JP2003297891A - 半導体用蛍光ｘ線分析装置 - Google Patents
半導体用蛍光ｘ線分析装置Info
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- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低コストで、回路パターンに損傷を与えるこ
となく、半導体試料を分析できる半導体用蛍光Ｘ線分析
装置を提供する。 【解決手段】 半導体試料１に１次Ｘ線Ｂ１を照射する
点状の１次Ｘ線源３ａと、その半導体試料１からの蛍光
Ｘ線Ｂ２を検出する検出手段５と、前記１次Ｘ線Ｂ１の
照射領域を直径５０μｍ以下の点状に収束させる集光素
子６と、前記半導体試料１における回路パターン１ａ間
の切り代であるダイシング部１ｂを測定部位として認識
する試料認識手段１２と、前記ダイシング部１ｂを前記
照射領域で１次Ｘ線Ｂ１が照射される測定位置に移動さ
せる移動機構１５とを備える。
となく、半導体試料を分析できる半導体用蛍光Ｘ線分析
装置を提供する。 【解決手段】 半導体試料１に１次Ｘ線Ｂ１を照射する
点状の１次Ｘ線源３ａと、その半導体試料１からの蛍光
Ｘ線Ｂ２を検出する検出手段５と、前記１次Ｘ線Ｂ１の
照射領域を直径５０μｍ以下の点状に収束させる集光素
子６と、前記半導体試料１における回路パターン１ａ間
の切り代であるダイシング部１ｂを測定部位として認識
する試料認識手段１２と、前記ダイシング部１ｂを前記
照射領域で１次Ｘ線Ｂ１が照射される測定位置に移動さ
せる移動機構１５とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路パターンが形
成された半導体試料を分析する蛍光Ｘ線分析装置におい
て、回路パターンへの損傷防止に関する。
成された半導体試料を分析する蛍光Ｘ線分析装置におい
て、回路パターンへの損傷防止に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、回路パターンが形成された半
導体試料（ウェーハ）にＸ線源から発生させた１次Ｘ線
を照射して蛍光Ｘ線分析を行う蛍光Ｘ線分析装置が知ら
れている（例えば、特許文献１参照）。
導体試料（ウェーハ）にＸ線源から発生させた１次Ｘ線
を照射して蛍光Ｘ線分析を行う蛍光Ｘ線分析装置が知ら
れている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−２１４１６６号公報（段
落０００８〜０００９、図１、２）
落０００８〜０００９、図１、２）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、一般に、前記
ウェーハの測定に際し、Ｘ線源からの１次Ｘ線がウェー
ハに照射される照射領域が広いことから、回路パターン
が形成される部位にも１次Ｘ線が照射されてしまい、ウ
ェーハの回路パターンに損傷を与えて、この測定部位ま
たは測定ウェーハを製品として使用できない場合があっ
た。
ウェーハの測定に際し、Ｘ線源からの１次Ｘ線がウェー
ハに照射される照射領域が広いことから、回路パターン
が形成される部位にも１次Ｘ線が照射されてしまい、ウ
ェーハの回路パターンに損傷を与えて、この測定部位ま
たは測定ウェーハを製品として使用できない場合があっ
た。
【０００５】このため、測定ウェーハとして、測定のみ
に用いて製品に使用しないダミーウェーハを用いる必要
があるが、近年ウェーハの大口径化に伴い、ウェーハ単
価が上昇し、コスト面でダミーウェーハを用いることが
困難となっている。
に用いて製品に使用しないダミーウェーハを用いる必要
があるが、近年ウェーハの大口径化に伴い、ウェーハ単
価が上昇し、コスト面でダミーウェーハを用いることが
困難となっている。
【０００６】本発明は、前記の問題点を解決して、低コ
ストで、回路パターンに損傷を与えることなく、半導体
試料を分析できる半導体用蛍光Ｘ線分析装置を提供する
ことを目的としている。
ストで、回路パターンに損傷を与えることなく、半導体
試料を分析できる半導体用蛍光Ｘ線分析装置を提供する
ことを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本願第１の発明は、回路パターンが形成された半導
体試料に１次Ｘ線を照射する点状の１次Ｘ線源と、その
半導体試料からの蛍光Ｘ線を検出する検出手段とを備え
た蛍光Ｘ線分析装置であって、前記１次Ｘ線の照射領域
を直径５０μｍ以下の点状に収束させる集光素子と、前
記半導体試料における回路パターン間の切り代であるダ
イシング部を測定部位として認識する試料認識手段と、
前記半導体試料のダイシング部を前記照射領域で１次Ｘ
線が照射される測定位置に移動させる移動機構とを備え
ている。
に、本願第１の発明は、回路パターンが形成された半導
体試料に１次Ｘ線を照射する点状の１次Ｘ線源と、その
半導体試料からの蛍光Ｘ線を検出する検出手段とを備え
た蛍光Ｘ線分析装置であって、前記１次Ｘ線の照射領域
を直径５０μｍ以下の点状に収束させる集光素子と、前
記半導体試料における回路パターン間の切り代であるダ
イシング部を測定部位として認識する試料認識手段と、
前記半導体試料のダイシング部を前記照射領域で１次Ｘ
線が照射される測定位置に移動させる移動機構とを備え
ている。
【０００８】本願第１の発明によれば、半導体試料のダ
イシング部を測定部位として認識し、この半導体試料の
ダイシング部の位置を、集光素子により照射領域を直径
５０μｍ以下の点状に収束させた１次Ｘ線が該ダイシン
グ部のみに照射されるように移動させることにより、半
導体試料のダイシング部を測定することで、回路パター
ンに１次Ｘ線照射の損傷を与えることなしに、また従来
のように測定のみに用いる試料を必要としないから低コ
ストで、半導体試料を分析できる。
イシング部を測定部位として認識し、この半導体試料の
ダイシング部の位置を、集光素子により照射領域を直径
５０μｍ以下の点状に収束させた１次Ｘ線が該ダイシン
グ部のみに照射されるように移動させることにより、半
導体試料のダイシング部を測定することで、回路パター
ンに１次Ｘ線照射の損傷を与えることなしに、また従来
のように測定のみに用いる試料を必要としないから低コ
ストで、半導体試料を分析できる。
【０００９】好ましくは、前記集光素子がポリキャピラ
リである。ここで、ポリキャピラリとは、ガラス管のよ
うな細いチューブ状のものを多数束ねたもので、出射側
の束全体の径を出射方向に次第に小さくして、入射する
１次Ｘ線を微小に収束させるものをいう。
リである。ここで、ポリキャピラリとは、ガラス管のよ
