JP2001201599A - Ｘ線を案内するための器具 - Google Patents
Ｘ線を案内するための器具Info
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- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
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- G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Radiation-Therapy Devices (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 照射線源から測定対象物へＸ線を案内するた
めの器具を提供する。 【解決手段】 本発明による器具は、１つのスリットを
形成する少なくとも２つの反射区域（１８）を備えてい
る。
めの器具を提供する。 【解決手段】 本発明による器具は、１つのスリットを
形成する少なくとも２つの反射区域（１８）を備えてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、照射線源から測定
対象物へＸ線を案内するための器具に関する。
対象物へＸ線を案内するための器具に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄層または多層の測定に蛍光Ｘ線法が使
用されている。この型の層分析中においては、サンプル
の個々のエレメントのＸ線蛍光放射線が検出され、（１
つまたは複数の）層厚および（１つまたは複数の）構造
に変換される。コリメータ・システムによってマスクさ
れ、励起Ｘ線が細いビームの形で測定区域を通る。ここ
から、Ｘ線蛍光放射線は放射される。放射線は比例計数
管または別の検知器においてエネルギー分散方式で検知
される。この形式の層厚分析によって、例えば１００μ
ｍ×１００μｍのサイズまでの大きさを有する機能区域
を非接触および非破壊方式で正確に測定することができ
る。
用されている。この型の層分析中においては、サンプル
の個々のエレメントのＸ線蛍光放射線が検出され、（１
つまたは複数の）層厚および（１つまたは複数の）構造
に変換される。コリメータ・システムによってマスクさ
れ、励起Ｘ線が細いビームの形で測定区域を通る。ここ
から、Ｘ線蛍光放射線は放射される。放射線は比例計数
管または別の検知器においてエネルギー分散方式で検知
される。この形式の層厚分析によって、例えば１００μ
ｍ×１００μｍのサイズまでの大きさを有する機能区域
を非接触および非破壊方式で正確に測定することができ
る。
【０００３】もっと小さな、例えば１００μｍ×１００
μｍ以下の機能区域については、Ｘ線をこのような小さ
な機能区域に集束させることのできるＸ線導体が知られ
ている。これらはモノキャピラリーと呼ばれるものであ
る。これらのモノキャピラリーは円筒状に設計されて小
さなガラス管の形をなしている。ガラス管の壁における
全反射によって、十分な強さで測定対象物へＸ線を案内
することが可能となる。
μｍ以下の機能区域については、Ｘ線をこのような小さ
な機能区域に集束させることのできるＸ線導体が知られ
ている。これらはモノキャピラリーと呼ばれるものであ
る。これらのモノキャピラリーは円筒状に設計されて小
さなガラス管の形をなしている。ガラス管の壁における
全反射によって、十分な強さで測定対象物へＸ線を案内
することが可能となる。
【０００４】さらに、モノキャピラリーとして設計され
たコリメータが開発されている。このコリメータは、反
射されたＸ線が測定対象物に向かって集束されるよう
に、ガラス管の内壁が放物面形状となるよう設計されて
いる。さらに、いわゆるポリキャピラリーが知られてい
る。ポリキャピラリーは、複数のモノキャピラリーの束
を有するモノリスであり、複数のモノキャピラリーは、
１つの目標に向かうように案内されるＸ線がモノリスの
出口面の外側における１点に集束するように、順に配置
されている。
たコリメータが開発されている。このコリメータは、反
射されたＸ線が測定対象物に向かって集束されるよう
に、ガラス管の内壁が放物面形状となるよう設計されて
いる。さらに、いわゆるポリキャピラリーが知られてい
る。ポリキャピラリーは、複数のモノキャピラリーの束
を有するモノリスであり、複数のモノキャピラリーは、
１つの目標に向かうように案内されるＸ線がモノリスの
出口面の外側における１点に集束するように、順に配置
されている。
【０００５】これらのキャピラリーは高価なため、キャ
ピラリーを備えるコリメータを有する層厚測定装置を経
済的に製造することができないという欠点を有する。ま
た、上述のコリメータは、その直径が固定されているの
でＸ線を異なる寸法の測定対象物に調節し集束させるこ
とができないという欠点を有する。さらに、これらのコ
リメータは、その製造の複雑性の故に独占されているの
で、調達が極めて困難であるという欠点がある。
ピラリーを備えるコリメータを有する層厚測定装置を経
済的に製造することができないという欠点を有する。ま
た、上述のコリメータは、その直径が固定されているの
でＸ線を異なる寸法の測定対象物に調節し集束させるこ
とができないという欠点を有する。さらに、これらのコ
