CN1985206A - 具有中间图像的反射折射投影物镜 - Google Patents
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Abstract
一种反射折射投影物镜,用于将布置在投影物镜的物面上的图案成像在投影物镜的像面上,具有用于物场的成像以形成第一真实的中间图像的第一物镜部分,利用来自第一物镜部分的辐射产生第二真实的中间图像的第二物镜部分;以及将第二真实的中间图像成像在像面上的第三物镜部分。第二物镜部分是具有凹面镜的反射折射物镜部分。提供沿凹面镜的方向偏转来自物面的辐射的第一折叠式反射镜和沿像面的方向偏转来自凹面镜的辐射的第二折叠式反射镜。在接近于第一中间图像的场的区域中,具有正折射本能的场透镜布置在第一中间图像和/或第一折叠式反射镜和凹面镜之间。
Description
下述公开基于2004年5月17日提交的US临时申请号60/571,533,其在此引入作为参考。
技术领域
本发明涉及一种反射折射投影物镜,其用于将布置在投影物镜的物面上的图案成像在投影物镜的像面上。
背景技术
例如这种的投影物镜用于微光刻投影曝光系统中,以制造半导体元件和其它精细结构的元件。它们用于将光掩模或分划板的图案用非常高的分辨率和以缩小比例投影到涂敷有光敏层的物体上,其中上述光掩模或分划板在下文中以概括形式称为掩模或分划板。
在该情况下,为了产生更精细的结构,有必要一方面扩大投影物镜的像侧的数值孔径(NA),另一方面使用更短的波长,优选波长小于约260nm,例如248nm,193nm或157nm的紫外光。
在过去,纯粹的折射投影物镜已经主要用于光刻。这些通过仅具有未折叠的单光轴的机械上相对简单的中心设计来区别。此外,有可能使用关于光轴为中心的物场,其最小化将要校正的光透射水平并简化物镜的调节。
然而,折射设计形式的主要特征在于两个基本的成像错误:色差校正和对于Petzval sum(珀兹伐和)(像场曲率)的校正。
具有至少一个反射折射物镜部分和中空反射镜或凹面镜的反射折射设计用于简化Petzval条件的校正并用于提供色差校正的能力。在该情况下,Petzval校正通过凹面镜和其附近的负透镜的曲率实现,而色差校正通过凹面镜上游的负透镜的折射本能(对于CHL)以及关于凹面镜的光阑位置(CHV)来实现。
然而,具有光束分离的反射折射设计的一个缺点在于有必要利用离轴物场工作,即利用增加的光导值(light conductance value)(在利用几何光束分离的系统中),或利用物理的分束器元件,其通常引起偏振问题。此处使用的术语“光导值”涉及拉格朗日光学不变量或Etendue,其在此处限定为像场直径和像侧数值孔径的乘积。
在离轴反射折射系统的情况下,即在利用几何光束分离的系统的情况下,光学设计的要求可以阐述为:(1)将光透射水平减小到最大程度,(2)设计折叠(光束偏转)的几何结构以便安装技术可以为此目被研发,以及(3)提供有效的校正,特别是共同地校正反射折射反射镜组中的珀兹伐和与色差的能力。
为了保持几何光导值(Etendue)低,设计的折叠原理上应当在低NA的区域中发生,即例如接近于物体,或在真实的中间图像附近。
然而,随着数值孔径增加,物侧数值孔径也增加,从而第一折叠式反射镜和分划板之间的距离增加,以至于光透射水平增加。此外,中空反射镜的直径和折叠式反射镜的尺寸增加。这可以导致物理的安装空间问题。
这些可以通过首先通过第一中继系统将分划板成像到中间图像上,然后通过在中间图像的区域中实现第一折叠来克服。例如这样的反射折射系统在EP 1191378 A1中公开。这具有折射中继系统,后面为具有凹面镜的反射折射物镜部分。光从物面落到位于第一中间图像附近的折叠式反射镜(偏转反射镜),从该处到凹面镜以及从凹面镜到折射物镜部分上,第二真实的中间图像产生在第二偏转反射镜附近,以及折射物镜部分将第二中间图像成像在像面(晶片)上。依次具有折射(R)、反射折射(C)和折射(R)成像子系统的级联系统在下面表示为“R-C-R”型系统。
具有类似折叠几何结构的R-C-R型系统在WO 2004/019128 A,WO03/036361 A1和US 2002/019946 A1中公开。专利申请US2004/0233405 A1公开了R-C-R型投影物镜,具有包括物镜的不同折叠几何结构,其中第一折叠式反射镜光学地布置在凹面镜的下游以将来自凹面镜的辐射向像面偏转。
具有两个真实的中间图像的其它反射折射系统在JP 2002-372668和US 5636066中公开。WO 02/082159 A1和WO 01/04682公开了具有大于1个中间图像的其它反射折射系统。
发明内容
本发明的一个目的是提供允许实现非常高分辨率的反射折射投影物镜,具有最佳化尺寸的紧凑设计。另一目的是在良好的制造条件下允许珀兹伐和以及色差的校正。
作为这些和其它目的的解决方案,根据一个表述,本发明提供一种反射折射投影物镜,用于将布置在投影物镜的物面上的图案成像在投影物镜的像面上,具有:用于物场的成像以形成第一真实的中间图像的第一物镜部分;利用来自第一物镜部分的辐射产生第二真实的中间图像的第二物镜部分;以及将第二真实的中间图像成像在像面上的第三物镜部分;其中第二物镜部分是具有凹面镜的反射折射物镜部分;提供沿凹面镜的方向偏转来自物面的辐射的第一折叠式反射镜和沿像面的方向偏转来自凹面镜的辐射的第二折叠式反射镜;和在接近于第一中间图像的场的区域中,具有正折射本能的场透镜布置在第一中间图像和凹面镜之间。
根据另一表述,在接近于第一中间图像的场的区域中,具有正折射本能的场透镜几何布置在第一折叠式反射镜和凹面镜之间。如果第一中间图像在光学上游产生,即沿光传播方向在场透镜之前产生,那么上述位置光学上在第一中间图像和凹面镜之间。第一中间图像也可以定位在光学下游,即在场透镜之后,或可以部分延伸到场透镜中。
需要数值孔径的扩大以便实现非常高的分辨率,但该扩大在常规系统中经常导致光学元件的直径的主要增加,该元件定位在优选光阑位置的区域中。本发明阻碍了该作用。
表述“场透镜”描述了一种单独的透镜或具有至少两个单独透镜的透镜组。表述考虑了事实:透镜的功能也可以通过两个或多个透镜(透镜的分离)基本实现。该场透镜的折射本能布置得接近于场,即在场平面的光学附近。接近于场平面的场的该区域特别通过与边缘光线高度相比,成像的主光线高度大来区分。在该情况下,边缘光线高度是从最接近于光轴的物场的最内部点引导到孔径光阑的边缘的边缘光线的光线高度,而主光线(主射线)平行于光轴或与光轴成锐角从物场的最外部的场点引导并在系统光阑的区域中即在适合于孔径光阑的安装的光阑位置处与光轴相交。从而边缘光线高度和主光线高度之间的比例小于接近于场的区域中的1(unity)。
表述“中间图像”描述了近轴中间图像和边缘光线中间图像之间的区域。取决于中间图像的校正状态,该区域可以延伸到某个轴向范围,在该情况下,例如,近轴中间图像可以定位在边缘光线中间图像的射束路径上游或下游,这取决于球面像差(校正不够或过校正)。近轴中间图像和边缘光线中间图像也可以基本上是一致的。对于本申请的目的,当至少一部分光学元件A定位在(通常轴向延伸)中间图像和光学元件B之间时,光学元件A例如场透镜定位在中间图像和另一光学元件B“之间”。中间图像从而也可以部分延伸超过光学表面,其例如对于校正目的是有利的。中间图像经常完全定位在光学元件的外部。由于中间图像区域中的辐射能量密度特别高,因此这例如关于光学元件上的辐射负载可以是有利的。
上游中间图像和凹面镜之间的发散射束路径中的正折射本能有助于射束路径中的下游透镜和凹面镜具有小直径的能力。这特别应用于至少一个负透镜,其在优选实施例中提供在凹面镜上游的紧接附近,并且其与凹面镜结合,对纵向色差CHL的校正起主要贡献。如果纵向色差以一些其它方式进行校正,则不需要该负透镜。
凹面镜上游的场平面和凹面镜之间的正折射本能的插入在其自己的右边导致对像场曲率的贡献,该曲率与正折射本能的强度成比例。为了至少部分补偿该作用,与不存在正折射本能的情况相比,凹面镜应当具有较大的曲率。另一方面,为了保持由凹面镜上的反射引起的像差尽可能小,对于辐射反射镜尽可能小是有利的,对于入射到凹面镜的辐射使其基本上以直角入射是有利的。当正折射本能从中间图像下游插入时,这导致凹面镜的直接上游的负折射本能的增加,以便确保由于散射效应引起的大的垂直辐射入射。通过减小该区域中透镜直径的尺寸,凹面镜上游的负折射本能的增加可以至少部分补偿CHL校正的减小,以便好的CHL相关性甚至在具有相对小的反射镜直径时也可以确保。
在优选实施例中,第一中间图像定位在折叠式反射镜附近,这使得保持系统的Etendue小成为可能。场透镜通常可以安装得非常接近于中间图像,而不会受到折叠式反射镜不利的影响,从而允许成像错误的有效校正。特别是,物镜部分可以适当地设计以便确保至少接近于场透镜的中间图像受到严重的像差。这特别允许成像误差的有效校正。校正的有效性可以通过设计至少面向中间图像的场透镜的透镜表面作为非球面表面来得到帮助。
在一个实施例中,在光束通过两次的区域中,场透镜以如下的方式几何布置在凹面镜和至少一个折叠式反射镜之间:场透镜的第一透镜区域布置在物面和凹面镜之间的射束路径中,以及场透镜的第二透镜区域布置在凹面镜和像面之间的射束路径中。
场透镜可以布置成它不仅布置在位于凹面镜上游的射束路径中的中间像面的光学附近,而且位于凹面镜下游的射束路径中的中间像面的光学附近。这导致接近于关于两个连续的场平面的场的布置,从而有效的校正作用可以在射束路径中的两个点处实现。
至少一个多区域透镜可以布置在光束通过两次的投影物镜区域中,并具有光束沿第一方向通过的第一透镜区域,以及光束沿第二方向通过的第二透镜区域,第一透镜区域和第二透镜区域在透镜的至少一侧上彼此不重叠。该多区域透镜可以用作场透镜。如果射束路径的轨迹不在两个透镜表面的至少之一上重叠,则例如这样的多区域透镜允许彼此独立作用的两个透镜几何移动到公共点。也可能将彼此独立作用的两个透镜物理制造为一个透镜,特别从一个透镜坯制造为整体的多区域透镜。例如这样的多区域透镜,通过光束通过两次该透镜,可以清楚地与常规透镜所区别,因为在该类型的多区域透镜的情况下,可以由彼此独立的适当地独立整形透镜区域的折射表面影响彼此独立通过该透镜的光束的光学作用。可替换地,具有一个或两个半透镜或透镜元件的透镜布置也可以布置在整体多区域透镜的位置处,以便当光束彼此通过时彼此独立地影响光束。
具有几何光束分离、中间图像和多区域透镜的投影物镜已经例如从相同申请人的WO 03/052462 A1中公开。该专利申请的公开内容包括在本说明书的内容中并作为参考。
投影物镜优选具有NA>0.85的像侧数值孔径,以及A≤10mm的像侧工作距离。如果需要,例如这样的投影物镜可以使用,或具有NA>1的浸入式光刻。图像区域中的像侧工作距离或工作距离是物镜的出射表面和像面之间的(最短的)轴向距离。在干燥系统中的操作期间填充有气体的图像区域中的这个工作距离在浸入系统中的操作期间填充有浸入介质,浸入介质具有与气体相比相对高的折射率。
对于像侧工作距离不下降到最小值以下通常是有利的。在该情况下,应当注意,如果工作距离太短,则在最后一个光学元件上或其中的划痕、污物和不均匀性可以导致图像的干扰。例如1mm或更大的有限工作距离,相反可以导致具有高像侧数值孔径的相对大的子孔径(一个特定的场点的轨迹),以便平均作用可以产生以及任何图像干扰减小或被抑制。
对于浸入式系统中图像区域中的工作距离的确定必须考虑特别的标准。一方面,长的工作距离不仅由于浸入液体通常较低的透射(与气体相比)而导致更大的辐射损耗,而且导致位于像面附近的表面的更大量的像差,特别是球面像差。另一方面,像侧工作距离应当充分的大以允许浸入液体的层流。也可以有必要提供用于测量目的和传感器的空间。在优选实施例中,像侧工作距离在约1mm和约8mm之间,特别是在约1.5mm和约5mm之间。当利用在出射表面和像面之间的浸入液体时,优选实施例具有NA≥0.98的像侧数值孔径,像侧数值孔径优选至少NA=1.0,或至少NA=1.1。投影物镜优选与浸入介质匹配,浸入介质在操作波长处具有n1>1.3的折射率。
n1≈1.43的非常纯的水适合作为193nm的操作波长的浸入介质。M.Switkes和M.Rothschild的文章“Immersion Lithography at157nm”,J.Vac.Sci.Technol.B 19(6),Nov/Dec.2001,第1页及以下提出了基于全氟聚醚(PFPE)的浸入液体,其对于157nm的操作波长是充分透明的,并且与许多目前用于微光刻中的光刻胶材料可兼容。一种测试的浸入液体在157nm处具有n1=1.37的折射率。
光学设计也允许对于非接触近场投影光刻的使用。在该情况下,就时间上平均而言,只要保持足够短的像侧工作距离,充分的光能量可以经由填充有气体的间隙注入到将被曝光的基底中。这应当小于使用的操作波长的四倍,特别是小于操作波长。对于工作距离小于操作波长的一半特别有利,例如小于操作波长的三分之一,四分之一或五分之一。这些短的工作距离允许光学近场中的成像,其中存在于成像系统的最后光学表面的紧接附近的渐逝场用于成像。
本发明从而也覆盖非接触投影曝光方法,其中位于出射表面的紧接附近的曝光的渐逝场可以用于光刻处理。在该情况下,如果工作距离充分短(有限),可以用于光刻的光成分可以从物镜的出射表面出射,并且可以注入到以一段距离直接相邻的进入表面中,不管投影物镜的最后光学表面上的几何全内反射状态。
非接触近场投影光刻的实施例优选使用操作波长区域或更小的区域中的典型工作距离,例如在约3nm和约200nm之间,特别是在约5nm和约100nm之间。工作距离应当匹配投影系统的其它特性(接近于出射表面的投影物镜的特性,接近于进入表面的基底的特性)以便实现至少10%的输入效率,就时间上平均而言。
制造半导体元件等的方法从而在本发明的范围内是可能的,其中有限的工作距离设置在与投影物镜相关的曝光的出射表面和与基底相关的曝光的进入表面之间,曝光时间间隔中的工作距离至少有时设置到小于从出射表面出射的光的光学近场的最大范围的值。
如果需要,用作干物镜也是可能的,仅需要较小的修改。干物镜设计成在投影物镜的出射表面和将被曝光的物体例如晶片的进入表面之间在操作期间产生填充有气体的间隙,该间隙宽度一般显著地大于操作波长。由于总的内反射状态发生在近似值NA=1的出射表面上,防止任何曝光从出射表面出射,因此具有例如这种的系统的可实现的数值孔径被限制到值NA<1。在干系统的优选实施例中,像侧数值孔径是NA≥0.85或NA≥0.9。
像面的直接上游的第三物镜部分优选设计成是纯折射的,并且可以最优化以便产生高的像侧数值孔径(NA)。它优选具有跟随第二中间图像并具有正折射本能的第一透镜组;直接跟随第一透镜组并具有负折射本能的第二透镜组;直接跟随第二透镜组并具有正折射本能的第三透镜组;直接跟随第三透镜组并具有正折射本能的第四透镜组;以及光瞳表面,其布置在从第三透镜组至第四透镜组的过渡区域中并且在其附近可以布置系统光阑。第三透镜组优选具有进入表面,进入表面位于第二透镜组和第三透镜组之间的边缘光线高度的拐点附近,没有具有任何基本折射本能的负透镜布置在该进入表面和系统光阑之间。优选在该进入表面和像面之间仅存在正透镜。这允许材料节约设计,具有适度的透镜直径。
像面的直接上游的投影物镜中的最后光学元件优选是平凸透镜,具有高球形或非球形弯曲进入表面以及基本上是平面的出射表面。这可以是采用实际上半球形或不是半球形的平凸透镜的形式。最后的光学元件,特别是平凸透镜也可以由氟化钙构成,以便避免由辐射诱发的密度改变(特别是紧密状态)引起的问题。
第一物镜部分可以用作中继系统以便由来自物面的辐射产生在适当的位置处具有预定校正状态的第一中间图像。第一物镜部分通常是纯折射的。在一些实施例中,至少一个折叠式反射镜提供在该第一物镜部分中,该第一物镜部分使物面成像以形成第一中间图像,以便光轴在最接近于物体的物镜部分中至少折叠一次,以及优选不大于一次。
在一些实施例中,第一物镜部分是具有凹面镜和相关的折叠式反射镜的反射折射物镜部分,该折叠式反射镜可以用作整个投影物镜的第一折叠式反射镜。
至少两个反射折射子系统的提供具有主要的优点。为了识别仅具有一个反射折射子系统的系统的显著缺点,有必要考虑珀兹伐和以及色差是怎样在反射折射部分中被校正的。透镜对于纵向色差CHL的作用与边缘光线高度h的平方、透镜的折射本能、以及材料的色散υ成比例。另一方面,表面对于珀兹伐和的作用仅取决于表面曲率和折射率的突变(其在空气中的反射镜的情况下为-2)。
为了使射折射组对于色差校正的作用变大,从而需要大的边缘光线高度(即大的直径),以及需要大的曲率以便使Petzval校正的作用变大(即小的半径,这利用小的直径最好实现)。这两个需要是对立的。
基于珀兹伐校正(即像场曲率的校正)和色差校正的对立需要可以通过将(至少)一个另外的反射折射部分引入到系统中来解决。由于第一反射折射物镜部分可以设计成在很大程度上校正或完全校正像场曲率和纵向色差都,因此第一中间图像可以具有关于这些像差的限定的校正状态,以便随后的物镜部分可以具有有利的设计。
在一个实施例中,第一物镜部分是具有物理分束器的反射折射物镜部分,该分束器具有偏振选择分束器表面,其用作折叠式反射镜并且同时将由该凹面镜反射的辐射与通向第一物镜部分的凹面镜的辐射分开。
在一些实施例中,提供设计为活动反射镜的凹面镜,以便凹面镜表面的形状可以通过适当的驱动而改变。这可以用于补偿多种成像误差。
根据本发明的投影物镜的一些实施例在至少一个点处具有相交的射束路径。为此,它们被设计成可以产生从物面行进至凹面镜的第一光束部分和从凹面镜进行至像面的第二光束部分,以及一个折叠式反射镜相对于凹面镜布置成光束部分之一在折叠式反射镜上折叠,其它光束部分通过折叠式反射镜而没有任何渐晕,第一光束部分和第二光束部分在相交区域中交叉。
反射折射物镜部分的区域中的相交光束允许投影物镜具有光学元件的紧凑和机械上坚固的布置。在该情况下,可以实现没有任何渐晕的射束路径,以便没有折叠式反射镜与一个光束相交,该光束在折叠式反射镜上反射或在没有反射的情况下通过折叠式反射镜。以该方式,仅系统光阑以轴向对称方式限制有助于成像的光线的角度分布。同时,甚至具有与大的最大光束直径相关并且可能地与场平面区域中的高会聚或发散光束相关的最大的数值孔径,有可能实现对于将被校正的总的场的适度尺寸。在该情况下,表述“总的场”描述了由环绕通常矩形场的最小圆封闭的场区域。将被校正的总的场的尺寸随着场的尺寸和轴向不对称场关于光轴的横向偏移而增加,并且该总的场的尺寸应当最小化以便简化校正过程。
具有相交射束路径的反射折射投影物镜例如在相同申请人的下述文献中公开:于2003年10月17日提交的序列号60/511,673的US临时申请,或于2003年12月27日提交的序列号10/734,623的US专利申请,或于2003年12月19日提交的序列号60/530,622的US临时申请。通过引用在本说明书的内容中包括了这些专利申请的公开内容。
在优选实施例中,布置在投影物镜的物面中的离轴有效物场被成像到布置在投影物镜的像面中的离轴有效像场上。这里,术语“有效物场”涉及可以以给定数值孔径由投影物镜有效成像而没有渐晕的物场。有效物场和由第一物镜部分限定的光轴的第一部分之间的横向偏移量的特征在于有限的物体中心高度h。同样,在投影物镜的像侧上,有效像场相对于光轴的像侧部分横向偏移h’按照h’=|β·h|与物体中心高度h乘以投影物镜的放大率β有关。在具有折射第一物镜部分、反射折射第二物镜部分和折射第三物镜部分的一些常规投影物镜(也表示为R-C-R型)中,已经努力对准由物侧折射物镜部分和像侧折射物镜部分所限定的光轴的部分,以便没有横向轴偏移存在于光轴的这些部分之间。然而,在这些条件下,在物场中心和像差中心之间所限定的物像移动(OIS)的有限值产生。在投影物镜的物面和像面彼此平行的情况下,物像移动可以限定为平行于通过有效物场中心的物侧光轴行进的物场中心轴和平行于通过有效像场中心的光轴的像侧部分行进的像场中心轴之间的横向偏移。已经发现,例如,如果投影物镜将包含在设计用于扫描操作的投影曝光系统中,则希望物像移动的较小的值。同样,如果得到小量的物像移动,则用于投影物镜合格性的测量技术可以相对于常规测量技术得到简化。因此,在优选实施例中,保持下述条件:
0≤OIS≤|h·(1+|β|)
在服从该条件的实施例中,物像移动OIS小于设计的物像移动,其中光轴的物侧部分和光轴的像侧部分共轴。在优选实施例中,没有物像移动存在以便实现条件OIS=0。
这些条件在本发明的实施例中可以是有用的,该实施例在第一中间图像的光学附近具有布置在第一中间图像和凹面镜之间的有正折射本能的场透镜。然而,对于OIS的较小的值也可以对于该类型的不具有场透镜的常规设计是有用的,例如在WO 2004/019128A中示出。
本发明的另一方面能够设计对于非常高的像侧数值孔径NA>1.2或NA>1.3具有潜力的投影物镜,而同时总的轨迹长度(物面和像面之间的轴向距离)可以限制到允许投影物镜包含在常规投影曝光系统中的值以及同时允许限制折叠式反射镜的上游和/或下游的折射物镜部分中透镜的最大尺寸(直径)。为此,在优选实施例中,场透镜的折射本能和位置被设置成对于在第一中间图像处的第一主光线方向余弦CRA1,保持下述条件:
|CR41|<|β1*(YOB)/(LHOA)|
其中β1表示第一物镜部分的放大率,YOB是考虑主光线的最外部场点的物体高度,以及LHOA是从第一中间图像至凹面镜的几何距离(水平轴的长度)。换句话说,希望主光线在中间图像处是远心或几乎远心的。服从上述给定条件的主光线将在下面表示为“基本远心主光线”。在接近于该中间图像的折叠式反射镜处提供基本远心主光线允许限制折叠式反射镜的直接上游和/或下游的透镜的尺寸。此外,已经发现,得到了在负责提供高像侧数值孔径的第三物镜部分中的安装空间。
此外,在一些实施例中,已经发现如果第一物镜部分的第一轴向长度AL1小于第三物镜部分的第三轴向长度AL3,则对于得到非常高的像侧数值孔径是有利的,其中轴向长度AL1在物面和光轴与第一折叠式反射镜的交点之间测量,轴向长度AL3在光轴与第二折叠式反射镜的交点和像面之间测量。在优选实施例中,保持条件AL1/AL3<0.9,更优选保持AL1/AL3<0.8。
根据本发明的系统可以优选用于深UV波段,例如在248nm,193nm或157nm,或更小处。
这些特征和其它的特征不仅从权利要求而且从说明书和附图中是显而易见的,在该情况下,单独的特征可以以其本身实现或以本发明的实施例的子组合的方式实现,并且在其它领域中,可以表示有利的实施例,以及其本身值得保护的实施例。
附图说明
图1示出了根据本发明的反射折射投影物镜的一个实施例用于浸入式光刻的投影曝光系统的示意说明;
图2示出了根据本发明的投影物镜的优选实施例设计的示意说明,该投影物镜具有折射第一物镜部分,反射折射第二物镜部分,和折射第三物镜部分;
图3示出了通过根据本发明的投影物镜的第一实施例的透镜部分;
图4示出了通过根据本发明的投影物镜的第二实施例的透镜部分;
图5示出了根据本发明的投影物镜的一个实施例设计的示意说明,该投影物镜具有不同的折叠几何结构和相交叉的射束路径;
图6示出了根据本发明的投影物镜的一个实施例的示意说明,该投影物镜具有反射折射第一物镜部分,反射折射第二物镜部分,和折射第三物镜部分;
图7示出了具有物理分束器的反射折射第一物镜部分的一个实施例的透镜部分,其可以用于图6所示的设计;
图8示出了用于根据本发明的投影物镜的折叠式反射镜的多种反射镜布置;
图9示出了具有同轴第一和第三物镜部分的实施例的透镜部分;
图10示出了具有同轴第一和第三物镜部分的另一实施例的透镜部分;
图11示出了通过具有横向偏移第一和第三物镜部分以便不存在物像移动(OIS)的实施例的透镜部分,其中图11’说明了此状态;
图12示出了通过不具有场透镜的参考系统的透镜部分;
图13示出了通过在折叠式反射镜处具有基本远心主光线的实施例的透镜部分;
图14示出了说明在常规系统(a)中主光线轨迹和根据在折叠式反射镜处具有基本远心主光线的实施例(b)的示意图;
图15示出了通过在折叠式反射镜处具有基本远心主光线和具有几何接近于折叠式反射镜的场透镜的另一实施例的透镜部分,其中场透镜光学地定位于第一物镜部分和第三物镜部分中;
图16示出了具有场透镜的实施例的透镜部分,该场透镜进一步远离光学上在反射折射第二物镜部分中的折叠式反射镜并具有NA=1.30;以及
图17示出了具有NA=1.35的图16的投影物镜的变形。
具体实施方式
在优选实施例的下面描述中,表述“光轴”意味着通过光学元件的曲率中心的直线或一序列的直线部分。光轴在折叠式反射镜(偏转反射镜)或其它反射表面上折叠。当方向和距离在像面的方向或位于该处并将被曝光的基底的方向被引导时,方向和距离描述为在“像侧”,以及当方向和距离相对于光轴朝向物面或朝向位于该处的分划板引导时,方向和距离描述为在“物侧”。例子中的物体是具有集成电路的图案的掩模(分划板),尽管它也可以是不同的图案,例如光栅。例子中的图像被投影到晶片上,该晶片设有光刻胶层并用作基底。其它基底,例如用于液晶显示器的元件或用于光学光栅的基底也是可能的。
图1示意性示出了以晶片步进器1的形式的微光刻投影曝光系统,其打算用于通过浸入式光刻制造大规模的集成半导体元件。投影曝光系统1具有准分子激光器2作为光源,操作波长为193nm,尽管其它操作波长例如157nm或248nm也是可能的。下游照明系统3产生大的、急剧收缩、高度均匀照明的照明场,其与出射面4上的下游投影物镜5的远心需要匹配。照明系统3具有选择照明模式的装置,并且在该例子中,可以在具有可变相干性程度的常规照明,环场照明和偶极或四极照明之间切换。
用于保持和操纵掩模6的装置40(分划板台)以它定位在投影物镜5的物面4上的方式布置在照明系统后,并且可以在该面上沿离开方向7(y方向)移动用于扫描目的。
也称为掩模面的面4后面跟随反射折射减小物镜5,其将掩模的图像以4∶1的缩小比例成像在涂敷有光刻胶层的晶片10上。其它缩小比例,例如5∶1,10∶1或100∶1或更大同样是可能的。用作光敏基底的晶片10布置成平面基底表面11与光刻胶层一起与投影物镜5的像面12基本一致。晶片由包括扫描仪驱动的装置50(晶片台)保持,以便与掩模6同步移动晶片并使其平行。装置50也具有操纵器,以便沿平行于投影物镜的光轴13的z方向以及沿与该轴成直角的x和y方向移动晶片。倾斜装置被集成,并且具有至少一个与光轴13成直角的倾斜轴。
将用于保持晶片10提供的装置50设计用于浸入式光刻。它具有保持装置15,其可以通过扫描仪驱动器移动并且其基座具有平坦的凹陷或凹口,用于保持晶片10。在顶部具有开口,用于液体浸入介质20的平坦不透液保持器由圆周边缘16形成,浸入介质20可以引入到保持器中,并且可以通过未示出的装置离开它。边缘的高度设计成填充的浸入介质完全覆盖晶片10的表面11,投影物镜5的出射侧端部区域可以浸入在物镜出口和晶片表面的浸入液体中,同时工作距离被正确地设定。整个系统通过中央计算机单元60进行控制。
图2示意性说明了根据本发明的投影物镜的一个优选实施例。投影物镜200用于将掩模的图案(其布置在其物面201上)以缩小的比例成像在其像面202上,像面以缩小的比例平行于物面排列。它具有:使物场成像的第一折射物镜部分210,以形成第一真实的中间图像211;第二反射折射物镜部分220,其成像第一中间图像以形成第二真实的中间图像221;第三折射物镜部分230,其以缩小的比例将第二中间图像成像在像面202上。反射折射物镜部分220具有凹面镜225。第一折叠式反射镜213以与光轴204成45°的角度布置在第一中间图像附近,以便它沿凹面镜225的方向反射来自物面的辐射。第二折叠式反射镜223,其平面反射镜表面与第一折叠式反射镜的平面反射镜表面成直角对准,沿像面202的方向反射来自凹面镜225的辐射。
折叠式反射镜213,223每个定位在中间图像的光学附近,以便光导值可以保持低。为近轴中间图像和边缘光线中间图像之间的整个区域的中间图像优选不定位在反射镜表面上,从而导致中间图像和反射镜表面之间的有限最小距离,因此反射镜表面中的任何缺陷例如划痕或杂质不能清晰地成像在像面上。最小距离应当设置成辐射的子孔径,即源于特定的场点或在其上会聚的光束的轨迹在反射镜表面上不具有小于5mm或10mm的直径。其中第一中间图像211,也就是第二中间图像221也定位在折叠式反射镜和凹面镜225(实线箭头)之间的几何空间中的实施例存在。该侧臂也称为水平臂(HOA)。在其它实施例中,第一中间图像211’可以定位在第一折叠式反射镜213的上游的射束路径中,第二中间图像221’可以定位在第二折叠式反射镜的下游的射束路径中(由虚线表示的箭头)。
在本示例性实施例中的折叠角度精确地是90°。这对于折叠式反射镜的反射镜层的性能是有利的。偏转大于或小于90°也是可能的,从而导致倾斜定位的水平臂。
所有的物镜部分210,220,230具有正折射本能。在示意说明中,具有正折射本能的多个透镜或透镜组通过具有向外指向的点的双头箭头表示,而相反具有负折射本能的多个透镜或透镜组通过具有向内指向的头的双头箭头表示。
第一物镜部分210包括具有正折射本能的两个透镜组215,216,在它们之间可能的光阑位置存在于通过实线示出的主光线203与通过带点虚线示出的光轴204相交的位置。光轴在第一折叠式反射镜213处通过90°折叠。第一中间图像211在第一折叠式反射镜213的直接下游的射束路径中产生。
第一中间图像211充当随后的反射折射物镜部分220的物体。这具有接近于场的正透镜组226,接近于光阑的负透镜组227,和布置在其直接下游并成像第一中间图像以形成第二中间图像221的凹面镜225。具有总的正作用的透镜组226用作“场透镜”并通过单个正透镜形成,然而,其作用也可以通过具有总的正折射本能的两个或多个单独透镜来产生。负透镜组227包括具有负作用的一个或多个透镜。
第二中间图像221,其直接光学定位在第二折叠式反射镜223之前,通过第三折射物镜部分230成像在像面202上。折射物镜部分230具有第一正透镜组235,第二负透镜组236,第三正透镜组237和第四正透镜组238。在正透镜组237、238之间存在可能的光阑位置,其中主光线截取光轴。
图3示出了通过利用参考图2解释的原理基本上形成的投影物镜300的透镜部分。相同或相应的元件或元件组用图2中的相同附图标记增加100来注释。
系统的一个特定特征在于光束在两个相反方向通过的双凸正透镜326在投影物镜的区域中几何地提供在折叠式反射镜313、323和凹面镜325之间,光束通过该区域两次,通过它的光束在互相偏移的透镜区域中处于第一中间图像311和凹面镜325之间的射束路径中以及处于凹面镜和第二中间图像321或像面302的射束路径中。与凹面镜325相比,正透镜326布置得更接近于折叠式反射镜313,323,特别是在折叠式反射镜和凹面镜之间的轴向距离的三分之一中。在正透镜326的区域中,与主光线高度相比,边缘光线高度小,边缘光线高度与主光线高度的比例大约是0.3。正透镜326从而关于第一中间图像311和关于第二中间图像321都布置得接近于场,从而充当这些中间图像的场透镜。第一中间图像311和凹面镜325之间的射束路径中的正折射本能特别确保随后的透镜327和凹面镜325的直径可以保持小。从凹面镜至第二中间图像321和到像面的射束路径中的正折射本能导致辐射的入射角带宽的减小,该辐射也到达第二折叠式反射镜323从而可以涂敷有有利的反射层,以及用于限制最接近于像场的折射物镜部分330中的透镜直径以及基本上担负浸入式投影物镜的高像侧数值孔径(NA=1.20)的产生。
正透镜在需要时可以移动得非常接近于两个中间图像,而不会被折叠式反射镜阻碍,因此强的校正效果是可能的。布置得接近于场的正折射本能允许水平臂更长。由于第一中间图像311中的大孔径,因此水平臂的长度通常被缩短,从而凹面镜325和直接布置在其上游的负组327中负弯月面透镜的直径与色差校正有关,并且因此应当不是无限地大。包括接近于场的正透镜组326由于Petzval曲率的补偿也增加负透镜327的折射本能(与凹面镜比较),从而增加凹面镜区域中对于相对小的直径纵向色差的校正。反射折射物镜部分从而可以被设计得紧凑以及具有相对小的透镜尺寸,具有足够的彩色校正。
布置在两个中间图像311,321的直接附近的场透镜326也相对于光学校正具有主要优点,将在下面更详细地进行解释。原则上,在受到主要像差的中间图像附近具有光学表面,对于成像误差的校正是有利的。该原因如下所述:在离中间图像的长距离处,例如在系统光阑或其共轭表面附近,光束中所有开口光线具有利用光瞳坐标的有限和单调上升高度,即对所有开口光线起作用的光学表面。在光瞳边缘处进一步向外定位的开口光束也在该表面上具有渐增的较大的高度(或更准确地:离主光线的增加距离)。
然而,在受到严重像差的中间图像附近不再存在这种情况。事实上,如果定位在中间图像的散焦线(caustic)中,则表面有可能定位大约在边缘光线图像中或接近于该图像,即有效地它不作用于边缘光线,而对于带状光线具有重要的光学作用。从而例如,有可能校正光学像差中的区域误差。该原则可以使用,例如以便故意影响球形区域误差。
面向中间图像311,321并在它们的紧接附近布置的正透镜326的凸透镜表面是非球面弯曲。与接近于场的布置结合,这允许实现非常大的校正作用。
最接近于图像的至少两个或三个透镜可以由氟化钙制造,以便避免紧密问题。为了补偿内在双折射,透镜的结晶长轴可以相对于彼此旋转。凹面镜325也可以采用活动反射镜的形式,其中反射镜表面的形状可以通过适当的操纵器而变化。这可以用于补偿多种成像误差。至少一个中间图像附近的射束路径实际上是远心的。
表1示出了以表格形式的设计技术要求。在该情况下,栏1示出了为折射、反射或以一些其它方式区别的表面编号,栏2示出了表面的半径r(单位mm),栏3示出了表面和随后表面之间的距离d(单位mm),栏4示出了元件的材料,以及栏5示出了光学元件的光学可用自由直径(单位mm)。反射表面在栏1中被注释为“R”。表2示出了相应的非球面数据,非球面表面的箭头高度利用下述规则计算:
p(h)=[((1/r)h2/(1+SQRT(1-(1+K)(1/r)2h2))]+C1*h4+C2*h6+...
在该情况下,半径的倒数(1/r)表示表面顶点(apex)处的表面曲率,h表示表面点和光轴之间的距离。箭头高度从而是p(h),即表面点和表面顶点之间沿z方向即沿光轴的方向的距离。常数K,C1,C2等在表2中示出。
浸入物镜300对于约157nm的操作波长被设计,在该波长处用于所有透镜的氟化钙具有n=1.5593的折射率。这与在真空技术中使用的全氟聚醚(Fomblin)匹配,该物质作为浸入介质,在157nm处n1=1.37,以及具有约1.5mm的像侧工作距离。像侧数值孔径NA是1.2,成像比例缩小因子是4∶1。系统对于其尺寸为26×5.0mm2的像场进行设计,它是双远心。
图4示出了通过表示图3所示实施例的变形并且同样利用参考图2解释的原理形成的投影物镜400的透镜部分。相同或相应的元件或元件组用图3中相同附图标记增加100来注释。对于该示例性实施例的技术要求在表3和4中示出。
在该实施例中,布置在折叠式反射镜413、423和凹面镜425之间的中间图像411、421的紧接光学附近,用作场透镜的双凸正透镜426布置在水平臂中,从而导致水平臂具有小的尺寸以及另一方面,导致对于中间图像的大校正作用。
该实施例的进一步特殊特征是第三折射物镜部分430的设计,其具有特别紧凑的构形,具有小的尺寸和小的最大直径。具有初始的正组435,后面有负组436和两个随后的正组437,438,在它们之间具有孔径光阑(孔径光阑)A的基本设计相应于图3所示的设计。在光束直径的最大发散度的区域和在边缘光线高度的拐点的区域中,第三透镜组437的进入表面E定位在为第二透镜组436中的唯一透镜的双凹负透镜436之后。在该进入表面和孔径光阑A之间,或在孔径光阑和像面之间不存在对于光学设计很重要的具有散射作用的负透镜。特别是,仅正的透镜提供在进入表面E和像面之间。
如果在其中光束直径相对大的区域中不存在具有重要折射本能的负透镜,那么这允许透镜的最大直径限制到该区域中的可实行的尺寸。对于本申请的目的,特别是当透镜上的边缘光线高度在可能的光阑位置处,例如在系统光阑处至少与边缘光线高度一半的一样大时,“相对大的光束直径”产生。该措施考虑下述事实:公认负透镜的散射作用对于校正原因是所希望的,但是与负透镜不存在时所必要的透镜直径相比,负透镜下游的任何散射作用具有导致较大的透镜直径的倾向。此外,光束的光线沿下游像面的方向结合在一起,以及对于该目的需要正折射本能。对于该目的需要的正透镜可以整体被相对适度地设计,只要在光束的结合中不需要补偿负透镜的散射作用。此外,透镜的数目可以被限制。从而本发明允许具有最小透镜尺寸的紧凑投影物镜。
图5示出了投影物镜500的一个实施例,其从光学的观点来说,基于参考图2解释的原则进行设计。相同或相应的元件或元件组用图2中相同的附图标记增加300来注释。
