TWI652141B - 使用積層製造製程的具複合材料特性的cmp襯墊建構 - Google Patents
使用積層製造製程的具複合材料特性的cmp襯墊建構 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI652141B TWI652141B TW104118517A TW104118517A TWI652141B TW I652141 B TWI652141 B TW I652141B TW 104118517 A TW104118517 A TW 104118517A TW 104118517 A TW104118517 A TW 104118517A TW I652141 B TWI652141 B TW I652141B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- polishing pad
- features
- polishing
- pad
- abrasive
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/205—Lapping pads for working plane surfaces provided with a window for inspecting the surface of the work being lapped
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D18/00—Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for
- B24D18/0045—Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for by stacking sheets of abrasive material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/22—Lapping pads for working plane surfaces characterised by a multi-layered structure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/26—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D18/00—Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for
- B24D18/0018—Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for by electrolytic deposition
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
- B24D3/02—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
- B24D3/04—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially inorganic
- B24D3/14—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially inorganic ceramic, i.e. vitrified bondings
- B24D3/18—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially inorganic ceramic, i.e. vitrified bondings for porous or cellular structure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
- B24D3/02—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
- B24D3/20—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially organic
- B24D3/22—Rubbers synthetic or natural
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C64/00—Additive manufacturing, i.e. manufacturing of three-dimensional [3D] objects by additive deposition, additive agglomeration or additive layering, e.g. by 3D printing, stereolithography or selective laser sintering
- B29C64/10—Processes of additive manufacturing
- B29C64/106—Processes of additive manufacturing using only liquids or viscous materials, e.g. depositing a continuous bead of viscous material
- B29C64/112—Processes of additive manufacturing using only liquids or viscous materials, e.g. depositing a continuous bead of viscous material using individual droplets, e.g. from jetting heads
