CN1790674A - 具有氧化锆的电容器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供了具有氧化锆的电容器及其制造方法。该方法包括：形成存储节点；在存储节点上形成多层介电结构，多层介电结构包括氧化锆(ZrO2)层和氧化铝(Al2O3)层；和在多层介电结构上形成板状电极。

Description

具有氧化锆的电容器及其制造方法
技术领域
本发明涉及半导体器件电容器及其制造方法；更具体而言，涉及能够获得预期的电容值、漏电流特性和热稳定性的半导体器件电容器及其制造方法。
背景技术
由于半导体器件已经高度集成，因此单位单元(unit cell)的尺寸大大减小了，工作电压值也降低了。因此，器件的更新时间缩短了，并且经常发生软错误(softerror)。因此，需要开发电容值大于25fF/单元并且更不倾向于产生漏电流的电容器。
众所周知，电容器电容与电极的表面积和介电材料的介电常数成正比，并且与介电材料的厚度成反比，介电材料的厚度对应于电极之间的距离，更具体而言，对应于介电材料的等效氧化硅厚度(Tox)。因此，需要使用具有高介电常数并且能够减小等效氧化硅厚度(Tox)的介电材料来制造具有高电容值的适用于高度集成半导体器件的电容器。
使用传统的氮化物/氧化物(NO)型电容器以获得高度集成半导体器件所需要的高电容值受到限制。传统的NO型电容器通常使用介电常数为7的氮化硅(Si3N4)介电材料。因此，已经提出多晶硅-绝缘体-多晶硅(SIS)型电容器，以获得足够的电容值。SIS型电容器使用介电常数高于氮化硅的介电材料。这种介电材料的实例是介电常数为25的氧化钽(Ta2O5)、介电常数为30的氧化镧(La2O3)和介电常数为20的氧化铪(HfO2)。
然而，介电材料Ta2O5倾向于产生漏电流，并且由于在热处理过程中形成氧化物层而实际上不能将等效氧化硅厚度降低至小于30。介电材料La2O3和HfO2由于它们的高介电常数值而在高电容方面具有优势；然而，当等效氧化硅厚度减小至小于15时，由于经常会发生漏电流值的增加和击穿电压强度值的减小，La2O3和HfO2非常不耐反复性电击，因此La2O3和HfO2通常会使电容器的耐久性变差。具体而言，HfO2具有比Al2O3低的结晶温度。因此，使用HfO2时，在高于600℃的温度下进行热处理时漏电流会突然增加。
在通常使用多晶硅作为SIS型电容器介电材料的情况下，多晶硅还在获得高度集成半导体器件所需的高导电率方面具有局限性。因此，试图使用其他高导电率金属作为电极材料。
至于可用于包括小于100nm的微粉化金属线的动态随机存取存储(DRAM)器件的制造方法的电容器，已经开发了具有金属电极和双层或三层介电结构的电容器。例如，已经开发了包括氮化钛(TiN)基电极和HfO2/Al2O3双层介电结构的金属-绝缘体-多晶硅(MIS)型电容器，以及包括TiN基电极和HfO2/Al2O3/HfO2三层介电结构的金属-绝缘体-金属(MIM)型电容器。
然而，将传统MIS或MIM型电容器应用于金属线小于70nm的器件可能是困难的。由于MIS或MIM型电容器的多层介电结构(如HfO2/Al2O3或HfO2/Al2O3/HfO2)具有12的最小等效氧化硅厚度，因此难于在金属线小于70nm的DRAM器件中获得大于25fF/单元的电容值。
发明内容
因此，本发明的目的是提供半导体器件电容器及其制造方法，其中所述电容器可以获得金属线小于70nm的下一代半导体存储产品通常所需要的漏电流特性和电容值。
根据本发明的一个方面，提供制造电容器的方法，包括：形成存储节点(storagenode)；在存储节点上形成多层介电结构，所述多层介电结构包括氧化锆(ZrO2)层和氧化铝(Al2O3)层；和在多层介电结构上形成板状电极。
根据本发明的另一方面，提供制造电容器的方法，包括：形成存储节点；在存储节点表面进行等离子体氮化处理；在氮化存储节点上形成ZrO2层；在ZrO2层表面进行等离子体氮化处理，由此获得氮化ZrO2层；和在氮化ZrO2层上形成板状电极。
根据本发明的又一方面，提供制造半导体器件的方法，包括：形成存储节点；在存储节点上形成Al2O3层；在Al2O3层上形成ZrO2层；在ZrO2层表面进行等离子体氮化，由此获得包括氮化ZrO2层和Al2O3层的介电结构；和在介电结构上形成板状电极。
根据本发明的再一方面，提供制造半导体器件电容器的方法，包括：形成存储节点；在存储节点表面进行等离子体氮化处理；在氮化存储节点上依次形成第一ZrO2层、Al2O3层和第二ZrO2层；在第二ZrO2层表面进行等离子体氮化处理，由此获得包括第一ZrO2层、Al2O3层和氮化第二ZrO2层的三层介电结构；和在三层介电结构上形成板状电极。
根据本发明的再一方面，提供半导体器件电容器，包括：存储节点；包括ZrO2层和Al2O3层并在存储节点上形成的多层介电结构；和多层介电结构上的板状电极。
根据本发明的再一方面，提供半导体器件电容器，包括：存储节点；在存储节点上形成并包括等离子体氮化表面的ZrO2层；和在ZrO2层上形成的板状电极。
附图说明
基于下列结合附图给出的优选实施方案的描述，本发明的上述和其他目的以及特征将变得更好理解，其中：
图1A-1C是根据本发明第一实施方案制造的电容器的横截面图，用于说明其制造方法；
图2是说明根据本发明第一实施方案的电容器结构的图；
图3是说明基于原子层沉积(ALD)方法形成包括氧化锆(ZrO2)薄层和氧化铝(Al2O3)薄层的多层介电结构的顺序步骤的图；
图4是说明根据本发明第二实施方案的电容器结构的图；
图5是说明根据本发明第三实施方案的电容器结构的图；
图6是说明根据本发明第四实施方案的电容器结构的图；
图7是说明根据本发明第五实施方案的电容器结构的图；
图8A-8C是根据本发明第六实施方案制造的电容器的横截面图，用于说明其制造方法；
图8D是说明根据本发明第六实施方案制造电容器的顺序步骤的图；
图9是说明根据本发明第七实施方案制造电容器的顺序步骤的图；
图10是说明根据本发明第八实施方案制造电容器的顺序步骤的图；
图11是说明根据本发明第九实施方案制造电容器的顺序步骤的图。
具体实施方式
下面将参照附图详细描述根据本发明示例性实施方案的具有氧化锆的电容器及其制造方法。
根据本发明的示例性实施方案，提出具有包括等离子体氮化薄氧化锆(ZrO2)或ZrO2层和薄氧化铝(Al2O3)层的多层介电结构的电容器，以1pA/单元的条件下获得足够的大于约30fF/单元的电容值、小于约0.5fF/单元的漏电流值和在约大于约2.0V的击穿电压值，其中约30fF/单元的电容值是小于70nm的半导体存储器件如动态随机存取存储(DRAM)器件所期望的。
通常，ZrO2具有约7.8eV的带隙能量(Eg)和比Ta2O5和HfO2的介电常数高约20-约25的介电常数。作为参比，Ta2O5具有约4.5eV的带隙能量和约25的介电常数，HfO2具有约5.7eV的带隙能量和约20的介电常数。带隙能量和介电常数为约8.7eV和约9的Al2O3具有比HfO2更好的热稳定性。由于ZrO2和Al2O3的这些特性，在本发明的下列示例性实施方案中举例说明了与具有单一层介电结构的传统电容器相比，具有包括ZrO2和Al2O3的多层介电结构的电容器在漏电流和热稳定性方面具有优势。
因此，上述多层介电结构可以使等效氧化硅厚度减小至小于约12，从而，具有上述多层介电结构的电容器可以在小于70nm的DRAM器件中获得大于约30fF/单元的电容。
因此，具有多层介电结构的电容器可以获得金属线小于70nm的下一代DRAM产品所需的足够电容值以及漏电流和击穿电压特性，可适用于批量生产。
沉积薄ZrO2层和薄Al2O3层之后，进行低温退火处理以提高所述层的性能，并进行高温退火处理以提高结晶特性。为了防止漏电流特性的下降，具有良好热稳定性的Al2O3连同金属电极一起使用。
下文中，将详细描述根据本发明第一实施方案的包括Al2O3/ZrO2介电结构的电容器的制造方法。
图1A-1C是根据本发明第一实施方案制造的电容器的横截面图，用于说明其制造方法。
参照图1A，尽管没有说明，但是衬底11提供有包括晶体管和位线的底部图案。层间绝缘层12形成在衬底11上，使得层间绝缘层12覆盖底部图案。
蚀刻层间绝缘层12，并形成暴露连接区域或接地插塞多晶硅(landing plugpolysilicon，LPP)区域的多个接触孔13。导电材料填充到多个接触孔13，从而得到多个存储节点接触14。
存储节点材料层在存储节点接触14和层间绝缘层12上形成。在存储节点材料层上进行包括化学机械研磨(CMP)工艺或回蚀工艺的隔离工艺，以形成各自与存储节点接触14连接的存储节点15。存储节点15包括选自掺杂多晶硅、氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)、钨(W)、氮化钨(WN)、钌(Ru)、氧化钌(RuO2)、铱(Ir)、氧化铱(IrO2)、铂(Pt)、Ru/RuO2、Ir/IrO2和SrRuO3的材料，并且具有约200-约500的厚度。除了圆柱体结构之外，存储节点15可以形成为凹面结构或简单堆叠结构。
例如，如果存储节点15包括TiN，那么分别使用四氯化钛(TiCl4)和氨(NH3)作为源材料和反应气体(reaction gas)。源材料和反应气体的流量为约10sccm-约1,000sccm。此时，室内保持约0.1托-约10托的压力和约500℃-约700℃的衬底温度。TiN层形成为约200-约500的厚度。
然后，在选自氮(N2)、氢(H2)、N2/H2、O2、O3和NH3的气氛中进行低温退火处理，以压实存储节点15，去除残留在存储节点15内部的、成为增加漏电流的原因的杂质，并消除表面粗糙度。具体而言，光滑表面防止电场集中在某个区域。
低温退火处理通过使用等离子体、炉和快速热处理(RTP)之一进行。在使用等离子体的情况下，低温退火处理在下列特定条件下进行约1分钟-约5分钟：射频(RF)功率为约100W-约500W的等离子体；温度为约200℃-约500℃；压力为约0.1托-约10托；和约5sccm-约5slm的所选环境气体。在使用电炉的情况下，低温退火处理在约600℃-约800℃的温度下进行，流过约5sccm-约5slm的所选环境气体。在使用RTP的情况下，低温退火处理在保持约500℃-约800℃的温度和约700托-约760托的递升压力或约1托-约100托的递减压力的室中进行。此时，所选环境气体的流量为约5sccm-约5slm。
