JP4779394B2 - 投影光学系、露光装置、および露光方法 - Google Patents

投影光学系、露光装置、および露光方法 Download PDF

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本発明は、投影光学系、露光装置、および露光方法に関する。さらに詳細には、本発明は、半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等のマイクロデバイスをリソグラフィー工程で製造するために使用される露光装置に好適な投影光学系に関するものである。
近年、パソコンやテレビ等の表示素子として、液晶表示パネルが多用されている。液晶表示パネルは、プレート(ガラス基板)上に透明薄膜電極をフォトリソグラフィの手法で所望の形状にパターンニングすることによって製造される。このフォトリソグラフィ工程のための装置として、マスク上に形成された原画パターンを、投影光学系を介してプレート上のフォトレジスト層に投影露光する露光装置が用いられている(たとえば特許文献1を参照)。
特開2002−72080号公報
なお、最近では、液晶表示パネルの高精細化が一層求められるとともに、画素部分以外に例えばドライバー回路などを同一基板上に製造するようになってきている。このため、露光装置では、投影光学系の解像度の向上(解像力の向上)が求められている。また、スループットの向上のために、投影光学系の有効結像領域(収差が所望の状態に抑えられている結像領域)を大きく確保し、ひいては露光領域(静止露光領域)を大きく確保することが求められている。
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであり、高い解像度および大きな有効結像領域を有し、諸収差が良好に補正された高性能な投影光学系を提供することを目的とする。また、本発明は、高い解像度および大きな有効結像領域を有し、諸収差が良好に補正された高性能な投影光学系を用いて、感光性基板上の大きな露光領域に微細なパターンを高スループットで高精度に投影露光することのできる露光装置および露光方法を提供することを目的とする。
前記課題を解決するために、本発明の第1形態では、物体側から順に、正の屈折力を有する第1レンズ群と、負の屈折力を有する第2レンズ群と、正の屈折力を有する第3レンズ群と、負の屈折力を有する第4レンズ群と、正の屈折力を有する第5レンズ群と、負の屈折力を有する第6レンズ群と、正の屈折力を有する第7レンズ群とを備え、
第1レンズの像側の屈折面の曲率半径をR12とし、前記第1レンズの像側に隣り合う第2レンズの物体側の屈折面の曲率半径をR21とし、前記第1レンズと前記第2レンズとの合成焦点距離をF12とするとき、
|(R12−R21)/F12|<5
の条件を満足する前記第1レンズと前記第2レンズとの組合せを少なくとも1組有し、
前記第1レンズの物体側の屈折面と前記第2レンズの像側の屈折面とは共に、物体側に凹面または凸面を向けていることを特徴とする投影光学系を提供する。
本発明の第2形態では、物体側から順に、正の屈折力を有する第1レンズ群と、負の屈折力を有する第2レンズ群と、正の屈折力を有する第3レンズ群と、負の屈折力を有する第4レンズ群と、正の屈折力を有する第5レンズ群と、負の屈折力を有する第6レンズ群と、正の屈折力を有する第7レンズ群とを備え、
前記第3レンズ群の焦点距離をf3とし、前記第4レンズ群の焦点距離をf4とし、前記第5レンズ群の焦点距離をf5とするとき、
1<|f3/f4|<2
0.5<|f5/f4|<1
の条件を満足することを特徴とする投影光学系を提供する。
本発明の第3形態では、第1形態または第2形態の投影光学系を備え、前記投影光学系の物体面に設定される所定のパターンを前記投影光学系の像面に配置される感光性基板上に投影露光することを特徴とする露光装置を提供する。
本発明の第4形態では、第1形態または第2形態の投影光学系を介して、前記投影光学系の物体面に設定される所定のパターンを前記投影光学系の像面に配置される感光性基板上に投影露光することを特徴とする露光方法を提供する。
本発明の典型的な形態にしたがう投影光学系では、物体側から順に正・負・正・負・正・負・正の屈折力配置を有する7群構成において、所定の条件式(1)を満足する第1レンズと第2レンズとの組合せを少なくとも1組有し、第1レンズの物体側の屈折面と第2レンズの像側の屈折面とが共に物体側に凹面または凸面を向けている。この構成により、色収差の補正および像面湾曲収差の補正を良好に行うことができる。
すなわち、本発明では、高い解像度および大きな有効結像領域を有し、諸収差が良好に補正された高性能な投影光学系を実現することができる。また、本発明の露光装置および露光方法では、高い解像度および大きな有効結像領域を有し、諸収差が良好に補正された高性能な投影光学系を用いているので、感光性基板上の大きな露光領域に微細なパターンを高スループットで高精度に投影露光することができ、ひいては高精度なマイクロデバイスを高スループットで製造することができる。
