WO2001013686A1

WO2001013686A1 - Carte de circuits imprimes multicouches, composition d'epargne de soudage, procede de fabrication de ladite carte imprimee et dispositif semi-conducteur

Info

Publication number: WO2001013686A1
Application number: PCT/JP2000/005044
Authority: WO
Inventors: Hui Zhong; Kenichi Shimada; Yukihiko Toyoda; Motoo Asai; Dongdong Wang; Koji Sekine; Yoshitaka Ono
Original assignee: Ibiden Co., Ltd.
Priority date: 1999-08-12
Filing date: 2000-07-28
Publication date: 2001-02-22
Also published as: EP2053908B1; US7916492B1; TW200410606A; TWI236327B; TWI235633B; EP1211920A4; TW200410622A; CN100387103C; TWI233327B; DE60044974D1; CN1378769A; EP2053908A1; EP1211920B1; TW200410618A; US20080041615A1; US20100163288A1; TW200410623A; EP1211920A1; TWI235632B; US7910836B2

Description

明細書

多層プリント配線板、ソルダーレジスト組成物、多層プリント配線板の製造方法および半導体装置技術分野

本発明は、多層プリント配線板、該多層プリント配線板の製造方法、ソルダーレジスト組成物、および、半導体装置に関するものである。背景技術

いわゆる多層ビルドアップ配線基板と呼ばれる多層プリント配線板は、セミアディティブ法等により製造されており、コアと呼ばれる 0 . 5〜1 . 5 mm程度のガラスクロス等で補強された樹脂基板の上に、銅等による導体回路と層間樹脂絶縁層とを交互に積層することにより作製される。この多層プリント配線板の層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の接続は、バイァホールにより行われている。従来、ビルドアップ多層プリント配線板は、例えば、特開平 9一 1 3 0 0 5 0 号公報等に開示された方法により製造されている。

即ち、まず、銅箔が張り付けられた銅張積層板に貫通孔を形成し、続いて無電解銅めつき処理を施すことによりスルーホールを形成する。続いて、基板の表面を導体パターン状にエッチング処理して導体回路を形成し、この導体回路の表面に、無電解めつきやエッチング等により粗化面を形成する。そして、この粗化面を有する導体回路上に樹脂絶縁層を形成した後、露光、現像処理を行ってバイァホール用開口を形成し、その後、 U V硬化、本硬化を経て層間樹脂絶縁層を形成する。

さらに、層間樹脂絶縁層に酸や酸化剤などにより粗化処理を施した後、薄い無電解めつき膜を形成し、この無電解めつき膜上にめっきレジストを形成した後、電解めつきにより厚付けを行い、めっきレジスト剥離後にエッチングを行って、下層の導体回路とバイァホールにより接続された導体回路を形成する。

この工程を繰り返した後、最後に導体回路を保護するためのソルダーレジスト層を形成し、 I Cチップ等の電子部品やマザ一ボード等との接続のために開口を露出させた部分にめっき等を施した後、半田ペーストを印刷して半田バンプを形成することにより、ビルドアップ多層プリント配線板の製造を完了する。

このようにして製造された多層プリント配線板は、 I Cチップを載置した後、リフローさせて、半田バンプと I Cチップのパッドとを接続し、 I Cチップの下にアンダーフィル（樹脂層）を形成し、 I Cチップの上に樹脂等からなる封止層を形成することにより I Cチップが搭載された半導体装置の製造を完了する。こうようにして製造された半導体装置では、通常、それぞれの層の材質に起因して、それぞれの層において膨張率（線膨張係数）が異なる。即ち、 I Cチップ、アンダーフィル、層間樹脂絶縁層の線膨張係数は、通常、 2 0 X 1 0— 以下であるが、ソルダーレジスト層は使用する樹脂の違い等に起因して、線膨張係数が 6 0 X 1 0— ⁶〜8 0 X 1 Ο ^Κ"¹ と高く、最も高いものでは、 1 0 0 X 1 Ο ^Κ" ¹を超えるものもある。

このような構成の半導体装置を作動させると、 I Cチップが発熱し、この熱がアンダーフィルを経て、ソルダーレジスト層、層間樹脂絶縁層等に伝わり、これらの層は、温度の上昇により熱膨張する。

この際、 I Cチップとアンダーフィルとは、線膨張係数にほとんど差がないため、昇温による膨張の程度は余り変わらず、両者の熱膨張差に起因した大きな応力は発生しないが、アンダーフィルや層間樹脂絶縁層と、これらに挟まれたソルダーレジスト層は、互いに線膨張係数が大きく異なるため、昇温による膨張の程度が大きく異なり、それに伴ってソルダーレジスト層に大きな応力が発生し、場合によっては、ソルダーレジスト層にクラックが発生したり、ソルダーレジスト層とアンダーフィルゃ層間樹脂絶縁層との間で剥離が発生してしまう。

このようなクラックゃ剥離は、半田バンプを形成する際の加熱等によっても発生することがあり、また、多層プリント配線板を過酷な条件にさらすヒートサイクル試験や高温高湿下での信頼性試験では、クラック等がより発生しやすくなる。ソルダーレジスト層にクラックが発生してしまうと、ソルダーレジスト層下の導体回路と半田バンプ等との絶縁性を保つことができず、絶縁性や信頼性の低下を招いてしまう。

また、上記した方法で製造した従来の多層プリント配線板では、層間樹脂絶縁層にエポキシ樹脂、アクリル樹脂等の混合物等が使用されているため、 G H z帯域における誘電率や誘電正接が高く、この場合、 G H z帯域の高周波数信号を用いた L S Iチップ等を搭載すると、層間樹脂絶縁層が高誘電率であることに起因して、信号遅延や信号エラーが発生してしまうことがあった。

そこで、このような問題を解決するために、誘電率の低いポリオレフイン系樹脂、ポリフエ二レンエーテル樹脂、フッ素樹脂等を層間樹脂絶縁層として用いた多層プリント配線板が提案されている。

このような多層プリント配線板では、導体回路の大部分が層間樹脂絶縁層中に形成されているため、ある程度、信号遅延や信号エラーが発生するという問題を解決することができた。

しかしながら、近年、 I Cチップの周波数が高周波化するとともに、 I Cチップの配線が高密度になり、配線幅も狭くなつてきており、それに伴って、 I Cチップと接続するプリント配線基板の外部端子用パッドの間隔も狭くすることが要求されており、また、単位面積あたりの外部端子用パッドの数も多く、高密度となってきている。

そのため、ソルダーレジスト層の誘電率や誘電正接が高い場合には、配線間の電磁的相互作用やその周囲に存在する絶縁層の高誘電性に起因して、ソルダーレジスト層の外部端子用バンプ内や配線間においても信号遅延等が発生するという問題が起こることがあつた。

また、上述したような信号遅延や信号エラーが発生しにくい低誘電正接で低誘電率のポリフエ二レンエーテル樹脂を層間樹脂絶縁層として用いた多層プリント配線基板であっても、ソルダーレジスト層の誘電率が高い場合にはその効果が相殺されてしまい、信号遅延や信号エラーが発生する場合があった。

また、従来の多層プリント配線板の製造においては、例えば、ソルダーレジスト組成物として、ノボラック型エポキシ樹脂の（メタ）アタリレート、イミダゾール硬化剤、 2官能性（メタ）アクリル酸エステルモノマー、分子量 5 0 0〜5 0 0 0程度の（メタ）アクリル酸エステルの重合体、ビスフエノール型エポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂、多価アクリル系モノマー等の感光性モノマー、グリコールエーテル系溶剤などを含むペースト状の流動体が用い、これを塗布、硬ィ匕させることによりソルダーレジスト層を形成していた。

このようなソルダーレジスト層を有する多層プリント配線板は、 I Cチップ等の電子部品を搭載して使用される。そのため、種々の原因により I Cチップ等が発火した場合に、それに耐えられるものが望まれている。具体的には、 U L試験規格における U L 9 4の判定基準に合格するものが望まれており、特に、 9 4 V 一 0における燃焼時間の判定基準に合格するものが望まれている。

また、多層プリント配線板は、上記した難燃性の基準を満足するとともに、バィァホール用開口や半田パッド用開口を形成する際に、既存の多層プリント配線板の樹脂絶縁層やソルダーレジスト層と比較してその開口性が低下しないことが望まれており、また、樹脂絶縁層等と導体回路との密着性が低下しないことも望まれている。更には、信頼性試験を行った際に、その性能が低下しないものであることも望まれている。.

しかしながら、従来のソルダ一レジスト組成物を用いて形成されたソルダーレジスト層を有する多層プリント配線板は、難燃性の点で満足のいくものではなかつた。発明の要約

本発明は、上述の問題を解決するためになされたものであり、その目的は、多層プリント配線板の製造工程ゃ該多層プリント配線板に I Cチップを搭載した後において、ソルダ一レジスト層と他の部分との熱膨張差に起因するクラック等の発生のない多層プリント配線板、該多層プリント配線板の製造に用いられるソルダーレジスト組成物、および、該ソルダーレジスト組成物を用いた多層プリント配線板の製造方法を提案することにある。

また、本発明の他の目的は、 G H z帯域の高周波信号を用いた場合にも信号遅延や信号エラーが発生しにくいソルダ一レジスト層を有する多層プリント配線板、および、半導体装置を提供することにある。

また、本発明の別の他の目的は、難燃性に優れ、導体回路との密着性が高く、所望の形状の開口が形成されたソルダーレジスト層を有する多層プリント配線板を提供することにある。第一群の本発明の第一の発明は、基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成され、最外層にソルダ一レジスト層が形成された多層プリント配線板であって、上記ソルダ一レジスト層は、無機フィラーを含有していることを特徴とする多層プリント配線板である。

また、第一群の本発明の第二の発明は、第一群の本発明の第一の発明の多層プリント配線板の製造に用いるソルダーレジスト組成物であって、

ソルダーレジスト層用樹脂を含むペースト中に無機フィラーが配合されてなることを特徴とするソルダーレジスト組成物である。

第一群の本発明の第三の発明は、基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成され、最外層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板であって、上記ソルダーレジスト組成物を用いることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法である。

また、第二群の本発明の第一の発明は、基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成され、最外層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板であつて、

上記ソルダーレジスト層は、エラストマ一成分を含有していることを特徴とする多層プリント配線板である。

第二群の本発明の第二の発明は、第二群の本発明の第一の発明の多層プリント配線板の製造に用いるソルダーレジスト組成物であって、

ソルダーレジスト層用樹脂を含むペースト中にエラストマ一成分が配合されてなることを特徴とするソルダーレジスト組成物である。

第二群の本発明の第三の発明は、基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成され、最上層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板の製造方法であって、

第二群の本発明の第二の発明のソルダーレジスト組成物を用いることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法である。

また、第三群の本発明の第一の発明は、基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成され、最外層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板であつて、上記ソルダーレジスト層の 1 G H zにおける誘電率は、 3 . 0以下であることを特徴とする多層プリント配線板である。

第三群の本発明の第二の発明は、基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成され、最外層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板であって、上記ソルダーレジスト層は、ポリオレフイン系樹脂からなることを特徴とする多層プリント配線板である。

第三群の本発明の第三の発明は、基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成され、最上層に、半田バンプを有するソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板と、上記多層プリント配線板上に上記半田バンプを介して接続された I Cチップとからなる半導体装置において、

上記ソルダーレジスト層は、ポリオレフイン系樹脂からなり、

上記樹脂絶縁層は、ポリオレフイン系樹脂、ポリフエ二レン系樹脂またはフッ素系樹脂からなることを特徴とする半導体装置である。

また、第四群の本発明の第一の発明は、基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成され、最外層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板であつて、

上記ソルダ一レジスト層の 1 G H zにおける誘電正接は、 0 . 0 1以下であることを特徴とする多層プリント配線板である。

第四群の本発明の第二の発明は、基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成され、最外層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板であって、上記ソルダーレジスト層は、ポリフエ二レンエーテル樹脂からなることを特徴とする多層プリント配線板である。

第四群の本発明の第三の発明は、基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成され、最上層に、半田バンプを有するソルダ一レジスト層が形成された多層プリント配線板と、上記多層プリント配線板上に上記半田バンプを介して接続された I Cチップとからなる半導体装置において、

上記ソルダーレジスト層は、ポリフエ二レンエーテル樹脂からなり、上記樹脂絶縁層は、ポリフエ二レンエーテル樹脂、ポリオレフイン系樹脂またはフッ素系樹脂からなることを特徴とする半導体装置である。第五群の本発明は、基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成され、最外層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板であって、

上記ソルダーレジスト層は、 P原子含有エポキシ樹脂を含むことを特徴とする多層プリント配線板である。図面の簡単な説明

図 1 (a) 〜（d) は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。

図 2 (a) 〜（d) は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。

図 3 (a) 〜（d) は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。

図 4 (a) 〜（c) は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。

図 5 (a ) 〜（c) は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。

図 6 (a) 〜（d) は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。

図 7 (a ) 〜（d) は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。

図 8 (a) 〜（d) は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。

図 9 (a) 〜（c) は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。

図 1 0 (a) 〜（c) は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。

図 1 1 (a) 〜（d) は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。

図 1 2 (a) 〜（d) は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。

図 1 3 ( a ) 〜（ c は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。

図 1 4 ( a ) 〜 ( c は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。

図 1 5 ( a ) 、 ( b は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。

図 1 6 ( a ) 〜（d は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。

図 1 7 ( a ) 〜（ d は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。

図 1 8 ( a ) 〜（d は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。

図 1 9 ( a ) 〜（ c は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。

図 2 0 ( a ) 、 ( b は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。

図 2 1 ( a ) 〜（ c は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。

図 2 2 ( a ) 〜（ d は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。

図 2 3 ( a ) 〜（d は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。

図 2 4 ( a ) 〜 ( c は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。

図 2 5 ( a ) 〜（ c は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。

図 2 6 ( a ) 〜（は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。図 2 7 (a) 〜（d) は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。

図 2 8 (a) 〜（d) は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。

図 2 9 (a) 〜（d) は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。

図 3 0 (a) 〜（c) は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。

図 3 1 (a) 〜（c) は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。

図 3 2 (a) 〜（d) は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。

図 3 3 (a) 〜（d) は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。

図 3 4 (a) 〜（d) は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。

図 3 5 (a) 〜（c) は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。

図 3 6 (a) 、 (b) は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。符号の説明

1 基板

2 a、 2 b 粗化面形成用樹脂組成物の層

2 層間樹脂絶縁層

4 下層導体回路

4 a 粗化面

5 上層導体回路

6 バイァホール用開口 7 バイァホール

8 銅箔

9 スノレ一ホーノレ

9 a 粗化面

1 0 樹脂充填材

1 1 粗化層

1 2 無電解めつき層

1 3 電解めつき層

1 4 ソ^^ダーレジスト層

1 5 ニッケノレめつき膜

1 6 金めつき膜

1 7 ハンダバンプ

1 9 はんだ

2 0 ピン発明の詳細な開示

まず、第一群の本発明について詳細に説明する。

第一群の本発明の第一の発明は、基板上に導体回路と樹脂絶緣層とが順次形成され、最外層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板であって、上記ソルダーレジスト層は、無機フィラーを含有することを特徴とする多層プリント配線板である。

第一群の本発明の第一の発明の多層プリント配線板によれば、ソルダーレジスト層が無機フィラーを含有するので、上記ソルダーレジスト層は、この無機フィラーに起因して熱膨張率が低下し、周囲に存在する層間樹脂絶縁層やアンダーフィル等との線膨張率の差が小さくなり、その結果、多層プリント配線板の製造ェ程や製造した多層プリント配線板に I Cチップ等の電子部品を搭載した後におけるソルダーレジスト層のクラックが発生したり、ソルダーレジスト層と他の層との間で剥離が発生したりすることを防止することができる。

即ち、上記無機フイラ一は、線膨張係数がソルダ一レジスト層を構成する樹脂と比べて低いため、ソルダ一レジスト層が熱により膨張し、アンダーフィルや層間樹脂絶縁層等との線膨張係数の差に起因してソルダーレジスト層に大きな内部応力が発生した際、それを緩和する役割を果たすことになる。このように、無機フイラ一により、ソルダーレジスト層の内部応力が緩和される結果、ソルダーレジスト層にクラックや剥離が発生するのを防止することができる。

上記無機フイラ一としては、特に限定されるものではないが、例えば、アルミニゥム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物、ケィ素化合物等が挙げられる。これらの化合物は、単独で用いてもよく、 2種以上を併用してもよレ、。

上記アルミニウム化合物としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等が挙げられる。

上記カリウム化合物としては、例えば、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシゥム化合物としては、例えば、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシゥム等が挙げられ、上記ケィ素化合物としては、例えば、シリカ、ゼォライト等が挙げられる。

上記無機フィラーの形状としては、特に限定されるものではないが、例えば、球状、楕円球状、多面体状等が挙げられる。このなかでは、先端が尖っているとクラックが発生しやすいことから、球状、楕円球状等が望ましい。

上記無機フィラーの大きさは、最も長い部分の長さ（または直径）が 0 . 1〜 5 . 0 μ mの範囲のものが望ましい。 0 . 未満では、ソルダーレジスト層が熱膨張した際に発生する内部応力を緩和するのが難しく、熱膨張率が調整できず、 5 . Ο μ πιを超えると、ソルダーレジスト層自体が硬く脆くなり、また、光硬化や熱硬化を行う際に、無機フィラーが樹脂同士の反応を阻害し、その結果、クラックが発生しやすくなつてしまう。このような点から、無機フイラ一は、透明のものがより好ましい。

上記無機フイラ一として、 S i 0₂ を配合する際には、その配合量は、 3〜5 0重量。 /₀の範囲が好ましい。 3重量％未満では、ソルダーレジスト層の熱膨張係数が充分に低下しないことがあり、一方、 5 0重量％を超えると解像度が落ちて開口部に異常をきたすことがある。より好ましくは、 5〜4 0重量％でぁる。また、ソルダーレジスト層中の無機フィラーの含有割合は、 5〜4 0重量％が好ましい。無機フィラーを上記含有割合で用いることにより、効果的にソルダーレジスト層の線膨張係数を低下させることができ、熱膨張により発生する応力を効果的に緩和することができる。

これは、このソルダーレジスト層を構成する樹脂または樹脂の複合体の線膨張係数は、通常、 6 0 X 1 0 〜 8 0 X 1 0— ⁶K— ¹と高いが、この層中に上記無機フイラ一を含有させることにより、線膨張係数を 4 0〜5 0 X 1 ¹程度まで低下させることができるからである。

さらに、ソルダーレジスト層には、エラストマ一からなる樹脂を配合することが望ましい。エラストマ一自身が柔軟性、反発弾性に富んでいるため、応力を受けてもその応力を吸収し、または、応力が緩和されるので、クラック、剥離を防止することができる。また、海島構造とすることにより、その応力に起因するクラックや剥離をより防止することができる。なお、上記海島構造とは、エラストマー成分以外のソルダーレジスト組成物からなる「海」のなかに、エラストマ一成分が「島」状に分散している状態をいう。

上記エラストマ一としては、例えば、天然ゴム、合成ゴム、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等が挙げられる。特に、応力を充分に緩和することができるのは、熱硬化性樹脂からなるエラストマ一である。

上記熱硬化性樹脂からなるエラストマ一としては、例えば、ポリエステル系ェラストマー、スチレン系エラストマ一、塩化ビニノレ系エラストマ一、フッ素系ェラストマー、アミド系エラストマ一、ォレフィン系エラストマ一等が挙げられる。第一群の本発明の第一の発明の多層プリント配線板を構成するソルダーレジスト層は、上記無機フィラー、エラストマ一のほかに、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体等を含有してもよい。このような樹脂層としては、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂の（メタ）アタリレート、 2官能性（メタ）アクリル酸エステルモノマー、分子量 5 0 0〜5 0 0 0 程度の（メタ）アクリル酸エステルの重合体、ビスフエノール型エポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂、多価ァクリル系モノマー等の感光性モノマー等からなる組成物を重合、硬化させたもの等が挙げられる。

上記 2官能性（メタ）アクリル酸エステルモノマ一としては特に限定されず、例えば、各種ジオール類のァクリル酸またはメタクリル酸のエステルなどが挙げられ、市販品としては、日本化薬社製の R— 6 0 4、 P M 2、 P M 2 1などが挙げられる。

上記ノボラック型エポキシ樹脂の（メタ）アタリレートとしては、例えば、フエノーノレノボラックゃクレゾ一ノレノボラックのグリシジノレエーテノレを、アタリノレ酸ゃメタクリル酸などと反応させたエポキシ樹脂などが挙げられる。なお、このような多層プリント配線板を製造する方法については、後述する。

次に、第一群の本発明の第二の発明のソルダーレジスト組成物について説明する。

第一群の本発明の第二の発明のソルダーレジスト組成物は、第一群の本発明の第一の発明の多層プリント配線板の製造に用いるソルダーレジスト組成物であつて、

ソルダーレジスト用樹脂を含むペースト中に無機フィラーが配合されてなることを特徴とする。

上記無機フイラ一としては、上述したものを用いることができる。また、その配合量は、形成されたソルダ一レジスト層中の含有割合が、 5〜2 0重量％となる量が好ましい。

第一群の本発明の第二の発明のソルダーレジスト組成物は、上記無機フィラーのほかに、上記したノボラック型エポキシ樹脂の（メタ）アタリレート、イミダゾ一ル硬化剤、 2官能性（メタ）アクリル酸エステルモノマー、分子量 5 0 0〜 5 0 0 0程度の（メタ）アクリル酸エステルの重合体、ビスフエノール型ェポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂、多価ァクリル系モノマー等の感光性モノマー、ダリコールエーテル系溶剤などを含むペースト状の流動体であることが望ましく、その粘度は 2 5 で1〜 1 0 P a · sに調整されていることが望ましい。

上記ィミダゾール硬化剤としては特に限定されるものではないが、 2 5 °Cで液状であるイミダゾール硬化剤を用いることが望ましい。粉末では均一混練が難しく、液状の方が均一に混練することができるからである。このような液状ィミダゾール硬化剤としては、例えば、 1—ベンジル一 2—メチルイミダゾール（四国化成社製、 1 B 2MZ) 、 1ーシァノエチル— 2—ェチルー 4—メチルイミダゾール（四国化成社製、 2 E4MZ— CN) 、 4—メチル — 2—ェチルイミダゾール（四国化成社製、 2 E 4MZ) などが挙げられる。上記グリコールエーテル系溶剤としては、例えば、下記の一般式（1) に示す化学構造を有するものが望ましく、具体的には、ジエチレングリコールジメチルエーテル (DMDG) およびトリエチレングリコールジメチルエーテル（DMT G) から選ばれる少なくとも 1種を用いることがより望ましい。これらの溶剤は、 30〜 50°C程度の加温により重合開始剤であるべンゾフエノン、ミヒラーケトン、ェチルァミノべンゾフエノンを完全に溶解させることができるからである。 CH₃ O— (CH₂ CH₂ O) _n -CH₃ · · · (1)

(上記式中、 nは 1〜5の整数である。）

このようなソルダーレジスト組成物を用いてソルダーレジスト層を形成する際には、まず、後述する工程により、導体回路および層間樹脂絶縁層が複数層形成され、最上層に導体回路が形成された基板に、上記組成を有するペーストをロールコ一タ法等により塗布した後、乾燥させたり、ソルダ一レジスト組成物をフィルム状に成形し、該フィルムを圧着する。この後、下の導体回路の所定位置に相当するソルダーレジスト層の部分に、半田バンプ形成用の開口を形成し、必要によって、硬化処理を行うことにより、ソルダーレジスト層を形成する。

第一群の本発明の第三の発明の多層プリント配線板の製造方法は、基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次積層され、最外層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板の製造方法であって、