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
- B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
- B33Y10/00—Processes of additive manufacturing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
- B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
- B33Y80/00—Products made by additive manufacturing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
本揭示之實施例大體而言提供包括複合襯墊主體的研磨墊及形成該研磨墊的方法。一個實施例提供包括複合襯墊主體的研磨墊。該複合襯墊主體包括一個或更多個由第一材料或第一材料組成物形成的第一特徵,及一個或更多個由第二材料或第二材料組成物形成的第二特徵,其中該一個或更多個第一特徵和該一個或更多個第二特徵是藉由沉積複數個包含該第一材料或第一材料組成物和第二材料或第二材料組成物的層所形成的。
Description
本文揭示的實施例大體而言係關於化學機械研磨(CMP)製程中使用的研磨物件之製造。更具體言之,本文揭示的實施例係關於複合研磨墊。
化學機械研磨(CMP)普遍用於在半導體元件的製造過程中平坦化基板。在CMP過程中,將被處理的基板固定在承載頭上,且使元件表面對著旋轉的研磨墊放置。承載頭在基板上提供可控制的負載,以對著研磨墊推壓元件表面。通常將研磨液(例如具有研磨顆粒的漿料)供應到研磨墊的表面。研磨墊是消耗品,因為在研磨某些數量的基板之後通常會被磨損並需要更換。
研磨墊通常是藉由模製、鑄造或燒結聚氨甲酸乙酯材料製成的。在模製的情況下,研磨墊可在一個時間製成,例如藉由注射成型。在鑄造的情況下,將液體前驅物澆鑄及固化成餅狀物,隨後該餅狀物被切成個別的墊片。然後,這些墊片可以被加工成最終的厚度。凹槽可以被加工到研磨表面中,或作為注射成型製程的一部分被形成。這些製造研磨墊的方法昂貴又耗時。藉由這些方法製造的研磨墊往往會產生不均勻的研磨結果。例如,在CMP
過程中,基板上的不同區域可能會被以不同的速率研磨,導致一些區域中過多的材料被去除(「過度研磨」)或其他區域中太少的材料被去除(「研磨不足」)。
因此,需要一種提供改良的研磨均勻性的研磨墊及用於製作改良的研磨墊的方法。
本揭示之實施例大體而言提供包括複合襯墊主體的研磨墊及形成該研磨墊的方法。
一個實施例提供包括複合襯墊主體的研磨墊。該複合襯墊主體包括一個或更多個由第一材料或第一材料組成物形成的第一特徵,及一個或更多個由第二材料或第二材料組成物形成的第二特徵,其中該一個或更多個第一特徵和該一個或更多個第二特徵是藉由沉積複數個包含該第一材料或第一材料組成物和第二材料或第二材料組成物的層所形成的。
另一個實施例提供一種形成研磨墊的方法。該方法包括使用3D列印機沉積複數個複合層,直到達到目標厚度。沉積該複數個複合層中的每個層包含以下步驟:在一個或更多個第一區域上沉積第一材料或第一材料組成物,及在該一個或更多個第二區域上沉積第二材料或第二材料組成物,其中該一個或更多個第一區域及該一個或更多個第二區域形成連續區域。該方法進一步包括固化該等複合層以形成複合襯墊主體,該複合襯墊主體具有一個或更多個該第一材料或第一材料組成物之第一特徵及一個或
更多個該第二材料或第二材料組成物之第二特徵,其中該一個或更多個第一特徵和該一個或更多個第二特徵形成單一主體。
另一個實施例提供一種具有複合襯墊主體的研磨墊。該複合襯墊主體包括形成研磨表面的複數個研磨特徵,其中該複數個研磨特徵係由第一材料形成;以及一個或更多個由第二材料形成的基部特徵,其中該一個或更多個基部特徵聯合圍繞該複數個研磨特徵以形成單一主體。
一個實施例提供包含複合研磨襯墊主體的研磨墊。該複合研磨主體包含一個或更多個由第一材料形成的第一特徵,及一個或更多個由第二材料形成的第二特徵。該一個或更多個第一特徵和該一個或更多個第二特徵是藉由沉積複數個包含該第一材料和該第二材料的層所形成的。
在一個實施例中,該第一材料包含第一材料組成物,該第一材料組成物係藉由沉積第三材料和第四材料的液滴所形成的。在一個實施例中,該第二材料包含第二材料組成物,該第二材料組成物係藉由沉積第五材料和第六材料的液滴所形成的。
又另一個實施例提供一種形成研磨墊的方法。該方法包括使用3D列印機沉積複數個複合層,以達到目標厚度。沉積該複數個複合層包含以下步驟:在表面的一個或更多個第一區域上沉積第一材料,及在該表面的一個或更多個第二區域上沉積第二材料,其中該一個或更多個第
一區域及該一個或更多個第二區域形成該複數個複合層之每一層的連續部分。該方法進一步包括固化該複數個複合層以形成複合襯墊主體,該複合襯墊主體具有一個或更多個包含該第一材料的第一特徵及一個或更多個包含該第二材料的第二特徵。該一個或更多個第一特徵和該一個或更多個第二特徵形成單一主體。
100‧‧‧研磨站
102‧‧‧平臺
104‧‧‧中心軸
106‧‧‧研磨墊
108‧‧‧承載頭
110‧‧‧基板
112‧‧‧研磨表面
114‧‧‧中心軸
116‧‧‧研磨流體
118‧‧‧輸送臂
200‧‧‧研磨墊
200b‧‧‧研磨墊
200c‧‧‧研磨墊
200d‧‧‧研磨墊
202‧‧‧複合襯墊主體
204‧‧‧硬特徵
204b‧‧‧硬特徵
204c‧‧‧硬特徵
204d‧‧‧硬特徵
206‧‧‧彈性特徵
206b‧‧‧彈性特徵
206c‧‧‧彈性特徵
206d‧‧‧彈性特徵
208‧‧‧上表面
210‧‧‧高度
212‧‧‧高度
214‧‧‧寬度
216‧‧‧間距
218‧‧‧凹槽
220‧‧‧垂直脊
222‧‧‧垂直凹槽
224‧‧‧側壁
225‧‧‧凹陷側壁
226‧‧‧水平脊
227‧‧‧水平凹槽
300‧‧‧研磨墊
300b‧‧‧研磨墊
300c‧‧‧研磨墊
302‧‧‧表面特徵
302b‧‧‧表面特徵
302c‧‧‧表面特徵
304‧‧‧基材層
304b‧‧‧基材層
304c‧‧‧基材層
