CN102082087B - 包括含碳电极的半导体器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及包括含碳电极的半导体器件及其制造方法，电极由于其中含有含碳的氮化钛(TiN)层因而具有高功函数。可提供具有高电容率的介电层，并因此通过形成具有高功函数的电极而减少漏电流。而且通过采用具有高功函数的电极及具有高电容率的介电层而可确保电容器的足够电容。

Description

包括含碳电极的半导体器件及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求在2009年11月30日提交的韩国专利申请10-2009-0117394的优先权，该申请的全文以引用方式并入本文。
技术领域
本发明的示例性实施方案涉及半导体制造技术，更具体而言涉及包括含碳电极的半导体器件及所述半导体器件的制造方法。
背景技术
在半导体动态随机存取存储器(DRAM)的制造过程中结构尺寸按比例缩小以增加每个晶片的半导体芯片数目，因此，由于DRAM电容器的结构缩小，造成器件的电容也减少。
为了克服该缺陷，换言之，为了增加电容，使用具有高电容率的介电层。但是，具有高电容率的介电层的问题在于：窄带隙造成漏电流高。因此，需要具有高功函数的电极来解决所述问题。
发明内容
本发明的实施方案涉及具有高功函数的含碳电极的半导体器件和所述半导体器件的制造方法。
根据本发明的一个实施方案，半导体器件的电极包括含碳元素的氮化钛(TiN)层。
碳元素在含碳元素的氮化钛层中可具有约3％至约50％的含量，或更优选在含碳元素的氮化钛层内具有约20％至约50％的含量。
含碳元素的氮化钛层可包括选自TiCN、TiSiCN、TiAlCN及TiSiAlCN中的至少一种化合物，且可包括选自栅电极、位线电极、电容器的下电极和电容器的上电极中的至少一个电极。
根据本发明的另一实施方案，用以形成氮化钛层的方法包括提供衬底和在衬底上沉积含碳元素的氮化钛层。
含碳元素的氮化钛层可通过原子层沉积(ALD)方法形成，ALD方法可重复单元循环，该单元循环包括流动钛有机源和吹扫、流动硅或铝源和吹扫、以及流动等离子体与吹扫的组合，ALD方法可以在约150℃至约500℃的温度下进行。
ALD方法通过控制钛有机源的流动或等离子体的流动可控制在含碳元素的氮化钛层中的碳元素含量。通过控制钛有机源流动时间或钛有机源流量，可实施钛有机源的流动的控制。通过控制流动等离子体的处理时间或流动等离子体的功率可实施等离子体的流动的控制。
钛有机源可包括选自TDMAT[四(二甲基氨基)钛]、TEMAT[四(乙基甲基氨基)钛]、TDEAT[四[二乙基氨基]钛]、Ti(OiPr)2(tmhd)2[二(异丙氧基)二(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮氧)钛]、Ti(OiBu)2(tmhd)2[二(叔丁氧基)二(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮)钛]、Ti(OiBu)4[叔丁醇钛(VI)]、TTIP[异丙醇钛(IV)]及TiCl4[四氯化钛]中的至少一种化合物。
等离子体的流动可使用选自N2、Ar、H2及NH3中的处理气体来进行。
根据本发明的又另一个实施方案，一种电容器包括第一电极、介电层、和第二电极，其中第一电极与第二电极中的至少之一包括含碳元素的氮化钛层。
根据本发明的又另一个具体实施方案，一种制造电容器的方法包括形成第一电极、在第一电极上形成介电层和在介电层上形成第二电极，其中第一电极与第二电极中的至少之一包括含碳元素的氮化钛层。
附图说明
图1为剖面图，显示根据本发明的一个具体实施方案的含碳元素的氮化钛层。
图2为用以形成含碳元素的氮化钛层的原子层沉积方法的时序图。
图3A至图3C显示根据本发明一些实施方案的具有由氮化钛层所形成的电极的电容器的剖面图。
图4A及图4B显示根据本发明的一个实施方案的制造电容器的方法。
具体实施方式