第一群の本発明の第二の発明のソルダーレジスト組成物を用いることを特徴とする。

第一群の本発明の第三の発明の多層プリント配線板の製造方法について、工程順に説明する。

(1) 上記多層プリント配線板の製造方法においては、まず、絶縁性基板の表面に導体回路が形成された基板を作製する。

上記絶縁性基板としては、樹脂基板が望ましく、具体的には、例えば、ガラスエポキシ基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ビスマレイミドートリアジン樹脂基板、熱硬化性ポリフヱニレンエーテル基板、フッ素樹脂基板、セラミツク基板、銅張積層板、 RCC基板などが挙げられる。

このとき、この絶縁性基板に貫通孔を設けてもよい。この場合、貫通孔は直径 1 00〜300 mのドリル、レーザ光等を用いて形成することが望ましい。

(2) 次に、無電解めつきを施した後、基板上に導体回路形状のエッチングレジストを形成し、エッチングを行うことにより導体回路を形成する。無電解めつきとしては銅めつきが望ましい。また、絶縁性基板にスルーホール用貫通孔を設けた場合には、該スルーホール用貫通孔の壁面にも同時に無電解めつきを施してスルーホールを形成することにより、基板の両面の導体回路間を電気的に接続してもよい。

さらに、この無電解めつきの後、通常、無電解めつき層表面とスルーホールを形成した場合にはスルーホール内壁との粗化形成処理を行う。粗化形成処理方法としては、例えば、黒化（酸化）一還元処理、有機酸と第二銅錯体の混合水溶液によるスプレー処理、 C u—N i— P針状合金めつきによる処理等が挙げられる。上記黒化（酸化）一還元処理の具体的な方法としては、 Na OH ( 1 0 g/ 1 ) 、 N a C 10₂ (40 g/ 1 ) 、 Na₃P0₄ (6 g/ 1 ) を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、 N a OH ( 1 0 g/ 1 ) 、 N a BH₄ (6 g/ 1 ) を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行う方法等が挙げられる。上記スプレー処理に用いる有機酸と第二銅錯体の混合水溶液において、上記有機酸としては、例えば、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、アクリル酸、クロトン酸、シユウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン酸、安息香酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、スルファミン酸等が挙げられる。

これらは、単独で用いてもよく、 2種以上併用してもよい。上記混合溶液において、上記有機酸の含有量は、 0. 1〜30重量％が望ましい。酸化された銅の溶解性を維持し、かつ、触媒安定性を確保することができるからである。

上記第二銅錯体としては、ァゾール類の第二銅錯体が望ましい。このァゾール類の第二銅錯体は、金属銅等を酸化する酸化剤として作用する。ァゾ一ル類としては、例えば、ジァゾール、トリァゾ一ル、テトラゾール等が挙げられる。これらのなかでも、ィミダゾール、 2—メチルイミダゾール、 2—ェチルイミダゾーノレ、 2—ェチル一 4ーメチノレイミダゾーノレ、 2—フエ二ルイミダゾ一ノレ、 2—ゥンデシルイミダゾールが望ましい。上記エッチング液において、上記第二銅錯体の含有量は、 1〜15重量％が望ましい。溶解性および安定性に優れ、また、触媒核を構成する P d等の貴金属をも溶解させることができるからである。

上記めつき処理の具体的な方法としては、硫酸銅（l〜40 g/l) 、硫酸二ッケル（0. ：!〜 6. 0 g/ 1 ) , クェン酸（10〜20 g,l) 、次亜リン酸ナトリウム（10〜100 g_ l) 、ホウ酸（10〜40gZl) および界面活性剤（日信化学工業社製、サーフィノール 465) (0. 01〜：！ O gZl) を含む PH= 9の無電解めつき浴にて無電解めつきを施す方法等が挙げられる。この工程で、スルーホールを形成した場合には、樹脂充填材をスルーホールに充填する。また、必要に応じて、絶縁性基板表面の下層導体回路が形成されていない凹部に樹脂充填材を充填し、その後、研磨等を行って絶縁性基板表面を平坦ィ匕してもよレ、。

スルーホール内に樹脂充填材を充填した場合には、樹脂充填材を、例えば、 1 00°CZ20分の条件で乾燥させた後、硬化させる。

硬化は、温度 50〜 250°Cの間で行うのが望ましい。その硬化条件の一例としては、 100°Cで 1時間加熱した後、 150°Cで 1時間加熱する方法が挙げられる。必要に応じて、順次低い温度から高い温度と温度を変化させて硬化させるステップ硬化を行ってもよい。

また、研磨を行って導体層の表面を平坦化した場合には、必要に応じて、もう一度、下層導体回路の粗化処理を行ってもよい。粗化処理方法としては、例えば、黒化（酸化）一還元処理、有機酸と第二銅錯体の混合水溶液によるスプレー処理、 C u— N i— P合金めつきによる処理等が挙げられる。

(3)次に、この導体回路が形成された基板上に樹脂組成物の層を形成し、この樹脂組成物の層に、バイァホール用開口と必要に応じて貫通孔とを形成することにより層間樹脂絶縁層を形成する。

上記層間樹脂絶縁層の材料としては、粗化面形成用樹脂組成物、ポリフエニレンエーテル樹脂、ポリオレフイン系樹脂、フッ素樹脂、熱可塑性エラストマ一等が挙げられる。

上記樹脂組成物の層は、未硬化の樹脂を塗布して成形してもよく、また、未硬化の樹脂フィルムを熱圧着して形成してもよい。さらに、未硬化の樹脂フィルムの片面に銅箔等の金属層が形成された樹脂フィルムを貼付してもよい。

上記粗化面形成用樹脂組成物としては、例えば、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以下、難溶性樹脂という）中に分散したものが挙げられる。

なお、上記「難溶性」および「可溶性」という語は、同一の粗化液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」といい、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。

上記可溶性粒子としては、例えば、酸または酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性粒子は、単独で用いてもよいし、 2種以上併用してもよレ、。上記可溶性粒子の形状（粒径等）としては特に限定されないが、（a ) 平均粒径が 1 0 / m以下の可溶性粒子、（ b ) 平均粒径が 2 μ m以下の可溶性粒子を凝集させた凝集粒子、（c ) 平均粒径が 2〜1 Q /z mの可溶性粒子と平均粒径が 2 μ m以下の可溶性粒子との混合物、（ d ) 平均粒径が 2〜 1 0 μ mの可溶性粒子の表面に平均粒径が 2 μ m以下の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも 1種を付着させてなる疑似粒子、（e ) 平均粒径が 0 . 1〜0 . 8 /i mの可溶性粒子と平均粒径が 0 . 8 mを超え、 2 μ πι未満の可溶性粒子との混合物、

( f ) 平均粒径が 0 . 1〜1 . 0 y mの可溶性粒子を用いることが望ましい。これらは、より複雑なアンカーを形成することができるからである。

上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるいは酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されない。

上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フユノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフエ二レン樹脂、ポリオレフイン系樹脂、フッ素樹脂、ァミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂）等からなるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるものであってもよいし、 2種以上の樹脂の混合物からなるものであってもよい。

また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴムからなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとしては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル .ブタジエンゴム等が挙げられる。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン酸でも溶解することができる。また、クロム酸を用いた場合でも、低濃度で溶解することができる。そのため、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述するように、粗化面形成後、塩化パラジゥム等の触媒を付与する際に、触媒が付与されなかったり、触媒が酸化されたりすることがなレ、。

上記可溶性無機粒子としては、例えば、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物およびケィ素化合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。

上記アルミニウム化合物としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物としては、例えば、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム化合物としては、例えば、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム等が挙げられ、上記ケィ素化合物としては、例えば、シリカ、ゼォライト等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、 2種以上併用してもよい。

上記可溶性金属粒子としては、例えば、銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、マグネシウム、カルシウムおよぴケィ素からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。上記可溶性粒子を、 2種以上混合して用いる場合、混合する 2種の可溶性粒子の組み合わせとしては、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張の調整が図りやすく、樹脂フィルムを用いて形成する層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離が発生しないからである。

上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した感光性樹脂であつてもよい。

これらのなかでは、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それにより、めっき液または種々の加熱処理によっても粗化面の形状を保持することができるからである。

上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フエノール樹脂、ポリイミド樹脂等が挙げられる。また、感光化した樹脂としては、例えば、メタクリル酸ゃァクリル酸等と熱硬化基とをァクリル化反応させたものが挙げられる。特に、エポキシ樹脂をアタリレート化したものが望ましい。これらのなかでは、 1分子中に、 2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。上述の粗化面を形成することができるばかりでなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイタル条件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属層の剥離などが起きにくいからである。

上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾ一ルノポラック型エポキシ樹脂、ビスフエノール A型エポキシ樹脂、ビスフエノール F型エポキシ樹脂、フエノールノボラック型ェポキシ樹脂、アルキルフエノールノボラック型ェポキシ樹脂、ビフエノール F型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジェン型エポキシ樹脂、フヱノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシァヌレート、脂環式ェポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、 2種以上を併用してもよレ、。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエーテルスルフォン（PE S) 、ポリスノレフォン（P S F) 、ポリフエ二レンスノレフォン（P P S) 、ポリフエユレンサルファイド（PPE S) 、ポリフエ二レンエーテル（P PE) 、ポリエーテルイミド（P I ) 、フエノキシ樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。

上記熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との混合割合は、熱硬化性樹脂熱可塑性樹脂 = 95/5〜50 50が望ましい。耐熱性を損なうことなく、高い靭性値を確保できるからである。

上記可溶性粒子の混合重量比は、難溶性樹脂の固形分に対して 5〜50重量％が望ましく、 1 0〜40重量％がさらに望ましい。

上記層間樹脂絶縁層を未硬化の樹脂フィルムを用いて形成する場合、該樹脂フイルムにおいて、上記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散されていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができ、樹脂フィルムにバイァホールやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体回路の金属層の密着性を確保することができるからである。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性が確実に保たれる。

上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに対して、 3〜40重量。 /₀が望ましい。可溶性粒子の配合量が 3重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形成することができない場合があり、 40重量％を超えると、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、上記樹脂フィルムを用いて形成きれた層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。

上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子および難溶性樹脂以外に、必要に応じて、硬化剤、溶剤、その他の成分等を含有していてもよい。

上記ポリフエ二レンエーテル樹脂としては特に限定されず、例えば、ポリフエ二レンオキサイド（P PO) 、ポリフエ二レンエーテル（PPE) 等が挙げられる。上記ポリオレフイン系樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソプチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、シクロォレフイン系樹脂、これらの樹脂の共重合体等が挙げられる。

これらのなかでは、誘電率および誘電正接が低く、 GH z帯域の高周波信号を用いた場合でも信号遅延や信号エラーが発生しにくく、さらには、剛性等の機械的特性にも優れている点からシクロォレフイン系樹脂が望ましい。

上記シクロォレフイン系樹脂としては、 2—ノルボルネン、 5—ェチリデン一 2—ノルボルネンまたはこれらの誘導体からなる単量体の単独重合体または共重合体等が望ましい。上記誘導体としては、上記 2—ノルボルネン等のシクロォレフィンに、架橋を形成するためのアミノ基ゃ無水マレイン酸残基あるいはマレイン酸変性したもの等が結合したもの等が挙げられる。

上記共重合体を合成する場合の単量体としては、例えば、エチレン、プロピレン等が挙げられる。

上記シクロォレフィン系樹脂は、上記した樹脂の 2種以上の混合物であつてもよく、シクロォレフイン系樹脂以外の樹脂を含むものであってもよい。

また、上記シクロォレフイン系樹脂が共重合体である場合には、ブロック共重合体であってもよく、ランダム共重合体であってもよい。

また、上記シクロォレフイン系樹脂は、熱硬化性シクロォレフィン系樹脂であることが望ましい。加熱を行って架橋を形成させることにより、より剛性が高くなり、機械的特性が向上するからである。

上記シクロォレフイン系樹脂のガラス転移温度（Tg) は、 1 30〜200°C であることが望ましい。

上記シクロォレフイン系樹脂は、既に樹脂シート（フィルム）として成形されたものを使用してもよく、単量体もしくは一定の分子量を有する低分子量の重合体が、キシレン、シクロへキサン等の溶剤に分散した未硬化溶液の状態であってもよい。

また、樹脂シートの場合には、いわゆる RCC (RE S I N COATED COP PER ：樹脂付銅箔）を用いてもよい。

上記シクロォレフイン系樹脂は、フイラ一等を含まないものであってもよく、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、リン酸エステル等の難燃剤を含むものであってもよレ、。

上記フッ素樹脂としては、例えば、ェチルテトラフルォロエチレン共重合樹脂（E T F E ) 、ポリクロ口トリフルォロエチレン（P C T F E ) 等が挙げられる。

上記熱可塑性エラストマ一樹脂としては特に限定されず、例えば、スチレン系熱可塑性エラストマ一、ォレフィン系熱可塑性エラストマ一、ウレタン系熱可塑性エラストマ一、ポリエステル系熱可塑性エラストマ一、ポリアミド系熱可塑性エラストマ一、 1 , 2—ポリブタジエン系熱可塑性エラストマ一、塩ビ系熱可塑性エラストマ一、フッ素系熱可塑性エラストマ一等が挙げられる。これらのなかでは、電気特性に僂れる点からォレフィン系熱可塑性エラストマ一ゃフッ素系熱可塑性エラストマ一が望ましい。

上記樹脂フィルムを張り付けることにより層間樹脂絶縁層を形成する場合、該層間樹脂絶縁層の形成は、真空ラミネーター等の装置を用い、減圧下または真空下において、 0 . 2〜1 . O M P aの圧力、 6 0〜： 1 2 0での温度で圧着し、そ ' の後、樹脂フィルムを熱硬化することにより行うことが望ましい。

なお、上記熱硬化は、後述するバイァホール用開口および貫通孔を形成した後に亍つてもよレヽ。

上記樹脂組成物の層を形成した後、該樹脂組成物の層にバイァホール用開口と必要に応じて貫通孔とを形成することにより、層間樹脂絶縁層を形成する。

上記バイァホール用開口は、レーザ処理等により形成する。また、感光性樹脂からなる樹脂組成物の層を形成した場合には、露光、現像処理を行うことにより、パイァホール用開口を設けてもよい。このとき、使用されるレーザ光としては、例えば、炭酸ガス（C 0₂ ) レーザ、紫外線レーザ、エキシマレーザ等が挙げられるが、これらのなかでは、エキシマレーザや短パルスの炭酸ガスレーザが望ましい。

エキシマレーザは、後述するように、バイャホール用開口を形成する部分に貫通孔が形成されたマスク等を用いることにより、一度に多数のバイャホール用開口を形成することができ、また、短パルスの炭酸ガスレーザは、開口内の樹脂残りが少なく、開口周縁の樹脂に対するダメージが小さいからである。

また、エキシマレーザのなかでも、ホログラム方式のエキシマレーザを用いることが望ましい。ホログラム方式とは、レーザ光をホログラム、集光レンズ、レ一ザマスク、転写レンズ等を介して目的物に照射する方式であり、この方式を用いることにより、一度の照射で樹脂組成物の層に多数の開口を効率的に形成することができる。

また、炭酸ガスレーザを用いる場合、そのパルス間隔は、 1 0 〜1 0— ⁸秒であることが望ましい。また、開口を形成するためのレーザを照射する時間は、 1 0〜5 0 0 μ秒であることが望ましい。

また、パイァホール用開口を形成する部分に貫通孔が形成されたマスクの貫通孔は、レーザ光のスポット形状を真円にするために、真円である必要があり、上記貫通孔の径は、 0 . 1〜 2 m m程度が望ましい。

また、光学系レンズとマスクとを介してレーザ光を照射することにより、一度に多数のパイァホール用開口を形成することができる。光学系レンズとマスクとを介することにより、同一強度で、かつ、照射強度が同一のレーザ光を複数の部分に同時に照射することができるからである。

レーザ光にて開口を形成した場合、特に炭酸ガスレーザを用いた場合には、デスミア処理を行うことが望ましい。上記デスミア処理は、クロム酸、過マンガン酸塩等の水溶液からなる酸化剤を使用して行うことができる。また、酸素プラズマ、 C F ₄ と酸素の混合プラズマやコロナ放電等で処理してもよい。また、低圧水銀ランプを用いて紫外線を照射することにより、表面改質することもできる。また、樹脂組成物の層を形成した基板に、貫通孔を形成する場合には、直径 5 0〜3 0 0 / mのドリル、レーザ光等を用いて貫通孔を形成する。

(4) 次に、バイァホール用開口の内壁を含む層間樹脂絶縁層の表面と上記ェ程で貫通孔を形成した場合には貫通孔の内壁とに、酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する。

上記酸としては、硫酸、硝酸、塩酸、リン酸、蟻酸等が挙げられ、上記酸化剤としては、クロム酸、クロム硫酸、過マンガン酸ナトリウム等の過マンガン酸塩等が挙げられる。その後、酸を用いて粗化面を形成した場合はアルカリ等の水溶液を用い、酸化剤を用いて粗化面を形成した場合は中和液を用いて、パイァホール用開口内や貫通孔内を中和する。この操作により酸や酸化剤を除去し、次工程に影響を与えないようにする。なお、この工程で形成する粗化面の平均粗度 R zは、 0 . 1〜5 i mが望ましい。

(5) 次に、形成された粗化面に、必要により、触媒を付与する。上記触媒としては、例えば、塩化パラジウム等が挙げられる。

このとき、触媒を確実に付与するために、酸素、窒素等のプラズマ処理ゃコロナ処理等のドライ処理を施すことにより、酸または酸化剤の残渣を除去するとともに層間樹脂絶縁層の表面を改質することにより、触媒を確実に付与し、無電解めっき時の金属の析出、および、無電解めつき層の層間樹脂絶縁層への密着性を向上させることができ、特に、バイァホール用開口の底面において、大きな効果が得られる。

(6) ついで、形成された層間樹脂絶縁層上に、必要により、スズ、亜鉛、銅、ニッケル、コバルト、タリウム、鉛等からなる薄膜導体層を無電解めつき、スパッタリング等により形成する。上記薄膜導体層は、単層であってもよいし、 2層以上からなるものであってもよい。

これらのなかでは、電気特性、経済性等を考慮すると銅や銅およびニッケルからなる薄膜導体層が望ましい。

また、上記（3)の工程で貫通孔を形成した場合は、この工程で貫通孔の内壁面にも金属からなる薄膜導体層を形成することにより、スルーホールとしてもよレ、。上記（6)の工程で、スルーホールを形成した場合には、以下のような処理工程を行うことが望ましい。即ち、無電解めつき層表面とスルーホール内壁とを黒化 (酸化）一還元処理、有機酸と第二銅錯体の混合水溶液によるスプレー処理、 C u— N i—P針状合金めつきによる処理等を用いて粗化形成処理を行う。この後、さらに、樹脂充填材等を用いてスルーホール内を充填し、ついで、樹脂充填材の表層部と無電解めつき層表面とをパフ研磨等の研磨処理方法を用いて、平坦化する。

さらに、無電解めつきを行い、既に形成した金属からなる薄膜導体層と樹脂充填材の表層部とに無電解めつき層を形成することにより、スルーホールの上に蓋めっき層を形成する。

(7)次に、上記層間樹脂絶縁層上の一部にドライフィルムを用いてめっきレジストを形成し、その後、上記薄膜導体層をめつきリードとして電気めつきを行い、上記めつきレジスト非形成部に電気めつき層を形成する。

上記電気めつきとしては、銅めつきを用いることが望ましい。

この時、バイァホール用開口を電気めつきで充填してフィールドビア構造としてもよく、パイァホール用開口に導電性ペースト等を充填した後、その上に蓋めつき層を形成してフィールドビア構造としてもよい。フィールドビア構造を形成することにより、バイァホールの直上にバイァホールを設けることができる。

(8)電気めつき層を形成した後、めっきレジストを剥離し、めっきレジストの下に存在していた金属からなる薄膜導体層をエッチングにより除去し、独立した導体回路とする。上記電気めつきとしては、銅めつきを用いることが望ましい。エッチング液として、例えば、硫酸—過酸化水素水溶液、過硫酸アンモニゥム、過硫酸ナトリウム、過硫酸力リゥム等の過硫酸塩水溶液、塩化第二鉄、塩化第二銅等の水溶液、塩酸、硝酸、熱希硫酸等が挙げられる。また、上述した第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液を用いて、導体回路間のエッチングと同時に粗化面を形成してもよい。

さらに、必要により、酸または酸化剤を用いて層間樹脂絶縁層上の触媒を除去してもよい。触媒を除去することにより、触媒に用いたパラジウム等の金属がなくなるため、電気特性の低減を防止することができる。

(9)この後、必要により、（3)〜（8)の工程を繰り返し、その後、最外層の導体回路に粗化面を形成する必要がある場合には、上述した粗化面形成処理方法を用いて、粗化面を有する導体回路を形成する。

(10)次に、最外層の導体回路が形成された基板に上記したソルダーレジスト層を形成する。

上記ソルダーレジスト層は、上記したソルダ一レジスト組成物をロールコータ法等により塗布したり、上記ソルダーレジスト組成物の樹脂フィルムを形成した後、該樹脂フィルムを熱圧着したりした後、露光、現像処理、レーザ処理等による開口処理を行い、さらに、硬化処理等を行うことにより形成する。

(11)次に、ソルダーレジスト層の開口部分に N i、 A u等からなる耐食金属層をめつき、スパッタリングまたは蒸着等により形成し、その後、 I Cチップ接続面には、半田ペーストを印刷することにより半田バンプを形成し、外部基板接続面には、半田ボールやピン等を配設することにより多層プリント配線板の製造を終了する。なお、上記半田ボールやピン等を配設する方法としては、従来公知の方法を用いることができる。

なお、製品認識文字などを形成するための文字印刷工程やソルダーレジスト層の改質のために、酸素や四塩化炭素などの、プラズマ処理を適時行ってもよい。以上の方法は、セミアディティブ法によるものであるが、フルアディティブ法を採用してもよレ、。

このような製造工程を経ることにより、第一群の本発明の第一の発明の多層プリント配線板を製造することができる。

次に、第二群の本発明について説明する。

第二群の本発明の第一の発明は、基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成され、最外層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板であって、上記ソルダーレジスト層は、エラストマ一成分を含有することを特徴とする多層プリント配線板である。

第二群の本発明の第一の発明の多層プリント配線板によれば、ソルダーレジスト層がエラストマ一成分を含有するので、上記ソルダーレジスト層は、エラストマーの有する柔軟性および反発弾性によって、ソルダーレジスト層に応力が作用した場合でも、該応力を吸収したり緩和したりすることができ、その結果、多層プリント配線板の製造工程や製造した多層プリント配線板に I Cチップ等の電子部品を搭載した後のソルダーレジスト層にクラックや剥離が発生することを抑制することができ、さらに、クラックが発生した場合にも、該クラックが大きく成長することを防止することができる。

第二群の本発明の第一の発明で使用されるエラストマ一成分としては、例えば、天然ゴム、合成ゴム、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等が挙げられる。特に、応力を充分に吸収したり、緩和したりすることができるのは、熱硬化性樹脂からなるエラストマ一である。これらのエラストマ一成分は、単独で用いてもよく、 2種以上を併用してもよい。

上記熱硬化性樹脂からなるエラストマ一としては、例えば、ポリエステル系ェラストマー、スチレン系エラストマ一、塩ィヒビ二ノレ系エラストマ一、フッ素系ェラストマー、アミド系エラストマ一、ォレフィン系エラストマ一等が挙げられる。上記エラストマ一成分の形状としては、特に限定されるものではないが、応力を吸収したり、緩和したりする効果に優れることから、球状、楕円球状等が望ましい。

上記エラストマ一成分の大きさは、特に限定されるものではないが、最も長い部分の長さ（または直径）が 0 . 5〜1 . 5 mの範囲のものが望ましい。上記エラストマ一成分の大きさが 0 . 5 // m未満では、応力を緩和したり、吸収したりすることが困難となってクラックが生じ易くなり、 1 . 5 /z mを超えると、解像度が落ちるからである。