うな細いチューブ状のものを多数束ねたもので、出射側
の束全体の径を出射方向に次第に小さくして、入射する
１次Ｘ線を微小に収束させるものをいう。
【００１０】また、好ましくは、前記集光素子がミラー
または分光素子で、その反射面が回転楕円面またはトロ
イダル面（円環側面）である。
または分光素子で、その反射面が回転楕円面またはトロ
イダル面（円環側面）である。
【００１１】前記集光素子を、Kirkpatrick-Baez型集光
光学系を構成する２つのミラーまたは分光素子とするこ
ともできる。このような集光素子そのものは公知である
が、それについては後述する。
光学系を構成する２つのミラーまたは分光素子とするこ
ともできる。このような集光素子そのものは公知である
が、それについては後述する。
【００１２】本願第２の発明は、回路パターンが形成さ
れた半導体試料に１次Ｘ線を照射する１次Ｘ線源（点状
でも線状でもよい）と、その半導体試料からの蛍光Ｘ線
を検出する検出手段とを備えた蛍光Ｘ線分析装置であっ
て、前記１次Ｘ線の照射領域を幅５０μｍ以下の線状に
収束させる集光素子と、前記半導体試料における回路パ
ターン間の切り代であるダイシング部を測定部位として
認識する試料認識手段と、前記半導体試料のダイシング
部を前記照射領域で１次Ｘ線が照射される測定位置に移
動させる移動機構とを備えている。
れた半導体試料に１次Ｘ線を照射する１次Ｘ線源（点状
でも線状でもよい）と、その半導体試料からの蛍光Ｘ線
を検出する検出手段とを備えた蛍光Ｘ線分析装置であっ
て、前記１次Ｘ線の照射領域を幅５０μｍ以下の線状に
収束させる集光素子と、前記半導体試料における回路パ
ターン間の切り代であるダイシング部を測定部位として
認識する試料認識手段と、前記半導体試料のダイシング
部を前記照射領域で１次Ｘ線が照射される測定位置に移
動させる移動機構とを備えている。
【００１３】本願第２の発明によれば、半導体試料のダ
イシング部を測定部位として認識し、この半導体試料の
ダイシング部の位置を、集光素子により照射領域を幅５
０μｍ以下の線状に収束させた１次Ｘ線が該ダイシング
部のみに照射されるように移動させることにより、半導
体試料のダイシング部を測定することで、回路パターン
に１次Ｘ線照射の損傷を与えることなしに、また従来の
ように測定のみに用いる試料を必要としないから低コス
トで、半導体試料を分析できる。
イシング部を測定部位として認識し、この半導体試料の
ダイシング部の位置を、集光素子により照射領域を幅５
０μｍ以下の線状に収束させた１次Ｘ線が該ダイシング
部のみに照射されるように移動させることにより、半導
体試料のダイシング部を測定することで、回路パターン
に１次Ｘ線照射の損傷を与えることなしに、また従来の
ように測定のみに用いる試料を必要としないから低コス
トで、半導体試料を分析できる。
【００１４】好ましくは、前記集光素子がミラーで、そ
の反射面が楕円柱面、円柱面および球面の一群から選ば
れた１つである。また、好ましくは、前記集光素子が分
光素子で、その反射面が楕円柱面または円柱面である。
の反射面が楕円柱面、円柱面および球面の一群から選ば
れた１つである。また、好ましくは、前記集光素子が分
光素子で、その反射面が楕円柱面または円柱面である。
【００１５】本願第３の発明は、回路パターンが形成さ
れた半導体試料に１次Ｘ線を照射する点状の１次Ｘ線源
と、その半導体試料からの蛍光Ｘ線を検出する検出手段
とを備えた蛍光Ｘ線分析装置であって、前記１次Ｘ線の
照射領域を幅５０μｍ以下の線が直交する十字型に収束
させる集光素子と、前記半導体試料における回路パター
ン間の切り代であるダイシング部を測定部位として認識
する試料認識手段と、前記半導体試料のダイシング部を
前記照射領域で１次Ｘ線が照射される測定位置に移動さ
せる移動機構とを備えている。
れた半導体試料に１次Ｘ線を照射する点状の１次Ｘ線源
と、その半導体試料からの蛍光Ｘ線を検出する検出手段
とを備えた蛍光Ｘ線分析装置であって、前記１次Ｘ線の
照射領域を幅５０μｍ以下の線が直交する十字型に収束
させる集光素子と、前記半導体試料における回路パター
ン間の切り代であるダイシング部を測定部位として認識
する試料認識手段と、前記半導体試料のダイシング部を
前記照射領域で１次Ｘ線が照射される測定位置に移動さ
せる移動機構とを備えている。
【００１６】本願第３の発明によれば、半導体試料のダ
イシング部を測定部位として認識し、この半導体試料の
ダイシング部の位置を、集光素子により照射領域を幅５
０μｍ以下の線が直交する十字型に収束させた１次Ｘ線
が該ダイシング部のみに照射されるように移動させるこ
とにより、半導体試料のダイシング部を測定すること
で、回路パターンに１次Ｘ線照射の損傷を与えることな
しに、また従来のように測定のみに用いる試料を必要と
しないから低コストで、半導体試料を分析できる。
イシング部を測定部位として認識し、この半導体試料の
ダイシング部の位置を、集光素子により照射領域を幅５
０μｍ以下の線が直交する十字型に収束させた１次Ｘ線
が該ダイシング部のみに照射されるように移動させるこ
とにより、半導体試料のダイシング部を測定すること
で、回路パターンに１次Ｘ線照射の損傷を与えることな
しに、また従来のように測定のみに用いる試料を必要と
しないから低コストで、半導体試料を分析できる。
【００１７】好ましくは、前記集光素子が、対向するミ
ラー２対を対向方向が直交するように配置したもので、
各反射面が楕円柱面、円柱面および球面の一群から選ば
れた１つである。また、好ましくは、前記集光素子が、
対向する分光素子２対を対向方向が直交するように配置
したもので、各反射面が楕円柱面または円柱面である。
ラー２対を対向方向が直交するように配置したもので、
各反射面が楕円柱面、円柱面および球面の一群から選ば
れた１つである。また、好ましくは、前記集光素子が、
対向する分光素子２対を対向方向が直交するように配置
したもので、各反射面が楕円柱面または円柱面である。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係
る半導体用蛍光Ｘ線分析装置を示す概略図である。本装
置は、半導体試料（ウェーハ）１が載置される試料台２
と、ウェーハ１表面に１次Ｘ線Ｂ１を照射する点状の１
次Ｘ線源３ａ（ターゲット上の点状焦点）をもつＸ線管
３と、ウェーハ１からの蛍光Ｘ線Ｂ２の強度を測定する
検出手段５とを備えている。検出手段５は、平行化のた
めのソーラスリット７、分光器８、検出器９、図示しな
いゴニオメータ等を備えている。
基づいて説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係