リメータは、その製造の複雑性の故に独占されているの
で、調達が極めて困難であるという欠点がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明は、
特に、１００μｍ×１００μｍ以下の小さなサイズの機
能区域を有する測定対象物へ放射線源からＸ線を案内す
るための器具を、対効果に比べて安価に製造し、測定し
ようとする測定区域に対して調節可能なものとし、さら
に測定対象物に対する放射強度の十分な伝達を可能にす
ることを目的としたものである。
特に、１００μｍ×１００μｍ以下の小さなサイズの機
能区域を有する測定対象物へ放射線源からＸ線を案内す
るための器具を、対効果に比べて安価に製造し、測定し
ようとする測定区域に対して調節可能なものとし、さら
に測定対象物に対する放射強度の十分な伝達を可能にす
ることを目的としたものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的は、本発明によ
れば、スリットを形成する少なくとも２つの反射区域を
設けたことを特徴とする放射線源から測定対象物へＸ線
を案内するための器具によって達成される。
れば、スリットを形成する少なくとも２つの反射区域を
設けたことを特徴とする放射線源から測定対象物へＸ線
を案内するための器具によって達成される。
【０００８】本発明によれば、少なくとも２つの反射区
域により１つのスロットを形成する構成としたので、簡
単な配置で、Ｘ線が十分な強度で測定対象物へ案内さ
れ、検出器が放射された蛍光放射線の十分な強度を検出
できるという利点を有する。１つのスリットを形成する
少なくとも２つの反射区域は製造が簡単であり、従来の
モノキャピラリーおよび／またはポリキャピラリーと比
較して、本発明のＸ線を案内するための器具の製造方法
に複雑さはない。
域により１つのスロットを形成する構成としたので、簡
単な配置で、Ｘ線が十分な強度で測定対象物へ案内さ
れ、検出器が放射された蛍光放射線の十分な強度を検出
できるという利点を有する。１つのスリットを形成する
少なくとも２つの反射区域は製造が簡単であり、従来の
モノキャピラリーおよび／またはポリキャピラリーと比
較して、本発明のＸ線を案内するための器具の製造方法
に複雑さはない。
【０００９】モノキャピラリーまたはポリキャピラリー
が完全に閉じた小さなガラス管から形成される従来技術
とは対照的に、本発明の主題によれば、Ｘ線は、少なく
とも２つの反射区域によって形成されたスリットの中で
全反射され測定対象物に案内されることで十分である。
１つまたは複数のスリットから横方向に生じるＸ線は、
蛍光放射線の励起には効果的ではないが、１つのスリッ
トを形成する少なくとも２つの反射区域の間でのＸ線の
全反射によって、少なくとも十分な強度のＸ線が測定対
象物に案内される。
が完全に閉じた小さなガラス管から形成される従来技術
とは対照的に、本発明の主題によれば、Ｘ線は、少なく
とも２つの反射区域によって形成されたスリットの中で
全反射され測定対象物に案内されることで十分である。
１つまたは複数のスリットから横方向に生じるＸ線は、
蛍光放射線の励起には効果的ではないが、１つのスリッ
トを形成する少なくとも２つの反射区域の間でのＸ線の
全反射によって、少なくとも十分な強度のＸ線が測定対
象物に案内される。
【００１０】本発明の１つの有利な実施態様では、少な
くとも２つの反射区域によって形成されたスリットが調
節可能な幅を有する。これによって、測定対象物におけ
る測定区域の寸法が調節可能になることができる。した
がって、この器具は層厚分析のさまざまな要件に調節お
よび適応できる。
くとも２つの反射区域によって形成されたスリットが調
節可能な幅を有する。これによって、測定対象物におけ
る測定区域の寸法が調節可能になることができる。した
がって、この器具は層厚分析のさまざまな要件に調節お
よび適応できる。
【００１１】本発明の１つの有利な実施態様では、互い
に対向して互いに平行に配置された２つの反射区域が設
けられる。これはＸ線を案内するための簡単な構造であ
る。スリット幅は、少なくとも測定対象物の測定区域の
寸法に、好ましくはＸ線管の出口開口部に適合され、し
たがって、最高放射線強度を測定対象物に照射すること
ができる。
に対向して互いに平行に配置された２つの反射区域が設
けられる。これはＸ線を案内するための簡単な構造であ
る。スリット幅は、少なくとも測定対象物の測定区域の
寸法に、好ましくはＸ線管の出口開口部に適合され、し
たがって、最高放射線強度を測定対象物に照射すること
ができる。
【００１２】本発明の一代替実施態様では、互いに対向
して、測定対称物に向かって先細になった２つの反射区
域が設けられる。反射区域のこの近似的なくさび形の配
置のおかげでＸ線の追加集束を得ることができる。入口
と先細端にある出口の間における反射区域の開口幅はマ
イクロメータの範囲、またはそれ以上にすることもでき
る。
して、測定対称物に向かって先細になった２つの反射区
域が設けられる。反射区域のこの近似的なくさび形の配
置のおかげでＸ線の追加集束を得ることができる。入口
と先細端にある出口の間における反射区域の開口幅はマ
イクロメータの範囲、またはそれ以上にすることもでき
る。
【００１３】本発明のさらに１つの有利な実施態様で