结合附图更详细地说明本发明的具体实施方案。但本发明可以不同形式具体实施，但不应该解译为限于此处所述的实施方案。相反，提供实施方案使得本文公开内容彻底且完整，且更完整地将本发明的实施方案的范围传予本领域技术人员。本文中，类似的附图标记表示在本发明的附图和实施方案中的类似的部件。
附图并非必然照比例绘制，在一些情况下，可放大比例以清楚地说明实施方案的特征。当第一层被称作为在第二层“上”或在衬底“上”时，其不仅是指第一层直接形成在所述第二层或衬底上的情况，同时也表示第三层存在于第一层与第二层之间或第一层与衬底之间的情况。
本发明的一些实施方案提供一种具有含碳电极的半导体器件及其制造方法。半导体器件的电极由氮化钛层形成，所述氮化钛层形成为含有碳元素，由此实现高功函数。结果，虽然在半导体器件中采用具有高电容率的介电层来形成电容器，但半导体器件的漏电流减少。下文中详述形成用于前述目的的含碳元素的氮化钛层的方法。
图1为剖面图，显示根据本发明一个实施方案的含碳(C)元素的氮化钛(TiN)层。
如图1所示，含碳元素的氮化钛层即含碳的氮化钛层11形成于衬底10上。此处含碳的氮化钛层11包括半导体器件的电极。例如，含碳的氮化钛层11可包括栅电极、位线电极、电容器的下电极及电容器的上电极中的至少之一。
含碳的氮化钛层11可包括选自TiCN、TiSiCN、TiAlCN及TiSiAlCN中的至少一种化合物。具体地，碳元素的含量可为含碳的氮化钛层11总含量的3％至50％的范围。
碳具有5eV的功函数，典型TiN层具有4.5eV的功函数。因此，通过掺杂具有相对高功函数的碳形成含碳的氮化钛层11可增加肖特基(Schottky)势垒高度和减少漏电流。
下表1比较根据本发明一个实施方案的不含碳元素的TiN层的功函数与含碳的氮化钛层的功函数。
[表1]
TiN TiSiN TiAlN TiSiCN，TiAlCN
功函数(eV) ～4.5 ～4.7 ～4.8 大于或等于4.9
如表1所述，在不含碳元素的氮化钛层中，氮化钛层具有4.5eV的功函数，TiSiN层和TiAlN层具有4.7eV至4.8eV的范围的功函数。另一方面，根据本发明的实施方案的含碳的氮化钛层具有至少4.9eV的功函数。因此，含碳的氮化钛层的功函数比不含碳元素的氮化钛层的功函数至少高0.1eV。
根据本发明的实施方案，通过下述方式可获得具有较高功函数的含碳的氮化钛层11：形成包括选自TiSiCN、TiAlCN及TiSiAlCN中的至少一种化合物的含碳的氮化钛层11，这些化合物通过将碳掺杂至具有相对高功函数的TiSiN或TiAlN获得。此外，含碳的氮化钛层11可由不含硅或不含铝的TiCN层形成。
如前文所述，如果功函数增高，则可增加肖特基势垒的高度，由此减少漏电流。
含碳的氮化钛层11可使用原子层沉积(ALD)方法形成。优选的是，含碳的氮化钛层11可使用金属有机ALD方法形成。下面参考图2所示的时序图详细说明。
图2为用于形成含碳的氮化钛层的ALD方法的时序图。
ALD方法为使得源材料和反应材料循序流入腔室内并吹扫材料、从而循序沉积多个单原子层的方法。
虽然ALD方法使用如化学气相沉积(CVD)方法的化学反应，但ALD方法与CVD方法的区别之一在于各个反应源作为脉冲流动而没有在腔室中混合。例如，循序实施源材料的流动、吹扫、反应材料的流动和吹扫。例如，在通过流动源材料而完成化学吸附之后，以惰性气体吹扫留在腔室内的未反应的源材料。随后，当将反应材料流入腔室内时，源材料与反应材料之间发生反应，如此沉积原子层薄膜。最后，在源材料与反应材料之间反应之后，吹扫留在腔室内的反应材料及副产物。
如上文所述，因ALD方法使用表面反应机理，因此可确保获得均匀稳定薄膜。此外，根据ALD方法，因源材料与反应材料分离，且因它们循序流动和吹扫，因此可遏止使用CVD方法所发生的因气相反应产生粒子。
如图2所示，ALD方法重复单元循环M次，M为自然数，其中单元循环包括流动钛有机源和吹扫的步骤100、流动硅或铝源和吹扫的步骤200、以及流动等离子体和吹扫的步骤300的组合。
