TWI488290B - 包括含碳電極之半導體元件及其製法 - Google Patents

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Description

包括含碳電極之半導體元件及其製法 參考相關申請案
本案請求韓國專利申請案第10-2009-0117394號，申請日2009年11月30日之優先權，該案全文以引用方式併入此處。
本發明之具體實施例係有關半導體製造技術，更具體而言係有關包括含碳電極之半導體元件及半導體元件之製造方法。
於半導體動態隨機記憶體(DRAM)之製造步驟中，執行結構尺寸的縮小來增加每個晶圓之半導體晶片數目中，由於DRAM電容器結構的縮小，造成元件的電容也減少。
為了克服本缺陷，換言之，為了增加電容，使用具有高電容率之介電層。但，具有高電容率之介電層有問題在於由於窄帶隙造成漏電流高。因此，需要具有高功函數之電極來解決該問題。
本發明之一實施例係針對一種具有具高功函數之含碳電極之半導體元件及該半導體元件之製法。
根據本發明之具體實施例，一種半導體元件之電極包括含碳元素之氮化鈦(TiN)層。
碳元素於該含碳元素之氮化鈦層中可具有約3%至約50%之含量，或更佳於含碳元素之氮化鈦層內部具有約20%至約50%之含量。
含碳元素之氮化鈦層包括選自於由TiCN、TiSiCN、TiAlCN及TiSiAlCN所組成之組群中之至少一種化合物，且可包括選自於由閘極電極、位元線電極、電容器之下電極及電容器之上電極所組成之組群中之至少一個電極。
根據本發明之另一實施例，一種用以形成氮化鈦層之方法包括提供一基板，及於該基板上沉積含碳元素之氮化鈦層。
含碳元素之氮化鈦層可透過原子層沉積(ALD)方法製成，該ALD方法可重複一單元循環包括流動鈦有機來源與吹掃，流動矽或鋁來源與吹掃，及流動電漿與吹掃之組合，及該ALD方法係於約150℃至約500℃之溫度進行。
該ALD方法經由控制流動鈦有機來源或流動電漿，可控制於該含碳元素之氮化鈦層中之碳元素含量。經由控制鈦有機來源流動時間或鈦有機來源流動量，可執行流動鈦有機來源之控制。經由控制流動電漿之處理時間或流動電漿之功率可執行電漿流動之控制。
鈦有機來源可包括選自於由TDMAT[肆(二甲基胺)鈦]、TEMAT[肆(乙基甲基胺)鈦]、TDEAT[肆[二乙基胺]鈦]、Ti(OiPr)2 (tmhd)2 [貳(異丙氧)二(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酸)鈦]、Ti(OiBu)2 (tmhd)2 [二(第三丁氧)貳(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酸)鈦]、Ti(OiBu)4 [第三丁氧化鈦(VI)]、TTIP[異丙氧化鈦(IV)]及TiCl4 [四氯化鈦]所組成之組群中之至少一種化合物。
電漿之流動可使用選自於由N2 、Ar、H2 及NH3 所組成之組群中之一種處理氣體執行。
根據本發明之又另一個具體實施例，一種電容器包括一第一電極、一介電層、及一第二電極，其中該第一電極與該第二電極中之至少一者包括含碳元素之氮化鈦層。
根據本發明之又另一個具體實施例，一種製成電容器之方法包括製成一第一電極，於該第一電極上方製成一介電層，及於該介電層上方製成一第二電極，其中該第一電極與該第二電極中之至少一者包括含碳元素之氮化鈦層。
說明本發明之具體實施例之進一步細節如下。但本發明可以不同形式具體實施，且不可解譯為囿限於此處陳述之實施例。反而，提供此等實施例使得本揭示為徹底且完整，且將更完整傳遞本發明之實施例之範圍予熟知該技術者。全文揭示中，類似的元件符號係指於本發明之圖式之各幅圖與實施例間類似的部件。
