JP2000306533A

JP2000306533A - 透過放射型ｘ線管およびその製造方法

Info

Publication number: JP2000306533A
Application number: JP11371002A
Authority: JP
Inventors: Hiroki Kutsuzawa; 宏樹沓澤
Original assignee: Toshiba Corp; Toshiba Electronic Engineering Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp; Toshiba Development and Engineering Corp
Priority date: 1999-02-19
Filing date: 1999-12-27
Publication date: 2000-11-02
Also published as: US6487272B1

Abstract

(57)【要約】【課題】この発明は、Ｘ線透過窓板とターゲット薄膜
との間の界面剥離を未然に防止し、信頼性の高い透過放
射型Ｘ線管およびその製造方法を提供することを目的と
する。【解決手段】この発明は、真空容器３３の一部に気密
接合されたベリリウム製のＸ線透過窓板３７と、このＸ
線透過窓板の真空側の面に付着されＸ線を発生するタン
グステン製のターゲット薄膜４０との間に、銅、クロ
ム、鉄、或いはニッケル等から選択された少なくとも１
つの金属元素またはそれを主体とする材料からなる少な
くとも１層の中間薄膜３９をスパッタリング等の物理的
蒸着法で成膜したことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、透過放射型Ｘ線
管およびその製造方法に係わり、とくにその真空容器の
一部を兼ねるＸ線放射窓板の内面に形成したＸ線発生用
ターゲット薄膜の界面剥離を未然に防止するようにした
この種Ｘ線管およびその製造方法に関する

【０００２】

【従来の技術】Ｘ線管は、陽極ターゲットに電子ビーム
を衝突させてＸ線を発生する構成になっている。このＸ
線管は、医療診断装置、非破壊検査や材料分析等の工業
用など、多くの用途に利用されている。そして、用途に
応じていろいろな種類のＸ線管が実用化されている。そ
の１つに、微小焦点すなわちマイクロフォーカスＸ線発
生源を得る透過放射型Ｘ線管がある。

【０００３】このマイクロフォーカス透過放射型Ｘ線管
の用途の一つは、半導体集積回路基板やその他の物体の
Ｘ線透視拡大撮影装置である。その概略構成は、図７に
示すように、Ｘ線遮蔽された装置ケース１１の内部にＸ
線管１２が配置されている。そして、このＸ線管１２の
Ｘ線発生焦点位置Ｓから距離Ｌａだけ離れた位置に半導
体集積回路基板のような被撮影物体１３が置かれる。ま
た、この被撮影物体１３の位置からさらに距離Ｌｂだけ
離れた位置に、Ｘ線イメージ管または固体Ｘ線センサの
ようなＸ線エリアセンサ１４のセンサ面が位置するよう
に配置されている。

【０００４】Ｘ線管１２には、ケース１１に内蔵された
電源１５から動作電圧が供給されるようになっており、
これは外部から制御される。また、Ｘ線エリアセンサ１
４のＸ線画像信号出力部１６から出力されるＸ線画像信
号は、画像処理装置を内蔵するモニタ１７に送られ、画
像表示部１８に被撮影物体１３のＸ線透視拡大撮影映像
が表示されるように構成されている。

【０００５】被撮影物体のＸ線撮影の拡大率Ｍは、概
ね、Ｍ＝（Ｌａ＋Ｌｂ）／Ｌａであらわされる。ただ
し、(Ｌａ《Ｌｂ)となるように設定するため、距離Ｌａ
を小さくするほど拡大率Ｍは大きくなる。また、Ｘ線管
のＸ線発生源である焦点Ｓのサイズが小さければ小さい
ほど、解像度の高い鮮明なＸ線透視拡大撮影画像が得ら
れることも自明である。

【０００６】そのため、Ｘ線管の焦点Ｓ、すなわちＸ線
発生ターゲット部分をできるだけ被撮影物体１３の近く
に配置して、距離Ｌａを可能な限り小さくできる構成が
望ましい。この目的には、Ｘ線発生ターゲット部がＸ線
管の最先端に存在するマイクロフォーカス透過放射型Ｘ
線管の使用が適する。