第1発明の投影光学系では、物体側から順に正・負・正・負・正・負・正の屈折力配置を有する7群構成において、次の条件式(1)を満足する第1レンズと第2レンズとの組合せを少なくとも1組有する。条件式(1)において、R12は第1レンズの像側の屈折面の曲率半径であり、R21は第1レンズの像側に隣り合う第2レンズの物体側の屈折面の曲率半径であり、F12は第1レンズと第2レンズとの合成焦点距離である。
|(R12−R21)/F12|<5 (1)
条件式(1)の上限値を上回ると、第1レンズの像側の屈折面の曲率半径R12と第2レンズの物体側の屈折面の曲率半径R21との差が大きくなり過ぎて、色収差の良好な補正が困難になってしまう。なお、本発明の効果をさらに良好に発揮するには、条件式(1)の上限値を3に設定することが好ましい。
また、第1発明の投影光学系では、第1レンズの物体側の屈折面と第2レンズの像側の屈折面とが共に物体側に凹面または凸面を向けている。この構成により、像面湾曲収差の補正を良好に行うことができ、ひいては像面の良好な平坦性を確保することができる。
第1発明では、第1レンズと第2レンズとの組合せを2組有し、第1の組と第2の組との間の光路中に開口絞りが配置されていることが好ましい。このように、開口絞りを挟んで第1レンズと第2レンズとの組合せを2組配置することにより、色収差の補正機能を第1の組と第2の組とによりできるだけ等分に分担し、他の収差の発生を抑えつつ色収差の補正を良好に行うことができる。特に、第1の組を第2レンズ群中に配置し、第2の組を第6レンズ群中に配置することが好ましい。このように、第1の組と第2の組とを光学系中においてほぼ対称的な位置に配置することにより、色収差の補正をバランス良く行うことができる。
また、第1発明では、第1レンズおよび第2レンズのうちの一方のレンズが正の屈折力を有し、他方のレンズが負の屈折力を有し、一方の正レンズの分散値νpおよび他方の負レンズの分散値νnが、次の条件式(2)を満足することが好ましい。
νn/νp<0.8 (2)
ここで、レンズの分散値νは、次の式(a)により定義される。式(a)において、λcは使用光の中心波長であり、n(λ)は波長λの光に対するレンズの屈折率であり、使用光の波長範囲をλc±Δλとする。
ν={n(λc)−1}/{n(λc−Δλ)−n(λc+Δλ)} (a)
条件式(2)の上限値を上回ると、投影光学系を構成する光学部材(レンズなど)の組み立てに要求される精度が高くなり過ぎるので好ましくない。ちなみに、現存する光学材料では、条件式(2)の最小値は約0.1である。本発明の効果をさらに良好に発揮するには、条件式(2)の上限値を0.6に設定することがさらに好ましい。
第2発明の投影光学系では、物体側から順に正・負・正・負・正・負・正の屈折力配置を有する7群構成において、次の条件式(3)および(4)を満足している。条件式(3)および(4)において、f3は第3レンズ群の焦点距離であり、f4は第4レンズ群の焦点距離であり、f5は第5レンズ群の焦点距離である。
1<|f3/f4|<2 (3)
0.5<|f5/f4|<1 (4)
条件式(3)を満足することにより、第3レンズ群を径方向に大型化することなく、像面の良好な平坦性を確保することができる。同様に、条件式(4)を満足することにより、第5レンズ群を径方向に大型化することなく、像面の良好な平坦性を確保することができる。なお、本発明の効果をさらに良好に発揮するには、条件式(3)の下限値を1.05に設定し、上限値を1.50に設定することが好ましい。また、条件式(4)の下限値を0.55に設定し、上限値を0.80に設定することが好ましい。
なお、第1発明および第2発明では、投影光学系の投影倍率の大きさは1よりも大きいことが好ましい。この構成により、規格化された所定サイズのマスク(レチクル)に対して、大きな有効結像領域を確保し、露光装置の場合には大きな露光領域(静止露光領域)を確保することができる。
また、第1発明および第2発明では、非球面形状に形成された光学面と開口絞りとを有し、次の条件式(5)を満足することが好ましい。条件式(5)において、TDは投影光学系の物体面と像面との距離(物像点間距離)であり、LDは非球面形状の光学面と開口絞りとの光軸に沿った距離である。
LD/TD<0.2 (5)
条件式(5)の上限値を上回ると、軸上収差(球面収差など)を良好に補正することが困難になるので好ましくない。本発明の効果をさらに良好に発揮するには、条件式(5)の上限値を0.15に設定することがさらに好ましい。
本発明の実施形態を、添付図面に基づいて説明する。図1は、本発明の実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。図1において、感光性基板であるプレート(レジストの塗布されたガラス基板)Pの表面の法線方向に沿ってZ軸を、プレートPの面内において図1の紙面に平行な方向にY軸を、プレートPの面内において図1の紙面に垂直な方向にX軸をそれぞれ設定している。
図1に示す露光装置は、たとえば高圧水銀ランプからなる光源1を備えている。光源1は、回転楕円面からなる反射面を有する楕円鏡2の第1焦点位置に位置決めされている。したがって、光源1から射出された照明光束は、楕円鏡2の反射面で反射され、折り曲げミラー3を介して、楕円鏡2の第2焦点位置に光源像を形成する。楕円鏡2の第2焦点位置に形成された光源像からの光束は、コリメートレンズ4によりほぼ平行な光束に変換された後、所望の波長域の光束を選択的に透過させる波長選択フィルター5に入射する。
