JP2000074648A - 基板の表面評価装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 装置の大規模とすることなくかつ煩雑な操作
や長時間の測定を必要とせずに、基板の表面粗さや表面
構造に関する詳細な評価ができるようにした、基板表面
評価装置を提供する。 【解決手段】 基板１の表面に照射される入射光線Ｉｉ
により発生する散乱光線Ｉｓを集光し、集光した散乱光
線Ｉｓから基板１の表面を評価する基板表面評価装置に
おいて、散乱角度の高い散乱光線を集光する楕円体反射
鏡２と、散乱角度の低い散乱光線を集光する光学レンズ
３を備え、楕円体反射鏡２の焦点位置は入射光線Ｉｉの
基板１に対する照射位置と一致し、楕円体反射鏡２の他
方の焦点位置の近傍に楕円体反射鏡と光学レンズにより
集光された散乱光線Ｉｓを検出する二次元検出器５を備
える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板などの
基板の表面の粗さや表面構造を評価するための基板の表
面評価装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】シリコン結晶基板などの半導体基板材料
は、ＬＳＩなどの半導体素子の製造に用いられ、この半
導体基板材料の表面粗さや表面構造は、そこに形成され
る半導体素子の性能や歩留まりに大きな影響を与えるこ
とが知られている。近年、半導体素子の集積度が進むに
つれて益々素子の微細化が進行し、半導体基板材料の表
面の平坦性に対する要求が厳しくなっている。

【０００３】半導体基板材料には、一般に単結晶材料が
用いられ、その表面は１〜２原子の精度で凹凸の制御が
必要であり、そのため通常機械的な精密研磨を施し鏡面
加工が成されている。この機械研磨された半導体基板材
料は、半導体素子を形成するための基板となるもので、
通常はさらに熱処理や表面洗浄などの化学処理あるいは
エピタキシャル成長による高品質二次単結晶の成長が行
われる。このような各種処理後半導体基板の表面は単結
晶に特有の構造を示す。例えば、（１１１）方向の結晶
面を有するシリコン基板では、結晶軸のわずかなずれに
より、熱処理などによって３角形状のステップと呼ばれ
る周期構造を表面に形成する。このステップ構造は、段
差が１〜２原子、幅が数１０〜数１００ｎｍと微細であ
るため、通常の手段では観測できず、原子間力顕微鏡や
光散乱法などの限られた手段や手法により観測される。
これらの手段、手法の中で光散乱法は最も汎用的なもの
であり、大面積の半導体基板材料の表面を迅速かつ非破
壊で評価できるという特徴を有しており、半導体基板表
面の標準的な評価方法として広く採用されている。

【０００４】この光散乱法は、レーザ光などの光線を半
導体基板に照射し、基板表面から散乱される散乱光を検
出することにより、基板表面の粗さや表面構造の評価を
行うものである。以下、図５（ａ），（ｂ）、図６と共
に光散乱法の動作を説明する。入射光線としてレーザ光
などの光線Ｉｉが半導体基板１の滑らかな表面に入射角
θｉで照射されると、反射光線Ｉｒが反射角θｒ、方位
角φｒの方向に発生する。このときθｉ＝θｒ，φｒ＝
０度である。更に、基板表面からは反射光線Ｉｒと共に
散乱光線Ｉｓが発生する。この散乱光線Ｉｓは、照射さ
れるレーザ光線の波長よりも高さが遥かに低い基板表面
上のわずかな凹凸によって生成され、原子単位での高さ
の差によっても生成される。散乱光線Ｉｓは散乱角θｓ
の方向に発生するが、その方向は回析効果により凹凸の
幅ｄと方向に依存し、 ｄ＝ｎλ／｜ｓｉｎθｓ・ｃｏｓφｓ−ｓｉｎθｉ｜ の関係が成立する。ここで、ｄ：凹凸の幅、ｎ：半導体
基板１の反射率、λ：入射光線Ｉｉの波長、θｓ：散乱
角、θｉ：入射角である。