参照图1B，包括薄ZrO2层16A和薄Al2O3层16B的多层介电结构16形成在存储节点15上。多层介电结构16通过原子层沉积(ALD)法形成。稍后将参照图3详细描述ALD法。
参照图1C，板状电极17形成在多层介电结构16上。板状电极17包括选自掺杂多晶硅、TiN、TaN、W、WN、Ru、RuO2、Ir、IrO2、Pt、Ru/RuO2、Ir/IrO2和SrRuO3的材料。在本发明第一实施方案中举例说明了板状电极17包括TiN，并且通过使用化学气相沉积(CVD)法或物理气相沉积(PVD)法形成。例如，利用CVD法的TiN沉积如下。源材料包括TiCl4，反应气体包括NH3。源材料和反应气体的流量为约10sccm-约1,000sccm。此时，CVD室保持约0.1托-约10托的压力和约500℃-约600℃的衬底温度。TiN层的沉积厚度为约200-约400。
图2是说明根据本发明第一实施方案的电容器结构的图。
如图所示，多层介电结构16通过在存储节点15上依次形成薄ZrO2层16A和薄Al2O3层16B而得到，并且板状电极17形成在多层介电结构16上。
ZrO2层16A的厚度为约5-约100，Al2O3层16B的厚度为约5-约30。多层介电结构16的总厚度为约10-约130。
图3是说明根据ALD法形成包括薄ZrO2层和薄Al2O3层的多层介电结构的顺序步骤的图；
如图所示，ZrO2层和Al2O3层通过ALD法沉积，反复进行单位循环，直至得到预期厚度的上述目标层。单位循环包括：供应源气体；供应清洗气体；供应反应气体；和供应清洗气体。在单位循环的更多细节中，源气体供应到室中，并被吸附到目标结构上。未被吸附的部分源气体从所述室中清洗出去，并供应反应气体以与所吸附的源气体反应，从而沉积预期的薄层。然后，供应清洗气体以从所述室中将未反应的部分反应气体清洗出去。
至于ZrO2沉积，单位循环包括：供应Zr的源气体；供应清洗气体；供应反应气体；和供应清洗气体。重复该单位循环，直至获得预期厚度的ZrO2层。此时，室中保持约0.1托-约1托的压力和约200℃-约350℃的低衬底温度。
Zr源气体选自ZrCl4、Zr(N(CH3)C2H5)4、Zr(O-tBu)4、Zr(N(CH3)2)4、Zr(N(C2H5)(CH3))4、Zr(N(C2H5)2)4、Zr(TMHD)4、Zr(OiC3H7)3(TMTD)和Zr(OrBu)4，并且在将Zr源气体供应到室中时吸附到目标结构上。此时，借助于作为载气的氦(He)气，将Zr源气体供应到室中。Ar气以约150sccm-约250sccm的流量流通约0.1秒-约10秒。
接下来，包括氮(N2)气或氩(Ar)气的清洗气体流到室中，以将Zr源气体的未被吸附部分从室中清洗出去。清洗气体以约200sccm-约400sccm的流量流通约3秒-约10秒。
选自臭氧(O3)、氧(O2)、O2等离子体、氧化氮(N2O)、N2O等离子体和水(H2O)蒸汽的反应气体流入室中，并与所吸附的Zr源气体反应，从而沉积薄ZrO2层。反应气体以约0.1slm-约1slm的流量流通约3秒-约10秒。如果反应气体是浓度为约100gcm-3-约500gcm-3的O3气，那么O3气的流量为约200sccm-约500sccm。
包括N2气或Ar气的清洗气体流入室中，以将反应气体的未反应部分从室中清洗出去。清洗气体以约50sccm-约200sccm的流量流通约3秒-约10秒。
重复上述单位循环，直至ZrO2层的厚度在约5-约100的范围内。
ZrO2沉积之后，进行Al2O3沉积，Al2O3沉积的单位循环包括：供应Al的源气体；供应清洗气体；供应反应气体；和供应清洗气体。重复该单位循环，直至获得预期厚度的Al2O3层。此时，室中保持约0.1托-约1托的压力和约200℃-约500℃的低衬底温度。
在将Al源气体供应到室中进行ALD法时，选自Al(CH3)3、Al(C2H5)3和其他含Al的有机金属化合物的Al源气体被吸附到目标结构上。此时，借助于作为载气的氦(He)气，将Al源气体供应到室中。Ar气以约20sccm-约100sccm的流量流通约0.1秒-约5秒。
接下来，包括N2气或Ar气的清洗气体流到室中，以将Al源气体的未被吸附部分从室中清洗出去。清洗气体以约50sccm-约300sccm的流量流通约0.1秒-约5秒。
选自O3、O2、O2等离子体、N2O、N2O等离子体和H2O蒸汽的反应气体流入室中，并与所吸附的Al源气体反应，从而沉积薄Al2O3层。反应气体以约0.1slm-约1slm的流量流通约3秒-约10秒。如果反应气体是浓度范围为约100gcm-3-约500gcm-3的O3气，那么O3气的流量为约200sccm-约500sccm。
包括N2气或Ar气的清洗气体流入室中，以将反应气体的未反应部分从室中清洗出去。清洗气体以约300sccm-约1,000sccm的流量流通约0.1秒-约10秒。
重复上述单位循环，直至Al2O3层的厚度在约5-约30的范围内。
ZrO2层和Al2O3层原位沉积之后，进行低温退火处理，以去除杂质如碳和氢，并消除缺陷如氧气孔和表面粗糙度，从而可以改善上述薄层的漏电流和击穿电压特性。低温退火处理采用等离子体退火处理和紫外(UV)/O3退火处理之一。
等离子体退火处理在约300℃-约450℃的温度下、在选自N2、He、N2/H2、NH3、N2O、N2/O2、O2和O3的气氛中进行。所选气体以约100sccm-约200sccm的流量流通约30秒-约120秒，同时使用RF功率为约50W-约300W、压力为约0.1托-约1托的等离子体。UV/O3退火处理在约300℃-约400℃的温度下以约1530mWcm-2的强度进行约2分钟-约10分钟。
然后，进行高温退火处理，以提高ZrO2层和Al2O3层的介电常数。高温退火处理在选自N、Ar和He的气氛中通过采用快速热退火处理和炉退火处理之一而进行。快速热退火处理在约500℃-约800℃的温度下进行，室内设定约700托-约760托的递升压力或约1托-约100托的递减压力。所选气体以约5sccm-约5slm的流量流通约30秒-约120秒。炉退火处理在约600℃-约800℃的温度下进行约10分钟-约30分钟，同时所选气体以约5sccm-约5slm的流量流过。
包括等离子体退火处理或UV/O3退火处理的低温退火处理和包括快速热退火处理或炉退火处理的高温退火处理可以在板状电极形成之后进行。
图4是说明根据本发明第二实施方案的电容器结构的图；
该电容器结构包括：存储节点21；多层介电结构22；和板状电极23。不同于第一实施方案，第二实施方案中的多层介电结构22具有通过依次堆叠Al2O3层22A和ZrO2层22B得到的ZrO2/Al2O3结构。ZrO2层22B的厚度为约5-约100，而Al2O3层22A的厚度为约5-约30。
图5是说明根据本发明第三实施方案的电容器结构的图；
该电容器结构包括：存储节点31；多层介电结构32；和板状电极33。多层介电结构32具有(Al2O3/ZrO2)n结构，此处2≤n≤10，其中ZrO2层32A和Al2O3层32B的交替依次沉积至少重复两次以上。此处，“n”是每一薄层的沉积次数。ZrO2层32A的厚度为约5-约25，而Al2O3层32B的厚度为约5-约10。
图6是说明根据本发明第四实施方案的电容器结构的图；
该电容器结构包括：存储节点41；多层介电结构42；和板状电极43。多层介电结构42具有(ZrO2/Al2O3)n结构，此处2≤n≤10，其中Al2O3层42A和ZrO2层42B的交替依次沉积至少重复两次以上。此处，“n”是每一薄层的沉积次数。ZrO2层42B的厚度为约5-约25，而Al2O3层42A的厚度为约5-约10。
图7是说明根据本发明第五实施方案的电容器结构的图；
该电容器结构包括：存储节点51；多层介电结构52；和板状电极53。多层介电结构52具有ZrO2/Al2O3/ZrO2三层结构，其中依次堆叠第一ZrO2层52A、Al2O3层52B和第二ZrO2层52C。第一ZrO2层52A和第二ZrO2层52C的厚度为约5-约50，Al2O3层52B的厚度为约5-约15。
如图4-7所示，薄Al2O3层和薄ZrO2层利用ALD法沉积，使用与第一实施方案中所述的相同的那些气体作为沉积薄Al2O3层和薄ZrO2层的源气体、清洗气体和反应气体。
优选地，Zr源气体选自ZrCl4、Zr(N(CH3)C2H5)4、Zr(O-tBu)4、Zr(N(CH3)2)4、Zr(N(C2H5)(CH3))4、Zr(N(C2H5)2)4、Zr(TMHD)4、Zr(OiC3H7)3(TMTD)和Zr(OrBu)4。清洗气体包括N2气或Ar气，反应气体选自O3、O2、O2等离子体、N2O、N2O等离子体和H2O蒸汽。Al源气体选自Al(CH3)3、Al(C2H5)3和其他含Al的有机金属化合物。
ZrO2层和Al2O3层根据ALD法原位沉积之后，进行低温退火处理，以去除杂质如碳和氢，并消除缺陷如氧气孔和表面粗糙度，从而可以改善上述薄层的漏电流和击穿电压特性。然后，进行高温退火处理，以提高前述薄层的介电常数。低温退火处理和高温退火处理的条件与本发明第一实施方案中所述的相同。
根据第一实施方案至第五实施方案的电容器结构包括含有ZrO2层和Al2O3层的多层介电结构，其中ZrO2层具有约7.8eV的高带隙能量和约20-约25的介电常数，Al2O3层具有良好的热稳定性、约8.7eV的带隙能量和约9的介电常数。由于这种特殊的多层介电结构，可以防止漏电流的产生，并提高击穿电压值。而且，还可以获得高的电容值。因此，可以制得具有尺寸小于约70nm的高度集成存储产品所需的足够电容值并且改善了漏电流和击穿电压特性的电容器。
由于上述多层介电结构与包括单一介电层如HfO2层的介电结构相比具有良好的热稳定性，因此在电容器形成之后，电性能即使是在集成化工艺需要进行的高温处理过程中也不倾向于变差。因此，可以提高利用小于70nm的金属线所实现的下一代半导体存储器件中电容器的耐久性和可靠性。
图8A-8C是根据本发明第六实施方案制造的电容器的横截面图，用于说明其制造方法；图8D是简要说明根据本发明第六实施方案的电容器制造方法的顺序步骤的图。
参照图8A，层间绝缘层62在衬底61上形成，衬底61上形成包括晶体管和位线的底部图案(未示出)。蚀刻层间绝缘层62，以形成暴露连接区域或LPP区域的多个接触孔63。然后将导电材料填充到接触孔63中，从而形成存储节点接触64。存储节点材料层在层间绝缘层62和存储节点接触64上形成，并采用CMP工艺或回蚀工艺进行隔离工艺，以形成各自连接存储节点接触64的存储节点65。