圖式並非必要照比例繪製，於若干情況下，可誇大比例俾使明白舉例說明具體實施例之特徵。當第一層被稱作為於第二層「之上」或於基板「之上」時，其不僅係指第一層係直接形成於第二層或基板之上的情況，同時也係指有第三層存在於第一層與第二層間或第一層與基板間的情況。
本發明之具體實施例提供一種具有含碳電極之半導體元件及其製法。該半導體元件之電極係由氮化鈦層形成，該氮化鈦層經形成為含有碳元素來藉此達成高功函數。結果，雖然於半導體元件中採用具有高電容率之介電層來形成電容器，但半導體元件之漏電流減低。一種形成用於前述目的之含碳元素之氮化鈦層之方法容後詳述。
第1圖為剖面圖顯示根據本發明之實施例一種含碳(C)元素之氮化鈦(TiN)層。
如第1圖所示，該含碳元素之氮化鈦層亦即含碳之氮化鈦層11係形成於基板10之上。此處含碳之氮化鈦層11包括一半導體元件之電極。舉例言之，含碳之氮化鈦層11可包括閘極電極、位元線電極、電容器之下電極及電容器之上電極中之至少一者。
含碳之氮化鈦層11可包括選自於由TiCN、TiSiCN、TiAlCN及TiSiAlCN所組成之組群中之至少一種化合物。特定言之，碳元素之含量可於占含碳之氮化鈦層11之總含量之3%至50%之範圍。
碳具有5eV之功函數，典型TiN層具有4.5eV之功函數。因此，藉由摻雜具相對高功函數之碳，經由形成含碳之氮化鈦層11可增加蕭特基(Schottky)障壁高度及減少漏電流。
下表1比較根據本發明之實施例不含碳元素之TiN層之功函數與含碳之氮化鈦層之功函數。
如表1所述，於不含碳元素之氮化鈦層中，氮化鈦層具有4.5eV之功函數，及TiSiN層及TiAlN層具有4.7eV至4.8eV之範圍之功函數。另一方面，根據本發明之實施例之含碳之氮化鈦層具有至少4.9eV之功函數。因此，含碳之氮化鈦層之功函數比不含碳元素之氮化鈦層之功函數至少高0.1eV。
根據本發明之實施例，藉由下述方式可獲得具有較高功函數之含碳之氮化鈦層11，經由形成包括選自於TiSiCN、TiAlCN及TiSiAlCN所組成之組群中之至少一種化合物之含碳之氮化鈦層11，該層係藉摻混碳至具有相對高功函數之TiSiN或TiAlN獲得。此外，含碳之氮化鈦層11可由不含矽或不含鋁之TiCN層製成。
如前文說明，若功函數增高，則可增加蕭特基障壁的高度以及如此減少漏電流。
含碳之氮化鈦層11可使用原子層沉積(ALD)方法製成。較佳含碳之氮化鈦層11可使用金屬有機ALD方法製成。參考第2圖示例顯示之時序圖說明其細節如下。
第2圖為用於形成含碳之氮化鈦層之ALD方法之時序圖。
ALD方法為將來源材料及反應材料循序流入腔室內及吹掃該等材料來循序沉積多層單原子層。
雖然ALD方法使用如化學氣相沉積(CVD)方法之化學反應，但ALD方法與CVD方法之區別在於各個反應來源係呈脈衝流動而未混合於腔室。舉例言之，循序執行來源材料之流動、吹掃、反應材料之流動及吹掃。舉例言之，於經由流動來源材料而完成化學吸附後，留在腔室內之未反應的來源材料係以惰性氣體吹掃。隨後，當將反應材料流入腔室內時，出現來源材料與反應材料間之反應，如此沉積原子層薄膜。最後，於來源材料與反應材料間之反應後，留在腔室內之反應材料及副產物經吹掃。
如前文說明，因ALD方法使用表面反應機轉，故可確保獲得均勻穩定薄膜。此外，根據ALD方法，因來源材料係自反應材料分離，且因其循序流動及吹掃，故可遏止使用CVD方法所發生之因氣相反應所產生的粒子。
如第2圖所示，ALD方法重複單元循環M次，M為自然數，其中該單元循環包括流動鈦有機來源與吹掃之步驟100、流動矽或鋁來源與吹掃之步驟200、及流動電漿與吹掃之步驟300。