波長選択フィルター5では、たとえばi線(λ≒365nm)の光だけが選択的に透過する。波長選択フィルター5を介して選択されたi線の光は、オプティカルインテグレータとしてのフライアイレンズ6に入射する。なお、波長選択フィルター5では、たとえばi線の光とg線(λ≒436nm)の光とh線(λ≒405nm)の光とを同時に選択することもできるし、h線の光とi線の光とを同時に選択することもできる。
フライアイレンズ6は、正の屈折力を有する多数のレンズエレメントをその光軸が基準光軸AXと平行になるように縦横に且つ稠密に配列することによって構成されている。フライアイレンズ6を構成する各レンズエレメントは、マスク上において形成すべき照野の形状(ひいてはプレート上において形成すべき露光領域の形状)と相似な矩形状の断面を有する。したがって、フライアイレンズ6に入射した光束は多数のレンズエレメントにより波面分割され、各レンズエレメントの後側焦点面には1つの光源像がそれぞれ形成される。
すなわち、フライアイレンズ6の後側焦点面には、多数の光源像からなる実質的な面光源すなわち二次光源が形成される。フライアイレンズ6の後側焦点面に形成された二次光源からの光束は、その近傍に配置された開口絞り7に入射する。開口絞り7は、後述する投影光学系PLの入射瞳面と光学的にほぼ共役な位置に配置され、二次光源の照明に寄与する範囲を規定するための可変開口部を有する。
開口絞り7は、可変開口部の開口径を変化させることにより、照明条件を決定するσ値(投影光学系の瞳面の開口径に対するその瞳面上での二次光源像の口径の比)を所望の値に設定する。開口絞り7を介した二次光源からの光は、コンデンサー光学系8の集光作用を受けた後、所定のパターンが形成されたマスクMを重畳的に照明する。
こうして、マスクM上には、フライアイレンズ6の各レンズエレメントの断面形状と相似な矩形状の照明領域が形成される。なお、マスクM上に形成される照明領域の形状を規定するための視野絞りとしてのマスクブラインドおよびブラインド結像光学系をコンデンサー光学系8とマスクMとの間の光路中に配置することもできる。マスクMは、マスクホルダ(不図示)を介して、マスクステージMS上においてXY平面(すなわち水平面)に平行に保持されている。
マスクステージMSは、図示を省略した駆動系の作用により、マスクMのパターン面(すなわちXY平面)に沿って二次元的に移動可能であり、その位置座標はマスク干渉計(不図示)によって計測され且つ位置制御されるように構成されている。マスクMのパターンを透過した光は、投影光学系PLを介して、感光性基板であるプレートP上の矩形状の露光領域(静止露光領域)にマスクパターン像を形成する。
プレートPは、プレートホルダ(不図示)を介して、プレートステージPS上においてXY平面に平行に保持されている。プレートステージPSは、図示を省略した駆動系の作用によりプレートPの露光面(すなわちXY平面)に沿って二次元的に移動可能であり、その位置座標はプレート干渉計(不図示)によって計測され且つ位置制御されるように構成されている。こうして、投影光学系PLの光軸AXと直交する平面内においてプレートPを二次元的に駆動制御しながら一括露光またはスキャン露光を行うことにより、プレートPの各露光領域にはマスクMのパターンが逐次露光される。
以下、具体的な数値例に基づいて、本実施形態の投影光学系PLの各実施例を説明する。各実施例において、光源1から供給される露光光の中心波長λcは365.015nmであり、露光光の波長範囲λc±Δλは、365.015nm±3nmである。また、各実施例において、投影光学系PLは、マスク側から順に、正屈折力の第1レンズ群G1と、負屈折力の第2レンズ群G2と、正屈折力の第3レンズ群G3と、負屈折力の第4レンズ群G4と、正屈折力の第5レンズ群G5と、負屈折力の第6レンズ群G6と、正屈折力の第7レンズ群G7とにより構成されている。
また、各実施例において、非球面は、光軸に垂直な方向の高さをyとし、非球面の頂点における接平面から高さyにおける非球面上の位置までの光軸に沿った距離(サグ量)をzとし、頂点曲率半径をrとし、円錐係数をκとし、n次の非球面係数をCnとしたとき、以下の数式(b)で表される。後述の表(1)および表(2)において、非球面形状に形成されたレンズ面には面番号の右側に*印を付している。
z=(y2/r)/[1+{1−(1+κ)・y2/r21/2
+C4・y4+C6・y6+C8・y8+C10・y10
+C12・y12+C14・y14 (b)
[第1実施例]
図2は、本実施形態の第1実施例にかかる投影光学系のレンズ構成を示す図である。図2を参照すると、第1実施例の投影光学系PLにおいて、第1レンズ群G1は、マスク側から順に、マスク側に凸面を向けた負メニスカスレンズL11と、両凸レンズL12と、両凸レンズL13と、両凸レンズL14とにより構成されている。第2レンズ群G2は、マスク側から順に、マスク側に凸面を向けた負メニスカスレンズL21と、プレート側に平面を向けた平凹レンズL22と、両凹レンズL23と、両凸レンズL24とにより構成されている。
