JP2714440B2

JP2714440B2 - 精密細線回路用基板の製造方法

Info

Publication number: JP2714440B2
Application number: JP1143464A
Authority: JP
Inventors: 好治鈴木; 智行明田
Original assignee: Polyplastics Co Ltd
Current assignee: Polyplastics Co Ltd
Priority date: 1989-06-06
Filing date: 1989-06-06
Publication date: 1998-02-16
Anticipated expiration: 2013-02-16
Also published as: DE69016501T2; ATE118148T1; EP0402028A3; CA2017230A1; JPH038388A; KR910001428A; KR930010846B1; EP0402028A2; DE69016501D1; EP0402028B1

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、異方性溶融相を形成し得る溶融加工性ポリ
エステル「以後単に「液晶性ポリエステル」と略す）樹
脂組成物を用いて成形してなるサブトラクティブ法によ
る精密細線回路が形成可能な基板の表面金属被覆処理法
とその処理法により得られる基板に関する。

更に詳しくは、サブトラクティブ法による精密細線回
路形成用基板として耐熱性、成形加工性に優れた液晶性
ポリエステル樹脂組成物を用いて成形した基板に、効率
よく表面金属被覆処理する方法とその方法により作成さ
れた基板に関する。

〔従来の技術とその課題〕

液晶性ポリエステルは、一般に知られている熱可塑性
ポリエステル、例えばポリブチレンテレフタレート、ポ
リエチレンテレフタレートと異なり、剛直な高分子より
なり、溶融状態でも分子鎖は折れ曲がり難く棒状を保っ
ているため、溶融時に分子の絡み合いが少なく、僅かな
剪断応力を受けるだけで一方向に配向し、液状でも結晶
性を示すいわゆる液晶性を示す。

斯かる液晶性ポリエステルは一般に行われている射出
成形加工法を適用することができ、成形加工性、耐熱
性、寸法安定性等に優れる利点を有するが、成形された
基板の表面は強い配向のため表層部は剥離し毛羽立ちを
生じ易く、そのままでは真空蒸着、イオンプレーティン
グ、スパッタリング等の２次加工ができない。

そこで、従来一般の樹脂に用いられている様な薬品に
よる表面粗面化処理を前処理として行うことが考えられ
るが、表面は化学的には極めて不活性で親和性のある適
切な溶剤がなく、表層の配向層を取り除き表面を粗面化
することができない。そこで液晶性ポリエステル樹脂の
強い配向性を弱めるための無機フィラーや易溶出性添加
剤を加えて、強酸や強アルカリ溶液により表面を粗化す
ることが考えられる。然しながら、この方法でエッチン
グした基板の全表面に金属被覆を無電解メッキ等により
形成せしめても、高い密着力を得ようとすれば、表面粗
度を上げていく必要があり、この場合は全面的に金属被
覆された基板表面の凹凸のために、回路パターン形成の
ためのレジストインキの輪郭部がボケたり、インキの未
着部ができ、又パターンの形成されるドライフィルムに
よるパターン貼付け法においてはフィルムの基板に対す
る密着性に劣る。更に粗度の大きな面への金属被覆は膜
厚が均一にならず、サブトラクティブ法では精密細線回
路を形成することは困難である。

また、配向性だけを改良した基板に直接真空蒸着、ス
パッタリング、イオンプレーティング等により金属被覆
を形成した場合は、平滑な表面は得られても皮膜の密着
力は高くなく、実用に供し得なかった。特に、一般の熱
可塑性樹脂では真空蒸着、スパッタリング、イオンプレ
ーティングを行う際の真空中での素材からの発生ガスが
多く、良好な性能を持った金属皮膜を樹脂の上に強固に
密着させることが出来なかった。液晶性ポリエステルは
このような発生ガスの問題は少ないが、そのままでは前
記理由により良好な密着力を持った金属膜の形成ができ
ない。また、例えば酸又はアルカリ易溶性無機フィラー
を添加して酸又はアルカリでエッチングした後、常法で
無電解メッキして全面金属被覆処理した基板上にサブト
ラクティブ法で精密細線回路を形成しようとしても、従
来の回路はLine幅0.3mm、Space幅0.30mmが限界であり、
しかも細線化のため表面粗度を改善していくと被膜の密
着力が低くなり、実用に供し得なかったのである。