特定言之，ALD方法重複單元循環M次，一個單元循環包括步驟100(鈦/吹掃)、一個單元循環包括步驟100及步驟200(鈦/吹掃/矽或鋁/吹掃)、一個單元循環包括步驟100及步驟300(鈦/吹掃/電漿/吹掃)、及一個單元循環包括步驟100、200及300(鈦/吹掃/矽或鋁/吹掃/電漿/吹掃)。經由重複包括步驟100之單元循環或包括步驟100及300之單元循環「A」次之含碳之氮化鈦層包括TiCN，「A」為自然數。經由重複包括步驟100及步驟200之單元循環或包括步驟100及300之單元循環「B」次，「B」為自然數所形成之含碳之氮化鈦層包括選自於由TiSiCN、TiAlCN及TiSiAlCN所組成之組群中之至少一種化合物。換言之，透過前述單元循環的組合形成含碳之氮化鈦層，該含碳之氮化鈦層係選自於由TiCN、TiSiCN、TiAlCN及TiSiAlCN所組成之組群。
鈦有機來源之流動將鈦有機來源遞送入腔室，此處設置欲於其上沉積該氮化鈦層之一基板。此處，該鈦有機來源係吸附於該基板表面上。該鈦有機來源包括使用甲基胺之鈦來源。換言之，鈦有機來源可包括選自於由TDMAT[肆(二甲基胺)鈦]、TEMAT[肆(乙基甲基胺)鈦]、TDEAT[肆[二乙基胺]鈦]、Ti(OiPr)2 (tmhd)2 [貳(異丙氧)二(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酸)鈦]、Ti(OiBu)2 (tmhd)2 [二(第三丁氧)貳(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酸)鈦]、Ti(OiBu)4 [第三丁氧化鈦(VI)]、TTIP[異丙氧化鈦(IV)]及TiCl4 [四氯化鈦]所組成之組群中之至少一種化合物，且可以100sccm至3000sccm之流速供應1秒至20秒。攜載鈦有機來源之載氣可為氦氣或氮氣。
於該處欲沉積氮化鈦層之基板可包括矽(Si)基板、氧化矽(SiO2 )層、金屬層或具有高電容率之介電層。含碳之氮化鈦層可包括閘極電極、位元線電極、電容器下電極及電容器上電極中之至少一者。沉積金屬有機原子層之製程之沉積溫度為150℃至500℃之相對低溫。若沉積溫度係低於150℃，則鈦有機來源無法吸附於基板表面上。同時，若沉積溫度係高於500℃，則基板因高溫而受損。
根據本發明之一具體實施例，鈦有機來源之流動可經調整來形成含碳之氮化鈦層。於該含碳之氮化鈦層中之碳元素含量可經由調整鈦有機來源之流動時間「a」及流動量「b」加以控制。換言之，鈦有機來源之流動時間「a」可控制於1秒至20秒之範圍，及流動量「b」可控制於100sccm至3000sccm之流速範圍。
然後，執行吹掃來去除於吸附反應後留下的鈦有機來源。此處，使用不會與鈦有機來源反應之惰性氣體作為吹掃氣體。吹掃氣體可包括選自於由氮氣、氬氣及氦氣所組成之組群中之氣體。吹掃係使用100sccm至10000sccm之流速執行1秒至10秒。
如前文說明，經由重複「A」個只包括流動鈦有機來源與吹掃之步驟100之單元循環形成TiCN層。若該鈦有機來源包括碳及氮，則可形成含碳之氮化鈦層，即使並未執行氮電漿處理亦如此。雖然於圖中未顯示，但鈦有機來源不含氮，則經由執行使用氮氣及反應氣體流動及吹掃可形成TiCN層。
隨後，於流動矽或鋁來源中，矽或鋁來源係使用載氣例如氦氣或氮氣流動1秒至20秒。此處矽來源包括選自於由TEMASi[肆(乙基甲基胺)矽]、TDMASi[肆(二甲基胺)矽]、Tris-DMASiH[參(二甲基胺)矽烷]、Tris-EMASiH[參(乙基甲基胺)矽烷]、TEOS[肆(乙氧)矽烷]、HCDS[六氯二矽烷]、TMDSO[1,1,3,3-四甲基二矽氧烷]及TMS[四甲基矽烷]所組成之組群中之至少一種化合物。鋁來源包括選自於由MPA[1-甲基吡咯啶鋁烷]、MPTMA[1-甲基吡咯啶三甲基鋁]、TMA[氫化二甲基鋁-乙基哌啶]、DMAH-EPP[氫化二甲基鋁-乙基哌啶]及TTBA[三-第三丁基鋁]所組成之組群中之至少一種化合物。