る半導体用蛍光Ｘ線分析装置を示す概略図である。本装
置は、半導体試料（ウェーハ）１が載置される試料台２
と、ウェーハ１表面に１次Ｘ線Ｂ１を照射する点状の１
次Ｘ線源３ａ（ターゲット上の点状焦点）をもつＸ線管
３と、ウェーハ１からの蛍光Ｘ線Ｂ２の強度を測定する
検出手段５とを備えている。検出手段５は、平行化のた
めのソーラスリット７、分光器８、検出器９、図示しな
いゴニオメータ等を備えている。
【００１９】図２は、本装置により測定されるウェーハ
１の一例を示す平面図である。図２に示すように、ウェ
ーハ１は、回路パターン（チップ）が形成された回路パ
ターン部１ａと、回路パターン１ａ間の切り代であるダ
イシング部１ｂを有する。ダイシング部１ｂの表面は直
交する線状（格子状）で線の幅は、例えば８０〜１００
μｍである。本装置は、ウェーハ１のダイシング部１ｂ
に１次Ｘ線Ｂ１を照射して、ダイシング部１ｂから発生
した蛍光Ｘ線Ｂ２の強度に基づいて、ウェーハ１の膜厚
および膜組成を分析する。
１の一例を示す平面図である。図２に示すように、ウェ
ーハ１は、回路パターン（チップ）が形成された回路パ
ターン部１ａと、回路パターン１ａ間の切り代であるダ
イシング部１ｂを有する。ダイシング部１ｂの表面は直
交する線状（格子状）で線の幅は、例えば８０〜１００
μｍである。本装置は、ウェーハ１のダイシング部１ｂ
に１次Ｘ線Ｂ１を照射して、ダイシング部１ｂから発生
した蛍光Ｘ線Ｂ２の強度に基づいて、ウェーハ１の膜厚
および膜組成を分析する。
【００２０】本装置では、図１のＸ線管３とウェーハ１
との間のＸ線の通路に、２次元集光素子（点状焦点を２
つもつ）としてポリキャピラリ６Ａが設けられている。
ポリキャピラリ６Ａは、ガラス管のような細いチューブ
状のものを多数束ねたもので、出射側の束全体の外径を
出射方向に次第に小さくして、１次Ｘ線源３ａから出射
されるＸ線を、針（スポット）状の１次Ｘ線Ｂ１に収束
するようにしたものをいう。この１次Ｘ線Ｂ１の照射領
域はウェーハ１のダイシング部１ｂ表面で直径８０μｍ
以下の点状に収束させる必要があるが、直径５０μｍ以
下の点状であることが好ましい。
との間のＸ線の通路に、２次元集光素子（点状焦点を２
つもつ）としてポリキャピラリ６Ａが設けられている。
ポリキャピラリ６Ａは、ガラス管のような細いチューブ
状のものを多数束ねたもので、出射側の束全体の外径を
出射方向に次第に小さくして、１次Ｘ線源３ａから出射
されるＸ線を、針（スポット）状の１次Ｘ線Ｂ１に収束
するようにしたものをいう。この１次Ｘ線Ｂ１の照射領
域はウェーハ１のダイシング部１ｂ表面で直径８０μｍ
以下の点状に収束させる必要があるが、直径５０μｍ以
下の点状であることが好ましい。
【００２１】本装置は、前記試料台２上のウェーハ１を
撮影するＣＣＤカメラのような撮影手段１８と、撮影手
段１８から得られたウェーハ１の画像を処理する周知の
画像処理手段を有してウェーハ１における回路パターン
部１ａ間の切り代であるダイシング部１ｂを測定部位と
して認識する試料認識手段１２とを備えている。ウェー
ハ１のダイシング部１ｂは、その表面の形状と位置が、
例えばＸ−Ｙ座標上で２次元の画像データとして認識さ
れる。また、１次Ｘ線Ｂ１の集光点とウェーハ１表面を
一致させるのにウェーハ１の高さデータが必要となるた
め、ウェーハ１の高さを測定する例えばレーザ変位計の
ような高さ測定手段１９が設けられている。なお、前記
撮影手段１８および高さ測定手段１９を本装置と別置き
とし、別の場所でウェーハ１を撮影してその画像を得た
り、ウェーハ１の高さを測定するようにしてもよい。
撮影するＣＣＤカメラのような撮影手段１８と、撮影手
段１８から得られたウェーハ１の画像を処理する周知の
画像処理手段を有してウェーハ１における回路パターン
部１ａ間の切り代であるダイシング部１ｂを測定部位と
して認識する試料認識手段１２とを備えている。ウェー
ハ１のダイシング部１ｂは、その表面の形状と位置が、
例えばＸ−Ｙ座標上で２次元の画像データとして認識さ
れる。また、１次Ｘ線Ｂ１の集光点とウェーハ１表面を
一致させるのにウェーハ１の高さデータが必要となるた
め、ウェーハ１の高さを測定する例えばレーザ変位計の
ような高さ測定手段１９が設けられている。なお、前記
撮影手段１８および高さ測定手段１９を本装置と別置き
とし、別の場所でウェーハ１を撮影してその画像を得た
り、ウェーハ１の高さを測定するようにしてもよい。
【００２２】本装置は、また、ウェーハ１のダイシング
部１ｂを前記照射領域（直径５０μｍ以下の点状）で１
次Ｘ線Ｂ１が照射される測定位置に移動させる移動機構
１５と、装置全体を制御する制御手段１６とを備えてい
る。
部１ｂを前記照射領域（直径５０μｍ以下の点状）で１
次Ｘ線Ｂ１が照射される測定位置に移動させる移動機構
１５と、装置全体を制御する制御手段１６とを備えてい
る。
【００２３】前記移動機構１５は、例えば、ＸＹステー
ジ１３とＺステージ１４からなり、試料台２は移動機構
１５の上部１３ａに固定されている。ＸＹステージ上部
１３ａは、下部１３ｂに対して左右方向Ｘに移動自在に
設置され、下部１３ｂは、その下のＺステージ上部１４
ａに対し、Ｙ方向に移動自在に設置されている。Ｚステ
ージ上部１４ａは、Ｚステージ下部１４ｂに対し上下方
向Ｚに移動自在に設置され、Ｚステージ下部１４ｂはそ
の下のベース１７に固定されている。前記制御手段１６
は、前記試料認識手段１２で認識されたウェーハ１のダ
イシング部１ｂの画像データおよび高さ測定手段１９か
ら得られたウェーハ１の高さデータに基づいて、照射領
域を直径５０μｍ以下の点状に収束させた１次Ｘ線Ｂ１
がウェーハ１のダイシング部１ｂの表面に照射される位
置に試料台２を移動させるようにＸＹステージ１３およ
びＺステージ１４を制御する。
ジ１３とＺステージ１４からなり、試料台２は移動機構
１５の上部１３ａに固定されている。ＸＹステージ上部
１３ａは、下部１３ｂに対して左右方向Ｘに移動自在に
設置され、下部１３ｂは、その下のＺステージ上部１４
ａに対し、Ｙ方向に移動自在に設置されている。Ｚステ
ージ上部１４ａは、Ｚステージ下部１４ｂに対し上下方
向Ｚに移動自在に設置され、Ｚステージ下部１４ｂはそ
の下のベース１７に固定されている。前記制御手段１６
は、前記試料認識手段１２で認識されたウェーハ１のダ
イシング部１ｂの画像データおよび高さ測定手段１９か
ら得られたウェーハ１の高さデータに基づいて、照射領
域を直径５０μｍ以下の点状に収束させた１次Ｘ線Ｂ１
がウェーハ１のダイシング部１ｂの表面に照射される位
置に試料台２を移動させるようにＸＹステージ１３およ
びＺステージ１４を制御する。
【００２４】また、ウェーハ１の回路パターン部１ａに
