WO2007086220A1

WO2007086220A1 - 反射屈折結像光学系、露光装置、およびデバイスの製造方法

Info

Publication number: WO2007086220A1
Application number: PCT/JP2006/325711
Authority: WO
Inventors: Yasuhiro Omura
Original assignee: Nikon Corporation
Priority date: 2006-01-30
Filing date: 2006-12-25
Publication date: 2007-08-02
Also published as: EP1980890A4; JPWO2007086220A1; EP1980890B1; KR20080091182A; US7990609B2; EP1980890A1; US20090027768A1

Abstract

　高次非球面形状の反射面および往復光学素子を用いることなく諸収差が良好に補正された高開口数の反射屈折結像光学系。第１面（Ｒ）の像を第２面（Ｗ）上に形成する本発明の反射屈折結像光学系は、第１面からの光に基づいて第１面の第１中間像を形成する第１結像系（Ｇ１）と、２つの凹面反射鏡（ＣＭ２１，ＣＭ２２）を有し、第１中間像からの光に基づいて第１面の第２中間像を形成する第２結像系（Ｇ２）と、第２中間像からの光に基づいて第１面の最終像を第２面上に形成する第３結像系（Ｇ３）とにより構成されている。２つの凹面反射鏡は、長偏球面状の反射面を有する。

Description

明細書

反射屈折結像光学系、露光装置、およびデバイスの製造方法

技術分野

[0001] 本発明は、反射屈折結像光学系、露光装置、およびデバイスの製造方法に関し、特に半導体素子や液晶表示素子などのマイクロデバイスをフォトリソグラフイエ程で製造する際に使用される露光装置に好適な投影光学系に関するものである。

背景技術

[0002] 半導体素子等を製造するためのフォトリソグラフイエ程にぉ、て、マスク (またはレチクル)のパターン像を、投影光学系を介して、感光性基板 (フォトレジストが塗布されたウェハ、ガラスプレート等)上に投影露光する露光装置が使用されている。露光装置では、半導体素子等の集積度が向上するにつれて、投影光学系に要求される解像力 (解像度)が益々高まってヽる。投影光学系の解像力に対する要求を満足するには、照明光 (露光光)の波長えを短くするとともに、投影光学系の像側開口数 NA を大きくする必要がある。そこで、投影光学系と感光性基板との間の光路中に屈折率の高い液体のような媒質を満たすことにより像側開口数の増大を図る液浸技術が知られている。

[0003] 一般に、像側開口数の大きな投影光学系では、液浸系に限定されることなく乾燥系にお、ても、ペッツバール条件を成立させて像の平坦性を得ると、う観点力反射屈折結像光学系の採用が望ましぐあらゆる微細パターンへの対応力の観点力有効視野 (ひ!ヽては有効結像領域)が光軸を含まな!/ヽ軸外視野型の結像光学系の採用が望ましい。従来、露光装置に好適な軸外視野型の反射屈折結像光学系として、 2枚の反射鏡を含む 3回結像型の光学系が提案されている（特許文献 1を参照)。

[0004] 特許文献 1：国際公開第 WO2005Z069055号パンフレット

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0005] 特許文献 1に開示された従来の反射屈折結像光学系では、軸外視野と光軸とを大きく離間させる必要がなぐ矩形状の有効結像領域を確保することが容易である。しかしながら、特許文献 1の従来技術では、第 2結像系の瞳の球面収差を補正するために、第 2結像系中を構成する反射鏡に高次非球面を用いるか、第 2結像系中の 2 つの反射鏡間に往復光学素子 (光線が複数回入射出する光学素子)を用いて!/、る。これは、第 2結像系の瞳面において第 1結像系と第 3結像系とでは補償できないほど大きな瞳の球面収差が発生して、ると、テレセントリシティおよびディストーション (歪曲収差)を十分に補正することが困難になるからである。

[0006] 一般に、高次非球面を加工する際の面計測技術は煩雑であり、高次非球面形状の反射面を有する反射鏡を高精度に製造することは困難である。また、反射面は屈折面に比して、波面収差への寄与が約 4倍であり、フレア光量への寄与が約 13倍である。したがって、反射面として高次非球面を用いる構成は、たとえば lOOnm以下の解像力を実現するための光リソグラフィには好ましくない。一方、第 2結像系中の 2つの反射鏡間に往復光学素子が介在する構成では、光が往復光学素子を 3回透過するため、往復光学素子の露光光の吸収に起因して光学系の結像性能が大きく変動し易い。また、大きな露光領域 (有効結像領域)を確保しょうとすると、往復光学素子が大型化しし易ぐひいては光学系が大型化し易い。

[0007] 本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであり、高次非球面形状の反射面および往復光学素子を用いることなく諸収差が良好に補正された高開口数の反射屈折結像光学系を提供することを目的とする。また、本発明は、諸収差が良好に補正された高開口数の反射屈折結像光学系を用いて、微細パターンを忠実に且つ高精度に投影露光することのできる露光装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

[0008] 前記課題を解決するために、本発明の第 1形態では、第 1面の像を第 2面上に形成する反射屈折結像光学系において、前記第 1面からの光に基づいて前記第 1面の第 1中間像を形成する第 1結像系と、 2つの凹面反射鏡を有し、前記第 1中間像からの光に基づいて前記第 1面の第 2中間像を形成する第 2結像系と、前記第 2中間像からの光に基づいて前記第 1面の最終像を前記第 2面上に形成する第 3結像系とにより構成され、前記 2つの凹面反射鏡のうちの少なくとも 1つの凹面反射鏡は、長偏球面状の反射面を有することを特徴とする反射屈折結像光学系を提供する。なお、本発明でいう長偏球面 (prolate spheroid)とは、光軸上に長軸がある回転楕円面であつて、後述の数式 (b)で当該長偏球面を表現するときに円錐係数 _Kが— 1く _Κく 0となるある。

[0009] 本発明の第 2形態では、第 1面の像を第 2面上に形成する反射屈折結像光学系において、前記第 1面からの光に基づいて前記第 1面の第 1中間像を形成する第 1結像系と、 2つの凹面反射鏡を有し、前記第 1中間像力の光に基づいて前記第 1面の第 2中間像を形成する第 2結像系と、前記第 2中間像からの光に基づいて前記第 1 面の最終像を前記第 2面上に形成する第 3結像系とにより構成され、前記 2つの凹面反射鏡は、互いに同じ形状の反射面を有することを特徴とする反射屈折結像光学系を提供する。