存储节点65包括选自掺杂多晶硅、TiN、TaN、W、WN、Ru、RuO2、Ir、IrO2、Pt、Ru/RuO2、Ir/IrO2和SrRuO3的材料，并且具有约200-约500的厚度。而且，存储节点65可以形成为圆柱体结构、凹面结构或简单堆叠结构。
例如，如果存储节点65包括TiN，那么分别使用TiCl4和NH3作为源材料和反应气体。源材料和反应气体的流量为约10sccm-约1,000sccm。此时，室内保持约0.1托-约10托的压力和约500℃-约700℃的衬底温度。TiN层形成为约200-约400的厚度。
然后，在选自N2、H2、N2/H2、O3、O3和NH3的气氛中进行低温退火处理，以压实存储节点65，去除残留在存储节点65内部的、成为增加漏电流的原因的杂质，并消除表面粗糙度。具体而言，光滑表面防止电场集中在某个区域。
低温退火处理通过使用等离子体、炉和RTP之一进行。在使用等离子体的情况下，低温退火处理在下列条件下进行约1分钟-约5分钟：射频(RF)功率为约100W-约500W的等离子体；温度为约200℃-约500℃；压力为约0.1托-约10托；和约5sccm-约5slm的所选环境气体。在使用电炉的情况下，低温退火处理在约600℃-约800℃的温度下进行，流过约5sccm-约5slm的所选环境气体。在使用RTP的情况下，低温退火处理在保持约500℃-约800℃的温度和约700托-约760托的递升压力或约1托-约100托的递减压力的室中进行。此时，所选环境气体以约5sccm-约5slm的流量流入室中。
参照图8B，存储节点65表面使用等离子体氮化，然后，在存储节点65上沉积约30-约100的薄ZrO2层67。ZrO2层67的表面使用等离子体氮化。因此，第一等离子体氮化物层66A存在于薄ZrO2层67之下，并且，如上所述，通过氮化存储节点65的表面而形成。另一方面，第二等离子体氮化物层66B存在于薄ZrO2层67之上，并且，如上所述，通过氮化薄ZrO2层67的表面而形成。
形成第一等离子体氮化物层66A和第二等离子体氮化物层66B的原因是为了确保ZrO2层67的热稳定性，并防止杂质渗透到ZrO2层67中。前述等离子体氮化处理在下列条件下进行：温度为约200℃-约500℃、压力为约0.1托-约10托、选自NH3、N2和N2/H2的环境气体以及RF功率为约100W-约500W。等离子体氮化处理在产生辉光放电的室中进行约5秒-约300秒。
如果等离子体氮化处理在ZrO2层67沉积前后进行，那么可以防止引起漏电流的杂质从随后的板状电极扩散至ZrO2层67。具体而言，等离子体氮化过程包括在ZrO2层67之上或之下形成Zr-O-N键，从而提高ZrO2层67的结晶温度。因此，即使在约600℃以上进行高温处理，也不会发生结晶，还能够防止漏电流的产生并提高电容器介电结构的击穿电压。
等离子体氮化处理之后，进行使用RTP或炉的退火处理，控制积聚在ZrO2层67表面的氮浓度，从而调整电容器的电性能。退火处理在约600℃-约900℃、递升或递减的压力状态下进行。
除了如图3所述的ALD法，薄ZrO2层67还可以通过使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法或脉冲CVD法沉积。
至于根据ALD法的ZrO2层沉积，单位循环包括：供应Zr的源气体；供应清洗气体；供应反应气体；和供应清洗气体。重复该单位循环，直至获得预期厚度的ZrO2层。此时，室中保持约0.1托-约1托的压力和约200℃-约350℃的低衬底温度。
Zr源气体选自ZrCl4、Zr(N(CH3)C2H5)4和其他含Zr的有机金属化合物，并由载气如Ar气传输。Ar气以约150sccm-约250sccm的流量流通约0.1秒-约10秒。Zr的源气体的流量为约50sccm-约500sccm。
反应气体选自O3、O2和H2O蒸汽，清洗气体包括N2气或Ar气。所选择的O3气具有约200±20gcm-3的浓度。反应气体以约0.1slm-约1slm的流量流通约3秒-约10秒。不使用H2O蒸汽，则可使用重水(D2O)来消除由ZrO2层67内的弱氢键所导致的电荷陷阱俘获现象(charge trapping event)。重水(D2O)导致具有氘键而不是氢键的绝缘层如金属氧化物层的形成。这样，可以提高介电层的可靠性。而且，除了H2O蒸汽和重水，反应气体还可包括O3、O2、O2等离子体、N2O或N2O等离子体。
Zr的源气体流入室中之后，清洗气体以约200sccm-约400sccm的流量流过，或者在反应气体流入室中之后，清洗气体以约50sccm-约200sccm的流量流过。在这两种情况下，清洗气体均流通约3秒-约10秒。
参照图8C，ZrO2沉积前后，在经过等离子体氮化处理的薄ZrO2层67上形成板状电极68。板状电极68包括选自掺杂多晶硅、TiN、TaN、W、WN、WSi、Ru、RuO2、Ir、IrO2和Pt的材料。具体而言，在板状电极68由金属形成的情况下，氮化硅层或多晶硅层形成为保护层，以提高电容器对于湿度、温度或电击的结构稳定性。此时，保护层形成为200-约1,000的厚度。
在本发明的第六实施方案中，如上所述，等离子体氮化处理在ZrO2层67沉积前后进行，以在ZrO2薄层67表面诱导形成Zr-O-N键。结果，结晶温度提高，并且可以阻止残余杂质的扩散。也就是说，为了克服ZrO2层在热稳定性方面的局限性，即低结晶温度，沉积ZrO2层67之后，在ZrO2层67表面上进行等离子体氮化处理，通过使氮与ZrO2层67结合而形成Zr-O-N键。结果，可以提高ZrO2层67的结晶温度，并防止残余杂质从板状电极68或存储节点65扩散到ZrO2层67中。
因此，根据本发明的第六实施方案，可以改善ZrO2层67的漏电流特性，并可以增加ZrO2层67的击穿电压，使得ZrO2层67可以具有结构稳定性。通过使用氮化ZrO2层作为电容器的介电层，可以获得足够的电容值和预期的漏电流。因此，根据第六实施方案制造的电容器可以应用于小于70nm的存储产品。
不将单一层的ZrO2层67用于电容器的介电结构，则可以制造包括氮化Al2O3层和氮化ZrO2层的双层介电结构、包括Al2O3层和氮化ZrO2层的另一双层介电结构、包括ZrO2层、Al2O3层、氮化ZrO2层的三层介电结构、包括氮化ZrO2层、Al2O3层和氮化ZrO2层的另一三层介电结构以及包括氮化ZrO2层、氮化Al2O3层和氮化ZrO2层的再一三层介电结构。这些包括氮化ZrO2层的双层或三层介电结构可以具有与使用单一层的氮化ZrO2层作为介电结构时相同的效果。
图9是说明根据本发明第七实施方案的电容器制造方法的顺序步骤的图。
在本发明第七实施方案中举例说明包括氮化ZrO2层和氮化Al2O3层的双层介电结构。如图所示，在包括多晶硅或TiN的存储节点上沉积Al2O3层，并在Al2O3层上进行NH3等离子体氮化处理。然后，在氮化Al2O3层上形成ZrO2层，并在ZrO2层上进行NH3等离子体氮化处理，从而形成双层介电结构。
图10是说明根据本发明第八实施方案的电容器制造方法的顺序步骤的图。
在本发明第八实施方案中举例说明包括氮化ZrO2层和Al2O3层的双层介电结构。如图所示，在存储节点上依次沉积Al2O3层和ZrO2层。在ZrO2层上进行NH3等离子体氮化处理，从而形成双层介电结构。
根据本发明第七实施方案和第八实施方案，由于Al2O3层具有比ZrO2层更好的热稳定性，因此预期包括氮化ZrO2层和Al2O3层或氮化ZrO2层和氮化Al2O3层的双层介电结构具有比包括单一层ZrO2层的介电结构更好的漏电流特性。具体而言，如果在约850℃以上进行随后的热处理，如图9所示，那么最好在沉积ZrO2层之前在Al2O3层表面进行NH3等离子体氮化处理。然而，如果在约850℃以下进行热处理，如图10所示，那么NH3等离子体氮化处理可以在ZrO2层沉积之后进行，而不在Al2O3层上进行NH3等离子体氮化处理。后一种形成双层介电结构的情况将足以对ZrO2层提供预期水平的热稳定性。
图11是说明根据本发明第九实施方案的电容器制造方法的顺序步骤的图。
在本发明第九实施方案中举例说明包括ZrO2层、Al2O3层和氮化ZrO2层的三层介电结构。如图所示，在存储节点上进行NH3等离子体氮化处理，并在氮化存储节点上依次沉积第一ZrO2层、Al2O3层和第二ZrO2层。然后，对第二ZrO2层进行NH3等离子体氮化处理。
类似于ZrO2层的形成，Al2O3层可以通过进行ALD法、MOCVD法和脉冲CVD法中的一种而形成。至于ALD法，Al2O3沉积包括以下单位循环：供应Al源气体；供应清洗气体；供应反应气体；和供应清洗气体。重复该单位循环，直至获得预期厚度的Al2O3层。在ALD法过程中，室中保持约0.1托-约1托的压力和约200℃-约500℃的较低衬底温度。
Al源气体选自Al(CH3)3、Al(C2H5)3和其他含Al的有机金属化合物，并由载气如Ar气传输。Ar气以约20sccm-约100sccm的流量流通约0.1秒-约5秒。
反应气体选自O3、O2和H2O蒸汽，清洗气体包括N2气或Ar气。所选择的O3气具有约200±20gcm-3的浓度。Al的源气体流入室中后，清洗气体以约50sccm-约300sccm的流量流通约0.1秒-约5秒。然而，反应气体流入室中后，清洗气体以约300sccm-约1,000sccm的流量流通约0.1秒-约10秒。Al的源气体以约50sccm-约500sccm的流量流过，反应气体以约0.1slm-约1slm的流量流通约3秒-约10秒。
尽管在本发明第九实施方案中举例说明了包括ZrO2层、Al2O3层和氮化ZrO2层的三层介电结构，但是也可以制得包括氮化ZrO2层、Al2O3层和氮化ZrO2层或包括氮化ZrO2层、氮化Al2O3层和氮化ZrO2层的三层介电结构。
根据本发明的第六至第九实施方案，沉积ZrO2层之后，对ZrO2层表面进行等离子体氮化处理，通过使氮与ZrO2层结合而形成Zr-O-N键。通过该过程，ZrO2层具有提高的结晶温度，并且可以阻止杂质从板状电极或存储节点向ZrO2层扩散的现象。
电容器介电结构可以形成为氮化ZrO2层的单层、氮化ZrO2层和Al2O3层的双层或者ZrO2层、Al2O3层和氮化ZrO2层的三层。因此，可以获得小于100nm的存储产品所需要的足够的电容值，并改善漏电流特性。