１次Ｘ線Ｂ１が照射されるのを防止するために、シャッ
タ６０が設けられている。シャッタ６０を設ける位置
は、ポリキャピラリ（集光素子）６Ａとウェーハ（試
料）１との間が好ましいが、スペースの関係で困難な場
合には、図示したように、Ｘ線管３とポリキャピラリ６
Ａとの間でもよい。シャッタ６０は、モータなどを用い
た周知の機構により、１次Ｘ線源３ａからのＸ線の光路
に進退自在、つまり開閉自在である。その開閉は、前記
制御手段１６により制御され、１次Ｘ線Ｂ１が照射され
る測定位置にウェーハ１のダイシング部１ｂが移動され
て測定がなされるときにのみ開かれる。なお、シャッタ
６０を設ける代わりに、Ｘ線管３のオン、オフをするこ
とも考えられるが、立ち上がりのたびに１次Ｘ線Ｂ１が
不安定になるので、シャッタ６０を設ける方が好まし
い。
１次Ｘ線Ｂ１が照射されるのを防止するために、シャッ
タ６０が設けられている。シャッタ６０を設ける位置
は、ポリキャピラリ（集光素子）６Ａとウェーハ（試
料）１との間が好ましいが、スペースの関係で困難な場
合には、図示したように、Ｘ線管３とポリキャピラリ６
Ａとの間でもよい。シャッタ６０は、モータなどを用い
た周知の機構により、１次Ｘ線源３ａからのＸ線の光路
に進退自在、つまり開閉自在である。その開閉は、前記
制御手段１６により制御され、１次Ｘ線Ｂ１が照射され
る測定位置にウェーハ１のダイシング部１ｂが移動され
て測定がなされるときにのみ開かれる。なお、シャッタ
６０を設ける代わりに、Ｘ線管３のオン、オフをするこ
とも考えられるが、立ち上がりのたびに１次Ｘ線Ｂ１が
不安定になるので、シャッタ６０を設ける方が好まし
い。
【００２５】つぎに、本装置の動作について説明する。
まず、図１のように、ウェーハ１を試料台２に中心を一
致させて載置する。そして、撮影手段１８でウェーハ１
を撮影して、ウェーハ１の画像を得る。得られた画像は
周知の画像処理手段により画像処理され、試料認識手段
１２により、ウェーハ１の回路パターン部１ａ間のダイ
シング部１ｂがＸ−Ｙ座標上で２次元の画像データとし
て認識される。また、高さ測定手段１９によりウェーハ
１の高さデータを得る。
まず、図１のように、ウェーハ１を試料台２に中心を一
致させて載置する。そして、撮影手段１８でウェーハ１
を撮影して、ウェーハ１の画像を得る。得られた画像は
周知の画像処理手段により画像処理され、試料認識手段
１２により、ウェーハ１の回路パターン部１ａ間のダイ
シング部１ｂがＸ−Ｙ座標上で２次元の画像データとし
て認識される。また、高さ測定手段１９によりウェーハ
１の高さデータを得る。
【００２６】つぎに、制御手段１６は、試料認識手段１
２で認識されたウェーハ１のダイシング部１ｂの２次元
画像データおよびウェーハ１の高さデータに基づいて、
移動機構１５を制御して、ポリキャピラリ６Ａにより照
射領域を直径５０μｍ以下の点状に収束させた１次Ｘ線
Ｂ１がウェーハ１のダイシング部１ｂの表面に照射され
る位置に試料台２を移動させる。ウェーハ１のダイシン
グ部１ｂの幅が８０〜１００μｍであるので、照射領域
を直径５０μｍ以下の点状に収束された１次Ｘ線Ｂ１は
ウェーハ１のダイシング部１ｂのみを照射できる。この
状態で、シャッタ６０が開き、ウェーハ１のダイシング
部１ｂに１次Ｘ線Ｂ１を照射して、ダイシング部１ｂか
ら発生した蛍光Ｘ線Ｂ２の強度に基づいて、ウェーハ１
の膜厚および膜組成が分析される。
２で認識されたウェーハ１のダイシング部１ｂの２次元
画像データおよびウェーハ１の高さデータに基づいて、
移動機構１５を制御して、ポリキャピラリ６Ａにより照
射領域を直径５０μｍ以下の点状に収束させた１次Ｘ線
Ｂ１がウェーハ１のダイシング部１ｂの表面に照射され
る位置に試料台２を移動させる。ウェーハ１のダイシン
グ部１ｂの幅が８０〜１００μｍであるので、照射領域
を直径５０μｍ以下の点状に収束された１次Ｘ線Ｂ１は
ウェーハ１のダイシング部１ｂのみを照射できる。この
状態で、シャッタ６０が開き、ウェーハ１のダイシング
部１ｂに１次Ｘ線Ｂ１を照射して、ダイシング部１ｂか
ら発生した蛍光Ｘ線Ｂ２の強度に基づいて、ウェーハ１
の膜厚および膜組成が分析される。
【００２７】このように、第１実施形態の装置によれ
ば、ウェーハ１のダイシング部１ｂを測定部位として認
識し、このウェーハ１のダイシング部１ｂの位置を、ポ
リキャピラリ６Ａにより照射領域を直径５０μｍ以下の
点状に収束させた１次Ｘ線Ｂ１が該ダイシング部１ｂの
みに照射されるように移動させることにより、ウェーハ
１のダイシング部１ｂを測定することで、回路パターン
１ａに１次Ｘ線Ｂ１照射の損傷を与えることなしに、ま
た従来のように測定のみに用いる試料を必要としないか
ら低コストで、ウェーハ１を分析できる。
ば、ウェーハ１のダイシング部１ｂを測定部位として認
識し、このウェーハ１のダイシング部１ｂの位置を、ポ
リキャピラリ６Ａにより照射領域を直径５０μｍ以下の
点状に収束させた１次Ｘ線Ｂ１が該ダイシング部１ｂの
みに照射されるように移動させることにより、ウェーハ
１のダイシング部１ｂを測定することで、回路パターン
１ａに１次Ｘ線Ｂ１照射の損傷を与えることなしに、ま
た従来のように測定のみに用いる試料を必要としないか
ら低コストで、ウェーハ１を分析できる。
【００２８】第１実施形態の２次元集光素子としては、
ポリキャピラリ６Ａの他に、反射面が回転楕円面もしく
はその近似としてのトロイダル面（円環側面）であるミ
ラーまたは分光素子６Ｂを用いることができる。例え
ば、図３Ａに、回転楕円面の長軸まわりの周方向の一部
を反射面６Ｂａとするミラー６Ｂ（図では断面を示して
いる）を用いる場合を示す。この回転楕円面ミラー６Ｂ
は、点状の１次Ｘ線源３ａ（一方の焦点）からのＸ線が
回転楕円面６Ｂａで反射して、測定位置にあるウェーハ
１のダイシング部１ｂの表面（他方の焦点）に１次Ｘ線
Ｂ１として収束するように配置される。
ポリキャピラリ６Ａの他に、反射面が回転楕円面もしく
はその近似としてのトロイダル面（円環側面）であるミ
ラーまたは分光素子６Ｂを用いることができる。例え
ば、図３Ａに、回転楕円面の長軸まわりの周方向の一部
を反射面６Ｂａとするミラー６Ｂ（図では断面を示して
いる）を用いる場合を示す。この回転楕円面ミラー６Ｂ
は、点状の１次Ｘ線源３ａ（一方の焦点）からのＸ線が
回転楕円面６Ｂａで反射して、測定位置にあるウェーハ
１のダイシング部１ｂの表面（他方の焦点）に１次Ｘ線
Ｂ１として収束するように配置される。
【００２９】回転楕円面の長軸まわりの周方向全体を反
射面とするようなミラー６Ｂを用いる場合には、図４に
示すように、ミラー６Ｂは、例えば円筒状のケース５０