本発明の多層プリント配線板において、上記エラストマ一成分は、上記ソルダ —レジスト層の硬化後に海島構造となるようにミクロ相分離していることが望ましい。エラストマ一成分をこのように分散させることが、エラストマ一成分により応力を吸収したり、緩和したりする効果を得るうえで、最も適しているからである。

上記ソルダーレジスト層中のエラストマ一成分の含有割合は、 1〜2 0重量⁰ /₀ が望ましい。上記含有割合が 1重量％未満では、応力を緩和したり、吸収したりすることが困難となってクラックが生じやすくなり、 2 0重量％を超えると、解像度が落ちるからである。

上記ソルダーレジスト層は、上記エラストマ一成分以外に無機ブイラ一が配合されていることが望ましい。上記無機フィラーが配合されることにより、第一群の本発明の第一の発明の多層プリント配線板の説明で記載した理由と同様の理由で、ソルダーレジスト層と他の層（層間樹脂絶縁層等）との線膨張係数を整合させることができるため、線膨張係数の差に起因する剥離ゃクラックの発生をより防止することができるからである。

上記無機フイラ一としては、特に限定されるものではなく、例えば、アルミ二ゥム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物、ケィ素化合物等が挙げられる。具体的には、第一の本発明の第一の発明の多層プリント配線板に用いるものと同様のものが挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、 2種以上併用してもよい。

また、上記ソルダーレジスト層中の無機フィラーの含有割合は、 5〜2 0重量％が好ましい。無機フィラーを上記含有割合で用いることにより、効果的にソルダ一レジスト層の線膨張係数を低下させることができ、熱膨張による応力の発生を効果的に抑制することができる。

第二群の本発明の第一の発明の多層プリント配線板を構成するソルダーレジスト層は、上記無機フイラ一、エラストマ一成分のほかに、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体等を含有してもよく、これらの具体例としては、第一群の本発明の第一の発明の多層プリント配線板を構成するソルダーレジスト層に含有されているものと同様のもの等が挙げられる。次に、第二群の本発明の第二の発明のソルダーレジスト組成物について説明する。

第二群の本発明の第二の発明のソルダーレジスト組成物は、ソルダ一レジスト層用樹脂を含むペースト中にエラストマ一成分が配合されてなることを特徴とする。

上記エラストマ一成分としては、上述したものを用いることができる。また、その配合量は、ソルダーレジスト組成物中の含有割合が、 5〜1 0重量％となる量が好ましい。

第二群の本発明の第二の発明のソルダーレジスト組成物は、上記エラストマ一成分や無機フィラーのほかに、上記したノボラック型エポキシ樹脂の（メタ）ァクリレート、イミダゾール硬化剤、 2官能性（メタ）アクリル酸エステルモノマ ―、分子量 5 0 0〜5 0 0 0程度の（メタ）アクリル酸エステルの重合体、ビスフエノール型エポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂、多価ァクリル系モノマー等の感光性モノマー、グリコールエーテル系溶剤などを含むペースト状の流動体であることが望ましく、その粘度は 2 5 °Cで 1〜 1 0 P a · sに調整されていることが望ましい。上記イミダゾール硬化剤、および、上記ダリコールエーテル系溶剤としては、第一群の本発明の第二の発明のソルダーレジスト組成物と同様のもの等が挙げられる。

このようなソルダーレジスト組成物を用いてソルダーレジスト層を形成する際には、まず、導体回路および層間樹脂絶縁層が複数層形成され、最上層に導体回路が形成された基板を作製し、その後、上記組成を有するペーストをロールコータ法等により塗布し、乾燥させる。この後、下の導体回路の所定位置に相当するソルダ一レジスト層の部分に、半田バンプ形成用の開口を形成し、必要によって、硬化処理を行うことにより、ソルダーレジスト層を形成する。

第二群の本発明の第三の発明の多層プリント配線板の製造方法は、基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成され、最外層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板の製造方法であって、

第二の本発明の第二の発明のソルダーレジスト組成物を用いることを特徴とする。

第二群の本発明の第三の発明の多層プリント配線板の製造方法では、まず、第一群の本発明の第三の発明の多層プリント配線板の製造方法における製造工程 ( 1 ) 〜（9 ) と同様にして、最外層に導体回路の形成された基板を作成する。次に、第二群の本発明の第二の発明のソルダ一レジスト組成物を上記した方法、即ち、ソルダ一レジスト組成物を塗布したり、ソルダーレジスト組成物からなるフィルムを圧着したりした後、露光現像処理等による開口処理を行い、さらに、硬化処理を行うことによりソルダーレジスト層を形成する。

さらに、第一群の本発明の第三の発明の多層プリント配線板の製造方法における製造工程（1 0 ) および（1 1 ) と同様にして多層プリント配線板を製造する。なお、このような製造方法を用いることにより、第二群の本発明の第一の発明の多層プリント配線板を製造することができる。

次に、第三群の本発明の多層プリント配線板について説明する。

第三群の本発明の第一の発明は、基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成され、最外層にソルダ一レジスト層が形成された多層プリント配線板であって、上記ソルダーレジスト層の 1 G H zにおける誘電率は 3 . 0以下であることを特徴とする多層プリント配線板である。

このような第三群の本発明の第一の発明の多層プリント配線板によれば、上記ソルダ一レジスト層の誘電率が 3 . 0以下と低いため、 G H z帯域の高周波信号を用いた場合であっても、該ソルダーレジスト層で発生する信号伝搬の遅延や信号の電送損失等に起因する信号エラーを防止することができる。

また、誘電正接が低いソルダーレジスト層を用いた場合には、上記特性に加えて、半田バンプ間の距離を狭くした場合でも、外部端子用パッドの数に関係なく、上記ソルダーレジスト層で発生する信号の電送損失等に起因する信号エラーを防止することができる。

さらに、上記多層プリント配線基板において、層間樹脂絶縁層としてポリオレフィン系樹脂やポリフエ二レン系樹脂等を用いた場合には、ソルダーレジスト層と層間樹脂絶縁層との熱膨張率の差が小さいため、クラックや剥離の発生を防止することができる。

第三群の本発明の第一の発明の多層プリント配線板において、ソルダーレジスト層の 1 G H zにおける誘電率は、 3 . 0以下である。このような低誘電率のものを使用することにより、信号伝搬の遅延や信号の電送損失等に起因する信号ェラーを防止することができる。上記誘電率は、 2 . 4〜2 . 7が望ましい。第三群の本発明の第一の発明の多層プリント配線板において、ソルダーレジスト層の 1 G H zにおける誘電正接は、 0 . 0 1以下であることが望ましい。このような低誘電正接のものを使用することにより、信号伝搬の遅延や信号の電送損失等に起因する信号エラーを防止することができる。

第三群の本発明の第一の発明の多層プリント配線板において、上記したような低誘電率おょぴ低誘電正接を有するソルダーレジスト層は、ポリオレフイン系樹脂、ポリフエ二レンエーテルおよびフッ素系樹脂からなる群より選択される少なくとも一種を含有するものからなることが望ましい。

上記ポリオレフイン系樹脂の具体例としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、シクロォレフイン系樹脂、これらの樹脂の共重合体等が挙げられる。

上記ポリオレフイン系樹脂の市販品としては、例えば、住友スリ一ェム社製の商品名： 1 59 2等が挙げられる。また、融点が 200°C以上の熱可塑型ポリオレフイン系樹脂の市販品としては、例えば、三井石油化学工業社製の商品名： T PX (融点 240°C) 、出光石油化学社製の商品名： S P S (融点 2 70°C) 等が挙げられる。

これらのなかでは、誘電率および誘電正接が低く、 GH z帯域の高周波信号を用いた場合でも信号遅延や信号エラーが起きにくく、さらには、剛性等の機械的特性にも優れている点からシクロォレフイン系樹脂が望ましい。

上記シクロォレフイン系樹脂としては、 2—ノルボルネン、 5—ェチリデン一 2—ノルボルネンまたはこれらの誘導体からなる単量体の単独重合体または共重合体であることが望ましい。上記誘導体としては、上記 2 _ノルボルネン等のシクロォレフィンに、架橋を形成するためのアミノ基ゃ無水マレイン酸残基あるいはマレイン酸変性したもの等が結合したもの等が挙げられる。

上記シクロォレフイン系樹脂は、上記した樹脂の 2種以上の混合物であってもよく、シクロォレフイン系樹脂以外の樹脂を含むものであってもよい。

また、上記シクロォレフィン系樹脂は、熱硬化性シクロォレフィン系樹脂であることが望ましい。加熱を行って架橋を形成させることにより、より剛性が高くなり、機械的特性が向上するからである。

また、樹脂シートの場合には、いわゆる R C C (RE S I N COATED COP PER _:樹脂付銅箔）を用いてもよい。上記シクロォレフイン系樹脂は、フイラ一等を含まないものであってもよく、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、リン酸エステル等の難燃剤を含むものであってもよい。

上記ソルダーレジスト層に用いるポリオレフイン系樹脂は、通常、透明である。そのため、ポリオレフイン系樹脂をそのままソルダーレジスト層に使用した場合には、内層の導体回路やターゲットマークを実装時ゃ個片への切断時に誤って読み込んでしまう可能性があることから、ソルダーレジスト層を形成するポリオレフィン系樹脂を緑色や紺色に着色しておくことが望ましい。こうすることにより、多層プリント配線板の内層と表層のァライメントマークを判別することができる。第三群の本発明の第一の発明の多層プリント配線板の層閲樹脂絶縁層を構成する樹脂としては、ポリオレフイン系樹脂、ポリフエ二レン系樹脂（P P E、 P P O等）、フッ素系樹脂等が望ましい。

ポリオレフイン系樹脂としては、例えば、上記ポリエチレン、ポリプロピレン等が挙げられ、フッ素系樹脂としては、例えば、ェチル Zテトラフルォロェチレン共重合樹脂（E T F E ) 、ポリクロ口トリフルォロエチレン（P C T F E ) 等が挙げられる。

このような樹脂を用いることにより、多層プリント配線板全体の誘電率および誘電正接を低下させることができ、 G H z帯域の高周波信号を用いた場合でも信号遅延や信号エラーが起きにくい。また、上記した樹脂絶縁層に用いる樹脂の熱膨張率は、ソルダ一レジスト層に用いるポリオレフイン系樹脂等の熱膨張率と大きな差がないため、剥離やクラック等が発生しにくレ、。

このような第三群の本発明の第二の発明の多層プリント配線板によれば、上記ソルダーレジスト層にポリオレフイン系樹脂を用いているため、 G H z帯域の高周波信号を用いた場合であっても、該ソルダーレジスト層で発生する信号伝搬の遅延や信号の電送損失等に起因する信号エラーを防止することができる。また、誘電率が低いソルダーレジスト層を用いた場合には、 G H z帯域の高周波信号を用いた場合であっても、該ソルダーレジスト層で発生する信号伝搬の遅延ゃ信号の電送損失等に起因する信号エラ一をさらに防止することができる。また、誘電正接が低いソルダーレジスト層を用いた場合には、上記特性に加えて、半田バンプ間の距離を狭くした場合でも、外部端子用パッドの数に関係なく、上記ソルダーレジスト層で発生する信号の電送損失等に起因する信号エラーを防止することができる。

さらに、上記多層プリント配線基板において、層間樹脂絶縁層としてポリオレフィン系樹脂やポリフエ二レン系樹脂等を用いた場合には、ソルダ一レジスト層と層間樹脂絶縁層との熱膨張率の差が小さいため、クラックや剥離の発生を防止することができる。

第三群の本発明の第二の発明の多層プリント配線板において、ソルダーレジスト層に用いるポリオレフイン系樹脂としては特に限定されないが、 1 G H zにおける誘電率が、 3 . 0以下であるものが望ましい。このような低誘電率のものを使用することにより、信号伝搬の遅延や信号の電送損失等に起因する信号エラーを防止することができる。上記誘電率は、 2 . 4〜2 . 7が望ましい。

第三群の本発明の第二の発明の多層プリント配線板において、ソルダーレジスト層に用いるポリオレフイン系樹脂の 1 G H zにおける誘電正接は、 0 . 0 1以下であることが望ましい。このような低誘電正接のものを使用することにより、信号伝搬の遅延や信号の電送損失等に起因する信号エラーを防止することができる。

上記ポリオレフイン系樹脂の市販品としては、例えば、第三群の本発明の第一の発明で用いるものと同様のものが挙げられる。

これらのなかでは、誘電率および誘電正接が低く、 G H z帯域の高周波信号を用いた場合でも信号遅延や信号エラーが起きにくく、さらには、剛性等の機械的特性にも優れている点からシク口才レフィン系樹脂が望ましい。上記シクロォレフイン系樹脂としては、例えば、第三群の本発明の第一の発明で用いるシクロォレフイン系樹脂と同様のものが挙げられる。

第三群の本発明の第二の発明の多層プリント配線板の層間樹脂絶縁層を構成する樹脂としては、第三群の本発明の第一の発明で用いるものと同様のものが望ましい。

このような樹脂を用いることにより、第三群の本発明の第一の発明の多層プリント配線板と同様、多層プリント配線板全体の誘電率および誘電正接を低下させることができ、 G H z帯域の高周波信号を用いた場合でも信号遅延や信号エラーが起きにくい。また、上記した樹脂絶縁層に用いる樹脂の熱膨張率は、ソルダーレジスト層に用いるポリオレフイン系樹脂の熱膨張率と大きな差がないため、剥離ゃクラック等が発生しにくレ、。

次に、第三群の本発明の多層プリント配線板を製造する方法について説明する。第三群の本発明の第一および第二の発明の多層プリント配線板は、上記した樹脂（ポリオレフイン系樹脂等）を含むソルダーレジスト組成物を用いる以外は、第一群の本発明の第三の発明の多層プリント配線板の製造方法と同様の方法により製造することができる。また、第三群の本発明の第一および第二の発明の多層プリント配線板の製造では、開口を有するソルダーレジスト層を形成する際に、レ一ザを用いて開口を形成することが望ましい。これは、ポリオレフイン系樹脂等がレーザを用いて開口を形成するのに適しているからである。

なお、第三群の本発明の第一および第二の発明の多層プリント配線板の製造では、上述したように、層間樹脂絶縁層の材料としてポリオレフイン系樹脂、ポリフエ二レン系樹脂、フッ素系樹脂を用いることが望ましい。また、このような材料を用いて層間樹脂絶縁層を形成する場合には、レーザ処理によりバイァホール用開口を形成することが望ましい。

次に、第三群の本発明の第三の発明の半導体装置について説明する。

第三群の本発明の第三の発明は、基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成され、最上層に、半田バンプを有するソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板と、上記多層プリント配線板上に上記半田バンプを介して接続された I Cチップとからなる半導体装置において、上記ソルダーレジスト層は、ポリオレフイン系樹脂からなり、上記樹脂絶縁層は、ポリオレフイン系樹脂、ポリフエ二レン系樹脂またはフッ素系樹脂からなることを特徴とする半導体装置である。

第三群の本発明の第三の発明の半導体装置のソルダーレジスト層に用いられるポリオレフイン系榭脂としては、例えば、第三群の本発明の第一の発明の多層プリント配線板に用いられるポリオレフイン系樹脂と同様のもの等が挙げられる。上記ポリオレフイン系樹脂は、シクロォレフイン系樹脂が望ましい。誘電率および誘電正接が低く、機械的特性に優れるからである。

第三群の本発明の第三の発明の半導体装置の樹脂絶縁層は、ポリオレフイン系樹脂、ポリフエ二レン系樹脂またはフッ素系樹脂からなる。このような樹脂を用いることにより、多層プリント配線板全体の誘電率および誘電正接を低下させることができ、 G H _Z帯域の高周波信号を用いた場合でも信号遅延や信号エラーが起きにくい。また、上記樹脂絶縁層に用いる樹脂の熱膨張率は、ソルダーレジスト層に用いるポリオレフイン系樹脂の熱膨張率と大きな差がないため、剥離やクラック等が発生しにくレ、。

第三群の本発明の第三の発明の半導体装置を製造する際には、上述した方法により、半田バンプを有する多層プリント配線板を製造した後、半田バンプを有するソルダーレジスト層上の所定の位置に I Cチップを載置し、加熱により半田をリフローさせ、プリント配線板の配線と I Cチップとを接続する。続いて、 I Cチップが接続されたプリント配線板にアンダーフィルを充填し、樹脂封止を行うことにより、半導体装置の製造を終了する。

第三群の本発明の第三の発明の半導体装置によれば、 I Cチップの周波数が、 1 G H _Z以上の高周波の信号領域であっても、信号伝搬の遅延や信号の電送損失等に起因する信号エラーが発生することがない。

次に、第四群の本発明について説明する。

第四群の本発明の第一の発明は、基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成され、最外層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板であって、上記ソルダーレジスト層の 1 G H zにおける誘電正接は、 0 . 0 1以下であることを特徴とする多層プリント配線板である。このような第四群の本発明の第一の発明の多層プリント配線板によれば、上記ソルダーレジスト層の 1 G H zにおける誘電正接が 0 . 0 1以下であるため、ソルダーレジスト層で発生する信号伝搬の遅延や信号の電送損失等に起因する信号エラーを防止することができる。

また、上記ソルダ一レジスト層の誘電正接と誘電率とがともに低い場合には、上記特性に加えて、半田バンプ間の距離を狭くした場合でも、外部端子用パッドの数に関係なく、上記ソルダーレジスト層で発生する信号の電送損失等に起因する信号エラーを防止することができる。

第四群の本発明の第一の発明の多層プリント配線板のソルダーレジスト層は、 1 G H zにおける誘電正接が、 0 . 0 1以下である。このような低誘電正接のソルダ一レジスト層を用いることにより、上記ソルダーレジスト層で発生する信号の電送損失等に起因する信号エラーを防止することができる。望ましい誘電正接は、 0 . 0 0 1以下である。

また、上記ソルダーレジスト層の 1 G H zにおける誘電率は、 3 . 0以下であることが望ましい。誘電正接および誘電率がともに低いソルダーレジスト層を用いることにより、ソルダーレジスト層で発生する信号の電送損失等に起因する信号エラーをより一層確実に防止することができる。

第四群の本発明の第一の発明の多層プリント配線板において、上記したような低誘電正接および低誘電率を有するソルダーレジスト層は、ポリフエ二レンエーテル樹脂、ポリオレフイン系樹脂およびフッ素系樹脂からなる群より選択される少なくとも一種を含有するものからなることが望ましい。

上記ポリフエ二レンエーテル樹脂としては、後に詳述する第四群の本発明の第二の多層プリント配線板で使用するポリフエ二レンエーテルと同様のもの等が挙げられる。

また、上記ポリオレフイン系樹脂としては、例えば、第三群の本発明の第一の発明の多層プリント配線板のソルダーレジスト層に用いるものと同様のもの等が挙げられる。

上記フッ素系樹脂としては、例えば、ェチルテトラフルォロエチレン共重合樹脂（E T F E ) 、ポリクロ口トリフルォロエチレン（P C T F E ) 等が挙げられる。

本発明の多層プリント配線基板の樹脂絶縁層に用いる樹脂としては、ポリフエ二レンエーテル樹脂、ポリオレフイン系樹脂、フッ素系樹脂等が挙げられる。上記ポリフエ二レンエーテル樹脂としては、後に詳述する第四群の本発明の第二の発明のソルダーレジスト層に用いるポリフエ二レンエーテル樹脂と同様のもの等が挙げられる。

上記ポリオレフイン系樹脂や上記フッ素系樹脂としては、例えば、上記したソルダーレジスト層に用いるものと同様のもの等が挙げられる。

このような樹脂を用いることにより、多層プリント配線板全体の誘電正接および誘電率を低下させることができ、 G H _Z帯域の高周波信号を用いた場合でも信号遅延や信号エラーが起きにくレ、。これに加えて、特に、層間樹脂絶縁層とソルダーレジスト層の両者にポリフエ二レンエーテル樹脂を用いた場合には、ソルダ一レジスト層と層間樹脂絶縁層との熱膨張率の差が小さいため、クラックや剥離の発生をより確実に防止することができる。

このような第四群の本発明の第二の発明の多層プリント配線板によれば、上記ソルダーレジスト層にポリフエ二レンエーテル樹脂を用いているため、 G H z帯域の高周波信号を用いた場合であっても、該ソルダーレジスト層で発生する信号伝搬の遅延や信号の電送損失等に起因する信号エラーを防止することができる。また、誘電正接の低いソルダーレジスト層を用いた場合には、 G H z帯域の高周波信号を用いた場合であっても、該ソルダーレジスト層で発生する信号伝搬の遅延や信号の電送損失等に起因する信号エラーを防止することができる。

また、誘電率の低いソルダーレジスト層を用いた場合には、上記特性に加えて、半田バンプ間の距離を狭くした場合でも、外部端子用パッドの数に関係なく、上記ソルダーレジスト層で発生する信号の電送損失等に起因する信号エラーを防止することができる。さらに、上記多層プリント配線板において、層間樹脂絶縁層としてポリフエ二レンエーテル樹脂を用いた場合には、ソルダーレジスト層と層間樹脂絶縁層との熱膨張率の差が小さいため、クラックや剥離の発生を防止することができる。第四群の本発明の第二の発明の多層プリント配線板において、ソルダーレジスト層に用いられるポリフエ二レンエーテル樹脂としては特に限定されず、例えば、下記化学式（2 ) で表される繰り返し単位を有する熱可塑性ポリフエ二レンエーテル樹脂や下記化学式（3 ) で表される繰り返し単位を有する熱硬化性ポリフエ二レンエーテル樹脂等が挙げられる。

(式中、 nは、 2以上の整数を表す。）

(式中、 mは、 2以上の整数を表す。また、 R ¹ 、 R ² は、メチレン基、ェチレン基または一 C H₂— 0 _ C H₂—を表し、両者は同一であってもよいし、異なつていてもよレヽ。 )

また、上記化学式（2 ) で表される繰り返し単位を有する熱可塑性ポリフエ二レンエーテル樹脂は、ベンゼン環にメチル基が結合した構造を有しているが、本発明で用いることのできるポリフエ二レンエーテル樹脂としては、上記メチル基が、ェチル基等の他のアルキル基等で置換された誘導体や、メチル基の水素がフッ素で置換された誘導体等であってもよい。

これらのポリフエ二レンエーテル樹脂は、単独で用いてもよいし、 2種以上を併用してもよい。

このようなポリフエ二レンエーテル樹脂のなかでは、加熱することにより剛性が高くなり、機械的特性が向上する点から上記化学式（3) で表される熱硬化性ポリフヱニレンエーテル樹脂が望ましい。

また、上記ポリフエ二レンェ一テル樹脂としては、 1 GH zにおける誘電正接が 0. 0 1以下であり、誘電率が 3. 0以下のものが望ましい。

上記ポリフエ二レンェ一テル樹脂（熱硬化性ポリフエ二レンエーテル樹脂を含む）の代表的なものは、誘電率（1MH z) が 2. 45〜 2. 50程度、誘電正接（ 1 MH z ) が 0. 7 X 1 0—³〜 1. 0 X 1 0 程度とともに低く、上記の望ましい範囲に含まれており、また、 2 1 0〜250°C程度のガラス転移温度を有し、吸水率が 0. 05%以下と低いためソルダーレジスト層に用いるのに適している。

上記誘電率および誘電正接を有するポリフエ二レンエーテル樹脂を用いることにより、 GH z帯域の高周波数信号を用いた場合でも信号遅延や信号エラーを防止することができる。

上記ポリフエ二レンエーテル樹脂は、既に樹脂シート（フィルム）として成形されたものを使用してもよく、単量体もしくは一定の分子量を有する低分子量の重合体が、キシレン、トルエン等の芳香族炭化水素系溶剤、シクロへキサン等の溶剤に分散した未硬化溶液の状態であってもよい。

また、樹脂シートの場合には、いわゆる RCC (RE S I N COATED CO P P ER ：樹脂付銅箔）を用いてもよい。

また、ソルダーレジスト層に用いる樹脂は、上記ポリフエ二レンエーテル樹脂のみからなるものであってもよいし、低誘電率および低誘電正接を損ねない範囲で他の成分が配合されているものであってもよい。