特别地，ALD方法重复单元循环M次，一个单元循环包括步骤100(钛/吹扫)、一个单元循环包括步骤100和步骤200(钛/吹扫/硅或铝/吹扫)、一个单元循环包括步骤100和步骤300(钛/吹扫/等离子体/吹扫)、一个单元循环包括步骤100、200和300(钛/吹扫/硅或铝/吹扫/等离子体/吹扫)。通过重复包括步骤100的单元循环或包括步骤100和300的单元循环“A”次形成的含碳的氮化钛层包括TiCN，“A”为自然数。通过重复包括步骤100和步骤200的单元循环或包括步骤100和300的单元循环“B”次(B为自然数)所形成的含碳的氮化钛层包括选自TiSiCN、TiAlCN及TiSiAlCN中的至少一种化合物。换言之，通过前述单元循环的组合形成含碳的氮化钛层，含碳的氮化钛层选自TiCN、TiSiCN、TiAlCN及TiSiAlCN。
钛有机源的流动将钛有机源送入腔室，在该腔室中设置有将于其上沉积氮化钛层的衬底。此处，钛有机源吸附在衬底表面上。钛有机源包括使用甲基氨基的钛源。换言之，钛有机源可包括选自TDMAT[四(二甲基氨基)钛]、TEMAT[四(乙基甲基氨基)钛]、TDEAT[四[二乙基氨基]钛]、Ti(OiPr)2(tmhd)2[二(异丙氧基)二(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮)钛]、Ti(OiBu)2(tmhd)2[二(叔丁氧基)二(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮)钛]、Ti(OiBu)4[叔丁醇钛(VI)]、TTIP[异丙醇钛(IV)]及TiCl4[四氯化钛]中的至少一种化合物，且可以100sccm至3000sccm的流量供应1秒至20秒。携带钛有机源的载气可为氦气或氮气。
将沉积氮化钛层的衬底可包括硅(Si)衬底、氧化硅(SiO2)层、金属层或具有高电容率的介电层。含碳的氮化钛层可包括栅电极、位线电极、电容器下电极及电容器上电极中的至少之一。沉积金属有机原子层的工艺的沉积温度为150℃至500℃的相对低温。如果沉积温度低于150℃，则钛有机源无法吸附于衬底表面上。同时，如果沉积温度高于500℃，则衬底因高温而受损。
根据本发明的一个实施方案，可调整钛有机源的流动以形成含碳的氮化钛层。含碳的氮化钛层中碳元素含量可通过调整钛有机源的流动时间“a”和流量“b”加以控制。换言之，钛有机源的流动时间“a”可控制于1秒至20秒的范围，流量、”可控制于100sccm至3000sccm的流速范围。
然后，执行吹扫来去除于吸附反应后留下的钛有机源。此处，使用不与钛有机源反应的惰性气体作为吹扫气体。吹扫气体可包括选自氮、氩及氦中的气体。吹扫通过使用100sccm至10000sccm的流速来实施1秒至10秒。
如前文所述，通过重复“A”个只包括流动钛有机源和吹扫的步骤100的单元循环来形成TiCN层。如果钛有机源包括碳及氮，则可形成含碳的氮化钛层，即使并未执行氮等离子体处理亦如此。虽然在图中未显示，但如果钛有机源不含氮，则通过实施使得使用氮气的反应气体流动和吹扫可形成TiCN层。
随后，在硅或铝源的流动中，硅或铝源使用载气例如氦气或氮气流动1秒至20秒。此处硅源包括选自TEMASi[四(乙基甲基氨基)硅]、TDMASi[四(二甲基氨基)硅]、Tris-DMASiH[三(二甲基氨基)硅烷]、Tris-EMASiH[三(乙基甲基氨基)硅烷]、TEOS[四(乙氧基)硅烷]、HCDS[六氯二硅烷]、TMDSO[1，1，3，3-四甲基二硅氧烷]和TMS[四甲基硅烷]中的至少一种化合物。铝源包括选自MPA[1-甲基吡咯啉铝烷]、MPTMA[1-甲基吡咯啉三甲基铝]、TMA[氢化二甲基铝-乙基哌啶]、DMAH-EPP[氢化二甲基铝-乙基哌啶]及TTBA[三叔丁基铝]中的至少一种化合物。
随后，使用惰性吹扫气体执行吹扫。惰性气体可包括选自氮、氩及氦中的至少一种气体。使用具有100sccm至10000sccm流量的吹扫气体实施吹扫1秒至10秒。
如前文所述，选自TiSiCN、TiAlCN及TiSiAlCN的含碳的氮化钛层通过重复“B”个单元循环形成，该单元循环包括流动钛有机源和吹扫100以及流动硅或铝源和吹扫200。如果钛有机源包括碳及氮，则即使未实施氮等离子体处理仍可形成含碳的氮化钛层。如果钛有机来源未包括氮，则可通过实施使用氮气的反应气体的流动及吹扫而形成含碳的氮化钛层。