【０００７】この型のＸ線管１２は、図８に示すよう
に、真空容器２１の一方の側の金属円筒部の先端部に、
Ｘ線を透過するＸ線透過窓板２２が真空気密に設けられ
ている。この透過窓板２２は、通常、ベリリウム（Ｂ
ｅ）などＸ線に対する透過率の高い材料で構成されてい
る。また、このＸ線透過窓板２２の真空側の面には、要
部を拡大して示すように、タングステン（Ｗ）などから
なる陽極ターゲット薄膜２３が直接付着されている。そ
して、真空容器内の他方側のガラス部分内に電子ビーム
を発生する陰極２４が配置され、それと電子レンズ用の
複数個のグリッド電極からなる電子銃２５が配置されて
いる。

【０００８】上記した構成において、陰極から発生され
て電子銃２５を経た電子ビームｅは、陽極ターゲット薄
膜２３の位置で点焦点Ｓを結ぶようになっている。そし
て、この陽極ターゲット薄膜で発生したＸ線がそのまま
透過窓板２２を通して外部に放射される。この放射Ｘ線
を符号Ｘであらわしており、Ｘ線撮影に利用される。

【０００９】このような装置或いはＸ線管は、例えば米
国特許第５０７７７７１号明細書、日本特許第２７１３
８６０号、同特許第２６３４３６９号、特公平７−５０
５９４号、特開平９−１７１７８８号、実公昭５２−５
６７７８号、或いは実開昭５４−１６３８８５号の各公
報等に開示されている。

【００１０】なお、透過放射型Ｘ線管の陽極ターゲット
を構成するタングステン薄膜の膜厚は、Ｘ線管に印加す
る電圧によって最適な膜厚が相違している。たとえば、
工業用に使用されるＸ線管の場合、Ｘ線管に印加される
電圧は数十ｋＶ〜百数十ｋＶの範囲が一般的になってい
る。このような場合、陽極ターゲットを構成するタング
ステン薄膜の最適な膜厚は、数μｍ〜１０数μｍの範囲
となる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】ところで、陽極ターゲ
ットを構成するタングステン薄膜をベリリウム製Ｘ線透
過窓板の内面に直接付着させた構造は、タングステン薄
膜を形成する際に発生する薄膜中の残留応力、あるい
は、透過窓板を構成するベリリウムとの熱膨張差などが
影響して、ベリリウムとの間で界面剥離が起きやすく、
不安定なものになりやすい。

【００１２】とくに、マイクロフォーカス透過放射型Ｘ
線管においては、タングステン薄膜に例えば直径が数十
μｍまたはそれ以下の略円形の焦点サイズとなる電子ビ
ームを衝突させるため、この微小焦点部分で界面剥離が
起こりやすい。この界面剥離が起こった場合には、電子
ビームの局部照射によるタングステン薄膜の溶融や剥離
物の飛散などにより、Ｘ線管の致命的な損傷に至る場合
も考えられる。

【００１３】この発明は、上記した欠点を解決するもの
で、Ｘ線透過窓板とターゲット薄膜との間の界面剥離を
未然に防止し、信頼性の高い透過放射型Ｘ線管およびそ
の製造方法を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】この発明は、真空容器の
一部に気密接合されたベリリウム製のＸ線透過窓板と、
このＸ線透過窓板の真空側に設けられＸ線を発生するタ
ングステンまたはタングステンを主体とする合金からな
るターゲット薄膜との間に、例えば銅のような少なくと
も１つの金属元素またはこの金属元素を主体とする材料
からなる少なくとも１層の中間薄膜がこれらＸ線透過窓
板およびＸ線発生用ターゲット薄膜にそれぞれ密着して
設けられている透過放射型Ｘ線管である。

【００１５】また、この発明の製造方法は、ベリリウム
製Ｘ線透過窓板の内面上に、少なくとも１つの金属元
素、例えば銅やクロム、鉄、或いはニッケル等から選択
された金属元素またはこの金属元素を主体とする材料か
らなる少なくとも１層の中間薄膜、さらにこの中間薄膜
上にＸ線発生用ターゲット薄膜を例えばスパッタリング
等の物理的蒸着法で成膜することを特徴とする。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明の実施形態について図１乃
至図４を参照して説明する。同図に示すマイクロフォー
カス透過放射型Ｘ線管３０は、ガラス容器部分３１およ
び先端が閉じられた金属円筒容器部分３２が真空気密に
接合された真空容器３３を備えている。この真空容器３
３の内部には、電子銃３４が配置されている。この電子
銃３４は、電子ビームを発生する陰極３５、および電子
レンズ用の複数個のグリッド電極を備えている。なお、
ここで説明するＸ線管の例は、電子ビーム加速電圧すな
わち陰極と陽極ターゲット薄膜との間に印加される動作
電圧が、５０〜７０ｋＶの範囲のものである。