尚、ここでLine幅とは回路一本の幅、Space幅とは隣
合う回路間の間隔を示す。

一方、液晶性ポリエステルは、一般金属の熱線膨張係
数に匹敵する低い線膨張係数を示し、耐熱的には260℃
のハンダ浴に10秒間浸漬しても異常を生じない等の特徴
を有し、この特性を生かして、接着剤により金属と接合
した部品やメッキを付与した基板の用途を目的として前
記表面特性を改善した表面金属処理方法が求められてい
たが、未だ満足のいく方法は知られていない。

〔課題を解決するための手段〕

本発明者等は、この様な液晶性ポリエステルの熱的に
有益な特徴を生かし、物理的・化学的性質を損なうこと
なしに剥離し易い表層を発生させず、基板表面に密着性
の良好な金属膜を付与してサブトラクティブ法で精密細
線回路形成が可能となる基板の製造方法について鋭意研
究した結果、液晶性ポリエステルに無機充填材を含有せ
しめた組成物からなる成形品を真空槽内で特定温度に加
熱しながら成形品のガス抜きを行うと同時に表層部の硬
度をできるだけ下げた状態でスパッタリング、イオンプ
レーティング又は真空蒸着の何れかの方法により表面金
属処理することにより、強固な密着性を持つ金属膜の形
成が可能であり、サブトラクティブ法により従来よりも
極めて精密な細線回路の形成が出来ることを見出し、本
発明を完成するに至った。

即ち本発明は異方性溶融相を形成しうる溶融加工性ポリエステル
（液晶性ポリエステル）に無機充填材を含有せしめてな
る液晶性ポリエステル樹脂組成物を用いて成形してなる
基板を、真空槽内で基板の表面温度が60℃以上となるよ
う加熱しながらスパッタリング、イオンプレーティング
又は真空蒸着の何れかの方法により表面の金属被覆処理
することを特徴とするサブトラクティブ法により精密細
線回路形成可能な基板の製造方法を提供するものであ
る。

ここでいうサブトラクティブ法による回路形成法と
は、金属等の導電性材料よりなる基板の表面を全面的に
被覆又は積層した後、基板表面に回路設計に基づく導体
パターンとして必要な部分をエッチングレジストである
耐酸性材料で被覆し、金属を溶融するエッチング液でエ
ッチングレジストが被覆されていない導体パターン部以
外の金属を溶解した後、エッチングレジストを薬品で剥
離除去して導体パターンを露出させ回路を形成する方法
である。

本発明で用いられる無機充填材とは、周期律表II族元
素及びその酸化物、硫酸塩、リン酸塩、珪酸塩、炭酸
塩、又はアルミニウム、珪素、スズ、鉛、アンチモン、
ビスマスの元素及びその酸化物からなる群より選ばれた
１種又は２種以上の微粉状無機充填材が好ましく、特に
周期律表II族元素の酸化物、硫酸塩、リン酸塩及び珪酸
塩からなる群より選ばれる１種又は２種以上が好まし
い。

周期律表II族の元素の酸化物とは、酸化マグネシウ
ム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化亜鉛等の如き
化合物であり、リン酸塩とはリン酸マグネシウム、リン
酸カルシウム、リン酸バリウム、リン酸亜鉛、ピロリン
酸マグネシウム、ピロリン酸カルシウム等の如き化合物
であり、硫酸塩とは硫酸マグネシウム、硫酸カルシウ
ム、硫酸バリウム等の化合物であり、珪酸塩とは珪酸マ
グネシウム、珪酸カルシウム、珪酸アルミニウム、カオ
リン、タルク、クレー、珪藻土、ウォラストナイト等の
化合物であり、特にリン酸塩が好適である。又、上記他
にアルミニウム、珪素、スズ、鉛、アンチモン、ビスマ
スの元素及びその酸化物からなる群より選ばれた１種又
は２種以上も好ましい。特に、亜鉛、アルミニウム、ス
ズ、鉛等の金属及びその金属の酸化物が好ましい。

これらの微粉状無機充填材の配合量は液晶性ポリエス
テル樹脂組成物全量に対して５〜80重量％、好ましくは
20〜70重量％である。５重量％未満では成形品表面に不
均質な流れマークが発生し、成形品表層は粘着テープを
表面に貼り付け引き剥がすと容易に薄皮状の剥がれが生
じる。一方、80重量％を超えると樹脂の流動性が低下
し、表面の良好な成形品が得られず、同時に成形品の機
械的強度も低下してしまい好ましくない。又、無機充填
材は微粉状であるのが好ましく、その粒径は平均粒径0.
01〜100μｍの範囲、好ましくは0.1〜30μｍ、更に好ま
しくは0.5〜10μｍが適切である。0.01μｍ未満では分
散不良により成形品表面に凝集塊が生じ易く、100μｍ
を超えると成形品の平滑性が悪くなり、サブトラクティ
ブ法による精密回路形成のための細線化が極めて困難と
なり、更に良い外観が得られない。