第3レンズ群G3は、マスク側から順に、マスク側に平面を向けた平凸レンズL31と、マスク側に凸面を向けた負メニスカスレンズL32と、両凸レンズL33とにより構成されている。第4レンズ群G4は、マスク側から順に、両凹レンズL41と、マスク側に凹面を向けた負メニスカスレンズL42とにより構成されている。第5レンズ群G5は、マスク側から順に、両凸レンズL51と、両凸レンズL52と、マスク側に凸面を向けた正メニスカスレンズL53と、プレート側に非球面形状の凹面を向けた正メニスカスレンズL54とにより構成されている。
第6レンズ群G6は、マスク側から順に、両凸レンズL61と、両凹レンズL62と、マスク側に凸面を向けた負メニスカスレンズL63と、両凹レンズL64と、マスク側に凹面を向けた負メニスカスレンズL65とにより構成されている。第7レンズ群G7は、マスク側から順に、マスク側に凹面を向けた正メニスカスレンズL71と、両凸レンズL72と、両凸レンズL73と、プレート側に平面を向けた平凸レンズL74と、両凹レンズL75とにより構成されている。
第1実施例では、第4レンズ群G4と第5レンズ群G5との間の光路中に開口絞りASが配置されている。また、第2レンズ群G2中の負レンズL23および正レンズL24が条件式(1)を満たす第1レンズおよび第2レンズをそれぞれ構成し、第6レンズ群G6中の正レンズL61および負レンズL62が条件式(1)を満たす第1レンズ(第3レンズ)および第2レンズ(第4レンズ)をそれぞれ構成している。また、レンズL54のプレート側の光学面だけが非球面形状に形成されている。
次の表(1)に、第1実施例にかかる投影光学系の諸元の値を掲げる。表(1)の主要諸元において、λcは露光光の中心波長を、λc±Δλは露光光の波長範囲を、βは投影倍率の大きさを、NAは像側(プレート側)開口数を、Y0は最大像高(イメージフィールド半径)を、TDは全長(マスクMとプレートPとの距離)をそれぞれ表わしている。また、表(1)の光学部材諸元において、面番号はマスク側からの面の順序を、rは各面の曲率半径(非球面の場合には頂点曲率半径:mm)を、dは各面の軸上間隔すなわち面間隔(mm)を、nは露光光の中心波長λcに対する屈折率を、νは各レンズの分散値をそれぞれ示している。上述の表記は、以降の表(2)においても同様である。
表(1)
(主要諸元)
λc=365.015nm
λc±Δλ=365.015nm±3nm
β=1.25
NA=0.145
0=93.5mm
TD=1497.4mm

(光学部材諸元)
面番号 r d n ν
(マスク面) 90.000
1 2991.500 20.000 1.474557 539.4 L11
2 454.006 28.837
3 1246.180 30.370 1.612905 277.6 L12
4 -380.525 1.200
5 609.340 29.980 1.612905 277.6 L13
6 -623.770 1.200
7 536.230 30.149 1.612905 277.6 L14
8 -900.120 1.215
9 1498.890 20.480 1.474557 539.4 L21
10 171.846 36.217
11 -405.369 17.980 1.487604 674.4 L22
12 ∞ 120.802
13 -158.316 18.040 1.612905 277.6 L23
14 359.949 3.411
15 386.986 40.687 1.487604 674.4 L24
16 -298.501 1.180
17 ∞ 39.644 1.474557 539.4 L31
18 -203.040 1.200
19 1077.800 18.157 1.615211 458.7 L32
20 373.239 2.224
21 249.267 38.227 1.474557 539.4 L33
22 -820.100 14.385
23 -278.142 16.056 1.474557 539.4 L41
24 321.607 44.425
25 -186.045 21.005 1.487604 674.4 L42
26 -308.425 0.100
27 ∞ 8.094 AS
28 2991.500 41.832 1.487604 674.4 L51
29 -256.717 1.180
30 548.590 38.440 1.487604 674.4 L52
31 -615.980 1.180
32 225.295 41.772 1.474557 539.4 L53
33 1114.260 5.046
34 334.697 29.000 1.474557 539.4 L54
35* 874.405 1.180
36 247.119 41.145 1.474557 539.4 L61
37 -1027.260 4.078
38 -805.830 19.103 1.612905 277.6 L62
39 130.441 56.212
40 1200.080 17.000 1.487604 674.4 L63
41 254.187 149.989
42 -240.979 16.980 1.474557 539.4 L64
43 1236.890 36.379