根据本发明的第一实施方案至第九实施方案，形成多层介电结构。多层介电结构包括ZrO2层和Al2O3层，其中ZrO2层具有约7.8eV的高带隙能量值和约20-约25的高介电常数，Al2O3层具有良好的热稳定性、约8.7eV的高带隙能量值和约9的介电常数。这种多层介电结构可以防止产生不希望的漏电流，并提高击穿电压。而且，可以获得高电容，并因此还可以制得具有小于70nm的存储产品所需的足够电容值并且漏电流和击穿电压特性得以改善的电容器。
就多层介电结构与包括HfO2层的传统介电结构相比具有更好的热稳定性这个事实来说，即使在随后的集成化工艺中进行高温处理也可以阻止电性能的下降。因此，可以提高甚至是具有小于约70nm的金属线的下一代半导体存储器件中电容器的耐久性和可靠性。
而且，用作电容器介电层的ZrO2层在ZrO2沉积前后经受等离子体氮化处理，以在ZrO2层上形成Zr-O-N键。Zr-O-N键的形成提高了ZrO2层的结晶温度，并防止杂质从板状电极或存储节点向ZrO2层扩散的发生，从而可以获得预期的电容值以及改善的漏电流和击穿电压特性。
而且，在约700℃以上进行的高温处理过程中，具有ZrO2层的电容器可以使产生漏电流的频率降低约二分之一。因此，可以提高高度集成半导体器件中电容器的耐久性和可靠性。
本申请包含与分别在2004年11月8日和2005年6月30日提交韩国专利局的韩国专利申请No.KR 2004-0090418和韩国专利申请No.KR 2005-0057692相关的主题，它们的整体内容通过引用并入本文。
虽然根据特定优选实施方案对本发明进行了描述，但是对于本领域的技术人员来说，显然可以在不背离所附权利要求所定义的本发明的实质和范围的情况下进行多种变化和更改。

Claims (78)

1.制造电容器的方法，包括：
形成存储节点；
在存储节点上形成多层介电结构，所述多层介电结构包括氧化锆(ZrO2)层和氧化铝(Al2O3)层；和
在多层介电结构上形成板状电极。
2.权利要求1的方法，其中多层介电结构具有Al2O3/ZrO2的双层结构，通过在存储节点上依次形成ZrO2层和Al2O3层而得到。
3.权利要求1的方法，其中多层介电结构具有ZrO2/Al2O3的双层结构，通过在存储节点上依次形成Al2O3层和ZrO2层而得到。
4.权利要求2的方法，其中ZrO2层具有约5-约100的厚度，Al2O3层具有约5-约30的厚度。
5.权利要求3的方法，其中ZrO2层具有约5-约100的厚度，Al2O3层具有约5-约30的厚度。
6.权利要求1的方法，其中多层介电结构具有ZrO2/Al2O3/ZrO2的三层结构，通过在存储节点上依次形成第一ZrO2层、Al2O3层和第二ZrO2层而得到。
7.权利要求6的方法，其中第一ZrO2层和第二ZrO2层均具有约5-约50的厚度，Al2O3层具有约5-约15的厚度。
8.权利要求1的方法，其中多层介电结构具有(ZrO2/Al2O3)n的多层结构，通过交替形成Al2O3层和ZrO2层至少两次以上而得到。
9.权利要求1的方法，其中多层介电结构具有(Al2O3/ZrO2)n的多层结构，通过交替形成ZrO2层和Al2O3层至少两次以上而得到。
10.权利要求8的方法，其中ZrO2层具有约5-约25的厚度，Al2O3层具有约5-约10的厚度。
11.权利要求9的方法，其中ZrO2层具有约5-约25的厚度，Al2O3层具有约5-约10的厚度。
12.权利要求8的方法，其中“n”是大于或等于约2且小于或等于约10的值。
13.权利要求9的方法，其中“n”是大于或等于约2且小于或等于约10的值。
14.权利要求1的方法，其中多层介电结构通过在约200℃-约500℃进行原子层沉积(ALD)法而得到。
15.权利要求14的方法，其中ZrO2层的形成包括：
吸附Zr源气体；
供应清洗气体，以将未被吸附部分的Zr源气体清洗出去；
供应反应气体，以引发反应气体和所吸附的Zr源气体之间的反应，从而获得ZrO2层；和
将未反应部分的反应气体清洗出去。
16.权利要求15的方法，其中Zr源气体选自ZrCl4、Zr(N(CH3)C2H5)4、Zr(O-tBu)4、Zr(N(CH3)2)4、Zr(N(C2H5)(CH3))4、Zr(N(C2H5)2)4、Zr(TMHD)4、Zr(OiC3H7)3(TMTD)和Zr(OrBu)4。
17.权利要求14的方法，其中Al2O3层的形成包括：
吸附Al源气体；
供应清洗气体，以将未被吸附部分的Al源气体清洗出去；
供应反应气体，以引发所吸附的Al源气体和反应气体之间的反应，从而获得Al2O3层；和
将未反应部分的反应气体清洗出去。
18.权利要求17的方法，其中Al源气体选自Al(CH3)3、Al(C2H5)3和其他含Al的有机金属化合物。
19.权利要求15的方法，其中反应气体选自臭氧(O3)、氧(O2)、O2等离子体、氧化氮(N2O)、N2O等离子体和H2O蒸汽，并以约0.1slm-约1slm的流量流过，其中O3的浓度为约100gcm-3-约500gcm-3，并且，清洗气体包括N2气和Ar气之一。
20.权利要求17的方法，其中反应气体选自臭氧(O3)、氧(O2)、O2等离子体、氧化氮(N2O)、N2O等离子体和H2O蒸汽，并以约0.1slm-约1slm的流量流过，其中O3的浓度为约100gcm-3-约500gcm-3，并且，清洗气体包括N2气和Ar气之一。
21.权利要求14的方法，ZrO2层和Al2O3层形成之后，还包括在包含存储节点和多层介电结构的衬底结构上进行低温退火处理。
22.权利要求21的方法，其中低温退火处理包括在使用射频(RF)功率为约50W-约300W的等离子体、在约0.1托-约1托的压力下、在下列特定条件下进行约30秒-约120秒的等离子体退火处理：温度为约300℃-约450℃；环境气体选自N2、氢(H2)、N2/H2、氨(NH3)、N2O、N2/O2、O2和O3，其中所选环境气体以约100sccm-约200sccm的流量流过。
23.权利要求21的方法，其中低温退火处理包括在约30mWcm-2的强度水平和约300℃-约400℃的温度下进行约2分钟-约10分钟的紫外(UV)/O3退火处理。
24.权利要求21的方法，低温退火处理之后，还包括在下列特定条件下进行约30秒-约120秒的快速热处理(RTP)：温度为约500℃-约800℃；约700托-约760托的递升压力和约1托-约100托的递减压力之一；环境气体选自N、Ar和He，其中所选环境气体以约5sccm-约5slm的流量流过。
25.权利要求21的方法，低温退火处理之后，还包括在下列特定条件下进行约10分钟-约30分钟的炉退火：温度为约600℃-约800℃；环境气体选自N、Ar和He，其中所选环境气体以约5sccm-约5slm的流量流过。
26.权利要求1的方法，其中存储节点和板状电极包括选自掺杂多晶硅、氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)、钨(W)、氮化钨(WN)、钉(Ru)、氧化钉(RuO2)、铱(Ir)、氧化铱(IrO2)和铂(Pt)的材料。
27.权利要求1的方法，形成存储节点之后，还包括在选自N2、H2、N2/H2、O2、O3和NH3的环境气体中进行低温退火处理。
28.权利要求1的方法，形成板状电极之后，还包括通过ALD法形成保护层，其中保护层是氧化物层和金属层之一，并具有约50-约200的厚度，其中氧化物层包括选自Al2O3、氧化铪(HfO2)、氧化钽(Ta2O5)、ZrO2、氧化钛(TiO2)和氧化镧(La2O3)的材料，金属层包括TiN。
29.制造电容器的方法，包括：
形成存储节点；
在存储节点表面进行等离子体氮化处理；
在氮化存储节点上形成ZrO2层；
在ZrO2层表面进行等离子体氮化处理，从而获得氮化ZrO2层；和
在氮化ZrO2层上形成板状电极。
30.权利要求29的方法，其中等离子体氮化处理在下列特定条件下进行约5秒-约300秒：RF功率为约100W-约500W；室中产生辉光放电；温度为约200℃-约500℃；压力为约0.1托-约10托；环境气体选自NH3、N2和N2/H2。
31.权利要求29的方法，其中ZrO2层具有约30-约100的厚度。
32.权利要求29的方法，其中ZrO2层通过采用选自ALD法、金属有机化学气相沉积(MOCVD)法和脉冲CVD法中的一种方法而形成。
33.权利要求32的方法，其中通过ALD法形成ZrO2层采用：选自Zr(N(CH3)C2H5)4、ZrCl4和其他含Zr的有机金属化合物并以约50sccm-约500sccm的流量流过的Zr源气体；和选自H2O蒸汽和重水(D2O)并以约0.1slm-约1slm的流量流过的反应气体。
34.权利要求29的方法，在ZrO2层上进行等离子体氮化处理之后，还包括在约600℃-约900℃、递升压力状态或递减压力状态下进行退火处理，以控制积聚在ZrO2层表面的氮浓度，其中等离子体退火处理使用RTP和炉之一。
35.权利要求29的方法，其中存储节点和板状电极包括选自掺杂多晶硅、TiN、TaN、W、WN、Ru和Pt的材料。
36.权利要求35的方法，形成板状电极之后，还包括在板状电极上形成保护层，以获得对于湿度、温度和电击的结构稳定性，其中保护层包括氮化硅和掺杂多晶硅中的一种，并且具有约200-约1,000的厚度。
37.制造半导体器件的方法，包括：
形成存储节点；
在存储节点上形成Al2O3层；
在Al2O3层上形成ZrO2层；
在ZrO2层表面进行等离子体氮化，由此获得包括氮化ZrO2层和Al2O3层的介电结构；和
在介电结构上形成板状电极。
38.权利要求37的方法，形成Al2O3层之后和形成ZrO2层之前，还包括在Al2O3层表面进行等离子体氮化处理。
39.权利要求37的方法，其中等离子体氮化处理在下列特定条件下进行约5秒-约300秒：温度为约200℃-约500℃；压力为约0.1托-约10托；环境气体选自NH3、N2和N2/H2；RF功率为约l00W-约500W；并且室中产生辉光放电。
40.权利要求38的方法，其中等离子体氮化处理在下列特定条件下进行约5秒-约300秒：温度为约200℃-约500℃；压力为约0.1托-约10托；环境气体选自NH3、N2和N2/H2；RF功率为约100W-约500W；并且室中产生辉光放电。
41.权利要求37的方法，其中形成Al2O3层和ZrO2层的总厚度为约30-约100。
