JP2018014446A - ソルダーレジスト及びプリント配線板 - Google Patents
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Abstract
【課題】 ソルダーレジスト層とアンダーフィルとの密着性の改善【解決手段】 実施形態のプリント配線板10のソルダーレジスト層70は、無機粒子を含有する下層70Dと、無機粒子を含有しない上層70Uで形成される。ソルダーレジスト層70の上面70uに無機粒子が露出し難いので、ソルダーレジスト層70の上面70uの表面状態が均一になりやすい。従って、アンダーフィル94がソルダーレジスト層70層から剥がれがたい。【選択図】 図1
Description
本発明は、ソルダーレジスト、及びそのソルダーレジストで形成されているソルダーレジスト層を有するプリント配線板に関する。
特許文献1は多層配線基板の製造方法を開示している。そして、特許文献1の図14に、特許文献1は無機フィラーを含むソルダーレジスト層を示し、その図では無機フィラーがソルダーレジスト層の表面から露出している。
[特許文献1の課題]
特許文献1に示されるように、多くのソルダーレジスト層は樹脂からなる成分と無機粒子を含む。特許文献1の図14に示されるように、無機粒子がソルダーレジスト層の表面から露出すると、ソルダーレジスト層の表面は樹脂系の部分と無機系の部分で形成されると考えられる。その場合、樹脂系の部分と無機系の部分で、ソルダーレジスト層の表面状態は異なると考えられる。ソルダーレジスト層の表面状態は不均一と考えられる。その不均一は不具合の原因になると予想される。
特許文献1に示されるように、多くのソルダーレジスト層は樹脂からなる成分と無機粒子を含む。特許文献1の図14に示されるように、無機粒子がソルダーレジスト層の表面から露出すると、ソルダーレジスト層の表面は樹脂系の部分と無機系の部分で形成されると考えられる。その場合、樹脂系の部分と無機系の部分で、ソルダーレジスト層の表面状態は異なると考えられる。ソルダーレジスト層の表面状態は不均一と考えられる。その不均一は不具合の原因になると予想される。
本発明に係るソルダーレジストは、無機粒子に属する1種の粒子と第1樹脂とを含む下層と、第2樹脂を含み、前記下層上に形成されている上層、とからなる。そして、前記上層は前記無機粒子に属する全ての種の粒子を含んでいない。
本発明のプリント配線板は、最外の樹脂絶縁層と、前記最外の樹脂絶縁層上に形成されている最外の導体層と、
前記最外の樹脂絶縁層上に形成され、前記最外の導体層を露出するための開口を有するソルダーレジスト層、とからなる。そして、前記ソルダーレジスト層は、無機粒子に属する1種の粒子と第1樹脂とを含む下層と、第2樹脂を含み、前記下層上に形成されている上層で形成されていて、前記上層は前記無機粒子に属する全ての種の粒子を含んでいない。
前記最外の樹脂絶縁層上に形成され、前記最外の導体層を露出するための開口を有するソルダーレジスト層、とからなる。そして、前記ソルダーレジスト層は、無機粒子に属する1種の粒子と第1樹脂とを含む下層と、第2樹脂を含み、前記下層上に形成されている上層で形成されていて、前記上層は前記無機粒子に属する全ての種の粒子を含んでいない。
本発明の実施形態によれば、ソルダーレジストは、無機粒子を含有しない上層を有する。そのため、無機粒子が露出しない。あるいは、無機粒子の露出が実質的に発生しない。従って、実施形態のソルダーレジストによれば、ソルダーレジスト層の表面は樹脂で形成される。ソルダーレジスト層の上面は樹脂で形成される。ソルダーレジスト層の露出面は樹脂で形成される。そのため、ソルダーレジスト層の表面や上面や露出面の表面状態は均一になりやすい。
[第1実施形態]
図1(D)は第1実施形態に係るプリント配線板10を示す。
図1(D)のプリント配線板10は樹脂絶縁層(最外の樹脂絶縁層)30と、樹脂絶縁層30上に形成されている導体層(最外の導体層)34と、樹脂絶縁層30上に形成されていて導体層34を露出するための開口71を有するソルダーレジスト層70で形成されている。