は、少なくとも１つの反射区域が固定され、少なくとも
他の１つの反射区域が距離および／または角度に関して
調節可能とする。これは、任意に距離および／または角
度のいずれも調節可能であり、１つの反射区域は基準区
域として作用する。
は、少なくとも１つの反射区域が固定され、少なくとも
他の１つの反射区域が距離および／または角度に関して
調節可能とする。これは、任意に距離および／または角
度のいずれも調節可能であり、１つの反射区域は基準区
域として作用する。
【００１４】本発明のさらに別の有利な実施態様では、
反射区域が半導体材料特にシリコン・ウェハーから製造
される。シリコン・ウェハーの工業的生産の費用対効果
は改善されてきた。また、その高度な平面構成のゆえ
に、シリコン・ウェハーはＸ線のあらゆる反射に適した
表面を持つ。全反射の臨界角はＸ線のエネルギーによっ
て異なるが、例えば数ミリラジアンである。シリコン・
ウェハーの高品質の平坦な表面によって十分に損失のな
い方式でＸ線を伝送できる。
反射区域が半導体材料特にシリコン・ウェハーから製造
される。シリコン・ウェハーの工業的生産の費用対効果
は改善されてきた。また、その高度な平面構成のゆえ
に、シリコン・ウェハーはＸ線のあらゆる反射に適した
表面を持つ。全反射の臨界角はＸ線のエネルギーによっ
て異なるが、例えば数ミリラジアンである。シリコン・
ウェハーの高品質の平坦な表面によって十分に損失のな
い方式でＸ線を伝送できる。
【００１５】少なくとも部分的に反射区域に貴金属、好
ましくは銅、銀、金、白金、パラジウムなどのいずれか
が蒸着されていることが好ましい。シリコン・ウェハー
の上に好ましく設けられたこの被覆によって、臨界角を
例えば白金被覆の場合には４．５ミリラジアンに増加す
ることができ、この結果、全反射の臨界角を増加するこ
とができる。これは測定対象物により高い強度のＸ線が
照射されるという効果をもたらし、これは蛍光を放射す
るために十分に高い強度を付与できることを意味する。
ましくは銅、銀、金、白金、パラジウムなどのいずれか
が蒸着されていることが好ましい。シリコン・ウェハー
の上に好ましく設けられたこの被覆によって、臨界角を
例えば白金被覆の場合には４．５ミリラジアンに増加す
ることができ、この結果、全反射の臨界角を増加するこ
とができる。これは測定対象物により高い強度のＸ線が
照射されるという効果をもたらし、これは蛍光を放射す
るために十分に高い強度を付与できることを意味する。
【００１６】本発明のさらに別の有利な実施態様では、
Ｘ線管のビーム出口に面する端部において少なくとも部
分的に被覆が施される。これは、複数のＸ線が入力領域
における全反射によって反射されることを可能にし、こ
の結果、高い強度が得られる。
Ｘ線管のビーム出口に面する端部において少なくとも部
分的に被覆が施される。これは、複数のＸ線が入力領域
における全反射によって反射されることを可能にし、こ
の結果、高い強度が得られる。
【００１７】本発明のさらに別の有利な実施態様では、
反射区域が、測定対象物の近くに全反射を防ぐ被覆を有
する領域を有するか、または少なくとも部分的に被覆さ
れた反射区域の場合には、被覆がないかまたは全反射を
防ぐ被覆が設けられた領域を有する。
反射区域が、測定対象物の近くに全反射を防ぐ被覆を有
する領域を有するか、または少なくとも部分的に被覆さ
れた反射区域の場合には、被覆がないかまたは全反射を
防ぐ被覆が設けられた領域を有する。
【００１８】これは、最終反射の後で反射区域から出る
前に測定領域の外側にあるＸ線の全反射を防ぐことを可
能にする。この配置は、測定対象物において測定区域の
さらに正確な放射も得ることを可能にし、測定の質を向
上させる。
前に測定領域の外側にあるＸ線の全反射を防ぐことを可
能にする。この配置は、測定対象物において測定区域の
さらに正確な放射も得ることを可能にし、測定の質を向
上させる。
【００１９】本発明の有利な一実施態様では、少なくと
も１つの反射区域が、少なくとも１つの調節装置によっ
て調節可能である。この調節装置は、精密な機械的調節
装置または電気式、油圧式、空気式、または圧電式アク
チュエータとして有利に設計できる。この調節装置は、
互いに関連して配置されている少なくとも２つの反射区
域の正確な方向付けと調節を行うため、少なくともマイ
クロメートル程度の調節が可能でなければならない。
も１つの反射区域が、少なくとも１つの調節装置によっ
て調節可能である。この調節装置は、精密な機械的調節
装置または電気式、油圧式、空気式、または圧電式アク
チュエータとして有利に設計できる。この調節装置は、
互いに関連して配置されている少なくとも２つの反射区
域の正確な方向付けと調節を行うため、少なくともマイ
クロメートル程度の調節が可能でなければならない。
【００２０】本発明のさらなる有利な実施態様及び改善
は、特許請求の範囲に明記される。
は、特許請求の範囲に明記される。
【００２１】
【発明の実施の形態】添付の図面を参照して好ましい実
施形態をさらに詳細に説明する。
施形態をさらに詳細に説明する。
【００２２】図１は、層厚測定装置１１の主要構成部分
を概略的に示すものである。ここで、評価ユニット、ビ
デオ・カメラによって記録された測定対象物を映像化す
るための画面、および入力キーボードとプリンタは省か
れて描かれている。この層厚測定装置１１は、例えばボ