[0010] 本発明の第 3形態では、第 1面の像を第 2面上において光軸力も離れた領域のみに形成する軸外視野型の反射屈折結像光学系において、 2つの曲面状の反射鏡と複数の屈折光学素子とを備え、前記 2つの曲面状の反射鏡のうちの少なくとも 1つの曲面状の反射鏡は、長偏球面状の反射面を有することを特徴とする反射屈折結像光学系を提供する。本発明の第 4形態では、前記第 1面に設定された所定のパターンからの光に基づいて、前記パターンの像を前記第 2面に設定された感光性基板上に投影するための第 1形態〜第 3形態の反射屈折結像光学系を備えていることを特徴とする露光装置を提供する。本発明の第 5形態では、第 4形態の露光装置を用いて前記所定のパターンを前記感光性基板に露光する露光工程と、前記露光工程を経た前記感光性基板を現像する現像工程とを含むことを特徴とするデバイスの製造方法を提供する。

発明の効果

[0011] 本発明の典型的な態様によれば、 3回結像型の反射屈折結像光学系において、第 2結像系が長偏球面状の反射面を有する 2つの凹面反射鏡により構成されている。そして、第 1凹面反射鏡の長偏球面状の反射面は、一方の焦点が第 1結像系の瞳位置に位置し、他方の焦点が第 2結像系の瞳位置に位置するように配置されている。また、第 2凹面反射鏡の長偏球面状の反射面は、一方の焦点が第 3結像系の瞳位置に位置し、他方の焦点が第 2結像系の瞳位置に位置するように配置されている。 [0012] こうして、本発明では、高次非球面形状の反射面および往復光学素子を用いることなぐ瞳の球面収差の発生を実質的に抑えて、テレセントリシティおよびディストーションを含む諸収差が良好に補正された高開口数の反射屈折結像光学系を実現することができる。また、本発明の露光装置では、諸収差が良好に補正された高開口数の反射屈折結像光学系を用いて、微細パターンを忠実に且つ高精度に投影露光することができ、ひいては良好なデバイスを高精度に製造することができる。

図面の簡単な説明

[0013] [図 1]本発明の実施形態に力かる露光装置の構成を概略的に示す図である。

[図 2]ウェハ上に形成される静止露光領域と光軸との位置関係を示す図である。

[図 3]各実施例における境界レンズとウェハとの間の構成を示す図である。

[図 4]第 1実施例にカゝかる投影光学系のレンズ構成を示す図である。

[図 5]第 2実施例にカゝかる投影光学系のレンズ構成を示す図である。

[図 6]第 3実施例にカゝかる投影光学系のレンズ構成を示す図である。

[図 7]第 4実施例にカゝかる投影光学系のレンズ構成を示す図である。

[図 8]第 1実施例の投影光学系における横収差を示す図である。

[図 9]第 2実施例の投影光学系における横収差を示す図である。

[図 10]第 3実施例の投影光学系における横収差を示す図である。

[図 11]第 4実施例の投影光学系における横収差を示す図である。

[図 12]各実施例におけるディストーションを示す図である。

[図 13]各実施例におけるテレセントリシティの誤差を示す図である。

[図 14]本実施形態の作用および効果を概略的に説明する図である。

[図 15]半導体デバイスを得る際の手法のフローチャートである。

[図 16]液晶表示素子を得る際の手法のフローチャートである。

符号の説明

[0014] R レチクノレ

PL 投影光学系

Lb 境界レンズ

Lp 平行平面板 Lm 純水（液体）

W ウェハ

1 照明光学系

14 主制御系

発明を実施するための最良の形態

[0015] 本発明の実施形態を、添付図面に基づいて説明する。図 1は、本発明の実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。図 1では、 X軸および Y軸がゥェハ Wに対して平行な方向に設定され、 Z軸がウェハ Wに対して直交する方向に設定されている。さらに具体的には、 XY平面が水平面に平行に設定され、 +Z軸が鉛直方向に沿って上向きに設定されている。本実施形態の露光装置は、図 1に示すように、たとえば露光光源である ArFエキシマレーザ光源を含み、オプティカル 'インテグレータ (ホモジナイザー）、視野絞り、コンデンサレンズ等力構成される照明光学系 1 を備えている。

[0016] 光源力も射出された波長 193nmの紫外パルス光力もなる露光光 (露光ビーム) IL は、照明光学系 1を通過し、レチクル (マスク) Rを照明する。レチクル Rには転写すベきパターンが形成されており、パターン領域全体のうち X方向に沿って長辺を有し且つ Y方向に沿って短辺を有する矩形状 (スリット状)のパターン領域が照明される。レチクル Rを通過した光は、液浸型の反射屈折結像光学系である投影光学系 PLを介して、フォトレジストが塗布されたウェハ (感光性基板) W上の露光領域に所定の縮小投影倍率でレチクルパターンを形成する。すなわち、レチクル R上での矩形状の照明領域に光学的に対応するように、ウェハ W上では X方向に沿って長辺を有し且つ Y 方向に沿って短辺を有する矩形状の静止露光領域 (実効露光領域；有効結像領域）にパターン像が形成される。

[0017] 図 2は、本実施形態においてウェハ上に形成される矩形状の静止露光領域 (すなわち実効露光領域)と光軸との位置関係を示す図である。本実施形態では、図 2に示すように、光軸 AXを中心とした半径 Bを有する円形状の領域 (イメージサークル) I F内において、光軸 AXから Y方向に軸外し量 Aだけ離れた位置に所望の大きさを有する矩形状の実効露光領域 ERが設定されている。ここで、実効露光領域 ERの X方向の長さは LXであり、その Y方向の長さは LYである。したがって、図示を省略したが、レチクル R上では、矩形状の実効露光領域 ERに対応して、光軸 AXから Y方向に軸外し量 Aに対応する距離だけ離れた位置に実効露光領域 ERに対応した大きさおよび形状を有する矩形状の照明領域 (すなわち実効照明領域)が形成されていることになる。