ソルダーレジスト層70は上面70uと上面70uと反対側の下面70dを有し、下面70dは樹脂絶縁層30と対向している。上面70uは外を向いていて、下面70dは樹脂絶縁層30に接している。
ソルダーレジスト層70は樹脂絶縁層30の上に形成されている下層70Dと下層70D上に形成されている上層70Uで形成されている。下層70Dは樹脂絶縁層30の直上に形成されていて、上層70Uは下層70Dの直上に形成されている。
下層70Dは無機粒子に属する1種の粒子と第1樹脂とを含む。上層70Uは第2樹脂を含むが、無機粒子を含まない。上層70Uは無機粒子を全く含まない。上層70Uは無機粒子に属する全ての種の粒子を含んでいない。下層70Dに含まれる第1樹脂の成分と上層70Uに含まれる第2樹脂の成分は同じであることが好ましい。第1樹脂と第2樹脂は同じであることが好ましい。
図1(D)は第1実施形態に係るプリント配線板10を示す。
図1(D)のプリント配線板10は樹脂絶縁層(最外の樹脂絶縁層)30と、樹脂絶縁層30上に形成されている導体層(最外の導体層)34と、樹脂絶縁層30上に形成されていて導体層34を露出するための開口71を有するソルダーレジスト層70で形成されている。
ソルダーレジスト層70は上面70uと上面70uと反対側の下面70dを有し、下面70dは樹脂絶縁層30と対向している。上面70uは外を向いていて、下面70dは樹脂絶縁層30に接している。
ソルダーレジスト層70は樹脂絶縁層30の上に形成されている下層70Dと下層70D上に形成されている上層70Uで形成されている。下層70Dは樹脂絶縁層30の直上に形成されていて、上層70Uは下層70Dの直上に形成されている。
下層70Dは無機粒子に属する1種の粒子と第1樹脂とを含む。上層70Uは第2樹脂を含むが、無機粒子を含まない。上層70Uは無機粒子を全く含まない。上層70Uは無機粒子に属する全ての種の粒子を含んでいない。下層70Dに含まれる第1樹脂の成分と上層70Uに含まれる第2樹脂の成分は同じであることが好ましい。第1樹脂と第2樹脂は同じであることが好ましい。
開口71により露出される導体層34はパッド34Pである。そして、図1(E)に示されるように、パッド34P上に半田バンプ76を形成することができる。半田バンプ76を介して、ICチップ等の電子部品90がプリント配線板10に実装される。プリント配線板10のソルダーレジスト層70と電子部品90との間にアンダーフィル94が充填されている。プリント配線板10とプリント配線板10に実装されている電子部品90とプリント配線板10と電子部品90との間のアンダーフィル94で形成される応用例100が得られる。応用例100は図1(F)に示される。
図1(F)に示されるように、アンダーフィル94は無機粒子を有しない上層70U上に形成されている。上層70Uに無機粒子が存在しないので、上層70Uの上面(ソルダーレジスト層70Fの上面)70uから無機粒子が露出しない。そのため、ソルダーレジスト層70の上面70uの表面状態は均一と考えられる。上面70uの濡れ性は均一と考えられる。アンダーフィル94が上面70u上で均一に拡がると予想される。電子部品90とプリント配線板10との間の隙間が小さくなっても、隙間をアンダーフィル94で充填することが容易となる。アンダーフィル94とソルダーレジスト層70との間の接着強度のバラツキを小さくすることができる。従って、アンダーフィル94がソルダーレジスト層70から剥がれ難い。
図3(C)は、第1実施形態のソルダーレジスト層70の拡大図である。
下層70Dは、主成分として、エポキシ系樹脂と無機粒子Fiを含む。下層70D中の無機粒子の含有量は、例えば40wt%以上、70wt%以下である。無機粒子の例は、シリカ粒子やアルミナ粒子、窒化アルミニウム粒子、酸化マグネシウム粒子である。無機粒子の径は0.05μm以上、5.0μm以下である。例えば、平均粒子径d4は0.5μmである。無機粒子Fiの形状は、球形であることが好ましい。無機粒子Fiの最大の粒子径d3は5μmである。
上層70Uは、主成分として、エポキシ系樹脂を含む。