ンディング・パッド、選択被覆を施した部分に設けられ
る接点、小さな区域の上の導体トラックあるいは機能的
被覆を測定するために使用される。本発明による器具１
２を備えた層厚測定装置１１は、好ましくは、１００μ
ｍ×１００μｍより小さな、特に５０μｍ×５０μｍよ
り小さな測定区域（機能区域）を有する層厚の測定また
は検査に使用される。Ｘ線はＸ線管１３において発生
し、陽極１４を経て測定対象物１６へ向けられる。Ｘ線
は測定対象物１６の層において蛍光放射線を励起する。
エネルギーに応じたこの蛍光放射線の強度（スペクト
ル）は、層厚の関数である。この強度または層システム
のパラメータは放出放射線システムによって利用され、
パラメータは検出器１７の支援によって記憶される。
を概略的に示すものである。ここで、評価ユニット、ビ
デオ・カメラによって記録された測定対象物を映像化す
るための画面、および入力キーボードとプリンタは省か
れて描かれている。この層厚測定装置１１は、例えばボ
ンディング・パッド、選択被覆を施した部分に設けられ
る接点、小さな区域の上の導体トラックあるいは機能的
被覆を測定するために使用される。本発明による器具１
２を備えた層厚測定装置１１は、好ましくは、１００μ
ｍ×１００μｍより小さな、特に５０μｍ×５０μｍよ
り小さな測定区域（機能区域）を有する層厚の測定また
は検査に使用される。Ｘ線はＸ線管１３において発生
し、陽極１４を経て測定対象物１６へ向けられる。Ｘ線
は測定対象物１６の層において蛍光放射線を励起する。
エネルギーに応じたこの蛍光放射線の強度（スペクト
ル）は、層厚の関数である。この強度または層システム
のパラメータは放出放射線システムによって利用され、
パラメータは検出器１７の支援によって記憶される。
【００２３】本発明による器具１２は、Ｘ線管１３と測
定対象物１６との間に設けられ、この器具は、例示的実
施形態によれば２つの互いに対向する反射区域１８を含
む。これらの反射区域１８はＸ線を集束し前進させるた
めに使用され、この結果、Ｘ線は測定対象物１６の測定
区域に進む。反射区域１８は、陽極１４もしくは陽極１
４の近くの出口フランジ２１に直接配置されることが好
ましい。また、コリメータ２３が、互いに割り当てられ
た反射区域１８の下端部２２に設けられ、この結果、図
３に示すように測定領域２４を測定対象物の上に結像す
ることが可能である。コリメータ２３は、スリット幅が
調節可能であるスリット・コリメータであることが有利
である。
定対象物１６との間に設けられ、この器具は、例示的実
施形態によれば２つの互いに対向する反射区域１８を含
む。これらの反射区域１８はＸ線を集束し前進させるた
めに使用され、この結果、Ｘ線は測定対象物１６の測定
区域に進む。反射区域１８は、陽極１４もしくは陽極１
４の近くの出口フランジ２１に直接配置されることが好
ましい。また、コリメータ２３が、互いに割り当てられ
た反射区域１８の下端部２２に設けられ、この結果、図
３に示すように測定領域２４を測定対象物の上に結像す
ることが可能である。コリメータ２３は、スリット幅が
調節可能であるスリット・コリメータであることが有利
である。
【００２４】反射区域１８は、図１と図２から認めるこ
とができるように、細長い矩形区域として設計されてい
る。反射区域１８の長さは、構造によっても全反射の角
度によっても本質的に決定される。測定領域２４軸と陽
極１４との間で平行に走っていないＸ線は、全反射によ
って少なくとも１回反射される。反射区域１８の幅は、
検査されるべき最大機能区域の少なくとも１倍半であ
る。反射区域１８にシリコン・ウェハーを使用すること
が有利である。この費用対効果の高い基礎材料を、本発
明による１２の対応寸法に簡単な方法で適合させること
ができる。さらなる半導体材料、例えばゲルマニウム、
ガリウムヒ素なども反射機器１８に適している。
とができるように、細長い矩形区域として設計されてい
る。反射区域１８の長さは、構造によっても全反射の角
度によっても本質的に決定される。測定領域２４軸と陽
極１４との間で平行に走っていないＸ線は、全反射によ
って少なくとも１回反射される。反射区域１８の幅は、
検査されるべき最大機能区域の少なくとも１倍半であ
る。反射区域１８にシリコン・ウェハーを使用すること
が有利である。この費用対効果の高い基礎材料を、本発
明による１２の対応寸法に簡単な方法で適合させること
ができる。さらなる半導体材料、例えばゲルマニウム、
ガリウムヒ素なども反射機器１８に適している。
【００２５】シリコン・ウェハーから作られることが好
ましい反射区域１８は、図３に示すように保持エレメン
ト２６、２７に取り付けられる。これらは、反射区域１
８の平面性を維持するように、ひずみのない方法で接着
される。代替実施形態として、反射区域１８をクランプ
手段などによって保持エレメント２６、２７にひずみの
ない方法で固定することもできる。図３に示すように、
調節ユニット２８は２つの保持エレメント２７の１つと
係合し、この調節装置によって、保持エレメント２７を
定置エレメント２６に対して可動にすることができる。
保持エレメント２６は器具１２の中央軸２９に平行に反
射区域１８を保持する。スロット幅は、調節ユニット２
８によって調節することができる。また、エレメント２
６に対する保持エレメント２７の角度を調節することも
可能になる。