图2和图5所示的系统中的光束分布之间的比较示出了不同的射束路径在本发明的范围内是可能的。由于从物面行进至凹面镜225的第一光束部分和从该凹面镜行进至像面的第二光束部分不在任何地方相交,因此未相交的射束路径在图2的系统中示出。相反,图5所示的实施例具有相交的射束路径。第一折叠式反射镜513布置在光轴504的面向远离第二折叠式反射镜523的一侧上,第二折叠式反射镜几何地定位更接近于物面。因此,在中间图像511、521的附近,从物面501行进至凹面镜525的第一光束部分540和经由第二折叠式反射镜523从凹面镜525行进至像面的第二光束部分550在第二折叠式反射镜523的反射镜表面的直接上游区域中相交。在该情况下,第二中间图像521直接光学定位在第二折叠式反射镜523之前,以及几何定位在面向第一折叠式反射镜的光轴504的内反射镜边缘528的附近。该相交的射束路径允许系统的光导值的最优化,其中在内反射镜边缘528的区域中,辐射通过第一折叠式反射镜“施加”而沿第二折叠式反射镜的方向没有任何渐晕。它还对两个折叠式反射镜提供更多的物理空间。
在本实施例中,正的场透镜组526定位在两个中间图像的光学附近,几何定位在折叠式反射镜和凹面镜之间,尽管第二折叠式反射镜和第二中间图像有些进一步远离正透镜526。
投影物镜600的一个实施例将参考图6进行解释,其中布置在其物面601上的图案成像在平行于物面排列的像面602上,产生两个真实的中间图像611,621。投影物镜具有产生物场的第一真实中间图像611的第一反射折射物镜部分610,随后的成像第一中间图像以形成第二真实的中间图像621的反射折射第二物镜部分620,以及随后的第三折射物镜部分,第三折射物镜部分直接将第二中间图像621成像在像面602上,即没有任何进一步的中间图像。
迄今为止与所述实施例的一个主要不同之处在于第一物镜部分610是紧凑的反射折射子系统。反射折射物镜部分610具有光轴与物面成直角的凹面镜615,和偏振选择分束器660(分束器立方体,BSC),其布置在物面和凹面镜之间并具有平坦的分束器表面613,该表面613与光轴604成45°倾斜并用作投影物镜610的第一折叠式反射镜。直接布置在凹面镜前面的λ/4片661,第一正组662,第二正组663,分束器660,另一λ/4片664和负组665以该顺序布置在物面和凹面镜之间。在折叠式反射镜613下游的射束路径中随后有另一λ/4片666和正组667。具有接近于场的正组626的第二反射折射物镜部分620的基本配置基本相应于图2所示的基本设计。第三折射物镜部分仅具有正组,在正组之间定位光阑位置。
在该示例性实施例中,从而折叠在具有正折射本能的第一反射折射物镜部分中发生,采用布置在对此负责的折叠式反射镜613和由第一子系统产生的第一中间图像611之间的至少一个正透镜667的形式。总的系统利用循环偏振输入光进行操作,该光通过第一λ/4片转换为线性偏振辐射,其关于倾斜定位的分束器层613是p偏振从而基本上完全通过它而到达凹面镜650。布置在分束器层和凹面镜之间的λ/4片由线性偏振辐射两次通过,以及在过程中旋转偏振优选方向通过90°,以便从凹面镜到达偏振分束器层613的辐射关于此是s偏振,并且沿随后的物镜部分的方向反射。第三λ/4片666将辐射转换为圆偏振辐射,其然后通过随后的子系统。
由于第一反射折射物镜部分610可以设计成与反射镜曲率和反射镜上游的负折射本能结合,因此它可以较大或完全校正像场曲率和纵向色差,随后的部分物镜不载入或仅轻微载入这些成像误差。此外,该布置允许在物面和水平排列的反射折射物镜部分620之间的物理空间扩大,这可以被使用以便减小光导值。
孔径光阑A优选布置在最接近于图像的第三物镜部分630中,其中主光线与光轴相交。两个另外的可能光阑位置在第一和第二物镜部分中示出,在每个情况下都接近于凹面镜615,625。
第一物镜部分可以是物理紧凑的。图7示出了可以用作图6所示系统的第一物镜部分610的反射折射子系统的实施例,以及其技术要求在表5中示出。相同或相应的元件或元件组用图6中相同的附图标记增加100来注释。所有透镜是球形的,以及包括分束器块760的所有透明元件由合成的石英玻璃构成。
图8示意性示出了对于折叠射束路径提供的折叠式反射镜的多种实现选择。折叠式反射镜例如可以是独立式的平面反射镜的形式,特别是作为前表面反射镜(图8(a)和(b))。在该情况下,在图2所示的实施例中,如图8(b)所示的分离反射镜可以共同保持。折叠式反射镜也可以是独立式的棱镜的形式,如图8(c)和(d)所示。如果需要,反射棱镜表面可以充当全内反射表面,这取决于在它们上发生的入射角,或可以具有反射涂层。特别对于图2至4所示的实施例,反射镜也可以是以反射镜棱镜的反射外表面的形式,如图8(e)所示。
在图9中,示出了如关于图2解释的具有R-C-R型的投影物镜900的另一实施例。参考对于基本构造的描述。第一折射物镜部分910设计成将物面901上布置的离轴有效物场OF成像到第一中间图像911上。第一平面折叠式反射镜913布置在第一中间图像直接上游的第一物镜部分中。包括凹面镜925的第二反射折射物镜部分920设计成将第一中间图像成像到离其一个距离定位在第二折叠式反射镜923直接上游的第二中间图像921上。包括自由可接近的孔径光阑AS的第三折射物镜部分930设计成将第二中间图像成像到像面902上,其中产生布置在光轴外的有效像场IF。第一物镜部分910用作中继系统以放置第一中间图像接近于第一折叠式反射镜913。反射折射第二物镜部分920包括几何接近于折叠式反射镜以及光学接近于两个中间图像的单个正透镜(场透镜926),由此允许与场相关成像误差的有效校正。第三物镜部分用作聚焦透镜组,提供投影物镜的缩小比例的主要部分以得到像侧数值孔径,其在本实施例中在有效物场OF的场尺寸为26mm·5.5mm的情况下是NA=1.20。总的轨迹长度(物面901和像面902之间的轴向距离)是1400mm。波前像差是约4mλrms。技术要求在表9,9A中给出。成像的主光线CR绘制为粗体以有助于跟踪主光线的轨迹。
第一物镜部分910的透镜限定了光轴的第一部分OA1,其是透镜的旋转对称轴并且垂直于物面901。凹面镜925的旋转对称轴和第二物镜部分的透镜限定了光轴的第二部分OA2,其在本实施例中垂直于光轴的物场第一部分OA1排列。换句话说,光轴通过第一折叠式反射镜913折叠90°。第三物镜部分930的透镜限定光轴的第三部分OA3,其平行于光轴的第一部分OA1并垂直于像面902。在本实施例中,光轴的物侧第一部分OA1和光轴的像侧第三部分OA3同轴以便没有横向的轴偏移存在于光轴的这些部分之间。该构造关于折射物镜部分的透镜的安装是所希望的。具有光轴的同轴第一和第三部分OA1,OA3的类似构造在图10中示出为投影物镜1000。该设计的技术要求在表10,10A中示出。在两个实施例中,存在物像移动OIS的有限值。
在投影物镜900中,第一折叠式反射镜913的直接上游的透镜表面ASP是非球面,其光学接近于第一中间图像。得到与场相关的成像误差的有效校正。在投影物镜1000中,场透镜1026具有面向凹面镜的非球形透镜表面ASP。该非球面是最接近于第一和第二中间图像1011,1021的透镜表面,因此在沿射束路径的两个位置处对于校正非常有效。该设计的波前像差约3mλrms。
图11所示的投影物镜1100的实施例(技术要求在表11,11A中)是一个例子,其证明如果物侧上的光轴的第一部分OA1和像侧上的光轴的第三部分OA3之间的横向轴偏移AO适当调节,那么实际优点可以在优选实施例中得到。为了有助于下文中使用的术语的理解,图11’示出了重要特征和参数被示出的示意图。
从光学的观点而言,离轴有效物场OF通过第一物镜部分1110成像为第一中间图像1111,其布置在第一折叠式反射镜1113和第二物镜部分1120的正场透镜1126之间。第二物镜部分包括凹面镜1125以及设计为成像子系统以产生第二中间图像1121,其定位在正透镜1126和第二折叠式反射镜1123之间。第三物镜部分1130用作聚焦组以便以非常高的像侧数值孔径NA产生离轴有效像场IF,其中此处NA=1.30。
与图9和10的实施例相比,利用面向第一和第二折叠式反射镜的垂直平面形成的折叠棱镜非对称使用,借此横向轴偏移AO在物侧上的光轴的第一部分OA1和像侧上的光轴的第三部分OA3之间得到(见图11’)。在该具体实施例中,轴偏移AO以这样的方式被设置,即平行于光轴的第一部分OA1通过物场中心的物场中心轴OFCA和通过像场IF的中心并平行于光轴的第三部分OA3的像场中心轴IFCA重合(同轴)。换句话说,在有效物场OF和像场IF的中心之间不存在物像移动(OIS)。该性质通常不能在具有离轴物场的反射折射投影物镜中得到,而是仅在具有围绕光轴为中心的有效物场的反射折射投影物镜中得到(例如纯折射物镜或具有物理分束器的反射折射物镜或具有光瞳模糊的物镜)。从图11’中很明显,如果希望OIS=0,那么横向轴偏移AO的量被设置成横向轴偏移AO和像场中心高度h’的和等于物场中心高度h。在该情况下:
|AO|=|h*(1+|β|)|
本发明的优选实施例的另一有利方面涉及对于场透镜的正折射本能的适当选择。如在下文示例性所证明的,折射本能的适当选择允许制造具有非常高像侧数值孔径的投影物镜,例如NA=1.3或NA=1.35,同时保持折叠式反射镜的上游和/或下游的透镜的最大尺寸以及投影物镜的总轨迹长度适度。用于证明目的,图12示出了如WO 2004/019128中所示的R-C-R型现有技术投影物镜的变形,其具有NA=1.25的像侧数值孔径以及1250mm轨迹长度,其小于相关现有技术物镜的轨迹长度(在WO 2004/019128 A1中的图19,1400mm)。几何上在折叠式反射镜和凹面镜之间不存在场透镜。
为了比较,图13示出了作为本发明实施例的投影物镜1300,其具有相同的数值孔径(NA=1.25)和轨迹长度(1250mm),其中正的场透镜1326几何定位在折叠式反射镜1313、1323和凹面镜1325之间。为了有助于比较,图14在(a)中示意性示出了没有场透镜的现有技术系统以及在(b)中示意性示出了包括场透镜FL的本发明的实施例。主光线CR的轨迹在图12和13中被绘制和加粗,以及在图14中示出了轮廓,其中除此以外还示出了边缘光线MR的轨迹。
接下来,利用图14(a)的参考标记概述涉及图12的实施例的现有技术系统的一些特有特征。第一物镜部分是折射中继组L1,设计成产生接近于折叠棱镜的第一折叠式反射镜FM1的第一中间图像IMI1。包括凹面镜CM的轴向紧凑(短)反射折射第二物镜部分产生接近于第二折叠式反射镜FM2的第二中间图像IMI2。由第三物镜部分形成的纯折射主聚焦组L2形成图像。
第一物镜部分被细分为第一透镜组LG1和第二透镜组LG2(每个都是正折射本能),光瞳表面定位在这些透镜组之间,其中主光线CR与光轴OA相交。第三物镜部分依序包括具有正折射本能的第三透镜组LG3,具有负折射本能的第四透镜组LG4,和具有正折射本能的第五透镜组LG5。像侧光瞳表面定位在第三物镜部分中,其中主光线与光轴相交。孔径光阑AS通常定位在该位置处。光学地在第一和第二中间图像之间的光瞳表面定位接近于凹面镜CM或在凹面镜CM处。
可替换地,孔径光阑也可以定位在其它光瞳表面之一中,即接近于凹面镜的折射中继组L1或在反射折射组中。
主光线CR在第一中间图像IMI1和光学接近于该中间图像的第一折叠式反射镜处会聚。这里,会聚的主光线是其中主光线高度CRH即主光线和光轴之间的轴向距离沿光传播方向减小的主光线。另一方面,主光线在第二中间图像IMI2和第二折叠式反射镜处发散(即主光线高度沿光传播方向增加)。
由于在折叠式反射镜和凹面镜之间具有中间图像的折叠几何结构,因此分别最接近于第一中间图像和第二中间图像的第二透镜组LG2和第三透镜组LG3的透镜光学地相对远离中间图像,因为折叠式反射镜放置在这些透镜和中间图像之间。作为主光线的会聚/发散的结果,最接近于折叠式反射镜的这些透镜具有变大的倾向(大的透镜直径)。注意如果较大的距离设置在凹面镜和折叠式反射镜之间,该作用可以较弱,由此形成物镜的较长水平臂(HOA)。
给出这些条件,如果像侧数值孔径NA增加,则存在水平光轴变得更短的倾向。这可以如下进行理解。凹面镜的主要目的是校正投影物镜的珀兹伐和(像场曲率)。对于珀兹伐和校正的凹面镜的作用直接与凹面镜的曲率成比例。如果系统的数值孔径将增加,以及同时水平臂HOA的长度保持不变,则包括凹面镜的反射折射组的直径将增加。一个可能结果为凹面镜的曲率将变得更小,借此凹面镜对于珀兹伐和校正的作用将减小。这被认为是不希望的,因为珀兹伐和校正必须然后提供在投影物镜的其他部分,由此使设计变得更复杂。
另一方面,如果希望保持反射折射组对于珀兹伐和校正的校正效果,那么包括凹面镜的反射折射组的直径应当基本上保持不变。然而,这相应于水平臂的减小长度,其又导致在中间图像处的相对大的主光线角度,如图14(a)和图12的投影物镜1200中所示。
从图12中很明显,对于第一折叠式反射镜直接上游的第二透镜组LG2的两个或三个正透镜特别需要非常大的透镜直径。
然而,如果希望增加数值孔径,那么对于透镜的充足空间必须提供在第三物镜部分中,主要在紧跟在晶片之后的最接近光瞳位置附近。如果进一步希望将物镜的轨迹长度限制到合理的值,那么看来希望设计第一物镜部分(中继组L1)轴向更短以及减小第一折叠式反射镜的直接上游的透镜的直径。
通过在折叠式反射镜和光学接近于中间图像的凹面镜之间几何上引入具有足够正折射本能的场透镜,如图14(b)和图13的实施例1300示意性所示,这些目的可以实现。从图13中很明显,由透镜1326提供的正折射本能允许引导主光线CR几乎平行于光轴或轻微发散到第一折叠式反射镜1313上,借此当与图12的设计相比时,第一折叠式反射镜的直接上游的两个或三个透镜的直径可以基本上减小。同样,当与图12中第一物镜部分1210的相应长度相比时,第一物镜部分1310的第一轴向长度AL1实质上减小。结果,更多的空间在第三物镜部分中可利用于引入透镜,有助于数值孔径的增加。同样,当引入场透镜时,包括凹面镜的水平臂实质上更长,以及凹面镜实质上更小。
在图13的实施例中,很明显,第一和第二中间图像定位在场透镜1326和包括凹面镜1325的反射镜组之间的空间中。具体地,中间图像和最接近的光学表面(正透镜1326面向凹面镜的透镜表面)之间的轴向距离足够大,以至于最接近的光学表面位于中间图像空间的外部,该空间轴向限定在近轴中间图像(由近轴光线形成的中间图像)和边缘光线中间图像(由成像的边缘光线形成)之间。在此得到至少10mm的最小距离。场透镜有效地作为第一物镜部分1310的最后一个透镜以及作为第三物镜部分1330的第一透镜(当预定用作减小投影物镜沿光传播方向观察时)。因此,值得注意的是,图13示出了具有两个折射成像子系统的投影物镜(由第一物镜部分1310和第三物镜部分1330形成),其中透镜(场透镜1326)光学布置在第一和第三成像子系统中。同样,每个折叠式反射镜定位在各个子系统的透镜之间的折射成像子系统内部。
下述图15至17的实施例(技术要求分别在表15,15A,16,16A和17,17A中)基于图13的实施例并且示例性示出了具有足够折射本能的场透镜的基本设计允许得到甚至更高的像侧数值孔径,同时具有适度的透镜尺寸。技术要求分别在表15,15A,16,16A和17,17A中给出。
对于图15中的投影物镜1500,得到像侧数值孔径NA=1.30。这里,主光线CR在第一和第二折叠式反射镜处几乎平行于光轴。具体地,在第一折叠式反射镜处得到第一主光线方向余弦|CRA1|=0.055,以及在第二折叠式反射镜处得到第二主光线方向余弦CRA2=0.058。
在投影物镜1300和1500中,水平臂中的正场透镜1326,1526布置得非常接近于折叠式反射镜,以便中间图像跟随在该场透镜和凹面镜之间的无光学材料的空间中。然而,如从相交透镜符号中显而易见,一个或多个被截的透镜必须接近于折叠式反射镜使用,这使得透镜安装更加复杂。
对于图16中的投影物镜1600避免了这种安装问题,其中正场透镜1626主要在折叠式反射镜的直接上游和下游的透镜之间限定的圆柱空间的外部远离折叠式反射镜1613、1623定位。在本实施例中,可以使用具有稳定安装技术的圆形透镜。从光学的观点而言,在第一和第二折叠式反射镜处的主光线角度几乎为零(基本上是远心主光线)。由于中间图像1611和1621基本上定位在折叠式反射镜和场透镜1626之间,因此场透镜现在是包括凹面镜1625的反射折射第二成像物镜部分1620的一部分。在该变形中,避免了接近于折叠式反射镜的安装空间问题。得到了像侧数值孔径NA=1.30。
该设计类型对于甚至更高的数值孔径也具有可能,这根据图17所示的投影物镜1700是显而易见的,其具有像侧数值孔径NA=1.35。如在图16的实施例中,主光线在折叠式反射镜处几乎是远心的,中间图像1711,1721基本上定位在折叠式反射镜和场透镜1726之间。关于图16的实施例的数值孔径的增加表明了:在该实施例中能在负责提供高数值孔径的第三物镜部分中获得对于进一步和/或更强透镜的充足空间。
如之前所述,本发明允许建立具有高数值孔径的反射折射投影物镜,特别是允许在数值孔径NA>1处的浸入式光刻,其可以利用相对少量的光学材料来建立。在下面考虑描述了可以制造特别紧凑的投影物镜的事实的参数中证明了少的材料消耗的可能性。
通常,当像侧数值孔径NA增加时,投影物镜的尺寸倾向于急剧增加。根据实验已经发现,与按照DMAX~NAk随着NA的增加线性增加相比,其中k>1,最大透镜直径DMAX倾向于更强地增加。值k=2是对于本申请的目的使用的近似值。此外,已经发现最大透镜直径DMAX与像场尺寸(通过像场高度Y’表示,其中Y’是像场点和光轴之间的最大距离)成比例的增加。对于本申请的目的,假定线性相关。基于这些考虑,将第一紧密度参数(compactness parameter)COMP1限定为:
COMP1=DMAX/(Y’·NA2)
很显然,对于像场高度和数值孔径的给定值,如果需要紧凑设计,第一紧密度参数COMP1应当尽可能的小。
考虑对于提供投影物镜所必要的总材料消耗,透镜的绝对数目,NL是相关的。一般,具有更小数目的透镜的系统对于具有较大数目的透镜的系统是优选的。因此,第二紧密度参数COMP2如下限定:
COMP2=COMP1·NL
再一次,COMP2的较小值表示紧凑的光学系统。
此外,根据本发明的优选实施例的投影物镜具有至少三个物镜部分,用于将进入侧场表面成像到光学共轭出射侧场表面上,其中成像物镜部分在中间图像级联。一般,透镜的数目和对于建立投影物镜必要的总材料将增加光学系统的成像物镜部分的更高数目NOP。希望保持每个物镜部分的透镜的平均数目NL/NOP尽可能小。因此,第三紧密度参数COMP3如下限定:
COMP3=COMP1·NL/NOP
再一次,具有低的光学材料消耗的投影物镜特征在于COMP3的较小值。
表18概述了对于计算紧密度参数COMP1,COMP2,COMP3必要的值以及对于用技术要求表表示的每个系统的这些参数的各个值(表编号(相应于图的相同编号)在表18的栏1中给出)。因此,为了得到具有至少一个凹面镜和至少两个成像物镜部分(即至少一个中间图像)的紧凑反射折射投影物镜,应当观察到下述条件(1)至(3)的至少一个:
(1)COMP1<11
优选应当观察到COMP1<10.7
(2)COMP2<340
优选应当观察到COMP2<320,更优选应该观察到COMP2<300。
(3)COMP3<110
优选应当观察到COMP3<100。
在一些实施例中,COMP1<11以及同时COMP2<340,这允许特别紧凑的设计。
另一方面涉及凹面镜的尺寸,其在一些实施例相对于最大透镜而言特别小,由此有助于制造和安装。在一些实施例中,凹面镜具有反射镜直径DM,投影物镜具有最大透镜直径DMAX,以及保持条件DM<0.75*DMAX。优选可以满足DM<0.70*DMAX。
表18表明:根据本发明的优选实施例通常观察到这些条件的至少之一,这些条件表示具有适度材料消耗和/或小凹面镜的紧凑设计根据本说明书中陈述的设计技术要求得到。
本发明已经利用R-C-R型反射折射投影物镜的例子进行了详细描述,该物镜具有沿凹面镜的方向偏转来自物面的辐射的第一折叠式反射镜和沿像面的方向偏转来自凹面镜的辐射的第二折叠式反射镜。本发明也可以在具有不同折叠几何结构的设计中实现,例如在沿像面的方向偏转来自凹面镜的辐射的第一折叠式反射镜上的反射之前,来自物面的辐射直接在凹面镜处引导。在这些实施例中,第二折叠式反射镜通常提供在第一折叠式反射镜的下游,以允许物面和像面的平行排列。
不言而喻,上面描述的所有系统可以是完整的系统,即形成真实物体(例如光刻掩模)的真实像(例如在晶片上)的系统。然而,系统也可以用作较大系统的子系统。例如,上述系统之一的“物体”从而可以是由定位在物面上游的成像系统(例如中继系统)产生的像。通过上述系统之一形成的图像同样也可以用作像面下游的系统(例如中继系统)的物体。具有表述“第一物镜部分”和“第二物镜部分”等的物镜部分的列举涉及其中当它们用作减小物镜时光束通过它们的顺序。表述“第一”和“第二”等应当理解为彼此是相对的。“第一”物镜部分沿其中光束通过它们的方向布置在“第二”物镜部分的上游。这在总的系统中不必是第一物镜部分,即直接跟随系统中像面的物镜部分。然而,这是在所示示例性实施例中的情况。
表1
NA=1.2 Y=57.7mm
WL | 157.2852 | 157.2862 | 157.2642 |
CAF2 | 1.55930394 | 1.55930133 | 1.55930655 |
IMM | 1.37021435 | 1.37021206 | 1.37021665 |
表面 | 半径 | 距离 | 材料 | 直径 |
0 | 0.000000000 | 48.029632171 | AIR | 57.700 |
1 | 0.000000000 | 39.172776328 | AIR | 72.768 |
2 | -96.971407438 | 43.719958386 | CAF2 | 74.418 |
3 | -158.002766036 | 5.165244231 | AIR | 98.534 |
4 | 781.518257267 | 56.238731708 | CAF2 | 120.188 |
5 | -253.290501301 | 4.909571912 | AIR | 123.211 |
6 | 288.016848173 | 49.396794919 | CAF2 | 124.172 |
7 | -435.168087157 | 26.736905514 | AIR | 122.368 |
8 | 105.910945049 | 62.394238960 | CAF2 | 94.783 |
9 | 178.598362309 | 79.753912118 | AIR | 79.042 |
10 | -274.352911686 | 15.001130830 | CAF2 | 42.116 |
11 | -481.511902624 | 46.498544862 | AIR | 46.787 |
12 | -70.442117850 | 52.555341121 | CAF2 | 55.942 |
13 | -90.455727573 | 1.806830035 | AIR | 78.160 |
14 | 3232.255140950 | 36.176140320 | CAF2 | 91.116 |
15 | -186.488036306 | 1.000000000 | AIR | 92.734 |
16 | 365.731282758 | 20.809036457 | CAF2 | 90.268 |
17 | -2611.121142850 | 101.825417590 | AIR | 88.935 |
18 | 0.000000000 | 0.000000000 | AIR | 84.274 |
19 | 0.000000000 | 65.181628952 | AIR | 84.274 |
20 | 258.735107311 | 37.578859051 | CAF2 | 105.187 |
21 | -1152.159158690 | 288.921175238 | AIR | 104.969 |
22 | -129.279458408 | 15.003276235 | CAF2 | 81.991 |
23 | -2262.350961510 | 56.312694509 | AIR | 88.341 |
24 | -117.450410520 | 15.001009008 | CAF2 | 91.957 |
25 | -309.800170740 | 28.401147541 | AIR | 113.929 |
26R | -175.988719829 | 0.000000000 | AIR | 117.602 |
27R | 0.000000000 | 28.401147541 | AIR | 168.871 |
28 | 309.800170740 | 15.001009008 | CAF2 | 112.745 |
29 | 117.450410520 | 56.312694509 | AIR | 87.774 |
30 | 2262.350961510 | 15.003276235 | CAF2 | 78.116 |
31 | 129.279458408 | 288.921175238 | AIR | 70.315 |
32 | 1152.159158690 | 37.578859051 | CAF2 | 91.290 |
33 | -258.735107311 | 65.181629067 | AIR | 91.634 |
34 | 0.000000000 | 0.000000000 | AIR | 84.438 |
35 | 0.000000000 | 95.566202561 | AIR | 84.438 |
36 | -385.455042894 | 15.000000000 | CAF2 | 93.816 |
37 | -452.475904634 | 1.000000003 | AIR | 97.482 |
38 | 254.248242468 | 32.034900497 | CAF2 | 105.601 |
39 | 5899.473023640 | 1.000023801 | AIR | 105.353 |
40 | 190.848967014 | 30.278271846 | CAF2 | 104.456 |
41 | 621.351654529 | 138.920391104 | AIR | 102.039 |
42 | -123.640610032 | 33.881654714 | CAF2 | 76.579 |
43 | 158.155949669 | 49.867792861 | AIR | 80.512 |
44 | 412.757602921 | 47.829461944 | CAF2 | 98.825 |
45 | -208.949912656 | 17.094373280 | AIR | 103.896 |
46 | -158.641772839 | 15.212844332 | CAF2 | 105.038 |
47 | -313.678744542 | 1.052590482 | AIR | 118.827 |
48 | -829.528825093 | 55.527291516 | CAF2 | 125.550 |
49 | -184.492343437 | 11.796257723 | AIR | 129.573 |
50 | 260.696800337 | 37.374556186 | CAF2 | 132.314 |
51 | 497.808165974 | 65.844307831 | AIR | 127.088 |
STO | 0.000000000 | 0.000000000 | AIR | 127.776 |
53 | 0.000000000 | -22.615444914 | AIR | 128.288 |
54 | 358.239917958 | 44.763751865 | CAF2 | 128.404 |
55 | -739.494996855 | 1.004833255 | AIR | 127.649 |
56 | 242.528908132 | 44.488018592 | CAF2 | 121.037 |
57 | 3949.584753010 | 1.000094237 | AIR | 116.970 |
58 | 201.527861764 | 58.711711773 | CAF2 | 103.897 |
59 | -1366.391075450 | 1.000007100 | AIR | 89.104 |
60 | 62.439639631 | 63.828426005 | CAF2 | 55.026 |
61 | 0.000000000 | 1.550000000 | IMM | 17.302 |
62 | 0.000000000 | 0.000000000 | AIR | 14.425 |
表2
非球面常数
表面No.59 | |
K | 0.0000 |
C1 | 3.28933356e-008 |
C2 | -4.67953085e-013 |
C3 | 1.96156711e-017 |
C4 | 1.01627452e-022 |
C5 | -3.59201172e-026 |
C6 | 2.16163436e-030 |
C7 | 0.00000000e+000 |
C8 | 0.00000000e+000 |
C9 | 0.00000000e+000 |
表3
NA=1.1 Y=57.7mm
WL | 157.2852 | 157.2862 | 157.2842 |
CAF2 | 1.55930394 | 1.55930133 | 1.55930655 |
表面 | 半径 | 距离 | 材料 | 直径 |
0 | 0.000000000 | 47.596241819 | AIR | 57.700 |
1 | 0.000000000 | 21.484078486 | AIR | 71.361 |
2 | -130.196528296 | 81.232017348 | CAF2 | 71.411 |
3 | -201.970612192 | 1.090292328 | AIR | 102.064 |
4 | 0.000000000 | 43.035190104 | CAF2 | 111.239 |
5 | -219.688636866 | 1.000008083 | AIR | 113.511 |
6 | 196.835177454 | 48.645753259 | CAF2 | 112.440 |
7 | -1062.563638620 | 1.011278327 | AIR | 109.626 |
8 | 102.486371771 | 51.257817769 | CAF2 | 88.766 |
9 | 125.152226832 | 78.537765316 | AIR | 72.052 |
10 | -276.036111675 | 19.246024827 | CAF2 | 35.565 |
11 | -344.559129459 | 44.417965355 | AIR | 42.153 |
12 | -73.158562407 | 46.803238343 | CAF2 | 53.934 |
13 | -81.595671547 | 1.005611042 | AIR | 71.774 |
14 | 917.859457951 | 35.862144308 | CAF2 | 83.802 |
15 | -184.688054893 | 1.002179985 | AIR | 85.191 |
16 | 520.342292054 | 23.034106261 | CAF2 | 82.478 |
17 | -768.099839930 | 99.999802859 | AIR | 80.816 |
18 | 0.000000000 | 0.000000000 | AIR | 72.928 |
19 | 0.000000000 | 49.999962118 | AIR | 72.928 |
20 | 241.487091044 | 30.190977973 | CAF2 | 85.575 |
21 | -1164.355916310 | 264.025266484 | AIR | 85.757 |
22 | -132.516232462 | 15.000193519 | CAF2 | 81.831 |
23 | -1356.484422410 | 61.385058143 | AIR | 89.265 |
24 | -108.588059874 | 14.999993604 | CAF2 | 92.698 |
25 | -296.429590341 | 28.045104017 | AIR | 119.543 |
26R | -171.604551151 | 0.000000000 | AIR | 121.617 |
27R | 0.000000000 | 28.045104017 | AIR | 187.566 |
28 | 296.429590341 | 14.999993604 | CAF2 | 118.640 |
29 | 108.588059874 | 61.385058143 | AIR | 87.692 |
30 | 1356.484422410 | 15.000193519 | CAF2 | 75.436 |
31 | 132.516232462 | 264.025266484 | AIR | 68.614 |
32 | 1164.355916310 | 30.190977973 | CAF2 | 79.925 |
33 | -241.487091044 | 49.999914356 | AIR | 79.985 |
34 | 0.000000000 | 0.000000000 | AIR | 73.069 |
35 | 0.000000000 | 107.612168038 | AIR | 73.069 |
36 | -693.184976623 | 16.117644573 | CAF2 | 81.276 |
37 | -696.986438150 | 2.228062889 | AIR | 84.557 |
38 | 272.001870523 | 26.851322582 | CAF2 | 90.453 |
39 | -11518.014964700 | 1.683452367 | AIR | 90.747 |
40 | 204.924277454 | 41.781211890 | CAF2 | 91.627 |
41 | 3033.528484830 | 106.582128113 | AIR | 88.228 |
42 | -134.400581416 | 22.683343530 | CAF2 | 70.595 |
43 | 149.085276952 | 30.111359058 | AIR | 72.323 |
44 | -1571.459281550 | 66.592767742 | CAF2 | 74.527 |
45 | -685.256687590 | 11.096249234 | AIR | 101.072 |
46 | -661.646567779 | 85.751986497 | CAF2 | 106.788 |
47 | -157.414472118 | 1.578582665 | AIR | 121.872 |
48 | 281.442061787 | 38.097581301 | CAF2 | 126.470 |
49 | 2477.671193110 | 77.916990124 | AIR | 123.978 |
50 | 0.000000000 | 0.000000000 | AIR | 117.805 |
51 | 0.000000000 | -4.224796803 | AIR | 118.082 |
52 | 629.850672554 | 48.195853438 | CAF2 | 118.380 |
53 | -440.009879814 | 0.999978780 | AIR | 118.034 |
54 | 243.613408298 | 52.262412712 | CAF2 | 109.822 |
55 | 11973.088705700 | 1.027491789 | AIR | 101.920 |
56 | 115.269169988 | 60.712228046 | CAF2 | 83.889 |
57 | 372.135519803 | 1.030688086 | AIR | 63.468 |
58 | 72.776794128 | 53.208894511 | CAF2 | 48.890 |
59 | 0.000000000 | 0.000000000 | CAF2 | 14.425 |