42.权利要求37的方法，其中Al2O3层和ZrO2层通过采用选自ALD法、MOCVD法和脉冲CVD法中的一种而形成。
43.权利要求42的方法，其中通过ALD法形成Al2O3层采用：选自Al(CH3)3和其他含Al的有机金属化合物并以约50sccm-约500sccm的流量流过的Al源气体；和选自O3、O2、H2O蒸汽和重水(D2O)并以约0.1slm-约1slm的流量流过的反应气体，其中O3的浓度为约200±20gcm-3。
44.权利要求42的方法，其中通过ALD法形成ZrO2层采用：选自Zr(N(CH3)C2H5)4、ZrCl4和其他含Zr的有机金属化合物并以约50sccm-约500sccm的流量流过的Zr源气体；和选自O3、O2、H2O蒸汽和重水(D2O)的反应气体，其中O3的浓度为约200±20gcm-3。
45.权利要求37的方法，在ZrO2层上进行等离子体氮化处理之后，还包括在约600℃-约900℃的温度下、在递升压力或递减压力的一种压力状态下进行RTP退火处理和炉退火处理中的一种，以控制积聚在ZrO2层表面的氮浓度。
46.权利要求37的方法，其中存储节点和板状电极包括选自掺杂多晶硅、TiN、TaN、W、WN、Ru和Pt的材料。
47.权利要求46的方法，形成板状电极之后，还包括形成保护层，以获得对于湿度、温度和电击的结构稳定性，其中保护层包括氮化硅和掺杂多晶硅中的一种，并且具有约200-约1,000的厚度。
48.制造半导体器件电容器的方法，包括：
形成存储节点；
在存储节点表面进行等离子体氮化处理；
在氮化存储节点上依次形成第一ZrO2层、Al2O3层和第二ZrO2层；
在第二ZrO2层表面进行等离子体氮化处理，由此获得包括第一ZrO2层、Al2O3层和氮化第二ZrO2层的三层介电结构；和
在三层介电结构上形成板状电极。
49.权利要求48的方法，其中依次形成第一ZrO2层、Al2O3层和第二ZrO2层包括：
形成第一ZrO2层；
在第一ZrO2层表面进行等离子体氮化处理；
在氮化的第一ZrO2层上形成Al2O3层；和
在Al2O3层上形成第二ZrO2层。
50.权利要求48的方法，其中依次形成第一ZrO2层、Al2O3层和第二ZrO2层包括：
形成第一ZrO2层；
在第一ZrO2层表面进行等离子体氮化处理；
在氮化的第一ZrO2层上形成Al2O3层；
在Al2O3层表面进行等离子体氮化处理；和
在氮化Al2O3层上形成第二ZrO2层。
51.权利要求48的方法，其中等离子体氮化处理在下列特定条件下进行约5秒-约300秒：在温度为约200℃-约500℃；压力为约0.1托-约10托；环境气体选自NH3、N2和N2/H2；RF功率为约100W-约500W；并且室中产生辉光放电。
52.权利要求48的方法，其中形成第一ZrO2层、Al2O3层和第二ZrO2层的总厚度为约30-约100。
53.权利要求48的方法，其中第一ZrO2层、Al2O3层和第二ZrO2层通过采用选自ALD法、MOCVD法和脉冲CVD法中的一种而形成。
54.权利要求53的方法，其中通过ALD法形成Al2O3层采用：选自Al(CH3)3和其他含Al的有机金属化合物并以约50sccm-约500sccm的流量流过的Al源气体；和选自O3、O2、H2O蒸汽和重水(D2O)并以约0.1slm-约1slm的流量流过的反应气体，其中O3的浓度为约200±20gcm-3。
55.权利要求53的方法，其中通过ALD法形成第一ZrO2层和第二ZrO2层采用：选自Zr(N(CH3)C2H5)4、ZrCl4和其他含Zr的有机金属化合物并以约50sccm-约500sccm的流量流过的Zr源气体；和选自O3、O2、H2O蒸汽和重水(D2O)并以约0.1slm-约1slm的流量流过的反应气体，其中O3的浓度为约200±20gcm-3。
56.权利要求48的方法，在第二ZrO2层上进行等离子体氮化处理之后，还包括在约600℃-约900℃的温度下、在递升压力或递减压力的一种压力状态下进行RTP退火处理和炉退火处理中的一种，以控制积聚在第二ZrO2层表面的氮浓度。
57.权利要求48的方法，其中存储节点和板状电极包括选自掺杂多晶硅、TiN、TaN、W、WN、Ru和Pt的材料。
58.权利要求48的方法，形成板状电极之后，还包括形成保护层，以获得对于湿度、温度和电击的结构稳定性，其中保护层包括氮化硅和掺杂多晶硅中的一种，并且具有约200-约1,000的厚度。
59.半导体器件电容器，包括：
存储节点；
多层介电结构，包括ZrO2层和Al2O3层并在存储节点上形成；和
多层介电结构上的板状电极。
60.权利要求59的电容器，其中多层介电结构具有Al2O3/ZrO2的双层结构，通过依次堆叠ZrO2层和Al2O3层而得到。
61.权利要求59的电容器，其中多层介电结构具有ZrO2/Al2O3的双层结构，通过依次堆叠Al2O3层和ZrO2层而得到。
62.权利要求60的电容器，其中ZrO2层具有约5-约100的厚度，Al2O3层具有约5-约30的厚度。
63.权利要求61的电容器，其中ZrO2层具有约5-约100的厚度，Al2O3层具有约5-约30的厚度。
64.权利要求59的电容器，其中多层介电结构具有ZrO2/Al2O3/ZrO2的三层结构，通过依次堆叠第一ZrO2层、Al2O3层和第二ZrO2层而得到。
65.权利要求64的电容器，其中第一ZrO2层和第二ZrO2层均具有约5-约50的厚度，Al2O3层具有约5-约15的厚度。
66.权利要求59的电容器，其中多层介电结构具有(ZrO2/Al2O3)n的多层结构，通过交替形成Al2O3层和ZrO2层至少两次以上而得到。
67.权利要求59的电容器，其中多层介电结构具有(Al2O3/ZrO2)n的多层结构，通过交替形成ZrO2层和Al2O3层至少两次以上而得到。
68.权利要求66的电容器，其中ZrO2层具有约5-约25的厚度，Al2O3层具有约5-约10的厚度。
69.权利要求67的电容器，其中ZrO2层具有约5-约25的厚度，Al2O3层具有约5-约10的厚度。
70.权利要求66的电容器，其中“n”是大于或等于约2且小于或等于约10的值。
71.权利要求67的电容器，其中“n”是大于或等于约2且小于或等于约10的值。
72.半导体器件电容器，包括：
存储节点；
ZrO2层，在存储节点上形成并包括等离子体氮化表面；和
在ZrO2层上形成的板状电极。
73.权利要求72的电容器，还包括在ZrO2层和存储节点之间形成的Al2O3层。
74.权利要求72的电容器，还包括Al2O3层，所述Al2O3层包括等离子体氮化表面并且在ZrO2层和存储节点之间形成。
75.权利要求72的电容器，还包括含有Al2O3层和ZrO2层并在ZrO2层和存储节点之间形成的双层结构，其中所述Al2O3层的表面经等离子体氮化，所述ZrO2层表面经等离子体氮化。
76.权利要求72的电容器，还包括含有Al2O3层和ZrO2层并在ZrO2层和存储节点之间形成的双层结构，其中所述ZrO2层表面经等离子体氮化。
77.权利要求72的电容器，还包括含有Al2O3层和ZrO2层并在ZrO2层和存储节点之间形成的双层结构，从而获得ZrO2/Al2O3/ZrO2的三层结构。
78.权利要求77的电容器，其中存储节点表面经等离子体氮化。
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TW (1) TWI338376B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100553005C (zh) * 2007-08-01 2009-10-21 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 降低相变存储器器件单元功耗的加热层及器件的制作方法
CN102703880A (zh) * 2012-06-12 2012-10-03 浙江大学 利用原子层沉积制备高精度光学宽带抗反射多层膜的方法
CN105161415A (zh) * 2015-08-31 2015-12-16 上海集成电路研发中心有限公司 高介电常数薄膜-氧化铝叠层结构绝缘薄膜及其制备方法
CN111261775A (zh) * 2018-11-30 2020-06-09 长鑫存储技术有限公司 电容器及其制造方法

Families Citing this family (219)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100722989B1 (ko) * 2005-11-10 2007-05-30 주식회사 하이닉스반도체 캐패시터 및 그 제조 방법
EP2029790A1 (en) 2006-06-02 2009-03-04 L'AIR LIQUIDE, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Method of forming high-k dielectric films based on novel titanium, zirconium, and hafnium precursors and their use for semiconductor manufacturing
KR100716655B1 (ko) 2006-06-29 2007-05-09 주식회사 하이닉스반도체 지르코늄산화막과 탄탈륨산화막이 적층된 유전막 형성 방법및 그를 이용한 캐패시터의 제조 방법
JP2008021750A (ja) * 2006-07-11 2008-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 抵抗変化素子およびその製造方法、ならびにそれを用いた抵抗変化型メモリ
US20080012143A1 (en) * 2006-07-12 2008-01-17 Jin Ha Park Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same
KR100842953B1 (ko) * 2006-09-29 2008-07-01 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 커패시터 제조방법