[0018] レチクル Rはレチクルステージ RST上において XY平面に平行に保持され、レチクルステージ RSTにはレチクル Rを X方向、 Y方向および回転方向に微動させる機構が組み込まれている。レチクルステージ RSTは、レチクルレーザ干渉計（不図示）によって X方向、 Y方向および回転方向の位置がリアルタイムに計測され、且つ制御される。ウェハ Wは、ウェハホルダ（不図示）を介して Zステージ 9上において XY平面に平行に固定されている。また、 Zステージ 9は、投影光学系 PLの像面と実質的に平行な XY平面に沿って移動する XYステージ 10上に固定されており、ウェハ Wのフォーカス位置 (Z方向の位置）および傾斜角を制御する。 Zステージ 9は、 Zステージ 9上に設けられた移動鏡 12を用いるウェハレーザ干渉計 13によって X方向、 Y方向および回転方向の位置がリアルタイムに計測され、且つ制御される。

[0019] また、 XYステージ 10は、ベース 11上に載置されており、ウェハ Wの X方向、 Y方向および回転方向を制御する。一方、本実施形態の露光装置に設けられた主制御系 1 4は、レチクルレーザ干渉計により計測された計測値に基づ!/、てレチクル Rの X方向、 Y方向および回転方向の位置の調整を行う。即ち、主制御系 14は、レチクルステージ RSTに組み込まれてヽる機構に制御信号を送信し、レチクルステージ RSTを微動させることによりレチクル Rの位置調整を行う。また、主制御系 14は、オートフォーカス方式及びオートレべリング方式によりウェハ W上の表面を投影光学系 PLの像面に合わせ込むため、ウェハ Wのフォーカス位置（Z方向の位置）および傾斜角の調整を行う。即ち、主制御系 14は、ウェハステージ駆動系 15に制御信号を送信し、ウエノ、ステージ駆動系 15により Zステージ 9を駆動させることによりウェハ Wのフォーカス位置および傾斜角の調整を行う。

[0020] 更に、主制御系 14は、ウェハレーザ干渉計 13により計測された計測値に基づいてウェハ Wの X方向、 Y方向および回転方向の位置の調整を行う。即ち、主制御系 14 は、ウェハステージ駆動系 15に制御信号を送信し、ウェハステージ駆動系 15により X Yステージ 10を駆動させることによりウェハ Wの X方向、 Y方向および回転方向の位置調整を行う。露光時には、主制御系 14は、レチクルステージ RSTに組み込まれている機構に制御信号を送信すると共に、ウェハステージ駆動系 15に制御信号を送信し、投影光学系 PLの投影倍率に応じた速度比でレチクルステージ RSTおよび XYステージ 10を駆動させつつ、レチクル Rのパターン像をウェハ W上の所定のショット領域内に投影露光する。その後、主制御系 14は、ウェハステージ駆動系 15に制御信号を送信し、ウエノ、ステージ駆動系 15により XYステージ 10を駆動させることによりゥェハ W上の別のショット領域を露光位置にステップ移動させる。

[0021] このように、ステップ'アンド'スキャン方式によりレチクル Rのパターン像をウェハ W 上に走査露光する動作を繰り返す。すなわち、本実施形態では、ウェハステージ駆動系 15およびウェハレーザ干渉計 13などを用いてレチクル Rおよびウェハ Wの位置制御を行いながら、矩形状の静止露光領域および静止照明領域の短辺方向すなわち Y方向に沿ってレチクルステージ RSTと XYステージ 10とを、ひ!、てはレチクル尺とウェハ Wとを同期的に移動（走査）させることにより、ウェハ W上には静止露光領域の長辺 LXに等し、幅を有し且つウェハ Wの走査量 (移動量）に応じた長さを有する領域に対してレチクルパターンが走査露光される。

[0022] 図 3は、本実施形態の各実施例における境界レンズとウェハとの間の構成を模式的に示す図である。本実施形態の第 1実施例、第 2実施例、第 3実施例および第 4実施例では、図 3 (a)に示すように、境界レンズ Lbとウェハ Wとの間の光路が液体 Lmで満たされている。本実施形態の第 3実施例では、図 3 (b)に示すように、平行平面板 Lp とウェハ Wとの間の光路および境界レンズ Lbと平行平面板 Lpとの間の光路が液体 L mで満たされている。第 3実施例では、図 1に示すように、第 1給排水機構 21を用いて平行平面板 Lpとウェハ Wとの間の光路中において液体 Lmとしての純水を循環させ、第 2給排水機構 22を用いて境界レンズ Lbと平行平面板 Lpとの間の光路中において液体 Lmとしての純水を循環させている。第 1実施例、第 2実施例、第 3実施例および第 4実施例では、図示を省略した給排水機構を用いて、境界レンズ Lbとウエノ、 Wとの間の光路中にお、て液体 Lmとしての純水を循環させて!/、る。 [0023] 本実施形態の各実施例において、非球面は、光軸に垂直な方向の高さを yとし、非球面の頂点における接平面力高さ yにおける非球面上の位置までの光軸に沿った距離 (サグ量)を zとし、頂点曲率半径を rとし、円錐係数を _Kとし、 η次の非球面係数を Cとしたとき、以下の数式 (b)で表される。後述の表（1)〜(4)において、非球面形状に形成された光学面には面番号の右側に *印を付している。

z= (yVr) /[l + { l - (l + _K ) -y²/r²}^{1 2}] +C -y⁴+C -y⁶

4 6

+ C V + C -y¹⁰ + C -y¹² + C '_y" + C -y¹⁶ (b)

8 10 12 14 16

[0024] また、本実施形態の各実施例において、投影光学系 PLは、物体面 (第 1面）に配置されたレチクル Rのパターンの第 1中間像を形成する第 1結像系 G1と、第 1中間像力もの光に基づいてレチクルパターンの第 2中間像 (第 1中間像の像であってレチクルパターンの二次像)を形成する第 2結像系 G2と、第 2中間像力の光に基づいて像面 (第 2面）に配置されたウェハ W上にレチクルパターンの最終像 (レチクルパターンの縮小像)を形成する第 3結像系 G3とを備えている。第 1結像系 G1および第 3結像系 G3はともに屈折光学系（反射鏡を含まない光学系）であり、第 2結像系 G2は 2 つの凹面反射鏡のみ力もなる反射光学系である。各実施例の投影光学系 PLでは、第 1結像系 Gl、第 2結像系 G2および第 3結像系 G3が、鉛直方向に沿って直線状に延びる 1本の光軸 AXに沿ってそれぞれ配置されている。また、各実施例において、投影光学系 PLは、物体側および像側の双方にほぼテレセントリックに構成されて!ヽる。

