JP2002530671A - 放物状のｘ線ミラーと水晶モノクロメータを含むｘ線分析装置 - Google Patents
放物状のｘ線ミラーと水晶モノクロメータを含むｘ線分析装置Info
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Abstract
(57)【要約】
材料のＸ線分析のための装置は、Ｘ線を平行化するために放物状の多層ミラーを有利に使用する。更に、例えば、水晶モノクロメータを用いて平行化された放射線を単色化することが望ましい。本発明によると、Ｘ線のための影響装置は、Ｘ線ミラー（４６）とモノクロメータ（４８）の組み合わせを有する単一の機械的ユニットとして構成される。このユニット（６６）は、第１の位置（７４）においてＸ線がＸ線ミラー（４６）及びモノクロメータ（４８）を介して進み、又、第２の位置（７６）においてＸ線がＸ線ミラー（４６）のみを介して進むように少なくとも２つの位置（７４、７６）において分析装置の中に配置され得る。その結果、Ｘ線ミラーのみを有する、又は、Ｘ線ミラーとモノクロメータの組み合わせを有する別のユニットは要求されず、費用を実質的に節約することが実現される。
Description
【０００１】 本発明は、検査されるべき試料を受容する試料格納場所と、Ｘ線を用いて上記
試料を照射するＸ線源と、上記試料から出射されるＸ線を検出する検出器と、上
記Ｘ線源と上記検出器との間のビーム路の中に配置され、上記Ｘ線に影響を与え
、単一の機械的ユニットとして構成される影響装置と、上記Ｘ線源と上記検出器
との間の上記ビーム路の中に少なくとも上記影響装置を配置するフレームとを有
し、上記影響装置は単色化素子と二次反射面を具備するＸ線ミラーとを含み、上
記２つのＸ線光学素子のうち少なくとも一つは上記ビーム路の中に置かれるＸ線
分析装置に関する。
試料を照射するＸ線源と、上記試料から出射されるＸ線を検出する検出器と、上
記Ｘ線源と上記検出器との間のビーム路の中に配置され、上記Ｘ線に影響を与え
、単一の機械的ユニットとして構成される影響装置と、上記Ｘ線源と上記検出器
との間の上記ビーム路の中に少なくとも上記影響装置を配置するフレームとを有
し、上記影響装置は単色化素子と二次反射面を具備するＸ線ミラーとを含み、上
記２つのＸ線光学素子のうち少なくとも一つは上記ビーム路の中に置かれるＸ線
分析装置に関する。
【０００２】 この種類の装置におけるＸ線に影響を与える影響装置は、"Proceedings of th
e Fifth European Powder Diffraction Conference", Materials Science Foru
m,Vols.278-281(1998), pp.227-235,（1997年5月25-28）記載の"Ｘ-ray Optics
for Materials Research"から公知である。
e Fifth European Powder Diffraction Conference", Materials Science Foru
m,Vols.278-281(1998), pp.227-235,（1997年5月25-28）記載の"Ｘ-ray Optics
for Materials Research"から公知である。
【０００３】 引用された論文、とりわけその中の図２、図３、及びそれに関する説明は、回
折を目的としたＸ線管の焦線のような線形のＸ線源から出射したＸ線ビーム路の
中に配置されるべき影響装置を開示する。公知の装置がＸ線ビームに与える影響
は、ビームを平行化し単色化することを含む。このためには、公知の装置は、Ｘ
線のビーム路の中に配置され、２つの反射面を有するゲルマニウム・モノクロメ
ータ水晶によって後続される放物状のグレーデッド多層Ｘ線ミラーを含む。両方
のＸ線の光学素子（ミラー及びモノクロメータ）は、単一の筐体の中に収容され
、公知の影響装置は単一の機械的ユニットとして構成される。
折を目的としたＸ線管の焦線のような線形のＸ線源から出射したＸ線ビーム路の
中に配置されるべき影響装置を開示する。公知の装置がＸ線ビームに与える影響
は、ビームを平行化し単色化することを含む。このためには、公知の装置は、Ｘ
線のビーム路の中に配置され、２つの反射面を有するゲルマニウム・モノクロメ
ータ水晶によって後続される放物状のグレーデッド多層Ｘ線ミラーを含む。両方
のＸ線の光学素子（ミラー及びモノクロメータ）は、単一の筐体の中に収容され
、公知の影響装置は単一の機械的ユニットとして構成される。
【０００４】 検査されるべき材料のＸ線分析のためには、発散が非常に小さいＸ線ビームを
用いて検査されるべき試料を照射することが時として望ましい。この状況は、例
えば、薄層の分析、反射率の測定、及び、粉末回折をする場合に生じる。薄層の
分析は、集積電子回路のための材料の検査に頻繁に使用される技法である。この
ような場合、単一の測定を用いて層の厚さ、並びに、層の質量密度を決定するこ
とを目的とし、更に、水晶欠陥及び当該の層における所与の化学的な相の内容を
決定することも望ましい。全てのこのような測定を行う間、Ｘ線ビームに適切に
定められた小さい角度で（平坦な）試料表面を当てられる。薄層からの反射を測
定する間もＸ線ビームは、適切に定められた小さい角度で（平坦な）試料表面を
当てさせられ、この小さい入射角は層の中のＸ線の浸入の深さを制御するように
変化され、層における様々な量の分析は層の深さに依存する。適切に定義された
方法を用いてＸ線ビームをこのような小さい角度で当てることは、入射するＸ線
ビームの高い平行度を要する。粉末回折の場合、試料は粗い面、又は、僅かに湾
曲された面を有することもあり、平行なビームを用いた照射は、尺度が上記面の
状態に依存されないことを確実にする。更に、平行なビームを用いて照射する場
合、尺度はビームの中の試料の移動に感応でない。
用いて検査されるべき試料を照射することが時として望ましい。この状況は、例
えば、薄層の分析、反射率の測定、及び、粉末回折をする場合に生じる。薄層の
分析は、集積電子回路のための材料の検査に頻繁に使用される技法である。この
ような場合、単一の測定を用いて層の厚さ、並びに、層の質量密度を決定するこ
とを目的とし、更に、水晶欠陥及び当該の層における所与の化学的な相の内容を
決定することも望ましい。全てのこのような測定を行う間、Ｘ線ビームに適切に
定められた小さい角度で（平坦な）試料表面を当てられる。薄層からの反射を測
定する間もＸ線ビームは、適切に定められた小さい角度で（平坦な）試料表面を
当てさせられ、この小さい入射角は層の中のＸ線の浸入の深さを制御するように