下層70Dは、主成分として、エポキシ系樹脂と無機粒子Fiを含む。下層70D中の無機粒子の含有量は、例えば40wt%以上、70wt%以下である。無機粒子の例は、シリカ粒子やアルミナ粒子、窒化アルミニウム粒子、酸化マグネシウム粒子である。無機粒子の径は0.05μm以上、5.0μm以下である。例えば、平均粒子径d4は0.5μmである。無機粒子Fiの形状は、球形であることが好ましい。無機粒子Fiの最大の粒子径d3は5μmである。
上層70Uは、主成分として、エポキシ系樹脂を含む。
下層70Dと上層70Uを形成する樹脂の成分は、同一であっても、異なっていても良い。同一が好ましい。
上層70Uは厚みd1を有し、下層70Dは厚みd2を有する。厚みd2は上層70Uと導体層34との間の距離である。厚みd1は厚みd2より小さい。厚みd1と厚みd2との比(d1/d2)は0.05以上、0.3以下である。厚みd1は、下層70D中の無機粒子Fiの平均粒子径d4より大きいことが好ましい。さらに、厚みd1は最大の無機粒子Fiの径d3の半分以下であることが好ましい。このため、無機粒子Fiがソルダーレジスト層70の上面70uから露出し難い。
図3(A)に第1実施形態の別例のソルダーレジスト層が示される。
図3(A)に示されるように、ソルダーレジスト層70の上面70uは、粗面Rを有することができる。上面70uに凹凸が形成されている。粗面Rは上面70uのほぼ全面に形成される。例えば、粗面Rの大きさはRa(算術平均粗さ)で表される。Raは0.1μm以上、0.3μm以下である。例えば、Raは0.2μmである。上面70uが凹凸を有すると、ソルダーレジスト層70の上面70uの表面積が大きくなる。そのため、ソルダーレジスト層70とアンダーフィル94との間の接触面積が大きくなる。アンダーフィル94がソルダーレジスト層70から剥がれがたい。実施形態のプリント配線板は、無機粒子Fiを有していない上層70Uを有する。そのため、上面70uに凹凸が形成されても、無機粒子Fiが外部に露出し難い。
図3(A)に示されるように、ソルダーレジスト層70の上面70uは、粗面Rを有することができる。上面70uに凹凸が形成されている。粗面Rは上面70uのほぼ全面に形成される。例えば、粗面Rの大きさはRa(算術平均粗さ)で表される。Raは0.1μm以上、0.3μm以下である。例えば、Raは0.2μmである。上面70uが凹凸を有すると、ソルダーレジスト層70の上面70uの表面積が大きくなる。そのため、ソルダーレジスト層70とアンダーフィル94との間の接触面積が大きくなる。アンダーフィル94がソルダーレジスト層70から剥がれがたい。実施形態のプリント配線板は、無機粒子Fiを有していない上層70Uを有する。そのため、上面70uに凹凸が形成されても、無機粒子Fiが外部に露出し難い。
第1実施形態のプリント配線板では、ソルダーレジスト層70の上面70uに無機粒子が露出し難い。アンダーフィル94とソルダーレジスト層70中の無機粒子Fiが接しない。あるいは、接する箇所が大幅に減少する。このため、ソルダーレジスト層70とアンダーフィル94が強く接着される。応用例100の信頼性が高くなる。
図1にプリント配線板10と応用例100の製造方法が示される。
図1(A)に示されるように、第1実施形態のソルダーレジスト70αが準備される。ソルダーレジスト70αは、下層70Dを形成するための無機フィラーを含有する未硬化の第1層70Dαと、上層70Uを形成するための未硬化の第2層70Uαとで形成される。製造の観点から、ソルダーレジスト70αを2枚のフィルム70A、70Bで挟むことが好ましい。図1(A)では、第1フィルム70B上に未硬化な第1層70Dαが形成され、未硬化な第1層70Dα上に未硬化な第2層70Uαが形成されている。さらに、未硬化な第2層70Uα上に第2フィルム(保護フィルム)70Aが形成されている。第2フィルム70Aは第3面70A3と第3面70A3と反対側の第4面70A4とを有し、第3面70A3が未硬化な第2層70Uαと接する。図1(A)では、第3面70A3は平坦である。