隨後，使用惰性吹掃氣體執行吹掃。惰性氣體可包括選自於氮氣、氬氣及氦氣所組成之組群中之至少一種氣體。吹掃係使用具有100sccm至10000sccm流速之吹掃氣體執行1秒至10秒。
如前文說明，選自於由TiSiCN、TiAlCN及TiSiAlCN所組成之組群中之含碳之氮化鈦層係經由重複「B」個單元循環執行，該單元循環包括流動鈦有機來源及吹掃100及流動矽或鋁來源及吹掃200。若該鈦有機來源包括碳及氮，則即使未執行氮電漿處理仍可形成含碳之氮化鈦層。若鈦有機來源未包括氮，則可經由執行使用氮氣流動反應氣體及吹掃而可形成含碳之氮化鈦。
隨後執行電漿流動。電漿流動可透過直接電漿處理或遠端電漿處理執行。於本發明之本具體實施例中，假設電漿流動係經由遠端電漿處理執行。當使用遠端電漿處理時，可防止基板免於受電漿造成的物理損壞。產生電漿之氣體包括選自於氮、氫及氨之氣體，該氣體係於100sccm至3000sccm之流速供應及流動0秒至30秒。此處0秒表示未執行電漿流動，且係對應於其中執行包括步驟100之單元循環或包括步驟100及步驟200之單元循環的情況。
特定言之，於本具體實施例中電漿處理可經控制來形成含碳之氮化鈦層。此處，於含碳之氮化鈦層中之碳元素含量可經由調整電漿處理時間「c」及功率「d」加以控制。換言之，電漿處理氣體亦即電漿產生氣體之處理時間「c」係調整於0秒至30秒之範圍。
最後，吹掃為吹掃於反應後殘留的副產物及反應材料。吹掃係使用惰性吹掃氣體。惰性氣體可包括選自於由氮氣、氬氣及氦氣所組成之組群中之氣體。吹掃係藉以100sccm至10000sccm之流速供給吹掃氣體歷經1秒至10秒執行。
如前文說明，經由透過電漿處理功率「d」、電漿處理時間「c」及鈦有機來源之流動量「b」及流動時間「a」之控制，妥當維持碳附接至薄膜內部之鈦金屬有機來源，可選自於由TiCN、TiSiCN、TiAlCN及TiSiAlCN所組成之組群中之含碳之氮化鈦層。特定言之，若鈦金屬有機來源不含氮，則產生該電漿之氣體可使用氮氣及氨氣。
鈦有機來源之流動量「b」及流動時間「a」的增加係增加每單位時間沉積之鈦來源之厚度及鈦金屬有機來源所包括之每單位面積碳分子濃度。因碳係透過隨後電漿處理控制，故若於電漿處理時間「c」期間每單位面積之碳濃度增高，碳保留未藉電漿處理移除，如此薄膜內部之碳濃度將增高。此外，於來源流動時間期間增加電漿處理時間「c」及電漿處理功率「d」而流動濃度為固定，則薄膜內部之活化及分離的碳分子量增加，如此減低薄膜內部之碳濃度。
表2表示根據各個條件於薄膜內部之碳元素之變化。
參考表2，有4個可控制薄膜內部之碳含量之條件，來源流動時間及來源流動量係與薄膜內部之碳數量及功函數之變化成正比。電漿處理時間及電漿處理功率係與薄膜內部之碳含量及功函數成反比。
基於碳含量之增減比較薄膜內部之碳含量與功函數之變化，證實功函數也隨著薄膜內部碳濃度之增高而增加。因此，當來源流動時間及來源流動量增加而電漿處理時間及功率減低時，薄膜內部之碳含量增加及功函數增加。
第3A圖至第3C圖顯示根據本發明之一具體實施例具有由氮化鈦層所製成之電極之電容器之剖面圖。為求簡單說明，該具體實施例顯示具有板形之電容器之下電極。但下電極並未囿限於此。下電極除了板狀之外，可包括選自於凹面、圓柱形及枕形之形狀。
參考第3A圖，於以下電極20、介電層21及上電極22堆疊所組成之電容器中，下電極20係由含碳元素之氮化鈦層，亦即含碳之氮化鈦層所製成。舉例言之，下電極20包括選自於由TiCN、TiSiCN、TiAlCN及TiSiAlCN所組成之組群中之含碳之氮化鈦層。此處，碳元素具有於含碳之氮化鈦層中之3%至50%，及較佳20%至50%之含量。可使用前文就第2圖所述ALD法形成下電極20。