変化され、層における様々な量の分析は層の深さに依存する。適切に定義された
方法を用いてＸ線ビームをこのような小さい角度で当てることは、入射するＸ線
ビームの高い平行度を要する。粉末回折の場合、試料は粗い面、又は、僅かに湾
曲された面を有することもあり、平行なビームを用いた照射は、尺度が上記面の
状態に依存されないことを確実にする。更に、平行なビームを用いて照射する場
合、尺度はビームの中の試料の移動に感応でない。
【０００５】 上記の尺度は、適用法に応じて０．０３°乃至０．０７°よりも小さい発散を
要する。非常に平行なＸ線ビームを実現する既知の方法によると、狭いＸ線焦点
（例えば、幅４０μｍを有するラインフォーカス）から出射されるＸ線ビームは
、ラインフォーカスに平行に延在する細いギャップ（例えば、４０μｍの幅を有
する）に入射される。ラインフォーカスとギャップとの距離が例えば、１００ｍ
ｍになるとき、０．０２５°の大きさのオーダのＸ線ビームの発散が実現される
。しかしながら、このように小さい発散は、放射線強度を失うかわりにＸ線の大
部分を遮断することで実現され、測定はより長い時間を要するかより大きい信号
対雑音比が許容されなくてはならない。
要する。非常に平行なＸ線ビームを実現する既知の方法によると、狭いＸ線焦点
（例えば、幅４０μｍを有するラインフォーカス）から出射されるＸ線ビームは
、ラインフォーカスに平行に延在する細いギャップ（例えば、４０μｍの幅を有
する）に入射される。ラインフォーカスとギャップとの距離が例えば、１００ｍ
ｍになるとき、０．０２５°の大きさのオーダのＸ線ビームの発散が実現される
。しかしながら、このように小さい発散は、放射線強度を失うかわりにＸ線の大
部分を遮断することで実現され、測定はより長い時間を要するかより大きい信号
対雑音比が許容されなくてはならない。
【０００６】 Ｘ線ミラーが使用されるとき、狭いラインフォーカスから出射するＸ線ビーム
は略平行なビームに変換され得、強度の損失は実質的に小さくなる。これは、こ
の場合ラインフォーカスからＸ線ミラーに入射する全ての放射線が出発するビー
ムの強度に貢献するからである。これは、ラインフォーカスに対して垂直な面（
平坦なアノード上のラインフォーカス）においてラインフォーカスが１８０°の
角度でＸ線を出射すると推測されるといった数値例に基づいて例示され得る。
は略平行なビームに変換され得、強度の損失は実質的に小さくなる。これは、こ
の場合ラインフォーカスからＸ線ミラーに入射する全ての放射線が出発するビー
ムの強度に貢献するからである。これは、ラインフォーカスに対して垂直な面（
平坦なアノード上のラインフォーカス）においてラインフォーカスが１８０°の
角度でＸ線を出射すると推測されるといった数値例に基づいて例示され得る。
【０００７】 ラインフォーカス及びギャップによって形成された組み合わせとラインフォー
カス及びＸ線ミラーを含む組み合わせを比較することで、更なる計算は前者の組
み合わせが０．０２３°の発散で出射された放射線の１．３×１０−４倍を使用
することを明らかにする。後者の組み合わせに対して、ミラーとラインフォーカ
スとの距離が１００ｍｍであると推測され、ラインフォーカスはミラーから０．
０２５°の角度で見られ、このラインフォーカスはミラーによって反射されたＸ
線ビームの発散でもある。この状況において、ミラーがラインフォーカスから１
°の角度で見られる構成を実現することが容易に可能である。この状況では、０
．０２５°の発散で出射された放射線の１°／１８０°＝５．５×１０−３倍が
使用される。従って、ミラーの出射量はＸ線ミラーの５０％の反射率を考慮する
と約２０倍高くなる。
カス及びＸ線ミラーを含む組み合わせを比較することで、更なる計算は前者の組
み合わせが０．０２３°の発散で出射された放射線の１．３×１０−４倍を使用
することを明らかにする。後者の組み合わせに対して、ミラーとラインフォーカ
スとの距離が１００ｍｍであると推測され、ラインフォーカスはミラーから０．
０２５°の角度で見られ、このラインフォーカスはミラーによって反射されたＸ
線ビームの発散でもある。この状況において、ミラーがラインフォーカスから１
°の角度で見られる構成を実現することが容易に可能である。この状況では、０
．０２５°の発散で出射された放射線の１°／１８０°＝５．５×１０−３倍が
使用される。従って、ミラーの出射量はＸ線ミラーの５０％の反射率を考慮する
と約２０倍高くなる。
【０００８】 Ｘ線分析において、非常に小さい発散を有し、単色化されたＸ線ビーム、つま
り、Ｘ線二重項（例えば、銅アノードのスペクトル線Ｋ・1及びＫ・２）の二つ
の線のうち一つの線のみが使用され、もう一つの線がビームスペクトルから除去
されなくてはならないＸ線ビームを用いて検査されるべき試料を照射することが
時々望ましい。この状況は、例えば、完全な単水晶（例えば、半導体装置におい
て使用されるような純粋なシリコン）の測定、又は、半導体装置における薄膜の
ような略完全な構造の測定、又は、Ｘ線反射のための多層構造の測定のような、
Ｘ線回折中の高分解測定の場合に生じる。
り、Ｘ線二重項（例えば、銅アノードのスペクトル線Ｋ・1及びＫ・２）の二つ
の線のうち一つの線のみが使用され、もう一つの線がビームスペクトルから除去
されなくてはならないＸ線ビームを用いて検査されるべき試料を照射することが
時々望ましい。この状況は、例えば、完全な単水晶（例えば、半導体装置におい
て使用されるような純粋なシリコン）の測定、又は、半導体装置における薄膜の
ような略完全な構造の測定、又は、Ｘ線反射のための多層構造の測定のような、
Ｘ線回折中の高分解測定の場合に生じる。
【０００９】 所望の単色化は、水晶モノクロメータによるＸ線ビームの反射によって既知の
方法で実現される。このようなモノクロメータは、約３×１０−３°の発散での
み放射線を通し得る。従ってミラーを使用することで得られる利得は次の通りで
ある。Ｘ線ミラーを使用することで１８０°の角度で出射された放射線の１°の
部分がミラーによって集光され得、この部分はラインフォーカスの使用可能な出
射量として示される。ラインフォーカスと水晶モノクロメータの組み合わせを含
む第１の位置は、ラインフォーカスとミラーの組み合わせに続いて水晶モノクロ
メータを含む第２の位置と比較され得る。第１の位置では、ラインフォーカスの
使用可能な出射量の０．３％（１°に対して０．００３°）が使用される。第２
の位置では、完全に使用可能な出射量はミラーによって集光される。Ｘ線が約５
０％の反射効率性を有し、又、ミラーの反射面が望ましい面でないため、結果的
にミラーによって集光された０．０２５°の発散を有する放射線の３５％が反射