図1(A)に示されるように、第1実施形態のソルダーレジスト70αが準備される。ソルダーレジスト70αは、下層70Dを形成するための無機フィラーを含有する未硬化の第1層70Dαと、上層70Uを形成するための未硬化の第2層70Uαとで形成される。製造の観点から、ソルダーレジスト70αを2枚のフィルム70A、70Bで挟むことが好ましい。図1(A)では、第1フィルム70B上に未硬化な第1層70Dαが形成され、未硬化な第1層70Dα上に未硬化な第2層70Uαが形成されている。さらに、未硬化な第2層70Uα上に第2フィルム(保護フィルム)70Aが形成されている。第2フィルム70Aは第3面70A3と第3面70A3と反対側の第4面70A4とを有し、第3面70A3が未硬化な第2層70Uαと接する。図1(A)では、第3面70A3は平坦である。
図1(B)に示されるように、途中のプリント配線板20が準備される。途中のプリント配線板20は第1面Fと第1面Fと反対側の第2面Sとを有する樹脂絶縁層30と樹脂絶縁層30の第1面上に形成されている導体層34で形成されている。図1(B)では、樹脂絶縁層30は最外の樹脂絶縁層30であり、導体層34は最外の導体層34である。
ソルダーレジスト70αから第1フィルム70Bが除去される。続いて、図1(B)の途中のプリント配線板20の第1面Fと導体層34上にソルダーレジスト70αが積層される(図1(C))。この時、未硬化な第1層70Dαと第1面Fが対向している。また、第2フィルム70Aはソルダーレジスト70αと一緒に途中のプリント配線板20上に積層される。そして、第2フィルム70Aを介してソルダーレジスト70αが露光される。パッド34P上のソルダーレジスト70α以外のソルダーレジスト70αが硬化する。第2フィルム70Bが除去される。パッド34P上のソルダーレジスト70αが現像により除去される。開口71を有するソルダーレジスト層70が樹脂絶縁層30の第1面F上に形成される(図1(D))。図1(D)では、ソルダーレジスト層70は導体層34上にも形成されている。プリント配線板10が完成する。
開口71内のパッド34P上に半田バンプ76を形成することができる。半田バンプ76を有するプリント配線板10が完成する(図1(E))。半田バンプ76を介してプリント配線板10に電子部品90が実装される。ソルダーレジスト層70と電子部品90との間にアンダーフィル94が充填される(図1(F))。アンダーフィル94は電子部品90とソルダーレジスト層70との間の狭いギャップを充填しなければならない。第1実施形態のプリント配線板では、ソルダーレジスト層70の上面70uに無機フィラーが露出していない。ソルダーレジスト層70の上面70uの表面状態が均一になり易い。そのため、ソルダーレジスト層70の上面70uに対するアンダーフィル94の濡れ性がほぼ均一である。ギャップが狭くても、容易にギャップをアンダーフィル94で充填することができる。
図1の例では、ソルダーレジスト層70の上面70uは平坦である。次に、上面70uを粗化する方法の例が示される。
図1(D)に示されるプリント配線板10が中間基板40として準備される。その後、物理的な方法や化学的な方法でソルダーレジスト層70の上面70uが粗化される。物理的な方法の例は、O2プラズマやブラストである。O2プラズマや粒子がソルダーレジスト層70の上面70uに照射される。化学的な方法の例は、薬液を用いることである。例えば、図1(D)の中間基板40を過マンガン酸溶液に浸漬することで上面70uが粗化される。図3(A)に示されるソルダーレジスト層70を有するプリント配線板10が完成する。図3(A)のソルダーレジスト層70の上面70uは粗面Rを有している。
図1(D)に示されるプリント配線板10が中間基板40として準備される。その後、物理的な方法や化学的な方法でソルダーレジスト層70の上面70uが粗化される。物理的な方法の例は、O2プラズマやブラストである。O2プラズマや粒子がソルダーレジスト層70の上面70uに照射される。化学的な方法の例は、薬液を用いることである。例えば、図1(D)の中間基板40を過マンガン酸溶液に浸漬することで上面70uが粗化される。図3(A)に示されるソルダーレジスト層70を有するプリント配線板10が完成する。図3(A)のソルダーレジスト層70の上面70uは粗面Rを有している。