随后实施等离子体流动。等离子体流动可通过直接等离子体处理或远程等离子体处理来实施。在本发明的该实施方案中，假设等离子体流动通过远程等离子体处理实施。当使用远程等离子体处理时，可防止衬底受到等离子体造成的物理损坏。产生等离子体的气体可包括选自氮、氢及氨的气体，气体以100sccm至3000sccm的流量供应并流动0秒至30秒。此处，0秒表示未实施等离子体流动，对应于其中实施包括步骤100的单元循环或包括步骤100和步骤200的单元循环的情况。
特别地，在该实施方案中，可控制等离子体处理来形成含碳的氮化钛层。此处，含碳的氮化钛层中碳元素含量可通过调整等离子体处理时间“c”及功率“d”加以控制。换言之，等离子体处理气体即等离子体产生气体的处理时间“c”在0秒至30秒的范围调整。
最后，吹扫是吹扫在反应后残留的副产物和反应材料。吹扫使用惰性吹扫气体。惰性气体可包括选自氮、氩及氦中的气体。以100sccm至10000sccm的流量供给吹扫气体1秒至10秒来实施吹扫。
如前文所述，通过等离子体处理功率“d”、等离子体处理时间“c”及钛有机源的流量“b”及流动时间“a”的控制，适当维持碳附着至薄膜内部的钛金属有机源，可形成选自TiCN、TiSiCN、TiAlCN及TiSiAlCN中的含碳的氮化钛层。特别地，如果钛金属有机源不含氮，则产生等离子体的气体可使用氮和氨。
钛有机源的流量“b”及流动时间“a”的增加增加了每单位时间沉积的钛源的厚度和每单位面积的钛金属有机源所包括的碳分子浓度。因通过随后等离子体处理控制碳，因此如果等离子体处理时间“c”期间每单位面积的碳浓度增高，则碳保留而没有被等离子体处理移除，因此薄膜内的碳浓度可增高。此外，在源流动时间期间增加等离子体处理时间“c”及等离子体处理功率“d”而流动浓度固定时，薄膜内的活化和分离的碳分子量增加，由此减小薄膜内的碳浓度。
表2表示根据各个条件在薄膜内的碳元素的变化。
[表2]
变量 变化 薄膜中的碳含量 功函数
源流动时间 增 增 增
源流动时间 减 减 减
源流量 增 增 增
源流量 减 减 减
等离子体处理时间 增 减 减
等离子体处理时间 减 增 增
等离子体处理功率 增 减 减
等离子体处理功率 减 增 增
参考表2，有4个可控制薄膜内碳含量的条件，源流动时间及源流量与薄膜内的碳含量和功函数变化成正比。等离子体处理时间和等离子体处理功率与薄膜内碳含量和功函数成反比。
基于碳含量的增减来比较薄膜内碳含量与功函数的变化，证实功函数也随着薄膜内碳浓度的增高而增加。因此，当源流动时间和源流量增加而等离子体处理时间和功率减小时，薄膜内碳含量增加和功函数增加。
图3A至图3C显示根据本发明一个实施方案的具有由氮化钛层所形成的电极的电容器的剖面图。为了简单说明，该实施方案显示具有板形的电容器的下电极。但下电极并不限于此，下电极除了板状之外，可包括选自凹形、筒形及柱形的形状。
参考图3A，在由下电极20、介电层21及上电极22堆叠所构成的电容器中，下电极20由含碳元素的氮化钛层即含碳的氮化钛层所形成。例如，下电极20包括选自TiCN、TiSiCN、TiAlCN及TiSiAlCN中的含碳的氮化钛层。此处，碳元素在含碳的氮化钛层中的的含量为3％至50％，优选20％至50％。可使用前文关于图2所述ALD法形成下电极20。
介电层21可由具有高电容率的层组成。例如，介电层21可包括选自ZrO2、ZrSiO2、ZrTiO3、ZrYO2、ZrLaO2、ZrAlO2、HfO2、HfSiO2、HfYO2、HfAlO2、HfSiON、TiO2、AlTiO2、SrTiO3及BaSrTiO3中的具有高电容率的介电层。
参考图3B，在由下电极30、介电层31及上电极32堆叠所构成的电容器中，上电极32由含碳元素的氮化钛层所形成。例如，上电极32包括选自TiCN、TiSiCN、TiAlCN及TiSiAlCN中的含碳的氮化钛层。此处，碳元素在含碳的氮化钛层中的含量为3％至50％，优选20％至50％。可使用前文关于图2所述ALD方法形成上电极32。