306‧‧‧上表面
310‧‧‧垂直脊
312‧‧‧垂直凹槽
314‧‧‧水平脊
316‧‧‧水平凹槽
400‧‧‧研磨墊
402‧‧‧基層
404‧‧‧硬特徵
406‧‧‧表面特徵
408‧‧‧外表面
500‧‧‧研磨墊
502‧‧‧襯墊主體
504‧‧‧硬特徵
506‧‧‧彈性特徵
510‧‧‧觀察窗
600‧‧‧研磨墊
602‧‧‧表面特徵
604‧‧‧基材層
606‧‧‧背托層
700‧‧‧研磨墊
702‧‧‧複合襯墊主體
704‧‧‧背托層
706‧‧‧外邊緣區域
708‧‧‧中央區域
710‧‧‧內邊緣區域
802‧‧‧表面特徵
804‧‧‧表面特徵
806‧‧‧基材層
808‧‧‧基材層
810‧‧‧鎖定層
900‧‧‧研磨墊
902‧‧‧研磨表面
904‧‧‧研磨表面
1000‧‧‧研磨墊
1002‧‧‧複合襯墊主體
1004‧‧‧複合襯墊主體
1006‧‧‧複合襯墊主體
1008‧‧‧鎖定特徵
1010‧‧‧鎖定特徵
1200‧‧‧3D列印站
1202‧‧‧支座
1204‧‧‧電子控制器
1206‧‧‧液滴噴射列印機
1208‧‧‧列印頭
1210‧‧‧噴嘴
1212‧‧‧噴嘴
1214‧‧‧列印頭
1300‧‧‧研磨墊
1304a‧‧‧硬特徵
1304b‧‧‧硬特徵
1306‧‧‧彈性特徵
1316‧‧‧液滴
1318‧‧‧液滴
1400a-1400o‧‧‧研磨墊設計
1402a-1402o‧‧‧研磨特徵
1404a-1404o‧‧‧基部特徵
1500a‧‧‧像素圖
1500b‧‧‧像素圖
1600a‧‧‧像素圖
1600b‧‧‧像素圖
1700a‧‧‧像素圖
1700b‧‧‧像素圖
1800a‧‧‧像素圖
1800b‧‧‧像素圖
1900‧‧‧承載頭組件
1901‧‧‧驅動系統
1902‧‧‧CMP站
1904‧‧‧特徵
1906‧‧‧黏著層
1907‧‧‧背托層
1908‧‧‧基座
1911‧‧‧平臺組件
1913‧‧‧襯墊組件
1914‧‧‧基板
1917‧‧‧噴嘴
1921‧‧‧承載頭
1925‧‧‧處理表面
1938‧‧‧軸承
1941‧‧‧研磨流體
1948‧‧‧研磨流體源
1951‧‧‧圖案化表面
1955‧‧‧調理裝置
1958‧‧‧平臺端緣
1959‧‧‧電磁能量源
1960‧‧‧電磁能量束
2000A‧‧‧襯墊製造系統
2000B‧‧‧襯墊製造系統
2002‧‧‧進料區段
2004‧‧‧列印區段
2006‧‧‧硬化區段
2008‧‧‧列印墊
2009‧‧‧捲繞區段
2010‧‧‧輸送帶
2011‧‧‧控制器
2012‧‧‧捲筒
2014‧‧‧輥
2015‧‧‧驅動馬達
2016‧‧‧供應輥
2017‧‧‧背托材料
2018‧‧‧進料輥
2020‧‧‧運動控制裝置
2022‧‧‧前處理裝置
2024‧‧‧3D列印站
2024A‧‧‧3D列印站
2024B‧‧‧3D列印站
2025‧‧‧材料源
2026‧‧‧列印頭
2027‧‧‧列印頭
2028‧‧‧圖案化表面
2029‧‧‧研磨物件
2030‧‧‧可移動平台
2032‧‧‧運動控制裝置
2033‧‧‧硬化裝置
2034‧‧‧殼體
2036‧‧‧雷射光源
2038‧‧‧電子束發射器
2040‧‧‧捲取輥
2042‧‧‧運動控制裝置
2044‧‧‧前處理區段
2046‧‧‧狹縫/模具塗佈機
2048‧‧‧硬化站
2050‧‧‧電磁能量源
2052‧‧‧熱硬化裝置
2100‧‧‧支座
2102‧‧‧研磨墊
2105‧‧‧研磨層
2110‧‧‧液滴
2111‧‧‧控制器
2115‧‧‧液滴噴射列印機
2120A‧‧‧層
2120B‧‧‧層
2122‧‧‧層
2125‧‧‧固化材料
2126‧‧‧噴嘴
2126A‧‧‧列印頭
2126B‧‧‧列印頭
2130‧‧‧子層
2132‧‧‧研磨墊
2135‧‧‧噴嘴
2140‧‧‧液滴
2145‧‧‧研磨顆粒
2150‧‧‧結構
2155‧‧‧凹槽
2200‧‧‧研磨墊
2205‧‧‧研磨表面
2210‧‧‧第一材料
2212‧‧‧第二材料
2219‧‧‧黏著劑
2222‧‧‧背托材料
2232‧‧‧孔
2270‧‧‧研磨材料
為詳細瞭解上述本揭示之特徵,可參照實施例(其中一些圖示於附圖中)而對以上簡要概述的本揭示作更特定的描述。然而,應注意的是,附圖僅圖示本揭示之典型實施例,因此不應將該等附圖視為限制本揭示之範圍,因本揭示可認可其他等同有效的實施例。
第1圖為研磨站之示意性剖視圖。
第2A圖為依據本揭示之一實施例的研磨墊之示意性立體剖視圖。
第2B圖為依據本揭示之一實施例的研磨墊之示意性局部俯視圖。
第2C圖為依據本揭示之一實施例的研磨墊之示意性局部剖視圖。
第2D圖為依據本揭示之一實施例的研磨墊之示意性局部剖視圖。
第3A圖為依據本揭示之一實施例的研磨墊之示意性立體剖視圖。
第3B圖為依據本揭示之一實施例的研磨墊之示意性局部俯視圖。
第3C圖為依據本揭示之一實施例的研磨墊之示意性局部剖視圖。
第4圖為依據本揭示之一實施例的研磨墊之示意性立體剖視圖。
第5圖為依據本揭示之一實施例具有一個或更多個觀察窗的研磨墊之示意性立體剖視圖。
第6圖為依據本揭示之一實施例包括支撐泡沫層的研磨墊之示意性立體剖視圖。
第7圖為依據本揭示之一實施例具有多個區域的研磨墊之示意性剖視圖。
第8圖為依據本揭示之一實施例的第7圖研磨墊之局部放大剖視圖。
第9圖為依據本揭示之一實施例的研磨墊之示意性立體剖視圖。
第10圖為依據本揭示之一實施例的研磨墊之示意性立體剖視圖。
第11圖為第10圖的研磨墊之局部剖視圖。
第12圖為依據本揭示之一實施例用於製造研磨墊的設備之示意性剖視圖。
第13圖為依據本揭示之一實施例具有從兩種材料的組成物形成的特徵的研磨墊之示意性局部剖視圖。
第14A圖至第14O圖為依據本揭示之至少一個實施例的研磨墊設計之示意圖。
第15A圖和第15B圖為依據本揭示之至少一個實施例具有複合特徵的研磨墊之示意圖。
第16A圖和第16B圖為依據本揭示之至少一個實施例具有複合特徵的研磨墊之示意圖。
第17A圖和第17B圖為依據本揭示之至少一個實施例具有複合特徵的研磨墊之示意圖。
第18A圖和第18B圖為依據本揭示之至少一個實施例具有複合特徵的研磨墊之示意圖。