ましい反射区域１８は、図３に示すように保持エレメン
ト２６、２７に取り付けられる。これらは、反射区域１
８の平面性を維持するように、ひずみのない方法で接着
される。代替実施形態として、反射区域１８をクランプ
手段などによって保持エレメント２６、２７にひずみの
ない方法で固定することもできる。図３に示すように、
調節ユニット２８は２つの保持エレメント２７の１つと
係合し、この調節装置によって、保持エレメント２７を
定置エレメント２６に対して可動にすることができる。
保持エレメント２６は器具１２の中央軸２９に平行に反
射区域１８を保持する。スロット幅は、調節ユニット２
８によって調節することができる。また、エレメント２
６に対する保持エレメント２７の角度を調節することも
可能になる。
【００２６】一代替実施形態として、鏡面反転配置（mi
rror-inverted arrangement）を設けることも可能であ
る。同様に代替形態として、保持エレメント２６、２７
の各々に作用する調節ユニットを構成することもでき、
この結果、保持エレメント２６，２７を互いに平行に、
および／または互いにある角度をなして配置することが
可能となる。これによって測定対象物１６に対して一定
幅または先細のスリットを形成できる。調節ユニット２
８は、例えば１０〜１００μｍの範囲にあるスリット幅
が随意に調節できるように設計される。この目的のため
に、精密な機械的調節機構、圧電式アクチュエータ、お
よび電気式、液圧式、空気式で働く作動装置も準備する
ことができる。
rror-inverted arrangement）を設けることも可能であ
る。同様に代替形態として、保持エレメント２６、２７
の各々に作用する調節ユニットを構成することもでき、
この結果、保持エレメント２６，２７を互いに平行に、
および／または互いにある角度をなして配置することが
可能となる。これによって測定対象物１６に対して一定
幅または先細のスリットを形成できる。調節ユニット２
８は、例えば１０〜１００μｍの範囲にあるスリット幅
が随意に調節できるように設計される。この目的のため
に、精密な機械的調節機構、圧電式アクチュエータ、お
よび電気式、液圧式、空気式で働く作動装置も準備する
ことができる。
【００２７】測定対象物１６に向かっている端部には、
平らな部分３１が保持エレメント２６に設けられてい
る。この平らな部分は、放射された蛍光放射線を検出す
るために利用可能な十分な開口幅３２を形成している。
平らな部分３１が保持エレメント２６に設けられてい
る。この平らな部分は、放射された蛍光放射線を検出す
るために利用可能な十分な開口幅３２を形成している。
【００２８】反射区域１８は、例えばその上に蒸着され
た貴金属を有することもできる。これは、シリコンの場
合は１．５ミリラジアン、白金被覆によれば４．５ミリ
ラジアンに全反射の臨界角を増加することができる。こ
れはまたＸ線の伝達に対して有利な効果を有する。代替
実施形態として、被覆された反射区域が使用される場合
には、基礎材料が石英表面または平面性の要件を満たし
て被覆を有するプラスチック材料を含むことが考えられ
る。被覆は、捕捉または反射されるＸ線の数ができるだ
け多くなるように、反射区域１８の少なくとも入力部に
設けることが有利である。被覆は反射区域１８に沿った
コースの上に完全に連続させるか、または単に部分的に
設けることもできる。
た貴金属を有することもできる。これは、シリコンの場
合は１．５ミリラジアン、白金被覆によれば４．５ミリ
ラジアンに全反射の臨界角を増加することができる。こ
れはまたＸ線の伝達に対して有利な効果を有する。代替
実施形態として、被覆された反射区域が使用される場合
には、基礎材料が石英表面または平面性の要件を満たし
て被覆を有するプラスチック材料を含むことが考えられ
る。被覆は、捕捉または反射されるＸ線の数ができるだ
け多くなるように、反射区域１８の少なくとも入力部に
設けることが有利である。被覆は反射区域１８に沿った
コースの上に完全に連続させるか、または単に部分的に
設けることもできる。
【００２９】同様に、被覆または被覆の材料を必要に応
じて変えることもできる。例として、全反射のための臨
界角を減らすことによって、反射区域１８の出力部にお
ける拡散を減少させることが可能であり、この出力部は
放射線の集束を得ることを可能にする。この結果、強度
は測定対象物１６の測定領域２４において高くなる。こ
の目的のために、例えば被覆を反射区域１８の下端部２
２近くの領域に設けないかあるいは全反射を防ぐ被覆を
設けることが考えられ、この結果、反射区域１８の下に
出る放射線は測定対象物１６の測定領域２４の寸法に正
確に集束する。これによって、測定領域２４外側の縁部
領域の照射を著しく減らすことができる。
じて変えることもできる。例として、全反射のための臨
界角を減らすことによって、反射区域１８の出力部にお
ける拡散を減少させることが可能であり、この出力部は
放射線の集束を得ることを可能にする。この結果、強度
は測定対象物１６の測定領域２４において高くなる。こ
の目的のために、例えば被覆を反射区域１８の下端部２
２近くの領域に設けないかあるいは全反射を防ぐ被覆を
設けることが考えられ、この結果、反射区域１８の下に
出る放射線は測定対象物１６の測定領域２４の寸法に正
確に集束する。これによって、測定領域２４外側の縁部