【００１７】さて、真空容器の金属円筒容器部分３２の
先端部は、Ｘ線放射窓保持用リング３６に、Ｘ線透過率
の高い材料であるベリリウム（Ｂｅ）またはベリリウム
を主体とする合金からなるＸ線透過窓３７が、ろう材層
３８により真空気密にろう接されている。Ｘ線放射窓保
持用リング３６は、厚肉の鉄（Ｆｅ）、またはコバール
（商品名）やステンレス鋼のような鉄合金、或いは銅
（Ｃｕ）または銅合金のような機械的に高強度の材料で
形成されている。そして、そのテーパ状に外方に延長さ
れた外周薄肉部３６ａが、金属円筒容器部分の先端開口
部３２ａにヘリアーク溶接により真空気密接合されてい
る。

【００１８】ベリリウム製のＸ線透過窓板３７の内面す
なわち真空領域側の面には、純銅（Ｃｕ）からなる中間
薄膜３９、およびタングステン（Ｗ）からなる陽極ター
ゲット薄膜４０が、この順に成膜され、積層して付着さ
れている。なお、このＸ線管の動作に際しては、従来技
術で述べたと同様に、陰極３５から発生され電子銃３４
を経た電子ビームｅは、陽極ターゲット薄膜４０の位置
で焦点Ｓを結ぶようになっている。そして、この焦点位
置で発生したＸ線は、そのままＸ線透過窓３７を通して
符号Ｘで示すように外部に放射され、Ｘ線撮影等に利用
される。

【００１９】次に、Ｘ線透過窓板３７、中間薄膜３９お
よび陽極ターゲット薄膜４０の好ましい組立て、或いは
成膜プロセスを、図３および図４により説明する。ま
ず、図３の（ａ）に示すように、予め所定形状に加工し
た窓保持用リング３６の開口部の段差３６ｂに、ろう材
として例えば銀が５０％と銅が５０％の銀合金ろう材を
配置し、さらに厚さが約１ｍｍのベリリウム製円板から
なるＸ線透過窓板３７を配置し、非酸化性雰囲気中で加
熱処理し、溶融ろう材３８による気密ろう接を行なっ
た。

【００２０】次に、これを図４に示すスパッタリング成
膜装置５０内に配置し、図３の（ｂ）に示すように、窓
保持用リング３６に接合された状態のベリリウム製Ｘ線
透過窓３７の内面に、銅からなる中間薄膜３９を、厚さ
がおよそ０．４μｍとなるようにスパッタリング法によ
り成膜し、直接付着させた。

【００２１】次に、同じスパッタリング成膜装置内で、
図３の（ｃ）に示すように、銅からなる中間薄膜３９の
上に、タングステンの薄膜４０を、厚さがおよそ４μｍ
となるようにスパッタリング法により成膜し、付着させ
た。その後、このように中間薄膜およびタングステン薄
膜を成膜したＸ線透過窓板３７を有する窓保持用リング
３６を、図１に示したように、金属円筒容器部分の先端
開口部３２ａに嵌め、両者の合致した薄肉円筒端部をヘ
リアーク溶接により真空気密に接合して真空容器とし、
この真空容器内に電子銃等を組み入れ、排気工程等を経
てＸ線管を完成させた。

【００２２】図４に示すスパッタリング成膜装置５０
は、普通に知られた直流（ＤＣ）二極スパッタリング装
置である。同図の符号５１は真空または減圧容器、５
２、５３はスパッタリング用のターゲット材、５４はこ
れらターゲット材を固定するターゲット固定台、５５は
シールド、５６は絶縁体、５７はターゲット材を冷却す
るためにターゲット固定台中に循環させる冷媒、５８は
シャッタ、５９は被成膜基板を載置する基板載置台、６
０は排気ポンプ、６１はアルゴンガスのような放電用ガ
スの導入を制御する制御弁、６２は直流電源をそれぞれ
あらわしている。