60 | 0.000000000 | 0.000000000 | AIR | 14.425 |
表4
非球面常数
表面No.57 | |
K | 0.0000 |
C1 | 3.32050996e-008 |
C2 | 4.58821096e-012 |
C3 | -7.80384116e-016 |
C4 | 1.16466986e-019 |
C5 | -1.04436731e-023 |
C6 | 4.66260861e-028 |
C7 | 0.00000000e+000 |
C8 | 0.00000000e+000 |
C9 | 0.00000000e+000 |
表5
NAO=0.27 Y=56.08mm
WL | 193.3685 | 193.368 | 193.3675 |
SiO22 | 1.56078491 | 1.5607857 | 1.56078649 |
表面 | 半径 | 距离 | 材料 | 直径 |
0 | 0.000000000 | 40.000000000 | AIR | 56.080 |
1 | 700.000000000 | 30.000000000 | SIO2 | 70.401 |
2 | -700.000000000 | 1.000000000 | AIR | 74.095 |
3 | 700.000000000 | 30.000000000 | SIO2 | 75.879 |
4 | -700.000000000 | -1.000000000 | AIR | 77.689 |
5 | 500.000000000 | 30.000000000 | SIO2 | 78.339 |
6 | -1000.000000000 | 15.000000000 | AIR | 78.060 |
7 | 700.000000000 | 30.000000000 | SIO2 | 76.609 |
8 | -700.000000000 | 0.000000000 | AIR | 74.839 |
9 | 0.000000000 | 75.000000000 | SIO2 | 74.070 |
10 | 0.000000000 | 75.000000000 | SIO2 | 64.964 |
11 | 0.000000000 | 13.000000000 | AIR | 55.857 |
12 | -300.000000000 | 10.000000000 | SIO2 | 54.317 |
13 | -500.000000000 | 5.000000000 | AIR | 53.682 |
14 | 0.000000000 | 10.000000000 | AIR | 52.538 |
15 | -290.000000000 | 0.000000000 | AIR | 55.162 |
16 | 0.000000000 | 15.000000000 | AIR | 54.666 |
17 | 500.000000000 | 10.000000000 | SIO2 | 56.801 |
18 | 300.000000000 | 13.000000000 | AIR | 57.279 |
19 | 0.000000000 | 75.000000000 | SIO2 | 58.589 |
20 | 0.000000000 | 75.000000000 | SIO2 | 66.927 |
21 | 0.000000000 | 30.000000000 | AIR | 75.266 |
22 | 300.000000000 | 30.000000000 | SIO2 | 82.546 |
23 | -400.000000000 | 40.000100000 | AIR | 82.595 |
24 | 500.000000000 | 25.000000000 | SIO2 | 76.453 |
25 | -400.000000000 | 41.206360088 | AIR | 74.915 |
26 | 0.000000000 | 0.000000000 | AIR | 63.567 |
表9
表面 | 半径 | 厚度 | 材料 | 折射率(INDEX) | 直径(SEMIDIAM) |
0123456789101112131415161718192021222324252627282930313233343536373839404142434445 | 0,0000006291,598274-280,600902144,511042416,821920163,242835-661,47820185,80537597,841124-110,558780-105,568468-95,869843-396,465160-295,388642-127,525234-279,794894-160,830350321,2804331713,098384249,6416781775,1188660,000000-322,7388271794,276655102,16795615297,224085106,167570192,760260154,038668192,760260106,16757015297,224085102,1679561794,276655-322,7388270,000000665,918045332,340267-545,416435972,309758-239,092507-3867,765964-145,814165-475,322286994,251 725-102,926902 | 59,20951023,6783321,02540532,29080057,13292631,3377299,88282731,33603532,15717450,0001857,86129933,36008725,20850249,6665650,99985636,6448170,99937028,6834390,99914130,92896484,998661-14,998086-22,708716-198,953288-12,500000-58,562725-12,500000-27,39919227,39919212,50000058,56272512,500000198,95427122,70871614,999504-84,999766-20,162556-0,999827-30,156611-0,999891-40,367741-1,000866-43,782811-20,838629-9,999791-38,025955 | SILUVSILUVSILUVSILUVSILUVSILUVSILUVSILUVSILUVSILUVREFLSILUVSILUVSILUVREFLSILUVSILUVSILUVREFLSILUVSILUVSILUVSILUVSILUV | 1,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,560491 | 64,085,887,893,491,478,675,259,046,343,462,964,689,8103,3109,4118,2121,6121,8120,6117,3114,7183,286,584,172,482,589,2107,8115,3107,889,282,572,484,186,5179,0112,6115,0121,7122,2122,8121,0108,8103,7100,782,3 |
46474849505152535455565758596061626364656667 | -666,254624-120,991218-444,5294397256,085975861,320622367,114240-578,781634-1539,844110-409,215581388,2592510,000000-492,744559596,175995-188,727208-1267,900423-118,853763-172,286110-83,065857-111,658319-69,8285810,0000000,000000 | -9,999917SILUV-38,125943-19,995612SILUV-72,078976-16,316029SILUV-21,532267-19,544116SILUV-1,000064-53,967605SILUV-21,190519-14,363454-42,747305SILUV-0,999975-44,971247SILUV-0,999664-29,974419SILUV-2,720285-24,574193SILUV-1,105096-43,055955SILUV-1,001571H2OV1930,000000 | 1,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,436823 | 82,783,493,996,0115,4118,5135,3136,2140,1140,0131,6135,3134,4119,1114,690,582,267,056,050,320,519,0 |
表9A
非球面常数 | ||||
SRFKC1C2C3C4C5C6SRFKC1C2C3C4C5C6SRFKC1C2C3C4C5C6 | 607,168010E-087,874235E-133,026860E-16-3,434246E-203,870353E-257,234455E-29430-1,007015E-08-3,821558E-138,872440E-17-6,956619E-213,866469E-25-7,623750E-306206,908374E-08-7,414546E-121,971662E-16-5,334580E-205,884223E-24-3,743875E-28 | 150-6,564766E-094,352930E-13-2,400883E-173,866886E-221,162444E-27-1,259764E-324504,489903E-081,198606E-12-1,562441E-161,250805E-202,467619E-24-1,675469E-28640-2,282295E-07-2,062783E-111,258799E-15-2,146440E-194,332875E-23-1,189088E-27 | 2001,990247E-082,214975E-13-2,046213E-179,725329E-22-2,756730E-264,143527E-314705,184442E-085,582183E-122,393671E-167,608169E-21-1,988373E-242,670495E-28 | 240-1,434139E-07-3,992456E-12-3,265156E-163,104990E-21-1,874174E-24-4,628892E-285003,174451E-085,537615E-143,190712E-18-6,524213E-22-7,379838E-27-9,847764E-31 |
表10
表面 | 半径 | 厚度 | 材料 | 折射率(INDEX) | 直径(SEMIDIAM) |
0123456789101112131415161718192021222324252627282930313233343536373839404142434445 | 0,0000001084,670740-489,591572147,977412533,607588162,257926-641,54208788,691635113,767960-117,888976-162,865349-116,482373-306,816392-323,530175-137,244758-451,636628-154,769207392,3701753014,562689289,177591925,9620440,000000-331,3953433332,00731898,69131328881,747267105,777999190,916612155,323230190,916612105,77799928881,74726798,6913133332,007318-331,3953430,000000632,234731312,776852-419,317799679,933212-359,0555541713,588185-130,793879-297,152405888,942670-95,853886 | 51,00025920,0614708,02450533,26572060,03564831,48787212,32133437,38134826,72334942,50153013,70040232,90270526,43856641,0859515,55661244,5897310,99982025,0086280,99972325,84424284,999670-14,999476-22,607980-230,559976-12,500000-55,643371-12,500000-27,57944327,57944312,50000055,64337112,500000230,56009122,60798014,999815-85,031452-21,937556-1,989523-39,548184-11,879717-33,826228-6,930143-40,665153-24,525611-1 0,000074-38,822971 | SILUVSILUVSILUVSILUVSILUVSILUVSILUVSILUVSILUVSILUVREFLSILUVSILUVSILUVREFLSILUVSILUVSILUVREFLSILUVSILUVSILUVSILUVSILUV | 1,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,560491 | 64,084,085,793,291,579,275,960,145,642,059,663,183,999,9105,5115,9119,2118,0117,0114,3112,1175,289,787,173,184,089,4109,5118,2109,589,484,073,187,189,7185,4116,1118,6126,0126,0122,0120,4103,097,594,877,7 |
46474849505152535455565758596061626364656667 | -1286,530610-122,332491-1046,310490-3155,314818-2635,516216253,216058-477,178385-1111,410551-419,465047657,6528790,000000-1714,364190435,051330-217,425708191072,918549-106,841172-202,323930-79,299863-117,061751-70,3405160,0000000,000000 | -10,502279-53,312951-29,995767-35,731529-38,906996-1,026566-27,726167-1,006437-45,153215-27,56180911,279146-34,463306-26,422505-40,030383-0,999778-32,593766-0,999427-25,891843-0,998476-36,868819-1,0015710,000000 | SILUVSILUVSILUVSILUVSILUVSILUVSILUVSILUVSILUVSILUVH2OV193 | 1,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,436823 | 78,380,598,8106,3121,6125,0136,5137,0138,9138,4129,1133,1131,9113,2109,685,077,063,552,946,720,519,0 |
表10A
非球面常数 | |||||
SRFKC1C2C3C4C5C6SRFKC1C2C3C4C5C6SRFKC1C2C3C4C5C6 | 608,416890E-081,006640E-123,617643E-16-4,192188E-206,704096E-261,721955E-28330-8,485003E-09-6,734945E-145,661979E-19-2,504587E-222,908669E-26-1,350234E-30550-5,022929E-10-3,387071E-14-1,887886E-176,061750E-22-8,730441E-274,736715E-32 | 150-2,308559E-081,109550E-13-6,344353E-181,566682E-22-4,902118E-274,306889E-32430-3,497951E-09-5,106017E-136,844726E-17-3,263478E-219,349870E-262,248476E-30620-2,500268E-08-7,360583E-121,175353E-15-2,566402E-192,406082E-23-1,314800E-27 | 230-8,485003E-09-6,734945E-145,661979E-19-2,504587E-222,908669E-26-1,350234E-30450-4,202804E-081,982600E-12-1,463517E-169,687863E-212,764278E-247,460803E-29640-1,132630E-07-3,255025E-116,754420E-15-9,778374E-196,403897E-231,523975E-27 | 240-1,223767E-07-7,438273E-12-4,704304E-163,963572E-21-6,736661E-24-4,531767E-284706,218114E-084,755456E-124,467358E-162,313332E-20-3,886568E-244,543438E-28 | 320-1,223767E-07-7,438273E-12-4,704304E-163,963572E-21-6,736661E-24-4,531767E-285003,138180E-08-3,924136E-135,657046E-18-6,552593E-222,087202E-26-5,207993E-31 |
表11
表面 | 半径 | 厚度 | 材料 | 折射率(INDEX) | 直径(SEMIDIAM) |
0123456789101112131415161718192021222324252627282930313233343536373839404142434445 | 0,000000187,0822841122,624300257,7884954087,923719149,090802112,190840222,671339-171,48686872,242638103,263585-120,537552-79,009690-70,743286-406,875493-167,014571-97,881974-289,132352-127,491717-915,187280-267,2791370,000000-211,224346847,318306108,6006993-2037,81426898,650256173,699507147,630649173,69950798,650256-2037,814268108,606993847,318306-211,2243460,000000-389,3301391028,934202-174,265376-396,847027-121,243745-131,171270335,952888-82,977553142,301184-263,305242 | 42,71656729,07410313.70405925,9705026,7518069,99926820,61901939,0050010,99909858,53409323,65730936,21869513,55902410,00030115,57810441,0990220,99930249,9083190,99964029,12884970,000315-99,530888-59,634155-285,786240-12,500000-40,801 930-12,500000-12,86344112,86344112,50000040,80193012,500000285,78624059,63415581,116047-73,612596-33,487696-0,999947-32,363134-1,000532-48,918207-29,702617-10,034790-43,925742-9,999862-23,458962 | SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2REFLSIO2SIO2SIO2REFLSIO2SIO2SIO2REFLSIO2SIO2SIO2SIO2SIO2 | 1,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,560491 | 63,087,787,889,388,284,379,479,477,961,038,239,752,655,672,776,786,2102,4108,2114,2116,1163,4129,3127,568,777,379,495,498,795,479,477,368,7127,5129,3160,7114,9113,5104,399,889,371,369,361,463,274,7 |
4647484950515253545556575859606162636465 | 2291,125201165,812687486,553030194,984003-2153,235102291,296473-443,4992911173,5007110,000000-337,532449-1836,960645-439,3951992161,178835-260,4973595382,003743-122,176927-321,548352-54,6865920,0000000,000000 | -61,398344-1,061241-37,309271-21,455915-50,329924-0,999132-44,594835-8,5772657,578035-35,808358-1,165380-28,816834-0,998190-36,004531-0,997164-36,201583-1,000000-41,835126-3,0000000,000000 | SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2H2O | 1,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,436823 | 84,5103,9113,9120,7142,6144,8146,7145,5138,4139,1136,4133,5130,3115,8110,186,276,549,525,218,8 |
表11A
非球面常数 | |||||
SRFKC1C2C3C4C5C6SRFKC1C2C3C4C5C6SRFKC1C2C3C4C5C6 | 801,079370E-071,064327E-12-4,566909E-161,905320E-19-1,972022E-238,751032E-283103,738770E-08-3,496492E-123,233016E-16-3,498294E-202,704951E-24-9,856748E-295103,292883E-10-7,254285E-132,476488E-17-1,056859E-214,966804E-26-8,485797E-31 | 1407,669220E-08-1,973038E-112,138994E-15-1,074179E-19-2,090955E-244,279927E-283401,010508E-081,795924E-131,934995E-181,389960E-22-5,289985E-271,320749E-315704,807681E-08-2,265563E-126,703492E-17-1,704146E-214,472968E-26-6,865707E-31 | 190-7,045424E-09-3,066122E-14-4,118337E-183,495758E-22-2,483792E-264,016359E-314203,117477E-08-1,385143E-112,707311E-15-3,351896E-192,318550E-23-7,018917E-286003,409977E-09-3,641765E-122,594792E-16-1,764035E-207,777614E-25-1,797945E-29 | 2201,010508E-081,795924E-131,934995E-181,389960E-22-5,289985E-271,320749E-314608,249850E-08-1,955317E-13-8,022466E-17-1,723197E-20-8,777152E-25-2,800720E-28 | 2503,738770E-08-3,496492E-123,233016E-16-3,498294E-202,704951E-24-9,856748E-294804,142725E-08-2,012061E-121,566310E-171,046236E-223,404661E-25-8,280605E-30 |
表12
表面 | 半径 | 厚度 | 材料 | 折射率(INDEX) | 直径(SEMIDIAM) |
0123456789101112131415161718192021222324252627282930313233343536373839404142434445 | 0,000000210,405327-829,214191107,94842681,561700129,355284-166,84216473,62125387,502326-63,355137-64,795456-65,436171-1 92,744558-246,808133-107,969356-447,790890-133,844748315,857486-1923,797869232,932637-887,9542290,000000102,645236942,36148990,416551149,946360131,782255149,94636090,416551942,361489102,6452360,000000104914,890260219,963934-485,974374531,348627-179,150861-726,299833-143,133378-333,246416149,805913-96,090593224,529027-264,668390-938,629305304,621140 | 35,04068130,7365885,28665451,21160524,18559638,1678010,99763952,81276023,34398318,27498415,65064911,4778411690435548,8287210,99771356,8514740,99755338,3211960,99632143,49717259,994922-177,093526-12,500000-43,357484-12,500000-13,73698313,73698312,50000043,35748412,500000177,093526-60 055220-35,073765-0,997320-33,321196-0,997416-35,974078-0,997789-31,466370-43,619093-9,999074-42,639692-9,998160-13,559760-29,640517-22,447192 | SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2REFLSIO2SIO2REFLSIO2SIO2REFLSIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2 | 1,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,560491 | 61,581,081,682,366,567,565,855,235,438,446,852,669,785,894,9111,1116,8120,8119,7114,0110,580,167,077,879,997,4100,597,479,977,867,075,698,4101,4106,4106,7104,0101,192,987,478,669,370,581,587,393,1 |
464748495051525354555657585960616263 | -943,485170271,215785-456,833471693,683615-281,164030-613,8167990,000000-323,801518567,522747-227,5008312013,736081-127,539619-263,904129-186,455700-223,493619-50,6540880,0000000,000000 | -40,752283-2,888195-43,199885-0,999609-30,395117-6,9798894,747264-45,333595-0,997957-39,940578-0,994433-33,332450-0,995386-17,466462-1,000000-43,114607-1,0015710,000000 | SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2H2O | 1,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,436823 | 115,1119,3132,8133,5132,9131,4128,8131,0129,5115,7111,688,179,475,065,746,120,218,4 |
表12A
非球面常数 | |||||
SRFKC1C2C3C4C5C6SRFKC1C2C3C4C5C6SRFKC1C2C3C4C5C6 | 601,415105E-072,826103E-11-2,796060E-15-2,054534E-202,141589E-232,934466E-27390-2,460699E-087,712743E-13-8,069808E-17-5,118403E-22-4,277639E-251,160028E-295502,382259E-08-8,346810E-131,015704E-165,829694E-226,456340E-26-7,406922E-30 | 150-3,894450E-082,477873E-13-1,083388E-17-9,685453E-224,488758E-26-1,114090E-30400-1,818564E-07-5,379726E-121,480406E-15-1,519056E-191,009523E-23-4,043479E-285809,580994E-08-3,279417E-115,067874E-15-5,784345E-194,554897E-23-1,883439E-27 | 2003,025563E-08-9,725078E-135,264859E-17-2,790853E-211,033038E-25-1,853921E-304209,053886E-08-1,959930E-12-3,377347E-173,600872E-20-8,476096E-243,114715E-28 | 2301,956249E-08-1,254267E-129,958049E-17-1,339908E-201,243181E-24-1,590289E-294602,136533E-086,940713E-13-1,785783E-17-1,433861E-211,884530E-25-8,828841E-30 | 2901,956249E-08-1,254267E-129,958049E-17-1,339908E-201,243181E-24-1,590289E-295303,430277E-082,113104E-13-8,054096E-173,084255E-21-3,491487E-265,775365E-32 |
表13
表面 | 半径 | 厚度 | 材料 | 折射率(INDEX) | 直径(SEMIDIAM) |
01234567891011121314151617181920212223242526272829303132333435363738394041424344454647 | 0,000000187,8732681232,241084208,335351516,062469144,085611104,200976198,091293-192,86111668,89359585,948719-114,007614-76,222967-67,210067-429,663877-265,085106-101,149234-188,336349-125,228059-831,599269-227.7782090,000000-197,5913901113,81409795,8118971585,519591106,142717160,434031144,603311160,434031106,1427171585,51959195,8118971113,814097-197,5913900,000000-227,942708815,467694-130,706498-422,473074-347,973618-187,015492305,312838-96,429310128,506823-306,1175694806,899558230,072868 | 35,00092127,9945700,99990522,69106536,80557311,68413518,90862438,2523612,09908856,88399633,74434222,8219739,2213229,99978910,80950343,9798200,99995761,3819830,99964931,65072170,000634-10,976723-49,195844-282,271651-12,500000-38,490833-12,500000-12,09217812,09217812,50000038,49083312,500000282,27165149,19584410,976723-70,000758-45,666153-8,857490-42,732270-3,774367-10,000122-26,831797-9,999427-63,819408-9,999684-15,977415-32,925545-16,329646 | SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SI02SI02SI02REFLSI02SI02SI02REFLSI02SI02SI02REFLSI02SI02SI02SI02SI02SI02 | 1,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,560491 | 64,084,884,985,884,379,474,474,773,361,640,945,352,253,770,676,785,394,4108,4113,5115,5113,6114,4112,268,981,283,598,0101,898,083,581,268,9112,2114,4113,0113,9111,996,791,087,279,477,767,971,485,189,196,4 |