介電層21可由具有高電容率之層組成。舉例言之，介電層21包括選自於由ZrO2 、ZrSiO2 、ZrTiO3 、ZrYO2 、ZrLaO2 、ZrAlO2 、HfO2 、HfSiO2 、HfYO2 、HfAlO2 、HfSiON、TiO2 、AlTiO2 、SrTiO3 及BaSrTiO3 組成之組群之具有高電容率之介電層。
參考第3B圖，於以下電極30、介電層31及上電極32堆疊所組成之電容器中，上電極32係由含碳元素之氮化鈦層所製成。舉例言之，上電極32包括選自於由TiCN、TiSiCN、TiAlCN及TiSiAlCN所組成之組群中之含碳之氮化鈦層。此處，碳元素具有於含碳之氮化鈦層中之3%至50%，及較佳20%至50%之含量。可使用前文就第2圖所述ALD方法形成上電極32。
介電層31可由具有高電容率之層組成。舉例言之，介電層21包括選自於由ZrO2 、ZrSiO2 、ZrTiO3 、ZrYO2 、ZrLaO2 、ZrAlO2 、HfO2 、HfSiO2 、HfYO2 、HfAlO2 、HfSiON、TiO2 、AlTiO2 、SrTiO3 及BaSrTiO3 組成之組群之具有高電容率之介電層。
參考第3C圖，於以下電極40、介電層41及上電極42堆疊所組成之電容器中，下電極40及上電極42係由含碳之氮化鈦層所製成。舉例言之，下電極40及上電極42包括選自於由TiCN、TiSiCN、TiAlCN及TiSiAlCN所組成之組群中之含碳之氮化鈦層。此處，於該含碳之氮化鈦層中之碳元素具有3%至50%，且較佳20%至50%之含量。下電極40及上電極42可使用前文參考第2圖所述之ALD方法製成。特定言之，於使用含碳之氮化鈦層形成上電極42之情況下，可堆疊氮化鈦層用於電連接，但圖中未顯示。
介電層41可由具有高電容率之層組成。舉例言之，介電層21包括選自於由ZrO2 、ZrSiO2 、ZrTiO3 、ZrYO2 、ZrLaO2 、ZrAlO2 、HfO2 、HfSiO2 、HfYO2 、HfAlO2 、HfSiON、TiO2 、AlTiO2 、SrTiO3 及BaSrTiO3 組成之組群之具有高電容率之介電層。
第4A圖及第4B圖顯示根據本發明之具體實施例之一種製造電容器之方法。
參考第4A圖，形成下電極50，及於下電極50上形成介電層51。下電極50可由含碳之氮化鈦層製成。含碳之氮化鈦層可包括選自於由TiCN、TiSiCN、TiAlCN及TiSiAlCN所組成之組群中之至少一種化合物。於該含碳之氮化鈦層中碳元素具有3%至50%，及較佳20%至50%之含量。含碳之氮化鈦層具有大於4.9eV之功函數。因此，可增加蕭特基障壁高度及如此而減少漏電流。
為求說明簡明，下電極50係描述為具有板狀。但下電極50未囿限於此。下電極50可包括選自於凹面、圓柱體及枕形之形狀。
下電極50可使用前文參考第2圖說明之ALD方法製成。
介電層51可由具有高電容率之層組成。舉例言之，介電層51包括選自於由ZrO2 、ZrSiO2 、ZrTiO3 、ZrYO2 、ZrLaO2 、ZrAlO2 、HfO2 、HfSiO2 、HfYO2 、HfAlO2 、HfSiON、TiO2 、AlTiO2 、SrTiO3 及BaSrTiO3 組成之組群之具有高電容率之介電層。
參考第4B圖，上電極52形成於介電層51上。上電極52可由下電極50亦即含碳之氮化鈦層之相同材料製成。含碳之氮化鈦層可包括選自於由TiCN、TiSiCN、TiAlCN及TiSiAlCN所組成之組群中之至少一種化合物。於含碳之氮化鈦層中之碳元素具有3%至50%，及較佳20%至50%之含量。