[0025] [第 1実施例]

図 4は、本実施形態の第 1実施例にカゝかる投影光学系のレンズ構成を示す図である。第 1実施例に力かる投影光学系 PLにおいて第 1結像系 G1は、レチクル側力も順に、平行平面板 P1と、 10枚のレンズ L11〜L110とにより構成されている。第 2結像系 G2は、光の入射側から順に、入射側（レチクル側）に長偏球面状の凹面を向けた第 1凹面反射鏡 CM21と、入射側 (ウェハ側）に長偏球面状の凹面を向けた第 2凹面反射鏡 CM22とにより構成されている。さらに詳細には、第 1凹面反射鏡 CM21の長偏球面状の反射面および第 2凹面反射鏡 CM22の長偏球面状の反射面は、光軸 A X上に長軸を有する楕円面の一部をそれぞれ構成している。また、第 1凹面反射鏡 C M21と第 2凹面反射鏡 CM22とは、互いに同じ形状の反射面を有する。第 1凹面反射鏡 CM21は、一方の焦点が第 1結像系 G1の瞳位置に位置し、他方の焦点が第 2 結像系 G2の瞳位置に位置するように配置されている。第 2凹面反射鏡 CM22は、一方の焦点が第 3結像系 G3の瞳位置に位置し、他方の焦点が第 2結像系 G2の瞳位置に位置するように配置されて、る。

[0026] 第 3結像系 G3は、レチクル側（すなわち光の入射側）力も順に、レンズ L31〜L312 と、ウェハ側に平面を向けた平凸レンズ L313 (境界レンズ Lb)とにより構成されて!ヽる。第 1実施例では、投影光学系 PLの開口数を変更するための可変開口絞り AS ( 不図示）がレンズ L39と L310との間に設けられている。また、境界レンズ Lbとウェハ Wとの間の光路に、使用光 (露光光)である ArFエキシマレーザ光（中心波長え = 19 3. 306nm)に対して 1. 435876の屈折率を有する純水（Lm)が満たされている。また、境界レンズ Lbを含むすべての光透過部材力使用光の中心波長に対して 1. 56 03261の屈折率を有する石英（SiO )により形成されている。

2

[0027] 次の表（1)に、第 1実施例に力かる投影光学系 PLの諸元の値を掲げる。表（1)において、 λは露光光の中心波長を、 j8は投影倍率 (全系の結像倍率)の大きさを、 Ν Aは像側（ウェハ側）開口数を、 Bはウエノ、 W上でのイメージサークル IFの半径 (最大像高）を、 Aは実効露光領域 ERの軸外し量を、 LXは実効露光領域 ERの X方向に沿つた寸法 (長辺の寸法)を、 LYは実効露光領域 ERの Y方向に沿った寸法 (短辺の寸法)をそれぞれ表している。また、面番号は物体面 (第 1面)であるレチクル面から像面 (第 2面)であるウェハ面への光線の進行する経路に沿ったレチクル側力の面の順序を、 rは各面の曲率半径 (非球面の場合には頂点曲率半径: mm)を、 dは各面の軸上間隔すなわち面間隔 (mm)を、 nは中心波長に対する屈折率をそれぞれ示している。なお、表（1)における表記は、以降の表（2)〜 (4)においても同様である

[0028] 表（1)

(主要諸元）

= 193. 306nm

β = 1/4 n//v:.ss900ifcl£ O osiuAV

/ O osiz-oozAV

ΐ0690寸 ττ·

()no寸

ΐ寸∞69寸 00000OS ΖS·

SS0寸∞9ΐ. οεοοοοοεss *,

οοοοοεΐ寸 3ΐε,

寸3·

(3 οοοοοεΐ98999 ΐε ΖΓΖΙ ,

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§9ε *

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()∞ε π∞寸06Ί3 ·

0002η 06εε? ο寸.

(36 sosss ΐ寸r

0= ^¾ -Bsz

0= o

0IXZ99SI " g 0IX0S8^I · D

OT

12- '9= O

0= ^¾ -B9Z

91 n

0= O 0= O 0 = -- D 0= O 0= O 0= O 0= O

t_0Tx6 ^i9 -= Ί¾α εζ

91

0= o n

οε- 0IXI9Z^Z 'Ζ 92 OIXO^OZO 'し-

OT

\z- oixxeszo O _ZI_0lX98^Sg 'Z-

01X009X9 P= D ₈_OXXS9^IO '9

91 εε- οχχθζζεε 'ζ= o

82- 0XX968II D 0IXS69S9 'Z= O

01

02- 0IX8S0S8 Έ 91 OI LZ LQ Έ = ⁸つ

0IX08Z9S ₈_0IX 90002 '8=つ

n

oixtoo ·ε= o £2- 0ΙΧ^986Ζ 'ε— = ο

61 01X88899 91 0ΙΧΖΤΤ96 '9= 3

01X09620 '6 D ,_0ΙΧ96 ^9 -= ο

0= ：厘 6 ( — 厘翁^) (¾、/ェ）

(^Ί) 9 83ε^·ΐ 00000· ∞ IS (^1-£1£1 Ϊ93ε093·ΐ 86ΐεε·6 8£068'£6 09

00000· ΐ

ll.Sif/900Zdf/X3d 0H980請 Z ΟΛ\ O

〇l〇 C2.6x = I 10.298^10 C3.3633XX =

C =-2.54603X10

16

49面： κ =0

C =5.39853X10—⁸ C =6.72332X10— ¹²

4 6

C =— 7.01770X10— ¹⁶ C =1.02255X10— ¹⁹

8 10

C =— 9.46223X10— ²⁴ C =6.48610 X 10— ²⁸

12 14

C =-1.97332X10— ³²

16

[0029] [第 2実施例]