に収められる。ケース５０の上面および下面には、１次
Ｘ線源３ａからのＸ線がミラー６Ｂで反射されずに直接
ウェーハ１に照射されることがないよう、輪状の窓（ス
リット）をもつ遮蔽板が設けられている。なお、ミラー
でなく分光素子６Ｂの場合には、反射面６Ｂａでの反射
はブラッグ反射になり、１次Ｘ線Ｂ１は回折により収束
されるとともに、単色化される（以下同様）。
射面とするようなミラー６Ｂを用いる場合には、図４に
示すように、ミラー６Ｂは、例えば円筒状のケース５０
に収められる。ケース５０の上面および下面には、１次
Ｘ線源３ａからのＸ線がミラー６Ｂで反射されずに直接
ウェーハ１に照射されることがないよう、輪状の窓（ス
リット）をもつ遮蔽板が設けられている。なお、ミラー
でなく分光素子６Ｂの場合には、反射面６Ｂａでの反射
はブラッグ反射になり、１次Ｘ線Ｂ１は回折により収束
されるとともに、単色化される（以下同様）。
【００３０】また、第１実施形態の２次元集光素子とし
ては、図５に示すようなKirkpatrick-Baez型集光光学系
を構成する２つのミラーまたは分光素子６Ｃを用いるこ
ともできる。これは、反射面６Ｃ１ａ，６Ｃ２ａが楕円
柱面である２つのミラーまたは分光素子６Ｃ１，６Ｃ２
を、直列に（Ｘ線の進行方向に）９０度ねじるように配
置したもので、このような集光素子６Ｃそのものは公知
である。
ては、図５に示すようなKirkpatrick-Baez型集光光学系
を構成する２つのミラーまたは分光素子６Ｃを用いるこ
ともできる。これは、反射面６Ｃ１ａ，６Ｃ２ａが楕円
柱面である２つのミラーまたは分光素子６Ｃ１，６Ｃ２
を、直列に（Ｘ線の進行方向に）９０度ねじるように配
置したもので、このような集光素子６Ｃそのものは公知
である。
【００３１】次に、本発明の第２実施形態について説明
する。図３Ａに示す第２実施形態の装置では、第１実施
形態の２次元集光素子６の代わりに、１次Ｘ線Ｂ１の照
射領域を幅５０μｍ以下の線状に収束させる１次元集光
素子（線状の焦点を２つもつ）２６を設けている。これ
に対応して、１次Ｘ線源は、第１実施形態と同様の点状
のもの３ａでもよいが、ウェーハ１のダイシング部１ｂ
に照射される１次Ｘ線Ｂ１の強度を十分なものとするに
は、線状の１次Ｘ線源２３ａ（Ｘ線管２３のターゲット
上の線状焦点で、その幅が実効焦点サイズ（集光素子２
６から見込んだ幅）で５０μｍ以下であり、紙面垂直方
向に延びている）であることが好ましい。その他の構成
は、第１実施形態と同様である。
する。図３Ａに示す第２実施形態の装置では、第１実施
形態の２次元集光素子６の代わりに、１次Ｘ線Ｂ１の照
射領域を幅５０μｍ以下の線状に収束させる１次元集光
素子（線状の焦点を２つもつ）２６を設けている。これ
に対応して、１次Ｘ線源は、第１実施形態と同様の点状
のもの３ａでもよいが、ウェーハ１のダイシング部１ｂ
に照射される１次Ｘ線Ｂ１の強度を十分なものとするに
は、線状の１次Ｘ線源２３ａ（Ｘ線管２３のターゲット
上の線状焦点で、その幅が実効焦点サイズ（集光素子２
６から見込んだ幅）で５０μｍ以下であり、紙面垂直方
向に延びている）であることが好ましい。その他の構成
は、第１実施形態と同様である。
【００３２】第２実施形態の１次元集光素子２６として
は、反射面２６ａが楕円柱面またはその近似としての円
柱面であるミラーまたは分光素子２６を用いることがで
きる。１次元集光素子２６がミラーで、１次Ｘ線源２３
ａからのＸ線の入射角がごく浅くて反射面２６ａでの反
射が全反射となるような場合には、楕円柱面の近似とし
て球面の反射面２６ａを利用することもできる。例え
ば、楕円柱面ミラー２６である１次元集光素子２６は、
その反射面２６ａが紙面垂直方向に延びる楕円柱面の一
部であり、線状の１次Ｘ線源２３ａ（一方の焦点）から
のＸ線が楕円柱面２６ａで反射して、測定位置にあるウ
ェーハ１のダイシング部１ｂの表面（他方の焦点）に１
次Ｘ線Ｂ１として収束するように配置される。線状の１
次Ｘ線源２３ａから楕円柱面ミラー２６を介した１次Ｘ
線Ｂ１のビーム幅Ｗ（線状の照射領域の幅）は、図３Ｂ
の平面図に示すように、その焦点位置すなわちウェーハ
１のダイシング部１ｂ表面において、線状の１次Ｘ線源
２３ａの実効焦点サイズ程度の幅に収束される。
は、反射面２６ａが楕円柱面またはその近似としての円
柱面であるミラーまたは分光素子２６を用いることがで
きる。１次元集光素子２６がミラーで、１次Ｘ線源２３
ａからのＸ線の入射角がごく浅くて反射面２６ａでの反
射が全反射となるような場合には、楕円柱面の近似とし
て球面の反射面２６ａを利用することもできる。例え
ば、楕円柱面ミラー２６である１次元集光素子２６は、
その反射面２６ａが紙面垂直方向に延びる楕円柱面の一
部であり、線状の１次Ｘ線源２３ａ（一方の焦点）から
のＸ線が楕円柱面２６ａで反射して、測定位置にあるウ
ェーハ１のダイシング部１ｂの表面（他方の焦点）に１
次Ｘ線Ｂ１として収束するように配置される。線状の１
次Ｘ線源２３ａから楕円柱面ミラー２６を介した１次Ｘ
線Ｂ１のビーム幅Ｗ（線状の照射領域の幅）は、図３Ｂ
の平面図に示すように、その焦点位置すなわちウェーハ
１のダイシング部１ｂ表面において、線状の１次Ｘ線源
２３ａの実効焦点サイズ程度の幅に収束される。
【００３３】このように、第２実施形態の装置によれ
ば、ウェーハ１のダイシング部１ｂを測定部位として認
識し、このウェーハ１のダイシング部１ｂの位置を、楕
円柱面ミラーなどの１次元集光素子２６により照射領域
を幅５０μｍ以下の線状に収束させた１次Ｘ線Ｂ１が該
ダイシング部１ｂのみに照射されるように移動させるこ
とにより、ウェーハ１のダイシング部１ｂを測定するこ
とで、回路パターン１ａに１次Ｘ線Ｂ１照射の損傷を与
えることなしに、また従来のように測定のみに用いる試
料を必要としないから低コストで、ウェーハ１を分析で
きる。しかも、楕円柱面ミラーなどの１次元集光素子２
６は第１実施形態の２次元集光素子６に比べて製造が容
易なので、装置をより低コストにできる。
ば、ウェーハ１のダイシング部１ｂを測定部位として認
識し、このウェーハ１のダイシング部１ｂの位置を、楕
円柱面ミラーなどの１次元集光素子２６により照射領域
を幅５０μｍ以下の線状に収束させた１次Ｘ線Ｂ１が該
ダイシング部１ｂのみに照射されるように移動させるこ
とにより、ウェーハ１のダイシング部１ｂを測定するこ
とで、回路パターン１ａに１次Ｘ線Ｂ１照射の損傷を与
えることなしに、また従来のように測定のみに用いる試
料を必要としないから低コストで、ウェーハ１を分析で
きる。しかも、楕円柱面ミラーなどの１次元集光素子２
６は第１実施形態の２次元集光素子６に比べて製造が容
易なので、装置をより低コストにできる。