第四群の本発明の第二の発明の多層プリント配線板の樹脂絶縁層に用いる樹脂としては、ポリフエ二レンエーテル樹脂、ポリオレフイン系樹脂、フッ素系樹脂等が挙げられる。上記ポリフエ二レンエーテル系樹脂としては、上記したソルダ一レジスト層に用いるポリフエ二レンエーテル樹脂と同様のもの等が挙げられる。また、上記ポリオレフイン系樹脂や上記フッ素系樹脂としては、第四群の本発明の第一の発明で用いるものと同様のものが挙げられる。

これらのなかでは、ポリフエ二レンエーテル樹脂が望ましい。絶縁性樹脂として、ポリフエ二レンエーテル樹脂を用いることにより、多層プリント配線板全体の誘電正接および誘電率を低下させることができ、 G H z帯域の高周波信号を用いた場合でも信号遅延や信号エラーが起きにくレ、。また、層間樹脂絶縁層とソルダーレジスト層との熱膨張率の差が小さいため、クラックや剥離の発生をより確実に防止することができる。

次に、第四群の本発明の多層プリント配線板を製造する方法について説明する。第四群の本発明の第一および第二の発明の多層プリント配線板は、上記した樹脂（ポリフエ二レンエーテル樹脂）を含むレンソルダーレジスト組成物を用いる以外は、第一群の本発明の第三の発明の多層プリント配線板の製造方法等を用いて製造することができる。また、第四群の本発明の第一および第二の発明の多層プリント配線板の製造では、開口を有するソルダーレジスト層を形成する際に、レ一ザを用いて開口を形成することが望ましい。これは、ポリフエ二レンェ一テル樹脂等がレ一ザを用いて開口を形成するのに適しているからである。

なお、第四群の本発明の第一および第二の発明の多層プリント配線板の製造では、上述したように、層間樹脂絶縁層の材料としてポリフエ二レンエーテル樹脂、ポリオレフイン系樹脂、フッ素系樹脂を用いることが望ましい。また、このような材料を用いて層間樹脂絶縁層を形成する場合には、レーザ処理によりパイァホール用開口を形成することが望ましい。

次に、第四群の本発明の第三の発明の半導体装置について説明する。

第四群の本発明の第三の発明は、基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成. され、最上層に、半田バンプを有するソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板と、上記多層プリント配線板上に上記半田バンプを介して接続された I Cチップとからなる半導体装置において、

上記ソルダーレジスト層は、ポリフエ二レンエーテル樹脂からなり、上記樹脂絶縁層は、ポリフヱニレンエーテル樹脂、ポリオレフイン系樹脂またはフッ素系樹脂からなることを特徴とする半導体装置である。

第四群の本発明の第三の発明の半導体装置のソルダーレジスト層に用いられるポリフエ二レンエーテル樹脂としては、第四群の本発明の第一の発明で用いるポリフエ二レンエーテル樹脂と同様のもの等が挙げられる。上記ポリフエ二レンェ一テル樹脂としては、熱硬化型ポリフエ二レンエーテル樹脂が望ましい。

および誘電正接が低く、機械的特性に優れるからである。

第四群の本発明の第三の発明の半導体装置の樹脂絶縁層は、ポリフエ二レンェ一テル樹脂、ポリオレフイン系樹脂またはフッ素系樹脂からなる。このような樹脂を用いることにより、多層プリント配線板全体の誘電率および誘電正接を低下させることができ、 G H z帯域の高周波信号を用いた場合でも信号遅延や信号ェラーが起きにくレ、。また、上記樹脂絶縁層に用いる樹脂の熱膨張率は、ソルダーレジスト層に用いるポリフエ二レンエーテル樹脂の熱膨張率と大きな差がないため、剥離やクラック等が発生しにくレ、。

第四群の本発明の第三の発明の半導体装置を製造する際には、上述した方法により、半田バンプを有する多層プリント配線板を製造した後、半田バンプを有するソルダーレジスト層上の所定の位置に I Cチップを載置し、加熱により半田をリフローさせ、プリント配線板の配線と I Cチップとを接続する。続いて、 I C チップが接続されたプリント配線板にアンダーフィルを充填し、樹脂封止を行うことにより、半導体装置の製造を終了する。

第四群の本発明の第三の発明の半導体装置によれば、 I Cチップの周波数が、 1 G H z以上の高周波の信号領域であっても、信号伝搬の遅延や信号の電送損失等に起因する信号エラーが発生することがない。

次に、第五群の本発明について説明する。

第五群の本発明は、基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成され、最外層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板であって、

上記ソルダーレジスト層は、 P原子含有エポキシ樹脂を含むこと特徴とする多層プリント配線板である。

第五群の本発明の多層プリント配線板によれば、ソルダーレジスト層が P原子含有エポキシ樹脂を含んでいるため、これらの存在に起因して難燃性に優れる。これは、ソルダーレジスト層の原料となるエポキシ樹脂が P原子を含んでいるため、発火時に樹脂が燃焼し始めても、 P原子の部分で燃焼が一旦止まるからである。

また、第五群の本発明の多層プリント配線板に形成されたソルダーレジスト層は、密着性に優れるエポキシ樹脂を原料としては使用しているため、ソルダーレジスト層と導体回路との密着性が高い。

また、上記ソルダーレジスト層の原料として、上記 P原子含有エポキシ樹脂以外のものは、通常用いられるものと同様のものが用いられているため、上記ソルダ一レジスト層は、露光、現像処理等により、所望の形状の開口が形成されている。

第五群の本発明の多層プリント配線板において、ソルダーレジスト層は P原子含有エポキシ樹脂を含んでいる。

上記 P原子含有エポキシ樹脂としては、リンを含有するエポキシ樹脂であれば特に限定されないが、これらのなかでは、リン酸残基を有するエポキシ樹脂が望ましく、リン酸エステル結合を有するエポキシ樹脂がより望ましい。

具体的にほ、 2価のリン酸残基を有し、かつ、両末端にエポキシ基を有するェポキシ樹脂や、片末端に 1価のリン酸残基を有し、他の片末端にエポキシ基を有するエポキシ樹脂が望ましい。

上記 2価のリン酸残基を有し、かつ、両末端にエポキシ基を有するエポキシ樹脂としては、例えば、下記一般式（4 ) で表される P原子含有エポキシ樹脂等が挙げられる。

(4)

(式中、 X ¹ 、 X ² は、それぞれ、 o、または、単結合を表す。）

ここで、 X ¹ およびノまたは X² が O (酸素）の場合、上記一般式（4 ) で表される P原子含有エポキシ樹脂は、リン酸エステル結合を有することとなる。上記一般式（4 ) で表されるエポキシ樹脂では、リン酸残基に下記化学式 ( 6 )

で表される化合物が結合しているが、上記リン酸残基に結合する化合物は、例えば、下記化学式（7 )

で表される化合物であってもよく、また、上記リン酸残基に結合する化合物は、それぞれ、異なっていてもよい。

また、上記片末端に 1価のリン酸残基を有し、他の片末端にエポキシ基を有するエポキシ樹脂としては、例えば、下記一般式（5 ) で表される P原子含有ェポキシ樹脂等が挙げられる。

(式中、 X³ は、 O、または、単結合を表し、 Rは、炭素数 2〜 8のアルキル基を表す。）

ここで、 X³ が O (酸素）の場合、上記一般式（5 ) で表される P原子含有ェポキシ樹脂は、リン酸エステル結合を有することとなる。

上記一般式（5 ) で表されるエポキシ樹脂において、上記リン酸残基に結合する化合物は、例えば、上記化学式（7 ) で表される末端にエポキシ基を有する化合物であってもよい。

また、上記アルキル基としては、ェチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、 s e c—ブチル基、 t e r t—ブチル基等が挙げられる。これらのなかでは、ブチル基が望ましい。

上記 P原子含有エポキシ樹脂のソルダーレジスト層中の含有量は、 0 . 1〜7 0重量％が望ましい。 0 . 1重量％未満では、多層プリント配線板が充分な難燃性を有さない場合があり、一方、 7 0重量％を超えても、多層プリント配線板の難燃性はあまり向上しない。

上記ソルダーレジスト層は、無機フイラ一として、ケィ素化合物、アルミニゥム化合物、マグネシウム化合物等を含んでいることが望ましい。これらの化合物の具体例としては、例えば、第一群の本発明の第一の発明の多層プリント配線板に用いる無機フィラーと同様のもの等が挙げられる

これらの化合物は、単独で含まれていてもよいし、 2種以上含まれていてもよレ、。

これらの化合物が、ソルダーレジスト層に含まれていると、第一群の本発明の第一の発明の多層プリント配線板の説明でも記載したようにソルダーレジスト層に発生した応力が緩和されやすく、その結果、ソルダーレジスト層にクラックが発生したり、導体回路との間で剥離が発生したりすることがより起こりにくくなる。

上記無機フィラーの粒径は、 0 . 1〜5 . 0 μ mが望ましい。上記粒径が 0 . 1 i m未満では、ソルダーレジスト層に発生した応力を緩和する効果があまり得られず、一方、 5 . Ο μ πιを超えると、ソルダーレジスト組成物の層の硬化性に悪影響を及ぼすことがあり、また、ソルダーレジスト組成物の層に半田パッド用開口等を設ける際の開口性に悪影響を及ぼすことがある。

また、上記無機フィラーの形状としては特に限定されず、例えば、球状、楕円球状、破砕状、多面体状等が挙げられる。

これらのなかでは、ソルダーレジスト層に発生した応力を緩和しやすく、ソルダーレジスト層表面の突起物となりにくい点から、球状が望ましい。

上記ソルダーレジスト層中の無機フィラーの含有量は、 0 . 1〜 1 5重量⁰ /₀が望ましい。

上記含有量が 0 . 1重量％未満では、ソルダーレジスト層に発生した応力を緩和する効果が乏しく、 1 5重量％を超えると、ソルダーレジスト組成物の層の硬化性に悪影響を及ぼすことがあり、また、ソルダーレジスト組成物の層に半田パッド用開口等を設ける際の開口性に悪影響を及ぼすことがある。

第五群の本発明の多層プリント配線板を構成するソルダーレジスト層は、上記 F原子含有エポキシ樹脂や無機フィラー以外に、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体等を含んでいてもよい。これらの具体例としては、例えば、ノポラックエポキシ樹脂の（メタ）アタリレート、 2官能性（メタ）アクリル酸エステルモノマー、分子量 5 0 0〜5 0 0 0程度の (メタ）アクリル酸エステルの重合体、ビスフエノール型エポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂、多価アクリル系モノマー等の感光性モノマー等からなるソルダ一レジスト組成物を重合、硬化させたもの等の第一群の本発明の第一の発明の多層プリント配線板で用いるものと同様のもの等が挙げられる。

このようなソルダーレジスト組成物の層を形成する方法としては、上記 P原子含有エポキシ樹脂等を含む未硬化のソルダーレジスト組成物を調製し、これを口ールコータ法等により塗布したり、未硬化のソルダーレジスト組成物からなる樹脂フィルムを作製した後、この樹脂フィルムを熱圧着したりする方法が挙げられる。

また、上記無機フィラーをソルダーレジスト層に含有させる場合、上記ソルダ —レジスト組成物を調製する際に、上記無機フィラーをメチルェチルケトン等の溶媒に分散させた後、添加することが望ましい。

無機フィラーを凝集させることなく、ソルダーレジスト層中に均一に分散させることができるからである。

上記ソルダーレジスト組成物は、リンやリン化合物、無機フィラー以外に、上記ノボラックエポキシ樹脂の（メタ）アタリレート、イミダゾール硬化剤、 2官能性（メタ）アクリル酸エステルモノマー、分子量 5 0 0〜5 0 0 0程度の（メタ）アクリル酸エステルの重合体、ビスフエノール型エポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂、多価アクリル系モノマー等の感光性モノマー、グリコールエーテル系溶剤等を含むペースト状の流動体であることが望ましい。また、その粘度は、

2 5 °Cで 1〜 1 0 P a · sに調整されていることが望ましい。

上記ィミダゾール硬化剤や上記グリコールエーテル系溶剤としては、例えば、第一群の本発明の第二の発明のソルダーレジスト組成物で用いるものと同様のもの等が挙げられる。

このような構成からなるソルダーレジスト層は、上記 P原子含有エポキシ樹脂を含んででいるため難燃性に優れ、該ソルダーレジスト層の形成された多層プリント配線板は、 UL試験規格における UL 94 (高分子材料の難燃性試験）の判定基準をクリアするものであり、そのなかでも、 94 V— 0の判定基準をクリアするものである。

また、第五群の本発明の多層プリント配線板は、 P原子含有エポキシ樹脂を含むソルダーレジスト組成物を用いる以外は、第一群の本発明の多層プリント配線板の製造方法と同様の方法を用いて製造することができる。なお、第五群の本発明の多層プリント配線板の製造において、樹脂絶縁層を形成する際に用いる樹脂は、上記した P原子含有エポキシ樹脂を含んでいることが望ましい。ソルダーレジスト層のみならず、樹脂絶縁層にも P原子含有エポキシ樹脂を含んでいることにより多層プリント配線板の難燃性がより向上する。発明を実施するための最良の形態

以下、第一群〜第五群の本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。

(実施例 1 )

A. 上層の粗化面形成用樹脂組成物の調製

(i) クレゾ一ルノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製、分子量： 250 0) の 25%ァクリル化物を 80重量⁰ /₀の濃度でジエチレンダリコ一ルジメチルエーテル（DMDG) に溶解させた樹脂液 35重量部、感光性モノマー（東亜合成社製、ァロニックス M3 1 5) 3. 1 5重量部、消泡剤（サンノプコ社製 S

び NMP 1. 5重量部をさらに別の容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。

そして、（i) 、（ii)および（iii) で調製した混合組成物を混合することにより上層の粗化面形成用樹脂組成物を得た。

B. 下層の粗化面形成用樹脂組成物の調製

(i) クレゾ一ルノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製、分子量： 250 0) の 25%ァクリル化物を 80重量⁰ /₀の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル（DMDG) に溶解させた樹脂液 35重量部、感光性モノマー（東亜合成社製、ァロニックス M3 1 5) 4重量部、消泡剤（サンノプコ社製 S— 6 5) 0. 5重量部および N—メチルピロリドン（NMP) 3. 6重量部を容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。

(ii)ポリエーテルスルフォン（PES) 1 2重量部、および、エポキシ樹脂粒子（三洋化成社製、ポリマーポール）の平均粒径 0. 5 のもの 1 4. 49重量部を別の容器にとり、攪拌混合した後、さらに NMP 30重量部を添加し、ビ —ズミルで攪拌混合し、別の混合組成物を調製した。

(iii) イミダゾール硬化剤（四国化成社製、 2 E 4MZ— CN) 2重量部、光重合開始剤（チバ 'スぺシャリティ ·ケミカルズ社製、ィルガキュア一 I— 907) 2重量部、光増感剤（日本化薬社製、 DETX— S) 0. 2重量部および NMP 1. 5重量部をさらに別の容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。

そして、（i) 、（ii)および（iii) で調製した混合組成物を混合することにより下層の粗化面形成用樹脂組成物を得た。

C. 樹脂充填材の調製

(i) ビスフエノール F型エポキシモノマー（油化シェル社製、分子量： 3 1 0、 YL 983U) 1 00重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径が 1. 6 μπιで、最大粒子の直径が 1 5 μπι以下の S i 0₂ 球状粒子（アドマテックス社製、 CR S 1 1 0 1 -CE) 1 70重量部およぴレべリング剤（サンノプコ社製ペレノール S 4) 1. 5重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が 23 ± 1 °Cで 40〜 50 P a · sの樹脂充填材を調製した。

なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、 2 E 4MZ— C N) 6. 5重量部を用いた。

D. 多層プリント配線板の製造方法

(1) 厚さ 1 mmのガラスエポキシ樹脂または BT (ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板 1の両面に 1 8 mの銅箔 8がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした（図 1 (a) 参照）。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めつき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板 1の両面に下層導体回路 4とスルーホール 9を形成した。

(2) スルーホール 9および下層導体回路 4を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、 Na OH (l O g/ 1 ) 、 N a C 1 O₂ (40 g/ 1 ) 、 N a ₃ P 0₄ (6 g/ 1 ) を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、 Na O H (l O g/ 1 ) 、 N a BH, (6 g/ 1 ) を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、そのスルーホール 9を含む下層導体回路 4の全表面に粗化面 4 a、 9 aを形成した（図 1 (b) 参照）。

(3) 上記 Cに記載した樹脂充填材を調製した後、この樹脂充填材 1 0を、基板の片面にロールコータを用いて塗布することにより、下層導体回路 4間あるいはスル一ホール 9内に充填し、加熱乾燥させた後、他方の面についても同様に樹脂充填材 1 0を導体回路 4間あるいはスルーホール 9内に充填し、加熱乾燥させた（図 1 (c) 参照）。

(4) 上記（3) の処理を終えた基板の片面を、 # 600のベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベルトサンダー研磨により、導体回路外縁部に形成された樹脂充填材 10の層や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材 10の層の上部を研磨し、ついで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。なお、必要に応じて、研摩の前後にエッチングを行い、スルーホール 9のランド 9 aおよび下層導体回路 4に形成された粗化面 4 aを平坦化してもよい。この後、 100°Cで 1時間、 1 5 で 1時間の加熱処理を行い、樹脂充填材の層を完全に硬化させた。このようにして、スルーホール 9や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材 10の表層部および下層導体回路 4の表面を平坦化し、樹脂充填材 1 0と下層導体回路 4の側面 4 aとが粗化面を介して強固に密着し、またスルーホール 9の内壁面 9 aと樹脂充填材 1 0とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た (図 1 (d) 参照）。

(5) 次に、上記工程により導体回路を形成した絶縁性基板を、アルカリ脱脂してソフトエッチングし、次いで、塩化パラジウムと有機酸とからなる触媒溶液で処理して、 P d触媒を付与し、この触媒を活性化した。

次に、硫酸銅（3. 9 X 1 0-²mo 1 Z 1 ) 、硫酸ニッケル（3. 8 X 1 0一³ m o 1 1 ) 、タエン酸ナトリウム（7. 8 X 1 0 ^_3m o 1 / 1 ) 、次亜リン酸ナトリウム（2. 3 X 1 0—】 mo 1 / 1 ) 、界面活性剤（日信化学工業社製、サーフイノ一ル 465) (1. 0 gZ 1 ) を含む水溶液からなる pH= 9の無電解銅めつき浴に基板を浸漬し、浸漬 1分後に、 4秒あたりに 1回の割合で縦および横方向に振動させて、下層導体回路おょぴスルーホールのランドの表面に、 C u— N i— Pからなる針状合金の粗化層 1 1を設けた（図 2 (a) 参照）。

(6) さらに、ホウフッ化スズ（0. l mo 1ノ 1 ) 、チォ尿素（1. Omo 1 / 1 ) を含む温度 3 5° (：、 pH= 1. 2のスズ置換めつき液を用い、浸漬時間 10分で Cu— S n置換反応させ、粗化層の表面に厚さ 0. 3 // 111の3₁1層を設けた。ただし、この S n層については、図示しない。

(7) 基板の両面に、上記 Bにおいて記載した下層用の粗化面形成用樹脂組成物（粘度： 1. 5 P a · s) を調製後 24時間以内に口一ルコータを用いて塗布し、水平状態で 20分間放置してから、 60°Cで 30分の乾燥を行った。次いで、上記 Aにおいて記載した上層用の粗化面形成用樹脂組成物（粘度： 7 P a · s) を調製後 24時間以内に口一ルコータを用いて塗布し、同様に水平状態で 20分間放置してから、 60°Cで 30分の乾燥を行い、厚さ 3 5 //mの粗化面形成用樹脂組成物の層 2 a、 2 bを形成した（図 2 (b) 参照）。

(8) 上記（7) で粗化面形成用樹脂組成物の層を形成した基板の両面に、直径 85；/mの黒円が印刷されたフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯により 500mjZcm² 強度で露光した後、 DMD G溶液でスプレー現像した。この後、さらに、この基板を超高圧水銀灯により 300 OmjZ cm² 強度で露光し、 1 00°Cで 1時間、 1 20°Cで 1時間、 1 50 °Cで 3時間の加熱処理を施し、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた直径 85 μΐηのバイァホール用開口 6を有する厚さ 35 /zmの層間樹脂絶縁層 2を形成した（図 2 (c) 参照）。なお、バイァホールとなる開口には、スズめっき層を部分的に露出させた。

(9) バイァホール用開口 6を形成した基板を、クロム酸水溶液（ 7 500 g / 1 ) に 1 9分間浸潰し、層間樹脂絶縁層の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去してその表面を粗化し、粗化面を得た。その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした（図 2 (d) 参照）。

さらに、粗面化処理した該基板の表面に、パラジウム触媒（アトテック社製）を付与することにより、層間絶縁材層の表面およびパイァホール用開口の内壁面に触媒核を付着させた。

(10)次に、以下の組成の無電解銅めつき水溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ 0. 6〜 1. 2 μ mの無電解銅めつき膜 1 2を形成した（図 3 (a) 参照）。

〔無電解めつき水溶液〕

ED TA 0 08 m o 1 / 1

硫酸銅 0 03 m o 1 / 1

HCHO 0 0 5 m o 1 / 1

N a OH 0 0 5 m o 1 / 1

α a ビピリジル 80 m g Z丄

P E G 0 1 0 g/ 1

(ポリエチレングリコ一ノレ）

〔無電解めつき条件〕

6 5 °Cの液温度で 20分

(11)市販の感光性ドライフィルムを無電解銅めつき膜 1 2に張り付け、マスクを載置して、 1 0 Om jZcm² で露光し、 0. 8 %炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ 1 5 /zmのめつきレジスト 3を設けた（図 3 (b) 参照）。

(12)ついで、レジスト非形成部に以下の条件で電気銅めつきを施し、厚さ 1 5 / mの電気銅めつき膜 1 3を形成した（図 3 (c) 参照）。

〔電気めつき水溶液〕

硫酸 2. 24 m o 1 / 1

硫酸銅 0. 26 m o 1 / 1

添加剤 1 9. 5 m 1 / 1

(アトテックジャパン社製、カパラシド HL)

〔電気めつき条件〕

電流密度 1 A/dm²

時間 6 5 分

温度 22 ± 2 °C

(13)さらにめつきレジストを 5 %KOH水溶液で剥離除去した後、そのめつきレジスト下の無電解めつき膜を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、独立の上層導体回路 5 (バイァホール 7を含む）とした（図 3 (d) 参照）。

(14)導体回路を形成した基板に対し、上記（5) と同様の処理を行い、導体回路の表面に厚さ 2 111のじ11ー1^ i一 Pからなる合金粗化層 1 1を形成した（図 4 (a) 参照）。

(15)続いて、上記（6)〜（14)の工程を、繰り返すことにより、さらに上層の導体回路を形成した。（図 4 (b) 〜図 5 (b) 参照）。

(16)次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（DMDG) に 60重量⁰ /₀ の濃度になるように溶解させた、クレゾ一ルノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基 50%をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量： 4000) 46. 6 7重量部、メチルェチルケトンに溶解させた 80重量％のビスフエノール A型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：ェピコート 1 0 0 1) 1 5重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名： 2 E 4MZ— CN) 1. 6重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名 .： R 604) 3重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名： DPE 6A) 1. 5重量部、無機フイラ一として、最も長い部分の平均粒径が 1. 0 /xmの楕円球状のアルミナ粒子 1 2. 0重量部、分散系消泡剤 (サンノプコ社製、商品名： S— 65) 0. 7 1重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対して光重合開始剤としてべンゾフエノン（関東化学社製） 2. 0重量部、光增感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製） 0. 2重量部を加えて、粘度を 25 :で 2. O P a ' sに調整したソルダーレジスト組成物を得た。

なお、粘度測定は、 B型粘度計（東京計器社製、 DVL— B型）で 60 r pm の場合はローター No. 4、 6 r p mの場合はローター N o . 3によった。