される。ラインフォーカスの使用可能な出射量の約４．２％（３５％×１２％）
が最終的にモノクロメータを出るよう、この反射された部分のうち０．００３°
（約１２％）の発散を有する部分のみがモノクロメータによって許容される。こ
の数値例により、ミラー−モノクロメータの組み合わせの出射量は、モノクロメ
ータのみの出射量の１４倍であることが示される。
方法で実現される。このようなモノクロメータは、約３×１０−３°の発散での
み放射線を通し得る。従ってミラーを使用することで得られる利得は次の通りで
ある。Ｘ線ミラーを使用することで１８０°の角度で出射された放射線の１°の
部分がミラーによって集光され得、この部分はラインフォーカスの使用可能な出
射量として示される。ラインフォーカスと水晶モノクロメータの組み合わせを含
む第１の位置は、ラインフォーカスとミラーの組み合わせに続いて水晶モノクロ
メータを含む第２の位置と比較され得る。第１の位置では、ラインフォーカスの
使用可能な出射量の０．３％（１°に対して０．００３°）が使用される。第２
の位置では、完全に使用可能な出射量はミラーによって集光される。Ｘ線が約５
０％の反射効率性を有し、又、ミラーの反射面が望ましい面でないため、結果的
にミラーによって集光された０．０２５°の発散を有する放射線の３５％が反射
される。ラインフォーカスの使用可能な出射量の約４．２％（３５％×１２％）
が最終的にモノクロメータを出るよう、この反射された部分のうち０．００３°
（約１２％）の発散を有する部分のみがモノクロメータによって許容される。こ
の数値例により、ミラー−モノクロメータの組み合わせの出射量は、モノクロメ
ータのみの出射量の１４倍であることが示される。
【００１０】 前述した通り、適用法に応じて小さい発散を有するＸ線ビーム、又は、強い単
色化と組み合わさって小さい発散を有するＸ線ビームが望まれる。引用された論
文において説明された既知の影響装置は、強い単色化と組み合わさった後者のタ
イプのＸ線を実行することにのみ適している。小さい発散のみを有するＸ線ビー
ムが望まれるとき、Ｘ線ミラーのみを有する別のユニットが使用されなくてはな
らない。従って、両方のタイプのＸ線の測定を実施し得るべき装置のためにこれ
らの（高価な）素子が両方とも購入されなくてはならない。
色化と組み合わさって小さい発散を有するＸ線ビームが望まれる。引用された論
文において説明された既知の影響装置は、強い単色化と組み合わさった後者のタ
イプのＸ線を実行することにのみ適している。小さい発散のみを有するＸ線ビー
ムが望まれるとき、Ｘ線ミラーのみを有する別のユニットが使用されなくてはな
らない。従って、両方のタイプのＸ線の測定を実施し得るべき装置のためにこれ
らの（高価な）素子が両方とも購入されなくてはならない。
【００１１】 本発明は、両方のタイプのＸ線の測定に適するが両方の素子を別々に利用可能
にする必要がないＸ線分析装置を提供することを目的とする。この目的は、影響
装置が、Ｘ線ミラー及び単色化素子を含む第１の放射線チャンネルと、Ｘ線ミラ
ーのみを含む第２の放射線チャンネルとを含むよう構成され、単一の機械的ユニ
ットとして構成される影響装置と、装置のフレームとには夫々協動する配置手段
が設けられ、協動する配置手段は、任意に、第１の放射線チャンネルが上記ビー
ム路の中に配置される第１の位置、又は、第２の放射線チャンネルが上記ビーム
路の中に配置される第２の位置を占め得るよう構成されることを特徴とする、本
発明によるＸ線分析装置によって達成される。
にする必要がないＸ線分析装置を提供することを目的とする。この目的は、影響
装置が、Ｘ線ミラー及び単色化素子を含む第１の放射線チャンネルと、Ｘ線ミラ
ーのみを含む第２の放射線チャンネルとを含むよう構成され、単一の機械的ユニ
ットとして構成される影響装置と、装置のフレームとには夫々協動する配置手段
が設けられ、協動する配置手段は、任意に、第１の放射線チャンネルが上記ビー
ム路の中に配置される第１の位置、又は、第２の放射線チャンネルが上記ビーム
路の中に配置される第２の位置を占め得るよう構成されることを特徴とする、本
発明によるＸ線分析装置によって達成される。
【００１２】 本発明は、単色化素子と組合わせて使用するためには必要以上に幅広いＸ線ミ
ラーを構成することが可能であるといった認識に基づいている。影響装置を装置
の中の第１の位置に配置することで、Ｘ線ミラーによって反射された放射線はそ
の後単色化素子を横切りミラーは照射され得る。これは、平行な単色化された放
射線を出射する第１の放射線チャンネルを構成する。影響装置が装置の中の第２
の位置に配置されるとき、Ｘ線ミラーによって反射された放射線は直接吸収され
、即ち、単色化素子を横切ることのない方法でミラーは照射され得る。これは、
平行化された放射線のみを出射する第２の放射線チャンネルを構成する。結果と
して、両方のタイプの放射線が、影響装置を単に装置の中の異なる位置に配置さ
せることで利用可能となる。
ラーを構成することが可能であるといった認識に基づいている。影響装置を装置
の中の第１の位置に配置することで、Ｘ線ミラーによって反射された放射線はそ
の後単色化素子を横切りミラーは照射され得る。これは、平行な単色化された放
射線を出射する第１の放射線チャンネルを構成する。影響装置が装置の中の第２
の位置に配置されるとき、Ｘ線ミラーによって反射された放射線は直接吸収され
、即ち、単色化素子を横切ることのない方法でミラーは照射され得る。これは、
平行化された放射線のみを出射する第２の放射線チャンネルを構成する。結果と
して、両方のタイプの放射線が、影響装置を単に装置の中の異なる位置に配置さ
せることで利用可能となる。
【００１３】 本発明の興味深い実施例は従属項に記載される。
【００１４】 本発明は添付図面を参照して以下に詳細に説明する。
【００１５】 図１はこの場合Ｘ線回折装置である公知のＸ線分析装置の系統図を示す。この
装置において、ゴニオメータ４がフレーム２上に設けられる。このゴニオメータ
４には、それに取り付けられたＸ線源７及びそれに取り付けられた検出装置９の
角度回転を測定する角度エンコーダが設けられる。更に、ゴニオメータには、試
料１０が配置される試料ホルダ８が設けられる。角度エンコーダは、試料の角度
回転の測定が重要な場合用に試料ホルダ上に設けられてもよい。Ｘ線源７は、固
定リング２０によりホルダに固定されるＸ線管（図示せず）用のホルダ１２を含
む。このＸ線管は、高圧とフィラメント電流を高圧ケーブル１８を介してＸ線管
に印加する高電圧コネクタ１５を含む。Ｘ線管１５の同じ側に、Ｘ線管の冷却水
用の給水及び排水ダクト２２及び２４が設けられている。管ホルダ１２は、更に