484950515253545556575859606162636465 | 322,097164252,570224-862,460198448,126973-378,669699730,0878680,000000-454,237341896,710905-281,292658-1508,491985-157,343378-431,549831-227,7482501679,133063-57,9145280,0000000,000000 | -30,272168-1,000013-42,042752-5,878180-51,982596-26,6449940,211836-34,638587-0,999763-31,904925-0,999650-32,737319-0,998214-34,282018-1,000000-47,987219-3,0000000,000000 | SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2H2O | 1,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,436822 | 111,8117,3133,4135,8142,6141,8130,3132,4131,1122,1118,8105,398,896,490,052,224,419,0 |
表13A
非球面常数 | |||||
SRFKC1C2C3C4C5C6SRFKC1C2C3C4C5C6SRFKC1C2C3C4C5C6 | 808,300393E-081,027628E-11-1,162954E-152,985096E-19-2,802134E-231,422951E-273401,023614E-081,645106E-135,476658E-185.702605E-239,144213E-282.477447E-325502,858710E-08-4,529671E-13-2,789924E-172,259110E-21-7,538599E-269,633331E-31 | 190-1,573837E-08-1,239737E-134,333229E-194,074898E-23-1,053291E-263,216727E-31370-2,156946E-087,245612E-13-3,214615E-171,250838E-21-3,654841E-265,939707E-31570-6,660513E-091,798520E-138,149876E-17-5,213396E-22-1,301705E-27-5,575917E-31 | 2201,023614E-081,645106E-135,476658E-185,702605E-239,144213E-282,477447E-323902,940607E-08-3,554065E-122,494890E-16-1,750741E-208,304704E-25-4,233041E-29600-8,504243E-089,820443E-13-5,540310E-171,576819E-20-9,640368E-251,171801E-29 | 2502,221568E-08-1,740421E-128,521877E-17-2,769929E-21-2,436823E-251,867891E-29420-4,027138E-08-8,699926E-121,342629E-15-1,587155E-191,051342E-23-3,667649E-28 | 3102,221568E-08-1,740421E-128,521877E-17-2,769929E-21-2,436823E-251,867891E-294803,236874E-08-3,262283E-132,281353E-172,583318E-22-8,007782E-272,555841E-30 |
表15
表面 | 半径 | 厚度 | 材料 | 折射率(INDEX) | 直径(SEMIDIAM) |
0123456789101112131415161718192021222324252627282930313233343536373839404142434445 | 0,000000180,670546823,598018205,952639398,186838132,286925105,118100169,334381-204,63451571,13719789,028585-109,689407-79,244543-69,719014-486,086468-280,858669-111,752476-263,723959-134,607968-648,995845-239,6236150,000000-176,9820112325,74351498,2605748846,82896491,149491149,955261143,121066149,95526191,1494918846,82896498,2605742325,743514-176,9820110,000000-198,540813-96842,830748-171,973861-310,515975-148,789628-216,223375244,105965-94,244903177,704589-255,547186 | 35,63832828,3770831,19422521,46231832,7421169,99967122,33262639,8949900,99837556,76339328,41182629,99006311,3164789,9994818,90881563,6750560,99917247,4225160,99850728,86775369,998695-9,999382-52,138664-250,507300-12,500000-46,770944-12,500000-18,61444718,61444712,50000046,77094412,500000250,50730052,1386649,999382-69,999093-50,399536-0,998438-30,749387-0,999047-29,674304-29,457017-9,998957-51,985700-9,999140-23,809565 | SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2REFLSIO2SIO2SIO2REFLSIO2SIO2SIO2REFLSIO2SIO2SIO2SIO2SIO2 | 1,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,560491 | 64,586,986,987,986,482,878,478,977,363,542,342,552,955,172,677,095,1107,8113,2116,3118,1115,6117,7115,368,078,680,698,7106,498,780,678,668,0115,3117,7117,4120,7118,2106,4100,992,983,981,668,770,580,1 |
4647484950515253545556575859606162636465 | 1016,476754185,0943671691,382932356,397350-673,758971386,080342-725,7047931177,5761280,000000-296,953200755,844934-413,530408728,550434-253,678570-3840,733691-147,857222-727,362791-54,5888820,0000000,000000 | -31,174795-0,999190-25,547970-45,184652-45,536220-0,998330-34,052538-20,72922019,731628-49,211938-0,996608-40,022653-0,994509-33,049432-0,992017-36,663873-1,000000-41,518373-3,0000000,000000 | SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2H2O | 1,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,436822 | 85,393,0105,3109,5137,5139,3143,2143,2138,3142,1140,3135,6133,1114,4108,691,082,449,425,619,1 |
表15A
非球面常数 | |||||
SRFKC1C2C3C4C5C6SRFKC1C2C3C4C5C6SRFKC1C2C3C4C5C6 | 801,080775E-074,576422E-12-8,540180E-162,711292E-19-3,150111E-231,652368E-273401,195268E-083,137653E-134,990292E-185,081387E-22-1,599365E-266,313609E-31560-5,185154E-081,533838E-12-3,899899E-172,974803E-21-1,127749E-251,290864E-30 | 190-1,359371E-08-1,179706E-13-1,702891E-188,483261E-23-9,645405E-272,669817E-31420-5,071114E-08-7,730551E-121,390231E-15-1,451491E-199,288570E-24-2,767389E-285702,760546E-08-1,425919E-124,438919E-171,556484E-21-7,877661E-263,875637E-31 | 2201,195268E-083,137653E-134,990292E-185,081387E-22-1,599365E-266,313609E-314602,526230E-085,333528E-12-2,388835E-161,259420E-20-1,438626E-244,673358E-296002,284067E-09-5,023236E-124,371011E-16-3,186523E-201,530451E-24-3,713691E-29 | 2501,894952E-08-2,377925E-122,890682E-16-5,626586E-206,907483E-24-3,643846E-284801,948430E-08-3,427570E-128,808674E-17-8,959654E-228,169992E-25-4,150555E-29 | 3101,894952E-08-2,377925E-122,890682E-16-5,626586E-206,907483E-24-3,643846E-28510-7,924272E-09-2,800312E-13-1,107739E-18-6,249802E-223,539057E-26-3,955788E-31 |
表16
表面 | 半径 | 厚度 | 材料 | 折射率(INDEX) | 直径(SEMIDIAM) |
0123456789101112131415161718192021222324252627282930313233343536373839404142434445 | 0,000000176,014829841,641338235,708002435,386108145,827863108,756276172,246858-170,83511369,51977279,357512-105,554185-75,432491-65,960377-458,378416-182,010566-98,619683-298,466841-121,383228-835,480319-214,8801980,000000-181,00373625242,924145102,2729532103,06050893,409938183,538848145,905578183,53884893,4099382103,060508102,27295325242,924145-181,0037360,000000-274,3535541131,690506-183,833011-632,386130-138,532192-189,656554256,989593-92,462677175,417954-239,557458 | 35,00001827,5054893,53944018,99589631,7514539,99773721,24141643,1167681,01173962,98264924,12530728,1517778,9701859,99843615,87926640,2794350,99882353,1352260,99912032,13527781,470423-104,650759-50,001353-247,127318-12,500000-45,023548-12,500000-17,77447617,77447612,50000045,02354812,500000247,12731850,001353104,650759-69,997840-38,229015-0,997876-33,580596-3,643030-34,568737-26,890307-9,998587-50,122191-9,998324-20,895117 | SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2REFLSIO2SIO2SIO2REFLSIO2SIO2SIO2REFLSIO2SIO2SIO2SIO2SIO2 | 1,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,560491 | 61,583,283,384,283,281,577,578,777,562,137,140,150,051,668,174,684,4100,4106,3109,9111,6105,0108,2104,970,679,181,3102,5106,5102,581,379,170,6104,9108,2105,8110,1108,9101,697,686,875,973,964,968,178,3 |
4647484950515253545556575859606162636465 | 893,327075180,3515211793,077203346,025735-587,720308362,715565-802,7768001200,8791630,000000-277,707719708,666176-424,462858920,517618-257,650413-3892,659133-150,518437-815,328045-54,7098950,0000000,000000 | -36,743354-1,580032-23,224027-46,740042-49,840882-0,996413-32,541316-20,61053519,614848-52,291236-0,995494-35,408449-0,994818-33,302544-0,993481-37,001664-1,000000-42,146539-3,0000000,000000 | SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2H2O | 1,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,436822 | 83,592,3102,7107,1138,2139,9143,2143,1138,0141,8139,7134,6131,9115,0109,391,783,249,524,818,4 |
表16A
非球面常数 | |||||
SRFKC1C2C3C4C5C6SRFKC1C2C3C4C5C6SRFKC1C2C3C4C5C6 | 809,477707E-081,961231E-12-4,595943E-162,712352E-19-3.717129E-232,062145E-273408,446555E-092,275492E-13-8,360514E-191,164424E-21-6,873389E-262,030241E-30560-5,466505E-081,620583E-12-3,331287E-172,561164E-21-1,070898E-251,395421E-30 | 190-1,630325E-08-9,812446E-14-1,945238E-182,190264E-22-2,392299E-268,993812E-31420-3,731377E-08-5,506103E-121,183283E-15-1,705010E-191,532771E-23-6,241836E-285703,173474E-08-1,360966E-124,744992E-179,163771E-22-7,066436E-267,159877E-31 | 2208,446555E-092,275492E-13-8,360514E-191,164424E-21-6,873389E-262,030241E-30460-7,541203E-093,280912E-12-1,338960E-16-2,204551E-205,087511E-26-4,751065E-286004,604026E-09-4,261817E-123,289463E-16-2,280425E-209,960289E-25-2,271390E-29 | 2503,545371E-09-6,774437E-134,237596E-17-5,726376E-211,719638E-251,264086E-294803,402805E-08-2,111476E-123,392400E-17-3,518123E-211,006578E-24-2,276157E-29 | 3103,545371E-09-6,774437E-134,237596E-17-5,726376E-211,719638E-251,264086E-29510-7,582220E-09-1,607342E-13-9,929315E-18-4,709955E-224,064977E-265,868799E-31 |
表17
表面 | 半径 | 厚度 | 材料 | 折射率(INDEX) | 直径(SEMIDIAM) |
0123456789101112131415161718192021222324252627282930313233343536373839404142434445 | 0,000000160,3778924339,545820134,501543111,692176176,022408-158,12576670,12795580,899024-104,439732-76,691544-66,201313-449,321456-193,830863-96,808240-309,193570-121,506051-1347,934891-232,9581670,000000-169,601782-2559,59702894,6454502366,72658996,645650158,153978150,128583158,15397896,6456502366,72658994,645450-2559,597028-169,6017820,000000-281,792007657,889902-174,312217-476,477690-123,498799-152,214034230,398053-84,263230148,358426-285,9654681365,214672197,964169 | 35,06217133,91569235,2117529,99683124,34383544,4128511,09794163,28141223,14942028,4936839,3731069,99936412,35638341,8506520,99739553,8798820,99672132,66785169,997839-95,009945-49,964697-244,909101-12,500000-50,185589-12,500000-11,14381511,14381512,50000050,18558912,500000244,90910149,96469795,009945-69,996314-41,385881-0,997396-32,438650-1,935634-34,625674-29,454227-9,988522-42,301978-9,995751-29,500257-52,201213-1,405485 | SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2REFLSIO2SIO2SIO2REFLSIO2SIO2SIO2REFLSIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2 | 1,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,560491 | 61,585,285,083,780,081,079,562,637,439,750,251,969,173,783,6100,4106,4110,7112,2106,8108,4104,770,083,986,5106,9111,0106,986,583,970,0104,7108,4106,9110,8109,7100,195,785,073,471,562,864,276,291,3110,1 |
464748495051525354555657585960616263 | 471,452295209,873148-1186,156898325,015642-2211,8800081353,381133-333,578758664,8530130,000000-436,0819091058,418471-242,9884401737,489827-113,935104-237,094762-53,0087420,0000000,000000 | -43,072393-1,120291-60,630783-0,999174-27,251892-0,997683-60,245043-3,9605002,974292-40,203050-0,974875-46,663567-0,944194-37,162408-1,000000-37,444181-3,0000000,000000 | SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2SIO2H2O | 1,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,5604911,436823 | 120,4130,5155,2157,9162,5163,0162,7160,4153,2152,1149,3127,0120,786,575,148,126,718,4 |
表17A
非球面常数 | |||||
SRFKC1C2C3C4C5C6SRFKC1C2C3C4C5C6SRFKC1C2C3C4C5C6 | 601,567356E-07-1,454311E-12-4,821299E-163,177351E-19-4,247779E-232,417313E-273201,102741E-083,161475E-13-3,234527E-181,863348E-21-1,058278E-253,288177E-30530-4,190276E-081,643663E-12-4,727323E-177,314393E-227,386195E-27-2,389707E-31 | 170-1,504554E-08-1,033827E-13-5,875858E-187,367131E-22-5,690740E-261,690737E-30400-7,623733E-08-2,696128E-121,720996E-15-3,583626E-193,893269E-23-1,781650E-275503,093715E-08-1,212659E-124,234860E-17-1,652445E-215,642952E-26-7,153949E-31 | 2001,102741E-083,161475E-13-3,234527E-181,863348E-21-1,058278E-253,288177E-304405,961950E-082,260719E-121,675440E-179,620913E-21-4,439958E-24-3,165933E-295806,193974E-09-3,507726E-122,841523E-16-1,871154E-207,577332E-25-1,502450E-29 | 2301,329977E-08-6,446967E-132,574587E-172,145483E-21-6,859442E-254,363205E-294604,163425E-08-2,205874E-12-2,145810E-18-9,265446E-211,471307E-24-4,599952E-29 | 2901,329977E-08-6,446967E-132,574587E-172,145483E-21-6,859442E-254,363205E-294901,556511E-08-9,513867E-131,334037E-17-6,577842E-224,785308E-26-1,010940E-30 |
表18
Tab. | Dmax | DM | DM/Dmax | Y′ | NA | NL | NOP | COMP1 | COMP2 | COMP3 |
1 | 256.8 | 235.2 | 0.92 | 14.4 | 1.2 | 23 | 3 | 12.4 | 284.5 | 94.8 |
3 | 252.9 | 243.3 | 0.96 | 14.4 | 1.1 | 25 | 3 | 14.5 | 362.4 | 120.8 |
9 | 270.6 | 230.6 | 0.85 | 16.0 | 1.2 | 28 | 3 | 11.7 | 328.9 | 109.6 |
10 | 277.8 | 236.4 | 0.85 | 16.0 | 1.2 | 28 | 3 | 12.1 | 337.6 | 112.5 |
11 | 293.4 | 197.4 | 0.67 | 16.0 | 1.3 | 27 | 3 | 10.9 | 293.0 | 97.7 |
12 | 267.0 | 201.0 | 0.75 | 16.0 | 1.25 | 27 | 3 | 10.7 | 288.4 | 96.1 |
13 | 285.2 | 203.6 | 0.71 | 16.0 | 1.25 | 27 | 3 | 11.4 | 308.0 | 102.7 |
15 | 286.4 | 212.8 | 0.74 | 16.1 | 1.3 | 27 | 3 | 10.5 | 283.8 | 94.6 |
16 | 286.4 | 213.0 | 0.74 | 15.4 | 1.3 | 27 | 3 | 11.0 | 297.6 | 99.2 |
17 | 326.0 | 222.0 | 0.68 | 15.4 | 1.35 | 26 | 3 | 11.6 | 302.5 | 100.8 |
Claims (63)
1.一种反射折射投影物镜,用于将布置在投影物镜的物面上的图案成像在投影物镜的像面上,具有:
用于物场的成像以形成第一真实的中间图像的第一物镜部分;
利用来自第一物镜部分的辐射产生第二真实的中间图像的第二物镜部分;以及
将第二真实的中间图像成像在像面上的第三物镜部分;其中
第二物镜部分是具有凹面镜的反射折射物镜部分;
提供沿凹面镜的方向偏转来自物面的辐射的第一折叠式反射镜和沿像面的方向偏转来自凹面镜的辐射的第二折叠式反射镜;和
具有正折射本能的场透镜,在接近于第一中间图像的场的区域中,具有正折射本能的场透镜布置在第一中间图像和凹面镜之间。
2.根据权利要求1所述的投影物镜,其中在与边缘光线高度相比图像的主光线高度大的区域中,场透镜布置在至少一个中间图像的光学附近。
3.根据权利要求1所述的投影物镜,其中场透镜是单个透镜。
4.根据权利要求1所述的投影物镜,其中与凹面镜相比,场透镜布置得更接近于第一折叠式反射镜。
5.根据权利要求1所述的投影物镜,其中凹面镜具有一个相关的用于沿凹面镜的方向偏转来自物面的辐射或沿像面的方向偏转来自凹面镜的辐射的折叠式反射镜,以及在光束通过两次的区域中具有正折射本能的场透镜以如下方式几何布置在凹面镜和折叠式反射镜之间:场透镜的第一透镜区域布置在物面和凹面镜之间的射束路径中,以及场透镜的第二透镜区域布置在凹面镜和像面之间的射束路径中。
6.根据权利要求1所述的投影物镜,其中场透镜布置成它不仅布置在第一中间图像的光学附近,而且布置在第二中间图像的光学附近,该第一中间图像位于凹面镜上游的射束路径中,该第二中间图像位于凹面镜下游的射束路径中。
7.根据权利要求1所述的投影物镜,其中场透镜布置在光束通过两次的区域中并具有光束沿第一方向通过的第一透镜区域和光束沿第二方向通过的第二透镜区域,该第一透镜区域和该第二透镜区域至少在透镜的一侧上彼此不重叠。
8.根据权利要求1所述的投影物镜,其中投影物镜具有NA>0.85的像侧数值孔径,以及A≤10mm的像侧工作距离。
9.根据权利要求8所述的投影物镜,其中像侧工作距离在约1mm和约8mm之间。
10.根据权利要求1所述的投影物镜,其采用浸入式物镜的形式以至于具有高折射率的浸入介质在操作期间引入到投影物镜的出射表面和基底的向内耦合表面之间。
11.根据权利要求10所述的投影物镜,其中浸入介质在投影物镜的操作波长处具有折射率n1≥1.3。
12.根据权利要求10所述的投影物镜,其与浸入介质结合具有NA>1的像侧数值孔径。
13.根据权利要求12所述的投影物镜,其中数值孔径是NA≥1,和/或NA≥1.1,和/或NA≥1.2。
14.根据权利要求1所述的投影物镜,其具有两个并且仅有两个真实的中间图像。
15.根据权利要求1所述的投影物镜,其中所有的中间图像布置在折叠式反射镜的附近。
16.根据权利要求1所述的投影物镜,其中所有的中间图像布置在离折叠式反射镜的一段距离处。
17.根据权利要求1所述的投影物镜,其中第三物镜部分是折射的。
18.根据权利要求17所述的投影物镜,其中第三物镜部分具有跟随第二中间图像并具有正折射本能的第一透镜组,直接跟随第一透镜组并且具有负折射本能的第二透镜组,直接跟随第二透镜组并且具有正折射本能的第三透镜组,直接跟随第三透镜组并且具有正折射本能的第四透镜组,以及布置在从第三透镜组至第四透镜组的过渡区域中的系统光阑。
19.根据权利要求18所述的投影物镜,其中第三透镜组具有位于第二透镜组和第三透镜组之间的边缘光线高度的拐点附近的进入表面,没有具有任何实质折射本能的负透镜布置在该进入表面和系统光阑之间。
20.根据权利要求19所述的投影物镜,其中仅正透镜布置在进入表面和像面之间。
21.根据权利要求1所述的投影物镜,其中像面的直接上游的投影物镜的最后一个光学元件是由氟化钙构成的平凸透镜,该平凸透镜具有弯曲的进入表面和基本平面的出射表面。
22.根据权利要求1所述的投影物镜,其中至少一个折叠式反射镜提供在第一物镜部分中,以便在第一物镜部分中光轴折叠至少一次。
23.根据权利要求1所述的投影物镜,其中折叠式反射镜以如下方式布置在至少一个物镜部分中:场透镜布置在折叠式反射镜和最接近折叠式反射镜定位的中间图像之间。
24.根据权利要求1所述的投影物镜,其中两个物镜部分是反射折射的,并且每个包含一个凹面镜。
25.根据权利要求1所述的投影物镜,其中第一物镜部分是反射折射物镜部分,其具有凹面镜和相关的用作第一折叠式反射镜的折叠式反射镜。
26.根据权利要求1所述的投影物镜,其中第一物镜部分是反射折射物镜部分,其具有凹面镜和物理分束器,该物理分束器具有偏振选择分束器表面,该偏振选择分束器表面用作折叠式反射镜并将由该凹面镜反射的辐射与传到第一物镜部分的凹面镜的辐射分开。
27.根据权利要求1所述的投影物镜,其中以如下的方式布置所述的折叠式反射镜:产生从物面行进至凹面镜的第一光束部分和从凹面镜行进至像面的第二光束部分,以及一个折叠式反射镜相对于凹面镜以如下方式布置:在折叠式反射镜上折叠光束部分之一和另一光束部分通过折叠式反射镜而没有任何渐晕,以及第一光束部分和第二光束部分在相交区域中相交。
28.根据权利要求27所述的投影物镜,其中第一折叠式反射镜布置成第一光束部分在第一折叠式反射镜上折叠,第二光束部分通过第一折叠式反射镜而没有任何渐晕。
29.根据权利要求1所述的投影物镜,其具有反射折射物镜部分,该反射折射物镜部分具有凹面镜和与凹面镜相关的将来自物面的辐射偏转到凹面镜的第一折叠式反射镜,
其中提供第二折叠式反射镜用于将从凹面镜反射的辐射偏转到像面,以及第二折叠式反射镜至少部分位于轴向区域中,该轴向区域沿光轴的方向定位在物面和第一折叠式反射镜之间。
30.根据权利要求1所述的投影物镜,其中第一折叠式反射镜具有接近于光轴的内部反射镜边缘,以及中间图像布置在内部反射镜边缘的几何附近。
31.根据权利要求1所述的投影物镜,其设计用于从约120nm和约260nm之间的波长范围的紫外光。
32.一种用于微光刻的投影曝光系统,其具有照明系统和用于将布置在投影物镜的物面上的图案成像在投影物镜的像面上的反射折射投影物镜,该系统具有:
用于物场的成像以形成第一真实的中间图像的第一物镜部分;
利用来自第一物镜部分的辐射产生第二真实的中间图像的第二物镜部分;以及
将第二真实的中间图像成像在像面上的第三物镜部分;其中
投影物镜根据权利要求1进行设计。
33.一种用于制造半导体元件和其他精细构造元件的方法,包括下述步骤:
在反射折射投影物镜的物面的区域中提供具有预定图案的掩模;
利用在预定波长处的紫外光照明掩模;
借助于如权利要求1所述的反射折射投影物镜,将图案的图像投影到布置在投影物镜的像面的区域中的光敏基底上。
34.一种用于制造半导体元件和其他精细构造元件的方法,包括下述步骤:
在反射折射投影物镜的物面的区域中提供具有预定图案的掩模;
利用在预定波长处的紫外光照明掩模;
借助于如权利要求1所述的反射折射投影物镜,将图案的图像投影到布置在投影物镜的像面的区域中的光敏基底上;
其中,在投影期间,光束通过布置在投影物镜的最后一个光学表面和基底之间的浸入介质。
35.一种反射折射投影物镜,用于将布置在投影物镜的物面上的图案成像在投影物镜的像面上,具有:
用于成像物场以形成第一真实的中间图像的第一物镜部分;
利用来自第一物镜部分的辐射产生第二真实的中间图像的第二物镜部分;以及
将第二真实的中间图像成像在像面上的第三物镜部分;其中
第二物镜部分是具有凹面镜的反射折射物镜部分;
提供沿凹面镜的方向偏转来自物面的辐射的第一折叠式反射镜和沿像面的方向偏转来自凹面镜的辐射的第二折叠式反射镜;和
其中投影物镜具有NA>0.85的像侧数值孔径,在接近于第一中间图像的场的区域中,具有正折射本能的场透镜布置在第一中间图像和凹面镜之间。
36.一种反射折射投影物镜,用于将布置在投影物镜的物面上的图案成像在投影物镜的像面上,具有:
用于成像物场以形成第一真实的中间图像的第一物镜部分;
利用来自第一物镜部分的辐射产生第二真实的中间图像的第二物镜部分;以及
将第二真实的中间图像成像在像面上的第三物镜部分;其中
第二物镜部分是具有凹面镜的反射折射物镜部分;
提供沿凹面镜的方向偏转来自物面的辐射的第一折叠式反射镜和沿像面的方向偏转来自凹面镜的辐射的第二折叠式反射镜;和
其中以如下的方式布置第一和第二折叠式反射镜:产生从物面行进至凹面镜的第一光束部分和从凹面镜行进至像面的第二光束部分产生,以及一个折叠式反射镜相对于凹面镜以如下方式来布置:光束部分之一在折叠式反射镜上折叠,另一光束部分通过折叠式反射镜而没有任何渐晕,以及第一光束部分和第二光束部分在相交区域中相交。
37.根据权利要求36所述的投影物镜,其具有NA>0.85的像侧数值孔径。
38.根据权利要求36所述的投影物镜,其中在接近于第一中间图像的场的区域中,具有正折射本能的场透镜布置在第一中间图像和凹面镜之间。