(17)¾feに、多層配線基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を 2 0；/ mの厚さで塗布し、 70 °Cで 20分間、 70でで 30分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ 5mmのフォトマスクをソルダーレジスト層に密着させて 100 Om J/cm² の紫外線で露光し、 D MTG溶液で現像処理し、 200 μ mの直径の開口を形成した。

そして、さらに、 8 0でで1時間、 1 0 0°じで1時間、 1 2 0°。で1時間、 1 50°Cで 3時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、半田パッド部分が開口した、その厚さが 20 μ mのソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層） 1 4を形成した。

(18)次に、ソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層） 1 4を形成した基板を、塩ィ匕ニッケル（ 2. 3 X 1 O-'m o 1 / 1 ) , 次亜リン酸ナトリウム（2. 8 X 1

0-^]m o 1 / 1 ) 、タエン酸ナトリウム（1. e x i CT!mo l Z l ) を含む p H=4. 5の無電解ニッケルめっき液に 20分間浸漬して、開口部に厚さ 5 Aim のニッケルめっき層 1 5を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム ( 7. 6 X 1 CT³m o 1ゾ 1 ) 、塩化アンモニゥム（ 1. 9 X 1 0— o 1 Z 1 ) 、クェン酸ナトリウム（1. 2 X 1 0— 'mo 1 / 1 ) 、次亜リン酸ナトリウム（1. 7 X 1 0— imo 1 1 ) を含む無電解めつき液に 8 0°Cの条件で 7. 5 分間浸漬して、ニッケルめっき層 1 5上に、厚さ 0. 03 mの金めつき層 1 6 を形成した。

(19)この後、ソルダーレジスト層 1 4の開口に半田ペーストを印刷して、 2 0 0°Cでリフローすることにより半田バンプ 1 7を形成し、半田バンプ 1 7を有する多層プリント配線板を製造した（図 5 (c) 参照）。

(実施例 2)

A. 上層および下層の粗化面形成用樹脂組成物、ならびに、樹脂充填材の調製は、実施例 1と同様にして行った。

B. 多層プリント配線板の製造方法

(1) 厚さ 1. 0 mmのガラスエポキシ樹脂または B T (ビスマレイミドトリァジン）樹脂からなる基板 1の両面に 1 8 mの銅箔 8がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした（図 6 (a) 参照）。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めつき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板 1の両面に下層導体回路 4とスルーホール 9を形成した。

(2) スルーホール 9および下層導体回路 4を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、 Na OH ( 1 0 g/ 1 ) 、 N a C 1 0₂ (40 g/ 1 ) 、 N a ₃ P 0₄

(6 g/ 1 ) を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、 Na O H (l O g/ 1 ) 、 N a BH₄ (6 g/ 1 ) を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、そのスルーホール 9を含む下層導体回路 4の全表面に粗化面 4 a、 9 aを形成した（図 6 (b) 参照）。

(3) 上記した樹脂充填材を調製した後、下記の方法により調製後 24時間以内に、スルーホール 9内、および、基板 1の片面の導体回路非形成部と導体回路 4の外縁部とに樹脂充填材 1 0の層を形成した。

即ち、まず、スキージを用いてスルーホール内に樹脂充填材を押し込んだ後、 100°C、 20分の条件で乾燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分が開口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて凹部となっている導体回路非形成部に樹脂充填材 1 0の層を形成し、 1 00°C、 20分の条件で乾燥させた（図 6 (c) 参照）。

(4) 上記（3) の処理を終えた基板の片面を、 # 6 00のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により、内層銅パターン 4の表面ゃスル一ホール 9のランド表面に樹脂充填材 1 0が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。

次いで、 100でで 1時間、 1 20でで 3時間、 1 50でで 1時間、 1 80 °C で 7時間の加熱処理を行って樹脂充填材 1 0を硬化した。

このようにして、スルーホール 9や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材 10の表層部および下層導体回路 4の表面を平坦化し、樹脂充填材 10と下層導体回路 4の側面 4 aとが粗化面を介して強固に密着し、またスルーホール 9の内壁面 9 aと樹脂充填材 1 0とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た (図 6 (d) 参照）。

(5) 上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エツチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路 4の表面とスルーホール 9のランド表面と内壁とをエツチングすることにより、下層導体回路 4の全表面に粗化面 4 a、 9 aを形成した（図 7 (a) 参照）。エッチング液として、イミダゾール銅（Π) 錯体 1 0重量部、グリコール酸 7重量部、塩化カリウム 5重量部からなるエッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を使用した。

(6) 基板の両面に、下層用の粗化面形成用樹脂組成物（粘度： 1. 5 P a · s) を調製後 24時間以内にロールコータを用いて塗布し、水平状態で 20分間放置してから、 60°Cで 30分の乾燥を行った。次いで、上層用の粗化面形成用樹脂組成物（粘度： 7 P a · s) を調製後 24時間以内にロールコータを用いて塗布し、同様に水平状態で 20分間放置してから、 60でで 30分の乾燥を行い、厚さ 35 mの粗化面形成用樹脂組成物の層 2 a、 2 bを形成した（図 7 (b) 参照）。

(7) 上記（6)で粗化面形成用樹脂組成物の層 2 a、 2 bを形成した基板 1の両面に、遮光ィンクによって直径 85 μ mの黒円が描画されたフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯により 300 Om J/cm² 強度で露光した。この後、 100°Cで 1時間、 1 20°Cで 1時間、 1 50 °Cで 3時間の加熱処理を施し、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた直径 85 /zmのバイァホール用開口 6を有する厚さ 3 5 μ mの層間樹脂絶縁層 2を形成した（図 7 (c) 参照）。なお、バイァホールとなる開口には、スズめっき層を部分的に露出させた。

(8) バイァホール用開口 6を形成した基板を、クロム酸を含む溶液に 1 9分間浸漬し、層間樹脂絶縁層 2の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、層間樹脂絶縁層 2の表面を粗面（深さ 6 μιη) とし、その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした（図 7 (d) 参照）。

さらに、粗面化処理した該基板の表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与することにより、層間樹脂絶縁層 2の表面おょぴバイァホール用開口 6の内壁面に触媒核を付着させた。

(9) 次に、以下の組成の無電解銅めつき水溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ 0. 6〜1. 2 mの無電解銅めつき膜 1 2を形成した（図 8 (a) 参照）。

〔無電解めつき水溶液〕

N i S 0₄ 0 0 0 3 m o 1 / 1

酒石酸 0 2 0 0 m o 1ハ

硫酸銅 0 3 0 m o 1 / 1

HCHO 0 5 0 m o 1 / 1

N a OH 1 0 0 m o 1 / 1

ο;、 -ビピリジル 4 0 m g / 1

ポリエチレングリコール（P EG) 0. 0 g

〔無電解めつき条件〕

3 5 °Cの液温で 4 0分

(10)市販の感光性ドライフィルムを無電解銅めつき膜 1 2に熱圧着することにより張り付け、マスクを載置して、 l O OmjZc m² で露光した後、 0. 8% 炭酸ナトリゥムで現像処理し、厚さ 1 5 /zmのめつきレジスト 3を設けた（図 8

(b) 参照）。

(11)ついで、以下の条件で電解銅めつきを施し、厚さ 1 5 μ πιの電解銅めつき膜 1 3を形成した（図 8 ( c ) 参照）。

〔電解めつき水溶液〕

硫酸 2. 2 4 m o 1 / 1

硫酸銅 0. 2 6 m o 1ノ 1

添加剤 1 9. 5 m 1 / 1 (アトテックジャパン社製、カパラシド HL)

〔電解めつき条件〕

電流密度 1 AZdm²

時間 6 5 分

温度 22 ± 2 X：

(12)めっきレジスト 3を 5%KOHで剥離除去した後、そのめつきレジスト 3 下の無電解めつき膜 1 2を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解銅めつき膜 1 2と電解銅めつき膜 1 3からなる独立した導体回路 (パイァホール 7を含む） 5を形成した（図 8 (d) 参照）。

(13)上記（5)〜（12)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層と導体回路とを形成し、多層配線板を得た。但し、表層の粗化面には、 S n置換などにより被覆層は形成しなかった（図 9 (a) 〜図 1 0 (b) 参照）。

(14)次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（DMDG) に 60重量⁰ /₀ の濃度になるように溶解させた、クレゾ一ルノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基 5 0%をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量： 4000) 46. 67重量部、メチルェチルケトンに溶解させた 80重量％のビスフエノール A型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：ェピコ一ト 1 0 0 1) 1 5. 0重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名： 2 E4M Z-CN) 1. 6重量部、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬社製 R 604) 3重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄社化学社製 DPE 6A) 1. 5重量部、無機フイラ一として、球状シリカで平均粒径 1. 0 /zmのもの 10重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、 S— 65) 0. 7 1重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対して光重合開始剤としてべンゾフエノン（関東化学社製） 2. 0重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製） 0. 2重量部を加えることにより、粘度を 2 5 °Cで 2. 0 P a · sに調整したソルダーレジスト組成物を得た。

(15)次に、多層配線基板の両面に、上記ソルダ一レジスト組成物を 20 μπιの厚さで塗布し、 7 0°Cで 2 0分間、 7 0°Cで 3 0分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ 5 mmのフォトマスクフィルムをソルダーレジスト層に密着させ、 l O O O m jZ c m² の紫外線で露光し、 DMTG溶液で現像処理し、 2 0 0 mの直径の開口を形成した。

そして、さらに、 8 0でで 1時間、 1 0 0でで 1時間、 1 2 0 °Cで 1時間、 1 5 0°Cで 3時間の条件で加熱処理してソルダ一レジスト層を硬化させ、開口を有し、その厚さが 20 n mのソルダーレジスト層 1 4を形成した。

(16)その後、過硫酸ナトリゥムを主成分とするエッチング液を毎分 2 μ ιη程度のエッチング速度になるように濃度を調整した後、このエッチング液に上記工程を経た基板を 1分間浸漬し、表面の平均粗度（R a ) を 1 /i mとした。

(17)次に、上記粗化処理を行った基板を、塩化ニッケル（2. 3 X 1 0 m o \ / \ ) 、次亜リン酸ナトリウム（2. 8 X 1 0 ¹ m o l Z l ) 、クェン酸ナトリウム（1. 6 X 1 0—〗 m o 1 / 1 ) を含む p H= 4. 5の無電解ニッケルめっき液に 2 0分間浸漬して、開口部に厚さ 5 /ζ ιηのニッケルめっき層 1 5を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム（7. 6 X 1 0 "³ m o 1 / 1 ) 、塩化アンモニゥム（1. 9 X 1 0 m o 1 / 1 ) , クェン酸ナトリウム ( 1 . 2 X 1 0 m o 1 / 1 ) 、次亜リン酸ナトリウム（ 1. 7 X 1 0 m o 1 / 1 ) を含む無電解めつき液に 8 0°Cの条件で 7. 5分間浸漬して、ニッケルめっき層 1 5上に、厚さ 0. 0 3 μ ιηの金めつき層 1 6を形成した。

(18)この後、ソルダーレジスト層 1 4の開口部に半田ペーストを印刷して、 2 0 0°Cでリフローすることにより半田バンプ 1 7を形成し、半田 1 7を有する多層配線プリント基板を製造した（図 1 0 ( c ) 参照）。

(実施例 3 )

(16)のソルダーレジスト組成物を調製する工程において、さらに、エラストマ —として、末端エポキシ化ポリブタジエン 7重量部を添加したほかは、実施例 1 と同様にして、多層プリント配線板を製造した。

(実施例 4 )

(14)のソルダーレジスト組成物を調製する工程において、さらに、エラストマ —として、末端エポキシ化ポリブタジエン 7重量部を添加したほかは、実施例 2 と同様にして、多層プリント配線板を製造した。

(比較例 1 )

ソルダーレジスト組成物の調製において、無機フイラ一を添加しなかった以外は、実施例 1 と同様にして、多層プリント配線板を得た。

(比較例 2 )

ソルダーレジスト組成物の調製において、無機フィラーを添加しなかった以外は、実施例 2と同様にして、多層プリント配線板を得た。

以上、上記実施例 1〜 4および比較例 1〜 2で得られた多層プリント配線板について、信頼性試験を行った後、半田バンプ部分を顕微鏡で観察した。なお、信頼性試験は、多層プリント配線板を相対湿度 8 5 %、温度 1 3 0 °Cの雰囲気下に 3 00時間放置する条件で行った。

また、上記試験後の多層プリント配線板をカッターで切断し、ソルダーレジスト層の部分を顕微鏡で観察した。

また、多層プリント配線板について、ヒートサイクル試験を行った後、これら多層プリント配線板をカッターで切断し、ソルダーレジスト層にクラック等が発生していないかを観察した。なお、ヒートサイクル試験は、多層プリント配線板を、 — 6 5 °Cの雰囲気下に 3分維持した後、 1 3 0 °Cの雰囲気下で 3分維持するサイクルを 2 0 0 0回繰り返すことにより行った。

その結果、実施例 1〜4で得られた多層プリント配線板では、クラックや剥離の発生は見られず、半田バンプの損傷や破壊も見られなかったが、比較例 1〜2 で得られた多層プリント配線板では、信頼性試験後にソルダーレジスト層にクラックが発生していることがわかった。また、半田バンプの損傷も見られた。また、ヒートサイクル試験に関し、実施例 1〜4で得られた多層プリント配線板ではクラック等が観察されなかったが、比較例 1〜 2で得られた多層プリント配線板では、クラックが観察された。

(実施例 5 )

下記の方法を用いてソルダーレジスト組成物を調製した以外は実施例 1 と同様にして多層プリント配線板を製造した。

ソルダーレジスト組成物の調製 (i) クレゾ一ルノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基 5 0%をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量： 4000) を、 60重量⁰ の濃度になるようにジエチレングリコールジメチルェ一テル（DMDG) に溶解させた樹脂液 46. 6 7重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名 ·· R604) 3重量部、末端エポキシ化ポリブタジェン 7重量部および分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名： S— 65) 0. 7 1重量部を容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。

(ii)ビスフエノール A型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：ェピコート 1 00 1) を 80重量％の濃度となるようにメチルェチルケトンに溶解させた榭脂液 1 5重量部、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名： DPE 6A) 1. 5重量部を別の容器にとり、携拌混合することにより混合組成物を調製した。

(iii) イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名： 2 E 4MZ— CN) 1. 6重量部、光重合開始剤であるべンゾフエノン（関東化学社製） 2. 0重量部、光増感剤であるミヒラ一ケトン（関東化学社製） 0. 2重量部をさらに別の容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。

そして、（i) 、（ii)および（iii) で調製した混合組成物を混合することにより、粘度が 25。Cで 2. 0 P a · sのソルダ一レジスト組成物を得た。

(実施例 6 )

実施例 5と同様にして調製したソルダーレジスト組成物を用いた以外は、実施例 2と同様にして多層プリント配線板を製造した。

(実施例 7 )

下記の方法を用いてソルダーレジスト組成物を調製した以外は実施例 5と同様にして多層プリント配線板を製造した。

(i) クレゾ一ルノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基 5 0%をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量： 4000) を、 60重量⁰ /₀の濃度になるようにジエチレングリコールジメチルエーテル（DMDG) に溶解させた樹脂液 46. 67重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名： R 604) 3重量部、平均粒径が 0. の球状シリカ 13. 5重量部、末端エポキシ化ポリブタジエン 7重量部および分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名： S— 65) 0. 71重量部を容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。

(ii)ビスフエノール A型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：ェピコート 1001) を 80重量％の濃度となるようにメチルェチルケトンに溶解させた樹脂液 15重量部、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名： DPE 6A) 1. 5重量部を別の容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。

(iii) イミダゾ一ル硬化剤（四国化成社製、商品名： 2 E 4MZ— CN) 1. 6重量部、光重合開始剤であるべンゾフエノン（関東化学社製） 2. 0重量部、光増感剤であるミヒラーケトン（関東化学社製） 0. 2重量部をさらに別の容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。

そして、（i) 、（ii)および（iii) で調製した混合組成物を混合することにより、粘度が 25 °Cで 2. 0 P a · sのソルダーレジスト組成物を得た。

(実施例 8 )

実施例 7と同様にして、ソルダ一レジスト組成物を調製した以外は、実施例 6 と同様にして多層プリント配線板を製造した。

(比較例 3 )

ソルダーレジスト組成物の調製において、末端エポキシ化ポリブタジエンを添加しなかった以外は、実施例 5と同様にして、多層プリント配線板を得た。

(比較例 4 )

ソルダーレジスト組成物の調製において、末端エポキシ化ポリブタジエンを添加しなかった以外は、実施例 6と同様にして、多層プリント配線板を得た。以上、上記実施例 5〜8および比較例 3〜4で得られた多層プリント配線板について、実施例 1と同様の信頼性試験を行った後、半田バンプ部分を顕微鏡で観察した。

また、上記信頼性試験後の多層プリント配線板をカッターで切断し、ソルダ一レジスト層の部分を顕微鏡で観察した。

また、実施例 1 と同様のヒートサイクル試験を行い、その後、これら多層プリント配線板を力ッターで切断し、ソルダーレジスト層にクラック等が発生していないかを観察した。

'その結果、実施例 5〜 6で得られた多層プリント配線板では、若干のクラックの発生が見られたものの、多層プリント配線板の性能に影響を与えるほどのものはなく、また、剥離の発生や半田バンプの損傷や破壊は見られなかった。また、実施例 7〜 8で得られた多層プリント配線板では、クラックの発生は全く見られず、剥離の発生や半田バンプの損傷や破壊も見られなかった。一方、比較例 3〜 4で得られた多層プリント配線板では、信頼性試験後にソルダーレジスト層に大きく成長したクラックが発生しており、また、半田バンプの損傷も見られた。また、ヒートサイクル試験に関し、実施例 1〜2では、若干のクラックの発生が見られたものの、多層プリント配線板の性能に影響を与えるほどのものではなく、また、実施例 3〜4では、クラックの発生が全く見られなかったのに対し、比較例 1〜2では、大きく成長したクラックが観察された。

(実施例 9 )

. A . 樹脂充填材の調製

実施例 1 と同様にして樹脂充填材を調製した。

B . 多層プリント配線板の製造

(1) 厚さ 0 . 8 m mのガラスエポキシ樹脂または B T (ビスマレイミドトリァジン）樹脂からなる基板 1の両面に 1 8 μ πιの銅箔 8がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした（図 1 1 ( a ) 参照）。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、続いてめっきレジストを形成した後、この基板に無電解銅めつき処理を施してスルーホール 9を形成し、さらに、銅箔を常法に従いパターン状にェツチングすることにより、基板の両面に内層銅パターン（下層導体回路） 4を形成した。

(2) 下層導体回路 4を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路 4の表面とスルーホール 9 のランド表面と内壁とをエッチングすることにより、下層導体回路 4の全表面に粗化面 4 a、 9 aを形成した（図 1 1 (b) 参照）。エッチング液として、ィミダゾール銅（II) 錯体 1 0重量部、グリコール酸 7重量部、塩化カリウム 5重量部およびイオン交換水 7 8重量部を混合したものを使用した。

(3) 上記した樹脂充填材を調製した後、調製後 2 4時間以内に樹脂充填材 1 0を、基板の両面に印刷機を用いて塗布することにより、下層導体回路 4間またはスルーホール 9内に充填し、加熱乾燥を行った。即ち、この工程により、樹脂充填材 1 0が下層導体回路 4の間あるいはスルーホール 9内に充填される（図 1 1 ( c ) 参照）。

(4) 上記（3) の処理を終えた基板片面を、ベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベルトサンダー研磨により、下層導体回路 4の表面やスルーホール

9のランド表面に樹脂充填材 1 0が残らないように研磨し、ついで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのパフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。そして、充填した樹脂充填材 1 0 を加熱硬化させた（図 1 1 (d) 参照）。

このようにして、スルーホール 9等に充填された樹脂充填材 1 0の表層部および下層導体回路 4上面の粗化層 4 aを除去して基板両面を平滑化し、樹脂充填材

1 0と下層導体回路 4の側面とが粗化面 4 aを介して強固に密着し、またスルーホール 9の内壁面と樹脂充填材 1 0とが粗化面 9 aを介して強固に密着した配線基板を得た。

(5) 次に、上記工程を経た基板の両面に、厚さ 5 0 μ mの熱硬化型シクロォレフイン系樹脂シートを温度 5 0〜 1 5 0°Cまで昇温しながら圧力 0. 5 MP a で真空圧着ラミネ一トし、シクロォレフイン系樹脂からなる層間樹脂絶縁層 2を設けた（図 1 2 (a) 参照）。真空圧着時の真空度は、 l OmmHgであった。

(6) 次に、波長 2 4 8 nmのエキシマレーザにて、熱硬化型シクロォレフィン系樹脂からなる層間樹脂絶縁層 2に直径 8 0 // mのパイァホール用開口 6を設けた（図 1 2 (b) 参照）。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行つた。

(7) 次に、日本真空技術株式会社製の S V— 4 5 4 0を用い、 N iをターグットにしたスパッタリングを、ガス圧 0. 6 P a、温度 80°C、電力 2 0 0W、時間 5分間の条件で行い、 N i金属層 1 2 aを層間樹脂絶縁層 2の表面に形成した（図 1 2 (c) 参照）。このとき、形成された N i金属層 1 2 aの厚さは 0. 1 μ mであつた。

(8) 次に、以下の組成の無電解銅めつき水溶液中に基板を浸漬して、 N i金属層 1 2 aの表面全体に厚さ 0. 6〜： 2 μ mの無電解銅めつき膜 1 2 bを形成した（図 1 2 (d) 参照）。

〔無電解銅めつき水溶液〕

EDTA 0. 0 8 m o 1 / 1

硫酸銅 0. 0 3 m o 1 / 1

HCHO 0. 0 5 m o 1 Z 1

N a OH 0. 0 5 m o 1 / 1

α_Ν a' —ビビリジル 8 0 m g / 1

P EG 0. 1 0 g/ 1

(ポリエチレンダリコール）

〔無電解めつき条件〕

6 5 °Cの液温度で 2 0分

(9) 上記処理を終えた基板の両面に市販の感光性ドライフィルムを無電解銅めつき膜 1 2に熱圧着することにより張り付け、フォトマスクフィルムを載置して、 1 0 0m Jノ c m² で露光した後、 0. 8 %炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ 1 5 μπιのめつきレジスト 3のパターンを形成した（図 1 3 (a) 参照）。

(10)次に、以下の条件で電気めつきを施して、厚さ 1 5 μ mの電気めつき膜 1 3を形成した（図 1 3 (b) 参照）。なお、この電気めつき膜 1 3により、後述する工程で導体回路 5となる部分の厚付けおよびパイァホール 7となる部分のめつき充填等が行われたことになる。なお、電気めつき水溶液中の添加剤は、アトテックジャパン社製のカパラシド H Lである。

〔電気めつき水溶液〕

硫酸 2. 2 4 m o 1 / 1

硫酸銅 0. 2 6 m o 1 / 1

添加剤 1 9. 5 m 1 / 1 〔電気めつき条件〕

電流密度 1 AZdm²

時間 6 5 分

温度 2 2 ± 2 。C

(11)さらに、めっきレジスト 3を 5 %KOHで剥離除去した後、そのめつきレジスト 3下の無電解めつき膜を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処理して溶解除去し、独立の上層導体回路 5 (パイァホール 7を含む）とした（図 1 3 (c) 参照）。

(12)続いて、上記（5) 〜（11)の工程を、繰り返すことにより、さらに上層の導体回路を形成した。（図 1 4 (a) 〜図 1 5 (a) 参照）。

(13)次に、上層導体回路が形成された多層配線基板の両面に厚さ 20 ;umの熱硬化型ポリオレフイン系樹脂シート（住友 3M社製、商品名： 1 592) を温度 50°C〜 150°Cまで昇温しながら圧力 0. 5 MP aで真空圧着ラミネートし、ポリオレフイン系樹脂からなるソルダーレジスト層 14を設けた。真空圧着時の真空度は、 l OmmH gであった。