【０００５】上記式から理解されるように、凹凸の幅ｄ
が狭いほど散乱角θｓが大きくなる。また、散乱光線Ｉ
ｓの方位角φｓは一般にφｓ≠０度であり、ステップな
どの特定の方向に対して周期性を有する材料では方位角
φｓによって散乱光線Ｉｓの強度に違いを生じる。従っ
て、散乱角θｓと方位角φｓから散乱光の強度分布を把
握することにより、半導体基板材料の表面の粗さや表面
構造について把握することができる。

【０００６】かかる光散乱法を用いた従来の光散乱評価
装置を図７、図８に示す。図7 は全方位検出方式による
装置であり、半導体基板１の表面より発生した散乱光線
Ｉｓは凹面反射鏡１３により集光され、一点に集めて検
出される。凹面反射鏡１３は広い領域の散乱光線Ｉｓを
集光するので、全ての散乱光線の強度を測定できる。従
って、この全方位検出法によれば、半導体基板のパーテ
ィクルや欠陥などを検出する迅速な評価方法として有効
である。

【０００７】図８に示した光散乱評価装置は、レーザ光
線Ｉｌを反射ミラー14で反射させ、これを入射光線Ｉｉ
として半導体基板１に照射し、半導体基板１から所定距
離離間した位置に回転可能に配設された検出器１５によ
り半導体基板１より発生した散乱光線Ｉｓを検出するも
のである。検出器１５は散乱角θｓの方向と方位角φｓ
の方向に回転し、散乱角θｓと方位角φｓによって定ま
る散乱光Ｉｓの強度分布を精密に測定できる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】かかる従来の装置にお
いて、図７に示す全方位検出方式による装置では、散乱
角と方位角に関する情報をまったく得ることができず、
基板の表面構造の詳細な評価が困難であるという技術的
課題があった。

【０００９】また、図８に示す検出器を回転させる装置
にあっては、基板の表面構造の詳細な情報を得ることは
できるが、装置の構造が大規模となり、しかも測定に際
しての操作が煩雑で測定には長時間を要するため、実用
上あるいは工業的に利用することが困難であるという技
術的課題があった。

【００１０】本発明は、上記技術的課題を解決するため
に鑑み成されたものであり、装置を大規模とすることな
く、かつ煩雑な操作や長時間の測定を必要とせずに、半
導体基板の表面の粗さや表面構造に関する詳細な評価が
できるようにした、基板の表面評価装置を提供すること
を目的とするものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明にかかる基板の表
面評価装置は、基板の表面に照射される入射光線により
発生する散乱光線を集光し、集光した散乱光線から前記
基板の表面を評価する基板の表面評価装置において、散
乱角度の高い散乱光線を集光する楕円体反射鏡と、散乱
角度の低い散乱光線を集光する光学レンズとを備えたこ
とを特徴とする。ここで、前記楕円体反射鏡の焦点位置
は、前記入射光線の基板に対する照射位置と一致してい
ることが望ましく、前記楕円体反射鏡の他方の焦点位置
の近傍に前記楕円体反射鏡と光学レンズにより集光され
た散乱光線を検出する検出器を備えることが望ましい。

【００１２】また、前記検出器は、散乱光線を二次元的
に検出する二次元検出器であることが望ましく、また前
記光学レンズは凸レンズであり、前記楕円体反射鏡の他
方の焦点位置と前記凸レンズの焦点位置とは略一致して
いることが望ましく、更に、前記楕円体反射鏡の他方の
焦点位置と前記凸レンズの焦点位置に絞りを備えている
ことが望ましい。

【００１３】本発明は上記構成により、光散乱の二次元
分布が散乱角の全範囲にわたって迅速に測定することが
できるため、基板の表面構造の詳細な評価を行うことが
できる。また、本発明にかかる装置は、複雑な操作を行
うことがなく操作が容易であり、検出器の回転機構など
の複雑な構成を必要としないので、小型化が可能とな
る。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図１乃至図４に基づいて説明する。図１は本発明の実施
形態にかかる装置を示し、図中符号１は、半導体基板材
料、２は半導体基板材料１から発生した散乱光線Ｉｓを
反射して集光する楕円形状の楕円体反射鏡、３は散乱光
線Ｉｓを集光する光学レンズとしての凸レンズ、４は散
乱光線Ｉｓの絞り、５は散乱光線Ｉｓの強度を二次元的
に検出する二次元検出器、６はレーザ光線発生装置（図
示せず）よりのレーザ光線Ｉｌを反射させて入射光線Ｉ
ｉを半導体基板材料１に照射すると共に、反射光線Ｉｒ
を反射させて入射光線Ｉｉと反射光線Ｉｒの光路を変更
させるための反射ミラー、７は反射光線Ｉｒの強度を検
出する検出器、８は楕円体反射鏡２の周縁部より凸レン
ズ３を吊下し、該凸レンズ３を楕円体反射鏡２の２つの
焦点を結ぶ中心線を光軸として半導体基板材料１の上方
に配置せしめるための鋼などよりなる連結棒や連結線よ
り構成される連結部材である。