、Ｘ線用出口窓４４、及び、Ｘ線ビームの平行化用のユニット１６（ソラースリ
ットユニット）を含む。ソラースリットユニット１６の板は、Ｘ線源７により発
生されたＸ線ビームが拡散ビームで試料１０を照射するよう、図の紙面に平行で
ある。検出装置９は、ソラースリットユニット用のホルダ２６、モノクロメータ
水晶用ホルダ２８、及び、検出器３０よりなる。ホルダ２８中のソラースリット
ユニットの板も図の紙面に平行である。Ｘ線源及び検出器が両方共試料の回りに
回転し得る場合、試料を回転し得るよう設ける必要はない。しかしながら、容積
の大きく重いＸ線源の場合に必要の様にＸ線源を静止状態に取り付けることは選
択的に可能である。この場合、試料ホルダ、並びに、検出器は回転し得るよう設
けられるべきである。
装置において、ゴニオメータ４がフレーム２上に設けられる。このゴニオメータ
４には、それに取り付けられたＸ線源７及びそれに取り付けられた検出装置９の
角度回転を測定する角度エンコーダが設けられる。更に、ゴニオメータには、試
料１０が配置される試料ホルダ８が設けられる。角度エンコーダは、試料の角度
回転の測定が重要な場合用に試料ホルダ上に設けられてもよい。Ｘ線源７は、固
定リング２０によりホルダに固定されるＸ線管（図示せず）用のホルダ１２を含
む。このＸ線管は、高圧とフィラメント電流を高圧ケーブル１８を介してＸ線管
に印加する高電圧コネクタ１５を含む。Ｘ線管１５の同じ側に、Ｘ線管の冷却水
用の給水及び排水ダクト２２及び２４が設けられている。管ホルダ１２は、更に
、Ｘ線用出口窓４４、及び、Ｘ線ビームの平行化用のユニット１６（ソラースリ
ットユニット）を含む。ソラースリットユニット１６の板は、Ｘ線源７により発
生されたＸ線ビームが拡散ビームで試料１０を照射するよう、図の紙面に平行で
ある。検出装置９は、ソラースリットユニット用のホルダ２６、モノクロメータ
水晶用ホルダ２８、及び、検出器３０よりなる。ホルダ２８中のソラースリット
ユニットの板も図の紙面に平行である。Ｘ線源及び検出器が両方共試料の回りに
回転し得る場合、試料を回転し得るよう設ける必要はない。しかしながら、容積
の大きく重いＸ線源の場合に必要の様にＸ線源を静止状態に取り付けることは選
択的に可能である。この場合、試料ホルダ、並びに、検出器は回転し得るよう設
けられるべきである。
【００１６】 図１に示すＸ線回折装置はまた種々の測定したデータを処理する処理装置を含
む。この処理装置は、記憶ユニット３６を有する中央処理ユニット３２と、種々
のデータ表示、及び、測定され計算された結果の表示用のモニタ３４を含む。ゴ
ニオメータ４上に設けられたＸ線源７、検出装置９、及び、試料ホルダ８は全て
、ゴニオメータの目盛に対して夫々の素子の角度位置を決定するユニット（図示
せず）を設けられている。この角度位置を表わす信号は、接続リード線３８−１
，３８−２、及び、３８−３を介して中央処理ユニット３２に送られる。
む。この処理装置は、記憶ユニット３６を有する中央処理ユニット３２と、種々
のデータ表示、及び、測定され計算された結果の表示用のモニタ３４を含む。ゴ
ニオメータ４上に設けられたＸ線源７、検出装置９、及び、試料ホルダ８は全て
、ゴニオメータの目盛に対して夫々の素子の角度位置を決定するユニット（図示
せず）を設けられている。この角度位置を表わす信号は、接続リード線３８−１
，３８−２、及び、３８−３を介して中央処理ユニット３２に送られる。
【００１７】 図１は、いわゆるブラッグ−ブレンタノ（Bragg−Brentano）配置を示し、こ
こでは、単一点から出射したＸ線は、試料の表面が原点及び焦点を通る円に対す
る正接である場合、試料１０による反射の後、一点で合焦する。試料１０は、Ｘ
線源７から出るＸ線により照射される。更には図示しないが、Ｘ線管の一部分を
なすアノード４０をこのＸ線源中に模式的に示す。アノード４０において、Ｘ線
はこのアノードを高エネルギー電子にさらすことにより従来の方法で発生される
。その結果、Ｘ線窓４４から出射するＸ線４２はアノードで発生される。図１に
示す配置における原点は、単一の点から形成されず、図の紙面に垂直なアノード
上のラインフォーカス４１で形成される。この焦点は、検出器３０の入口領域に
試料を置くビーム４５の結合点４３により形成される。結果的に、この配置は、
この図の紙面上にのみ合焦効果を有する。
こでは、単一点から出射したＸ線は、試料の表面が原点及び焦点を通る円に対す
る正接である場合、試料１０による反射の後、一点で合焦する。試料１０は、Ｘ
線源７から出るＸ線により照射される。更には図示しないが、Ｘ線管の一部分を
なすアノード４０をこのＸ線源中に模式的に示す。アノード４０において、Ｘ線
はこのアノードを高エネルギー電子にさらすことにより従来の方法で発生される
。その結果、Ｘ線窓４４から出射するＸ線４２はアノードで発生される。図１に
示す配置における原点は、単一の点から形成されず、図の紙面に垂直なアノード
上のラインフォーカス４１で形成される。この焦点は、検出器３０の入口領域に
試料を置くビーム４５の結合点４３により形成される。結果的に、この配置は、
この図の紙面上にのみ合焦効果を有する。
【００１８】 既に説明したように、幾つかの尺度は適用法に応じて０．０３°乃至０．０７
°よりも小さい発散を要する。この小さい発散は、ソラースリットユニット１６
の後に置かれ得る、例えば、４０・ｍの幅を有する小さいギャップ（図示せず）
を用いてＸ線の大部分を遮断することで図１の配置において実現できる。Ｘ線管
によって発生された放射線強度のかなりの部分は失われる。この欠点は、Ｘ線ミ
ラーとモノクロメータの組み合わせ、又は、Ｘ線ミラーのみを使用することで回
避され得る。つまり、上記４０・ｍのギャップ、及び、図１の検出装置９のホル
ダ２８の中に存在するモノクロメータ水晶は、本発明によると省略されてもよく
、Ｘ線に影響を与える幾つかの放射線チャンネルを含む影響装置によって置換さ
れてもよい。
°よりも小さい発散を要する。この小さい発散は、ソラースリットユニット１６
の後に置かれ得る、例えば、４０・ｍの幅を有する小さいギャップ（図示せず）
を用いてＸ線の大部分を遮断することで図１の配置において実現できる。Ｘ線管
によって発生された放射線強度のかなりの部分は失われる。この欠点は、Ｘ線ミ
ラーとモノクロメータの組み合わせ、又は、Ｘ線ミラーのみを使用することで回
避され得る。つまり、上記４０・ｍのギャップ、及び、図１の検出装置９のホル
ダ２８の中に存在するモノクロメータ水晶は、本発明によると省略されてもよく
、Ｘ線に影響を与える幾つかの放射線チャンネルを含む影響装置によって置換さ
