
前記円筒状ホルダ部は、この円筒状ホルダ部と前記ダイヤモンド板との熱膨張の差によって前記円筒状ホルダ部に接合されたダイヤモンド板が破壊しない程度に変形可能な展性を備えたものであることを特徴とする(1)〜(9)のいずれかに記載のX線発生装置のターゲット。
(11)(1)〜(10)のいずれかに記載のX線発生装置のターゲットを製造するX線発生装置のターゲット製造方法であって、
前記ダイヤモンド板を前記ホルダ部に接合した状態で、前記ダイヤモンド板表面と前記ホルダ部表面とを含む領域にイオンビームスパッタなどの薄膜形成法を用いて導電性のターゲット物質を堆積させることによって、前記ダイヤモンド板表面に薄膜ターゲットを形成するとともに、前記薄膜ターゲットの外周部が前記ホルダ部に至るまでそのまま延長するようにして設けられて前記薄膜ターゲットが前記ホルダ部に電気的に接続されるように形成することを特徴とするX線発生装置のターゲット製造方法。
(12)(1)〜(10)のいずれかに記載のX線発生装置のターゲットをX線発生用ターゲットとして内部に組み込んで用いたことを特徴とするX線発生装置。
上述の手段(10)によれば、前記ホルダ部は円筒状をなしたものであり、ホルダ部を円筒状にし、この円筒状ホルダ部とダイヤモンド板との熱膨張の差によって前記円筒状ホルダ部に接合されたダイヤモンド板が破壊しない程度に変形可能な展性を備えたものにすることによって、ダイヤモンド板を薄くしても破壊の虞を防止可能としている。これにより、冷却効率のさらなる向上と、コスト削減とを可能にしている。
図1は本発明の第1実施形態に係るX線装置のターゲットの部分拡大断面図、図2は、本発明の第1実施形態に係るX線装置のターゲットの断面図、図3は、本発明の第1実施形態に係るX線装置を分解状態で示す斜視図、図4は、 図3に示すX線装置の断面図で
ある。以下、これらの図面に基づき本発明の実施形態に係るX線装置のターゲット、X線装置のターゲット製造方法及びX線装置を説明する。
とし、この下端面132aにホルダ部120の下端部をろう付け等で気密的に接合したものである。また、これによってホルダ部120とターゲット支持体130とは電気的にも結合されることになる。
るという不都合がある。
上述のX線発生装置のターゲットは以下のようにして製造される。まず、導電性の材料で円筒状に形成されたホルダ部120と、ダイヤモンド板110とを用意する。次に、このホルダ部120の上部開口部を塞ぐように円板状のダイヤモンド板110を、上記ホルダ部120に、ろう付けにより気密的に接合する。
図3は本発明の第1実施形態に係るX線装置の分解斜視図であり、封入型X線発生装置に適用した場合の例を示している。ここに示す封入型X線発生装置は、管球本体1と管球フランジ2とを結合して成るX線管球3と、管球本体1の全体を収容すると共に管球フランジ2が結合されるチューブシールド4とを有する。チューブシールド4は、例えば、真鍮によって形成される。
24が設けられ、この冷却液出射口24と冷却液流入口21とはベース17の内部に形成された冷却液通路26によって結ばれる。また、冷却液回収口23と冷却液排出口22はベース17の内部に形成された冷却液通路27によって結ばれる。
長時間安定したX線が得られた。ターゲットの最大負荷は焦点サイズに依存するので、上記値を20μm×80μmの焦点サイズに換算すると、40kW/mm2となる。一方で、バルクCuを用いた通常のCuターゲットの場合、この値は半分以下である。なお、図5に、X線発生試験後のターゲットの表面状態を示した。すなわち、図5(A)は従来のCuバルクターゲットに40kV・11mA(=440W=4kW/mm2)で約1時間負荷をかけた後の表面状態であり、表面が完全に損傷されていることがわかる。一方、図5(B)は、本発明の第1実施形態に係るX線装置のターゲットに40kV・15mA(=600W=5.45kW/mm2)で約100時間負荷をかけた後の表面状態であり、
表面が全く正常状態であることがわかる。なお、焦点サイズは両者とも0.1mm×1.1mmである。
図6は、本発明の第2実施形態に係るX線装置のターゲットの部分拡大断面図である。図6に示されるように、この実施形態は、ダイヤモンド板110の表面110aに、厚さ約10nmのCr膜の下地膜112を形成し、その上に第1実施形態と同様の薄膜ターゲット111を形成し、さらに、ダイヤモンド板110の裏面110cに、下地膜114を形成し、その上に耐腐食性膜113を形成したものであり、そのほか構成は第1実施形態と同じである。下地膜114は、厚さ約10nmのCr膜であり、耐腐食性膜113は、厚さ10μmのAu膜である。
部を除去して薄肉部121を設け、この薄肉部121を設けたことによって形成される部位である上端面120cの上にダイヤモンド板110を載せて接合するようにしたものであり、そのほか構成は第1実施形態と同じである。この実施の形態によれば、ホルダ部120を、円筒体の上端部の内周面の一部を切削により除去するだけで簡単に製作できるというメリットがある。
110 ダイヤモンド板
111 薄膜ターゲット
112,114 下地膜
113 耐腐食性膜
1 管球本体