(14)次に、波長 248 nmのエキシマレーザにて、熱硬化型ポリオレフイン系樹脂からなるソルダーレジスト層 14に直径 200 μπιの開口を形成した。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行い、半田パッド部分が開口した、その厚さが 20 mのソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層） 14を形成した。

(15)次に、ソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層） 14を形成した基板を、塩化二ッケル（ 2. 3 X 1 O^mo 1 / 1 ) 、次亜リン酸ナトリウム（2. 8 X 1 O-'mo 1 / 1 ) 、タエン酸ナトリウム（1. 6 X 1 0— !mo l / l ) を含む p H=4. 5の無電解ニッケルめっき液に 20分間浸漬して、開口部に厚さ 5 m のニッケルめっき層 1 5を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム ( 7. 6 X 1 0— ³m o 1 Z 1 ) 、塩化アンモニゥム（ 1. 9 X 1 0 111 o 1 1 ) 、タエン酸ナトリウム（1. 2 X 1 0— imo l Z l ) 次亜リン酸ナトリウム（1. Z X l O-imo l Z l ) を含む無電解めつき液に 80。Cの条件で 7. 5 分間浸漬して、ニッケルめっき層 1 5上に、厚さ 0. 03 mの金めつき層 1 6 を形成した。 (16)この後、ソルダーレジスト層 1 4の開口に半田ペーストを印刷して、 2 0 0 °Cでリフローすることにより半田バンプ（半田体） 1 7を形成し、半田バンプ 1 7を有する多層プリント配線板を製造した（図 1 5 ( b ) 参照）。

(17)上記方法により製造した多層プリント配線板の他の一部を用い、 I Cチップとの接合を行った。即ち、所定の取り付け装置を用い、フラックス洗浄後、ターゲットマークを基準として、多層プリント配線板の半田バンプと I Cチップに設けられたバンプとの位置合わせを行い、半田をリフローさせることにより多層プリント配線板の半田バンプと I Cチップのバンプとを接合させた。そして、フラックス洗浄を行い、該 I Cチップと多層プリント配線扳との間にアンダーフィルを充填し、これにより I Cチップが接続された多層プリント配線板、即ち、半導体装置を得た。

(実施例 1 0 )

実施例 9の工程（13)において、熱硬化型ポリオレフィン系樹脂シートに代えて、厚さ 2 0 mの熱硬化型シクロォレフィン系樹脂シートを用い、熱硬化型シク口ォレフィン系樹脂からなるソルダーレジスト層を形成した以外は、実施例 9と同様にして多層プリント配線板を製造し、この多層プリント配線板に I Cチップを接続して半導体装置を得た。

(実施例 1 1 )

A . 実施例 1と同様にして、上層および下層の粗化面形成用樹脂組成物、ならびに、樹脂充填材を調製した。

B . 多層プリント配線板の製造方法

(1) 厚さ 0 . 8 m mのガラスエポキシ樹脂または B T (ビスマレイミドトリァジン）樹脂からなる基板 1の両面に 1 8 mの銅箔 8がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした（図 1 6 ( a ) 参照）。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めつき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板 1の両面に下層導体回路 4とスルーホール 9を形成した。

(2) スルーホ一ル 9および下層導体回路 4を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、 N a O H ( 1 0 g / 1 ) 、 N a C 1 0₂ ( 4 0 g / 1 ) 、 N a ₃ P 0₄

( 6 g / 1 ) を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、 N a O H ( 1 0 g/ 1 ) 、 N a BH₄ (6 g/ 1 ) を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、そのスルーホール 9を含む下層導体回路 4の全表面に粗化面 4 a、 9 aを形成した（図 1 6 (b) 参照）。

(3) 上記した樹脂充填材を調製した後、調製後 2 4時間以内に樹脂充填材 1 0を、基板の両面に印刷機を用いて塗布することにより、下層導体回路 4間またはスルーホール 9内に充填し、加熱乾燥を行った。即ち、この工程により、樹脂充填材 1 0が下層導体回路 4の間あるいはスルーホール 9内に充填される（図 1 6 ( c ) 参照）。

(4) 上記（3) の処理を終えた基板の片面を、 # 6 0 0のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により、内層銅パターン 4の表面ゃスル

—ホール 9のランド表面に樹脂充填材 1 0が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような —連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。

次いで、 1 0 0でで 1時間、 1 20°Cで 3時間、 1 5 0°〇で1時間、 1 8 0°C で 7時間の加熱処理を行って樹脂充填材 1 0を硬化した。

このようにして、スルーホール 9や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材 1 0の表層部および下層導体回路 4の表面を平坦化し、樹脂充填材 1 0と下層導体回路 4の側面 4 aとが粗化面を介して強固に密着し、またスルーホール 9の内壁面 9 aと樹脂充填材 1 0とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た (図 1 6 (d) 参照）。

(5) 上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エツチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路 4の表面とスルーホール 9のランド表面と内壁とをエッチングすることにより、下層導体回路 4の全表面に粗化面 4 a、 9 aを形成した（図 1 7 (a) 参照）。エッチング液として、イミダゾール銅（Π) 錯体 1 0重量部、グリコール酸 7重量部、塩化カリゥム 5重量部からなるエッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を使用した。

(6) 基板の両面に、下層用の粗化面形成用樹脂組成物（粘度： 1. 5 P a · s ) を調製後 24時間以内にロールコータを用いて塗布し、水平状態で 2 0分間放置してから、 6 0°Cで 3 0分の乾燥を行った。次いで、上層用の粗化面形成用樹脂組成物（粘度： 7 P a · s ) を調製後 2 4時間以内にロールコータを用いて塗布し、同様に水平状態で 2 0分間放置してから、 6 0°Cで 3 0分の乾燥を行い、厚さ 3 5 // mの粗化面形成用樹脂組成物の層 2 a、 2 bを形成した（図 1 7

( b ) 参照）。

(7) 上記（6) で粗化面形成用樹脂組成物の層 2 a、 2 bを形成した基板 1の両面に、遮光ィンクによって直径 8 5 μ mの黒円が描画されたフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯により 3 0 0 O m jZc m² 強度で露光した。この後、 1 0 0でで1時間、 1 2 0°〇で1時間、 1 5 0°Cで 3時間の加熱処理を施し、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた直径 8 5 のパイァホール用開口 6を有する厚さ 3 5 mの層間樹脂絶縁層 2を形成した（図 1 7

(c) 参照）。なお、パイァホールとなる開口には、スズめっき層を部分的に露出させた。

(8) バイァホール用開口 6を形成した基板を、クロム酸を含む溶液に 1 9分間浸漬し、層間樹脂絶縁層 2の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、層間樹脂絶縁層 2の表面を粗面 (深さ 6 μ τη) とし、その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした（図 1 7 ( d ) 参照）。

(9) 次に、以下の組成の無電解銅めつき水溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ 0. 6〜1. 2 /x mの無電解銅めつき膜 1 2を形成した（図 1 8 (a ) 参照）。

〔無電解めつき水溶液〕

N i S 0, 0. 0 0 3 m o 1 / 1

酒石酸 0 2 0 0 m o 1 / 1

硫酸銅 0. 0 3 0 m o 1 / 1

HCHO 0. 0 5 0 m o 1 / 1

N a OH 0. 1 0 0 m o 1 / 1 a、 a' —ビビリジル 4 0 m g / 1

ポリエチレングリコール（P E G) 0. 1 0 g/ 1

〔無電解めつき条件〕

3 5 °Cの液温で 4 0分

(10)市販の感光性ドライフィルムを無電解銅めつき膜 1 2に熱圧着することにより張り付け、マスクを載置して、 l O O m j Zc m² で露光した後、 0. 8 % 炭酸ナトリゥムで現像処理し、厚さ 1 5 // mのめつきレジスト 3を設けた（図 1 8 (b ) 参照）。

(11)ついで、以下の条件で電解銅めつきを施し、厚さ 1 5 μ mの電解銅めつき膜 1 3を形成した（図 1 8 ( c ) 参照）。

〔電解めつき水溶液〕

硫酸 2. 2 4 m o 1 Z 1

硫酸銅 0. 2 6 m o 1 Z 1

添加剤 1 9. 5 m 1 / 1

(アトテックジャパン社製、カパラシド H L)

〔電解めつき条件〕

電流密度 1 AZ d m²

時間 6 5 分

温度 2 2 ± 2 °C

(12)めっきレジスト 3を 5 %KOHで剥離除去した後、そのめつきレジスト 3 下の無電解めつき膜 1 2を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解銅めつき膜 1 2と電解銅めつき膜 1 3からなる導体回路（バイァホール 7を含む） 5を形成した（図 1 8 ( d) 参照）。

(13)続いて、上記（5) 〜（12)の工程を、繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層と導体回路とを形成し、多層配線板を得た。（図 1 9 ( a ) 〜図

2 0 ( a ) 参照）。

(14)次に、上層導体回路が形成された多層配線板の両面に実施例 2と同様にして、熱硬化型シクロォレフィン系樹脂からなるソルダーレジスト層を形成し、さらに、実施例 9の（14)〜（16)の工程と同様にして多層配線プリント基板を製造し、これを用いて I Cチップが接続された多層プリント配線板（半導体装置）を得た。 (比較例 5 )

(1) 実施例 1 1の（1) 〜（13)の工程と同様にして、多層配線板を得た（図 2 1 (a) 参照）。

(2) 次に、メック社製、メックエッチボンドを用いて、導体回路（バイァホール 7を含む） 5の表面をエッチングすることにより、導体回路（バイァホール 7を含む） 5の表面に粗化面を形成した（図 2 1 (b) 参照）。

(3) 次に、ジエチレングリコールジメチルェ一テル（DMDG) に 6 0重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾ一ルノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基 50%をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量： 4000) 46. 6 7重量部、メチルェチルケトンに溶解させた 80重量％のビスフエノール A型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：ェピコート 1 00 1) 1 5重量部、ィミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名： 2 E 4M Z-CN) 1. 6重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名： R 604) 3重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄社製化学社製、商品名： DPE 6A) 1. 5重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名： S— 65) 0. 7 1重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対して光重合開始剤としてべンゾフエノン（関東化学社製） 2. 0重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製） 0. 2重量部を加えて、粘度を 25 °Cで 2. 0 P a · sに調整したソルダーレジスト組成物（有機樹脂絶縁材料）を得た。

(4) 次に、多層配線基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を 20 μ m の厚さで塗布し、 70°Cで 20分間、 70°Cで 30分間の条件で乾燥処理を行つた後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ 5mmのフォトマスクをソルダーレジスト層に密着させて 1 000m j/cm² の紫外線で露光し、 DMTG溶液で現像処理し、 200 μπιの直径の開口を形成した。

そして、さらに、 80 で1時間、 100でで1時間、 1 20でで1時間、 1 50°Cで 3時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、半田パッド部分が開口した、その厚さが 20 mのソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層） 14を形成した。

(5) 次に、ソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層） 1 4を形成した基板を、塩化二ッケル（ 2. 3 X 1 Ο^_1πιο 1 / 1 ) _Ν 次亜リン酸ナトリウム（ 2. 8 X

1 0— !mo 1ノ 1 ) 、タエン酸ナトリウム（1. 6 X 1 0— im o l Z l ) を含む pH=4. 5の無電解ニッケルめっき液に 20分間浸漬して、開口部に厚さ 5 μ _mのニッケルめっき層 15を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム ( 7. 6 X 1 0—³m o 1 / 1 ) 、塩化アンモニゥム（1. 9 X 1 0一¹ m o 1ノ 1 ) 、タエン酸ナトリウム（1. 2 X 1 0一¹ m o l Z l ) 、次亜リン酸ナトリウム（1. y x i O^m o l / l ) を含む無電解めつき液に 80°Cの条件で 7. 5 分間浸漬して、ニッケルめっき層 1 5上に、厚さ 0. 0 3 //mの金めつき層 1 6 を形成した。

(6) この後、ソルダーレジスト層 14の開口に半田ペーストを印刷して、 2 0 0°Cでリフローすることにより半田バンプ（半田体） 1 7を形成し、半田パンプ 1 7を有する多層プリント配線板を製造した（図 2 1 (c ) 参照）。

この後、この多層プリント配線板を用いて半導体装置を得た。

実施例 9 1 1および比較例 5で得られた多層プリント配線板について、誘電率および誘電正接を測定し、さらに、製造した半導体装置を用いて信号遅延および信号エラーが発生するか否かを評価した。結果を下記の表 1に示した。

上記表 1の結果より明らかなように、実施例 9 1 1の多層プリント配線板では、多層プリント配線板全体の誘電率および誘電正接が低く、この多層プリント配線板を用いて製造した半導体装置では、信号遅延も信号エラーも発生しなかつたのに対し、比較例 5の多層プリント配線板を用いた半導体装置では、信号遅延および信号エラーが発生した。

(実施例 1 2 )

A . 樹脂充填材の調製

実施例 1と同様にして、樹脂充填材を調整した。

B . 多層プリント配線板の製造

(1) 厚さ 0 . 8 m mのガラスエポキシ樹脂または B T (ビスマレイミドトリァジン）樹脂からなる基板 1の両面に 1 8 / mの銅箔 8がラミネ一トされている銅張積層板を出発材料とした（図 2 2 ( a ) 参照）。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、続いてめっきレジストを形成した後、この基板に無電解銅めつき処理を施してスルーホール 9を形成し、さらに、銅箔を常法に従いパターン状にェツチングすることにより、基板の両面に内層銅パターン（下層導体回路） 4を形成した。

(2) 下層導体回路 4を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路 4の表面とスルーホール 9 のランド表面と内壁とをエッチングすることにより、下層導体回路 4の全表面に粗化面 4 a、 9 aを形成した（図 2 2 ( b ) 参照）。エッチング液として、イミダゾール銅（II) 錯体 1 0重量部、グリコール酸 7重量部、塩化カリウム 5重量部およびィォン交換水 7 8重量部を混合したものを使用した。

(3) 上記した樹脂充填材を調製した後、調製後 2 4時間以内に樹脂充填材 1 0を、基板の両面に印刷機を用いて塗布することにより、下層導体回路 4間またはスルーホール 9内に充填し、加熱乾燥を行った。即ち、この工程により、樹脂充填材 1 0が下層導体回路 4の間あるいはスルーホール 9内に充填される（図 2 2 ( c ) 参照）。

(4) 上記（3) の処理を終えた基板の片面を、ベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベルトサンダー研磨により、下層導体回路 4の表面やスルーホール 9のランド表面に樹脂充填材 1 0が残らないように研磨し、ついで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。そして、充填した樹脂充填材 1 0 を加熱硬化させた（図 22 (d) 参照）。

このようにして、スルーホール 9等に充填された樹脂充填材 1 0の表層部および下層導体回路 4上面の粗化層 4 aを除去して基板両面を平滑化し、樹脂充填材 1 0と下層導体回路 4の側面とが粗化面 4 aを介して強固に密着し、またスルーホール 9の内壁面と樹脂充填材 1 0とが粗化面 9 aを介して強固に密着した配線基板を得た。

(5) 上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エツチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路 4の表面とスルーホール 9のランド表面と内壁とをエッチングすることにより、下層導体回路 4の全表面に粗化面 4 a、 9 aを形成した（図 23 (a) 参照）。エッチング液として、イミダゾール銅（II) 錯体 10重量部、グリコール酸 7重量部、塩化力リゥム 5重量部からなるエッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を使用した。

(6) 次に、上記工程を経た基板の両面に、厚さ 5 の上記化学式（3) において R】が一 CH₂ —であり、 R² がー CH₂ -0-CH₂ —である熱硬化型ポリフエ二レンエーテル樹脂シートを温度 50〜 1 50°Cまで昇温しながら圧力 0. 5 MP aで真空圧着ラミネートし、ポリフエ二レンエーテル樹脂からなる層間樹脂絶縁層 2を設けた（図 23 (b) 参照）。真空圧着時の真空度は、 1 0 mmH gであつ 7こ ₀

(7) 次に、波長 248 nmのエキシマレーザにて、熱硬化型ポリフエ二レンエーテル樹脂からなる層間樹脂絶縁層 2に直径 80 μπιのバイァホール用開口 6 を設けた（図 23 (c) 参照）。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行った。

(8) 次に、日本真空技術株式会社製の S V— 4 540を用い、 N iをターゲットにしたスパッタリングを、ガス圧 0. 6 P a、温度 80°C、電力 200W、時間 5分間の条件で行い、薄膜層（N i金属層） 1 2を層間樹脂絶縁層 2の表面に形成した（図 23 (d) 参照）。このとき、形成された N i金属層の厚さは 0. 1 μΐηであった。

(9) 上記処理を終えた基板の両面に、市販の感光性ドライフィルムを薄膜層 (N i金属層） 1 2に熱圧着することにより張り付け、フォトマスクフィルムを載置して、 1 0 Om jZc m² で露光した後、 0. 8 %炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ 1 5 μ mのめつきレジスト 3のパターンを形成した（図 24 (a ) 参照）。

(10)次に、以下の条件で電気めつきを施して、厚さ 1 5 / mの電気めつき膜 1 3を形成した（図 24 (b) 参照）。なお、この電気めつき膜 1 3により、後述する工程で導体回路 5となる部分の厚付けおよびバイァホール 7となる部分のめつき充填等が行われたことになる。なお、電気めつき水溶液中の添加剤は、アトテックジャパン社製のカパラシド HLである。

〔電気めつき水溶液〕

硫酸 2. 24 m o 1 / 1

硫酸銅 0. 26 m o 1 / 1

添加剤 1 9. 5 m 1 / 1

〔電気めつき条件〕

電流密度 1 A/dm²

時間 6 5 分

温度 22 ± 2 °C

(11)さらに、めっきレジスト 3を 5 ^ο/₀ΚΟΗで剥離除去した後、そのめつきレジスト 3下の無電解めつき膜を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処理して溶解除去し、独立の上層導体回路 5 (パイァホール 7を含む）とした（図 24 (c) 参照）。 '

(12)続いて、上記（5) 〜（11)の工程を、繰り返すことにより、さらに上層の導体回路を形成した。（図 2 5 (a) 〜図 2 6 (b) 参照）。

(13)次に、上層導体回路が形成された多層配線基板の両面に厚さ 20 μ mの上記化学式（3) において R¹ がー CH₂ — CH₂ —であり、 R² がー CH₂ —〇

-CH₂ 一である熱硬化型ポリフエ二レンエーテル樹脂シートを温度 50°C〜 1 50°Cまで昇温しながら圧力 0. 5 MP aで真空圧着ラミネートし、ポリフエ二レンェ一テル樹脂からなるソルダーレジスト層 14を設けた。真空圧着時の真空度は、 l OmmH gであった。 (14)次に、波長 248 nmのエキシマレーザにて、熱硬化型ポリフエ二レンエーテル樹脂からなるソルダーレジスト層 14に直径 200 //mの開口を形成した。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行い、半田パッド部分が開口した、その厚さが 20 zmのソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層） 1 4を形成した。

(15)次に、ソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層） 14を形成した基板を、塩ィ匕ニッケル（2. 3 X 1 0-^]m o 1 / 1 ) 次亜リン酸ナトリウム（2. 8 X 1 Cr】ni o 1 Z 1 ) 、クェン酸ナトリウム（1. δ Χ Ι Ο-'πι ο ΐ Ζ ΐ ) を含む ρ Η-4. 5の無電解ニッケルめっき液に 20分間浸漬して、開口部に厚さ 5 /zm のニッケルめっき層 1 5を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム ( 7. 6 X 1 0— ³m o 1 1 ) 、塩化アンモニゥム（ 1. 9 X 1 0— 'ιηο ΐ / 1 ) 、タエン酸ナトリウム（1. Z X l O—ini o l Z l ) 次亜リン酸ナトリウム（1. 7 X 1 0— 1 1 ) を含む無電解めつき液に 80°Cの条件で 7. 5 分間浸漬して、ニッケルめっき層 1 5上に、厚さ 0. 03 μ mの金めつき層 1 6 を形成した。

(16)この後、ソルダーレジスト層 14の開口に半田ペーストを印刷して、 20 0°Cでリフローすることにより半田バンプ（半田体） 1 7を形成し、半田バンプ 1 7を有する多層プリント配線板を製造した（図 26 (c) 参照）。

(17)上記方法により製造した多層プリント配線板の他の一部を用い、 I Cチップとの接合を行った。即ち、所定の取り付け装置を用い、フラックス洗浄後、タ

—ゲットマークを基準として、多層プリント配線板の半田バンプと I Cチップに設けられたバンプとの位置合わせを行い、半田をリフローさせることにより多層プリント配線板の半田バンプと I Cチップのバンプとを接合させた。そして、フラックス洗浄を行い、該 I Cチップと多層プリント配線板との間にアンダーフィルを充填し、これにより I Cチップが接続された多層プリント配線板（半導体装置）を得た。

(実施例 1 3)

実施例 1 2の工程（6) において、熱硬化型ポリフユ二レンエーテル樹脂に代えて、厚さ 20 // mの熱硬化型シクロォレフィン系樹脂シートを用い、熱硬化型シクロォレフイン系樹脂からなる層間樹脂絶縁層を形成した以外は、実施例 1 2 と同様にして多層プリント配線板を製造し、これを用いて I Cチップが接続された多層プリント配線板（半導体装置）を得た。

(比較例 6 )

A. 上層の粗化面形成用樹脂組成物の調製

(i) クレゾ一ルノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製、分子量： 2 50 0) の 25%ァクリル化物を 80重量％の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル（DMDG) に溶解させた樹脂液 35重量部、感光性モノマー（東亜合成社製、ァロニックス M3 1 5) 3. 1 5重量部、消泡剤（サンノプコ社製 S -65) 0. 5重量部および N—メチルピロリドン（NMP) 3. 6重量部を容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。

(ii)ポリエーテルスルフォン（PES) 1 2重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成社製、ポリマーポール）の平均粒径 1. 0 ιηのもの 7. 2重量部および平均粒径 0. 5 μπιのもの 3. 09重量部を別の容器にとり、攪拌混合した後、さらに ΝΜΡ 30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し、別の混合組成物を調製した。

(iii) イミダゾール硬化剤（四国化成社製、 2 E 4MZ— CN) 2重量部、光重合開始剤（チパ 'スぺシャリティ 'ケミカルズ社製、ィルガキュア一 I— 907) 2重量部、光増感剤（日本化薬社製、 DETX— S) 0. 2重量部および NMP 1. 5重量部をさらに別の容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。

そして、（i) 、（ii)および（iii) で調製した混合組成物を混合することにより粗化面形成用樹脂組成物を得た。

B. 下層の粗化面形成用樹脂組成物の調製

(i) クレゾ一ルノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製、分子量： 250 0) の 25%ァクリル化物を 80重量％の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル（DMDG) に溶解させた樹脂液 35重量部、感光性モノマー（東亜合成社製、ァロニックス M3 1 5) 4重量部、消泡剤（サンノプコ社製 S— 6 5) 0. 5重量部および N—メチルピロリドン（NMP) 3. 6重量部を容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。

(ii)ポリエーテルスルフォン（PES) 12重量部、および、エポキシ樹脂粒子（三洋化成社製、ポリマーポール）の平均粒径 0. 5 μπιのもの 14. 49重量部を別の容器にとり、攪拌混合した後、さらに ΝΜΡ 30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し、別の混合組成物を調製した。

(iii) イミダゾ一ル硬化剤（四国化成社製、 2 E4MZ— CN) 2重量部、光重合開始剤（チバ 'スぺシャリティ ·ケミカルズ社製、ィルガキュア一 I— 907) 2重量部、光増感剤（日本化薬社製、 DETX— S) 0. 2重量部および NMP 1. 5重量部をさらに別の容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。