【００２３】そこで、図３の（ａ）に示したベリリウム
製のＸ線透過窓板３７をろう接した窓保持用リング３６
を基板載置台５９の上に載せて、減圧容器５１とともに
接地電位とする。一方、ターゲット固定台５４には、銅
からなるターゲット材５２、およびタングステンからな
るターゲット材５３を置き換え可能に固定する。このタ
ーゲット固定台５４には、直流電源６２のマイナス極を
電気的に接続してある。

【００２４】そして、減圧容器５１の内部を真空に排気
した後、矢印で示すように放電用ガス６３を導入して例
えば１０Ｐａ程度の所定圧力に制御するとともに、直流
電源６２から例えば１ｋＶ程度の所定電圧を印加して減
圧容器内に放電プラズマを発生させる。次に、シャッタ
５８を制御して、まず銅からなるターゲット材５２から
Ｘ線透過窓板３７の面上に銅の中間薄膜を成膜する。

【００２５】次に、タングステンからなるターゲット材
５３に置き換えて中間薄膜上にタングステンからなるタ
ーゲット薄膜を成膜する。こうして、図３の（ｃ）に示
したＸ線管の透過窓板３７の内面に中間薄膜３９および
ターゲット薄膜４０を連続的に積層して成膜する。

【００２６】図５に示す実施例は、銅からなる中間薄膜
３９、およびタングステンからなるターゲット薄膜４０
を、ベリリウム製Ｘ線透過窓３７の内面からさらに透過
窓保持用リング３６の内側テーパ面の途中まで延長して
スパッタリング被覆したものである。これら中間薄膜お
よびターゲット薄膜の延長部分を、符号３９ａ，４０ａ
でそれぞれあらわしている。

【００２７】この実施例によれば、Ｘ線管の動作に何ら
不都合がなく、むしろ中間薄膜３９およびターゲット薄
膜４０の成膜に際して、マスキングを比較的ラフにして
も差支えないという利点がある。

【００２８】図６に示す実施例は、ベリリウム製Ｘ線透
過窓板３７の内面に２層３９ｂ，３９ｃからなる中間薄
膜３９を積層して成膜し、その内面にターゲット薄膜４
０を成膜したものである。２層からなる中間薄膜３９の
材料は、例えばＸ線透過窓板側の中間薄膜３９ｂを鉄
（Ｆｅ）とし、ターゲット薄膜側の中間薄膜３９ｃをチ
タン（Ｔｉ）としてもよい。それによって、熱膨張率
が、Ｘ線透過窓板３７であるベリリウムからターゲット
薄膜４０のタングステンに向かって大きい順に配列さ
れ、各層間の界面剥離が一層抑制される。

【００２９】なお、中間薄膜３９ｂ，３９ｃは、上記に
限らず、例えば中間薄膜３９ｂを金（Ａｕ）とし、中間
薄膜３９ｃをクロム（Ｃｒ）にすることもできる。或い
はまた、中間薄膜３９ｂを銅（Ｃｕ）とし、中間薄膜３
９ｃをタンタル（Ｔａ）にすることもできる。その他、
種々の組合わせが可能である。また、２層に限らず、３
層またはそれ以上に積層することも可能である。

【００３０】このように製作したマイクロフォーカス透
過放射型Ｘ線管は、微小焦点Ｘ線の放射を長時間継続し
ても、Ｘ線透過窓板から銅製中間薄膜およびタングステ
ン製ターゲット薄膜の界面剥離が起らず、高い信頼性が
得られた。その主な理由は、Ｘ線透過窓を構成するベリ
リウム板と銅からなる中間薄膜とが比較的合金化しやす
いことと、スパッタリング成膜法により、高いエネルギ
ーでベリリウム製窓材に中間薄膜が高付着力で付着さ
れ、さらに同様にこの中間薄膜にタングステン製ターゲ
ット薄膜が高付着力で付着されるとともに、これら各界
面部分で下地金属中へのイオン打込み現象が存在してい
るものと考えられる。こうして、各界面で良好な密着性
が得られ、界面剥離が生じ難くなっているものと考えら
れる。