又、無機充填材として繊維状無機物も好ましく、繊維
状無機物単独で、若しくは上記微粉状無機充填材と組み
合わせて使用される。

繊維状無機物としては、ガラス繊維、ミルドガラスフ
ァイバー、炭素繊維、アスベスト繊維、シリカ繊維、シ
リカ・アルミナ繊維、アルミナ繊維、ジルコニア繊維、
窒化硼素繊維、塑化珪素繊維、硼素繊維、チタン酸カリ
ウム繊維、更にステンレス、アルミニウム、チタン、
銅、真鍮等の金属の繊維状物などの無機繊維状物質が挙
げられる。又、その形状としては、直径１〜30μｍ、長
さ５μｍ〜1mm、特に10μｍ〜100μｍの範囲にあるもの
が好ましい。

特に好ましく用いられる繊維状無機物はガラス繊維で
あり、その配合量は成形品組成物の全重量に対し、１〜
60重量％の範囲であり、好ましくは５〜40重量％であ
る。特にガラス繊維を前記微粉状無機充填材に組み合わ
せると、予想に反し成形品の表面は一層均一化して、成
形品上に導電性回路を形成するためのメッキの密着力が
向上することが見出された。表面粗度と材料の機械的物
性のバランスの面からガラス繊維と微粉状ガラスの中間
に当たるミルドガラスファイバーが特に好ましい。

ただし、前記無機充填材と併用無機物との総配合量が
成形品組成物中の85重量％を越えることは成形加工性及
び各種の物性面から好ましくない。

本発明における表面金属被覆処理法とは、真空系を用
いた乾式金属被覆法のことで、具体的には、スパッタリ
ング、イオンプレーティング又は真空蒸着の何れかの方
法により樹脂成形基板に直接金属膜を付与する方法をい
う。また、本発明では特に樹脂成形品を60℃以上の温度
に加熱することを必須条件とし、加熱温度は望ましくは
150℃以上である。但し、成形品が軟化変形することを
避けるため270℃以下にとどめるのが好ましい。

好ましい温度条件は表面金属被覆処理法によっても多
少異なり、スパッタリングにおいては150〜250℃、イオ
ンプレーティングにおいては60〜200℃、真空蒸着にお
いては200〜250℃である。

本発明に使用する液晶性ポリエステルは、他の材料に
比べて真空槽内でのガスの発生が少ないのが特徴であ
り、そのままでもスパッタリング、イオンプレーティン
グ又は真空蒸着等の方法により良好な密着性をもった金
属薄膜を得るが、加熱することにより、樹脂成形品から
発生するガスを取り除き、高温にすることによる樹脂表
面硬度の低下を利用して、金属原子の樹脂表面への付着
を一層改良できる。尚、上記表面金属処理は、槽内を10
^-5〜10^-7Torrの真空条件下にして行うのが望ましい。

前記の通り、従来の回路はLine幅0.30mm、Space幅0.3
0mmが限界であったが、本発明の表面金属処理法により
回路幅あはLine幅0.25mm以下、Space幅0.25mm以下の細
線化が可能となり、かつ回路の密着力もあり、サブトラ
クティブ法による精密細線回路の形成ができるようにな
った。

本発明の液晶性ポリエステルとは、溶融加工性ポリエ
ステルで、溶融状態でポリマー分子鎖が規則的な平行配
列をとる性質を有している。分子がこのように配列した
状態をしばしば液晶状態または液晶性物質のネマチック
相という。このようなポリマー分子は、一般に細長く、
偏平で、分子の長軸に沿ってかなり剛性が高く、普通は
同軸または平行のいずれかの関係にある複数の連鎖伸長
結合を有しているようなポリマーからなる。

異方性溶融相の性質は、直交偏光子を利用した慣用の
偏光検査法により確認することができる。より具体的に
は、異方性溶融相の確認は、Leitz偏光顕微鏡を使用
し、Leitzホットステージにのせた溶融試料を窒素雰囲
気下で40倍の倍率で観察することにより実施できる。本
発明のポリマーは直交偏光子の間で検査したときにたと
え溶融静止状態であっても偏光は透過し、光学的に異方
性を示す。