第19圖為依據本揭示之一實施例的研磨站之示意性剖視圖。
第20A圖為依據本揭示之一實施例的研磨墊製造系統之示意性立體圖。
第20B圖為依據本揭示之另一個實施例的研磨墊製造系統之示意圖。
第21A圖為依據本揭示之一實施例的3D列印站之示意圖。
第21B圖為依據本揭示之另一個實施例的3D列印站之示意圖。
第22圖為依據本揭示之一實施例的研磨墊之示意性立體圖。
為了便於理解,已在可能處使用共通的語詞來指稱對於圖式為共通的相同元件。構思的是,可以將在一
個實施例中揭示的元件有益地用於其他實施例中而無需進一步詳述。
本揭示係關於研磨物件及製造該研磨物件之方法、以及研磨基板及在研磨基板之前、過程中及之後調理研磨物件的方法。
本揭示的實施例提供具有複合襯墊主體的研磨墊。複合襯墊主體包括由至少兩種不同的材料形成的個別特徵。依據本揭示的實施例,研磨墊可以藉由三維(3D)列印製程生產。例如,複合襯墊主體可以以3D列印機藉由連續沉積複數個層來形成,其中每一層包含不同材料或不同材料組成物的區域。在一些實施例中,然後該複數個層可以藉由硬化處理而被固化。複合襯墊主體中的個別特徵可以同時由不同材料或不同材料組成物形成。3D列印的沉積和硬化製程允許個別的特徵被牢固地接合在一起。個別特徵的幾何形狀可以使用3D列印製程輕易地控制。藉由選擇不同的材料或不同的材料組成物,個別的特徵可以具有不同的機械、物理、化學、及/或幾何性質,以獲得目標的襯墊性質。在一個實施例中,複合主體可以由具有不同機械性質的黏彈性材料形成。例如,複合主體可以由具有不同存儲模數及不同損耗模數的黏彈性材料形成。結果,複合襯墊主體可以包括一些由第一材料或第一材料組成物形成的彈性特徵及一些由比該第一材料或該第一材料組成物更硬的第二材料或第二材料組成物形成的硬特徵。
第1圖為研磨站100的示意性剖視圖。研磨站100可被用於研磨系統,以進行基板研磨。研磨站100包括平臺102。平臺102可以圍繞中心軸104旋轉。研磨墊106可被放在平臺102上。依據本揭示的實施例,研磨墊106可以包括複合研磨主體。研磨墊106包括設以接觸和處理基板的研磨表面112。平臺102支撐研磨墊106並在研磨期間旋轉研磨墊106。承載頭108可以對著研磨墊106的研磨表面112固持被處理的基板110。承載頭108可以圍繞中心軸114旋轉及/或以掃過的動作移動,以在基板110和研磨墊106之間產生相對運動。在研磨過程中,可以將諸如研磨漿的研磨流體116藉由輸送臂118供應到研磨表面112。研磨液116可以含有研磨顆粒、酸鹼度調節劑及/或化學活性成份,以致能基板的化學機械研磨。
第2A圖為依據本揭示之一個實施例的研磨墊200之示意性立體剖視圖。研磨墊200可被用於研磨站,例如研磨站100,用於藉由化學機械研磨研磨基板。
研磨墊200包括複合襯墊主體202。複合襯墊主體202包括一個或更多個硬特徵204及一個或更多個彈性特徵206。硬特徵204和彈性特徵206是邊界被接合在一起以形成複合襯墊主體202的個別特徵。在一個實施例中,硬特徵204可以具有約40蕭氏D級至約90蕭氏D級的硬度。彈性特徵206可以具有介於約26蕭氏A級至約95蕭氏A級之間的硬度值。
複合襯墊主體202可以藉由3D列印或其他適當的技術形成。複合襯墊主體202可以包括複數個層,其中依據複合襯墊主體202的設計,每一層包括藉由3D列印機沉積的彈性特徵206區域及/或硬特徵204區域。然後該複數個層可以被硬化,例如藉由UV光或藉由熱源,以固化並實現目標硬度。沉積和硬化之後便形成了包括被耦接或接合在一起的硬特徵204和彈性特徵206的單一複合襯墊主體202。
可以選擇具有不同機械性質的材料用於彈性特徵206和硬特徵204,以實現目標的研磨製程。彈性特徵206和硬特徵204的動態機械性質可以藉由選擇不同的材料及/或選擇特徵形成製程過程中使用的不同硬化製程來實現。在一個實施例中,彈性特徵206可以具有較低的硬度值和較低的楊氏模數值,而硬特徵204可以具有較高的硬度值和較高的楊氏模數值。在另一個實施例中,諸如存儲模數和損耗模數等動態機械性質可以在每個特徵內被調整或控制及/或藉由彈性特徵206和硬特徵204在研磨墊的研磨表面內或各處的實體佈局、圖案或組合來調整或控制。
硬特徵204可以由一種或更多種聚合物材料形成。硬特徵204可以由單一聚合物材料或兩種或更多種聚合物的混合物形成,以實現目標性質。在一個實施例中,硬特徵204可以由一種或更多種熱塑性聚合物形成。硬特徵204可以由熱塑性聚合物形成,例如聚氨甲酸乙酯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚丙烯腈、聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯三
氟乙烯、聚四氟乙烯、聚甲醛、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚伸苯硫、聚醚碸、丙烯腈丁二烯苯乙烯(ABS)、聚醚醯亞胺、聚醯胺、三聚氰胺、聚酯、聚碸、聚乙酸乙烯酯、氟化烴、及類似物、以及上述之丙烯酸酯、共聚物、移植物、及混合物。在一個實施例中,硬特徵204可以由丙烯酸酯形成。例如,硬特徵204可以是聚氨甲酸乙酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、或聚酯丙烯酸酯。在另一個實施例中,硬特徵204可以包括一種或更多種熱固性聚合物,例如環氧樹脂、酚醛樹脂、胺類、聚酯、胺甲酸乙酯、矽、以及上述之丙烯酸酯、混合物、共聚物及移植物。
在一個實施例中,硬特徵可以由模擬塑膠3D列印材料形成。在一個實施例中,研磨顆粒可以被嵌入硬特徵204中,以增強研磨製程。包含研磨顆粒的材料可以是金屬氧化物,例如氧化鈰、氧化鋁、二氧化矽、或上述之組合、聚合物、介金屬或陶瓷。