【００１５】なお、楕円体反射鏡２の反射面は精密に楕
円面を形成する必要があり、また、半導体基板材料１の
入射光線照射位置は楕円体反射鏡２の焦点位置に正確に
一致する必要がある。このため、図示しない半導体基板
材料１を上下に微動せしめる機構と、レーザ光Ｉｌの軸
を調整する機構と、凸レンズ３などの光学系の位置を調
整する機構を備えている。

【００１６】以上の構成において、動作を説明する。レ
ーザ光線Ｉｌは反射ミラー６により反射され、その反射
光線が入射光線Ｉｉとして半導体基板材料１に垂直また
は所定角度を持って照射されると、前述の如く反射光線
Ｉｒが入射角と同一角度で発生すると共に、半導体基板
材料１の構造に応じて様々な方向に散乱光線Ｉｓが発生
する。この散乱光線Ｉｓの一部は、半導体基板材料１表
面の入射光線Ｉｉが照射される位置を焦点とする楕円体
反射鏡２により反射される。楕円体反射鏡２によって反
射される散乱光線Ｉｓは、楕円体反射鏡２の他方の焦点
に集光する。なお、楕円体反射鏡２は半導体基板材料１
の表面と略同一面上にまで配置することにより散乱角度
が９０度に近い散乱光線Ｉｓももれなく集光する。

【００１７】また、楕円体反射鏡２で集光できないよう
な散乱角度の低い散乱光線Ｉｓは、半導体基板材料１の
上方に配置された凸レンズ３により集光される。この凸
レンズ３の焦点距離と楕円体反射鏡２の焦点からの距離
を適当に選択することにより、凸レンズ３から出射され
る散乱光線Ｉｓは楕円体反射鏡２からの散乱光線と同様
に、楕円体反射鏡２の他方の焦点に集光させることがで
きる。この集光点には絞り４が設けられており、これに
より迷光を除去すると共に、光軸合わせと集光位置の調
整を容易にしている。絞り４の上方でかつ楕円体反射鏡
２の他方の焦点と凸レンズ３の焦点の近傍には二次元検
出器５が設置され、散乱光線Ｉｓの強度を二次元的すな
わち平面的に検出し測定する。

【００１８】この二次元検出器５は、散乱光線Ｉｓの強
度が微弱であるので、増幅率の高い高感度のものが用い
られる。例えば、二次元検出器５としては、インテンシ
ファイヤ付きＣＣＤあるいはマイクロチャンネルプレー
トなどが適当である。また、二次元分解能は、レーザ光
Ｉｌの直径が十分に小さいものであれば、検出器の素子
数にもよるが、所望の半導体基板の表面構造解析に必要
かつ十分なものを適用する。レーザ光は数μｍ程度に絞
り込むことは容易であるのに対して、二次元検出器５の
１個当たりの素子の大きさは数μｍであり、したがって
二次元分解能は二次元検出器５の分解能に依存すること
になる。

【００１９】また、半導体基板材料１から発生した反射
光線Ｉｒは反射ミラー６で反射され、検出器７により反
射光線Ｉｒの強度を測定する。これにより、レーザ光線
Ｉｌの強度の変動と半導体基板材料１に特有な反射率の
補正を行う。なお、目的や仕様に応じて、半導体基板材
料１の測定位置を選択したり、基板材料１の表面を走査
してイメージングを可能にするためのＸ−Ｙ駆動機構や
回転機構を設けるようにしてもよい。また、装置全体は
ケースに収納にし、外部光線を完全に遮蔽しておくよう
にする。