KR100809336B1 (ko) * 2006-10-02 2008-03-05 삼성전자주식회사 메모리 소자의 제조 방법
JP2008112762A (ja) * 2006-10-27 2008-05-15 Tokyo Electron Ltd 高誘電体膜の形成方法および半導体装置の製造方法
KR100872876B1 (ko) 2006-11-24 2008-12-10 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 반도체 장치
KR100818657B1 (ko) 2006-12-27 2008-04-01 주식회사 하이닉스반도체 다층 구조의 유전막 및 그를 구비한 캐패시터의 제조 방법
KR100881730B1 (ko) * 2007-03-16 2009-02-06 주식회사 하이닉스반도체 캐패시터 및 그 제조 방법
KR100805018B1 (ko) * 2007-03-23 2008-02-20 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조 방법
JP2008243926A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Meidensha Corp 薄膜の改質方法
US7723771B2 (en) * 2007-03-30 2010-05-25 Qimonda Ag Zirconium oxide based capacitor and process to manufacture the same
KR100994995B1 (ko) 2007-08-07 2010-11-18 삼성전자주식회사 ＤｙＳｃ０３ 막을 포함하는 반도체 박막의 적층 구조 및 그 형성방법
US20100123993A1 (en) * 2008-02-13 2010-05-20 Herzel Laor Atomic layer deposition process for manufacture of battery electrodes, capacitors, resistors, and catalyzers
CN101959897A (zh) 2008-02-27 2011-01-26 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 使用原子层沉积(ald)法在基底上形成含钛层的方法
KR101515471B1 (ko) 2008-03-27 2015-05-06 삼성전자주식회사 지르코늄 산화막과 지르코늄 산질화막 형성방법 및 이를이용하는 반도체 장치 및 그 제조방법
US7820506B2 (en) 2008-10-15 2010-10-26 Micron Technology, Inc. Capacitors, dielectric structures, and methods of forming dielectric structures
US8236372B2 (en) * 2009-06-12 2012-08-07 Micron Technology, Inc. Methods of forming capacitors having dielectric regions that include multiple metal oxide-comprising materials
US8310807B2 (en) * 2009-06-12 2012-11-13 Micron Technology, Inc. Capacitors having dielectric regions that include multiple metal oxide-comprising materials
JP5410174B2 (ja) * 2009-07-01 2014-02-05 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理システム
JP5462885B2 (ja) * 2009-12-18 2014-04-02 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法および基板処理装置
US8357583B2 (en) 2010-09-10 2013-01-22 Elpida Memory, Inc. Method for manufacturing semiconductor device
JP5587716B2 (ja) 2010-09-27 2014-09-10 マイクロンメモリジャパン株式会社 半導体装置及びその製造方法、並びに吸着サイト・ブロッキング原子層堆積法
JP2012104551A (ja) 2010-11-08 2012-05-31 Elpida Memory Inc 半導体記憶装置及びその製造方法
US8530322B2 (en) * 2010-12-16 2013-09-10 Intermolecular, Inc. Method of forming stacked metal oxide layers
JP5932221B2 (ja) * 2011-01-14 2016-06-08 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルＰＳ４ Ｌｕｘｃｏ Ｓ．ａ．ｒ．ｌ． 半導体装置
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US8647960B2 (en) * 2011-11-14 2014-02-11 Intermolecular, Inc. Anneal to minimize leakage current in DRAM capacitor
JP2013232490A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Ps4 Luxco S A R L 半導体装置及びその製造方法
JP2014017354A (ja) * 2012-07-09 2014-01-30 Tokyo Electron Ltd 成膜方法
US8815695B2 (en) * 2012-12-27 2014-08-26 Intermolecular, Inc. Methods to improve leakage for ZrO2 based high K MIM capacitor
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
JP6111317B2 (ja) * 2013-03-19 2017-04-05 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置、プログラムおよび記録媒体
KR102148338B1 (ko) * 2013-05-03 2020-08-26 삼성전자 주식회사 반도체 소자 및 이의 제조 방법
US20150146341A1 (en) * 2013-11-27 2015-05-28 GlobalFoundries, Inc. ALD dielectric films with leakage-reducing impurity layers
US9178006B2 (en) 2014-02-10 2015-11-03 Intermolecular, Inc. Methods to improve electrical performance of ZrO2 based high-K dielectric materials for DRAM applications
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9663547B2 (en) 2014-12-23 2017-05-30 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Silicon- and Zirconium-containing compositions for vapor deposition of Zirconium-containing films
US9499571B2 (en) 2014-12-23 2016-11-22 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Germanium- and zirconium-containing compositions for vapor deposition of zirconium-containing films
US11038010B2 (en) * 2015-01-29 2021-06-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Capacitor structure and method of making the same
KR102382025B1 (ko) 2015-03-04 2022-04-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
KR102398956B1 (ko) * 2015-07-13 2022-05-17 삼성전자주식회사 커패시턴스 생성 장치를 포함하는 전자 장치
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
KR102494126B1 (ko) 2016-04-26 2023-02-02 삼성전자주식회사 커패시터를 포함하는 반도체 소자
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10128116B2 (en) 2016-10-17 2018-11-13 Lam Research Corporation Integrated direct dielectric and metal deposition