39.根据权利要求1所述的投影物镜,其中横向轴偏移AO限定在由第一物镜部分限定的光轴的第一部分和由第二物镜部分限定并平行于光轴的第一部分排列的光轴的第二部分之间。
物像移动(OIS)限定在物场中心和像场中心之间,
有限的物体中心高度h限定为有效物场的物场中心和光轴的第一部分之间的横向距离,
投影物镜具有放大率β,
以及其中保持下述条件:
0≤OIS≤|h·(1+|β|)
40.根据权利要求39所述的投影物镜,其中保持条件OIS=0。
41.根据权利要求1所述的投影物镜,其中场透镜的折射本能和位置设置成:对于在第一中间图像处的第一主光线方向余弦CRA1,保持下述关系:
|CRA1|<|β1*(YOB)/(LHOA)|
其中β1表示第一物镜部分的放大率,YOB是考虑主光线的最外部场点的物体高度,以及LHOA是从第一中间图像至凹面镜的几何距离(水平轴的长度)。
42.根据权利要求1所述的投影物镜,其中限定在第一中间图像处的第一主光线方向余弦CRA1和在第二中间图像处的第二主光线方向余弦CRA2,以及其中满足下述条件:
|CRA1|<|β1*(YOB)/(LHOA)|
|CRA2|<|β1*(YOB)/(LHOA)|
43.根据权利要求1所述的投影物镜,其中第一物镜部分的第一轴向长度AL1小于第三物镜部分的第三轴向长度AL3,其中轴向长度AL1在物面和光轴与第一折叠式反射镜的交点之间测量,轴向长度AL3在光轴与第二折叠式反射镜的交点和像面之间测量。
44.根据权利要求43所述的投影物镜,其中保持条件AL1/AL3<0.9。
45.根据权利要求1所述的投影物镜,其中中间图像在近轴中间图像的位置和边缘光线中间图像的轴向位置之间限定的中间图像空间中轴向延伸,以及其中没有光学表面定位在中间图像空间中。
46.一种投影物镜,用于将布置在投影物镜的物面上的图案成像在投影物镜的像面上,具有:
第一折射成像物镜部分和至少一个第二折射成像物镜部分,
其中至少一个透镜光学布置在第一和第二成像物镜部分中。
47.一种反射折射投影物镜,用于将布置在投影物镜的物面上的图案成像在投影物镜的像面上,具有:
用于物场的成像以形成第一真实的中间图像的第一物镜部分;
利用来自第一物镜部分的辐射产生第二真实的中间图像的第二物镜部分;以及
将第二真实的中间图像成像在像面上的第三物镜部分;其中
第二物镜部分是具有凹面镜的反射折射物镜部分;
提供沿凹面镜的方向偏转来自物面的辐射或沿像面的方向偏转来自凹面镜的辐射的第一折叠式反射镜;和
在接近于第一中间图像的场的区域中,具有正折射本能的场透镜几何布置在第一折叠式反射镜和凹面镜之间。
48.根据权利要求47所述的投影物镜,其中在光束通过两次的区域中,场透镜以如下的方式几何布置在凹面镜和第一折叠式反射镜之间:场透镜的第一透镜区域布置在物面和凹面镜之间的射束路径中,以及场透镜的第二透镜区域布置在凹面镜和像面之间的射束路径中。
49.根据权利要求47所述的投影物镜,其中横向轴偏移AO限定在由第一物镜部分限定的光轴的第一部分和由第二物镜部分限定并平行于光轴的第一部分排列的光轴的第二部分之间,
物像移动(OIS)限定在物场中心和像场中心之间,
有限的物体中心高度h限定为有效物场的物场中心和光轴的第一部分之间的横向距离,
投影物镜具有放大率β,
以及其中保持下述条件:
0≤OIS≤|h·(1+|β|)。
50.根据权利要求47所述的投影物镜,其中场透镜的折射本能和位置设置成:对于在第一中间图像处的第一主光线方向余弦CRA1,保持下述关系:
|CRA1|<|β1*(YOB)/(LHOA)|
其中β1表示第一物镜部分的放大率,YOB是考虑主光线的最外部场点的物体高度,以及LHOA是从第一中间图像至凹面镜的几何距离(水平轴的长度)。
51.根据权利要求47所述的投影物镜,其中投影物镜具有最大透镜直径DMAX,最大像场高度Y’,像侧数值孔径NA,透镜的数目NL和在中间图像级联的成像物镜部分的数目NOP;其中
COMP1=DMAX/(Y’·NA2)
COMP2=DMAX·NL/(Y’·NA2)
COMP3=DMAX·NL/(NOP·Y’·NA2)
以及其中满足下述至少一个条件:
(1) COMP1<11
(2) COMP2<340
(3) COMP3<110
52.根据权利要求51所述的投影物镜,其中COMP1<11以及COMP2<340。
53.根据权利要求47所述的投影物镜,其中凹面镜具有反射镜直径DM,投影物镜具有最大透镜直径DMAX,以及保持条件DM<0.75*DMAX。
54.根据权利要求47所述的投影物镜,其中投影物镜具有沿凹面镜的方向偏转来自物面的辐射的第一折叠式反射镜和沿像面的方向偏转来自凹面镜的辐射的第二折叠式反射镜。
55.一种反射折射投影物镜,用于将布置在投影物镜的物面上的图案成像在投影物镜的像面上,具有:
用于物场的成像以形成第一真实的中间图像的第一物镜部分;
利用来自第一物镜部分的辐射产生第二真实的中间图像的第二物镜部分,该第二物镜部分是具有凹面镜的反射折射物镜部分;以及
将第二真实的中间图像成像在像面上的第三物镜部分;
沿凹面镜的方向偏转来自物面的辐射或沿像面的方向偏转来自凹面镜的辐射的第一折叠式反射镜;
其中横向轴偏移AO限定在由第一物镜部分限定的光轴的第一部分和由第二物镜部分限定并平行于光轴的第一部分排列的光轴的第二部分之间,
物像移动(OIS)限定在物场中心和像场中心之间,
有限的物体中心高度h限定为有效物场的物场中心和光轴的第一部分之间的横向距离,
投影物镜具有放大率β,
以及其中保持下述条件:
0≤OIS≤|h·(1+|β|)
56.根据权利要求55所述的投影物镜,其中场透镜的折射本能和位置设置成:对于在第一中间图像的第一主光线方向余弦CRA1,保持下述关系:
|CRA1|<|β1*(YOB)/(LHOA)|
其中β1表示第一物镜部分的放大率,YOB是考虑主光线的最外部场点的物体高度,以及LHOA是从第一中间图像至凹面镜的几何距离(水平轴的长度)。
57.根据权利要求55所述的投影物镜,其结合浸入介质具有NA>1的像侧数值孔径。
58.根据权利要求57所述的投影物镜,其中数值孔径是NA≥1.3。
59.根据权利要求55所述的投影物镜,其中在光束通过两次的区域中,具有正折射本能的场透镜以如下方式几何布置在凹面镜和折叠式反射镜之间:场透镜的第一透镜区域布置在物面和凹面镜之间的射束路径中,以及场透镜的第二透镜区域布置在凹面镜和像面之间的射束路径中。
60.根据权利要求55所述的投影物镜,其中投影物镜具有最大透镜直径DMAX,最大像场高度Y’,像侧数值孔径NA,透镜的数目NL和在中间图像级联的成像物镜部分的数目NOP;其中
COMP1=DMAX/(Y’·NA2)
COMP2=DMAX·NL/(Y’·NA2)
COMP3=DMAX·NL/(NOP·Y’·NA2)
以及其中满足下述至少一个条件:
COMP1<11
COMP2<340
COMP3<110
61.根据权利要求60所述的投影物镜,其中COMP1<11以及COMP2<340。
62.一种反射折射投影物镜,用于将布置在投影物镜的物面上的图案成像在投影物镜的像面上,具有:
用于物场的成像以形成第一真实的中间图像的第一物镜部分;
利用来自第一物镜部分的辐射产生第二真实的中间图像的第二物镜部分;以及
将第二真实的中间图像成像在像面上的第三物镜部分;其中
第二物镜部分是具有凹面镜的反射折射物镜部分;和
提供沿凹面镜的方向偏转来自物面的辐射或沿像面的方向偏转来自凹面镜的辐射的第一折叠式反射镜;
其中投影物镜具有最大透镜直径DMAX,最大像场高度Y’,像侧数值孔径NA,透镜的数目NL和在中间图像级联的成像物镜部分的数目NOP;其中
COMP1=DMAX/(Y’·NA2)
COMP2=DMAX·NL/(Y’·NA2)
COMP3=DMAX·NL/(NOP·Y’·NA2)
以及其中满足下述至少一个条件:
COMP1<11
COMP2<340
COMP3<110
63.根据权利要求60所述的投影物镜,其中COMP1<11以及COMP2<340。
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---|---|---|---|
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---|---|
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Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2005800239948A Active CN100483174C (zh) | 2004-05-17 | 2005-05-13 | 具有中间图像的反射折射投影物镜 |
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---|---|
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DE (1) | DE602005003665T2 (zh) |
WO (1) | WO2005111689A2 (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102253464A (zh) * | 2010-05-19 | 2011-11-23 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 投射物镜及投射曝光机 |
CN101755231B (zh) * | 2007-07-19 | 2013-01-16 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 投射物镜 |
Families Citing this family (83)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10503084B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN100568101C (zh) | 2002-11-12 | 2009-12-09 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10261775A1 (de) | 2002-12-20 | 2004-07-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems |
TW201908879A (zh) | 2003-02-26 | 2019-03-01 | 日商尼康股份有限公司 | 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法 |
JP4315198B2 (ja) | 2003-04-11 | 2009-08-19 | 株式会社ニコン | 液浸液体を光学アセンブリ下に維持するリソグラフィ装置及び液浸液体維持方法並びにそれらを用いるデバイス製造方法 |
KR101508809B1 (ko) | 2003-04-11 | 2015-04-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법 |
TWI424470B (zh) | 2003-05-23 | 2014-01-21 | 尼康股份有限公司 | A method of manufacturing an exposure apparatus and an element |
TWI421906B (zh) | 2003-05-23 | 2014-01-01 | 尼康股份有限公司 | An exposure method, an exposure apparatus, and an element manufacturing method |
CN100541717C (zh) | 2003-05-28 | 2009-09-16 | 株式会社尼康 | 曝光方法、曝光装置以及器件制造方法 |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP3401946A1 (en) | 2003-06-13 | 2018-11-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
KR101146962B1 (ko) | 2003-06-19 | 2012-05-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
EP2466382B1 (en) | 2003-07-08 | 2014-11-26 | Nikon Corporation | Wafer table for immersion lithography |
WO2005006416A1 (ja) | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | 結合装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
WO2005006418A1 (ja) | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP2264531B1 (en) | 2003-07-09 | 2013-01-16 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
EP1650787A4 (en) | 2003-07-25 | 2007-09-19 | Nikon Corp | INVESTIGATION METHOD AND INVESTIGATION DEVICE FOR AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM AND METHOD OF MANUFACTURING AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM |
EP1503244A1 (en) | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
EP2264534B1 (en) | 2003-07-28 | 2013-07-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus |
US7779781B2 (en) | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI263859B (en) | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG145780A1 (en) | 2003-08-29 | 2008-09-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and device fabricating method |
KR101748923B1 (ko) | 2003-09-03 | 2017-06-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법 |
WO2005029559A1 (ja) | 2003-09-19 | 2005-03-31 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US8208198B2 (en) | 2004-01-14 | 2012-06-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective |
KR101421398B1 (ko) | 2003-09-29 | 2014-07-18 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법 |
KR101111364B1 (ko) | 2003-10-08 | 2012-02-27 | 가부시키가이샤 자오 니콘 | 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광방법, 디바이스 제조 방법 |
KR20060126949A (ko) | 2003-10-08 | 2006-12-11 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 반송 장치와 기판 반송 방법, 노광 장치와 노광 방법,및 디바이스 제조 방법 |
TW201738932A (zh) | 2003-10-09 | 2017-11-01 | Nippon Kogaku Kk | 曝光裝置及曝光方法、元件製造方法 |
TWI470371B (zh) | 2003-12-03 | 2015-01-21 | 尼康股份有限公司 | An exposure apparatus, an exposure method, an element manufacturing method, and an optical component |
US7466489B2 (en) | 2003-12-15 | 2008-12-16 | Susanne Beder | Projection objective having a high aperture and a planar end surface |
KR101499405B1 (ko) | 2003-12-15 | 2015-03-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법 |
JP5102492B2 (ja) | 2003-12-19 | 2012-12-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ |
US20080151365A1 (en) | 2004-01-14 | 2008-06-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective |
US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
WO2005076321A1 (ja) | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1747499A2 (en) | 2004-05-04 | 2007-01-31 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
KR101213831B1 (ko) | 2004-05-17 | 2012-12-24 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈 |
US7616383B2 (en) | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8605257B2 (en) * | 2004-06-04 | 2013-12-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection system with compensation of intensity variations and compensation element therefor |
WO2005119368A2 (en) | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Carl Zeiss Smt Ag | System for measuring the image quality of an optical imaging system |
EP2966670B1 (en) | 2004-06-09 | 2017-02-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US7463330B2 (en) | 2004-07-07 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
ATE441937T1 (de) | 2004-07-12 | 2009-09-15 | Nikon Corp | Belichtungsgerät und bauelemente- herstellungsverfahren |
DE602005018648D1 (de) * | 2004-07-14 | 2010-02-11 | Zeiss Carl Smt Ag | Katadioptrisches projektionsobjektiv |
EP1801853A4 (en) | 2004-08-18 | 2008-06-04 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
US7701550B2 (en) | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7397533B2 (en) | 2004-12-07 | 2008-07-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2506289A3 (en) | 2005-01-31 | 2013-05-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for manufacturing device |
US8692973B2 (en) | 2005-01-31 | 2014-04-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
US7282701B2 (en) | 2005-02-28 | 2007-10-16 | Asml Netherlands B.V. | Sensor for use in a lithographic apparatus |
USRE43576E1 (en) | 2005-04-08 | 2012-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7649611B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7738188B2 (en) | 2006-03-28 | 2010-06-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective and projection exposure apparatus including the same |
US7920338B2 (en) | 2006-03-28 | 2011-04-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Reduction projection objective and projection exposure apparatus including the same |
DE102006022958A1 (de) * | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage, Projektionsbelichtungsverfahren und Verwendung eines Projektionsobjektivs |
JP5174810B2 (ja) | 2006-06-16 | 2013-04-03 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物器械 |
EP1890191A1 (en) | 2006-08-14 | 2008-02-20 | Carl Zeiss SMT AG | Catadioptric projection objective with pupil mirror |
CN101523294B (zh) * | 2006-08-14 | 2012-08-08 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 具有光瞳镜的反射折射投影物镜、投影曝光设备和方法 |
EP1927890A1 (en) | 2006-11-30 | 2008-06-04 | Carl Zeiss SMT AG | Method of manufacturing a projection objective and projection objective manufactured by that method |
EP1927891A1 (en) * | 2006-11-30 | 2008-06-04 | Carl Zeiss SMT AG | Projection objective with conjugated pupils |
JP5559543B2 (ja) * | 2006-11-30 | 2014-07-23 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 投影対物器械を製造する方法及びこの方法によって製造される投影対物器械 |
CN101578542B (zh) | 2006-12-28 | 2011-06-08 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 具有倾斜偏转镜的折反射投射物镜、投射曝光设备、投射曝光方法以及镜 |
US7929114B2 (en) * | 2007-01-17 | 2011-04-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection optics for microlithography |
JP5165700B2 (ja) | 2007-02-28 | 2013-03-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 瞳補正を有する反射屈折投影対物系 |
DE102008022493A1 (de) * | 2008-05-07 | 2009-11-12 | Carl Zeiss Microlmaging Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum evaneszenten Beleuchten einer Probe |
JP5097166B2 (ja) | 2008-05-28 | 2012-12-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び装置の動作方法 |
US8705170B2 (en) | 2008-08-29 | 2014-04-22 | Nikon Corporation | High NA catadioptric imaging optics for imaging A reticle to a pair of imaging locations |
NL2004483A (nl) * | 2009-05-26 | 2010-11-30 | Asml Holding Nv | Pulse stretcher with reduced energy density on optical components. |
DE102009037077B3 (de) | 2009-08-13 | 2011-02-17 | Carl Zeiss Smt Ag | Katadioptrisches Projektionsobjektiv |
DE102009048553A1 (de) | 2009-09-29 | 2011-03-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Katadioptrisches Projektionsobjektiv mit Umlenkspiegeln und Projektionsbelichtungsverfahren |
DE102009045217B3 (de) | 2009-09-30 | 2011-04-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Katadioptrisches Projektionsobjektiv |
DE102010029651A1 (de) | 2010-06-02 | 2011-12-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit Korrektur von durch rigorose Effekte der Maske induzierten Abbildungsfehlern |
KR20130106408A (ko) * | 2010-10-25 | 2013-09-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 장치, 광학 어셈블리, 물체의 검사 또는 측정 방법, 및 구조체를 제조하는 방법 |
US8724095B2 (en) | 2011-10-25 | 2014-05-13 | Nikon Corporation | Optical assembly for laser radar |
DE102012206153A1 (de) * | 2012-04-16 | 2013-10-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
DE102013219986A1 (de) | 2013-10-02 | 2015-04-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie |
DE102017204619A1 (de) | 2016-04-05 | 2017-10-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsverfahren, Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie |
CN111381346B (zh) * | 2018-12-30 | 2021-05-11 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种光刻投影物镜 |
JPWO2020235145A1 (zh) * | 2019-05-23 | 2020-11-26 | ||
JP2021067834A (ja) * | 2019-10-24 | 2021-04-30 | 興和株式会社 | 光学システム及び投影装置 |
DE102022205255B4 (de) | 2022-05-25 | 2024-02-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Bestimmung einer Mindestanzahl von zu vermessenden Feldpunkten im Bildfeld eines Projektionsobjektivs |
Family Cites Families (429)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2380887A (en) | 1941-05-22 | 1945-07-31 | Taylor Taylor & Hobson Ltd | Optical system |
DE1064734B (de) | 1953-09-23 | 1959-09-03 | Optische Ind De Oude Delft Nv | Optisches Abbildungssystem |
SU124665A1 (ru) | 1959-03-30 | 1959-11-30 | В.А. Панов | Безиммерсионный зеркально-линзовый ахроматический объектив микроскопа |
NL269391A (zh) | 1961-09-19 | |||
DE1447207A1 (de) | 1963-12-21 | 1968-12-05 | Jenaoptik Jena Gmbh | Katadioptrisches Mikroskop-Objektiv |
US3762801A (en) | 1972-02-24 | 1973-10-02 | Polaroid Corp | Compact three component objective lenses |
JPS6019484B2 (ja) | 1975-11-07 | 1985-05-16 | キヤノン株式会社 | 複写用レンズ |
US4293186A (en) | 1977-02-11 | 1981-10-06 | The Perkin-Elmer Corporation | Restricted off-axis field optical system |
US4171871A (en) | 1977-06-30 | 1979-10-23 | International Business Machines Corporation | Achromatic unit magnification optical system |
CH624776A5 (zh) | 1977-12-08 | 1981-08-14 | Kern & Co Ag | |
US4241390A (en) | 1978-02-06 | 1980-12-23 | The Perkin-Elmer Corporation | System for illuminating an annular field |
US4232969A (en) | 1979-05-30 | 1980-11-11 | International Business Machines Corporation | Projection optical system for aligning an image on a surface |
CH651943A5 (de) | 1980-08-16 | 1985-10-15 | Ludvik Dr Canzek | Katadioptrisches objektiv hoher oeffnung. |
JPS5744115A (en) | 1980-08-30 | 1982-03-12 | Asahi Optical Co Ltd | Reflex telephoto zoom lens system |
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
US4391494A (en) | 1981-05-15 | 1983-07-05 | General Signal Corporation | Apparatus for projecting a series of images onto dies of a semiconductor wafer |
US4595295A (en) | 1982-01-06 | 1986-06-17 | International Business Machines Corporation | Alignment system for lithographic proximity printing |
US4469414A (en) | 1982-06-01 | 1984-09-04 | The Perkin-Elmer Corporation | Restrictive off-axis field optical system |
US4443228A (en) | 1982-06-29 | 1984-04-17 | Texaco Inc. | Partial oxidation burner |
US4871237A (en) | 1983-07-27 | 1989-10-03 | Nikon Corporation | Method and apparatus for adjusting imaging performance of projection optical apparatus |