れてもよい。
【００１９】 図２は、夫々Ｘ線源７と検出器９との間のビーム路の中に配置され得る影響装
置の一部を形成するＸ線ミラー４６及び単色化素子４８の寸法及び相対的な位置
を示す。Ｘ線は、アノード４０上のラインフォーカス４１から出射し、このライ
ンフォーカス４１はＸ線ミラー４６の（部分的に想像上の）放物面５０の焦線に
ついて延在する。図３ａ及び図３ｂを参照してより詳細に説明するようにミラー
４６の幅（即ち、図２における高さ）は、ラインフォーカス４１の長さよりも実
質的に長い。ラインフォーカス４１から出射される光線は、参照番号４２によっ
て示される。ラインフォーカス４１が面５０の焦線の中に配置されるため、Ｘ線
ミラー４６によって反射された後、このビームはビーム５２に変換され、ライン
フォーカス４１に対して垂直な面においてこのビームの光線は互いに略平行であ
る。反射されたビーム５２の（小さい）発散は、ミラー４６から見られるように
焦線４１の幅によって決定される。Ｘ線ミラー４６を離れた後、Ｘ線ビーム５２
は単色化素子４８に当たり、この図において、この単色化素子は一組のＸ線反射
水晶面５４及び５６を含む既知の二水晶モノクロメータによって形成される。一
組の面５４及び５６は、ゲルマニウム単水晶から切り取られたＵ型部分によって
既知の方法で形成される。反射は、Ｕ型部分のアーム部分の内側から行なわれる
。実際には発散しない（例えば、０．０２５°の発散を有し）入射するＸ線ビー
ム５２は、単色化され、２水晶面によって反射されることで更に（例えば、０．
００６°の発散を有して）パターン化されるため、影響装置を離れるＸ線ビーム
６２はパターン化された上に単色化される。
置の一部を形成するＸ線ミラー４６及び単色化素子４８の寸法及び相対的な位置
を示す。Ｘ線は、アノード４０上のラインフォーカス４１から出射し、このライ
ンフォーカス４１はＸ線ミラー４６の（部分的に想像上の）放物面５０の焦線に
ついて延在する。図３ａ及び図３ｂを参照してより詳細に説明するようにミラー
４６の幅（即ち、図２における高さ）は、ラインフォーカス４１の長さよりも実
質的に長い。ラインフォーカス４１から出射される光線は、参照番号４２によっ
て示される。ラインフォーカス４１が面５０の焦線の中に配置されるため、Ｘ線
ミラー４６によって反射された後、このビームはビーム５２に変換され、ライン
フォーカス４１に対して垂直な面においてこのビームの光線は互いに略平行であ
る。反射されたビーム５２の（小さい）発散は、ミラー４６から見られるように
焦線４１の幅によって決定される。Ｘ線ミラー４６を離れた後、Ｘ線ビーム５２
は単色化素子４８に当たり、この図において、この単色化素子は一組のＸ線反射
水晶面５４及び５６を含む既知の二水晶モノクロメータによって形成される。一
組の面５４及び５６は、ゲルマニウム単水晶から切り取られたＵ型部分によって
既知の方法で形成される。反射は、Ｕ型部分のアーム部分の内側から行なわれる
。実際には発散しない（例えば、０．０２５°の発散を有し）入射するＸ線ビー
ム５２は、単色化され、２水晶面によって反射されることで更に（例えば、０．
００６°の発散を有して）パターン化されるため、影響装置を離れるＸ線ビーム
６２はパターン化された上に単色化される。
【００２０】 図３ａ及び図３ｂは、平行化されたＸ線、又は、平行化され単色化されたＸ線
がどのようにして本発明による影響装置から任意に得られ得るかを示す図である
。これらの図は、使用された２つのＸ線光学素子の相対的な位置を示す。
がどのようにして本発明による影響装置から任意に得られ得るかを示す図である
。これらの図は、使用された２つのＸ線光学素子の相対的な位置を示す。
【００２１】 図３ａの側面図において、Ｘ線ミラー４６の放物状に湾曲された面はラインフ
ォーカス４１のように図の紙面に垂直に延在する。図３ｂの平面図において、長
方形４６は、図面上、Ｘ線ミラー４６の放物状に湾曲された面の投影を構成し、
ここでは、ラインフォーカス４１は図の紙面上に置かれる。図３ｂを参照するに
、ラインフォーカス４１の長さは、Ｘ線ミラーの幅７２の約半分である。Ｘ線ミ
ラー４６の後、Ｘ線ミラー４６の一部から出射した放射線のみを受けるように適
合されたモノクロメータ４８が配置される。これは、反射面５４及び５６の寸法
を適切に選択することで実現できる。ラインフォーカス４１に関して、Ｘ線ミラ
ー４６とモノクロメータ４８の組み合わせが図３ｂに示される位置を占めるとき
、Ｘ線ミラー４６から出射した放射線５２はモノクロメータ４８を通る。上記組
み合わせは、ラインフォーカス４１の線方向に平行な方向に移動され得、組み合
わせは図３ｂにおいて破線で示されるラインフォーカスの外観４１ａに対応する
ラインフォーカスに関する位置を占める。
ォーカス４１のように図の紙面に垂直に延在する。図３ｂの平面図において、長
方形４６は、図面上、Ｘ線ミラー４６の放物状に湾曲された面の投影を構成し、
ここでは、ラインフォーカス４１は図の紙面上に置かれる。図３ｂを参照するに
、ラインフォーカス４１の長さは、Ｘ線ミラーの幅７２の約半分である。Ｘ線ミ
ラー４６の後、Ｘ線ミラー４６の一部から出射した放射線のみを受けるように適
合されたモノクロメータ４８が配置される。これは、反射面５４及び５６の寸法
を適切に選択することで実現できる。ラインフォーカス４１に関して、Ｘ線ミラ
ー４６とモノクロメータ４８の組み合わせが図３ｂに示される位置を占めるとき
、Ｘ線ミラー４６から出射した放射線５２はモノクロメータ４８を通る。上記組
み合わせは、ラインフォーカス４１の線方向に平行な方向に移動され得、組み合
わせは図３ｂにおいて破線で示されるラインフォーカスの外観４１ａに対応する
ラインフォーカスに関する位置を占める。
【００２２】 図３ａ及び図３ｂにおけるＸ線ビームは４２は、ラインフォーカス４１又は４
１ａによって出射される。このビームは、Ｘ線ミラー４６の放物面５０によって
反射され、略平行なビーム５２としてミラーを出る。ラインフォーカスの位置４
１において、ビーム５２はモノクロメータ４８を横切り、モノクロメータをビー
ム６２として出る。ラインフォーカスの位置４１ａにおいて、ビーム５２はモノ
クロメータ４８をバイパスし、ビーム６４としてＸ線ミラー４６を直接出る。そ
の結果、組み合わせ４６及び４８をラインフォーカスの線方向に平行な方向に移
動することでＸ線ミラー４６及びモノクロメータ４８を含む第１の放射線チャン
ネルと、Ｘ線ミラー４６のみを含む第２の放射線チャンネルとの間で選択するこ
とができる。
１ａによって出射される。このビームは、Ｘ線ミラー４６の放物面５０によって
反射され、略平行なビーム５２としてミラーを出る。ラインフォーカスの位置４