図 5は、本実施形態の第 2実施例にカゝかる投影光学系のレンズ構成を示す図である。第 2実施例の投影光学系 PLは第 1実施例の投影光学系と類似の構成を有する力第 1結像系 G1が平行平面板 P1と 9枚のレンズ L11〜L19とにより構成されている点が第 1実施例と相違している。第 2実施例においても第 1実施例と同様に、投影光学系 PLの開口数を変更するための可変開口絞り AS (不図示）力レンズ L39と L3 10との間に設けられている。また、境界レンズ Lbとウェハ Wとの間の光路に、使用光の中心波長（λ =193.306nm)に対して 1.435876の屈折率を有する純水（Lm) が満たされている。また、境界レンズ Lbを含むすべての光透過部材力使用光の中心波長に対して 1.5603261の屈折率を有する石英により形成されている。次の表（ 2)に、第 2実施例に力かる投影光学系 PLの諸元の値を掲げる。

[0030] 表（2)

(主要諸元）

=193.306nm

β=1/4

ΝΑ=1.3

Β= 15.3mm

A=3mm

LX=26mm

LY=5mm

(光学部材諸元）

面番号 r d n 光学部材 //: O ϊϊ/¾ε9002τ1£ osi-oozAV

S) Ϊ 00000OSΛ/ヽ Ζ

Ζ 6 *

Οΐ

6ΐ

600OS

ΐεεΐε9ζ·

0002η οεοοοοοεs *, οοοοοεΐ, C.898〇l〇I.212610xX = I

C9.6181〇 3.618l〇Xx = l

c〇 =

l〇1.〇686 C x =^ 34面： κ =0

c 8. 08755X10"

16

心波長（λ = 193. 306nm)〖こ対して 1. 435876の屈折率を有する純水（Lm)が満たされている。また、境界レンズ Lbおよび平行平面板 Lpを含むすべての光透過部材力使用光の中心波長に対して 1. 5603261の屈折率を有する石英により形成されている。次の表（3)に、第 3実施例に力かる投影光学系 PLの諸元の値を掲げる。

表（3)

(主要諸元）

= 193. 306nm

β = 1/4

ΝΑ= 1. 3

Β= 15. 3mm

A= 3mm

LX= 26mm

LY= 5mm

(光学部材諸元）

面番号 r d n 光学部材

(レチクル面） 60.59272

1 oo 8.00000 1, .5603261 (P1)

2 oo 3.00000

3 350.00000 25.01025 1.5603261 (L11)

4 -1224.92925 1.00000

5 206.91963 33.55065 1.5603261 (L12)

6 -4382.64940 4.05890

7 128.14708 51.26364 1.5603261 (L13)

8 -19008.21291 10.73486

9* -10000.00000 21.70324 1.5603261 (L14)

10 227.01998 9.85859

11 536.14092 30.62633 1.5603261 (L15)

12 -180.47868 31.92390

/ O osiz-oozAV 言) Ϊ92ε09ΐ3·

S6ss寸 ε寸 ΐrι

Ϊ92ε09ΐ寸 66000ε 6ε§ 9ΐ33·,.

¾) ΐ92§ΐ οοοοοεΐ £Ί3., 言) Ϊ92ε09ΐ S寸3 S S·

寸S9O9 OS SZSI

( 5ヨ Ϊ92ε09ΐ3·，

ο

σ)ε Ϊ92ε09ΐ SO寸 699SΊ3S·.

SO寸εεεssS * · ) 3 ΐ92§ΐ οοοοοεΐ3.,

6ΐ寸6ΐ Ζ3·

()9 Ϊ92ε09ΐ Ί3· ) 3 Ϊ92ε09ΐ ∞ε 92ΐ3··

0002η

()ゝノ

() 41 3334.64266 45.38994 1.5603261L39

C C =-4. 53768X10— ³⁵

c -24 -28

5. 78534X10 C =3. 15579X10

12

Wとの間の光路に、使用光の中'、波長（λ = 193. 306nm)に対して 1. 435876の屈折率を有する純水（Lm)が満たされている。また、境界レンズ Lbを含むすべての光透過部材が、使用光の中心波長に対して 1. 5603261の屈折率を有する石英により形成されている。次の表 (4)に、第 4実施例に力かる投影光学系 PLの諸元の値を揭げる。

表 (4)

(主要諸元）

= 193. 306nm

β = 1/4

ΝΑ= 1. 3

Β= 15. 5mm

A= 3mm

LX= 26mm

LY= 5. 4mm

(光学部材諸元）

面番号 r d n 光学部材

(レチクル面） 50.00000

1 oo 8.00000 1.5603261 (P1)

2 oo 3.00000

3 350.00000 26.46669 1.5603261 (L11)

4 -645.53379 1.00000

5 173.21612 35.96742 1.5603261 (L12)

6 -4461.33635 17.43708

7 429.14439 29.48354 1.5603261 (L13)

8 -275.94579 1.00000

9* -10000.00000 12.00000 1.5603261 (L14)

10 196.20422 8.94774

11 258.27992 39.92164 1.5603261 (L15) //:/ O ϊϊ/¾ε9002τ1£ osiz-oozAV

0002η Οΐΐΐ寸 ΐ- ·

(38 ΐ92§ΐ ο寸006ε3 Ζ.,

(36 ΐ92§ΐ寸 606023...

οοοοοεΐ,

(3 ΐ92§ΐ οοοοοεΐ3.,

()93 ΐ92§ΐ3.

(39 ΐ92§ΐ3.

s寸^εΐs ·

()卜 ε Ϊ92ε09ΐΊ3.