【００２０】次に、かかる装置を用いて散乱光線Ｉｓの
二次元分布を測定するための手法について説明する。ま
ず、レーザ光線Ｉｌと半導体基板材料１の高さ調整と、
絞り４と二次元検出器５の位置および凸レンズ３や楕円
体反射鏡２の位置と平行度の調整を行う。この調整によ
り、全散乱光線Ｉｓの強度が最も強くなるように設定す
る。このとき、絞り４は位置合わせを容易にするという
効果を有する。また、レーザ光線Ｉｌの軸合わせと、絞
り４と、二次元検出器５の位置および凸レンズ３や楕円
体反射鏡２の位置合わせは半導体基板材料１の測定にお
いて最初に設定しておけば良く、測定の都度行う必要は
ない。なお、凸レンズ３は前述のように楕円体反射鏡２
の周縁部より連結部材８により吊下されているが、３点
支持法を用いれば３本の連結部材の内、２本の長さを調
節することにより、凸レンズ３の中心位置と楕円体反射
鏡２の中心軸との軸合わせが可能となる。また、半導体
基板材料１の高さ調整は、同一系列のもの以外はその都
度行う必要があり、高さ微動調整機構で調整する。

【００２１】以上のような設定を行った後、実際の測定
を行う。散乱光線Ｉｓは散乱角度が高角度のものは楕円
体反射鏡２により反射され、集光されて絞り４を通過し
て二次元検出器５に到達する。ここで、絞り４のスリッ
ト穴は楕円体反射鏡２の中心軸に位置し、散乱光線Ｉｓ
は絞り４の絞り面で焦点を結び、再度広がって二次元検
出器５に到達する。二次元検出器５の検出面上におい
て、散乱光線Ｉｓは散乱方向（θ、φ）すなわち散乱角
θｓの角度方向と方位角φｓの角度方向に応じてリング
状に広がる。任意の散乱方向に散乱した散乱光線Ｉｓ
は、二次元検出器５の所定の位置に到達するので、これ
を二次元検出器５で検出することにより、（θ、φ）方
向に散乱した散乱光線Ｉｓの強度が測定できる。また、
前述のように、レーザ光線Ｉｌの強度の変動と半導体基
板材料１に特有な反射率の補正を行うために、検出器７
により反射光線Ｉｒの強度も測定する。

【００２２】一方、散乱光線Ｉｓの中で、散乱角度が低
角度のものは凸レンズ３により集光され、楕円体反射鏡
２によるものと同様に絞り４を通過して二次元検出器５
に到達し、任意の方向に散乱した散乱光線Ｉｓの強度を
測定する。この凸レンズ３で集光された散乱光線Ｉｓ
は、楕円体反射鏡２による散乱光線Ｉｓの内側に位置し
ており、両散乱光線Ｉｓが重複することはない。従っ
て、二次元検出器５の検出面に到達する散乱光線Ｉｓの
位置は、図２に示す如く楕円体反射鏡２により散乱され
た散乱光線Ｉｓに対しては外側から内側に向かって散乱
角θｓが大きくなり、凸レンズ３により散乱された散乱
光線Ｉｓに対しては中心から外側に向かって散乱角θｓ
が大きくなる。よって、散乱光線Ｉｓの全方位にわたっ
てその強度分布の測定が可能となる。そして、二次元検
出器５における検出位置と散乱方向（θ、φ）との関係
について幾何学的に相関付けができるので、データ解析
処理を行うことにより散乱光線Ｉｓの強度分布を求める
ことができる。

【００２３】図３は本発明の他の実施形態にかかる装置
を示し、図中符号９は二次元検出器５を収納すると共に
下方に絞り４を取付ける検出器ケース、１０は検出器ケ
ース９を上下動可能に支持する支持部材であって、検出
器ケース９に設けられたねじ部と螺合するねじ部が形成
され、支持部材１０を回転させることにより、検出器ケ
ース９を上下動可能に支持している。また、１１は半導
体基板材料１を載置すると共に、高さ調整のための微調
整機構を備えた基板積載台、１２は装置全体を収納する
ケースである。なお、他の構成は図１と同様である。