１において、ビーム５２はモノクロメータ４８を横切り、モノクロメータをビー
ム６２として出る。ラインフォーカスの位置４１ａにおいて、ビーム５２はモノ
クロメータ４８をバイパスし、ビーム６４としてＸ線ミラー４６を直接出る。そ
の結果、組み合わせ４６及び４８をラインフォーカスの線方向に平行な方向に移
動することでＸ線ミラー４６及びモノクロメータ４８を含む第１の放射線チャン
ネルと、Ｘ線ミラー４６のみを含む第２の放射線チャンネルとの間で選択するこ
とができる。
【００２３】 図４は、本発明による影響装置の好ましい実施例におけるビーム路を示す図で
ある。この図は、第１の位置、即ち、Ｘ線ビームがＸ線ミラー４６並びにモノク
ロメータ４８を介して進む図の上部と、第２の位置、即ち、Ｘ線ビームがＸ線ミ
ラー４６のみを進む図の下部との２つの位置において影響装置を示す。影響装置
は、想像上の軸７２について１８０°の角度で回転されることによって、第１か
ら第２の位置へ、或いは、第２の位置から第１の位置へ切り替えられる。モノク
ロメータ４８は、この図では２水晶モノクロメータとして表わされ、つまり、こ
の図は２つの反射面のみを示す。本発明の本実施例において、２つの位置におけ
るラインフォーカス４１はＸ線ミラー４６から異なる角度で見られることに注意
すべきである。第２の位置７６において、アノード４０、従って、ラインフォー
カス４１は、Ｘ線ミラーから約８°の角度で見られることで、ラインフォーカス
の観察された幅によって決定されたビーム６４の発散は、比較的高い値を有し、
比較的高いＸ線強度を有してＸ線ミラーに達する。第１の位置７４において、ラ
インフォーカス４１はＸ線ミラーから小さい角度、例えば、４°の角度で見られ
、対応する位置において観察されたラインフォーカスの幅によって決定されたビ
ーム５２の発散はより低い値を有する。既に説明された通り、例えば、Ｘ線の二
重項（例えば、銅アノードのスペクトル線Ｋ・1及びＫ・２）の二つの線のうち
一つの線をビームスペクトルから除去することでもう一つの線を隔離させるため
、モノクロメータに要求される小さい発散を実現することに第１の位置が必要と
され得る。
ある。この図は、第１の位置、即ち、Ｘ線ビームがＸ線ミラー４６並びにモノク
ロメータ４８を介して進む図の上部と、第２の位置、即ち、Ｘ線ビームがＸ線ミ
ラー４６のみを進む図の下部との２つの位置において影響装置を示す。影響装置
は、想像上の軸７２について１８０°の角度で回転されることによって、第１か
ら第２の位置へ、或いは、第２の位置から第１の位置へ切り替えられる。モノク
ロメータ４８は、この図では２水晶モノクロメータとして表わされ、つまり、こ
の図は２つの反射面のみを示す。本発明の本実施例において、２つの位置におけ
るラインフォーカス４１はＸ線ミラー４６から異なる角度で見られることに注意
すべきである。第２の位置７６において、アノード４０、従って、ラインフォー
カス４１は、Ｘ線ミラーから約８°の角度で見られることで、ラインフォーカス
の観察された幅によって決定されたビーム６４の発散は、比較的高い値を有し、
比較的高いＸ線強度を有してＸ線ミラーに達する。第１の位置７４において、ラ
インフォーカス４１はＸ線ミラーから小さい角度、例えば、４°の角度で見られ
、対応する位置において観察されたラインフォーカスの幅によって決定されたビ
ーム５２の発散はより低い値を有する。既に説明された通り、例えば、Ｘ線の二
重項（例えば、銅アノードのスペクトル線Ｋ・1及びＫ・２）の二つの線のうち
一つの線をビームスペクトルから除去することでもう一つの線を隔離させるため
、モノクロメータに要求される小さい発散を実現することに第１の位置が必要と
され得る。
【００２４】 図５は、Ｘ線源と検出器との間のビーム路に素子を配置するために本発明によ
る配置手段を具備する影響装置の筐体の実施例を示す図である。この図は、本発
明による影響装置の筐体６６を示し、この筐体６６には、その中に収容された影
響装置に影響を与えられるべきＸ線ビームが夫々第１の放射線チャンネル及び第
２の放射線チャンネルを通るよう入口スリット６５及び６７が設けられる。影響
装置の第１の放射線チャンネルは、Ｘ線ミラー４６及び単色化素子４８を含み、
第２の放射線チャンネルはＸ線ミラー４６のみを含む。シャッタ装置７５（図示
せず）を用いて、第１の放射線チャンネルは閉じられ、第２の放射線チャンネル
は開けられることができ、又、その逆も可能である。
る配置手段を具備する影響装置の筐体の実施例を示す図である。この図は、本発
明による影響装置の筐体６６を示し、この筐体６６には、その中に収容された影
響装置に影響を与えられるべきＸ線ビームが夫々第１の放射線チャンネル及び第
２の放射線チャンネルを通るよう入口スリット６５及び６７が設けられる。影響
装置の第１の放射線チャンネルは、Ｘ線ミラー４６及び単色化素子４８を含み、
第２の放射線チャンネルはＸ線ミラー４６のみを含む。シャッタ装置７５（図示
せず）を用いて、第１の放射線チャンネルは閉じられ、第２の放射線チャンネル
は開けられることができ、又、その逆も可能である。
【００２５】 筐体６６には、Ｘ線源７と検出器３０との間のビーム路の中に筐体を所望の通
り配置する配置手段が設けられる。この図に示される筐体６６上に設けられた配
置手段の一部は、筐体６６の両側に位置する２つのＴ字型の突起物６８ａ及び６
８ｂとして形成され、夫々の突起物は、Ｘ線分析装置のフレーム２の中に設けら
れた対応するＵ字型の溝７０に嵌められる。片側に突起物６８ａ及び６８ｂを設
け、もう一方の側に溝７０を設けることで、協動する配置手段のシステムを構成
する。筐体６６は、突起物６８ｂが溝７０に嵌まる第１の位置に配置されてもよ
く、又、突起物６８ａが溝７０に嵌まる第２の位置に配置されてもよい。両方の
突起物６８ａ及び６８ｂには夫々ボア７１ａ及び７１ｂが設けられ、溝７０の長
手方向に筐体を正確に配置するために、動作中、これらのボアの位置は溝７０の
壁の中のボア７３と合致するよう形成されてもよい。Ｘ線ミラー４６及びモノク
ロメータ４８が筐体の中に適切に配置されるとき、図４に示す第１の位置７４か
ら第２の位置７６への切り替え、或いは、第２の位置７６から第１の位置７４へ
の切り替えは筐体を逆さにすることで実現される。
り配置する配置手段が設けられる。この図に示される筐体６６上に設けられた配
置手段の一部は、筐体６６の両側に位置する２つのＴ字型の突起物６８ａ及び６
８ｂとして形成され、夫々の突起物は、Ｘ線分析装置のフレーム２の中に設けら
れた対応するＵ字型の溝７０に嵌められる。片側に突起物６８ａ及び６８ｂを設