()∞ε ΐ92§ΐ 09寸6επεΊ3 ζ. ·

()63 ΐ92§ΐ3. =

〇

^〜

8

〇 C =

9102.1767 CX = l〇〇77212102.053^x CX = 45面： K =0

C =5.41768X10—⁹ C =— 1. 25187X10

4

C =-2.46535X10— ¹⁷ C =2. 91835X10—:

8 10

C =-1. 30286X10— ²¹ C =2.86312X10

12

C =-2. 57739X10— ³¹

16

47面： K =0

C =5. 72850X10—⁸ C =5. 35881X10

4

C =-3. 99564X10— ¹⁶ C =4. 99873X10—:

8 10

C =-2. 75405X10—² C =1. 34776X10

12

C =-6.81632X10—³'

16

[0035] 図 8は、第 1実施例の投影光学系における横収差を示す図である。図 9は、第 2実施例の投影光学系における横収差を示す図である。図 10は、第 3実施例の投影光学系における横収差を示す図である。図 11は、第 4実施例の投影光学系における横収差を示す図である。図 8〜図 11の収差図において、 Yは像高を示している。図 12 は、各実施例の投影光学系におけるディストーション (歪曲収差;理想像位置からの位置ずれ量)を示す図である。図 13は、各実施例の投影光学系におけるテレセントリシティの誤差（レチクル側が理想的にテレセントリックであるときのウェハ Wへの主光線の入射角）を示す図である。図 12にお、て縦軸は像の位置ずれ量 (nm)であり、図 13にお、て縦軸は主光線の入射角（rad：ラジアン)である。

[0036] 図 12および図 13において、横軸は像高 (mm)であり、実線は第 1実施例を、一点鎖線は第 2実施例を、破線は第 3実施例をそれぞれ示している。図 8〜図 13を参照すると、各実施例では、非常に大きな像側開口数 (NA=1. 3)および比較的大きな静止露光領域 ER (26mm X 5mmまたは 26mm X 5.4mm)を確保しているにも力かわらず、波長が 193. 306nmのエキシマレーザ光に対して、テレセントリシティおよびディストーションを含む諸収差が良好に補正されていることがわかる。なお、図 12 および図 13において、第 4実施例におけるディストーションおよびテレセントリシティの誤差の表示を省略している力第 4実施例においても他の実施例と同様にテレセントリシティおよびディストーションを含む諸収差が良好に補正されていることを確認している。

[0037] このように、本実施形態の各実施例では、中心波長が 193. 306nmの ArFエキシマレーザ光に対して、 1. 3の高い像側開口数を確保するとともに、 26mm X 5mmまたは 26mm X 5. 4mmの矩形状の実効露光領域 (静止露光領域) ERを確保することができ、たとえば 26mm X 33mmの矩形状の露光領域内に回路パターンを高解像度で走査露光することができる。また、本実施形態の各実施例では、反射屈折型の結像光学系を採用しているので、大きな像側開口数にもかかわらずペッツバール条件をほぼ成立させて像の平坦性を得ることができる。さらに、有効視野領域 (実効照明領域)および有効投影領域 (実効露光領域 ER)が光軸を含まなヽ軸外視野型の結像光学系を採用しているので、あらゆるパターンへの対応力を確保することができる。

[0038] 特に、本実施形態の各実施例では、第 1凹面反射鏡 CM21の長偏球面状の反射面の一方の焦点が第 1結像系 G1の瞳位置に位置し且つ他方の焦点が第 2結像系 G 2の瞳位置に位置するとともに、第 2凹面反射鏡 CM22の長偏球面状の反射面の一方の焦点が第 3結像系 G3の瞳位置に位置し且つ他方の焦点が第 2結像系 G2の瞳位置に位置している。したがって、図 14 (a)に示すように、第 1結像系 G1の瞳面の光軸上の点 P1からの光線が第 1凹面反射鏡 CM21の長偏球面状の反射面で反射されて、第 2結像系 G2の瞳面の光軸上の点 P2に集光する。また、図示を省略したが、第 2結像系 G2の瞳面の光軸上の点 P2からの光線は、第 2凹面反射鏡 CM22の長偏球面状の反射面で反射されて、第 3結像系 G3の瞳面の光軸上の点に集光する。その結果、第 2結像系 G2の瞳面において瞳の球面収差が実質的に発生しない。

[0039] これに対して、図 14 (b)に示すように、球面状の反射面を有する凹面反射鏡 CMを用いる構成では、第 1結像系の瞳面の光軸上の点力の光線は凹面反射鏡 CMを介して第 2結像系の瞳面の光軸上の点に集光することがなぐ比較的大きな瞳の球面収差が発生する。そこで、従来技術では、第 2結像系中を構成する反射鏡に高次非球面 (非球面係数の高次項 (2次以上)を有する非球面)を用いるか、第 2結像系中の 2つの反射鏡間に往復光学素子を用いる必要があった。本実施形態の各実施例では、第 2結像系中に一対の長偏球面状の反射面 (非球面係数の高次項 (2次以上)を含まない非球面)を導入することにより、高次非球面形状の反射面および往復光学素子を用いることなぐ瞳の球面収差の発生を実質的に抑えて、テレセントリシティおよびディストーションを含む諸収差が良好に補正された高開口数の投影光学系を実現することができる。

[0040] 長偏球面状の反射面を有する凹面反射鏡 CM21, CM22の面計測では、 2焦点を利用した球面計測技術を用いることができる。すなわち、ヌル素子などを用いる比較的複雑な非球面計測技術ではなぐ図 14 (c)に示すように、フィゾー光学系 100および折返し球面反射鏡 101を用いる比較的単純な球面計測技術に基づいて、長偏球面状の反射面を有する凹面反射鏡 CM21, CM22を高精度に製造することができる。特に、本実施形態の第 1実施例〜第 3実施例では、第 1凹面反射鏡 CM21と第 2 凹面反射鏡 CM22とが互いに同じ形状の反射面を有するので、凹面反射鏡 CM21 , CM22の製造コストの低減を、ひいては光学系の製造コストの低減を図ることができる。

[0041] 一方、本実施形態の第 4実施例では、第 1凹面反射鏡 CM21と第 2凹面反射鏡 C M22とは、互いに異なる長偏球面状の反射面を有する。ただし、第 1凹面反射鏡 C M21および第 2凹面反射鏡 CM22はともに、結像光束を通過させるための開口部を有し、光軸 AXに関してほぼ回転対称な曲面の一部に対応する有効反射面を有する。その結果、第 1凹面反射鏡 CM21および第 2凹面反射鏡 CM22を、光軸 AXからほぼ等、距離にある複数の位置で、例えば光軸 AXに関してほぼ回転対称な複数の位置で支持することが可能になり、従来の手法を用いて光学系の組立ておよび調整を容易に且つ高精度に行うことができる。なお、第 4実施例では、第 1凹面反射鏡 C M21および第 2凹面反射鏡 CM22がともに結像光束を通過させるための開口部を有するが、これに限定されることなぐ第 1凹面反射鏡 CM21および第 2凹面反射鏡 CM22のうちの一方が開口部を有する変形例も可能である。