2 管球フランジ(筐体部分)
3 X線管球
4 チューブシールド(筐体部分)
6 管球本体の先端部
7 管球本体の基部
8 X線通過窓
9a,9b ガラス壁
11 凹部
13 フィラメント(X線源)
17 ベース
19 嵌合突起
28 スリット
29 嵌合穴
31 凹部空間
37 X線シャッタ
Claims (13)
- X線発生装置の内部に配置されて加速された電子が照射されることでX線を発生するX線発生装置のターゲットであって、
導電性材料で構成され、開口部を備えた筒状をなし、その上端部に筒内径より大径の部位が設けられて段差状に形成されたホルダ部と、
前記ホルダ部の上端部に形成された段差の高さと同じ厚さに形成され、該段差を構成する上端面上に配置されて前記開口部を塞ぐように気密に接合されたダイヤモンド板と、
前記ダイヤモンド板の表面に設けられた薄膜ターゲットとを備え、
前記薄膜ターゲットはその外周部が少なくとも前記ホルダ部の最上端面に至るまでそのまま延長して設けられて前記ホルダ部に電気的に接続されたものであり、
前記ホルダ部はX線発生装置の電源に電気的に接続されるように構成されたものであり、
前記ダイヤモンド板は、前記薄膜ターゲットが形成された側が真空雰囲気に配置され、前記薄膜ターゲットが形成された側と反対側が冷媒に熱的に接触されて冷却される側に配置されるようにX線発生装置に組み込まれるものであることを特徴とするX線発生装置のターゲット。 - 前記ダイヤモンド板は、前記薄膜ターゲットが形成された側が真空雰囲気に配置され、前記薄膜ターゲットが形成された側と反対側が冷媒に直接接触して冷却される側に配置されるようにX線発生装置に組み込まれるものであることを特徴とする請求項1に記載のX線発生装置のターゲット。
- 前記ダイヤモンド板は、結晶学的空間群Fd3mに属する結晶構造を持つダイヤモンド材料からなることを特徴とする請求項1又は2に記載のX線発生装置のターゲット。
- 前記薄膜ターゲットは、Al、Cr、Fe、Ni、Cu、Mo、W、Ag、Au、Rh、Sm、Laなどの導電性金属物質で構成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のX線発生装置のターゲット。
- 前記ダイヤモンド板は、厚さ0.3mm〜1.5mm、直径2mm〜25mmの円板状
もしくは楕円板状であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のX線発生装置のターゲット。 - 前記薄膜ターゲットと前記ダイヤモンド板との間に厚さ1nm〜20nmの下地膜が形成されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のX線発生装置のターゲット。
- 前記下地膜が、Cr、Ti、V、W、Moのいずれかであることを特徴とする請求項6に記載のX線発生装置のターゲット。
- 前記ダイヤモンド板の前記薄膜ターゲットが形成された側と反対側に、厚さ1nm〜20nm厚の下地膜をつけ、その上に、5μm〜10μmの耐腐食性膜を形成したことを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のX線発生装置のターゲット。
- 前記下地膜がCr、Ti、V、W、Moのいずれかであり、前記耐腐食性膜がAu、Crのいずれかであることを特徴とする請求項8に記載のX線発生装置のターゲット。
- 前記ホルダ部は円筒状をなしたものであり、
前記ダイヤモンド板は、前記円筒状ホルダ部の上部開口部を塞ぐように該円筒状ホルダ部に気密に接合されたものであり、
前記円筒状ホルダ部は、この円筒状ホルダ部と前記ダイヤモンド板との熱膨張の差によって前記円筒状ホルダ部に接合されたダイヤモンド板が破壊しない程度に変形可能な展性を備えたものであることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載のX線発生装置のターゲット。 - 導電体からなるターゲット支持体によって周囲が囲まれていることを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載のX線発生装置のターゲット。
- 請求項1〜11のいずれかに記載のX線発生装置のターゲットを製造するX線発生装置のターゲット製造方法であって、
前記ダイヤモンド板を前記ホルダ部に接合した状態で、前記ダイヤモンド板表面と前記ホルダ部表面とを含む領域にイオンスパッタなどの薄膜形成法を用いて導電性のターゲット物質を堆積させることによって、前記ダイヤモンド板表面に薄膜ターゲットを形成するとともに、前記薄膜ターゲットの外周部が前記ホルダ部に至るまでそのまま延長するようにして設けられて前記薄膜ターゲットが前記ホルダ部に電気的に接続されるように形成することを特徴とするX線発生装置のターゲット製造方法。 - 請求項1〜11のいずれかに記載のX線発生装置のターゲットをX線発生用ターゲットとして内部に組み込んで用いたことを特徴とするX線発生装置。
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