粗面Rを有する上面70uを形成するための別例が以下に示される。別例では、図4(A)のソルダーレジスト70αが準備される。図4(A)のソルダーレジスト70αは、図1(A)のソルダーレジスト70αと異なっている。図4(A)のソルダーレジスト70αは、未硬化な第2層70Uαと第2フィルム70Aとの間の界面に未硬化な第2層70Uαは粗面RTを有する。粗面RT以外、図4(A)のソルダーレジスト70αと図1(A)のソルダーレジスト70αは同様である。図1(C)と同様な方法で、図4(A)のソルダーレジスト70αが図1(B)に示される途中のプリント配線板20上に積層される。図1(D)と同様な方法でソルダーレジスト層70に開口71が形成される。この時点で、ソルダーレジスト層70の上面70uは粗面RTを有している。図4(A)のソルダーレジスト70αを用いることで、製造方法が簡単になる。
未硬化な第2層70Uαの粗面RTの形成方法が以下に示される。
凹凸RSを有する第2フィルム70Aが準備される(図4(B))。第2フィルム70Aの凹凸RS上に未硬化な第2層70Uαを形成することで、粗面RTを形成することができる。例えば、塗布により、第2フィルム70Aの凹凸RS上に第2層70Uαが形成される。その後、第2層70Uα上に第1層70Dαと第1フィルム70Bが順に形成される。図4(A)に示されるソルダーレジスト70αが形成される。
凹凸RSを有する第2フィルム70Aが準備される(図4(B))。第2フィルム70Aの凹凸RS上に未硬化な第2層70Uαを形成することで、粗面RTを形成することができる。例えば、塗布により、第2フィルム70Aの凹凸RS上に第2層70Uαが形成される。その後、第2層70Uα上に第1層70Dαと第1フィルム70Bが順に形成される。図4(A)に示されるソルダーレジスト70αが形成される。
粗面RTの別の形成方法が以下に示される。
第1フィルム70B上に第1層70Dαと第2層70Uαが順に形成される。その後、凹凸RSを有する第2フィルム70Aを第2層70Uαにプレスすることで、粗面RTを形成することができる。
粗面RTは第2フィルム70Aの凹凸RSに沿って形成される。第2フィルム70Aの凹凸RSは粗面RTの形状に沿っている。
第1フィルム70B上に第1層70Dαと第2層70Uαが順に形成される。その後、凹凸RSを有する第2フィルム70Aを第2層70Uαにプレスすることで、粗面RTを形成することができる。
粗面RTは第2フィルム70Aの凹凸RSに沿って形成される。第2フィルム70Aの凹凸RSは粗面RTの形状に沿っている。
ソルダーレジスト層70の開口71をレーザで形成することができる。その場合、レーザは第2フィルム70Aに照射される。そして、レーザは第2フィルム70Aとソルダーレジスト層70を貫通し、パッド34Pに至る。
[第2実施形態]
図2(B)は第2実施形態のプリント配線板110を示す。図2(B)のプリント配線板110のソルダーレジスト層70F、70Sの上面70uは粗面RTを有していない。
第2実施形態のプリント配線板110は、トップ面F1とトップ面F1と反対側のボトム面S1とを有するコア基板30と、コア基板30のトップ面F1上に形成されている第1ビルドアップ層Bu1と、コア基板30のボトム面S1上に形成されている第2ビルドアップ層Bu2と、第1ビルドアップ層Bu1上に形成されている第1ソルダーレジスト層70Fと、第2ビルドアップ層Bu2上に形成されている第2ソルダーレジスト層70Sとを有する。第1ソルダーレジスト層70Fは第1実施形態のプリント配線板10のソルダーレジスト層70と同様である。第2ソルダーレジスト層70Sは第1実施形態のプリント配線板10のソルダーレジスト層70と同様である。
コア基板30はトップ面F1とトップ面F1と反対側のボトム面S1とを有する基板20zと基板20zのトップ面F1上に形成されている第1導体層34Fと基板20zのボトム面S1上に形成されている第2導体層34Sと、第1導体層34Fと第2導体層34Sを接続しているスルーホール導体36で形成されている。
第1ビルドアップ層Bu1はコア基板30のトップ面F1上に形成されている第1樹脂絶縁層50Fと第1樹脂絶縁層上の第1の最外の導体層58Fと第1の最外の導体層58Fと第1導体層34Fを接続する第1のビア導体60Fで形成される。