DE3443856A1 (de) | 1983-12-02 | 1985-06-13 | Nippon Kogaku K.K., Tokio/Tokyo | Optisches projektionsgeraet |
GB2153543B (en) | 1983-12-28 | 1988-09-01 | Canon Kk | A projection exposure apparatus |
JPS60184223A (ja) | 1984-03-01 | 1985-09-19 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 反射屈折式望遠レンズ |
US4812028A (en) | 1984-07-23 | 1989-03-14 | Nikon Corporation | Reflection type reduction projection optical system |
US4701035A (en) | 1984-08-14 | 1987-10-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Reflection optical system |
US4834515A (en) | 1984-11-29 | 1989-05-30 | Lockheed Missiles & Space Company, Inc. | Catadioptric imaging system with dioptric assembly of the petzval type |
US4779966A (en) | 1984-12-21 | 1988-10-25 | The Perkin-Elmer Corporation | Single mirror projection optical system |
JPS61156737A (ja) | 1984-12-27 | 1986-07-16 | Canon Inc | 回路の製造方法及び露光装置 |
DE3501594A1 (de) | 1985-01-18 | 1986-07-24 | Planatolwerk Willy Hesselmann Chemische- und Maschinenfabrik für Klebetechnik GmbH & Co KG, 8200 Rosenheim | Schmelzklebstoff zum klebebinden von papierblocks und ableimen fadengehefteter buecher |
US4775613A (en) | 1985-03-30 | 1988-10-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Heat-developable light-sensitive material |
US4610125A (en) | 1985-05-03 | 1986-09-09 | Pemco Inc. | Method and apparatus for confining wrapped reams of paper sheets in cardboard boxes |
US4711535A (en) | 1985-05-10 | 1987-12-08 | The Perkin-Elmer Corporation | Ring field projection system |
DE3518529C1 (de) | 1985-05-23 | 1986-05-07 | Nordischer Maschinenbau Rud. Baader GmbH + Co KG, 2400 Lübeck | Vorrichtung zur Abgabe von pastosem Fuellgut in Portionen |
DE3519388A1 (de) | 1985-05-30 | 1986-12-04 | Linde Ag, 6200 Wiesbaden | Verfahren zum reinigen eines sauerstoff und schwefelverbindungen enthaltenden gasstroms |
DE3520093A1 (de) | 1985-06-05 | 1986-12-11 | Fa. Carl Freudenberg, 6940 Weinheim | Deck- oder einlegesohle |
DE3520327A1 (de) | 1985-06-07 | 1986-12-11 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | 5-amino-4-cyano-1-pyridyl-pyrazole |
DE3520834A1 (de) | 1985-06-11 | 1986-12-11 | Montblanc-Simplo Gmbh, 2000 Hamburg | Magnetisch angetriebene zylinderpumpe |
DE3787035T2 (de) | 1986-03-12 | 1994-03-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optisches Projektionssystem für Präzisionskopien. |
US4757354A (en) | 1986-05-02 | 1988-07-12 | Matsushita Electrical Industrial Co., Ltd. | Projection optical system |
EP0947882B1 (en) | 1986-07-11 | 2006-03-29 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray reduction projection exposure system of reflection type |
US4772107A (en) | 1986-11-05 | 1988-09-20 | The Perkin-Elmer Corporation | Wide angle lens with improved flat field characteristics |
GB2197962A (en) | 1986-11-10 | 1988-06-02 | Compact Spindle Bearing Corp | Catoptric reduction imaging apparatus |
DE68916451T2 (de) | 1988-03-11 | 1994-11-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optisches Projektionssystem. |
US4951078A (en) | 1988-05-16 | 1990-08-21 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Camera system including catadioptric lens and catadioptric lens system used therein |
US4953960A (en) | 1988-07-15 | 1990-09-04 | Williamson David M | Optical reduction system |
US5105075A (en) | 1988-09-19 | 1992-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus |
US5004331A (en) | 1989-05-03 | 1991-04-02 | Hughes Aircraft Company | Catadioptric projector, catadioptric projection system and process |
US5071240A (en) | 1989-09-14 | 1991-12-10 | Nikon Corporation | Reflecting optical imaging apparatus using spherical reflectors and producing an intermediate image |
US5063586A (en) | 1989-10-13 | 1991-11-05 | At&T Bell Laboratories | Apparatus for semiconductor lithography |
US5031977A (en) | 1989-12-27 | 1991-07-16 | General Signal Corporation | Deep ultraviolet (UV) lens for use in a photolighography system |
US5114238A (en) | 1990-06-28 | 1992-05-19 | Lockheed Missiles & Space Company, Inc. | Infrared catadioptric zoom relay telescope |
US5241423A (en) | 1990-07-11 | 1993-08-31 | International Business Machines Corporation | High resolution reduction catadioptric relay lens |
US5089913A (en) | 1990-07-11 | 1992-02-18 | International Business Machines Corporation | High resolution reduction catadioptric relay lens |
US5078502A (en) | 1990-08-06 | 1992-01-07 | Hughes Aircraft Company | Compact afocal reimaging and image derotation device |
US5159172A (en) | 1990-08-07 | 1992-10-27 | International Business Machines Corporation | Optical projection system |
US5052763A (en) | 1990-08-28 | 1991-10-01 | International Business Machines Corporation | Optical system with two subsystems separately correcting odd aberrations and together correcting even aberrations |
US5031976A (en) | 1990-09-24 | 1991-07-16 | Kla Instruments, Corporation | Catadioptric imaging system |
GB9020902D0 (en) | 1990-09-26 | 1990-11-07 | Optics & Vision Ltd | Optical systems,telescopes and binoculars |
US5315629A (en) | 1990-10-10 | 1994-05-24 | At&T Bell Laboratories | Ringfield lithography |
JP3041939B2 (ja) | 1990-10-22 | 2000-05-15 | 株式会社ニコン | 投影レンズ系 |
US5734496A (en) | 1991-06-03 | 1998-03-31 | Her Majesty The Queen In Right Of New Zealand | Lens system |
JP3353902B2 (ja) | 1990-12-12 | 2002-12-09 | オリンパス光学工業株式会社 | 投影レンズ系 |
US5212588A (en) | 1991-04-09 | 1993-05-18 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Reflective optical imaging system for extreme ultraviolet wavelengths |
DE69132160T2 (de) | 1991-07-19 | 2000-09-28 | At & T Corp., New York | Lithographie mit ringförmigen Bildfeld |
JP3085481B2 (ja) | 1991-09-28 | 2000-09-11 | 株式会社ニコン | 反射屈折縮小投影光学系、及び該光学系を備えた露光装置 |
JP3203719B2 (ja) | 1991-12-26 | 2001-08-27 | 株式会社ニコン | 露光装置、その露光装置により製造されるデバイス、露光方法、およびその露光方法を用いたデバイス製造方法 |
US5212593A (en) | 1992-02-06 | 1993-05-18 | Svg Lithography Systems, Inc. | Broad band optical reduction system using matched multiple refractive element materials |
US5353322A (en) | 1992-05-05 | 1994-10-04 | Tropel Corporation | Lens system for X-ray projection lithography camera |
US5220590A (en) | 1992-05-05 | 1993-06-15 | General Signal Corporation | X-ray projection lithography camera |
JP3246615B2 (ja) | 1992-07-27 | 2002-01-15 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、及び露光方法 |
JPH06188169A (ja) | 1992-08-24 | 1994-07-08 | Canon Inc | 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法 |
JPH08500682A (ja) | 1992-08-28 | 1996-01-23 | オプティクス・アンド・ヴィジョン・リミテッド | 双眼鏡及びその他の目視補助機器のための光学系 |
US5477304A (en) | 1992-10-22 | 1995-12-19 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
DE69315314T2 (de) | 1992-12-24 | 1998-03-19 | Nippon Kogaku Kk | Verkleinerndes katadioptrisches Projektionssystem |
US5537260A (en) | 1993-01-26 | 1996-07-16 | Svg Lithography Systems, Inc. | Catadioptric optical reduction system with high numerical aperture |
US5323263A (en) | 1993-02-01 | 1994-06-21 | Nikon Precision Inc. | Off-axis catadioptric projection system |
US6078381A (en) | 1993-02-01 | 2000-06-20 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus |
US5592329A (en) | 1993-02-03 | 1997-01-07 | Nikon Corporation | Catadioptric optical system |
US5401934A (en) | 1993-03-08 | 1995-03-28 | International Business Machines Corporation | Lens system for scanning laser apparatus |
JP3635684B2 (ja) | 1994-08-23 | 2005-04-06 | 株式会社ニコン | 反射屈折縮小投影光学系、反射屈折光学系、並びに投影露光方法及び装置 |
JP3747951B2 (ja) | 1994-11-07 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系 |
JP3747958B2 (ja) | 1995-04-07 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系 |
US5636066A (en) | 1993-03-12 | 1997-06-03 | Nikon Corporation | Optical apparatus |
JPH06331941A (ja) | 1993-05-19 | 1994-12-02 | Olympus Optical Co Ltd | 投影レンズ系 |
US6157497A (en) | 1993-06-30 | 2000-12-05 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
US5410434A (en) | 1993-09-09 | 1995-04-25 | Ultratech Stepper, Inc. | Reflective projection system comprising four spherical mirrors |
US5515207A (en) | 1993-11-03 | 1996-05-07 | Nikon Precision Inc. | Multiple mirror catadioptric optical system |
JP3360387B2 (ja) | 1993-11-15 | 2002-12-24 | 株式会社ニコン | 投影光学系及び投影露光装置 |
JP3396935B2 (ja) | 1993-11-15 | 2003-04-14 | 株式会社ニコン | 投影光学系及び投影露光装置 |
US6084724A (en) | 1993-12-30 | 2000-07-04 | Eastman Kodak Company | Glass coated cemented plastic doublets and method for making |
JP3395801B2 (ja) | 1994-04-28 | 2003-04-14 | 株式会社ニコン | 反射屈折投影光学系、走査型投影露光装置、及び走査投影露光方法 |
DE4417489A1 (de) | 1994-05-19 | 1995-11-23 | Zeiss Carl Fa | Höchstaperturiges katadioptrisches Reduktionsobjektiv für die Miktrolithographie |
US5793473A (en) | 1994-06-09 | 1998-08-11 | Nikon Corporation | Projection optical apparatus for projecting a mask pattern onto the surface of a target projection object and projection exposure apparatus using the same |
US5488229A (en) | 1994-10-04 | 1996-01-30 | Excimer Laser Systems, Inc. | Deep ultraviolet microlithography system |
JPH08166542A (ja) | 1994-10-13 | 1996-06-25 | Nisshin Koki Kk | 反射屈折式光学系及びこれを用いた光学装置 |
JPH08127117A (ja) | 1994-11-02 | 1996-05-21 | Komori Corp | エアシャッタ装置 |
JP3781044B2 (ja) | 1994-11-07 | 2006-05-31 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系および投影露光装置 |
JPH08179204A (ja) | 1994-11-10 | 1996-07-12 | Nikon Corp | 投影光学系及び投影露光装置 |
JP3500745B2 (ja) | 1994-12-14 | 2004-02-23 | 株式会社ニコン | 投影光学系、投影露光装置及び投影露光方法 |
JP3445045B2 (ja) | 1994-12-29 | 2003-09-08 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP3454390B2 (ja) | 1995-01-06 | 2003-10-06 | 株式会社ニコン | 投影光学系、投影露光装置及び投影露光方法 |
US5608526A (en) | 1995-01-19 | 1997-03-04 | Tencor Instruments | Focused beam spectroscopic ellipsometry method and system |
JPH08203812A (ja) | 1995-01-30 | 1996-08-09 | Nikon Corp | 反射屈折縮小投影光学系及び露光装置 |
JP3819048B2 (ja) | 1995-03-15 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 投影光学系及びそれを備えた露光装置並びに露光方法 |
US5757469A (en) | 1995-03-22 | 1998-05-26 | Etec Systems, Inc. | Scanning lithography system haing double pass Wynne-Dyson optics |
IL113350A (en) | 1995-04-12 | 1998-06-15 | State Rafaelel Ministry Of Def | Catadioptric optics working staring detector system |
US6229595B1 (en) | 1995-05-12 | 2001-05-08 | The B. F. Goodrich Company | Lithography system and method with mask image enlargement |
JP3711586B2 (ja) | 1995-06-02 | 2005-11-02 | 株式会社ニコン | 走査露光装置 |
US6512631B2 (en) * | 1996-07-22 | 2003-01-28 | Kla-Tencor Corporation | Broad-band deep ultraviolet/vacuum ultraviolet catadioptric imaging system |
US5650877A (en) | 1995-08-14 | 1997-07-22 | Tropel Corporation | Imaging system for deep ultraviolet lithography |
US5684636A (en) | 1995-08-24 | 1997-11-04 | Lockheed Martin Corporation | Polymer-optical liquid matrix for use as a lens element |
DE29514454U1 (de) | 1995-09-11 | 1995-12-21 | Fett, Helmut, 50968 Köln | Federvorrichtungen an Sattelstangen für Zwei-Dreiräder, insbesondere für Fahrräder, wodurch Stöße von Unebenheiten von Fahrbelägen abgefangen werden |
US5805365A (en) | 1995-10-12 | 1998-09-08 | Sandia Corporation | Ringfield lithographic camera |
JP3624973B2 (ja) | 1995-10-12 | 2005-03-02 | 株式会社ニコン | 投影光学系 |
JP3456323B2 (ja) | 1995-11-01 | 2003-10-14 | 株式会社ニコン | 顕微鏡対物レンズ |
JPH09148241A (ja) | 1995-11-27 | 1997-06-06 | Canon Inc | 走査露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
US5815310A (en) | 1995-12-12 | 1998-09-29 | Svg Lithography Systems, Inc. | High numerical aperture ring field optical reduction system |
JPH09246179A (ja) | 1996-03-13 | 1997-09-19 | Canon Inc | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JPH09251097A (ja) | 1996-03-15 | 1997-09-22 | Nikon Corp | X線リソグラフィー用反射縮小結像光学系 |
JP3750123B2 (ja) | 1996-04-25 | 2006-03-01 | 株式会社ニコン | 投影光学系 |
US5686728A (en) | 1996-05-01 | 1997-11-11 | Lucent Technologies Inc | Projection lithography system and method using all-reflective optical elements |
JP3352325B2 (ja) | 1996-05-21 | 2002-12-03 | キヤノン株式会社 | 走査露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JPH103039A (ja) | 1996-06-14 | 1998-01-06 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JPH103041A (ja) | 1996-06-14 | 1998-01-06 | Nikon Corp | 反射屈折縮小光学系 |
US6157498A (en) | 1996-06-19 | 2000-12-05 | Nikon Corporation | Dual-imaging optical system |
JPH1010431A (ja) | 1996-06-20 | 1998-01-16 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JPH1020195A (ja) | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
US5729376A (en) | 1996-07-01 | 1998-03-17 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Catadioptric multi-functional optical assembly |
US5808814A (en) | 1996-07-18 | 1998-09-15 | Nikon Corporation | Short wavelength projection optical system |
JPH1039217A (ja) | 1996-07-19 | 1998-02-13 | Nisshin Koki Kk | 反射屈折式光学系及びこれを用いた光学装置 |
US5717518A (en) | 1996-07-22 | 1998-02-10 | Kla Instruments Corporation | Broad spectrum ultraviolet catadioptric imaging system |
US5999310A (en) | 1996-07-22 | 1999-12-07 | Shafer; David Ross | Ultra-broadband UV microscope imaging system with wide range zoom capability |
JPH1039208A (ja) | 1996-07-23 | 1998-02-13 | Nikon Corp | 投影光学系 |
JPH1048517A (ja) | 1996-08-07 | 1998-02-20 | Nikon Corp | 投影光学系 |
JP3864399B2 (ja) | 1996-08-08 | 2006-12-27 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び該投影露光装置に用いられる投影光学系並びにデバイス製造方法 |
JPH1079345A (ja) | 1996-09-04 | 1998-03-24 | Nikon Corp | 投影光学系及び露光装置 |
US6631036B2 (en) | 1996-09-26 | 2003-10-07 | Carl-Zeiss-Stiftung | Catadioptric objective |
US6169627B1 (en) | 1996-09-26 | 2001-01-02 | Carl-Zeiss-Stiftung | Catadioptric microlithographic reduction objective |
US5852490A (en) | 1996-09-30 | 1998-12-22 | Nikon Corporation | Projection exposure method and apparatus |
JP3757536B2 (ja) | 1996-10-01 | 2006-03-22 | 株式会社ニコン | 投影光学系及びそれを備えた露光装置並びにデバイス製造方法 |
JP3283767B2 (ja) | 1996-10-02 | 2002-05-20 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
CN1144263C (zh) | 1996-11-28 | 2004-03-31 | 株式会社尼康 | 曝光装置以及曝光方法 |
JP4029182B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
WO1998028665A1 (en) | 1996-12-24 | 1998-07-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device |
US5969882A (en) | 1997-04-01 | 1999-10-19 | Nikon Corporation | Catadioptric optical system |
JP3823436B2 (ja) | 1997-04-03 | 2006-09-20 | 株式会社ニコン | 投影光学系 |
JPH10284408A (ja) | 1997-04-08 | 1998-10-23 | Nikon Corp | 露光方法 |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JPH116957A (ja) | 1997-04-25 | 1999-01-12 | Nikon Corp | 投影光学系および投影露光装置並びに投影露光方法 |
JPH10325922A (ja) | 1997-05-26 | 1998-12-08 | Nikon Corp | 投影光学系 |
US5990926A (en) | 1997-07-16 | 1999-11-23 | Nikon Corporation | Projection lens systems for excimer laser exposure lithography |
US5856884A (en) | 1997-09-05 | 1999-01-05 | Nikon Corporation | Projection lens systems |
US5956192A (en) | 1997-09-18 | 1999-09-21 | Svg Lithography Systems, Inc. | Four mirror EUV projection optics |
JPH1195095A (ja) | 1997-09-22 | 1999-04-09 | Nikon Corp | 投影光学系 |
US5940222A (en) | 1997-10-27 | 1999-08-17 | Wescam Inc. | Catadioptric zoom lens assemblies |
KR20010031779A (ko) | 1997-11-07 | 2001-04-16 | 오노 시게오 | 투영 노광 장치, 투영 노광 방법 및 그 장치의 제조 방법 |
US6199991B1 (en) | 1997-11-13 | 2001-03-13 | U.S. Philips Corporation | Mirror projection system for a scanning lithographic projection apparatus, and lithographic apparatus comprising such a system |
US5920380A (en) | 1997-12-19 | 1999-07-06 | Sandia Corporation | Apparatus and method for generating partially coherent illumination for photolithography |
JPH11214293A (ja) | 1998-01-22 | 1999-08-06 | Nikon Corp | 投影光学系及び該光学系を備えた露光装置並びにデバイス製造方法 |
US6014252A (en) | 1998-02-20 | 2000-01-11 | The Regents Of The University Of California | Reflective optical imaging system |
US6097537A (en) | 1998-04-07 | 2000-08-01 | Nikon Corporation | Catadioptric optical system |
EP1079253A4 (en) | 1998-04-07 | 2004-09-01 | Nikon Corp | DEVICE AND PROCESS FOR PROJECTION EXPOSURE, AND OPTICAL SYSTEM WITH REFLECTION AND REFRACTION |