44 -159.009 19.980 1.474557 539.4 L65
45 -589.990 1.274
46 -2991.500 32.500 1.615211 458.7 L71
47 -350.988 1.170
48 2935.500 40.409 1.615211 458.7 L72
49 -325.621 1.375
50 444.925 35.037 1.612905 277.6 L73
51 -1757.000 1.170
52 454.745 31.000 1.612905 277.6 L74
53 ∞ 12.813
54 -724.690 21.000 1.474557 539.4 L75
55 340.506 103.918
(プレート面)

(非球面データ)
35面
κ=0
4=0.100542×10-76=−0.932076×10-13
8=0.310716×10-1810=−0.279834×10-22
12=0.966972×10-2714=−0.459243×10-31

(条件式対応値)
R12=359.949mm(レンズL23)
R21=386.986mm(レンズL24)
F12=−420.0mm(レンズL23+L24)
R12=−1027.260mm(レンズL61)
R21=−805.830mm(レンズL62)
F12=−375.2mm(レンズL61+L62)
νn=277.6(レンズL23)
νp=674.4(レンズL24)
νn=277.6(レンズL62)
νp=539.4(レンズL61)
f3=273.5mm
f4=−233.8mm
f5=167.6mm
LD=166.5mm(L54のプレート側の面と開口絞りASとの光軸に沿った距離)
TD=1497.4mm
(1)|(R12−R21)/F12|=0.064(レンズL23,L24)
|(R12−R21)/F12|=0.59(レンズL61,L62)
(2)νn/νp=0.41(レンズL23,L24)
νn/νp=0.51(レンズL61,L62)
(3)|f3/f4|=1.2
(4)|f5/f4|=0.72
(5)LD/TD=0.11
図3は、第1実施例における球面収差、非点収差および歪曲収差を示す図である。図4は、第1実施例における横収差を示す図である。収差図において、NAは像側開口数を、Yは像高を、λcは中心波長365.015nmを、λ+は365.015nm+3nm=368.015nmを、λ−は365.015nm−3nm=362.015nmをそれぞれ示している。この表記は、以降の図6および図7においても同様である。
図3および図4の収差図を参照すると、第1実施例では、投影倍率の大きさが1.25の投影光学系において、0.145という比較的大きな開口数および93.5mmという大きな最大像高(ひいては半径が93.5mmの大きな有効結像領域)を確保しているにもかかわらず、波長幅が365.015nm±3nmの露光光に対して色収差を含む諸収差が良好に補正されていることがわかる。
[第2実施例]
図5は、本実施形態の第2実施例にかかる投影光学系のレンズ構成を示す図である。図5を参照すると、第2実施例の投影光学系PLにおいて、第1レンズ群G1は、マスク側から順に、両凹レンズL11と、マスク側に凹面を向けた正メニスカスレンズL12と、マスク側に凹面を向けた正メニスカスレンズL13と、両凸レンズL14と、両凸レンズL15とにより構成されている。第2レンズ群G2は、マスク側から順に、マスク側に凸面を向けた負メニスカスレンズL21と、両凹レンズL22と、両凹レンズL23と、両凸レンズL24とにより構成されている。
第3レンズ群G3は、マスク側から順に、マスク側に凹面を向けた正メニスカスレンズL31と、マスク側に凸面を向けた負メニスカスレンズL32と、両凸レンズL33とにより構成されている。第4レンズ群G4は、マスク側から順に、両凹レンズL41と、マスク側に凹面を向けた負メニスカスレンズL42とにより構成されている。第5レンズ群G5は、マスク側から順に、両凸レンズL51と、両凸レンズL52と、マスク側に凸面を向けた正メニスカスレンズL53とにより構成されている。
第6レンズ群G6は、マスク側から順に、両凸レンズL61と、マスク側に非球面形状の凹面を向けた両凹レンズL62と、両凹レンズL63と、両凹レンズL64と、マスク側に凹面を向けた負メニスカスレンズL65とにより構成されている。第7レンズ群G7は、マスク側から順に、両凸レンズL71と、両凸レンズL72と、両凸レンズL73と、両凸レンズL74と、両凹レンズL75とにより構成されている。
第2実施例においても第1実施例と同様に、第4レンズ群G4と第5レンズ群G5との間の光路中に開口絞りASが配置されている。また、第2レンズ群G2中の負レンズL23および正レンズL24が条件式(1)を満たす第1レンズおよび第2レンズをそれぞれ構成し、第6レンズ群G6中の正レンズL61および負レンズL62が条件式(1)を満たす第1レンズ(第3レンズ)および第2レンズ(第4レンズ)をそれぞれ構成している。また、第2実施例では第1実施例とは異なり、レンズL62のマスク側の光学面だけが非球面形状に形成されている。次の表(2)に、第2実施例にかかる投影光学系の諸元の値を掲げる。
表(2)
(主要諸元)
λc=365.015nm