領域の照射を著しく減らすことができる。
【００３０】本発明による器具１２の構成は、測定タス
クに応じて測定領域が調整されることを可能にする。同
様に、コリメータ２３をこの領域に適合することができ
るので、照射の集束は予め決定された測定領域について
強度を増加する。
クに応じて測定領域が調整されることを可能にする。同
様に、コリメータ２３をこの領域に適合することができ
るので、照射の集束は予め決定された測定領域について
強度を増加する。
【００３１】一代替実施形態として、反射区域を少なく
とも僅かに凹状に設計することもできる。同様に、この
凹状設計は下端部２２に向かって先細となり、一種のメ
スリソン（ｍｅｓｌｉｔｈｏｎｅ）形状の反射区域１８
を生ずる。しかしながら、この場合、やはりマイクロメ
ートル程度に寸法を考慮すべきである。
とも僅かに凹状に設計することもできる。同様に、この
凹状設計は下端部２２に向かって先細となり、一種のメ
スリソン（ｍｅｓｌｉｔｈｏｎｅ）形状の反射区域１８
を生ずる。しかしながら、この場合、やはりマイクロメ
ートル程度に寸法を考慮すべきである。
【００３２】器具１２の入力部における反射区域１８の
開口幅は、本質的にアノードを介して放射されるＸ線の
ための出口開口に対応する。同様に、Ｘ線の一次スポッ
トに対して僅かに大きいか小さい開口幅を設けることも
可能である。
開口幅は、本質的にアノードを介して放射されるＸ線の
ための出口開口に対応する。同様に、Ｘ線の一次スポッ
トに対して僅かに大きいか小さい開口幅を設けることも
可能である。
【００３３】さらにまた器具１２は、ビデオ・カメラを
使用して測定対象物１６を映像化するために、光学系を
配置するために役立つ開口部とレセプタクルを有するこ
ともできる。
使用して測定対象物１６を映像化するために、光学系を
配置するために役立つ開口部とレセプタクルを有するこ
ともできる。
【００３４】例示的に示した実施形態によれば、器具１
２は、互いに関連して配置され、また互いに平行または
鋭角を成して配置された２つの反射区域１８によって準
備される。またこの２つの反射区域１８の代わりに、Ｘ
線の集束によって強度の増加が可能になるように測定対
象物１６の測定領域２４へのＸ線の伝達を可能にするた
めに、３つまたはそれ以上の反射区域を適当な様式に互
いに関連して配置することもできる。しかし、従来技術
から周知のものとは対照的に、全反射によってＸ線を測
定領域へ集束するために閉じた管状配置を使用する必要
はない。さらに同様に、Ｘ線の全反射を可能にする反射
区域１８の幾何学的構成を考えることもできる。
２は、互いに関連して配置され、また互いに平行または
鋭角を成して配置された２つの反射区域１８によって準
備される。またこの２つの反射区域１８の代わりに、Ｘ
線の集束によって強度の増加が可能になるように測定対
象物１６の測定領域２４へのＸ線の伝達を可能にするた
めに、３つまたはそれ以上の反射区域を適当な様式に互
いに関連して配置することもできる。しかし、従来技術
から周知のものとは対照的に、全反射によってＸ線を測
定領域へ集束するために閉じた管状配置を使用する必要
はない。さらに同様に、Ｘ線の全反射を可能にする反射
区域１８の幾何学的構成を考えることもできる。
【図１】本発明による器具を備えた層厚測定装置の概略
図である。
図である。
【図２】図１に示した層厚測定装置の概略側面図であ
る。
る。
【図３】本発明による器具の詳細図である。
【図４】測定対象物に向けられた本発明による器具の端
部の拡大概略図である。
部の拡大概略図である。
１１ 層厚測定装置 １２ 本発明による器具 １３ Ｘ線管 １４ 陽極 １６ 測定対象物 １７ 検出器 １８ 反射区域 ２２ 反射区域の下端部 ２３ コリメータ ２４ 測定領域 ２６ 保持エレメント ２７ 保持エレメント ２８ 調節ユニット ２９ 器具の中央軸 ３１ 平らな部分 ３２ 開口幅
Claims (15)
- 【請求項１】 放射線源から測定対象物（１６）へＸ線
を案内するための器具であって、スリットを形成する少
なくとも２つの反射区域（１８）が備えられていること
を特徴とする器具。 - 【請求項２】 少なくとも２つの反射区域（１８）によ
って形成されたスリットが調節可能な幅を有することを
特徴とする請求項１記載の器具。 - 【請求項３】 互いに対向して備えられた２つの反射区
域（１８）が、互いに平行に配置されていることを特徴
とする請求項１ないし２のいずれか一項記載の器具。 - 【請求項４】 互いに対向して備えられた２つの反射区
域（１８）が、測定対象物（１６）に向かって先細とな
っているスリットを有することを特徴とする請求項１な
いし２のいずれか一項記載の器具。 - 【請求項５】 少なくとも１つの反射区域（１８）が固
定され、少なくとも他の１つの反射区域（１８）が距離
および／または角度に関して調節可能であることを特徴
とする前記請求項のいずれか一項記載の器具。 - 【請求項６】 少なくとも１つの反射区域（１８）が、
ビーム出口に実質的に直接配置されていることを特徴と
する前記請求項のいずれか一項記載の器具。 - 【請求項７】 少なくとも１つの反射区域（１８）が平
面状に設計されていることを特徴とする前記請求項のい
ずれか一項記載の器具。 - 【請求項８】 少なくとも１つの反射区域（１８）が、
断面積で見た場合に凹状に彎曲して設計されていること