彈性特徵206可以由一種或更多種聚合物材料形成。彈性特徵206可以由單一聚合物材料或兩種以上的聚合物之混合物形成,以實現目標性質。在一個實施例中,彈性特徵206可以由一種或更多種熱塑性聚合物形成。例如,彈性特徵206可以由熱塑性聚合物形成,例如聚氨甲酸乙酯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚丙烯腈、聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯三氟乙烯、聚四氟乙烯、聚甲醛、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚伸苯硫、聚醚碸、丙烯腈丁二烯苯乙烯(ABS)、聚醚醯亞胺、聚醯胺、三聚氰胺、聚酯、
聚碸、聚乙酸乙烯酯、氟化烴、及類似物、以及上述之丙烯酸酯、共聚物、移植物、及混合物。在一個實施例中,彈性特徵206可以由丙烯酸酯形成。例如,彈性特性206可以是聚氨甲酸乙酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、或聚酯丙烯酸酯。在另一個實施例中,彈性特徵206可以由熱塑性彈性體形成。在一個實施例中,彈性特徵206可以由類橡膠3D列印材料形成。
硬特徵204通常比彈性特徵206更硬且更剛性,而彈性特徵206比硬特徵204更柔軟且更彈性。可以選擇硬特徵204和彈性特徵206的材料和圖案,以實現研磨墊200的「調整」塊體材料。使用此「調整」塊體材料形成的研磨墊200具有各種優點,例如改良的研磨結果、降低的製造成本、延長的襯墊壽命。在一個實施例中,「調整」塊體材料或研磨墊整體可以具有介於約65蕭氏A至約75蕭氏D之間的硬度。研磨墊的拉伸強度可以介於5MPa至約75MPa之間。研磨墊可以具有約5%至約350%的斷裂伸長率。研磨墊可以具有高於約10mPa的剪切強度。研磨墊可以具有介於約5MPa至約2000MPa之間的存儲模數。研磨墊在25℃至90℃的溫度範圍間可以具有穩定的存儲模數,使得E30/E90的存儲模數比率落在約6至約30間的範圍內,其中E30是在30℃下的存儲模數,而E90是在90℃下的存儲模數。
在一個實施例中,硬特徵204和彈性特徵206的材料對於研磨漿具有耐化學侵蝕性。在另一個實施例中,硬特徵204和彈性特徵206的材料是親水性的。
在一個實施例中,硬特徵204和彈性特徵206可以是被交替排列以形成圓形複合襯墊主體202的交替同心環。在一個實施例中,硬特徵204的高度210高於彈性特徵206的高度212,使得硬特徵204的上表面208從彈性特徵206突出。凹槽218或通道被形成在硬特徵204和彈性特徵206之間。在研磨過程中,硬特徵204的上表面208形成接觸基板的研磨表面,而凹槽218保留研磨流體。在一個實施例中,硬特徵204在垂直於平行複合襯墊主體202的平面的方向上比彈性特徵206更厚,使得凹槽218及/或通道被形成在複合襯墊主體202的頂表面上。
在一個實施例中,硬特徵204的寬度214可以介於約250微米至約2毫米之間。硬特徵204之間的間距216可以介於約0.5毫米至約5毫米之間。每個硬特徵204可以具有在約250微米至約2毫米間的範圍內的寬度。寬度214及/或間距216可以橫跨研磨墊200的半徑變化到不同硬度的區域。
與傳統的研磨墊相比,本揭示的複合研磨墊200具有幾個優點。通常傳統的研磨墊包括的研磨層具有紋理化的研磨表面及/或由軟質材料(例如泡沫材料)形成的子墊支撐的研磨材料,以獲得用於研磨基板的目標硬度或楊氏模數。藉由選擇具有各種機械性質(例如楊氏模數、
存儲模數及損耗模數)的材料及調整特徵的尺寸和間距或改變不同特徵的配置,可以在不使用子墊之下在複合襯墊主體202中實現理想的硬度、動態性質及/或機械性質。因此,研磨墊200藉由免除子墊而降低了所有權成本。此外,研磨墊200的硬度和研磨性可以藉由混合具有不同硬度和研磨性的特徵來調整,從而改良研磨性能。
依據本揭示的複合研磨墊可以藉由圖案變化及/或特徵尺寸的變化而在表面特徵(例如硬特徵204)和基材(例如彈性特徵206)各處具有可變的機械性質,例如楊氏模數或存儲模數及損耗模數。在研磨墊各處的機械性質可以是對稱或是非對稱的、均勻或不均勻的,以實現目標性質。依據實現的目標性質,例如預定的機械性質,例如楊氏模數或存儲模數和損耗模數,在研磨墊各處的表面特徵之圖案可以是放射狀的、同心的、矩形的、或不規則的。
在一個實施例中,可以將硬特徵和彈性特徵互鎖,以改良複合研磨墊的強度並提高複合研磨墊的實體完整性。互鎖的硬特徵和彈性特徵可以提高研磨墊的剪切強度及/或拉伸強度。
第2B圖為依據本揭示之一個實施例的研磨墊200b之示意性局部俯視圖。研磨墊200b類似於第2A圖的研磨墊200,不同之處僅在於研磨墊200b包括互鎖的硬特徵204b和彈性特徵206b。硬特徵204b和彈性特徵206b可以形成複數個同心環。在一個實施例中,硬特徵204b可
以包括突出的垂直脊220,而彈性特徵206b可以包括用於接收垂直脊220的垂直凹槽222。或者,彈性特徵206b可以包括突出脊,而硬特徵204b包括凹槽。藉由使彈性特徵206b與硬特徵204b互鎖,研磨墊200b將具有比在CMP製程及/或材料處理的過程中可能產生的施加剪切力更強的機械強度。
第2C圖為依據本揭示之一個實施例的研磨墊200c之示意性局部剖視圖。研磨墊200c類似於第2A圖的研磨墊200,不同之處僅在於研磨墊200c包括互鎖的硬特徵204c和彈性特徵206c。硬特徵204c和彈性特徵206c可以包括複數個同心環。在一個實施例中,硬特徵204c可以包括突出的側壁224,而彈性特徵206c可以包括用以接收硬特徵204c的凹陷側壁225。或者,彈性特徵206c可以包括突出的側壁,而硬特徵204c包括凹陷的側壁。藉由使彈性特徵206c藉由突出側壁與硬特徵204c互鎖,研磨墊200c獲得了增加的拉伸強度。此外,互鎖的側壁防止研磨墊200c被拉開。
第2D圖為依據本揭示之一個實施例的研磨墊之示意性局部剖視圖。研磨墊200d類似於第2C圖的研磨墊200c,不同之處僅在於研磨墊200d包括不同設置的互鎖特徵。研磨墊200d可以包括硬特徵204d和彈性特徵206d。硬特徵204d和彈性特徵206d可以包括複數個同心環。在一個實施例中,硬特徵204d可以包括水平脊226,而彈性特徵206d可以包括用以接收硬特徵204d之水平脊
226的水平凹槽227。或者,彈性特徵206d可以包括水平脊,而硬特徵204d包括水平凹槽。在一個實施例中,可以將垂直互鎖特徵(例如第2B圖的互鎖特徵)和水平互鎖特徵(例如第2C圖和第2D圖的互鎖特徵)組合以形成研磨墊。