λc±Δλ=365.015nm±3nm
β=1.25
NA=0.145
0=93.5mm
TD=1467.4mm

(光学部材諸元)
面番号 r d n ν
(マスク面) 98.166
1 -515.440 20.000 1.486770 674.3 L11
2 441.879 49.746
3 -2754.777 25.000 1.612455 277.8 L12
4 -479.314 1.000
5 -3803.357 27.000 1.612455 277.8 L13
6 -432.388 1.000
7 513.713 41.493 1.615668 457.8 L14
8 -561.673 1.000
9 336.429 38.334 1.615668 457.8 L15
10 -1254.692 1.000
11 1250.992 18.500 1.486770 674.3 L21
12 173.544 41.006
13 -449.405 16.000 1.486770 674.3 L22
14 1089.169 96.623
15 -155.210 16.000 1.612455 277.8 L23
16 357.998 3.421
17 382.732 35.478 1.486770 674.3 L24
18 -396.072 1.000
19 -945.864 38.456 1.474589 539.8 L31
20 -174.673 1.000
21 234.987 16.000 1.615668 457.8 L32
22 175.089 2.000
23 169.239 44.018 1.486770 674.3 L33
24 -898.327 27.563
25 -265.673 14.000 1.486770 674.3 L41
26 233.217 39.922
27 -159.459 22.000 1.486770 674.3 L42
28 -275.154 5.000
29 ∞ 6.108 AS
30 1109.193 35.652 1.486770 674.3 L51
31 -229.312 1.000
32 285.793 31.477 1.474589 539.8 L52
33 -2326.435 1.000
34 269.278 30.000 1.474589 539.8 L53
35 2616.409 1.000
36 220.548 35.323 1.486770 674.3 L61
37 -1086.627 2.000
38* -2400.000 25.000 1.612455 277.8 L62
39 136.673 103.432
40 -28251.501 17.000 1.486770 674.3 L63
41 304.255 98.887
42 -252.411 16.000 1.486770 674.3 L64
43 1600.319 33.630
44 -166.914 18.500 1.486770 674.3 L65
45 -513.665 1.000
46 5490.031 31.289 1.615668 457.8 L71
47 -380.628 1.000
48 2854.987 40.000 1.615668 457.8 L72
49 -322.995 1.000
50 528.441 31.054 1.612455 277.8 L73
51 -1802.582 1.000
52 351.299 34.309 1.612455 277.8 L74
53 -3954.016 12.941
54 -646.284 20.000 1.474589 539.8 L75
55 274.709 96.098
(プレート面)

(非球面データ)
38面
κ=0
4=−0.218742×10-76=0.511447×10-12
8=−0.448411×10-1810=−0.197050×10-21
12=0 C14=0

(条件式対応値)
R12=357.998mm(レンズL23)
R21=382.732mm(レンズL24)
F12=−339.3mm(レンズL23+L24)
R12=−1086.627mm(レンズL61)
R21=−2400.000mm(レンズL62)
F12=−600.5mm(レンズL61+L62)
νn=277.8(レンズL23)
νp=674.3(レンズL24)
νn=277.8(レンズL62)
νp=674.3(レンズL61)
f3=211.6mm
f4=−189.9mm
f5=172.5mm
LD=143.6mm(L62のマスク側の面と開口絞りASとの光軸に沿った距離)
TD=1467.4mm
(1)|(R12−R21)/F12|=0.073(レンズL23,L24)
|(R12−R21)/F12|=2.2(レンズL61,L62)
(2)νn/νp=0.41(レンズL23,L24)
νn/νp=0.41(レンズL61,L62)
(3)|f3/f4|=1.1
(4)|f5/f4|=0.91
(5)LD/TD=0.098