を特徴とする請求項１ないし６のいずれか一項記載の器
具。 - 【請求項９】 反射区域（１８）が半導体材料から製作
されていることを特徴とする前記請求項のいずれか一項
記載の器具。 - 【請求項１０】 反射区域（１８）が貴金属によって少
なくとも部分的に被覆されていることを特徴とする前記
請求項のいずれか一項記載の器具。 - 【請求項１１】 Ｘ線管のビーム出口に向かって面する
端部に、少なくとも部分的に被覆がなされていることを
特徴とする請求項１０記載の器具。 - 【請求項１２】 少なくとも１つの部分的に被覆された
反射区域（１８）が測定対象物（１６）の近くにおい
て、被覆されていないかまたは全反射を防ぐ被覆を有す
る領域を有することを特徴とする請求項１０ないし１１
のいずれか一項記載の器具。 - 【請求項１３】 被覆されていない反射区域（１８）が
測定対象物（１６）の近くに、全反射を防ぐ被覆を有す
る領域を有することを特徴とする請求項１ないし１１の
いずれか一項記載の器具。 - 【請求項１４】 反射区域（１８）の少なくとも１つ
が、スリットの開口幅を調節することのできる調節ユニ
ット（２８）の上に設けられていることを特徴とする前
記請求項のいずれか一項記載の器具。 - 【請求項１５】 反射区域（１８）に割り当てられたコ
リメータ（２３）が測定対象物（１６）に向かう端部に
備えられ、コリメータのスリット幅は調節可能であるこ
とを特徴とする前記請求項のいずれか一項記載の器具。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19954520.0 | 1999-11-12 | ||
| DE19954520A DE19954520A1 (de) | 1999-11-12 | 1999-11-12 | Vorrichtung zur Führung von Röntgenstrahlen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001201599A true JP2001201599A (ja) | 2001-07-27 |
Family
ID=7928847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000344828A Pending JP2001201599A (ja) | 1999-11-12 | 2000-11-13 | Ｘ線を案内するための器具 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6438209B1 (ja) |
| EP (1) | EP1100092B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001201599A (ja) |
| CN (1) | CN1202416C (ja) |
| AT (1) | ATE333702T1 (ja) |
| DE (2) | DE19954520A1 (ja) |
| HK (1) | HK1035400A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007304063A (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Shimadzu Corp | ソーラスリット |
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| EP1193492B1 (en) * | 2000-09-27 | 2007-08-08 | Euratom | A micro beam collimator for high resolution XRD investigations with conventional diffractometers |
| JP2013528804A (ja) * | 2010-05-19 | 2013-07-11 | シルヴァー，エリック，エイチ | ハイブリッドｘ線光学機器および方法 |
| EP3115809B1 (en) * | 2015-07-06 | 2021-04-28 | Exruptive A/S | A method of security scanning of carry-on items, and a security scanning system of carry-on items |
| JP6533006B2 (ja) * | 2015-07-14 | 2019-06-19 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． | 強化されたｘ線放射を用いた撮像 |
| DE102022105838B3 (de) | 2022-03-14 | 2023-08-17 | Helmut Fischer GmbH Institut für Elektronik und Messtechnik | Justiereinheit für eine Röntgenoptik in einem Röntgenfluoreszenzgerät sowie Röntgenfluoreszenzgerät |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE3785763T2 (de) * | 1986-08-15 | 1993-10-21 | Commw Scient Ind Res Org | Instrumente zur konditionierung von röntgen- oder neutronenstrahlen. |