[0042] ところで、本実施形態では、凹面反射鏡 CM21, CM22における長偏球面状の反射面が、非球面を表わす前述の数式 (b)から非球面係数 Cを含む高次項 (C ，yⁿ)を取り除いた次の数式 (a)で表され、円錐係数 _Kが次の条件式（1)を満足することが好ましい。 z = (yVr) Z[l + { 1—（l + κ ) · y /r² } ^{1 2}] (a)

-0. 75< K < -0. 25 (1)

[0043] 条件式（1)の上限値を上回ると、長偏球面状の反射面の 2つの焦点位置が互いに近づきすぎて、長偏球面状の反射面が球面に近づくため、第 1結像系の射出瞳位置または第 3結像系の入射瞳位置が第 2結像系に近づく必要が生じる。その結果、周辺主光線と光軸とのなす角度が大きくなり、凹面反射鏡の大型化を招くので好ましくない。条件式（1)の下限値を下回ると、長偏球面状の反射面の 2つの焦点位置が互いに離れすぎて、長偏球面状の反射面が放物面に近づくため、第 1結像系の射出瞳位置または第 3結像系の入射瞳位置が第 2結像系から遠くなる。その結果、第 1結像系および第 3結像系にお、て第 2結像系側フィールドレンズ群の屈折力を大きくすることが必要になって、瞳の球面収差の補正が難しくなり、ひいてはテレセントリシティとディストーションとを両立させて補正することができなくなるので好ましくな、。なお、本発明のさらに良好な効果を得るには、条件式（1)の上限値を— 0. 35とし、下限値を 0. 65にすることが好ましい。

[0044] なお、上述の実施形態では、第 1凹面反射鏡 CM21および第 2凹面反射鏡 CM22 の双方が長偏球面状の反射面を有するが、これに限定されることなぐいずれか一方の凹面反射鏡の反射面を長偏球面状にすることにより本発明の効果を得ることができる。また、上述の実施形態の第 1実施例〜第 3実施例では、第 1凹面反射鏡 CM2 1と第 2凹面反射鏡 CM22とが互いに同じ形状の反射面を有するが、これに限定されることなぐいずれか一方の凹面反射鏡の反射面が長偏球面状であれば、 2つの凹面反射鏡が互いに異なる形状の反射面を有する場合にも本発明の効果を得ることができる。ちなみに、上述の実施形態の第 4実施例では、 2つの凹面反射鏡が互いに異なる長偏球面状の反射面を有する。ただし、上述したように、第 1凹面反射鏡 CM2 1と第 2凹面反射鏡 CM22とが互いに同じ形状の反射面を有する構成では、凹面反射鏡の製造コストの低減を図ることができる。この観点によれば、たとえば 3回結像型の反射屈折結像光学系にお、て、第 2結像系中に互、に同じ形状の反射面を有する 2つの凹面反射鏡を配置することは重要である。

[0045] また、上述の実施形態では、第 1結像系 G1および第 3結像系 G3が反射鏡を含まない屈折型の光学系として構成されているが、これに限定されることなぐ第 1結像系 G1および第 3結像系 G3の構成については様々な変形例が可能である。また、上述の実施形態では、第 2結像系 G2が 2つの凹面反射鏡のみにより構成されているが、これに限定されることなぐ第 2結像系 G2の構成については様々な変形例が可能である。

[0046] また、上述の実施形態では、液浸型の反射屈折結像光学系に対して本発明を適用しているが、これに限定されることなぐ像側の領域に浸液を用いない乾燥型の反射屈折結像光学系に対しても同様に本発明を適用することができる。また、上述の実施形態では、光軸から離れた領域のみに像を形成する軸外視野型の反射屈折結像光学系に対して本発明を適用しているが、これに限定されることなぐ光軸を含む領域に像を形成する反射屈折結像光学系に対しても同様に本発明を適用することができる。また、上述の実施形態では、 3回結像型の反射屈折結像光学系に対して本発明を適用しているが、これに限定されることなぐ 2つの曲面状の反射鏡と複数の屈折光学素子とを備えた軸外視野型の反射屈折結像光学系に対しても同様に本発明を適用することができる。

[0047] 上述の実施形態の露光装置では、照明装置によってレチクル (マスク）を照明し (照明工程)、投影光学系を用いてマスクに形成された転写用のパターンを感光性基板に露光する（露光工程)ことにより、マイクロデバイス（半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等)を製造することができる。以下、本実施形態の露光装置を用いて感光性基板としてのウェハ等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につき図 15のフロ一チャートを参照して説明する。

[0048] 先ず、図 15のステップ 301において、 1ロットのウェハ上に金属膜が蒸着される。次のステップ 302において、その 1ロットのウェハ上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップ 303において、本実施形態の露光装置を用いて、マスク上のパターンの像がその投影光学系を介して、その 1ロットのウェハ上の各ショット領域に順次露光転写される。その後、ステップ 304において、その 1ロットのウェハ上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップ 305において、その 1ロットのウェハ上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスク上のパターンに対応する回路パターン力各ウェハ上の各ショット領域に形成される。

[0049] その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する半導体デバイスをスループット良く得ることができる。なお、ステップ 301〜ステップ 305では、ウェハ上に金属を蒸着し、その金属膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチングの各工程を行っている力これらの工程に先立って、ウェハ上にシリコンの酸ィ匕膜を形成後、そのシリコンの酸ィ匕膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチング等の各工程を行っても良いことはいうまでもない

[0050] また、本実施形態の露光装置では、プレート (ガラス基板)上に所定のパターン（回路パターン、電極パターン等）を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。以下、図 16のフローチャートを参照して、このときの手法の一例につき説明する。図 16において、パターン形成工程 401では、本実施形態の露光装置を用いてマスクのパターンを感光性基板 (レジストが塗布されたガラス基板等）に転写露光する、所謂光リソグラフイエ程が実行される。この光リソグラフィー工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルタ一形成工程 402へ移行する。

[0051] 次に、カラーフィルター形成工程 402では、 R (Red)、 G (Green)、 B (Blue)に対応した 3つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、または R、 G、 Bの 3本のストライブのフィルターの組を複数水平走査線方向に配列されたりしたカラーフィルターを形成する。そして、カラーフィルター形成工程 402の後に、セル組み立て工程 403が実行される。セル組み立て工程 403では、パターン形成工程 401にて得られた所定パターンを有する基板、およびカラーフィルター形成工程 402にて得られたカラーフィルター等を用いて液晶パネル (液晶セル)を組み立てる。