【００３４】次に、本発明の第３実施形態について説明
する。図６Ａに示す第３実施形態の装置では、第１実施
形態の２次元集光素子６の代わりに、１次Ｘ線Ｂ１の照
射領域を幅５０μｍ以下の線が直交する十字型に収束さ
せる集光素子３６を設けている。これに対応して、１次
Ｘ線源は、第１実施形態と同様の点状のもの３ａであ
り、その他の構成も、第１実施形態と同様である。
する。図６Ａに示す第３実施形態の装置では、第１実施
形態の２次元集光素子６の代わりに、１次Ｘ線Ｂ１の照
射領域を幅５０μｍ以下の線が直交する十字型に収束さ
せる集光素子３６を設けている。これに対応して、１次
Ｘ線源は、第１実施形態と同様の点状のもの３ａであ
り、その他の構成も、第１実施形態と同様である。
【００３５】第３実施形態の集光素子３６としては、図
７Ａに示すように、対向するミラーまたは分光素子２対
３６−１と３６−２，３６−３と３６−４を対向方向が
直交するように配置したもので、各反射面３６−１ａ，
３６−２ａ，３６−３ａ，３６−４ａが楕円柱面または
その近似としての円柱面であるもの３６を用いることが
できる。集光素子３６がミラーで、１次Ｘ線源３ａから
のＸ線の入射角がごく浅くて反射面３６ａでの反射が全
反射となるような場合には、楕円柱面の近似として球面
の反射面３６ａを利用することもできる。集光素子３６
は、例えば角筒状のケース５１に収められる。ケース５
１の上面および下面には、１次Ｘ線源３ａからのＸ線が
集光素子３６で反射されずに直接ウェーハ１に照射され
ることがないよう、矩形の窓（スリット）をもつ遮蔽板
５１ａ，５１ｂ（図７Ｂ）が設けられている。
７Ａに示すように、対向するミラーまたは分光素子２対
３６−１と３６−２，３６−３と３６−４を対向方向が
直交するように配置したもので、各反射面３６−１ａ，
３６−２ａ，３６−３ａ，３６−４ａが楕円柱面または
その近似としての円柱面であるもの３６を用いることが
できる。集光素子３６がミラーで、１次Ｘ線源３ａから
のＸ線の入射角がごく浅くて反射面３６ａでの反射が全
反射となるような場合には、楕円柱面の近似として球面
の反射面３６ａを利用することもできる。集光素子３６
は、例えば角筒状のケース５１に収められる。ケース５
１の上面および下面には、１次Ｘ線源３ａからのＸ線が
集光素子３６で反射されずに直接ウェーハ１に照射され
ることがないよう、矩形の窓（スリット）をもつ遮蔽板
５１ａ，５１ｂ（図７Ｂ）が設けられている。
【００３６】例えば、対向する楕円柱面ミラー２対３６
−１と３６−２，３６−３と３６−４からなる集光素子
３６は、各反射面３６−１ａ，３６−２ａ，３６−３
ａ，３６−４ａが紙面に沿う方向または紙面垂直方向に
延びる楕円柱面の一部であり、点状の１次Ｘ線源３ａ
（一方の焦点）からのＸ線が各楕円柱面３６−１ａ，３
６−２ａ，３６−３ａ，３６−４ａで反射して、測定位
置にあるウェーハ１のダイシング部１ｂの表面（他方の
焦点）に１次Ｘ線Ｂ１として収束するように配置され
る。点状の１次Ｘ線源３ａから集光素子３６を介した１
次Ｘ線Ｂ１の照射領域は、図６Ｂの平面図に示すよう
に、焦点位置すなわちウェーハ１のダイシング部１ｂ表
面において、直交する線状（十字型）になり、各線の幅
Ｗは、点状の１次Ｘ線源３ａの実効焦点サイズ（直径）
程度に収束される。
−１と３６−２，３６−３と３６−４からなる集光素子
３６は、各反射面３６−１ａ，３６−２ａ，３６−３
ａ，３６−４ａが紙面に沿う方向または紙面垂直方向に
延びる楕円柱面の一部であり、点状の１次Ｘ線源３ａ
（一方の焦点）からのＸ線が各楕円柱面３６−１ａ，３
６−２ａ，３６−３ａ，３６−４ａで反射して、測定位
置にあるウェーハ１のダイシング部１ｂの表面（他方の
焦点）に１次Ｘ線Ｂ１として収束するように配置され
る。点状の１次Ｘ線源３ａから集光素子３６を介した１
次Ｘ線Ｂ１の照射領域は、図６Ｂの平面図に示すよう
に、焦点位置すなわちウェーハ１のダイシング部１ｂ表
面において、直交する線状（十字型）になり、各線の幅
Ｗは、点状の１次Ｘ線源３ａの実効焦点サイズ（直径）
程度に収束される。
【００３７】このように、第３実施形態の装置によれ
ば、ウェーハ１のダイシング部１ｂを測定部位として認
識し、このウェーハ１のダイシング部１ｂの位置を、楕
円柱面ミラーなどからなる集光素子３６により照射領域
を幅５０μｍ以下の線が直交する十字型に収束させた１
次Ｘ線Ｂ１が該ダイシング部１ｂのみに照射されるよう
に移動させることにより、ウェーハ１のダイシング部１
ｂを測定することで、回路パターン１ａに１次Ｘ線Ｂ１
照射の損傷を与えることなしに、また従来のように測定
のみに用いる試料を必要としないから低コストで、ウェ
ーハ１を分析できる。
ば、ウェーハ１のダイシング部１ｂを測定部位として認
識し、このウェーハ１のダイシング部１ｂの位置を、楕
円柱面ミラーなどからなる集光素子３６により照射領域
を幅５０μｍ以下の線が直交する十字型に収束させた１
次Ｘ線Ｂ１が該ダイシング部１ｂのみに照射されるよう
に移動させることにより、ウェーハ１のダイシング部１
ｂを測定することで、回路パターン１ａに１次Ｘ線Ｂ１
照射の損傷を与えることなしに、また従来のように測定
のみに用いる試料を必要としないから低コストで、ウェ
ーハ１を分析できる。
【００３８】前記各実施形態においては、平行法の波長
分散型の蛍光Ｘ線分析装置に適用しているが、集中法の
波長分散型または半導体検出器を用いたエネルギー分散
型の蛍光Ｘ線分析装置に適用してもよい。また、１次Ｘ
線の照射領域の収束のためには、１次Ｘ線をウェーハに
垂直に照射するのが好ましいが、Ｘ線管および集光素子
と他の撮影手段や高さ測定手段などとの位置関係によ
り、前記各実施形態のように、１次Ｘ線をウェーハに傾
斜させて照射してもよい。
分散型の蛍光Ｘ線分析装置に適用しているが、集中法の
波長分散型または半導体検出器を用いたエネルギー分散
型の蛍光Ｘ線分析装置に適用してもよい。また、１次Ｘ
線の照射領域の収束のためには、１次Ｘ線をウェーハに
垂直に照射するのが好ましいが、Ｘ線管および集光素子
と他の撮影手段や高さ測定手段などとの位置関係によ
り、前記各実施形態のように、１次Ｘ線をウェーハに傾
斜させて照射してもよい。
【００３９】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の半
導体用蛍光Ｘ線分析装置によれば、低コストで、回路パ
ターンに損傷を与えることなく、半導体試料を分析でき
る。
導体用蛍光Ｘ線分析装置によれば、低コストで、回路パ
ターンに損傷を与えることなく、半導体試料を分析でき
る。
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体用蛍光Ｘ線