図6は、第2実施例における球面収差、非点収差および歪曲収差を示す図である。図7は、第2実施例における横収差を示す図である。図6および図7の収差図を参照すると、第2実施例においても第1実施例と同様に、投影倍率の大きさが1.25の投影光学系において、0.145という比較的大きな開口数および93.5mmという大きな最大像高(ひいては半径が93.5mmの大きな有効結像領域)を確保しているにもかかわらず、波長幅が365.015nm±3nmの露光光に対して色収差を含む諸収差が良好に補正されていることがわかる。
こうして、各実施例では、波長幅が365.015nm±3nmの露光光に対して、像側開口数NA=0.145を確保するとともに、半径(最大像高)が93.5mmの有効結像領域(イメージサークル)内において、たとえば132mm×132mmの正方形状の露光領域内にマスクパターンを高い解像度で且つ高スループットで一括露光することができる。あるいは、たとえば153.75mm×105.87mmの矩形状の静止露光領域を確保して、たとえば105.87mm×153.75mmの矩形状の露光領域内にマスクパターンを高い解像度で且つ高スループットでスキャン露光(走査露光)することができる。
なお、図1に示す実施形態における各光学部材および各ステージ等を前述したような機能を達成するように、電気的、機械的または光学的に連結することにより、本実施形態にかかる露光装置を組み上げることができる。次に、図1に示す露光装置では、プレート(ガラス基板)上に所定のパターン(回路パターン、電極パターン等)を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることができる。以下、図8のフローチャートを参照して、このときの手法の一例につき説明する。
図8において、パターン形成工程401では、本実施形態の露光装置を用いてマスク(レチクル)のパターンを感光性基板(レジストが塗布されたガラス基板等)に転写露光する、所謂光リソグラフィー工程が実行される。この光リソグラフィー工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルター形成工程402へ移行する。
次に、カラーフィルター形成工程402では、R(Red)、G(Green)、B(Blue)に対応した3つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、またはR、G、Bの3本のストライプのフィルターの組を複数水平走査線方向に配列したカラーフィルターを形成する。そして、カラーフィルター形成工程402の後に、セル組み立て工程403が実行される。
セル組み立て工程403では、パターン形成工程401にて得られた所定パターンを有する基板、およびカラーフィルター形成工程402にて得られたカラーフィルター等を用いて液晶パネル(液晶セル)を組み立てる。セル組み立て工程403では、例えば、パターン形成工程401にて得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルター形成工程402にて得られたカラーフィルターとの間に液晶を注入して、液晶パネル(液晶セル)を製造する。
その後、モジュール組み立て工程404にて、組み立てられた液晶パネル(液晶セル)の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する液晶表示素子をスループット良く得ることができる。
また、図1に示す実施形態にかかる露光装置を用いて感光性基板としてのウェハ等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得ることもできる。以下、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につき図9のフローチャートを参照して説明する。
先ず、図9のステップ301において、1ロットのウェハ上に金属膜が蒸着される。次のステップ302において、その1ロットのウェハ上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップ303において、図1に示す露光装置を用いて、マスク(レチクル)上のパターンの像がその投影光学系PLを介して、その1ロットのウェハ上の各ショット領域に順次露光転写される。
その後、ステップ304において、その1ロットのウェハ上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップ305において、その1ロットのウェハ上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスク上のパターンに対応する回路パターンが、各ウェハ上の各ショット領域に形成される。その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する半導体デバイスをスループット良く得ることができる。
なお、上述の実施形態では、露光光としてi線の光を用いる例を示しているが、例えば光源として超高圧水銀ランプを用い、g線のみ、h線のみ、g線とh線、h線とi線、g線とh線とi線を露光光として用いることもできる。また、248nmの光を供給するKrFエキシマレーザ、193nmの光を供給するArFエキシマレーザなどの適当な光源を用いることもできる。