C. 樹脂充填材の調製

実施例 1と同様にして、樹脂充填材を調製した。

D. 多層プリント配線板の製造

(1) 厚さ 0. 8 mmのガラスエポキシ樹脂または BT (ビスマレイミドトリァジン）樹脂からなる基板 1の両面に 1 8 μ mの銅箔 8がラミネ一トされている銅張積層板を出発材料とした（図 27 (a) 参照）。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めつき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板 1の両面に下層導体回路 4とスルーホール 9を形成した。

(2) スルーホール 9および下層導体回路 4を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、 Na OH (l O gZ l.) 、 N a C 10₂ (40 g/ 1 ) 、 N a ₃ P 0₄

(6 g/ 1 ) を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、 Na O H (10 g/ 1 ) 、 N a BH₄ (6 g/ 1 ) を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、そのスル一ホール 9を含む下層導体回路 4の全表面に粗化面 4 a、 9 aを形成した（図 27 (b) 参照）。

(3) 上記 Cに記載した樹脂充填材を調製した後、この樹脂充填材 10を基板の片面にロールコータを用いて塗布することにより、下層導体回路 4間またはスルーホール 9内に充填し、加熱乾燥させた後、他方の面についても同様に樹脂充填材 1 0を導体回路 4間あるいはスルーホール 9内に充填し、加熱乾燥させた (図 2 7 ( c ) 参照）。

(4) 上記（3) の処理を終えた基板の片面を、 # 6 0 0のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により、内層銅パターン 4の表面ゃスル一ホ一ル 9のランド表面に樹脂充填材 1 0が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのパフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。

次いで、 1 00°〇で1時間、 1 20 で 3時間、 1 5 0^<0で1時間、 1 8 0°C で 7時間の加熱処理を行って樹脂充填材 1 0を硬化した。

このようにして、スルーホール 9や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材 1 0の表層部および下層導体回路 4の表面を平坦化し、樹脂充填材 1 0と下層導体回路 4の側面 4 aとが粗化面を介して強固に密着し、またスルーホール 9の内壁面 9 aと樹脂充填材 1 0とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た (図 2 7 (d) 参照）。

(5) 上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エツチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路 4の表面とスルーホール 9のランド表面と内壁とをエッチングすることにより、下層導体回路 4の全表面に粗化面 4 a、 9 aを形成した（図 2 8 (a) 参照）。エッチング液として、イミダゾール銅（II) 錯体 1 0重量部、グリコール酸 7重量部、塩化カリゥム 5重量部からなるエッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を使用した。

(6) 基板の両面に、下層用の粗化面形成用樹脂組成物（粘度： 1. 5 P a · s ) を調製後 24時間以内にロールコータを用いて塗布し、水平状態で 2 0分間放置してから、 6 0°Cで 3 0分の乾燥を行った。次いで、上層用の粗化面形成用樹脂組成物（粘度： 7 P a · s) を調製後 24時間以内にロールコータを用いて塗布し、同様に水平状態で 2 0分間放置してから、 6 0°Cで 3 0分の乾燥を行い、厚さ 3 5 mの粗化面形成用樹脂組成物の層 2 a、 2 bを形成した（図 2 8 (b) 参照）。

(7) 上記（6) で粗化面形成用樹脂組成物の層 2 a、 2 bを形成した基板 1の両面に、遮光ィンクによって直径 8 5 μ mの黒円が描画されたフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯により 3 0 0 O m j Z c m² 強度で露光した。この後、 1 0 0 で 1時間、 1 2 0でで 1時間、 1 5 0でで 3時間の加熱処理を施し、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた直径 8 5 μ πιのバイァホール用開口 6を有する厚さ 3 5 /i mの層間樹脂絶縁層 2を形成した（図 2 8 (c ) 参照）。なお、バイァホールとなる開口には、スズめっき層を部分的に露出させた。

(8) バイァホール用開口 6を形成した基板を、クロム酸を含む溶液に 1 9分間浸漬し、層間樹脂絶縁層 2の表面に存在するェポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、層間樹脂絶縁層 2の表面を粗面（深さ 6 / m) とし、その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした（図 2 8 ( d ) 参照）。

さらに、粗面化処理した該基板の表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与することにより、層間樹脂絶縁層 2の表面およびバイァホール用開口 6の内壁面に触媒核を付着させた。

(9) 次に、以下の組成の無電解銅めつき水溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ 0. 6〜1. 2 / mの薄膜層（無電解銅めつき膜） 1 2を形成した（図 2 9 ( a ) 参照）。

〔無電解めつき水溶液〕

N i S 0₄ 0. 0 0 3 m o 1 / 1

酒石酸 0. 2 0 0 m o 1 / 1

硫酸銅 0. 0 3 0 m o 1 / 1

HCHO 0. 0 5 0 m o 1 / 1

N a OH 0. 1 0 0 ra o 1 / 1

a' —ビビリジル 4 0 m g / 1

ポリエチレングリコール（P E G) 0. 1 0 g 1

〔無電解めつき条件〕

3 5 °Cの液温で 4 0分

(10)市販の感光性ドライフィルムを薄膜層（無電解銅めつき膜） 1 2に熱圧着することにより張り付け、マスクを載置して、 1 0 0 m j Z c m² で露光した後、 0. 8%炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ 1 5 μ mのめつき.レジスト 3を設けた（図 2 9 (b) 参照）。

(11)ついで、以下の条件で電解銅めつきを施し、厚さ 1 5 /imの電解銅めつき膜 1 3を形成した（図 29 (c) 参照）。

〔電解めつき水溶液〕

硫酸 2. 24 m o 1ノ 1

硫酸銅 0. 26 m o 1 / 1

添加剤 1 9. 5 m 1 / 1

(アトテックジャパン社製、カバラシド HL)

〔電解めつき条件〕

電流密度 A/ d m 2 時間 6 5 分

温度 2 2 ± 2 °C

(12)めっきレジスト 3を 5 %KOHで剥離除去した後、そのめつきレジスト 3 下の無電解めつき膜を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、薄膜層（無電解銅めつき膜） 1 2と電解銅めつき膜 1 3からなる厚さ 1 8 mの導体回路（バイァホール 7を含む） 5を形成した（図 2 9 (d) 参照）。

(13)続いて、上記（5) 〜（12〉の工程を、繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層と導体回路とを形成し、多層配線板を得た。（図 30 (a) 〜図 3 1 (a) 参照）。

(14)次に、上記した工程（5) で用いたエッチング液と同様のエッチング液を用いて、導体回路（バイァホール 7を含む） 5の表面をエッチングすることにより、導体回路（バイァホール 7を含む） 5の表面に粗化面を形成した（図 3 1

(b) 参照）。

(15)次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（DMDG) に 60重量⁰ /₀ の濃度になるように溶解させた、クレゾ一ルノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基 50%をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量： 4000) 46. 6 7重量部、メチルェチルケトンに溶解させた 80重量％のビスフエノール A型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：ェピコート 1 0 0 1) 1 5重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名： 2 E4MZ— CN) 1. 6重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名： R 604) 3重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄社製化学社製、商品名： DPE 6A) 1. 5重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名： S— 65) 0. 7 1重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対して光重合開始剤としてべンゾフエノン（関東化学社製） 2. 0重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製） 0. 2 重量部を加えて、粘度を 25 °Cで 2. 0 P a · sに調整したソルダ一レジスト組成物（有機樹脂絶縁材料）を得た。

(16)次に、多層配線基板の两面に、上記ソルダーレジスト組成物を 20 /imの厚さで塗布し、 70°Cで 20分間、 70°Cで 30分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ 5 mmのフォトマスクをソルダーレジスト層に密着させて 1000m JZC m² の紫外線で露光し、 D MTG溶液で現像処理し、 200 /xmの直径の開口を形成した。

そして、さらに、 80でで 1時間、 100°。で1時間、 1 20°(：で1時間、 1 50 で 3時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、半田パッド部分が開口した、その厚さが 20 μπιのソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層） 14を形成した。

(17)次に、ソルダ一レジスト層（有機樹脂絶縁層） 14を形成した基板を、塩ィ匕ニッケル（ 2. 3 X 1 0^_1m ο 1 / 1 ) 、次亜リン酸ナトリウム（2. 8 X 1 0^_1m o 1 / 1 ) 、クェン酸ナトリウム（1. 6 X l (T〗mo l Z l ) を含む p H=4. 5の無電解ニッケルめっき液に 20分間浸漬して、開口部に厚さ 5 /xm のニッケルめっき層 1 5を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム ( 7. 6 X 1 0"³m o 1 / 1 ) 、塩化アンモニゥム（ 1. 9 X 1 0—】m o l ^/ 1 ) 、クェン酸ナトリウム（ 1. 2 X 1 0-^]mo 1 1 ) 、次亜リン酸ナトリウム（1. T X l O^mo l Z l ) を含む無電解めつき液に 80°Cの条件で 7. 5 分間浸漬して、ニッケルめっき層 1 5上に、厚さ 0. 03 mの金めつき層 1 6 を形成した。

(18)この後、ソルダーレジスト層 14の開口に半田ペーストを印刷して、 .20 0°Cでリフローすることにより半田バンプ（半田体） 1 7を形成し、半田バンプ 1 7を有する多層プリント配線板を製造した（図 3 1 (c) 参照）。

この後、この多層プリント配線板を用いて I Cチップが接続された多層プリント配線板（半導体装置）を得た。

実施例 1 2〜1 3および比較例 6で得られた多層プリント配線板について、誘電率および誘電正接を測定し、さらに、製造した半導体装置を用いて信号遅延および信号エラーが発生するか否かを評価した。結果を下記の表 2に示した。表 2

上記表 2の結果より明らかなように、実施例 1 2〜1 3の多層プリント配線板では、多層プリント配線板全体の誘電率および誘電正接が低く、この多層プリント配線板を用いて製造した半導体装置では、信号遅延も信号エラーも発生しなかつたのに対し、比較例 6の多層プリント配線板を用いた半導体装置では、信号遅延および信号エラーが発生した。

(実施例 1 4)

A. 上層の粗化面形成用樹脂組成物の調製

(1) クレゾ一ルノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製、分子量： 250 0) の 25%アクリル化物を 80重量％の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル（DMDG.) に溶解させた樹脂液 400重量部、感光性モノマー（東亜合成社製、ァロニックス M325) 60重量部、消泡剤（サンノプコ社製 S— 65) 5重量部および N—メチルピロリドン（NMP) 35重量部を容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。

(2) ポリエーテルスルフォン（PE S) 80重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成社製、ポリマーポール）の平均粒径 1. 0 μ mのもの 72重量部および平均粒径 0. 5 /imのもの 3 1重量部を別の容器にとり、攪拌混合した後、さらに NMP 25 7重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し、別の混合組成物を調製した。

(3) イミダゾール硬化剤（四国化成社製、 2 E 4MZ— CN) 20重量部、光重合開始剤（ベンゾフエノン） 20重量部、光增感剤（チバ ·スペシャルティ ·ケミカルズ社製、 EAB) 4重量部および NMP 1 6重量部をさらに別の容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。

そして、（1) 、 (2) および（3) で調製した混合組成物を混合することにより粗化面形成用樹脂組成物を得た。

B. 下層の粗化面形成用樹脂組成物の調製

(1) クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製、分子量： 2 5 0 0) の 25%ァクリル化物を 80重量％の濃度でジエチレンダリコールジメチルエーテル（DMDG) に溶解させた樹脂液 400重量部、感光性モノマー（東亜合成社製、ァロニックス M 325) 60重量部、消泡剤（サンノプコ社製 S— 65) 5重量部および N—メチルピロリドン（NMP) 35重量部を容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。

(2) ポリエーテルスルフォン（PE S) 80量部、および、エポキシ樹脂粒子（三洋化成社製、ポリマーポール）の平均粒径 0. 5 111のもの145重量部を別の容器にとり、携拌混合した後、さらに NMP 285重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し、別の混合組成物を調製した。

(3) イミダゾ一ル硬化剤（四国化成社製、 2 E 4MZ— CN) 20重量部、光重合開始剤（ベンゾフエノン） 20重量部、光増感剤（チバ ·スペシャルティ ·ケミカルズ社製、 EAB) 4重量部および NMP 1 6重量部をさらに別の容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。

C. 樹脂充填材の調製

(1) ビスフエノール F型エポキシモノマー（油化シェル社製、分子量： 3 1 0、 YL 983U) 1 00重量部、表面にシランカップリング剤がコ一ティングされた平均粒径が 1. 6 / mで、最大粒子の直径が 1 5 μ m以下の S i O₂ 球状粒子（アドテック社製、 CR S 1 1 0 1—CE) 1 70重量部およびレベリング剤（サンノプコ社製ペレノール S 4) 1. 5重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が 23 ± 1。Cで 45〜49 P a · sの樹脂充填材を調製した。

なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、 2 E 4 MZ— C N) 6. 5重量部を用いた。

D. 多層プリント配線板の製造方法

(1) 厚さ 0. 8 mmのガラスエポキシ樹脂または B T (ビスマレイミドトリァジン）樹脂からなる基板 1の両面に 1 8 μπιの銅箔 8がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした（図 6 (a) 参照）。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めつき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板 1の両面に下層導体回路 4とスルーホール 9を形成した。

(2) スルーホール 9および下層導体回路 4を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、 N a OH ( 1 0 g/ 1 ) 、 N a C 1 0₂ (40 gZ l ) 、 N a ₃ P 0₄ (16 g/ 1 ) を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、 Na OH ( 1 9 g/ 1 ) 、 N a BH₄ (5 g/ 1 ) を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、そのスルーホール 9を含む下層導体回路 4の全表面に粗化面 4 a、 9 aを形成した（図 6 (b) 参照）。

(3) 上記 Dに記載した樹脂充填材を調製した後、下記の方法により調製後 2 4時間以内に、スルーホール 9内、および、基板 1の片面の導体回路非形成部と導体回路 4の外縁都とに樹脂充埴材 1 0の層を形成した。理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により、内層銅パターン 4の表面ゃスル一ホール 9のランド表面に樹脂充填材 1 0が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのパフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。

次いで、 100。0で1時間、 1 20 で 3時間、 1 50でで1時間、 1 80 Ό で 7時間の加熱処理を行って樹脂充填材 1 0を硬化した。

このようにして、スルーホール 9や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材 10の表層部および下層導体回路 4の表面を平坦化し、樹脂充填材 1 0と下層導体回路 4の側面 4 aとが粗化面を介して強固に密着し、またスルーホール 9の内壁面 9 aと樹脂充填材 10とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た (図 6 (d) 参照）。この工程により、樹脂充填材 1 0の表面と下層導体回路 4 の表面が同一平面となる。

(5) 上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エツチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路 4の表面とスルーホール 9のランド表面と内壁とをエッチングすることにより、下層導体回路 4の全表面に粗化面 4 a、 9 aを形成した（図 7 (a) 参照）。エッチング液として、ィミダゾール銅 (II) 錯体 1 0重量部、グリコール酸 7重量部、塩化力リウム 5 重量部からなるエッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を使用した。

(6) 基板の両面に、上記 Bの粗化面形成用樹脂組成物（粘度： 1. 5 P a · s ) をロールコータで塗布し、水平状態で 20分間放置してから、 60°Cで 30 分の乾燥を行い、粗化面形成用樹脂層 2 aを形成した。

さらに、この粗化面形成用樹脂層 2 aの上に上記 Aの粗化面形成用樹脂組成物 (粘度： 7 P a · s) をロールコータを用いて塗布し、水平状態で 20分間放置してから、 60°Cで 30分の乾燥を行い、粗化面形成用樹脂層 2 bを形成し、厚さ 3 5 μιηの粗化面形成用樹脂層を形成した（図 7 (b) 参照）。

(7) 上記（6) で粗化面形成用樹脂層を形成した基板 1の両面に、直径 8 5 /i mの黒円が印刷されたフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯により 5 00m J/cm² 強度で露光した後、 DMDG溶液でスプレー現像した。この後、さらに、この基板を超高圧水銀灯により 300 OmjZcm² 強度で露光し、 1 0 0°Cで 1時間、 1 2 0°Cで 1時間、 1 5 0°Cで 3時間の加熱処理を施し、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた直径 8 5 _β mのバイァホール用開口 6を有する厚さ 3 5 μπιの層間樹脂絶縁層 2を形成した（図 7 (c) 参照）。

(8) バイァホール用開口 6を形成した基板を、 8 0 0 gZ 1 のクロム酸を含む 7 0°Cの溶液に 1 9分間浸漬し、層間樹脂絶縁層 2の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、層間樹脂絶縁層 2の表面を粗面（深さ 3 μ m) とした（図 7 (d) 参照）。

(9) 次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。

(10)次に、以下の組成の無電解銅めつき水溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ 0. 8 // mの無電解銅めつき層 1 2を形成した（図 8 (a ) 参照）。

〔無電解めつき水溶液〕

N i S 0₄ 0 0 0 3 m o 1 /

酒石酸 0 2 0 0 mo \ /

硫酸銅 0 0 3 0 mo \ /

HCHO 0 0 5 0 m o 1 /

N a OH 0 1 0 0 m o 1 /

a、 ' 一ビビリジノレ 4 0 m g/ 1

ポリエチレングリコール（P EG) 0. 1 0 g/ 1

〔無電解めつき条件〕

3 5 °Cの液温度で 4 0分

(11)次に、市販の感光性ドライフィルムを無電解銅めつき層 1 2に張り付け、マスクを載置して、 1 00m J/c m² で露光し、 0. 8%炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ 2 5 mのめつきレジスト 3を設けた（図 8

(b) 参照）。

(12)ついで、基板を 5 0°Cの水で洗浄して脱脂し、 2 5°Cの水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解銅めつきを施し、電解銅めつき層 1 3 を形成した（図 8 (c) 参照）。

〔電解めつき水溶液〕

硫酸 2. 24 m o 1 / 1

硫酸銅 0. 26 m o 1 / 1

添加剤 1 9. 5 m 1 Z 1

(アトテックジャパン社製、カパラシド GL)

〔電解めつき条件〕

電流密度 A/ d m 2 時間 65 分

温度 22 ± 2 度

(13)さらに、めっきレジスト 3を 5%KOHで剥離除去した後、そのめつきレジスト 3下の無電解めつき層 1 2を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処理して溶解除去し、独立の導体回路 5 (バイァホール 7を含む）とした（図 8 (d) 参照）。

(14)上記（5)〜（13)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の導体回路を形成し、多層配線板を得た（図 9 (a) 〜図 1 0 (b) 参照）。

(15)次に、 P原子含有エポキシ樹脂を含むソルダーレジスト組成物を以下の方法により調製した。

ジエチレングリコールジメチルエーテル（DMDG) に 60重量％の濃度になるように溶解させた、上記一般式（4) において、 X】および X² が O (酸素）である P原子含有エポキシ樹脂のエポキシ基 50%をァクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量： 4000) 46. 6 7重量部、メチルェチルケトンに溶解させた 80重量％のビスフエノール A型エポキシ樹脂 6. 6 7重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、 2 E4MZ— CN) 1. 6重量部、感光性モノマ一である 2官能アクリルモノマー（日本化薬社製、 R 604) 4. 5重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、 DPE 6A) 1. 5重量部、アタリル酸エステル重合物からなるレべリング剤（共栄化学社製、ポリフロー No. 7

5) 0. 36重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対して光重合開始剤としてべンゾフエノン（関東化学社製） 2. 0重量部、光増感剤としてミヒラーケトン（関東化学社製） 0. 2重量部、 DMDG 0. 6重量部を加えることにより、粘度を 25 °Cで 1. 4±0. 3 P a · sに調整したソルダーレジスト組成物を調製した。

(16)次に、多層配線基板の両面に、上記ソルダ一レジスト組成物を 20 mの厚さで塗布し、 70°Cで 20分間、 70°Cで 20分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ 5mmのフォトマスクをソルダーレジスト組成物の層に密着させて 900m JZC m² の紫外線で露光し、純水現像処理し、直径 1 25 //mの開口を形成した。

そして、さらに、 300 Om j/cm² の条件で UVキュアし、 80°Cで 1時間、 100 °Cで 1時間、 120 °Cで 1時間、 1 50 °Cで 3時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト組成物の層を硬化させ、開口を有し、その厚さが 25 /X mのソルダーレジスト層 14を形成した。

(17)次に、ソルダーレジスト層 14を形成した基板を、塩化ニッケル（30 g /1) 、次亜リン酸ナトリウム（l O gZ l ) 、クェン酸ナトリウム（10 gZ 1 ) を含む pH= 5の無電解ニッケルめっき液に 20分間浸漬して、開口部に厚さ 5 mのニッケルめっき層 15を形成した。さらに、その基板をシアン化金力リウム（2 gZ 1 ) 、塩化アンモニゥム（75 gZ 1 ) 、クェン酸ナトリウム (50 g/1 ) 、次亜リン酸ナトリウム（l O g/1 ) を含む無電解めつき液に 93 °Cの条件で 23秒間浸漬して、ニッケルめっき層 15上に、厚さ 0. 03 μ mの金めつき層 1 6を形成した。

(18)この後、ソルダーレジスト層 14の開口にはんだペーストを印刷して、 2 0 でリフローすることによりはんだバンプ（はんだ体） 1 7を形成し、はんだバンプ 1 7を有する多層プリント配線板を製造した（図 10 (c) 参照）。

(実施例 1 5)

A. 層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製

ビスフエノール A型エポキシ樹脂（エポキシ当量 469、油化シェルエポキシ社製ェピコート 1 00 1) 30重量部、クレゾ一ルノボラック型エポキシ樹脂 (エポキシ当量 2 1 5、大日本インキ化学工業社製ェピクロン N— 6 73) 4 0重量部、トリアジン構造含有フエノールノボラック樹脂（フエノール性水酸基当量 1 20、大日本インキ化学工業社製フエノライト KA— 7052) 30重量部をエチレングリコールアセテート 20重量部、ソルベントナフサ 20重量部に攪拌しながら加熱溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム（ナガセ化成工業社製デナレックス R— 45 EPT) 1 5重量部と 2—フエニル一 4、 5—ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾ一ル粉砕品 1. 5重量部、微粉砕シリカ 2重量部、シリコン系消泡剤 0. 5重量部を添加しエポキシ樹脂組成物を調製した。

得られたエポキシ樹脂組成物を厚さ 38 /zmの PETフィルム上に乾燥後の厚さが 50 //mとなるようにロールコ一ターを用いて塗布した後、 80〜 1 20°C で 1 0分間乾燥させることにより、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製した。

B. 多層プリント配線板の製造方法

(1) 厚さ 1. Ommのガラスエポキシ樹脂または BT (ビスマレイミドトリァジン）樹脂からなる基板 1の両面に 1 8 mの銅箔 8がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした（図 32 (a) 参照）。まず、この銅張積層板をパターン状にエッチングすることにより、基板 1の両面に下層導体回路 4を形成した。

(2) 上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エツチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけ、搬送口ールで基板表面にエツチング液を搬送し、下層導体回路 4の表面をエッチングすることにより、下層導体回路 4の全表面に粗化面 4 aを形成した（図 32 (b) 参照）。エッチング液としては、イミダゾール銅（ I I ) 錯体 1 0重量部、グリコール酸 7重量部、塩化力リウム 5重量部からなるエッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を使用した。

(3) 基板の両面に、 Aで作製した基板より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板上に載置し、圧力 0. 4MP a、' 温度 80°C、圧着時間 1 0秒で仮圧着して裁断した後、さらに、以下の条件で真空ラミネーター装置を用いて張り付けることにより層間樹脂絶縁層 2を形成した（図 3 2 (c) 参照）。即ち、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板上に載置し、真空度 0. 5 T o r r、圧力 0. 4MP a、温度 8 0 、圧着時間 6 0秒で本圧着し、その後、 1 7 0^で 3 0分間熱硬化させた。

(4) 次に、層間樹脂絶縁層 2上に、厚さ 1. 2mmの貫通孔が形成されたマスクを介して、波長 1 0. 4 mの C0₂ ガスレーザにて、ビーム径 4. Omm、トップハットモード、パルス幅 8. 0 //秒、マスクの貫通孔の径 1. Omm、 1 ショットの条件で層間樹脂絶縁層 2に、直径 8 0 mのパイァホール用開口 6を形成した。