特別地，於使用含碳之氮化鈦層形成上電極52之情況下，可進一步形成氮化鈦層用於電連接。
根據本發明之一具體實施例，半導體元件包括含碳電極及其製造方法包括經由形成該含碳之氮化鈦層而包括具有高功函數之電極。
此外，經由形成具有高功函數之電極，可提供具有高電容率之介電層，及如此減低漏電流。
此外，經由採用具有高功函數之電極及具有高電容率之介電層可確保電容器之足夠電容。
雖然已經就特定實施例說明本發明，但熟諳技藝人士顯然易知可未悖離如下申請專利範圍所界定之本發明之精髓及範圍做出多項變化及修改。
10．．．基板
11．．．含碳之氮化鈦層
20．．．下電極
21．．．介電層
22．．．上電極
30．．．下電極
31．．．介電層
32．．．上電極
40．．．下電極
41．．．介電層
42．．．上電極
50．．．下電極
51．．．介電層
52．．．上電極
100．．．步驟、流動鈦有機來源與吹掃之步驟
200．．．步驟、流動矽或鋁來源與吹掃之步驟
300．．．步驟、流動電漿與吹掃之步驟
a．．．鈦有機來源之流動時間
b．．．鈦有機來源之流動量
c．．．電漿處理時間
d．．．電漿處理功率
第1圖為剖面圖，顯示根據本發明之具體實施例之一種含碳元素之氮化鈦層。
第2圖為用以製成該含碳元素之氮化鈦層之原子層沉積方法之時序圖。
第3A圖至第3C圖顯示根據本發明之實施例具有由氮化鈦層所製成之電極之電容器之剖面圖。
第4A圖及第4B圖顯示根據本發明之實施例之一種製造電容器之方法。
10．．．基板
11．．．含碳之氮化鈦層

Claims (31)

  1. 一種半導體元件之電極，該電極包含：一基板；及一含碳元素之氮化鈦(TiN)層，該氮化鈦層係配置於該基板上；其中該含碳元素之氮化鈦層包含選自於由TiSiCN、TiAlCN及TiSiAlCN所組成之組群中之至少一種化合物。
  2. 如申請專利範圍第1項之電極，其中該碳元素具有於含碳元素之氮化鈦層內部約3%至約50%之含量。
  3. 如申請專利範圍第1項之電極，其中該碳元素具有於含碳元素之氮化鈦層內部約20%至約50%之含量。
  4. 如申請專利範圍第1項之電極，其中該含碳元素之氮化鈦層包含選自於由閘極電極、位元線電極、電容器之下電極及電容器之上電極所組成之組群中之至少一個電極。
  5. 一種形成氮化鈦層之方法，該方法包含：提供一基板；及於該基板上沉積含有碳元素之氮化鈦層；其中該含碳元素之氮化鈦層包含選自於由TiSiCN、TiAlCN及TiSiAlCN所組成之組群中之至少一種化合物。
  6. 如申請專利範圍第5項之方法，其中該碳元素具有於含碳元素之氮化鈦層內部約3%至約50%之含量。
  7. 如申請專利範圍第5項之方法，其中該碳元素具有於含 碳元素之氮化鈦層內部約20%至約50%之含量。
  8. 如申請專利範圍第5項之方法，其中該含碳元素之氮化鈦層係透過原子層沉積(ALD)方法製成。
  9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中該ALD方法重複一單元循環，其包括流動鈦有機來源與吹掃、流動矽或鋁來源與吹掃、及流動電漿與吹掃之組合。
  10. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該ALD方法係經由控制該鈦有機來源之流動或該電漿之流動而控制於該含碳元素之氮化鈦層中之碳元素含量。
  11. 如申請專利範圍第10項之方法，其中該鈦有機來源之流量控制係經由控制鈦有機來源之流動時間執行。
  12. 如申請專利範圍第10項之方法，其中該鈦有機來源之流量控制係經由控制鈦有機來源之流動量執行。
  13. 如申請專利範圍第10項之方法，其中該電漿流量控制係經由控制該電漿流動之處理時間執行。