分析装置を示す概略図である。
分析装置を示す概略図である。
【図２】半導体試料の一例を示す平面図である。
【図３Ａ】第１実施形態の装置の変形例、および本発明
の第２実施形態に係る半導体用蛍光Ｘ線分析装置を示す
概略図である。
の第２実施形態に係る半導体用蛍光Ｘ線分析装置を示す
概略図である。
【図３Ｂ】第２実施形態の装置においてウェーハ表面で
収束された１次Ｘ線の照射領域を示す平面図である。
収束された１次Ｘ線の照射領域を示す平面図である。
【図４】第１実施形態の装置の別の変形例を示す概略図
である。
である。
【図５】第１実施形態の装置のさらに別の変形例で２次
元集光素子として用いられるKirkpatrick-Baez型集光光
学系を示す概略図である。
元集光素子として用いられるKirkpatrick-Baez型集光光
学系を示す概略図である。
【図６Ａ】本発明の第３実施形態に係る半導体用蛍光Ｘ
線分析装置を示す概略図である。
線分析装置を示す概略図である。
【図６Ｂ】第３実施形態の装置においてウェーハ表面で
収束された１次Ｘ線の照射領域を示す平面図である。
収束された１次Ｘ線の照射領域を示す平面図である。
【図７Ａ】第３実施形態の装置の集光素子を示す概略図
である。
である。
【図７Ｂ】同集光素子が収められるケースの上面および
下面を示す概略図である。
下面を示す概略図である。
１…半導体試料（ウェーハ）、１ａ…回路パターン、１
ｂ…ダイシング部、３ａ，２３ａ…１次Ｘ線源、５…検
出手段、６，２６，３６…集光素子、１２…試料認識手
段、１５…移動機構、Ｂ１…１次Ｘ線、Ｂ２…蛍光Ｘ
線。
ｂ…ダイシング部、３ａ，２３ａ…１次Ｘ線源、５…検
出手段、６，２６，３６…集光素子、１２…試料認識手
段、１５…移動機構、Ｂ１…１次Ｘ線、Ｂ２…蛍光Ｘ
線。
フロントページの続き
(72)発明者 山田 隆
大阪府高槻市赤大路町14番８号 理学電機
工業株式会社内
(72)発明者 河野 久征
大阪府高槻市赤大路町14番８号 理学電機
工業株式会社内
Ｆターム(参考） 2G001 AA01 BA04 CA01 EA02 EA09
GA04 GA05 GA06 GA08 HA09
HA13 JA04 JA07 KA01 KA11
LA11 MA05 PA11 PA14 SA01
SA02 SA30
4M106 AA01 AA20 BA20 DH25 DH34
DJ03
Claims (12)
- 【請求項１】 回路パターンが形成された半導体試料に
１次Ｘ線を照射する点状の１次Ｘ線源と、その半導体試
料からの蛍光Ｘ線を検出する検出手段とを備えた蛍光Ｘ
線分析装置であって、 前記１次Ｘ線の照射領域を直径５０μｍ以下の点状に収
束させる集光素子と、 前記半導体試料における回路パターン間の切り代である
ダイシング部を測定部位として認識する試料認識手段
と、 前記半導体試料のダイシング部を前記照射領域で１次Ｘ
線が照射される測定位置に移動させる移動機構とを備え
た半導体用蛍光Ｘ線分析装置。 - 【請求項２】 請求項１において、前記集光素子がポリ
キャピラリである半導体用蛍光Ｘ線分析装置。 - 【請求項３】 請求項１において、前記集光素子がミラ
ーで、その反射面が回転楕円面またはトロイダル面であ
る半導体用蛍光Ｘ線分析装置。 - 【請求項４】 請求項１において、前記集光素子が、Ki
rkpatrick-Baez型集光光学系を構成する２つのミラーで
ある半導体用蛍光Ｘ線分析装置。 - 【請求項５】 請求項１において、前記集光素子が分光
素子で、その反射面が回転楕円面またはトロイダル面で
ある半導体用蛍光Ｘ線分析装置。 - 【請求項６】 請求項１において、前記集光素子が、Ki
rkpatrick-Baez型集光光学系を構成する２つの分光素子
である半導体用蛍光Ｘ線分析装置。 - 【請求項７】 回路パターンが形成された半導体試料に
１次Ｘ線を照射する１次Ｘ線源と、その半導体試料から
の蛍光Ｘ線を検出する検出手段とを備えた蛍光Ｘ線分析
装置であって、 前記１次Ｘ線の照射領域を幅５０μｍ以下の線状に収束
させる集光素子と、 前記半導体試料における回路パターン間の切り代である
ダイシング部を測定部位として認識する試料認識手段
と、 前記半導体試料のダイシング部を前記照射領域で１次Ｘ
線が照射される測定位置に移動させる移動機構とを備え
た半導体用蛍光Ｘ線分析装置。 - 【請求項８】 請求項７において、前記集光素子がミラ
ーで、その反射面が楕円柱面、円柱面および球面の一群
から選ばれた１つである半導体用蛍光Ｘ線分析装置。 - 【請求項９】 請求項７において、前記集光素子が分光
素子で、その反射面が楕円柱面または円柱面である半導
体用蛍光Ｘ線分析装置。 - 【請求項１０】 回路パターンが形成された半導体試料
に１次Ｘ線を照射する点状の１次Ｘ線源と、その半導体
試料からの蛍光Ｘ線を検出する検出手段とを備えた蛍光
Ｘ線分析装置であって、 前記１次Ｘ線の照射領域を幅５０μｍ以下の線が直交す
る十字型に収束させる集光素子と、 前記半導体試料における回路パターン間の切り代である
ダイシング部を測定部位として認識する試料認識手段
と、 前記半導体試料のダイシング部を前記照射領域で１次Ｘ
線が照射される測定位置に移動させる移動機構とを備え
た半導体用蛍光Ｘ線分析装置。 - 【請求項１１】 請求項１０において、前記集光素子
が、対向するミラー２対を対向方向が直交するように配
置したもので、各反射面が楕円柱面、円柱面および球面
の一群から選ばれた１つである半導体用蛍光Ｘ線分析装
置。 - 【請求項１２】 請求項１０において、前記集光素子
が、対向する分光素子２対を対向方向が直交するように
配置したもので、各反射面が楕円柱面または円柱面であ
る半導体用蛍光Ｘ線分析装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002381325A JP2003297891A (ja) | 2002-01-31 | 2002-12-27 | 半導体用蛍光ｘ線分析装置 |
| DE10303438A DE10303438A1 (de) | 2002-01-31 | 2003-01-29 | Röntgenfluoreszenzspektrometer für Halbleiter |
| US10/353,964 US20030142781A1 (en) | 2002-01-31 | 2003-01-30 | X-ray fluorescence spectrometer for semiconductors |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002-23337 | 2002-01-31 | ||