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10106568B2 (en) 2016-10-28 2018-10-23 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Hafnium-containing film forming compositions for vapor deposition of hafnium-containing films
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US20180240861A1 (en) * 2017-02-23 2018-08-23 International Business Machines Corporation Multilayer dielectric for metal-insulator-metal capacitor (mimcap) capacitance and leakage improvement
JP7211969B2 (ja) * 2017-04-27 2023-01-24 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ３ｄ ｎａｎｄに適用するための低誘電率酸化物および低抵抗のｏｐスタック
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
CN109494302B (zh) * 2017-09-12 2024-04-05 松下知识产权经营株式会社 电容元件、图像传感器以及电容元件的制造方法
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
KR102633318B1 (ko) 2017-11-27 2024-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 청정 소형 구역을 포함한 장치
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US10629428B2 (en) * 2018-03-09 2020-04-21 Globalfoundries Inc. Metal insulator metal capacitor devices
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10840324B2 (en) * 2018-08-28 2020-11-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor structure and manufacturing method for the same
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
CN111593319B (zh) 2019-02-20 2023-05-30 Asm Ip私人控股有限公司 用于填充在衬底表面内形成的凹部的循环沉积方法和设备
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
US11551912B2 (en) 2020-01-20 2023-01-10 Asm Ip Holding B.V. Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3158052B2 (ja) * 1996-06-14 2001-04-23 アロン化成株式会社 インバート部材の製造方法
JPH102002A (ja) * 1996-06-17 1998-01-06 Daiwa:Kk 排水桝と排水桝の内底形成方法
DE19825736C2 (de) * 1997-06-11 2003-09-18 Hyundai Electronics Ind Verfahren zum Bilden eines Kondensators einer Halbleitervorrichtung
US6235594B1 (en) 1999-01-13 2001-05-22 Agere Systems Guardian Corp. Methods of fabricating an integrated circuit device with composite oxide dielectric
GB2358284B (en) * 1999-07-02 2004-07-14 Hyundai Electronics Ind Method of manufacturing capacitor for semiconductor memory device
KR100363084B1 (ko) * 1999-10-19 2002-11-30 삼성전자 주식회사 박막 구조를 위한 다중막을 포함하는 커패시터 및 그 제조 방법
KR100482753B1 (ko) * 1999-11-09 2005-04-14 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 캐패시터 제조방법
JP2001210798A (ja) * 1999-12-22 2001-08-03 Texas Instr Inc <Ti> コンデンサ構造の保護のための絶縁性と導電性の障壁の使用
KR100367404B1 (ko) * 1999-12-31 2003-01-10 주식회사 하이닉스반도체 다층 ＴａＯＮ박막을 갖는 커패시터 제조방법
US6407435B1 (en) * 2000-02-11 2002-06-18 Sharp Laboratories Of America, Inc. Multilayer dielectric stack and method
KR100402943B1 (ko) * 2000-06-19 2003-10-30 주식회사 하이닉스반도체 고유전체 캐패시터 및 그 제조 방법
KR100467366B1 (ko) * 2000-06-30 2005-01-24 주식회사 하이닉스반도체 원자층 증착법을 이용한 지르코늄산화막 형성방법
KR20020004539A (ko) * 2000-07-06 2002-01-16 박종섭 수소확산을 방지할 수 있는 강유전체 메모리 소자 제조 방법
DE10034003A1 (de) * 2000-07-07 2002-01-24 Infineon Technologies Ag Grabenkondensator mit Isolationskragen und entsprechendes Herstellungsverfahren
KR100396879B1 (ko) * 2000-08-11 2003-09-02 삼성전자주식회사 동일 물질로 이루어진 이중막을 포함하는 다중막으로캡슐화된 캐패시터를 구비한 반도체 메모리 소자 및 그의제조 방법
US6664186B1 (en) * 2000-09-29 2003-12-16 International Business Machines Corporation Method of film deposition, and fabrication of structures
US6660660B2 (en) * 2000-10-10 2003-12-09 Asm International, Nv. Methods for making a dielectric stack in an integrated circuit
US6933248B2 (en) * 2000-10-19 2005-08-23 Texas Instruments Incorporated Method for transistor gate dielectric layer with uniform nitrogen concentration
TW506051B (en) 2000-12-06 2002-10-11 Macronix Int Co Ltd Method for forming gate dielectric material layer in silicon nitride ROM
JP2002222934A (ja) * 2001-01-29 2002-08-09 Nec Corp 半導体装置およびその製造方法
US6844604B2 (en) * 2001-02-02 2005-01-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Dielectric layer for semiconductor device and method of manufacturing the same
US6858865B2 (en) * 2001-02-23 2005-02-22 Micron Technology, Inc. Doped aluminum oxide dielectrics
JP2002270794A (ja) * 2001-03-07 2002-09-20 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
JP2002314072A (ja) * 2001-04-19 2002-10-25 Nec Corp 高誘電体薄膜を備えた半導体装置及びその製造方法並びに誘電体膜の成膜装置
JP3863391B2 (ja) * 2001-06-13 2006-12-27 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US6420279B1 (en) 2001-06-28 2002-07-16 Sharp Laboratories Of America, Inc. Methods of using atomic layer deposition to deposit a high dielectric constant material on a substrate
KR100406549B1 (ko) * 2001-06-30 2003-11-22 주식회사 하이닉스반도체 지르코늄산화막을 구비하는 캐패시터의 제조 방법