さらに、この層間樹脂絶縁層 2の形成された基板をドリル削孔し、貫通孔 1 8 を形成した（図 3 2 (d) 参照）。

(5) バイァホール用開口 6、および、貫通孔 1 8を形成した基板を、 6 0 g / \ の過マンガン酸を含む 8 0°Cの溶液に 1 0分間浸漬し、層間樹脂絶縁層 2の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、層間樹脂絶縁層 2 の表面を粗面とした（図 3 3 (a ) 参照）。

さらに、粗面化処理（粗化深さ 6 z m) した該基板の表面にパラジウム触媒 (アトテック社製）を付与することにより、層間樹脂絶縁層 2および貫通孔 1 8 の表面、並びに、バイァホール用開口の内壁面 6に触媒核を付着させた。

(6) 次に、以下の組成の無電解銅めつき水溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ 0. 6〜 3. 0 /z mの無電解銅めつき膜 1 2 aを形成した（図 3 3

(b) 参照）。

〔無電解めつき水溶液〕

N i S 0₄ 0. 0 0 3 m o 1 /

酒石酸 0. 2 0 0 mo 1 /

硫酸銅 0. 0 3 0 m o I /

HCHO 0. 0 5 0 m o 1 /

N a OH 0. 1 0 0 m o \ /

a、 a' —ビビリジル 4 0 m g /

ポリエチレングリコール（P EG) 0. 1 0 g/ 〔無電解めつき条件〕

3 5 °Cの液温度で 40分

(7) 無電解めつき膜 1 2 aを形成した基板を水洗いし、乾燥した後、 Na O H (l O g/ 1 ) , Na C 10₂ ( 40 g 1 ) 、 N a ₃ P 0₄ ( 6 g 1 ) を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、 Na OH ( 1 0 g/ 1 ) 、 N a BH, (6 g/ 1 ) を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、無電解めつき膜 1 2 aの全表面に粗化面を形成した。

(8) 上記 Bに記載した樹脂充填材を調製した後、下記の方法により調製後 2 4時間以内に、スルーホール 2 9内に樹脂充填材 1 0を充填した。

即ち、スキージを用いてスルーホール 29内に樹脂充填材を押し込んだ後、 1 00°C、 20分の条件で乾燥させた。

乾燥終了後、パフ研磨を施すことにより、無電解めつき膜 1 2 aの表面および樹脂充填材の表層部 10 aを平坦化した。次いで、 1 00°Cで 1時間、 1 20°C で 3時間、 1 50°Cで 1時間、 1 80°Cで 7時間の加熱処理を行って樹脂充填材 1 0を硬化した（図 33 (c) 参照）。

(9) 次に、樹脂充填材の表層部 1 0 aにパラジウム触媒（アトテック社製）を付与することにより、樹脂充填材の表層部 10 aに触媒核を付着させた。さらに、上記（6) と同様の条件で無電解めつきを行い、上記（6) で形成した無電解めっき膜 1 2 aと樹脂充填材の表層部 1 0 aとの上に、さらに厚さ 0. 6〜3. 0 μ mの無電解めつき膜 1 2 bを形成した（図 33 (d) 参照）。この工程により、スルーホール 29の上に蓋めつき層を形成することができた。

(10)市販の感光性ドライフィルムを無電解銅めつき膜 1 2 bに張り付け、マスクを載置して、 100m j Z c in² で露光し、 0. 8 %炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ 3 0 /i mのめつきレジスト 3を設けた（図 34 (a) 参照）。

(11)ついで、基板を 50での水で洗浄して脱脂し、 25°Cの水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解銅めつきを施し、厚さ 20 ; mの電解銅めつき膜 1 3を形成した（図 34 (b) 参照）。

〔電解めつき水溶液〕硫酸 2. 24 mo 1 / 1

硫酸銅 0. 26 m o 1 / 1

添加剤 1 9. 5 m 1 / 1

(アトテックジャパン社製、カパラシド HL)

〔電解めつき条件〕

電流密度 1 AZdm²

時間 65 分

温度 22 ± 2 °C

(12)めっきレジスト 3を 5%N a OHで剥離除去した後、そのめつきレジスト 3下の無電解めつき膜 1 2 a、 1 2 bを硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解銅めつき膜 1 2と電解銅めつき膜 1 3からなる厚さ 1 8 ;/ mの導体回路（バイァホール 7を含む） 5を形成した（図 34 (c) 参照）。

(13) (5) と同様の処理を行い、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって、粗化面を形成した（図 34 (d) 参照）。

(14)上記（6)〜（13)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の導体回路を形成し、多層配線板を得た（図 3 5 (a) 〜図 3 6 (a) 参照）。

ジエチレングリコールジメチルエーテル（DMDG) に 60重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂のエポキシ基 50% をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量： 4000) 46. 6 7重量部、メチルェチルケトンに溶解させた 80重量％の上記一般式（4) において、 X³ が単結合であり、 Rがブチル基である P原子含有エポキシ樹脂 6. 6 7重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、 2 E4MZ— CN) 1. 6重量部、感光性モノマーである 2官能アクリルモノマ一（日本化薬社製、 R 604) 4. 5 重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、 DPE 6A) 1. 5重量部、アクリル酸エステル重合物からなるレべリング剤（共栄化学社製、ポリフロ一 No. 75) 0. 36重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対して光重合開始剤としてべンゾフエノン（関東化学社製） 2. 0重量部、光増感剤としてミヒラーケトン（関東化学社製） 0. 2重量部、 DMDG 0. 6重量部を加えることにより、粘度を 2 5°Cで 1. 4 ± 0. 3 P a · sに調整したソルダーレジスト組成物を調製した。

(16)次に、多層配線基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を 2 0 / mの厚さで塗布し、 7 0 で 2 0分間、 7 0でで 2 0分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ 5 mmのフォトマスクをソルダーレジスト組成物の層に密着させて S O O m j Zc m² の紫外線で露光し、純水現像処理し、 1 2 5 μ mの直径の開口を形成した。

そして、さらに、 3 0 0 O m j/ c m² の条件で UVキュアし、 8 0。Cで 1時間、 1 0 0 で 1時間、 1 2 0でで 1時間、 1 5 0 °Cで 3時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト組成物の層を硬化させ、開口を有し、その厚さが 2 5 mのソルダーレジスト層 1 4を形成した。

(17)次に、ソルダーレジスト層 1 4を形成した基板を、塩化ニッケル（2. 3 X 1 O-'m o 1 / 1 ) , 次亜リン酸ナトリウム（2. 8 X 1 0 "'m o 1 / 1 ) 、クェン酸ナトリウム（1. S X l O—!m o l l ) を含む p H= 4. 5の無電解ニッケルめっき液に 2 0分間浸漬して、開口部に厚さ 5 μ mのニッケルめっき層 1 5を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム（7. 6 X 1 0 -³m o 1 1 ) 、塩化アンモニゥム（ 1. 9 X 1 O^m o 1 1 ) 、タエン酸ナトリウム（ 1. 2 X 1 0 -!m o 1ノ 1 ) 、次亜リン酸ナトリウム（1. 7 X 1 0 ^m o 1 / 1 ) を含む無電解金めつき液に 8 0°Cの条件で 7. 5分間浸漬して、ニッケルめっき層 1 5上に、厚さ 0. 0 3 mの金めつき層 1 6を形成した。

(18)こめ後、基板の I Cチップを載置する面のソルダーレジスト層 1 4の開口に、スズー鉛を含有するはんだべ一ストを印刷し、さらに他方の面のソルダーレジスト層 1 4の開口にスズ—アンチモンを含有するはんだペーストを印刷し、該はんだペーストにピンを載置した後、 2 0 0°Cでリフ口一することにより、 I C チップを載置する面にはんだバンプ（はんだ体） 1 7を形成し、他方の面には P GAを形成し、多層プリント配線板を製造した（図 3 6 (b ) 参照）。

実施例 1 6 実施例 14の（15)の工程において、さらに、無機フイラ一として、球状シリカで平均粒径 1. 0 μ mのものを 1 0重量部加えて、ソルダーレジスト組成物を調製した以外は、実施例 1 4と同様にして多層プリント配線板を製造した。実施例 1 7

実施例 14の（15)の工程において、さらに、無機フイラ一として、球状シリカで平均粒径 1. 0 mのものを 1 0重量部加えて、ソルダ一レジスト組成物を調製した以外は、実施例 1 4と同様にして多層プリント配線板を製造した。比較例 7

ソルダ一レジスト組成物として、ジエチレングリコールジメチルエーテル（D MDG) に 60重量。 /₀の濃度になるように溶解させた、クレゾールノポラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基 50%をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量： 4000) 46. 67重量部、メチルェチルケトンに溶解させた 80重量％のビスフエノール A型エポキシ樹脂（油化シ-ル社製、ェピコート 1 00 1 ) 6. 6 7重量部、ィミダゾール硬化剤（四国化成社製、 2 E 4 MZ— CN) 1. 6重量部、感光性モノマーである 2官能アクリルモノマ一（日本化薬社製、 R 604) 4. 5重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、 DPE 6A) 1. 5重量部、アクリル酸エステル重合物からなるレベリング剤（共栄化学社製、ポリフロー No. 75) 0. 36重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対して光重合開始剤としてベンゾフエノン（関東化学社製） 2. 0重量部、光増感剤としてミヒラーケトン (関東化学社製） 0. 2重量部、 DMDG0. 6重量部を加えることにより、粘度を 25°Cで 1. 4±0. 3 P a · sに調整したソルダーレジスト組成物を調製した以外は、実施例 1 4と同様にして多層プリント配線板を製造した。

比較例 8

ソルダーレジスト組成物として、比較例 1と同様のソルダーレジスト組成物を調製した以外は、実施例 1 5と同様にして多層プリント配線板を製造した。つぎに、実施例 14〜1 7および比較例 7〜 8で製造した多層プリント配線板について、以下の方法により、難燃性、開口性、ソルダーレジスト層と導体回路間での剥離の発生やソルダーレジスト層でのクラックの発生の有無を評価し、結果を表 3に示した。

評価方法

( 1 ) 難燃性の評価 .

U L 9 4の規格に準拠して、多層プリント配線板をカツトして垂直法により難燃性試験を行い、以下の評価基準で評価する。なお、試験片の寸法は、 1 2 . 7 m m X 1 2 7 m m X指定厚さとした。

評価基準

〇： 9 4 V— 0の判定基準に合格。

X ： 9 4 V - 0の判定基準に不合格。

( 2 ) 開口性の評価

実施例 1〜4および比較例 1〜2で、ソルダーレジスト層に開口を形成し、硬化させた後、開口部にめっき層を形成する前に開口の形状を顕微鏡観察し、さらに、多層プリント配線板の製造終了後、該多層プリント配線板の半田バンプが形成されている部分で切断し、切断した断面を顕微鏡で観察することにより、ソルダーレジスト層に形成した開口の断面の形状を顕微鏡観察し、以下の評価基準で評価する。

評価基準

〇：平面視した開口の形状が所望のものであり、開口から露出した導体回路表面に樹脂残りがない。

X ：開口の形状が先細り形状となっており、開口から露出した導体回路表面に樹脂残りがある力、または、未開口である。

( 3 ) 剥離やクラックの発生の有無の観察

上記（2 ) と同様にして、多層プリント配線板を切断し、その断面を顕微観察することにより、ソルダーレジスト層と導体回路との間で剥離が発生しているか否かを観察し、さらに、ソルダーレジスト層でクラックが発生しているか否かを観察する。

また、上記多層プリント配線板について、一 6 5 °Cの雰囲気下に 3分間維持した後、 1 3 0 °Cの雰囲気下で 3分間維持するサイクルを 1 0 0◦回繰り返すヒートサイクル試験を行い、その後、上記と同様にして、ソルダーレジスト層と導体回路との間で剥離が発生しているか否かを観察し、さらに、ソルダーレジスト層でクラックが発生しているか否かを観察する。

表 3

表 3に示したように、実施例 1 4 1 7で製造した多層プリント配線板は、 U L 9 4の試験規格における 9 4 V— 0の判定基準に合格するものである。

また、該多層プリント配線板に形成されたソルダーレジスト層は、開口性に優れ、クラックが発生したり、導体回路との間に剥離が発生したりすることがない。これに対して、比較例 7 8で製造した多層プリント配線板は、燃焼時間が長いため、 9 4 V— 0の判定基準に合格せず、難燃性に劣るものである。産業上の利用可能性

以上説明してきたように、第一群の本発明の第一の発明の多層プリント配線板によれば、多層プリント配線板のソルダーレジスト層が無機フィラーを含有しているので、線膨張係数が低下し、プリント配線板の製造工程ゃ該プリント配線板に I Cチップ等の電子部品を搭載した後等において、ソルダーレジスト層と他の部分との熱膨張差に起因するクラック等の発生を防止することができる。また、第一群の本発明の第二の発明のソルダーレジスト組成物によれば、該ソルダ一レジスト組成物は、無機フィラーを含有しているので、このソルダーレジスト組成物を使用することにより、プリント配線板に無機フィラーを含有するソルダーレジスト層を形成することができ、その結果、多層プリント配線板の製造工程等において、ソルダーレジスト層と他の部分との熱膨張差に起因するクラック等の発生を防止することができる。

また、第一群の本発明の第三の発明の多層プリント配線板の製造方法によれば、上記第一群の本発明の第一の発明の多層プリント配線板を好適に製造することができる。

また、第二群の本発明の第一の発明の多層プリント配線板によれば、多層プリント配線板のソルダーレジスト層がエラストマ一成分を含有しているので、多層プリント配線板のソルダーレジスト層に作用する応力を吸収したり、緩和したりすることができ、多層プリント配線板の製造工程ゃ該多層プリント配線板に I Cチップを搭載した後において、ソルダーレジスト層と他の部分との熱膨張差に起因するクラック等が発生しにくく、クラックが発生した場合でも該クラックが大きく成長することがない。

また、第二群の本発明の第二の発明のソルダーレジスト組成物によれば、該ソルダーレジスト組成物は、エラストマ一成分を含有しているので、このソルダ一レジスト組成物を使用することにより、多層プリント配線板にエラストマ一成分を含有するソルダーレジスト層を形成することができ、その結果、多層プリント配線板の製造工程等において、ソルダーレジスト層と他の部分との熱膨張差に起因するクラック等が発生しにくく、クラックが発生した場合でも該クラックが大きく成長することがない。

また、第二群の本発明の第三の発明の多層プリント配線板の製造方法によれば、上記第二群の本発明の第一の発明の多層プリント配線板を好適に製造することができる。

また、第三群の本発明の第一の発明の多層プリント配線板は、ソルダーレジスト層の 1 G H zにおける誘電率が 3 . 0以下と低いため、 G H z帯域の高周波信号を用いた場合にも、信号遅延や信号エラ一が発生しにくレ、。

また、第三群の本発明の第二の発明の多層プリント配線板は、ソルダーレジスト層としてポリオレフイン系樹脂を使用しているため、 G H z帯域の高周波信号を用いた場合にも、信号遅延や信号エラーが発生しにくい。

また、第三群の本発明の第三の発明の半導体装置は、ソルダーレジスト層としてポリオレフイン系樹脂を使用し、層間樹脂絶縁層としてポリオレフイン系樹脂等を使用しているので、誘電率や誘電正接が小さく、そのために G H z帯域の高周波信号を用いた I Cチップ等を搭載した半導体装置においても、信号遅延や信号エラーが発生しにくレ、。

第四群の本発明の第一の発明の多層プリント配線板は、ソルダーレジスト層の 1 G H zにおける誘電正接が 0 . 0 1以下であるため、 G H z帯域の高周波信号を用いた場合にも、信号遅延や信号エラーが発生しにくい。

また、第四群の本発明の第二の発明の多層プリント配線板は、ソルダーレジスト層としてポリフエ二レンエーテル樹脂を使用しているため、 G H z帯域の高周波信号を用いた場合にも、信号遅延や信号エラ一が発生しにくい。

また、第四群の本発明の第三の発明の半導体装置は、ソルダーレジスト層としてポリフエ二レンエーテル樹脂を使用し、層間樹脂絶縁層としてポリフエユレンエーテル樹脂等を使用しているので、誘電率や誘電正接が小さく、そのために G H _Z帯域の高周波信号を用いた I Cチップ等を搭載した半導体装置においても、信号遅延や信号エラーが発生しにくい。

第五群の本発明の多層プリント配線板は、難燃性に優れ、ソルダーレジスト層と導体回路との密着性が高く、また、所望の形状の開口が形成されたソルダーレジスト層を有する。

Claims

請求の範囲

1 . 基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成され、最外層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板であって、

前記ソルダーレジスト層は、無機フィラーを含有していることを特徴とする多層プリント配線板。

2 . 前記無機フイラ一は、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物、および、ケィ素化合物からなる群から選択された少なくとも 1種である請求の範囲 1に記載の多層プリント配線板。

3 . 前記無機フイラ一は、その粒径が 0 . 1〜5 . 0 μ ηαの範囲にある請求の範囲 1または 2に記載の多層プリント配線板。

4 . 前記ソルダーレジスト層には、エラストマ一が配合されている請求の範囲 1 〜 3のいずれか 1に記載の多層プリント配線板。

5 . 請求の範囲 1 ~ 4のいずれか 1に記載の多層プリント配線板の製造に用いるソルダーレジスト組成物であって、

ソルダーレジスト層用樹脂を含むペースト中に無機フイラ一が配合されてなることを特徵とするソルダーレジスト組成物。

6 . 基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成され、最外層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板であって、

請求の範囲 5に記載のソルダーレジスト組成物を用いることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。

7 . 基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成され、最外層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板であって、前記ソルダーレジスト層は、エラストマ一成分を含有していることを特徴とする多層プリント配線板。

8 . 前記エラストマ一成分は、天然ゴム、合成ゴム、熱可塑性樹脂、および、熱硬化性樹脂からなる群から選択された少なくとも 1種である請求の範囲 7に記載の多層プリント配線板。

9 . 前記エラストマ一成分は、前記ソルダーレジスト層の硬化後に海島構造となるようにミクロ相分離している請求の範囲 7または 8に記載の多層プリント配線板。

1 0 . 前記ソルダーレジスト層は、無機フィラーが配合されている請求の範囲 7 〜 9のいずれか 1に記載の多層プリント配線板。

1 1 . 前記無機フイラ一は、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物、および、ケィ素化合物からなる群から選択された少なくとも 1種である請求の範囲 1 0に記載の多層プリント配線板。

1 2 . 請求の範囲 7〜1 1のいずれか 1に記載の多層プリント配線板の製造に用いるソルダーレジスト組成物であって、

ソルダーレジスト層用樹脂を含むペースト中にエラストマ一成分が配合されてなることを特徴とするソルダーレジスト組成物。

1 3 . 基板上に少なくとも導体回路が 1層形成され、最上層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板の製造方法であって、

請求の範囲 1 2に記載のソルダ一レジスト組成物を用いることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。

1 4 . 基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成され、最外層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板であって、

前記ソルダーレジスト層の 1 GH zにおける誘電率は、 3. 0以下であることを特徴とする多層プリント配線板。

1 5. 基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成され、最外層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板であって、

前記ソルダ一レジスト層は、ポリオレフイン系樹脂からなることを特徴とする多層プリント配線板。

16. 前記ソルダーレジスト層の 1 GH zにおける誘電率は、 3. 0以下である請求の範囲 1 5に記載の多層プリント配線板。

1 7. 前記ソルダーレジスト層の 1 GH zにおける誘電正接は、 0. 0 1以下である請求の範囲 14、 1 5または 1 6に記載の多層プリント配線板。

1 8. 前記ソルダーレジスト層は、シクロォレフイン系樹脂からなる請求の範囲 14〜 1 7のいずれか 1に記載の多層プリント配線板。

1 9. 前記シクロォレフイン系樹脂は、 2—ノルボルネン、 5—ェチリデン一 2 —ノルボルネンまたはこれらの誘導体からなる単量体の単独重合体または共重合体である請求の範囲 1 8に記載の多層プリント配線板。

20. 前記シクロォレフイン系樹脂は、熱硬化性シクロォレフィン系樹脂である請求の範囲 1 8または 1 9に記載の多層プリント配線板。

2 1. 前記樹脂絶縁層は、ポリオレフイン系樹脂またはポリフエ二レン系樹脂からなる請求の範囲 1 4〜20のいずれか 1に記載の多層プリント配線板。

22. 基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成され、最上層に、半田バンプを有するソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板と、前記多層プリント配線板上に前記半田バンプを介して接続された I Cチップとからなる半導体装置において、

前記ソルダーレジスト層は、ポリオレフイン系樹脂からなり、

前記樹脂絶縁層は、ポリオレフイン系樹脂、ポリフエ二レン系樹脂またはフッ素系樹脂からなることを特徴とする半導体装置。

2 3 . 基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成され、最外層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板であって、

前記ソルダ一レジスト層の 1 G H zにおける誘電正接は、 0 . 0 1以下であることを特徴とする多層プリント配線板。

2 4 . 基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成され、最外層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板であって、

前記ソルダーレジスト層は、ポリフエ二レンエーテル樹脂からなることを特徴とする多層プリント配線板。

2 5 . 前記ソルダーレジスト層の 1 G H zにおける誘電正接は、 0 . 0 1以下である請求の範囲 2 4に記載の多層プリント配線板。

2 6 . 前記ソルダーレジスト層の 1 G H zにおける誘電率は、 3 . 0以下である請求の範囲 2 3、 2 4または 2 5に記載の多層プリント配線板。

2 7 . 前記ポリフエ二レンエーテル樹脂は、熱硬化型ポリフエ二レンエーテル樹脂および Zまたは熱可塑型ポリフエ二レンエーテル樹脂である請求の範囲 2 4、 2 5または 2 6に記載の多層プリント配線板。

2 8 . 前記樹脂絶縁層は、ポリフエ二レンエーテル樹脂からなる請求の範囲 2 3 〜2 7のいずれか 1に記載の多層プリント配線板。

2 9 . 基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成され、最上層に、半田バンプを有するソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板と、前記多層プリント配線板上に前記半田バンプを介して接続された I Cチップとからなる半導体装置において、

前記ソルダーレジスト層は、ポリフエ二レンエーテル樹脂からなり、

前記樹脂絶縁層は、ポリフエ二レンエーテル樹脂、ポリオレフイン系樹脂またはフッ素系樹脂からなることを特徴とする半導体装置。

3 0 . 基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成され、最外層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板であって、

前記ソルダーレジスト層は、 P原子含有エポキシ樹脂を含むことを特徴とする多層プリント配線板。

3 1 . 前記 P原子含有エポキシ樹脂は、 2価のリン酸残基を有し、かつ、両末端にエポキシ基を有するエポキシ樹脂である請求の範囲 ₃ 0に記載の多層プリント配線板。

3 2 . 前記 2価のリン酸残基を有し、かつ、两末端にエポキシ基を有するェポキシ樹脂は、下記一般式（4 )

(式中、 X ¹ 、 X² は、それぞれ、 0、または、単結合を表す。）

で表されるエポキシ樹脂である請求の範囲 3 1に記載の多層プリント配線板。

3 3 . 前記 P原子含有エポキシ樹脂は、片末端に 1価のリン酸残基を有し、他の片末端にエポキシ基を有するエポキシ樹脂である請求の範囲 3 0に記載の多層プリント配線板。

3 4 . 前記片末端に 1価のリン酸残基を有し、他の片末端にエポキシ基を有するエポキシ樹脂は、下記一般式（5 )

を表す。）

で表されるエポキシ樹脂である請求の範囲 3 3に記載の多層プリント配線板。

3 5 . 前記ソルダーレジスト層は、ケィ素化合物、アルミニウム化合物およびマグネシゥム化合物からなる群より選択される少なくとも一種を含む請求の範囲 3 0〜3 4のいずれか 1に記載の多層プリント配線板。