[0052] セル組み立て工程 403では、例えば、パターン形成工程 401にて得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルター形成工程 402にて得られたカラーフィルターとの間に液晶を注入して、液晶パネル (液晶セル)を製造する。その後、モジュール組み立て工程 404にて、組み立てられた液晶パネル (液晶セル）の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する液晶表示素子をスループット良く得ることができる。

なお、上述の実施形態では、 ArFエキシマレーザ光源を用いている力これに限定されることなく、たとえば F レーザ光源のような他の適当な光源を用いることもできる。

2

ただし、露光光として Fレーザ光を用いる場合は、液体としては Fレーザ光を透過可

2 2

能な例えばフッ素系オイルや過フッ化ポリエーテル（PFPE)等のフッ素系の液体を用いることになる。また、上述の実施形態では、露光装置に搭載される投影光学系に対して本発明を適用しているが、これに限定されることなぐ他の適当な反射屈折結像光学系に対して本発明を適用することができる。

Claims

請求の範囲

[1] 第 1面の像を第 2面上に形成する反射屈折結像光学系において、

前記第 1面からの光に基づいて前記第 1面の第 1中間像を形成する第 1結像系と、 2つの凹面反射鏡を有し、前記第 1中間像力の光に基づいて前記第 1面の第 2中間像を形成する第 2結像系と、

前記第 2中間像からの光に基づいて前記第 1面の最終像を前記第 2面上に形成する第 3結像系とにより構成され、

前記 2つの凹面反射鏡のうちの少なくとも 1つの凹面反射鏡は、長偏球面状の反射面を有することを特徴とする反射屈折結像光学系。

[2] 前記長偏球面状の反射面は、一方の焦点が前記第 1結像系あるいは前記第 3結像系の瞳位置またはその近傍に位置し、他方の焦点が前記第 2結像系の瞳位置またはその近傍に位置するように配置されて、ることを特徴とする請求項 1に記載の反射屈折結像光学系。

[3] 前記 2つの凹面反射鏡はともに長偏球面状の反射面を有することを特徴とする請求項 1または 2に記載の反射屈折結像光学系。

[4] 前記 2つの凹面反射鏡は互いに同じ形状の反射面を有することを特徴とする請求項

1乃至 3のいずれか 1項に記載の反射屈折結像光学系。

[5] 第 1面の像を第 2面上に形成する反射屈折結像光学系において、

前記 2つの凹面反射鏡は、互いに同じ形状の反射面を有することを特徴とする反射屈折結像光学系。

[6] 前記 2つの凹面反射鏡は、長偏球面状の反射面を有することを特徴とする請求項 5 に記載の反射屈折結像光学系。

[7] 前記第 1結像系および前記第 3結像系は、反射鏡を含まない屈折型の光学系であることを特徴とする請求項 1乃至 6のいずれか 1項に記載の反射屈折結像光学系。

[8] 前記第 2結像系は、前記 2つの凹面反射鏡のみにより構成されていることを特徴とする請求項 1乃至 7のいずれ力 1項に記載の反射屈折結像光学系。

[9] 第 1面の像を第 2面上において光軸から離れた領域のみに形成する軸外視野型の反射屈折結像光学系にお!、て、

2つの曲面状の反射鏡と複数の屈折光学素子とを備え、

前記 2つの曲面状の反射鏡のうちの少なくとも 1つの曲面状の反射鏡は、長偏球面状の反射面を有することを特徴とする反射屈折結像光学系。

[10] 前記 2つの曲面状の反射鏡と前記複数の屈折光学素子とは、前記光軸と共軸に配置されていることを特徴とする請求項 9に記載の反射屈折結像光学系。

[11] 前記 2つの曲面状の反射鏡は、凹面反射鏡であることを特徴とする請求項 9または 1

0に記載の反射屈折結像光学系。

[12] 前記 2つの凹面反射鏡はともに長偏球面状の反射面を有することを特徴とする請求項 11に記載の反射屈折結像光学系。

[13] 前記 2つの曲面状の反射鏡は互いに同じ形状の反射面を有することを特徴とする請求項 9乃至 12のいずれか 1項に記載の反射屈折結像光学系。

[14] 前記長偏球面状の反射面は、光軸に垂直な方向の高さを yとし、反射面の頂点における接平面力高さ yにおける反射面上の位置までの光軸に沿った距離 (サグ量)を z とし、頂点曲率半径とし、円錐係数を _Kとするとき、以下の数式 (a)で表され、 z = (yVr) Z[l + { 1—（l + κ ) · y /r² } ^{1 2}] (a)

前記円錐係数 κは、 -0. 75< κ < 0. 25の条件を満足することを特徴とする請求項 1乃至 4および請求項 6乃至 13のいずれか 1項に記載の反射屈折結像光学系。

[15] 前記 2つの凹面反射鏡のうちの少なくとも 1つの凹面反射鏡は、結像光束を通過させるための開口部を有し、光軸からほぼ等しい距離にある複数の位置で支持されていることを特徴とする請求項 1乃至 14のいずれか 1項に記載の反射屈折結像光学系。

[16] 前記 2つの凹面反射鏡のうちの少なくとも 1つの凹面反射鏡は、前記光軸に関してほぼ回転対称な複数の位置で支持されていることを特徴とする請求項 15に記載の反射屈折結像光学系。

[17] 前記 2つの凹面反射鏡のうちの少なくとも 1つの凹面反射鏡は、光軸に関してほぼ回転対称な曲面の一部に対応する有効反射面を有することを特徴とする請求項 1乃至 16のいずれか 1項に記載の反射屈折結像光学系。

[18] 前記第 1面に設定された所定のパターン力の光に基づいて、前記パターンの像を前記第 2面に設定された感光性基板上に投影するための請求項 1乃至 17のいずれ力 1項に記載の反射屈折結像光学系を備えていることを特徴とする露光装置。

[19] 請求項 18に記載の露光装置を用いて前記所定のパターンを前記感光性基板に露光する露光工程と、

前記露光工程を経た前記感光性基板を現像する現像工程とを含むことを特徴とするデバイスの製造方法。