JP2003031690A (ja) * 2001-07-18 2003-01-31 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法およびその方法を用いて製造される半導体装置
US20030096473A1 (en) * 2001-11-16 2003-05-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method for making metal capacitors with low leakage currents for mixed-signal devices
JP2003179212A (ja) * 2001-12-12 2003-06-27 Sony Corp キャパシタ、メモリ素子およびその製造方法
US6767795B2 (en) * 2002-01-17 2004-07-27 Micron Technology, Inc. Highly reliable amorphous high-k gate dielectric ZrOXNY
US7164165B2 (en) * 2002-05-16 2007-01-16 Micron Technology, Inc. MIS capacitor
US6797525B2 (en) * 2002-05-22 2004-09-28 Agere Systems Inc. Fabrication process for a semiconductor device having a metal oxide dielectric material with a high dielectric constant, annealed with a buffered anneal process
US7326988B2 (en) * 2002-07-02 2008-02-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and method for fabricating the same
TW200411923A (en) * 2002-07-19 2004-07-01 Asml Us Inc In-situ formation of metal insulator metal capacitors
KR100542736B1 (ko) * 2002-08-17 2006-01-11 삼성전자주식회사 원자층 증착법을 이용한 산화막의 형성방법 및 이를이용한 반도체 장치의 캐패시터 형성방법
TW200408323A (en) * 2002-08-18 2004-05-16 Asml Us Inc Atomic layer deposition of high k metal oxides
US6875678B2 (en) * 2002-09-10 2005-04-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Post thermal treatment methods of forming high dielectric layers in integrated circuit devices
JP2004111447A (ja) * 2002-09-13 2004-04-08 Handotai Rikougaku Kenkyu Center:Kk 半導体装置及びその製造方法
KR100450685B1 (ko) * 2002-11-30 2004-10-01 삼성전자주식회사 유전막 공정을 단순화하여 반도체 소자의 커패시터를제조하는 방법과 그 유전막을 형성하는 장치
US6940117B2 (en) * 2002-12-03 2005-09-06 International Business Machines Corporation Prevention of Ta2O5 mim cap shorting in the beol anneal cycles
JP4290421B2 (ja) * 2002-12-27 2009-07-08 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
KR100540474B1 (ko) * 2002-12-30 2006-01-11 주식회사 하이닉스반도체 산소확산방지막을 구비한 캐패시터 및 그의 제조 방법
KR100493040B1 (ko) * 2002-12-30 2005-06-07 삼성전자주식회사 반도체 소자의 커패시터 및 그 제조방법
EP1591527B1 (en) 2003-01-23 2015-08-26 Ono Pharmaceutical Co., Ltd. Substance specific to human pd-1
US7135369B2 (en) * 2003-03-31 2006-11-14 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited ZrAlxOy dielectric layers including Zr4AlO9
US7092234B2 (en) * 2003-05-20 2006-08-15 Micron Technology, Inc. DRAM cells and electronic systems
KR20050075790A (ko) 2004-01-16 2005-07-22 (주)바이오빈 키토산과 게장이 혼합된 된장의 제조방법
KR100542675B1 (ko) 2004-02-06 2006-01-11 허차순 합성수지 하수관용 고무패킹 소켓 성형장치
KR100579869B1 (ko) 2004-04-21 2006-05-22 김상국 다중구동원을 구비한 하부 방류형 어도 겸용 가동보 수문및 그 구동방법
KR20050103065A (ko) 2004-04-24 2005-10-27 삼성전자주식회사 Ｕｍｔｓ 망에서의 통합된 ｓｇｓｎ 및 ｇｇｓｎ에서의터널 설정 방법 및 장치
KR20050123428A (ko) 2004-06-25 2005-12-29 엘지전자 주식회사 컨트롤 패널과 메탈 시트의 결합구조
KR100587086B1 (ko) 2004-10-29 2006-06-08 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 캐패시터 형성방법
KR100713906B1 (ko) 2004-11-08 2007-05-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 캐패시터 형성방법
KR100772099B1 (ko) 2005-06-28 2007-11-01 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 캐패시터 형성방법
KR100744026B1 (ko) 2005-06-28 2007-07-30 주식회사 하이닉스반도체 플래시 메모리 소자의 제조방법
KR100670726B1 (ko) 2005-06-29 2007-01-17 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 캐패시터 및 그 형성방법
KR100772101B1 (ko) 2005-06-30 2007-11-01 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 캐패시터 형성방법
KR100717813B1 (ko) 2005-06-30 2007-05-11 주식회사 하이닉스반도체 나노믹스드 유전막을 갖는 캐패시터 및 그의 제조 방법
KR100596805B1 (ko) 2005-06-30 2006-07-04 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 캐패시터 형성방법
KR100655139B1 (ko) 2005-11-03 2006-12-08 주식회사 하이닉스반도체 캐패시터 제조 방법
KR100655140B1 (ko) 2005-11-10 2006-12-08 주식회사 하이닉스반도체 캐패시터 및 그 제조 방법
KR100656283B1 (ko) 2005-12-14 2006-12-11 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법
KR100672766B1 (ko) 2005-12-27 2007-01-22 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100553005C (zh) * 2007-08-01 2009-10-21 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 降低相变存储器器件单元功耗的加热层及器件的制作方法
CN102703880A (zh) * 2012-06-12 2012-10-03 浙江大学 利用原子层沉积制备高精度光学宽带抗反射多层膜的方法
CN102703880B (zh) * 2012-06-12 2014-01-15 浙江大学 利用原子层沉积制备高精度光学宽带抗反射多层膜的方法
CN105161415A (zh) * 2015-08-31 2015-12-16 上海集成电路研发中心有限公司 高介电常数薄膜-氧化铝叠层结构绝缘薄膜及其制备方法
CN105161415B (zh) * 2015-08-31 2018-06-22 上海集成电路研发中心有限公司 高介电常数薄膜-氧化铝叠层结构绝缘薄膜及其制备方法
CN111261775A (zh) * 2018-11-30 2020-06-09 长鑫存储技术有限公司 电容器及其制造方法

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