第3A圖為依據本揭示之一個實施例的研磨墊300之示意性立體剖視圖。研磨墊300包括複數個從基材層304延伸的表面特徵302。表面特徵302的上表面306形成研磨表面,用於在研磨期間與基板接觸。表面特徵302和基材層304具有不同的性質。例如,表面特徵302可以由硬質材料形成,例如用於研磨墊200之硬特徵204的材料,而基材層304可以由彈性材料形成,例如用於研磨墊200之彈性特徵206的材料。與研磨墊200類似,研磨墊300可以藉由3D列印形成。
在一個實施例中,表面特徵302可以具有大致上相同的尺寸。或者,表面特徵302的尺寸可以改變,以在研磨墊300各處形成不同的機械性質,例如不同的楊氏模數或不同的存儲模數和不同的損耗模數。
在一個實施例中,表面特徵302可以均勻地分佈在研磨墊300各處。或者,表面特徵302可以被配置在不均勻的圖案中,以在研磨墊300中實現目標性質。
在第3A圖中,表面特徵302被圖示為從基材層304突出的圓柱。或者,表面特徵302可以具有任何適當的形狀,例如具有橢圓形、方形、矩形、三角形、多角形、
或不規則剖面的柱狀物。在一個實施例中,表面特徵302可以具有不同的形狀,以調整研磨墊300的硬度。
第3B圖為依據本揭示之一個實施例的研磨墊300b之示意性局部俯視圖。研磨墊300b類似於第3A圖的研磨墊300,不同之處僅在於研磨墊300b包括複數個與基材層304b互鎖的表面特徵302b。在一個實施例中,複數個表面特徵302b中每一個都可以包括突出的垂直脊310,而基材層304b可以包括用於接收垂直脊310的垂直凹槽312。或者,基材層304b可以包括突出脊,而表面特徵302b包括凹槽。藉由使表面特徵302b與基材層304b互鎖,研磨墊300b在施加的剪切力下變成機械強度更強。
第3C圖為依據本揭示之一個實施例的研磨墊300c之示意性局部剖視圖。研磨墊300c類似於第3A圖的研磨墊300,不同之處僅在於研磨墊300c包括複數個與基材層304c互鎖的表面特徵302c。在一個實施例中,複數個表面特徵302c中每一個都可以包括突出的水平脊314,而基材層304c可以包括用於接收水平脊314的水平凹槽316。或者,基材層304c可以包括突出脊,而表面特徵302c包括凹槽。藉由使用突出的側壁使基材層304c與表面特徵302c互鎖,研磨墊300c獲得了增強的拉伸強度。此外,互鎖的側壁防止研磨墊300c在CMP處理的過程中或在CMP墊的處理期間被拉開。
在另一個實施例中,可以將垂直互鎖特徵(例如第3B圖的互鎖特徵)和水平互鎖特徵(例如第3C圖的互鎖特徵)組合以形成研磨墊。
第4圖為依據本揭示之一個實施例的研磨墊400之示意性立體剖視圖。研磨墊400包括柔軟和彈性的基層402,基層402與研磨墊200之彈性特徵206類似。與彈性特徵206類似,基層402可以由一種或更多種彈性體聚合物形成。研磨墊400包括複數個從基層402延伸的表面特徵406。表面特徵406的外表面408可以由軟質材料或軟質材料的組成物形成。在一個實施例中,表面特徵406的外表面408可以由與基層402相同的材料或相同的材料組成物形成。表面特徵406還可以包括嵌入其中的硬特徵404。硬特徵404可以由比表面特徵406更硬的材料或材料組成物形成。硬特徵404可以由與研磨墊200之硬特徵204的材料類似的材料形成。嵌入的硬特徵404改變了表面特徵406的有效硬度,並因此提供研磨所需的目標襯墊硬度。外表面408的軟聚合層可被用來減少缺陷並改良被研磨的基板上的平坦化。或者,軟聚合物材料可被列印在本揭示之其他研磨墊的表面上,以提供同樣的效益。
第5圖為具有一個或更多個觀察窗510的研磨墊500之示意性立體剖視圖。研磨墊500可以具有襯墊主體502。襯墊主體502可以包括一個或更多個彈性特徵506及複數個從彈性特徵506延伸用於研磨的硬特徵504。彈性特徵506和硬特徵504可以由與用於研磨墊200的彈性特
徵206和硬特徵204的材料類似的材料形成。依據本揭示,硬特徵504可被設置在任何適當的圖案中。
一個或更多個觀察窗510可以由透明材料形成,以允許觀察被研磨的基板。觀察窗510可以被形成通過及/或鄰接部分的彈性特徵506或硬特徵504。在一些實施例中,觀察窗510可以由大體上透明的材料形成,並因此能夠透射從CMP光學終點檢測系統中使用的雷射及/或白色光源發射的光。在一個實施例中,觀察窗510可以由透明3D列印光聚合物形成。在一個實例中,觀察窗510可以由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)形成。在一些實施例中,觀察窗510是由具有低折射率的材料形成,該低折射率與研磨漿的折射率大約相同,並且該材料具有高的光學透明度,以減少來自空氣/窗/水界面的反射,並改良光進出基板時通過觀察窗510的透射。光學透明度應足夠高,以在終點檢測系統的光檢測器使用的光束之波長範圍間提供至少約25%(例如至少約50%、至少約80%、至少約90%、至少約95%)的光透射。典型的光學終點檢測波長範圍包括可見光譜(例如從約400nm至約800nm)、紫外(UV)光譜(例如從約300nm至約400nm)、及/或紅外光譜(例如從約800nm至約1550nm)。
第6圖為包括背托層606的研磨墊600之示意性立體剖視圖。研磨墊600包括基材層604及複數個從基材層604突出的表面特徵602。研磨墊600可以類似於上述的研磨墊200、300、400、500,不同之處僅在於使背托層
606附著於基材層604。背托層606可以提供所需的壓縮性給研磨墊600。背托層606也可被用以改變研磨墊600的整體機械性質,以實現所需的硬度及/或具有所需的動態材料性質(例如存儲模數和彈性模數)。背托層606可以具有小於80蕭氏A級的硬度值。
在一個實施例中,背托層606可以由開孔或閉孔的泡沫材料形成,例如具有空隙的聚氨甲酸乙酯或聚矽氧,使得在壓力下細孔瓦解並且背托層606壓縮。在另一個實施例中,背托層606可由天然橡膠、乙烯丙烯二烯單體(EPDM)橡膠、腈、或聚氯平(新平橡膠)形成。