本発明に使用するのに適した液晶性ポリマーは、一般
溶剤には実質的に不溶である傾向を示し、したがって溶
液加工には不向きである。しかし、既に述べたように、
これらのポリマーは普通の溶融加工法により容易に加工
することができる。

本発明で用いられる異方性溶融相を示すポリマーは、
芳香族ポリエステル及び芳香族ポリエステルアミドが好
ましく、芳香族ポリエステル及び芳香族ポリエステルア
ミドを同一分子鎖中に部分的に含むポリエステルも好ま
しい例である。

特に好ましくは、芳香族ヒドロキシルカルボン酸、芳
香族ヒドロキシルアミン、芳香族ジアミンの群から選ば
れた少なくとも１種以上の化合物を構成成分として有す
る液晶性芳香族ポリエステル、液晶性芳香族ポリエステ
ルアミドである。

より具体的には、１）主として芳香族ヒドロキシカルボン酸及びその誘
導体の１種又は２種以上からなるポリエステル２）主としてａ）芳香族ヒドロキシカルボン酸及びその誘導体の１種
又は２種以上とｂ）芳香族ジカルボン酸、脂環族ジカルボン酸及びその
誘導体の１種又は２種以上とｃ）芳香族ジオール、脂環族ジオール、脂肪族ジオール
及びその誘導体の少なくとも１種又は２種以上とからな
るポリエステル３）主としてａ）芳香族ヒドロキシカルボン酸及びその誘導体の１種
又は２種以上とｂ）芳香族ヒドロキシアミン、芳香族ジアミン及びその
誘導体の１種又は２種以上とｃ）芳香族ジカルボン酸、脂環族ジカルボン酸及びその
誘導体の１種又は２種以上とからなるポリエステルアミ
ド４）主としてａ）芳香族ヒドロキシカルボン酸及びその誘導体の１種
又は２種以上とｂ）芳香族ヒドロキシアミン、芳香族ジアミン及びその
誘導体の１種又は２種以上とｃ）芳香族ジカルボン酸、脂環族ジカルボン酸及びその
誘導体の１種又は２種以上とｄ）芳香族ジオール、脂環族ジオール、脂肪族ジオール
及びその誘導体の少なくとも１種又は２種以上とからな
るポリエステルアミドが挙げられる。

更に上記の構成成分に必要に応じ分子量調整剤を併用
しても良い。

本発明の液晶性ポリエステルを構成する具体的化合物
の好ましい例は、2,6−ナフタレンジカルボン酸、2,6−
ジヒドロキシナフタレン、1,4−ジヒドロキシナフタレ
ン及び６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフタレン
化合物、4,4−ジフェニルジカルボン酸、4,4−ジヒドロ
キシビフェニル等のビフェニル化合物、下記一般式
（Ｉ）、（II）又は（III）で表わされる化合物：（但し、X:アルキレン（C₁〜C₄）、アルキリデン、−Ｏ
−、−SO−、−SO₂−、−Ｓ−、−CO−より選ばれる基 Y:−（CH₂）_ｎ−（ｎ＝１〜４）、−Ｏ（CH₂）
_nO−（ｎ＝１〜４）より選ばれる基）ｐ−ヒドロキシ安息香酸、テレフタル酸、ハイドロキ
ノン、ｐ−アミノフェノール及びｐ−フェニレンジアミ
ン等のパラ位置換のベンゼン化合物及びそれらの核置換
ベンゼン化合物（置換基は塩素、臭素、メチル、フェニ
ル、１−フェニルエチルより選ばれる）、イソフタル
酸、レゾルシン等のメタ位置換のベンゼン化合物であ
る。

又、本発明に使用される液晶性ポリエステルは、上述
の構成成分の他の同一分子鎖中に部分的に異方性溶融相
を示さないポリアルキレンテレフタレートであってもよ
い。この場合のアルキル基の炭素数は２乃至４である。

上述の構成成分の内、ナフタレン化合物、ビフェニル
化合物、パラ位置換ベンゼン化合物より選ばれる１種若
しくは２種以上の化合物を必須の構成成分として含むも
のが更に好ましい例である。又、ｐ−位置換ベンゼン化
合物の内、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、メチルハイドロキ
ノン及び１−フェニルエチルハイドロキノンは特に好ま
しい例である。

構成成分となるエステル形成性の官能基を有する化合
物の具体例及び本発明で用いられるのに好ましい異方性
溶融相を形成するポリエステルの具体例については特公
昭63−36633号公報に記載されている。