本発明の実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。 本実施形態の第1実施例にかかる投影光学系のレンズ構成を示す図である。 第1実施例における球面収差、非点収差および歪曲収差を示す図である。 第1実施例における横収差を示す図である。 本実施形態の第2実施例にかかる投影光学系のレンズ構成を示す図である。 第2実施例における球面収差、非点収差および歪曲収差を示す図である。 第2実施例における横収差を示す図である。 マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得る際の手法の一例について、そのフローチャートを示す図である。 マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例について、そのフローチャートを示す図である。
符号の説明
1 光源
2 楕円鏡
4 コリメートレンズ
5 波長選択フィルター
6 フライアイレンズ
7 開口絞り
8 コンデンサー光学系
M マスク
MS マスクステージ
P プレート
PS プレートステージ
PL 投影光学系
G1〜G7 第1〜第7レンズ群
AS 開口絞り
Li 各レンズ

Claims (6)

  1. 物体側から順に、正の屈折力を有する第1レンズ群と、負の屈折力を有する第2レンズ群と、正の屈折力を有する第3レンズ群と、負の屈折力を有する第4レンズ群と、正の屈折力を有する第5レンズ群と、負の屈折力を有する第6レンズ群と、正の屈折力を有する第7レンズ群とを備え、
    前記第1レンズ群の最も前記第2レンズ群側のレンズは両凸レンズであり、前記第2レンズ群の最も前記第3レンズ群側のレンズは両凸レンズで、該両凸レンズに隣り合う物体側のレンズは両凹レンズであり、前記第3レンズ群の最も前記第4レンズ群側のレンズは両凸レンズであり、前記第4レンズ群の最も前記第5レンズ群側のレンズは負メニスカスレンズであり、前記第5レンズ群の最も前記第6レンズ群側のレンズは正メニスカスレンズであり、前記第6レンズ群の最も前記第7レンズ群側のレンズは負メニスカスレンズであり、
    前記第2レンズ群は離間して配置された第1レンズと第2レンズとを含み、前記第1レンズは両凹レンズであり、前記第2レンズは両凸レンズであり、
    前記第6レンズ群は離間して配置された第3レンズと第4レンズとを含み、前記第3レンズは両凸レンズであり、前記第4レンズは両凹レンズであり、
    前記第4レンズ群と前記第5レンズ群との間には開口絞りが配置され、
    前記第1レンズの像側の屈折面の曲率半径をR12とし、前記第1レンズの像側に隣り合う前記第2レンズの物体側の屈折面の曲率半径をR21とし、前記第1レンズと前記第2レンズとの合成焦点距離をF12とし、前記第3レンズの像側の屈折面の曲率半径をR32とし、前記第3レンズの像側に隣り合う前記第4レンズの物体側の屈折面の曲率半径をR41とし、前記第3レンズと前記第4レンズとの合成焦点距離をF34とするとき、
    |(R12−R21)/F12|<5
    |(R32−R41)/F34|<5
    の条件を満足し、
    使用光の中心波長をλcとし、前記使用光の波長範囲をλc±Δλとし、波長λの光に対するレンズの屈折率をn(λ)とし、当該レンズの分散値νを、
    ν={n(λc)−1}/{n(λc−Δλ)−n(λc+Δλ)}
    と定義し、前記第2レンズの分散値をνp1とし、前記第1レンズの分散値をνn1とし、前記第3レンズの分散値をνp2とし、前記第4レンズの分散値をνn2とするとき、
    νn1/νp1<0.8
    νn2/νp2<0.8
    の条件を満足することを特徴とする投影光学系。
  2. 前記第3レンズ群の焦点距離をf3とし、前記第4レンズ群の焦点距離をf4とし、前記第5レンズ群の焦点距離をf5とするとき、
    1<|f3/f4|<2
    0.5<|f5/f4|<1
    の条件を満足することを特徴とする請求項1に記載の投影光学系。
  3. 前記投影光学系の投影倍率の大きさは1よりも大きいことを特徴とする請求項1または2に記載の投影光学系。
  4. 非球面形状に形成された光学面を有し、
    前記投影光学系の物体面と像面との距離をTDとし、前記光学面と前記開口絞りとの光軸に沿った距離をLDとするとき、
    LD/TD<0.2
    の条件を満足することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の投影光学系。
  5. 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の投影光学系を備え、前記投影光学系の物体面に設定される所定のパターンを前記投影光学系の像面に配置される感光性基板上に投影露光することを特徴とする露光装置
  6. 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の投影光学系を介して、前記投影光学系の物体面に設定される所定のパターンを前記投影光学系の像面に配置される感光性基板上に投影露光することを特徴とする露光方法
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