介电层31可由具有高电容率的层形成。例如，介电层21可包括选自ZrO2、ZrSiO2、ZrTiO3、ZrYO2、ZrLaO2、ZrAlO2、HfO2、HfSiO2、HfYO2、HfAlO2、HfSiON、TiO2、AlTiO2、SrTiO3及BaSrTiO3中的具有高电容率的介电层。
参考图3C，在由下电极40、介电层41及上电极42堆叠所构成的电容器中，下电极40及上电极42由含碳的氮化钛层所形成。例如，下电极40及上电极42包括选自TiCN、TiSiCN、TiAlCN及TiSiAlCN中的含碳的氮化钛层。此处，含碳的氮化钛层中的碳元素具有3％至50％，优选20％至50％的含量。下电极40及上电极42可使用前文参考图2所述的ALD方法形成。特别地，在使用含碳的氮化钛层形成上电极42的情况下，可堆叠氮化钛层用于电连接，虽然图中未显示。
介电层41可由具有高电容率的层组成。例如，介电层21可包括选自ZrO2、ZrSiO2、ZrTiO3、ZrYO2、ZrLaO2、ZrAlO2、HfO2、HfSiO2、HfYO2、HfAlO2、HfSiON、TiO2、AlTiO2、SrTiO3及BaSrTiO3中的具有高电容率的介电层。
图4A及图4B显示根据本发明一个实施方案的制造电容器的方法。
参考图4A，形成下电极50，并在下电极50上形成介电层51。下电极50可由含碳的氮化钛层形成。含碳的氮化钛层可包括选自TiCN、TiSiCN、TiAlCN及TiSiAlCN中的至少一种化合物。含碳的氮化钛层中碳元素具有3％至50％，优选20％至50％的含量。含碳的氮化钛层具有大于4.9eV的功函数。因此，可增加肖特基势垒高度，由此减少漏电流。
为了简化说明，下电极50描述为具有板状。但下电极50不限于此。下电极50可包括选自凹形、筒形及柱形的形状。
下电极50可使用前文参考图2说明的ALD方法形成。
介电层51可由具有高电容率的层形成。例如，介电层51可包括选自ZrO2、ZrSiO2、ZrTiO3、ZrYO2、ZrLaO2、ZrAlO2、HfO2、HfSiO2、HfYO2、HfAlO2、HfSiON、TiO2、AlTiO2、SrTiO3及BaSrTiO3中的具有高电容率的介电层。
参考图4B，上电极52形成于介电层51上。上电极52可由与下电极50即含碳的氮化钛层的材料相同的材料形成。含碳的氮化钛层可包括选自TiCN、TiSiCN、TiAlCN及TiSiAlCN中的至少一种化合物。含碳的氮化钛层中的碳元素具有3％至50％，优选20％至50％的含量。
特别地，在使用含碳的氮化钛层形成上电极52的情况下，可进一步形成氮化钛层用于电连接。
根据本发明的一些实施方案，半导体器件包括含碳电极，其制造方法包括通过形成含碳的氮化钛层而形成具有高功函数的电极。
此外，通过形成具有高功函数的电极，可提供具有高电容率的介电层，由此减少漏电流。
此外，通过采用具有高功函数的电极及具有高电容率的介电层可确保电容器的足够电容。
虽然已经就特定实施方案说明了本发明，但本领域技术人员显然易知，可在所附权利要求限定的本发明的精髓及范围下做出诸多变化及修改。

Claims (20)

1.一种形成氮化钛层的方法，所述方法包括：
提供衬底；和
在所述衬底上沉积含有碳元素的氮化钛层，
其中所述含碳元素的氮化钛层通过原子层沉积(ALD)方法形成，
其中所述原子层沉积方法重复单元循环，所述单元循环包括流动钛有机源和吹扫、流动硅或铝源和吹扫、以及流动等离子体和吹扫的组合，
其中所述原子层沉积方法通过控制所述等离子体的流动或所述钛有机源的流动而控制所述含碳元素的氮化钛层中的碳元素含量，