本発明で用いるのに好適な液晶性ポリエステルは一般
に重量平均分子量が約2,000〜200,000、好ましくは約1
0,000〜50,000、特に好ましくは約20,000〜25,000であ
る。一方、好適な芳香族ポリエステルアミドは一般に分
子量が約5,000〜50,000、好ましくは約10,000〜30,00
0、例えば15,000〜17,000である。かかる分子量の測定
は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーならびに
その他のポリマーの溶液形成を伴わない標準的測定法、
たとえば圧縮成形フィルムについて赤外分光法により末
端基を定量することにより実施できる。また、ペンタフ
ルオロフェノール溶液にして光散乱法を用いて分子量を
測定することもできる。

上記の芳香族ポリエステル及びポリエステルアミドは
また、60℃でペンタフルオロフェノールに0.1重量％濃
度で溶解したときに、少なくとも約2.0dl/g、たとえば
約2.0〜10.0dl/gの対数粘度（I.V.）を一般に示す。

本発明においては、種々の特性を改良する目的で、上
記特定の無機充填材（微粉状無機充填材及び繊維状無機
物）に加え、更に他の各種の併用無機物を配合すること
ができる。かかる併用無機物は機械的特性、耐熱性、寸
法安定性（耐変形、そり）等の性質に優れた基板を得る
ためには配合することが好ましく、これには目的に応じ
て粉粒状、板状の併用無機物が用いられる。

粉粒状無機物としては、カーボンブラック、黒煙、シ
リカ、石英粉末、ガラスビーズ、ガラスバルーン、ガラ
ス粉、酸化鉄の如き金属の酸化物、その他フェライト、
炭化珪素、窒化珪素、窒化硼素等が挙げられる。

又、板状無機物としては、マイカ、ガラスフレーク、
各種の金属箔等が挙げられる。

これらの併用無機物は一種又は二種以上併用すること
ができる。

前記無機充填材と併用無機物との総配合量が成形品組
成物中の85重量％を越えることは成形加工性及び各種の
物性面から好ましくない。前記の無機充填材及び併用無
機物の使用にあたっては必要ならば収束剤又は表面処理
剤を使用することが望ましい。

更に本発明の組成物は、本発明の範囲でその意図する
目的を損なわない程度に他の熱可塑性樹脂を補助的に添
加したものであってもよい。

この場合に使用する熱可塑性樹脂は特に限定されない
が、例を示すと、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポ
リオレフィン、ポリアセタール（ホモ又はコポリマ
ー）、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリアクリル酸
エステル、及びそれらの共重合体、ポリアミド、ポリカ
ーボネート、ABS、ポリフェニレンオキシド、ポリフェ
ニレンスルフィド、フッ素樹脂等を挙げることができ
る。またこれらの熱可塑性樹脂は２種以上混合して使用
することができる。

更に一般の熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂に添加され
る公知の物質、即ち、可塑剤、酸化防止剤や紫外線吸収
剤等の安定剤、帯電防止剤、表面処理剤、界面活性剤、
難燃剤、染料や顔料等の着色剤及び流動性や離型性の改
善のための滑剤、潤滑剤及び結晶化促進剤（核剤）等も
その目的とする要求性能に応じ適宜使用することができ
る。

〔実施例〕

以下実施例をあげて本発明を更に具体的に説明する
が、本発明はこれに限定されるものではない。

実施例１〜14、比較例１〜６後述の各種液晶性ポリエステル樹脂Ａ〜Ｆと表−１に
示した充填材（重量％は対組成物全量に対する値を示
す）とを押出機による溶融混練方法により混練分散させ
ペレット化し、140℃で３時間乾燥した後、成形機によ
り100〜160℃に温調された金型を用いて50mm×70mm×3m
mの平板を成形した。

成形した平板（基板）について基板温度を変え、下記
各種方法により表面金属化処理を実施した。

１）真空蒸着：真空蒸着装置（日本真空技術製EX50
0）の真空槽内に成形した平板をセットし、真空槽内を
４×10^-6Torrまで真空化した。

真空槽内に設けた成形品加熱用ハロゲンランプを用
い、成形品の表面温度が所定の温度になる様セットし、
電子ビーム法により金属銅を蒸発させ、基板の表面に金
属銅薄膜（膜厚３〜５μｍ）を形成させた。蒸着後基板
を冷却した上で成形平板を取り出した。