第2ビルドアップ層Bu2はコア基板30のボトム面S1上に形成されている第2樹脂絶縁層50Sと第2樹脂絶縁層50S上の第2の最外の導体層58Sと第2導体層34Sと第2の最外の導体層58Sを接続する第2のビア導体60Sで形成される。第1実施形態に用いられるソルダーレジスト層70と第2実施形態に用いられるソルダーレジスト層70F、70Sは、同様である。第1と第2のソルダーレジスト層70F、70Sは無機粒子を含有する下層70Dと無機粒子を含有しない上層70Uで形成される。第1と第2のソルダーレジスト層70F、70Sの上面は粗面Rを有することができる。
第1ソルダーレジスト層70Fは第1の最外の導体層58Fを露出する開口71Fを有する。第2ソルダーレジスト層70Sは第2の最外の導体層58Sを露出する開口71Sを有する。
図2(B)は第2実施形態のプリント配線板110を示す。図2(B)のプリント配線板110のソルダーレジスト層70F、70Sの上面70uは粗面RTを有していない。
第2実施形態のプリント配線板110は、トップ面F1とトップ面F1と反対側のボトム面S1とを有するコア基板30と、コア基板30のトップ面F1上に形成されている第1ビルドアップ層Bu1と、コア基板30のボトム面S1上に形成されている第2ビルドアップ層Bu2と、第1ビルドアップ層Bu1上に形成されている第1ソルダーレジスト層70Fと、第2ビルドアップ層Bu2上に形成されている第2ソルダーレジスト層70Sとを有する。第1ソルダーレジスト層70Fは第1実施形態のプリント配線板10のソルダーレジスト層70と同様である。第2ソルダーレジスト層70Sは第1実施形態のプリント配線板10のソルダーレジスト層70と同様である。
コア基板30はトップ面F1とトップ面F1と反対側のボトム面S1とを有する基板20zと基板20zのトップ面F1上に形成されている第1導体層34Fと基板20zのボトム面S1上に形成されている第2導体層34Sと、第1導体層34Fと第2導体層34Sを接続しているスルーホール導体36で形成されている。
第1ビルドアップ層Bu1はコア基板30のトップ面F1上に形成されている第1樹脂絶縁層50Fと第1樹脂絶縁層上の第1の最外の導体層58Fと第1の最外の導体層58Fと第1導体層34Fを接続する第1のビア導体60Fで形成される。
第2ビルドアップ層Bu2はコア基板30のボトム面S1上に形成されている第2樹脂絶縁層50Sと第2樹脂絶縁層50S上の第2の最外の導体層58Sと第2導体層34Sと第2の最外の導体層58Sを接続する第2のビア導体60Sで形成される。第1実施形態に用いられるソルダーレジスト層70と第2実施形態に用いられるソルダーレジスト層70F、70Sは、同様である。第1と第2のソルダーレジスト層70F、70Sは無機粒子を含有する下層70Dと無機粒子を含有しない上層70Uで形成される。第1と第2のソルダーレジスト層70F、70Sの上面は粗面Rを有することができる。
第1ソルダーレジスト層70Fは第1の最外の導体層58Fを露出する開口71Fを有する。第2ソルダーレジスト層70Sは第2の最外の導体層58Sを露出する開口71Sを有する。
図2(C)は第2実施形態のプリント配線板110の応用例1100を示す。図2(C)に示されているプリント配線板110では、ソルダーレジスト層70F、70Sの上面70uは粗面Rを有している。開口71Fから露出する第1の最外の導体層58F上に半田バンプ76Fが形成される。半田バンプ76Fを介し電子部品90がプリント配線板110に実装される。開口71Sから露出する第2の最外の導体層58S上に半田バンプ76Sが形成される。半田バンプ76Sを介し、プリント配線板110がマザーボード98に搭載される。プリント配線板110のソルダーレジスト層70Fと電子部品90との間にアンダーフィル94が充填される。ソルダーレジスト層70Sとマザーボード98との間にアンダーフィル88が充填されている。
図3(B)は、各実施形態のソルダーレジスト層70の1例を示す。
図3(B)のソルダーレジスト層を有するプリント配線板の製造方法が以下に示される。