【００３１】ところで、金属中への電子の進入深さは、
よく知られるように、同じ金属であれば電子の加速電圧
のｎ乗に比例する。ここで、ｎは約１．７である。そこ
で、Ｘ線管の陽極ターゲットがタングステンである場合
は、３０ｋＶの加速電圧での電子の進入深さは約１μｍ
であり、１００ｋＶの加速電圧での電子の進入深さは約
８μｍである。

【００３２】そのため、上記実施例のように、陽極ター
ゲットを構成しているタングステン薄膜の厚さを約４μ
ｍにした場合は、５０ｋＶの加速電圧の動作での電子の
進入深さはタングステン薄膜の表面から約２．５μｍま
で、７０ｋＶの加速電圧の動作ではタングステン薄膜の
表面から約４μｍすなわちタングステン薄膜の厚さ概ね
全体に進入し、Ｘ線を効率よく放射するとともに、銅の
中間薄膜やベリリウム製Ｘ線透過窓板までは電子が到達
せず、不都合を引き起こすことが未然に防止される。

【００３３】なお、中間薄膜としては、陽極ターゲット
薄膜の主体金属であるタングステンよりも原子番号が小
さい金属元素またはそれを主体とする合金や化合物を使
用することが、発生したＸ線を不所望に吸収しなのでと
くに望ましい。しかし、中間薄膜として原子番号が比較
的高い材料を使用しても、その厚さを薄く成膜すれば、
この中間薄膜で吸収するＸ線量は無視できる程度に小さ
くすることが可能である。一方、中間薄膜の存在によっ
て、若干ではあるが、ターゲット薄膜からの熱放散性も
高められる。

【００３４】このような理由に基づいて、この種Ｘ線管
の用途、動作中の電子ビーム加速電圧の範囲を考慮し
て、陽極ターゲットを構成しているタングステン薄膜の
厚さを最適な厚さに製作することができる。また、陽極
ターゲット薄膜の素材は、純タングステンに限られず、
例えばレニウム（Ｒｅ）を微量含むレニウム・タングス
テン合金や、モリブデン（Ｍｏ）を微量含むモリブデン
・タングステン合金、あるいはその他の元素を微量含む
タングステン主体の合金を使用してもよい。

【００３５】一方、中間薄膜３９は、材料として上述の
ように純銅（Ｃｕ）が好ましいが、それに限らず、他の
元素を微量含んでもよく、あるいは次のような材料を使
用できる。すなわち、例えばクロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆ
ｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン
（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、ロ
ジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、或いはこれ
らの少なくとも１つの金属元素を主体とする合金または
化合物から選択された材料であってもよい。或いはま
た、これらから選択された材料の薄膜の１層であること
に限らず、複数の薄膜の積層であってもよい。なお、前
述のように、陽極ターゲット薄膜の主体であるタングス
テンよりも原子番号やＸ線吸収率が小さく且つ融点が約
９５０℃を超える金属材料の使用が、Ｘ線管の製造中ま
たは動作中の安定性のうえでとくに好ましい。

【００３６】また、この中間薄膜３９の厚さは、これと
Ｘ線透過窓板３７または陽極ターゲット薄膜との間の界
面剥離を生じない範囲でできるだけ薄い方が望ましい。
これを種々検討した結果、陽極ターゲット薄膜４０の厚
さの、１／５０乃至１／２の範囲、より好ましくは、１
／３０乃至１／３の範囲にすることが望ましいことが確
認できた。

【００３７】なお、Ｘ線透過窓板３７の厚さは、動作時
も真空容器として安全且つ安定に機能する範囲で、可能
な限り薄く構成することが望ましい。

【００３８】中間薄膜、或いは陽極ターゲット薄膜の成
膜方法は、上述のスパッタリング法に限らず、イオンプ
レーティング法、或いは真空蒸着法などの、いわゆる物
理的蒸着（ＰＶＤ）法が適する。また、これらの方法の
組合わせによって全体を成膜してもよい。

【００３９】また、上記のＸ線という表現には、γ線な
ど放射線を含むものとする。

【００４０】

【発明の効果】この発明によれば、ベリリウム製Ｘ線放
射窓板の内面に成膜したタングステン主体のターゲット
薄膜の界面剥離を未然に防止でき、信頼性の高い透過放
射型Ｘ線管およびその製造方法を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態を示すＸ線管の縦断面図
である。