第7圖為具有多個區域的研磨墊700之示意性剖視圖。研磨墊700可以被設計成在研磨過程中、在接觸基板中央區的區域和在接觸基板邊緣區的區域具有不同的性質。第7圖示意性圖示相對於研磨墊700定位基板110的承載頭108。在一個實施例中,研磨墊700可以包括被配置在背托層704上的複合襯墊主體702。複合襯墊主體702可以藉由3D列印製造。如第7圖所示,研磨墊700可以沿著研磨墊的半徑被劃分成外邊緣區域706、中央區域708及內邊緣區域710。外邊緣區域706和內邊緣區域710在研磨過程中接觸基板110的邊緣區,而中央區域708在研磨過程中接觸基板的中央區。
研磨墊700在邊緣區域706、708上具有與中央區域708不同的機械性質,例如楊氏模數或存儲模數和損
耗模數,以改良邊研磨品質。在一個實施例中,邊緣區域706、710可以具有比中央區域708更低的楊氏模數。
第8圖為研磨墊700的局部放大剖面圖,圖示用於外邊緣區域706和中央區域708的例示性設計。外邊緣區域706包括基材層806和複數個表面特徵804。表面特徵804可以由比基材層806更硬的材料形成。中央區域708包括基材層808和複數個表面特徵802。表面特徵802可以由比基材層808更硬的材料形成。在一個實施例中,中央區域708可以包括在基材層808下方的鎖定層810。鎖定層810可以由硬質材料形成,例如用於表面特徵302或硬特徵202的材料。複數個表面特徵802可被列印在鎖定層810上,以提高穩定性。如第8圖所示,在尺寸上,在中央區域708的表面特徵802大於在外邊緣區域706的表面特徵804。在一個實施例中,在外邊緣區域706的表面特徵804之間距可以小於在中央區域708的表面特徵802之間距。
第9圖為具有兩種不同研磨表面902、904的研磨墊900之示意性剖視圖。研磨墊900是包括個別特徵的複合研磨墊。研磨表面902、904可以具有不同的圖案及/或不同的硬度和研磨性。在一個實施例中,研磨表面904可以是硬的耐磨表面,用於研磨基板,並且研磨表面904可以是軟皮表面。在研磨過程中,當研磨墊900圍繞其中心軸(例如從圖式的頁面延伸出的研磨墊中心)旋轉時,基板110在研磨墊的每個旋轉過程中交替曝露於兩種研磨表面902、904。假使研磨表面902設以進行塊體研磨並且研
磨表面904設以進行軟皮研磨,則研磨墊900在每個旋轉中同時進行塊體研磨和軟皮研磨,從而使兩個研磨階段能夠同時進行。
第10圖為研磨墊1000之示意性剖視圖。研磨墊1000可以包括兩個或更多個複合襯墊主體1002、1006、1004。複合襯墊主體1002、1004、1006可以藉由3D列印形成。複合襯墊主體1002、1004、1006上可以形成有相同或不同的圖案。複合襯墊主體1002、1004、1006可以包括鎖定特徵1008、1010,以將彼此牢固地連接而形成研磨墊1000。多個複合襯墊主體的配置提供了研磨墊製造及/或運輸的靈活性。
第11圖為複合襯墊主體1002和1004的局部剖視圖,圖示依據本揭示之一個實施例的鎖定特徵。例如,鎖定特徵1008可以是水平脊,而鎖定特徵1010可以是用於接收水平脊的水平凹槽。任何適當的鎖定特徵都可被用來結合複合襯墊主體1002、1004、1006。
第12圖為依據本揭示用於製造研磨墊的3D列印站1200之示意性剖視圖。研磨墊200可以被列印在支座1202上。研磨墊200是藉由液滴噴射列印機1206從CAD(電腦輔助設計)程式形成的。在列印製程的過程中,液滴噴射列印機1206和支座1202可以相對於彼此移動。
液滴噴射列印機1206可以具有一個或更多個列印頭,該列印頭具有用於分配液體前驅物的噴嘴。在第
12圖的實施例中,液滴噴射列印機1206包括具有噴嘴1210的列印頭1208和具有噴嘴1212的列印頭1214。噴嘴1210可設以分配用於第一材料(例如軟質或彈性材料)的液體前驅物,而噴嘴1212可被用於分配用於第二材料(例如硬質材料)的液體前驅物。在其他的實施例中,液滴噴射列印機1206可以包括超過兩個列印頭,以形成具有超過兩種材料的研磨墊。液體前驅物可以只被分配在選定的位置或區域,以形成研磨墊200。這些選定的位置共同形成表面特徵和基材層的目標列印圖案,而且可以被儲存為CAD相容檔案,然後該檔案被控制液滴噴射列印機1206的電子控制器1204(例如電腦)讀取。
本文所述的3D列印製程包括、但不限於多噴射沉積、噴墨列印、熔融沉積模製、黏結劑噴射、粉末床融合、選擇性雷射燒結、立體微影術、桶槽光聚合數位光處理、片材層壓、定向能量沉積、以及其他3D沉積或列印製程。
3D列印之後,研磨墊可以藉由硬化來固化。硬化可以藉由將列印的研磨墊加熱到硬化溫度來進行。或者,硬化可以藉由使列印的研磨墊曝露於由紫外光源產生的紫外光束來進行。
3D列印提供方便且高度可控的製程用於生產具有由不同材料及/或不同材料組成物形成的個別特徵的研磨墊。在一個實施例中,研磨墊的彈性特徵及/或硬特徵可以由單一材料形成。例如,研磨墊的彈性特徵可以由分
配自列印頭1210的第一材料形成。研磨墊的硬特徵可以由分配自列印頭1212的第二材料之液滴形成。
在另一個實施例中,彈性特徵及/或硬特徵可以由兩種或更多種材料的混合物形成。第13圖為具有由兩種材料的組成物形成的硬特徵1304a、1304b的研磨墊1300之示意性局部剖視圖。硬特徵1304a、1304b可以由第一材料和第二材料的混合物形成。第一材料可以被第一列印頭(例如列印頭1210)以液滴1316的形式分配,並且第二材料可以被第二列印頭(例如列印頭1212)以液滴1318的形式分配。為了使用液滴1316和液滴1318的混合物形成硬特徵1304a,可以先將列印頭1212與對應於硬特徵1304a的像素對齊,並將液滴1318分配在預定的像素上。然後將列印頭1210與對應於硬特徵器1304a的像素對齊,並將液滴1316分配在預定的像素上。結果,包括液滴1316和液滴1318的層被添加到硬特徵器1304a。因此,研磨墊可以由包含第一材料組成物(藉由沉積一種或更多種材料的液滴形成)的第一材料及包含第二材料組成物(藉由沉積一種或更多種不同材料的液滴形成)的第二材料形成。
可以依據第一材料和第二材料的比率及/或分佈來調整或調和硬特徵1304a、1304b的性質。在一個實施例中,硬特徵1304a、1304b的成分是藉由選擇液滴1316、1318的大小、位置、速度、及/或密度來控制。