無機粒子と樹脂と硬化剤とからなる混合物が準備される。無機粒子の例はシリカである。樹脂の例はエポキシ系樹脂である。樹脂は、さらに、ポリマー系樹脂を含むことが出来る。
図3(B)のソルダーレジスト層を有するプリント配線板の製造方法が以下に示される。
無機粒子と樹脂と硬化剤とからなる混合物が準備される。無機粒子の例はシリカである。樹脂の例はエポキシ系樹脂である。樹脂は、さらに、ポリマー系樹脂を含むことが出来る。
図4(D)に示されるように、平坦な面FSを有する第2フィルム70Aが準備される。
混合物が第2フィルム70Aの平坦な面FS上に塗布される。あるいは、図2(B)に示されるように、凹凸RSを有する第2フィルム70Aが準備される。そして、混合物は第2フィルム70Aの凹凸RS上に塗布される。図4(E)に示されるように、第2フィルム70A上に混合物からなる膜700が形成される。塗布後、膜700中の無機粒子はほぼ均一に分散している。さらに、混合物からなる膜700上に第1フィルム70Bが形成される(図4(E))。混合物からなる膜700は第1フィルム70Bと第2フィルム70Aで挟まれる。その後、混合物からなる膜700に熱が加えられる。熱により、樹脂の硬化が始まる。その時、未硬化な樹脂の一部が分離する。それらは、混合物からなる膜の表層に集まる。未硬化な樹脂で所定の厚みを有する層が形成される。その層は、例えば、樹脂層と称される。分離の際、樹脂層から無機粒子が排除される。また、樹脂層は第2フィルム70Aの直上に形成される。このように、第1フィルム70Bと第2フィルム70Aの間に無機粒子を含む層と無機粒子を含まない層が形成される。無機粒子を含む層は下層70Dであり、無機粒子を含まない層は上層70Uである(図3(B)参照)。上層70Uは第2フィルム70A上に形成され、下層70Dは第1フィルム70B上に形成される。
例えば、第2フィルム70A上に形成される混合物中の樹脂がエポキシ系樹脂Aとエポキシ系樹脂B、ポリマー系樹脂A、ポリマー系樹脂Bで形成される。混合物に熱が加えられると、ある温度TAで、エポキシ系樹脂Aとポリマー系樹脂Aの硬化の速度が速くなる。しかしながら、エポキシ系樹脂Bとポリマー系樹脂Bの硬化は開始しない。あるいは、硬化の速度が遅い。そのため、温度TAで、エポキシ系樹脂Bとポリマー系樹脂Bは未硬化状態である。この時、エポキシ系樹脂Bとポリマー系樹脂Bが混合物の表層に集まり、それらで無機粒子を含まない上層70Uが形成される。同時に、エポキシ系樹脂Aとポリマー系樹脂Aの硬化が進む。硬化により無機粒子はエポキシ系樹脂Aとポリマー系樹脂Aからなる樹脂中に固定される。さらに混合物に熱が加えられる。混合物の温度は温度TB(温度TA<温度TB)に達する。エポキシ系樹脂Bとポリマー系樹脂Bの硬化も進む。これにより、第1層70Dαと第2層70Uαとからなるソルダーレジスト70αが形成される。続いて、図1(C)に示されるように、最外の樹脂絶縁層上にソルダーレジスト70αが形成される。それから、例えば、レーザで開口71を有するソルダーレジスト層70が形成される。図1(D)のプリント配線板10が完成する。その後、プリント配線板10は過マンガン酸溶液に浸漬される。上層70Uを形成するエポキシ系樹脂Bとポリマー系樹脂Bのうち、ポリマー系樹脂Bが選択的に過マンガン酸溶液に溶解する。ソルダーレジスト層70の上面70uに粗面Rが形成される。粗面Rを有するソルダーレジスト層70Gα形成される。
混合物が第2フィルム70Aの平坦な面FS上に塗布される。あるいは、図2(B)に示されるように、凹凸RSを有する第2フィルム70Aが準備される。そして、混合物は第2フィルム70Aの凹凸RS上に塗布される。図4(E)に示されるように、第2フィルム70A上に混合物からなる膜700が形成される。塗布後、膜700中の無機粒子はほぼ均一に分散している。さらに、混合物からなる膜700上に第1フィルム70Bが形成される(図4(E))。混合物からなる膜700は第1フィルム70Bと第2フィルム70Aで挟まれる。その後、混合物からなる膜700に熱が加えられる。熱により、樹脂の硬化が始まる。その時、未硬化な樹脂の一部が分離する。それらは、混合物からなる膜の表層に集まる。未硬化な樹脂で所定の厚みを有する層が形成される。その層は、例えば、樹脂層と称される。分離の際、樹脂層から無機粒子が排除される。また、樹脂層は第2フィルム70Aの直上に形成される。このように、第1フィルム70Bと第2フィルム70Aの間に無機粒子を含む層と無機粒子を含まない層が形成される。無機粒子を含む層は下層70Dであり、無機粒子を含まない層は上層70Uである(図3(B)参照)。上層70Uは第2フィルム70A上に形成され、下層70Dは第1フィルム70B上に形成される。