  14. 如申請專利範圍第10項之方法，其中該電漿流量控制係經由控制於電漿流動之功率執行。
  15. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該鈦有機來源包括選自於由TDMAT[肆(二甲基胺)鈦]、TEMAT[肆(乙基甲基胺)鈦]、TDEAT[肆[二乙基胺]鈦]、Ti(OiPr)2 (tmhd)2 [貳(異丙氧)二(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)鈦]、Ti(OiBu)2 (tmhd)2 [二(第三丁氧)貳(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)鈦]、Ti(OiBu)4 [第三丁氧化鈦(VI)]、TTIP[異丙 氧化鈦(IV)]及TiCl4 [四氯化鈦]所組成之組群中之至少一種化合物。
  16. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該電漿之流動係使用選自於由氮氣(N2 )、氬氣(Ar)、氫氣(H2 )及氨氣(NH3 )所組成之組群中之一處理氣體執行。
  17. 如申請專利範圍第5項之方法，其中該含碳元素之氮化鈦層係形成為選自於由閘極電極、位元線電極、電容器之下電極及電容器之上電極所組成之組群中之至少一個電極。
  18. 一種電容器，包含：一第一電極；一介電層；及一第二電極，其中該第一電極與該第二電極中之至少一者包括含碳元素之氮化鈦層；其中該含碳元素之氮化鈦層包含選自於由TiSiCN、TiAlCN及TiSiAlCN所組成之組群中之至少一種化合物。
  19. 如申請專利範圍第18項之電容器，其中該碳元素具有於該電極內部約3%至約50%之含量。
  20. 如申請專利範圍第18項之電容器，其中該碳元素具有於含碳元素之氮化鈦層內部約20%至約50%之含量。
  21. 一種形成電容器之方法，該方法包含：形成一第一電極；於該第一電極上方形成一介電層；及 於該介電層上方形成一第二電極，其中該第一電極與該第二電極中之至少一者包括含碳元素之氮化鈦層，其中該含碳元素之氮化鈦層包含選自於由TiSiCN、TiAlCN及TiSiAlCN所組成之組群中之至少一種化合物。
  22. 如申請專利範圍第21項之方法，其中該碳元素具有於含碳元素之氮化鈦層內部約3%至約50%之含量。
  23. 如申請專利範圍第21項之方法，其中該碳元素具有於含碳元素之氮化鈦層內部約20%至約50%之含量。
  24. 如申請專利範圍第21項之方法，其中該含碳元素之氮化鈦層係透過原子層沉積(ALD)方法製成。
  25. 如申請專利範圍第24項之方法，其中該ALD方法重複一單元循環其包括流動鈦有機來源及吹掃、流動矽或鋁來源吹掃、及流動電漿及吹掃之組合。
  26. 如申請專利範圍第25項之方法，其中該ALD方法係經由控制該鈦有機來源之流動或該電漿之流動而控制於該含碳元素之氮化鈦層中之碳元素含量。
  27. 如申請專利範圍第26項之方法，其中該鈦有機來源之流量控制係經由控制鈦有機來源之流動時間執行。
  28. 如申請專利範圍第26項之方法，其中該鈦有機來源之流量控制係經由控制鈦有機來源之流動量執行。
  29. 如申請專利範圍第26項之方法，其中該電漿流量控制係經由控制該電漿流動之處理時間執行。
  30. 如申請專利範圍第26項之方法，其中該電漿流量控制 係經由控制於電漿流動之功率執行。
  31. 如申請專利範圍第25項之方法，其中該電漿之流動係使用選自於由氮氣、氬氣、氫氣及氨氣所組成之組群中之一處理氣體執行。
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