| JP2002023337 | 2002-01-31 | ||
| JP2002381325A JP2003297891A (ja) | 2002-01-31 | 2002-12-27 | 半導体用蛍光ｘ線分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003297891A true JP2003297891A (ja) | 2003-10-17 |
Family
ID=27615731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002381325A Pending JP2003297891A (ja) | 2002-01-31 | 2002-12-27 | 半導体用蛍光ｘ線分析装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20030142781A1 (ja) |
| JP (1) | JP2003297891A (ja) |
| DE (1) | DE10303438A1 (ja) |
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| JP2008521003A (ja) * | 2004-11-29 | 2008-06-19 | モトローラ・インコーポレイテッド | Ｘ線マイクロ分析法を用いて複雑な構造の含有化学物質を決定するための方法 |
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| JP2016118422A (ja) * | 2014-12-19 | 2016-06-30 | 株式会社マーストーケンソリューション | Ｘ線検査装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US20080152090A1 (en) * | 2003-08-25 | 2008-06-26 | Takashi Yamada | Euv Light Source |
| KR100543469B1 (ko) * | 2003-12-23 | 2006-01-20 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 홀더 및 웨이퍼 홀더가 구비된 웨이퍼 운반 장치 |
| JP4262734B2 (ja) * | 2005-09-14 | 2009-05-13 | 株式会社リガク | 蛍光ｘ線分析装置および方法 |
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| EP2438431A4 (en) * | 2009-06-03 | 2013-10-23 | Thermo Scient Portable Analytical Instr Inc | METHODS AND X-RAY SYSTEM IMPERATING A DETECTOR CONTENT IN A FOCUSING ELEMENT |
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| JP5481321B2 (ja) | 2010-08-31 | 2014-04-23 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 蛍光ｘ線分析装置及び蛍光ｘ線分析方法 |
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| WO2020023408A1 (en) | 2018-07-26 | 2020-01-30 | Sigray, Inc. | High brightness x-ray reflection source |
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| US11175243B1 (en) | 2020-02-06 | 2021-11-16 | Sigray, Inc. | X-ray dark-field in-line inspection for semiconductor samples |
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| JP2023542674A (ja) | 2020-09-17 | 2023-10-11 | シグレイ、インコーポレイテッド | Ｘ線を用いた深さ分解計測および分析のためのシステムおよび方法 |
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| WO2023215204A1 (en) | 2022-05-02 | 2023-11-09 | Sigray, Inc. | X-ray sequential array wavelength dispersive spectrometer |
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- 2003-01-29 DE DE10303438A patent/DE10303438A1/de not_active Withdrawn
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| US11450577B2 (en) | 2007-06-19 | 2022-09-20 | Micron Technology, Inc. | Methods and systems for imaging and cutting semiconductor wafers and other semiconductor workpieces |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE10303438A1 (de) | 2003-10-02 |
| US20030142781A1 (en) | 2003-07-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050705 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061016 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061024 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070306 |