例えば、第2フィルム70A上に形成される混合物中の樹脂がエポキシ系樹脂Aとエポキシ系樹脂B、ポリマー系樹脂A、ポリマー系樹脂Bで形成される。混合物に熱が加えられると、ある温度TAで、エポキシ系樹脂Aとポリマー系樹脂Aの硬化の速度が速くなる。しかしながら、エポキシ系樹脂Bとポリマー系樹脂Bの硬化は開始しない。あるいは、硬化の速度が遅い。そのため、温度TAで、エポキシ系樹脂Bとポリマー系樹脂Bは未硬化状態である。この時、エポキシ系樹脂Bとポリマー系樹脂Bが混合物の表層に集まり、それらで無機粒子を含まない上層70Uが形成される。同時に、エポキシ系樹脂Aとポリマー系樹脂Aの硬化が進む。硬化により無機粒子はエポキシ系樹脂Aとポリマー系樹脂Aからなる樹脂中に固定される。さらに混合物に熱が加えられる。混合物の温度は温度TB(温度TA<温度TB)に達する。エポキシ系樹脂Bとポリマー系樹脂Bの硬化も進む。これにより、第1層70Dαと第2層70Uαとからなるソルダーレジスト70αが形成される。続いて、図1(C)に示されるように、最外の樹脂絶縁層上にソルダーレジスト70αが形成される。それから、例えば、レーザで開口71を有するソルダーレジスト層70が形成される。図1(D)のプリント配線板10が完成する。その後、プリント配線板10は過マンガン酸溶液に浸漬される。上層70Uを形成するエポキシ系樹脂Bとポリマー系樹脂Bのうち、ポリマー系樹脂Bが選択的に過マンガン酸溶液に溶解する。ソルダーレジスト層70の上面70uに粗面Rが形成される。粗面Rを有するソルダーレジスト層70Gα形成される。
10、110 プリント配線板
70α ソルダーレジスト
70、70F、70S ソルダーレジスト層
70A 第2フィルム
70B 第1フィルム
70D 下層
70Dα 第1層
70U 上層
70Uα 第2層
94 アンダーフィル
Fi 無機粒子
R 粗面
70α ソルダーレジスト
70、70F、70S ソルダーレジスト層
70A 第2フィルム
70B 第1フィルム
70D 下層
70Dα 第1層
70U 上層
70Uα 第2層
94 アンダーフィル
Fi 無機粒子
R 粗面
Claims (8)
- 無機粒子に属する1種の粒子と第1樹脂とを含む下層と、
第2樹脂を含み、前記下層上に形成されている上層、とからなるソルダーレジストであって、
前記上層は前記無機粒子に属する全ての種の粒子を含んでいない。 - 請求項1のソルダーレジストであって、前記上層の上面は粗面を有する。
- 請求項2のソルダーレジストであって、さらに、第3面と前記第3面と反対側の第4面とを有し前記第3面が前記上層と接するように前記上層上に形成されている保護フィルムを有し、前記第3面は凹凸を有し、前記凹凸は前記粗面に沿って形成されている。
- 請求項1のソルダーレジストであって、前記上層の厚みは、前記下層に含まれる前記粒子の平均粒子径より大きい。
- 請求項2のソルダーレジストであって、前記粗面の粗さ(Ra)は0.1μm以上、0.3μm以下である。
- 請求項1のソルダーレジストであって、前記第1樹脂の成分と前記第2樹脂の成分は同じである。
- 最外の樹脂絶縁層と、
前記最外の樹脂絶縁層上に形成されている最外の導体層と、
前記最外の樹脂絶縁層上に形成され、前記最外の導体層を露出するための開口を有するソルダーレジスト層、とからなるプリント配線板であって、
前記ソルダーレジスト層は、請求項1のソルダーレジストで形成されている。 - 請求項7のプリント配線板であって、前記ソルダーレジスト層の前記上層の上面は粗面を有する。
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