【００２４】以下、かかる装置による具体的測定例につ
いて説明する。なお、半導体基板材料１としてシリコン
単結晶基板を用いた。楕円体反射鏡２は、反射面が長軸
の長さが２４０ｍｍで単軸の長さが１４０ｍｍの楕円体
の一部を成すもので、底部は焦点の位置から１０ｍｍ上
方に位置し、上部は中心線より２０ｍｍ上方に位置して
半導体基板材料１の表面と平行する面で切り離した構造
となっている。この楕円体反射鏡２の上方周縁部の３分
割点を任意に設定し、各点より連結部材８としてピアノ
線を用いて凸レンズ３を吊下する。凸レンズ３は直径６
０ｍｍφのものを２枚組み合わせ、合成された焦点距離
が４０ｍｍとなるように調整されている。凸レンズ３の
下部レンズから半導体基板材料１の表面（すなわち楕円
体反射鏡２の焦点位置）までの距離は５０ｍｍに設定す
る。なお、凸レンズ３の高さと平行度はピアノ線の長さ
を変更することにより調整する。

【００２５】二次元検出器５にはマルチアノードタイプ
のマイクロチャンネルプレート（ＭＣＰ）を用い、その
受光面の有効径は５０ｍｍφで、受光面が絞り４の位置
（すなわち楕円体反射鏡２の他方の焦点面）から３０ｍ
ｍ後方となるように設定する。また、二次元検出器５の
アノードは約１ｍｍ径で、受光面全体で総数約２０００
個あり、位置分解能は約１ｍｍである。絞り４は黒化処
理を施した金属板により構成され、開口部（スリット）
の大きさは１ｍｍに設定されている。また、二次元検出
器５と絞り４が収納および取り付けられた検出器ケース
９を、前記支持部材を回転させることにより、光学軸調
整に際して微動させる。検出器ケース９の下部には入射
レーザ光線Ｉｌと反射光線Ｉｒの光路を変更させるため
の反射鏡６を取付ける。この反射鏡６の位置はできるだ
け光学軸に近くかつ散乱光線Ｉｓの光路を妨げない位置
に設定し、入射光線Ｉｉの入射角θｉを５度とする。

【００２６】反射光線Ｉｒは入射角θｉと同角度の反射
角θｒで発生し、反射鏡６で光路が変更され、フィルタ
で減光した後、検出器６としてのフォトダイオードで検
出する。なお、レーザ光線Ｉｌとして波長６７０ｎｍの
半導体レーザを用い、その出力は２０ｍＷで、スポット
は半導体基板材料１の面上で約１００μｍとなるように
凸レンズ３で調整される。半導体基板材料１は基板積載
台１１に載置され、その高さが微調整される。楕円体反
射鏡２や反射鏡６などの反射面以外は無光沢黒色化処理
を施し、装置全体は外部光を遮蔽したケース１２内に収
納し、防振台に設置する。

【００２７】半導体基板材料１として（１００）面を鏡
面研磨したシリコンウェーハと、（１００）面にシリコ
ンエピタキシャル層を形成したシリコンウェーハを用
い、該ウェーハを基板積載台１１に載置して焦点面の高
さに調整し、さらに二次元検出器５と凸レンズ３の位置
調整を行う。この位置調整は絞り４の面に蛍光板を取付
け、レーザ光線Ｉｌのスポットを観察することにより行
う。特に、凸レンズ３の焦点距離と楕円体反射鏡２の焦
点位置とが正確に一致するように調整する。

【００２８】次に、レーザ光線Ｉｌによる入射光線Ｉｉ
を半導体基板材料（シリコンウェーハ）１に照射し、反
射光線Ｉｒと散乱光線Ｉｓの測定を行う。レーザ光線Ｉ
ｌは１０秒間程度露光し、検出器（フォトダイオード）
７で反射光線Ｉｒの強度を測定すると共に、二次元検出
器（ＭＣＰ）５で散乱光線Ｉｓの強度を測定する。二次
元検出器５の受光面での散乱光線Ｉｓの強度分布から散
乱方向（θ、φ）における強度分布を計算し、反射光線
Ｉｒの強度で規格化する。