け、もう一方の側に溝７０を設けることで、協動する配置手段のシステムを構成
する。筐体６６は、突起物６８ｂが溝７０に嵌まる第１の位置に配置されてもよ
く、又、突起物６８ａが溝７０に嵌まる第２の位置に配置されてもよい。両方の
突起物６８ａ及び６８ｂには夫々ボア７１ａ及び７１ｂが設けられ、溝７０の長
手方向に筐体を正確に配置するために、動作中、これらのボアの位置は溝７０の
壁の中のボア７３と合致するよう形成されてもよい。Ｘ線ミラー４６及びモノク
ロメータ４８が筐体の中に適切に配置されるとき、図４に示す第１の位置７４か
ら第２の位置７６への切り替え、或いは、第２の位置７６から第１の位置７４へ
の切り替えは筐体を逆さにすることで実現される。
【００２６】 明らかに、２つ以上の位置が可能となるように協動する配置手段を包含するこ
とが可能である。最後に、影響装置がＸ線源と検査されるべき試料との間のビー
ム路においてのみでなく、試料と検出器との間に配置されてもよいことに注意す
べきである。
とが可能である。最後に、影響装置がＸ線源と検査されるべき試料との間のビー
ム路においてのみでなく、試料と検出器との間に配置されてもよいことに注意す
べきである。
【図１】 本発明が使用され得るＸ線分析装置を示す図である。
【図２】 Ｘ線ミラーと単色化素子とを含む組立体におけるビーム路を示す図である。
【図３】 本発明による影響装置の一部を形成するＸ線ミラー及び単色化素子の寸法及び
相対的な位置の側面図及び平面図である。
相対的な位置の側面図及び平面図である。
【図４】 本発明による影響装置の好ましい実施例におけるビーム路を示す図である。
【図５】 Ｘ線源と検出器との間のビーム路の中に素子を配置する本発明による配置手段
を具備した影響装置の筐体の実施例を示す図である。
を具備した影響装置の筐体の実施例を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 Ｇｒｏｅｎｅｗｏｕｄｓｅｗｅｇ １， 5621 ＢＡ Ｅｉｎｄｈｏｖｅｎ， Ｔｈ ｅ Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ Ｆターム(参考） 2G001 AA01 BA18 CA01 EA02 EA09 EA20 KA08 SA01 SA02 2H087 KA12 LA25 NA05 RA04 RA13 TA04 TA06
Claims (7)
- 【請求項１】 検査されるべき試料を受容する試料格納場所と、 Ｘ線を用いて上記試料を照射するＸ線源と、 上記試料から出射されるＸ線を検出する検出器と、 上記Ｘ線源と上記検出器との間のビーム路の中に配置され、上記Ｘ線に影響を
与え、単一の機械的ユニットとして構成される影響装置と、 上記Ｘ線源と上記検出器との間の上記ビーム路の中に少なくとも上記影響装置
を配置するフレームとを有し、 上記影響装置は単色化素子と二次反射面を具備するＸ線ミラーとを含み、上記
２つのＸ線光学素子のうち少なくとも一つは上記ビーム路の中に置かれるＸ線分
析装置であって、 上記影響装置は、上記Ｘ線ミラー及び上記単色化素子を含む第１の放射線チャ
ンネルと、上記Ｘ線ミラーのみを含む第２の放射線チャンネルとを含むよう構成
され、 単一の機械的ユニットとして構成される上記影響装置と、上記分析装置のフレ
ームとには夫々協動する配置手段が設けられ、上記協動する配置手段は、任意に
、上記第１の放射線チャンネルが上記ビーム路の中に配置される第１の位置、又
は、上記第２の放射線チャンネルが上記ビーム路の中に配置される第２の位置を
占め得るよう構成されることを特徴とするＸ線分析装置。 - 【請求項２】 上記Ｘ線ミラーの上記二次反射面は放物面である請求項１記
載のＸ線分析装置。 - 【請求項３】 上記放物状のＸ線ミラーは多層ミラーである請求項２記載の
Ｘ線分析装置。 - 【請求項４】 上記多層ミラーは徐々に変化する層の間隔を有する多層ミラ
ーとして構成される請求項３記載のＸ線分析装置。 - 【請求項５】 上記単色化素子は水晶モノクロメータとして構成される請求
項１乃至４のうちいずれか一項記載のＸ線分析装置。 - 【請求項６】 上記水晶モノクロメータには少なくとも２つの反射水晶面が
設けられる請求項５記載のＸ線分析装置。 - 【請求項７】 請求項１乃至６のうちいずれか一項記載のＸ線に影響を与え
る影響装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP98203982 | 1998-11-25 | ||
| EP98203982.8 | 1998-11-25 | ||
| PCT/EP1999/008939 WO2000031523A2 (en) | 1998-11-25 | 1999-11-15 | X-ray analysis apparatus including a parabolic x-ray mirror and a crystal monochromator |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002530671A true JP2002530671A (ja) | 2002-09-17 |
Family
ID=8234385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000584287A Withdrawn JP2002530671A (ja) | 1998-11-25 | 1999-11-15 | 放物状のｘ線ミラーと水晶モノクロメータを含むｘ線分析装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6359964B1 (ja) |
| EP (1) | EP1049927A2 (ja) |
| JP (1) | JP2002530671A (ja) |
| WO (1) | WO2000031523A2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2012108126A (ja) * | 2010-11-18 | 2012-06-07 | Panalytical Bv | 回折装置 |
| JP2013508683A (ja) * | 2009-10-14 | 2013-03-07 | リガク イノベイティブ テクノロジーズ インコーポレイテッド | 多重配置ｘ線光学装置 |
| JP2013213720A (ja) * | 2012-04-02 | 2013-10-17 | Rigaku Corp | Ｘ線トポグラフィ装置 |