US6185049B1 (en) | 1998-04-13 | 2001-02-06 | Minolta Co., Ltd. | Zoom lens system |
JPH11316343A (ja) | 1998-05-01 | 1999-11-16 | Nikon Corp | カタディオプトリックレンズ |
US6255661B1 (en) | 1998-05-06 | 2001-07-03 | U.S. Philips Corporation | Mirror projection system for a scanning lithographic projection apparatus, and lithographic apparatus comprising such a system |
US6396067B1 (en) | 1998-05-06 | 2002-05-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Mirror projection system for a scanning lithographic projection apparatus, and lithographic apparatus comprising such a system |
DE19822510A1 (de) | 1998-05-19 | 1999-11-25 | Nikon Corp Intellectual Proper | Katadioptrische Projektionslinsenanordnung |
US7112772B2 (en) | 1998-05-29 | 2006-09-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with adaptive mirror and projection exposure method |
DE19923609A1 (de) | 1998-05-30 | 1999-12-02 | Zeiss Carl Fa | Ringfeld-4-Spiegelsysteme mit konvexem Primärspiegel für die EUV-Lithographie |
EP1293831A1 (en) | 1998-06-08 | 2003-03-19 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
US6142641A (en) | 1998-06-18 | 2000-11-07 | Ultratech Stepper, Inc. | Four-mirror extreme ultraviolet (EUV) lithography projection system |
US5969803A (en) | 1998-06-30 | 1999-10-19 | Nikon Corporation | Large NA projection lens for excimer laser lithographic systems |
US6198576B1 (en) | 1998-07-16 | 2001-03-06 | Nikon Corporation | Projection optical system and exposure apparatus |
DE69933973T2 (de) * | 1998-07-29 | 2007-06-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Katadioptrisches optisches system und damit ausgestattete belichtungsvorrichtung |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
US6451507B1 (en) | 1998-08-18 | 2002-09-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method |
US6213610B1 (en) | 1998-09-21 | 2001-04-10 | Nikon Corporation | Catoptric reduction projection optical system and exposure apparatus and method using same |
JP2000100694A (ja) | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 反射縮小投影光学系、該光学系を備えた投影露光装置および該装置を用いた露光方法 |
WO2000033138A1 (de) | 1998-11-30 | 2000-06-08 | Carl Zeiss | Hochaperturiges projektionsobjektiv mit minimalem blendenfehler |
DE19855108A1 (de) | 1998-11-30 | 2000-05-31 | Zeiss Carl Fa | Mikrolithographisches Reduktionsobjektiv, Projektionsbelichtungsanlage und -Verfahren |
DE19942281A1 (de) | 1999-05-14 | 2000-11-16 | Zeiss Carl Fa | Projektionsobjektiv |
DE19855157A1 (de) | 1998-11-30 | 2000-05-31 | Zeiss Carl Fa | Projektionsobjektiv |
EP1059550A4 (en) | 1998-12-25 | 2003-03-19 | Nikon Corp | REFRACTION REFLECTION IMAGE FORMING SYSTEM AND PROJECTION EXPOSURE APPARATUS INCLUDING THE OPTICAL SYSTEM |
DE59914179D1 (de) | 1999-02-15 | 2007-03-22 | Zeiss Carl Smt Ag | Mikrolithographie-Reduktionsobjektiveinrichtung sowie Projektionsbelichtungsanlage |
US6188513B1 (en) | 1999-03-15 | 2001-02-13 | Russell Hudyma | High numerical aperture ring field projection system for extreme ultraviolet lithography |
US6033079A (en) | 1999-03-15 | 2000-03-07 | Hudyma; Russell | High numerical aperture ring field projection system for extreme ultraviolet lithography |
US6426506B1 (en) | 1999-05-27 | 2002-07-30 | The Regents Of The University Of California | Compact multi-bounce projection system for extreme ultraviolet projection lithography |
US6600550B1 (en) | 1999-06-03 | 2003-07-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, a photolithography method, and a device manufactured by the same |
US6867922B1 (en) | 1999-06-14 | 2005-03-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical system and projection exposure apparatus using the same |
EP1067448B1 (de) | 1999-07-08 | 2009-02-11 | Siemens Aktiengesellschaft | PC-System für Echtzeit- und Nicht-Echtzeitprogramme |
US6361176B1 (en) | 1999-07-09 | 2002-03-26 | Nikon Corporation | Reflection reduction projection optical system |
JP4717974B2 (ja) | 1999-07-13 | 2011-07-06 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系及び該光学系を備える投影露光装置 |
WO2001023933A1 (fr) | 1999-09-29 | 2001-04-05 | Nikon Corporation | Systeme optique de projection |
EP1139138A4 (en) | 1999-09-29 | 2006-03-08 | Nikon Corp | PROJECTION EXPOSURE PROCESS, DEVICE AND OPTICAL PROJECTION SYSTEM |
EP1093021A3 (en) | 1999-10-15 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Projection optical system as well as equipment and methods making use of said system |
US6600608B1 (en) | 1999-11-05 | 2003-07-29 | Carl-Zeiss-Stiftung | Catadioptric objective comprising two intermediate images |
EP1102100A3 (de) | 1999-11-12 | 2003-12-10 | Carl Zeiss | Katadioptrisches Objektiv mit physikalischem Strahlteiler |
US6590715B2 (en) | 1999-12-21 | 2003-07-08 | Carl-Zeiss-Stiftung | Optical projection system |
US7187503B2 (en) | 1999-12-29 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective for immersion lithography |
US6995930B2 (en) * | 1999-12-29 | 2006-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
EP1115019A3 (en) | 1999-12-29 | 2004-07-28 | Carl Zeiss | Projection exposure lens with aspheric elements |
JP2003535356A (ja) | 1999-12-29 | 2003-11-25 | カール・ツアイス・スティフツング・トレーディング・アズ・カール・ツアイス | 非球面レンズ表面が隣接して配置されている投影対物レンズ |
US6621557B2 (en) * | 2000-01-13 | 2003-09-16 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and exposure methods |
TW538256B (en) | 2000-01-14 | 2003-06-21 | Zeiss Stiftung | Microlithographic reduction projection catadioptric objective |
US6285737B1 (en) | 2000-01-21 | 2001-09-04 | Euv Llc | Condenser for extreme-UV lithography with discharge source |
DE10005189A1 (de) * | 2000-02-05 | 2001-08-09 | Zeiss Carl | Projektionsbelichtungsanlage mit reflektivem Retikel |
JP2005233979A (ja) | 2000-02-09 | 2005-09-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JP2001228401A (ja) | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Canon Inc | 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法 |
US7301605B2 (en) | 2000-03-03 | 2007-11-27 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices |
WO2001075501A1 (fr) * | 2000-03-31 | 2001-10-11 | Nikon Corporation | Procede et dispositif de soutien d'un element optique, dispositif optique, appareil d'exposition, et procede de fabrication d'un dispositif |
JP2001343589A (ja) | 2000-03-31 | 2001-12-14 | Canon Inc | 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法 |
US6381077B1 (en) | 2000-04-05 | 2002-04-30 | Ultratech Stepper, Inc. | Scanning microlithographic apparatus and method for projecting a large field-of-view image on a substrate |
US6411426B1 (en) | 2000-04-25 | 2002-06-25 | Asml, Us, Inc. | Apparatus, system, and method for active compensation of aberrations in an optical system |
US7203007B2 (en) | 2000-05-04 | 2007-04-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure machine comprising a projection lens |
JP2001343582A (ja) | 2000-05-30 | 2001-12-14 | Nikon Corp | 投影光学系、当該投影光学系を備えた露光装置、及び当該露光装置を用いたマイクロデバイスの製造方法 |
JP4811623B2 (ja) | 2000-06-14 | 2011-11-09 | 株式会社ニコン | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
JP2002083766A (ja) | 2000-06-19 | 2002-03-22 | Nikon Corp | 投影光学系、該光学系の製造方法、及び前記光学系を備えた投影露光装置 |
JP2002032290A (ja) | 2000-07-13 | 2002-01-31 | Canon Inc | 検査方法及び検査システム |
US6842298B1 (en) | 2000-09-12 | 2005-01-11 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Broad band DUV, VUV long-working distance catadioptric imaging system |
EP1191379B1 (de) * | 2000-09-22 | 2008-03-19 | Leica Microsystems Schweiz AG | Mikrosokop mit einer Handhabe bzw. Handgriff für ein Mikroskop |
JP2002116382A (ja) | 2000-10-05 | 2002-04-19 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
WO2002033467A1 (de) | 2000-10-20 | 2002-04-25 | Carl Zeiss | 8-spiegel-mikrolithographie-projektionsobjektiv |
JP4245286B2 (ja) | 2000-10-23 | 2009-03-25 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置 |
TW573234B (en) | 2000-11-07 | 2004-01-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus and integrated circuit device manufacturing method |
JP2002217095A (ja) | 2000-11-14 | 2002-08-02 | Canon Inc | 露光装置、半導体デバイス製造方法、半導体製造工場及び露光装置の保守方法並びに位置検出装置 |
JP2002151397A (ja) | 2000-11-15 | 2002-05-24 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置及び露光方法 |
JP2004514943A (ja) | 2000-11-28 | 2004-05-20 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | 157nmリソグラフィ用の反射屈折投影系 |
KR100866818B1 (ko) | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
JP2002182116A (ja) | 2000-12-18 | 2002-06-26 | Nikon Corp | 対物レンズ系 |
US7405884B2 (en) * | 2000-12-21 | 2008-07-29 | Olympus Corporation | Optical apparatus |
DE10064685A1 (de) | 2000-12-22 | 2002-07-04 | Zeiss Carl | Lithographieobjektiv mit einer ersten Linsengruppe, bestehend ausschließlich aus Linsen positiver Brechkraft |
EP1344112A2 (de) | 2000-12-22 | 2003-09-17 | Carl Zeiss SMT AG | Projektionsobjektiv |
JP2002208551A (ja) | 2001-01-10 | 2002-07-26 | Nikon Corp | 反射屈折光学系及び投影露光装置 |
DE10104177A1 (de) | 2001-01-24 | 2002-08-01 | Zeiss Carl | Katadioptrisches Reduktionsobjektiv |
JP2002244034A (ja) | 2001-02-21 | 2002-08-28 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
JP2002323652A (ja) | 2001-02-23 | 2002-11-08 | Nikon Corp | 投影光学系,該投影光学系を備えた投影露光装置および投影露光方法 |
JP2002323653A (ja) | 2001-02-23 | 2002-11-08 | Nikon Corp | 投影光学系,投影露光装置および投影露光方法 |
JP2002287023A (ja) | 2001-03-27 | 2002-10-03 | Nikon Corp | 投影光学系、該投影光学系を備えた投影露光装置及び投影露光方法 |
RU2192028C1 (ru) | 2001-04-04 | 2002-10-27 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Инсмат Технология" | Катадиоптрическая система |
DE10120446C2 (de) | 2001-04-26 | 2003-04-17 | Zeiss Carl | Projektionsbelichtungsanlage sowie Verfahren zur Kompensation von Abbildungsfehlern in einer Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere für die Mikro-Lithographie |
US20020163629A1 (en) * | 2001-05-07 | 2002-11-07 | Michael Switkes | Methods and apparatus employing an index matching medium |
US6753947B2 (en) | 2001-05-10 | 2004-06-22 | Ultratech Stepper, Inc. | Lithography system and method for device manufacture |
DE10123230A1 (de) | 2001-05-12 | 2002-11-28 | Zeiss Carl | Diffraktives optisches Element sowie optische Anordnung mit einem diffraktiven optischen Element |
DE10127227A1 (de) | 2001-05-22 | 2002-12-05 | Zeiss Carl | Katadioptrisches Reduktionsobjektiv |
JP4780364B2 (ja) | 2001-06-14 | 2011-09-28 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置 |
EP1403663A1 (en) | 2001-06-15 | 2004-03-31 | Nikon Corporation | Optical member, process for producing the same, and projection aligner |
EP1405309A1 (en) | 2001-06-21 | 2004-04-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical scanning device |
US20030058494A1 (en) | 2001-06-27 | 2003-03-27 | Roberts Kim B. | Control of parameters in a global optical controller |
US6831731B2 (en) * | 2001-06-28 | 2004-12-14 | Nikon Corporation | Projection optical system and an exposure apparatus with the projection optical system |
JP2003015040A (ja) | 2001-07-04 | 2003-01-15 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
US6822805B2 (en) | 2001-07-09 | 2004-11-23 | Olympus Corporation | Objective lens |
US6775063B2 (en) * | 2001-07-10 | 2004-08-10 | Nikon Corporation | Optical system and exposure apparatus having the optical system |
DE10139177A1 (de) | 2001-08-16 | 2003-02-27 | Zeiss Carl | Objektiv mit Pupillenobskuration |
US7136220B2 (en) | 2001-08-21 | 2006-11-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric reduction lens |
TW575904B (en) * | 2001-08-21 | 2004-02-11 | Asml Us Inc | Optical projection for microlithography |
DE10143385C2 (de) | 2001-09-05 | 2003-07-17 | Zeiss Carl | Projektionsbelichtungsanlage |
JP2003114387A (ja) | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Nikon Corp | 反射屈折光学系および該光学系を備える投影露光装置 |
US6821794B2 (en) | 2001-10-04 | 2004-11-23 | Novellus Systems, Inc. | Flexible snapshot in endpoint detection |
DE10151309A1 (de) | 2001-10-17 | 2003-05-08 | Carl Zeiss Semiconductor Mfg S | Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie für Lambda <200 nm |
TW559885B (en) | 2001-10-19 | 2003-11-01 | Nikon Corp | Projection optical system and exposure device having the projection optical system |
US20040075894A1 (en) | 2001-12-10 | 2004-04-22 | Shafer David R. | Catadioptric reduction objective |
EP1456705A2 (de) * | 2001-12-10 | 2004-09-15 | Carl Zeiss SMT AG | Katadioptrisches reduktionsobjektiv |
US7046459B1 (en) | 2001-12-18 | 2006-05-16 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric reductions lens |
AU2002358638A1 (en) | 2001-12-18 | 2003-06-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric reduction lens |
JP2003185920A (ja) | 2001-12-18 | 2003-07-03 | Nikon Corp | 結像光学系及び投影露光装置 |
JP2003233001A (ja) | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005517570A (ja) | 2002-02-14 | 2005-06-16 | コンティネンタル・テーベス・アクチエンゲゼルシヤフト・ウント・コンパニー・オッフェネ・ハンデルスゲゼルシヤフト | 設定された変更可能なブレーキ圧力を調節する方法 |
DE10229249A1 (de) | 2002-03-01 | 2003-09-04 | Zeiss Carl Semiconductor Mfg | Refraktives Projektionsobjektiv mit einer Taille |
KR20040089688A (ko) | 2002-03-01 | 2004-10-21 | 칼 짜이스 에스엠테 아게 | 굴절투사렌즈 |
US7190527B2 (en) | 2002-03-01 | 2007-03-13 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective |
DE10332112A1 (de) | 2003-07-09 | 2005-01-27 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungssystem |
DE10210899A1 (de) * | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
JP4239212B2 (ja) | 2002-03-25 | 2009-03-18 | 株式会社ニコン | 投影光学系、露光装置および露光方法 |
US6912042B2 (en) | 2002-03-28 | 2005-06-28 | Carl Zeiss Smt Ag | 6-mirror projection objective with few lenses |
JP2003297729A (ja) | 2002-04-03 | 2003-10-17 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置および露光方法 |
JP2003307680A (ja) | 2002-04-17 | 2003-10-31 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JP4292497B2 (ja) | 2002-04-17 | 2009-07-08 | 株式会社ニコン | 投影光学系、露光装置および露光方法 |
JP2003309059A (ja) * | 2002-04-17 | 2003-10-31 | Nikon Corp | 投影光学系、その製造方法、露光装置および露光方法 |
DE10304599A1 (de) | 2002-05-13 | 2003-11-27 | Zeiss Carl Smt Ag | Verfahren zur Herstellung von mindestens zwei Projektionsobjektiven |
DE10221386A1 (de) | 2002-05-14 | 2003-11-27 | Zeiss Carl Smt Ag | Projektionsbelichtungssystem |
JP2004023020A (ja) | 2002-06-20 | 2004-01-22 | Nikon Corp | 投影光学系及び縮小投影露光装置 |
JP2004029458A (ja) | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Nikon Corp | 投影光学系及び縮小投影露光装置 |
JP2004029625A (ja) | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置及び露光方法 |
JP2004086128A (ja) | 2002-07-04 | 2004-03-18 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
AU2002316719A1 (en) | 2002-07-17 | 2004-02-09 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | Catadioptric multi-mirror systems for protection lithography |
US20060109559A1 (en) | 2002-07-17 | 2006-05-25 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | Catadioptric multi-mirror systems for projection lithography |
AU2003258519A1 (en) | 2002-07-18 | 2004-02-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective |
US6842277B2 (en) | 2002-07-23 | 2005-01-11 | Nikon Corporation | Deformable mirror with high-bandwidth servo for rigid body control |
US7362508B2 (en) | 2002-08-23 | 2008-04-22 | Nikon Corporation | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
JP2004138926A (ja) | 2002-10-21 | 2004-05-13 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
JP2004252362A (ja) | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2004170869A (ja) | 2002-11-22 | 2004-06-17 | Nikon Corp | 結像光学系、露光装置および露光方法 |
JP2003241099A (ja) | 2002-12-02 | 2003-08-27 | Nikon Corp | 反射屈折投影光学系、並びに投影露光方法及び装置 |
US6731374B1 (en) | 2002-12-02 | 2004-05-04 | Asml Holding N.V. | Beam-splitter optics design that maintains an unflipped (unmirrored) image for a catadioptric lithographic system |
WO2004053534A2 (en) | 2002-12-06 | 2004-06-24 | Newport Corporation | High resolution objective lens assembly |
DE10258718A1 (de) | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