【００２９】図４（ａ），（ｂ）はそれぞれ前述の鏡面
研磨したシリコンウェーハとエピタキシャル層を形成し
たシリコンウェーハにおける散乱角θｓの角度方向に対
する散乱強度分布を示し、図４（ａ）の鏡面研磨したも
のは散乱が少ないのに対して、図４（ｂ）のエピタキシ
ャル層を形成したものでは散乱強度が高く、しかも特定
の角度で強いことが確認された。なお、測定時間は、光
学系の調整が完了した後は半導体基板材料１の高さを併
せて測定するだけでよいので、半導体基板材料１の装着
から１点の測定完了まで数分で終了する。また、測定点
が増加しても１箇所当たりの露光時間が短いので多点で
の測定が可能である。

【００３０】以上の実施形態においては、基板として半
導体基板を用いた場合について説明したが、他の基板を
用いてその表面を評価するようにしてもよい。

【００３１】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、光散乱の
二次元分布が散乱角の全範囲にわたって迅速に測定する
ことができる。また、複雑な操作を行うことがなく操作
が容易である。さらに、検出器の回転機構などの複雑な
構成を必要としないので、小型化が可能となり、実用上
あるいは工業的に有効に利用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の実施形態にかかる半導体基板
表面評価装置の構成を示す概略縦断面図である。

【図２】図２は、二次元検出面における散乱光線の検出
位置と散乱角との関係を示す説明図である。

【図３】図３は、本発明の他の実施形態にかかる半導体
基板表面評価装置の構成を示す縦断面図である。

【図４】図４（ａ）、（ｂ）は、鏡面研磨した半導体基
板とエピタキシャル層を形成した半導体基板における散
乱光線の強度分布を示す特性図である。

【図５】図５（ａ）、（ｂ）は、半導体基板の凹凸の幅
の相違による散乱光の方向の変化を示す説明図である。

【図６】図６は、入射光線に対する散乱光線の方向を示
す斜視図である。

【図７】図７は、従来の半導体基板表面評価装置の構成
を示す概略図である。

【図８】図８は、従来の他の半導体基板表面評価装置の
構成を示す概略構成図である。

【符号の説明】

１ 半導体基板材料 ２ 楕円体反射鏡 ３ 凸レンズ ４ 絞り ５ 二次元検出器 ６ 反射鏡 ７ 検出器 ８ 連結部材 ９ 検出器ケース １０ 支持部材 １１ 基板積載台 １２ ケース Ｉｌ レーザ光線 Ｉｉ 入射光線 Ｉｒ 反射光線 Ｉｓ 散乱光線

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F065 AA49 CC19 DD02 DD06 FF04 FF42 FF44 GG06 HH04 HH12 JJ01 JJ03 JJ05 JJ08 JJ09 JJ18 JJ19 JJ26 LL04 LL12 LL19 LL30 MM03 MM04 PP12 PP22 QQ31 2G051 AA51 AB20 BA10 CA03 CA07 CB01 CB05 DA07 DA08 4M106 AA01 BA05 CA24 DH01 DH12 DH32 DH38 DH39

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の表面に照射される入射光線により
   発生する散乱光線を集光し、集光した散乱光線から前記
   基板の表面を評価する基板の表面評価装置において、 散乱角度の高い散乱光線を集光する楕円体反射鏡と、 散乱角度の低い散乱光線を集光する光学レンズとを備え
   たことを特徴とする基板の表面評価装置。
2. 【請求項２】 前記楕円体反射鏡の焦点位置は、前記入
   射光線の基板に対する照射位置と一致していることを特
   徴とする請求項１に記載された基板の表面評価装置。
3. 【請求項３】 前記楕円体反射鏡の他方の焦点位置の近
   傍に前記楕円体反射鏡と光学レンズにより集光された散
   乱光線を検出する検出器を備えたことを特徴とする請求
   項２に記載された基板の表面評価装置。
4. 【請求項４】 前記検出器は、散乱光線を二次元的に検
   出する二次元検出器であることを特徴とする請求項３に
   記載された基板の表面評価装置。
5. 【請求項５】 前記光学レンズは凸レンズであり、前記
   楕円体反射鏡の他方の焦点位置と前記凸レンズの焦点位
   置とは略一致していることを特徴とする請求項２に記載
   された基板の表面評価装置。
6. 【請求項６】 前記楕円体反射鏡の他方の焦点位置と前
   記凸レンズの焦点位置に絞りを備えたことを特徴とする
   請求項５に記載された基板の表面評価装置。