| JP2017151082A (ja) * | 2015-12-18 | 2017-08-31 | ブルーカー アーイクスエス ゲーエムベーハーＢｒｕｋｅｒ ＡＸＳ ＧｍｂＨ | ３つのビーム経路のための切り換えシステムを備えるｘ線光学アセンブリ、及び関連するｘ線回折装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3581848B2 (ja) * | 2001-11-16 | 2004-10-27 | 株式会社リガク | Ｘ線装置用アタッチメント、試料高温装置及びｘ線装置 |
| JP3548556B2 (ja) | 2001-12-28 | 2004-07-28 | 株式会社リガク | Ｘ線回折装置 |
| JP4860418B2 (ja) * | 2006-10-10 | 2012-01-25 | 株式会社リガク | Ｘ線光学系 |
| US20150117599A1 (en) | 2013-10-31 | 2015-04-30 | Sigray, Inc. | X-ray interferometric imaging system |
| KR20130087843A (ko) * | 2012-01-30 | 2013-08-07 | 한국전자통신연구원 | 단결정 물질을 이용한 엑스선 제어 장치 |
| US10297359B2 (en) | 2013-09-19 | 2019-05-21 | Sigray, Inc. | X-ray illumination system with multiple target microstructures |
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| US10295485B2 (en) | 2013-12-05 | 2019-05-21 | Sigray, Inc. | X-ray transmission spectrometer system |
| US9449781B2 (en) | 2013-12-05 | 2016-09-20 | Sigray, Inc. | X-ray illuminators with high flux and high flux density |
| US9570265B1 (en) | 2013-12-05 | 2017-02-14 | Sigray, Inc. | X-ray fluorescence system with high flux and high flux density |
| USRE48612E1 (en) | 2013-10-31 | 2021-06-29 | Sigray, Inc. | X-ray interferometric imaging system |
| US10304580B2 (en) | 2013-10-31 | 2019-05-28 | Sigray, Inc. | Talbot X-ray microscope |
| US9594036B2 (en) | 2014-02-28 | 2017-03-14 | Sigray, Inc. | X-ray surface analysis and measurement apparatus |
| US9823203B2 (en) | 2014-02-28 | 2017-11-21 | Sigray, Inc. | X-ray surface analysis and measurement apparatus |
| US10401309B2 (en) | 2014-05-15 | 2019-09-03 | Sigray, Inc. | X-ray techniques using structured illumination |
| US10352880B2 (en) | 2015-04-29 | 2019-07-16 | Sigray, Inc. | Method and apparatus for x-ray microscopy |
| US10295486B2 (en) | 2015-08-18 | 2019-05-21 | Sigray, Inc. | Detector for X-rays with high spatial and high spectral resolution |
| US10247683B2 (en) | 2016-12-03 | 2019-04-02 | Sigray, Inc. | Material measurement techniques using multiple X-ray micro-beams |
| JP6937380B2 (ja) | 2017-03-22 | 2021-09-22 | シグレイ、インコーポレイテッド | Ｘ線分光を実施するための方法およびｘ線吸収分光システム |
| US10578566B2 (en) | 2018-04-03 | 2020-03-03 | Sigray, Inc. | X-ray emission spectrometer system |
| CN112424591B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-24 | 斯格瑞公司 | 波长色散x射线光谱仪 |
| CN112470245A (zh) | 2018-07-26 | 2021-03-09 | 斯格瑞公司 | 高亮度x射线反射源 |
| US10656105B2 (en) | 2018-08-06 | 2020-05-19 | Sigray, Inc. | Talbot-lau x-ray source and interferometric system |
| CN112638261A (zh) | 2018-09-04 | 2021-04-09 | 斯格瑞公司 | 利用滤波的x射线荧光的系统和方法 |
| US11056308B2 (en) | 2018-09-07 | 2021-07-06 | Sigray, Inc. | System and method for depth-selectable x-ray analysis |
| US11217357B2 (en) | 2020-02-10 | 2022-01-04 | Sigray, Inc. | X-ray mirror optics with multiple hyperboloidal/hyperbolic surface profiles |
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1999
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