JP2004205698A (ja) | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置および露光方法 |
JP2003233009A (ja) | 2002-12-25 | 2003-08-22 | Nikon Corp | 反射屈折投影光学系、反射屈折光学系、投影露光装置、及び投影露光方法 |
US6879383B2 (en) | 2002-12-27 | 2005-04-12 | Ultratech, Inc. | Large-field unit-magnification projection system |
JP3938040B2 (ja) | 2002-12-27 | 2007-06-27 | キヤノン株式会社 | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
US6813098B2 (en) | 2003-01-02 | 2004-11-02 | Ultratech, Inc. | Variable numerical aperture large-field unit-magnification projection system |
JP4300509B2 (ja) | 2003-01-10 | 2009-07-22 | 株式会社ニコン | 投影光学系、露光装置、および露光方法 |
CN100383660C (zh) | 2003-01-22 | 2008-04-23 | 三洋电机株式会社 | 照明装置和投影型图像显示器 |
JP4328940B2 (ja) | 2003-02-20 | 2009-09-09 | 株式会社ニコン | 投影光学系、露光装置、および露光方法 |
JP2004252358A (ja) | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Canon Inc | 反射型投影光学系及び露光装置 |
US7180658B2 (en) | 2003-02-21 | 2007-02-20 | Kla-Tencor Technologies Corporation | High performance catadioptric imaging system |
JP2004252363A (ja) | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Canon Inc | 反射型投影光学系 |
US8675276B2 (en) | 2003-02-21 | 2014-03-18 | Kla-Tencor Corporation | Catadioptric imaging system for broad band microscopy |
JP2004259844A (ja) | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Nikon Corp | 投影光学系の製造方法、投影光学系、露光装置の製造方法、露光装置、露光方法、および光学系の製造方法 |
KR20050110004A (ko) | 2003-03-17 | 2005-11-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계, 노광 장치, 및 노광 방법 |
DE10316428A1 (de) | 2003-04-08 | 2004-10-21 | Carl Zeiss Smt Ag | Katadioptrisches Reduktionsobjektiv |
JP2004317534A (ja) | 2003-04-11 | 2004-11-11 | Nikon Corp | 反射屈折型の結像光学系、露光装置、および露光方法 |
DE10318805A1 (de) | 2003-04-16 | 2004-11-04 | Carl Zeiss Smt Ag | Katadioptrisches Reduktionsobjektiv mit Polarisationsstrahlteiler |
TWI237307B (en) | 2003-05-01 | 2005-08-01 | Nikon Corp | Optical projection system, light exposing apparatus and light exposing method |
JP2004333761A (ja) | 2003-05-06 | 2004-11-25 | Nikon Corp | 反射屈折型の投影光学系、露光装置、および露光方法 |
KR101647934B1 (ko) | 2003-05-06 | 2016-08-11 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법 |
US7348575B2 (en) | 2003-05-06 | 2008-03-25 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
JP4366990B2 (ja) | 2003-05-08 | 2009-11-18 | 株式会社ニコン | 投影光学系、露光装置及び露光方法 |
US6995833B2 (en) | 2003-05-23 | 2006-02-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2005039211A (ja) | 2003-06-30 | 2005-02-10 | Canon Inc | 投影光学系、露光装置及びデバイスの製造方法 |
US6863403B2 (en) | 2003-05-27 | 2005-03-08 | Ultratech, Inc. | Deep ultraviolet unit-magnification projection optical system and projection exposure apparatus |
JP2004354555A (ja) | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Nikon Corp | 反射屈折型の投影光学系、露光装置および露光方法 |
JP2005003982A (ja) | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置および露光方法 |
WO2005001544A1 (ja) | 2003-06-26 | 2005-01-06 | Nikon Corporation | 光学ユニット、結像光学系、結像光学系の収差調整方法、投影光学系、投影光学系の製造方法、露光装置、および露光方法 |
JP2005017734A (ja) | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
WO2005015316A2 (en) | 2003-08-12 | 2005-02-17 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for microlithography |
US7085075B2 (en) | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
US8208198B2 (en) | 2004-01-14 | 2012-06-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective |
JP2005107362A (ja) | 2003-10-01 | 2005-04-21 | Canon Inc | 投影光学系及び露光装置、デバイスの製造方法 |
JP2005114881A (ja) | 2003-10-06 | 2005-04-28 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置、および露光方法 |
US6906866B2 (en) | 2003-10-15 | 2005-06-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Compact 1½-waist system for sub 100 nm ArF lithography |
JP2007508591A (ja) * | 2003-10-17 | 2007-04-05 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 反射屈折投影対物レンズ |
DE10394297D2 (de) | 2003-10-22 | 2006-07-06 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
EP1690139B1 (en) | 2003-12-02 | 2009-01-14 | Carl Zeiss SMT AG | Projection optical system |
US20070077418A1 (en) | 2003-12-12 | 2007-04-05 | Aizo Sakurai | Pressure sensitive adhesive composition and article |
US7466489B2 (en) | 2003-12-15 | 2008-12-16 | Susanne Beder | Projection objective having a high aperture and a planar end surface |
WO2005106589A1 (en) | 2004-05-04 | 2005-11-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore |
WO2005059654A1 (en) | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Objective as a microlithography projection objective with at least one liquid lens |
JP5102492B2 (ja) | 2003-12-19 | 2012-12-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ |
US7460206B2 (en) | 2003-12-19 | 2008-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for immersion lithography |
US20050185269A1 (en) * | 2003-12-19 | 2005-08-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
JP2005195713A (ja) | 2004-01-05 | 2005-07-21 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置、および露光方法 |
US7463422B2 (en) | 2004-01-14 | 2008-12-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure apparatus |
US20080151365A1 (en) | 2004-01-14 | 2008-06-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective |
US7239450B2 (en) | 2004-11-22 | 2007-07-03 | Carl Zeiss Smt Ag | Method of determining lens materials for a projection exposure apparatus |
CN102169226B (zh) | 2004-01-14 | 2014-04-23 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 反射折射投影物镜 |
EP1716454A1 (en) | 2004-02-09 | 2006-11-02 | Carl Zeiss SMT AG | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
JP2007522508A (ja) | 2004-02-13 | 2007-08-09 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | マイクロリソグラフィック投影露光装置のための投影対物レンズ |
WO2005081030A1 (en) | 2004-02-18 | 2005-09-01 | Corning Incorporated | Catadioptric imaging system for high numerical aperture imaging with deep ultraviolet light |
JP2005257740A (ja) | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置、および露光方法 |
US8064040B2 (en) | 2004-03-30 | 2011-11-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection objective, projection exposure apparatus and reflective reticle for microlithography |
WO2005098504A1 (en) | 2004-04-08 | 2005-10-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging system with mirror group |
KR101213831B1 (ko) | 2004-05-17 | 2012-12-24 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈 |
JP4482874B2 (ja) | 2004-07-02 | 2010-06-16 | 株式会社ニコン | 投影光学系、露光装置、および露光方法 |
DE602005018648D1 (de) | 2004-07-14 | 2010-02-11 | Zeiss Carl Smt Ag | Katadioptrisches projektionsobjektiv |
JP2006113533A (ja) | 2004-08-03 | 2006-04-27 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置、および露光方法 |
JP2006049527A (ja) | 2004-08-03 | 2006-02-16 | Canon Inc | 反射屈折型投影光学系及び当該反射屈折型投影光学系を有する露光装置、デバイス製造方法 |
US7301707B2 (en) | 2004-09-03 | 2007-11-27 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection optical system and method |
JP2006086141A (ja) | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置、および露光方法 |
US7224520B2 (en) | 2004-09-28 | 2007-05-29 | Wavefront Research, Inc. | Compact fast catadioptric imager |
US20060082905A1 (en) | 2004-10-14 | 2006-04-20 | Shafer David R | Catadioptric projection objective with an in-line, single-axis configuration |
US7697198B2 (en) * | 2004-10-15 | 2010-04-13 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective |
JP2006114839A (ja) | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置、および露光方法 |
DE102005045862A1 (de) | 2004-10-19 | 2006-04-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches System für Ultraviolettlicht |
JP2006119244A (ja) | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Canon Inc | 反射屈折型投影光学系及び当該反射屈折型投影光学系を有する露光装置、デバイス製造方法 |
JP2006119490A (ja) | 2004-10-25 | 2006-05-11 | Canon Inc | 反射屈折型投影光学系及び当該反射屈折型投影光学系を有する露光装置、デバイス製造方法 |
US7148953B2 (en) | 2004-11-01 | 2006-12-12 | Ultratech, Inc. | Apochromatic unit-magnification projection optical system |
JP2006138940A (ja) | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Canon Inc | 反射屈折型投影光学系及び投影反射屈折型投影光学系を有する露光装置、デバイス製造方法 |
TW200616043A (en) | 2004-11-10 | 2006-05-16 | Nikon Corp | Optical projection system, exposure apparatus, exposure method and method of fabricating devices |
JP2006147809A (ja) | 2004-11-18 | 2006-06-08 | Canon Inc | 露光装置の投影光学系、露光装置およびデバイスの製造方法 |
KR101244255B1 (ko) | 2004-12-16 | 2013-03-18 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계, 노광 장치, 노광 시스템 및 노광 방법 |
JP2006184709A (ja) | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Nikon Corp | 結像光学系、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
US7957069B2 (en) | 2004-12-30 | 2011-06-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection optical system |
US20060158615A1 (en) | 2005-01-18 | 2006-07-20 | Williamson David M | Catadioptric 1x projection system and method |
SG158922A1 (en) | 2005-01-28 | 2010-02-26 | Nikon Corp | Projection optical system, exposure system, and exposure method |
US7218453B2 (en) | 2005-02-04 | 2007-05-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection system, in particular for a microlithographic projection exposure apparatus |
US20060198018A1 (en) | 2005-02-04 | 2006-09-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging system |
WO2006087978A1 (ja) | 2005-02-15 | 2006-08-24 | Nikon Corporation | 投影光学系、露光装置、およびデバイスの製造方法 |
US20060198029A1 (en) | 2005-03-01 | 2006-09-07 | Karl-Heinz Schuster | Microlithography projection objective and projection exposure apparatus |
JP4779394B2 (ja) | 2005-03-23 | 2011-09-28 | 株式会社ニコン | 投影光学系、露光装置、および露光方法 |
EP1720069A2 (en) | 2005-04-07 | 2006-11-08 | Carl Zeiss SMT AG | Method of manufacturing a projection-optical system |
US20060238732A1 (en) | 2005-04-21 | 2006-10-26 | Mercado Romeo I | High-NA unit-magnification projection optical system having a beamsplitter |
DE102005056721A1 (de) | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsobjektiv mit zentraler Obskuration und Zwischenbildern zwischen den Spiegeln |
EP3232270A3 (en) | 2005-05-12 | 2017-12-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
CN100539020C (zh) | 2005-05-12 | 2009-09-09 | 株式会社尼康 | 投影光学系统、曝光装置及曝光方法 |
DE102006021161A1 (de) | 2005-05-25 | 2006-11-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv insbesondere für die Mirkolithographie |
DE102005024290A1 (de) | 2005-05-27 | 2006-11-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Abbildungssystem, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
US20070013882A1 (en) | 2005-06-07 | 2007-01-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Method of manufacturing projection objectives and set of projection objectives manufactured by that method |
DE102005027099A1 (de) | 2005-06-10 | 2006-12-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Immersionslithographieobjektiv |
WO2006131242A1 (en) | 2005-06-10 | 2006-12-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Multiple-use projection system |
DE102006028242A1 (de) | 2005-07-07 | 2007-01-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
JP2007027438A (ja) | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置、およびデバイスの製造方法 |
GB2428491A (en) | 2005-07-18 | 2007-01-31 | Zeiss Carl Smt Ag | Catadioptric Optical System with Diffractive Optical Element |
DE102005033564A1 (de) | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches System, insbesondere einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage oder eines digitalen Projektionssystems |
WO2007020004A1 (de) | 2005-08-17 | 2007-02-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv und verfahren zur optimierung einer systemblende eines projektionsobjektivs |
WO2007025643A1 (en) | 2005-08-30 | 2007-03-08 | Carl Zeiss Smt Ag | High-na projection objective with aspheric lens surfaces |
JP2007079015A (ja) | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
KR20080043835A (ko) | 2005-09-14 | 2008-05-19 | 칼 짜이스 에스엠테 아게 | 마이크로리소그래피용 노광 시스템의 광학 시스템 |
DE102006038454A1 (de) | 2005-12-23 | 2007-07-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
WO2007071569A1 (en) | 2005-12-23 | 2007-06-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus |
KR20080091182A (ko) | 2006-01-30 | 2008-10-09 | 가부시키가이샤 니콘 | 반사 굴절 결상 광학계, 노광 장치 및 디바이스의 제조방법 |
JP2007206319A (ja) | 2006-02-01 | 2007-08-16 | Nikon Corp | 反射屈折光学系、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
JPWO2007091463A1 (ja) | 2006-02-07 | 2009-07-02 | 株式会社ニコン | 反射屈折結像光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
CN101385123B (zh) | 2006-02-16 | 2010-12-15 | 株式会社尼康 | 投影光学系统、曝光装置及方法、光罩及显示器的制造方法 |
CN102253477B (zh) | 2006-03-20 | 2014-05-28 | 株式会社尼康 | 反射折射投影光学系统、扫描曝光装置、微元件的制造方法 |
US7920338B2 (en) | 2006-03-28 | 2011-04-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Reduction projection objective and projection exposure apparatus including the same |
US7738188B2 (en) | 2006-03-28 | 2010-06-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective and projection exposure apparatus including the same |
JPWO2007114024A1 (ja) | 2006-04-03 | 2009-08-13 | 株式会社ニコン | 投影光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
EP1852745A1 (en) | 2006-05-05 | 2007-11-07 | Carl Zeiss SMT AG | High-NA projection objective |
JP5522520B2 (ja) | 2006-05-05 | 2014-06-18 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 光学レンズ系 |
DE102006022958A1 (de) | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage, Projektionsbelichtungsverfahren und Verwendung eines Projektionsobjektivs |
JP2007305821A (ja) | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
CN100388056C (zh) | 2006-06-02 | 2008-05-14 | 上海微电子装备有限公司 | 一种投影物镜光学系统 |
DE102006028222A1 (de) | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zum Betreiben von Projektionsbelichtungsanlagen und Verwendung eines Projektionsobjektivs |
TW200801578A (en) | 2006-06-21 | 2008-01-01 | Canon Kk | Projection optical system |
CN100492175C (zh) | 2006-07-04 | 2009-05-27 | 上海微电子装备有限公司 | 一种投影光学系统 |
EP1890191A1 (en) | 2006-08-14 | 2008-02-20 | Carl Zeiss SMT AG | Catadioptric projection objective with pupil mirror |
US7557997B2 (en) | 2006-09-28 | 2009-07-07 | Nikon Corporation | Immersion objective optical system, exposure apparatus, device fabrication method, and boundary optical element |
US20080118849A1 (en) | 2006-11-21 | 2008-05-22 | Manish Chandhok | Reflective optical system for a photolithography scanner field projector |
EP1927891A1 (en) | 2006-11-30 | 2008-06-04 | Carl Zeiss SMT AG | Projection objective with conjugated pupils |
EP1927890A1 (en) | 2006-11-30 | 2008-06-04 | Carl Zeiss SMT AG | Method of manufacturing a projection objective and projection objective manufactured by that method |
WO2008087827A1 (ja) | 2007-01-16 | 2008-07-24 | Nikon Corporation | 結像光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
US8665418B2 (en) | 2007-04-18 | 2014-03-04 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2009025737A (ja) | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Canon Inc | 反射屈折型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1936421A1 (en) | 2007-09-18 | 2008-06-25 | Carl Zeiss SMT AG | Catadioptric optical system and catadioptric optical element |
JP2009081304A (ja) | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Canon Inc | 投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2009145724A (ja) | 2007-12-17 | 2009-07-02 | Canon Inc | 投影光学系及びそれを有する露光装置 |
-
2005
- 2005-05-13 KR KR1020067026564A patent/KR101213831B1/ko active IP Right Grant
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Cited By (3)
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CN101755231B (zh) * | 2007-07-19 | 2013-01-16 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 投射物镜 |
CN102253464A (zh) * | 2010-05-19 | 2011-11-23 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 投射物镜及投射曝光机 |
CN102253464B (zh) * | 2010-05-19 | 2014-04-02 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 投射物镜及投射曝光机 |
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