其中所述钛有机源的流动控制通过控制钛有机源的流动时间或钛有机源的流量来进行。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述碳元素在所述含碳元素的氮化钛层内的含量为3％至50％。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述碳元素在所述含碳元素的氮化钛层内的含量为20％至50％。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述含碳元素的氮化钛层包括选自TiSiCN、TiAlCN及TiSiAlCN中的至少一种化合物。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子体的流动控制通过控制所述等离子体的流动的处理时间来进行。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子体的流动控制通过控制所述等离子体的流动中的功率来进行。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述钛有机源包括选自TDMAT[四(二甲基氨基)钛]、TEMAT[四(乙基甲基氨基)钛]、TDEAT[四[二乙基氨基]钛]、Ti(OiPr)2(tmhd)2[二(异丙氧基)二(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮)钛]、Ti(OiBu)2(tmhd)2[二(叔丁氧基)二(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮)钛]、Ti(OiBu)4[叔丁醇钛(VI)]、TTIP[异丙醇钛(IV)]及TiCl4[四氯化钛]中的至少一种化合物。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子体的流动使用选自氮(N2)、氩(Ar)、氢(H2)及氨(NH3)中的处理气体来进行。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述含碳元素的氮化钛层形成为选自栅电极、位线电极、电容器的下电极及电容器的上电极中的至少一种电极。
10.一种形成电容器的方法，所述方法包括：
形成第一电极；
在所述第一电极上形成介电层；和
在所述介电层上形成第二电极，其中所述第一电极与所述第二电极中的至少之一包括含碳元素的氮化钛层，
其中所述含碳元素的氮化钛层通过原子层沉积(ALD)方法形成，
其中所述原子层沉积方法重复单元循环，所述单元循环包括流动钛有机源和吹扫、流动硅或铝源和吹扫、以及流动等离子体和吹扫的组合，
其中所述原子层沉积方法通过控制所述等离子体的流动或所述钛有机源的流动而控制所述含碳元素的氮化钛层中的碳元素含量，
其中所述钛有机源的流动控制通过控制钛有机源的流动时间或钛有机源的流量来进行。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述碳元素在所述含碳元素的氮化钛层内的含量为3％至50％。
12.根据权利要求10所述的方法，其中所述碳元素在所述含碳元素的氮化钛层内的含量为20％至50％。
13.根据权利要求10所述的方法，其中所述含碳元素的氮化钛层包含选自TiSiCN、TiAlCN及TiSiAlCN中的至少一种化合物。
14.根据权利要求10所述的方法，其中所述等离子体的流动控制通过控制所述等离子体的流动的处理时间来进行。
15.根据权利要求10所述的方法，其中所述等离子体的流动控制通过控制所述等离子体的流动中的功率来进行。
16.根据权利要求10所述的方法，其中所述等离子体的流动使用选自氮、氩、氢及氨中的处理气体来进行。
17.根据权利要求10所述的方法，其中所述含碳元素的氮化钛层中的碳元素含量与所述钛有机源的流动时间成正比。
18.根据权利要求10所述的方法，其中所述含碳元素的氮化钛层中的碳元素含量与所述钛有机源的流动量成正比。
19.根据权利要求14所述的方法，其中所述含碳元素的氮化钛层中的碳元素含量与所述等离子体的流动的处理时间成反比。
20.根据权利要求15所述的方法，其中所述含碳元素的氮化钛层中的碳元素含量与所述等离子体的流动中的功率成反比。
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