| US4958363A (en) * | 1986-08-15 | 1990-09-18 | Nelson Robert S | Apparatus for narrow bandwidth and multiple energy x-ray imaging |
| EP0403561B1 (en) * | 1988-03-11 | 1995-04-19 | Btg International Limited | Optical devices and methods of fabrication thereof |
| US5001737A (en) * | 1988-10-24 | 1991-03-19 | Aaron Lewis | Focusing and guiding X-rays with tapered capillaries |
| US5101422A (en) * | 1990-10-31 | 1992-03-31 | Cornell Research Foundation, Inc. | Mounting for X-ray capillary |
| JPH0727946B2 (ja) * | 1993-03-25 | 1995-03-29 | 東和科学株式会社 | 表面異物分析用ウエハ及びウエハ表面の金属不純物の評価方法 |
| EP0723272B1 (en) * | 1994-07-08 | 2001-04-25 | Muradin Abubekirovich Kumakhov | Method of guiding beams of neutral and charged particles and a device for implementing said method |
| EP0873565B1 (de) * | 1996-01-10 | 1999-10-20 | Bastian Niemann | Kondensor-monochromator-anordnung für röntgenstrahlung |
| JPH10221500A (ja) * | 1997-02-03 | 1998-08-21 | Olympus Optical Co Ltd | 軟ｘ線検査装置 |
| JP3771697B2 (ja) * | 1997-11-01 | 2006-04-26 | 株式会社堀場製作所 | 螢光ｘ線分析装置 |
-
1999
- 1999-11-12 DE DE19954520A patent/DE19954520A1/de not_active Withdrawn
-
2000
- 2000-10-27 DE DE50013184T patent/DE50013184D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-10-27 EP EP00123501A patent/EP1100092B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-10-27 AT AT00123501T patent/ATE333702T1/de not_active IP Right Cessation
- 2000-11-06 US US09/707,394 patent/US6438209B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-10 CN CN00133902.8A patent/CN1202416C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-11-13 JP JP2000344828A patent/JP2001201599A/ja active Pending
-
2001
- 2001-08-16 HK HK01105756A patent/HK1035400A1/xx not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007304063A (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Shimadzu Corp | ソーラスリット |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| ATE333702T1 (de) | 2006-08-15 |
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| CN1296178A (zh) | 2001-05-23 |
| EP1100092A2 (de) | 2001-05-16 |
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| A02 | Decision of refusal |
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