２）スパッタリング：同様にスパッタリング装置（徳
田製作所製 8ES）を用い、真空槽内を３×10^-6Torrまで
高真空化した後、アルゴンガスを流し、平衡圧力が５×
10^-3Torrになる様に設定した上、基板温度をハロゲンラ
ンプにより所定の温度に設定した上で、基板の回転数10
rpmで回転させ、金属銅ターゲットを用い、ターゲット
から100mmの位置になる様に基板にセットした成形品に
スパッタリングを行い、金属銅薄膜を形成させた。

３）イオンプレーティング：アーク放電型イオンプレ
ーティング装置 AIF−850SB（神港精機株式会社）を用
いて、真空槽内を３×10^-6Torrまで高真空にした後、槽
内にセットされた基板上の成形品を所定の温度にセット
した上へイオンプレーティングにより金属銅を薄膜形成
させた。イオン化電流は100mA、蒸着速度は0.5μm/分の
スピードで実施した。

表面金属処理された成形平板はそのままではピーリン
グ強さを測定できないため、処理後直ちに電気銅メッキ
を実施し、膜厚30〜40μｍに形成させた後、5mm幅の帯
状になる様にナイフでカットし、ピーリング強さをバネ
ばかりにより測定した。引き剥がし速度は50mm/minとし
た。結果を表−１に示す。

尚、実施例で使用した液晶性ポリエステルＡ〜Ｆは下
記構成単位を有するものである。

〔発明の効果〕以上述べた様に、本発明の液晶性ポリエステル樹脂成
形品の表面金属処理法によれば、当該樹脂の表層剥離を
容易に起こさず、均一で緻密な表面構造を持ち、表面金
属膜の密着力を強め、これまでの熱可塑性樹脂では困難
であった金属との熱膨張係数の差による高温剥離を生じ
ることもなく、サブトラクティブ法によって精密で細線
化した回路形成（回路幅をLine幅0.25mm以下、Space幅
0.25mm以下）が可能となり、ハンダ浸漬（処理時間約10
秒）も可能となり、外装部品はもとより、プリント配線
基板を対象とした用途への展開が可能となった。

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】異方性溶融相を形成しうる溶融加工性ポリ
エステル（液晶性ポリエステル）に無機充填材を含有せ
しめてなる液晶性ポリエステル樹脂組成物を用いて成形
してなる基板を、真空槽内で基板の表面温度が60℃以上
となるよう加熱しながらスパッタリング、イオンプレー
ティング又は真空蒸着の何れかの方法により表面金属被
覆処理することを特徴とするサブトラクティブ法により
精密細線回路形成可能な基板の製造方法。
【請求項２】無機充填材が周期律表II族元素及びその酸
化物、硫酸塩、リン酸塩、珪酸塩、炭酸塩、又はアルミ
ニウム、珪素、スズ、鉛、アンチモン、ビスマスの元素
及びその酸化物からなる群より選ばれた１種又は２種以
上の微粉状無機充填材であり、その配合量が組成物全重
量に対して５〜80重量％である請求項１記載の基板の製
造方法。
【請求項３】微粉状無機充填材が平均粒径0.01〜100μ
ｍの範囲にある請求項２記載の基板の製造方法。
【請求項４】無機充填材が直径１〜30μｍ、長さ５μｍ
〜1mmの範囲にある繊維状無機物であり、その配合量が
組成物全重量に対して１〜60重量％である請求項１記載
の基板の製造方法。
【請求項５】無機充填材が周期律表II族元素及びその酸
化物、硫酸塩、リン酸塩、珪酸塩、炭酸塩、又はアルミ
ニウム、珪素、スズ、鉛、アンチモン、ビスマスの元素
及びその酸化物からなる群より選ばれた１種又は２種以
上の微粉状無機充填材と繊維状無機物とを併用したもの
であり、これらの総配合量が組成物全重量に対して85重
量％以下である請求項１記載の基板の製造方法。
【請求項６】繊維状無機物がガラス繊維、ミルドガラス
ファイバー又はチタン酸カリウム繊維である請求項４又
は５記載の基板の製造方法。
【請求項７】基板が射出成形、押出成形及び圧縮成形の
うちから選ばれる成形加工手段により成形されたもので
ある請求項１記載の基板の製造方法。
【請求項８】基板がピングリッドアレイ（PGA）用又は
成形プリント配線用基板である請求項１記載の基板の製
造方法。
【請求項９】基板が立体形状、フィルム状又はシート状
である請求項１記載の基板の製造方法。
【請求項１０】請求項１〜９の何れかの製造方法により
得られたサブトラクティブ法により精密細線回路形成可
能な基板。