【図２】図１の要部を拡大して示す断面図である。

【図３】図１のＸ線放射窓板およびターゲット薄膜の組
立ておよび成膜プロセスを示す要部縦断面図である。

【図４】この発明の製造方法に適用するスパッタリング
装置を示す概略図である。

【図５】この発明の他の実施形態を示すＸ線管の要部縦
断面図である。

【図６】この発明のさらに他の実施形態を示すＸ線管の
要部縦断面図である。

【図７】Ｘ線拡大撮影装置を示す概略図である。

【図８】従来のＸ線管を示す縦断面図である。

【符号の説明】

３３…真空容器３４…電子銃３６…Ｘ線透過窓保持用リング３７…Ｘ線透過窓板３９…中間薄膜４０…陽極ターゲット薄膜５０…スパッタリング成膜装置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空容器の一部に気密接合されたベリリ
ウム製のＸ線透過窓板と、このＸ線透過窓板の真空側に
設けられＸ線を発生するタングステンまたはタングステ
ンを主体とする合金からなるターゲット薄膜と、前記Ｘ
線発生用ターゲット薄膜に照射する電子ビームを発生す
る陰極構体とを具備し、上記Ｘ線発生用ターゲット薄膜
から発生するＸ線を上記Ｘ線透過窓板を通して外部に放
射させる構造の透過放射型Ｘ線管において、前記Ｘ線透過窓板と前記Ｘ線発生用ターゲット薄膜との
間に、少なくとも１つの金属元素または該金属元素を主
体とする材料からなる少なくとも１層の中間薄膜が前記
Ｘ線透過窓板およびＸ線発生用ターゲット薄膜にそれぞ
れ密着して設けられていることを特徴とする透過放射型
Ｘ線管。
【請求項２】上記中間薄膜は、銅、クロム、鉄、ニッ
ケル、シリコン、チタン、ジルコニウム、ニオブ、ロジ
ウム、金、銀、或いはそれらを主体とする合金または化
合物から選択された材質である請求項１記載の透過放射
型Ｘ線管。
【請求項３】上記中間薄膜は、上記ターゲット薄膜を
構成している主体であるタングステンよりも原子番号が
小さい金属元素または該金属元素を主体とする材料であ
る請求項１記載の透過放射型Ｘ線管。
【請求項４】上記中間薄膜は、その厚さが上記ターゲ
ット薄膜の厚さの１／５０、乃至、１／２の範囲である
請求項１記載の透過放射型Ｘ線管。
【請求項５】真空容器の一部に気密接合されたベリリ
ウム製のＸ線透過窓板と、このＸ線透過窓板の真空側に
設けられＸ線を発生するタングステンまたはタングステ
ンを主体とする合金からなるターゲット薄膜と、前記Ｘ
線発生用ターゲット薄膜に照射する電子ビームを発生す
る陰極構体とを具備し、上記Ｘ線発生用ターゲット薄膜
から発生するＸ線を上記Ｘ線透過窓板を通して外部に放
射させる構造の透過放射型Ｘ線管の製造方法において、前記Ｘ線透過窓板の前記Ｘ線発生用ターゲット薄膜が設
けられ側の面上に、少なくとも１つの金属元素または該
金属元素を主体とする材料からなる少なくとも１層の中
間薄膜を成膜し、さらにこの中間薄膜上に上記Ｘ線発生
用ターゲット薄膜を成膜することを特徴とする透過放射
型Ｘ線管の製造方法。
【請求項６】上記中間薄膜またはＸ線発生用ターゲッ
ト薄膜は、スパッタリング法、イオンプレーティング
法、または真空蒸着法等の物理的蒸着法で成膜する請求
項５記載の透過放射型Ｘ線管の製造方法。
【請求項７】上記真空容器の一部を構成するＸ線透過
窓保持用リングを予め用意し、このＸ線透過窓保持用リ
ングに上記Ｘ線透過窓板を気密接合し、その後に前記Ｘ
線透過窓板の内面側に中間薄膜およびＸ線発生用ターゲ
ット薄膜を順次成膜し、その後上記Ｘ線透過窓保持用リ
ングを真空容器の残りの部分に気密接合する請求項５記
載の透過放射型Ｘ線管の製造方法。