硬特徵1304a、1304b可以具有相同的組成物。或者,每個硬特徵1304a、1304b可以具有個別的組成物。同樣地,彈性特徵1306也可以由材料的混合物形成。每個彈性特徵1306的組成物也可以被個別化以實現目標性質。即使只有使用兩種材料來形成特徵1304a、1304b,但本揭示的實施例包括使用複數種材料在研磨墊上形成特徵。在一些配置中,在平行於研磨表面的平面內及/或通過研磨墊的厚度調整研磨墊中的硬及/或彈性特徵之成分,如下面進一步討論的。
第14A-14O圖為依據本揭示之實施例的研磨墊設計之示意圖。第14A-14O圖的每個圖都包括像素圖,像素圖具有表示用於接觸和研磨基板的研磨特徵1402a-1402o的白色區域(在白色像素的區域)及表示基部特徵1404a-1404o的黑色區域(在黑色像素的區域)。研磨特徵1402a-1402o可以類似於研磨墊200的硬特徵204。基部特徵1404a-1404o可以類似於研磨墊200的彈性特徵206。白色區域通常突出於黑色區域上方,使得通道被形成在黑色區域中介於白色區域之間。在研磨過程中,研磨漿可以流過通道而且可以被保留在通道中。第14A-14O圖中圖示的研磨墊可以藉由使用3D列印機沉積複數個材料層來形成。該複數個層的每個層皆可包括兩種或更多種材料,以形成研磨特徵1402a-1404o和基部特徵1404a-1404o。在一個實施例中,在垂直於平行該複數個
材料層的平面的方向上,研磨特徵1402a-1402o可以比基部特徵1404a-1404o更厚,使得凹槽及/或通道被形成在研磨墊的頂表面上。
第14A圖為具有複數個同心研磨特徵1402a的研磨墊設計1400a之示意性像素圖。研磨特徵1402a可以是具有相同寬度的同心圓。在一個實施例中,基部特徵1404a也可以具有相同的寬度,使得研磨特徵1402a沿徑向方向的間距是固定的。在研磨過程中,研磨特徵1402a之間的通道保留研磨漿,並防止研磨漿因為研磨墊圍繞其中央軸(即同心圓的中心)旋轉所產生的離心力而快速損耗。
第14B圖為具有複數個排列成同心圓的分段研磨特徵1402b的研磨墊設計1400b之示意性像素圖。在一個實施例中,分段的研磨特徵1402b可以具有大致上相同的長度。分段的研磨特徵1402b可以形成複數個同心圓。在每個圓中,分段的研磨特徵1402b可以被平均地分配在每個同心圓內。在一個實施例中,分段的研磨特徵1402b可以在徑向方向上具有相同的寬度。在一些實施例中,分段的研磨特徵1402b每個大致具有相同的長度而與同心圓的半徑無關(例如相等的弧長,除了研磨墊的中心區域之外)。在一個實施例中,該複數個同心圓之間的基部特徵1404b也可以具有相同的寬度,使得同心圓的間距是固定的。在一個實施例中,分段的研磨特徵1402b之間的間隙
可以在圓和圓之間交錯,以防止研磨漿在研磨墊圍繞其中央軸旋轉所產生的離心力之下直接從研磨墊流出。
第14C圖為具有複數個被形成在基部特徵1404c上方的同心研磨特徵1402c的研磨墊設計1400c之示意性像素圖。第14C圖的墊設計類似於第14A圖的墊設計1400a,不同之處僅在於研磨特徵1402c的寬度沿著徑向方向逐漸改變。在一個實施例中,研磨特徵的寬度從研磨墊的中心往研磨墊的邊緣減小,而相鄰的研磨特徵1402c之間的距離保持固定。在研磨墊圍繞中心軸旋轉時,研磨特徵1402c的寬度變化可被用來補償被研磨的基板在研磨墊的各個徑向位置的線性速度之差異。
第14D圖為具有複數個被形成在基部特徵1404d上方的同心研磨特徵1402d的研磨墊設計1400d之示意性像素圖。第14D圖的墊設計類似於第14A圖的墊設計1400a,不同之處僅在於研磨特徵1402d是橢圓形而不是圓形。橢圓形研磨特徵1402d將允許研磨墊上的任何徑向位置具有多種尺寸和方向的研磨特徵,從而提高研磨均勻度。
第14E圖為具有複數個被形成在基部特徵1404e上方的同心橢圓研磨特徵1402e的研磨墊設計1400e之示意性像素圖。第14E圖的墊設計類似於第14D圖的墊設計1400d,不同之處僅在於橢圓研磨特徵1402e沿著徑向方向改變寬度。具有不同寬度的橢圓研磨特徵將
允許研磨墊上的徑向位置在研磨過程中接觸基板的研磨特徵中具有更多的變化,從而提高研磨均勻度。
第14F圖為在基部特徵1404f上方具有螺旋研磨特徵1402f的研磨墊設計1400f之示意性像素圖。在第14F圖中,研磨墊1400f具有四個從研磨墊中心延伸到研磨墊邊緣的螺旋研磨特徵1402f。即使圖示出四個螺旋研磨特徵,但可以以類似的方式配置數量更少或更多的螺旋研磨特徵1402f。螺旋研磨特徵1402f界定螺旋通道。在一個實施例中,每個螺旋研磨特徵1402f具有固定的寬度。在一個實施例中,螺旋通道還具有固定的寬度。在研磨過程中,研磨墊可以圍繞中央軸以與螺旋研磨特徵1402f的方向相反的方向旋轉,以將研磨漿保留在螺旋通道中。例如,在第14F圖中,螺旋研磨特徵1402f和螺旋通道被形成為逆時針的方向,因此在研磨過程中,研磨墊可以以順時針方向旋轉,以將研磨漿保留在螺旋通道中和在研磨墊上。在一些配置中,每個螺旋通道從研磨墊中心到研磨墊邊緣是連續的。這個連續的螺旋通道允許研磨漿連同任何研磨廢料從研磨墊中心流到研磨墊邊緣。在一個實施例中,研磨墊可以藉由以與螺旋研磨特徵1402f相同的方向(例如在第14F圖的逆時針方向)旋轉研磨墊進行清洗。
第14G圖為具有被以螺旋圖案配置在基部特徵1404g上的分段研磨特徵1402g的研磨墊設計1400g之示意性像素圖。第14G圖的研磨墊類似於第14F圖的研磨
墊,不同之處僅在於螺旋研磨特徵1402g被分段。在一個實施例中,分段的研磨特徵1402g大致上具有相同的長度。分段的研磨特徵1402g可以沿著每個螺旋研磨特徵平均分佈。在一些實施例中,分段的研磨特徵1402g可以在螺旋方向上各自具有大致上相同的長度。
第14H圖為具有被以螺旋圖案配置在基部特徵1404h上的分段研磨特徵1402h的研磨墊設計1400h之示意性像素圖。第14H圖的研磨墊類似於第14G圖的研磨墊,不同之處僅在於分段的研磨特徵1402h長度改變。在一個實施例中,分段研磨特徵1402h的長度從研磨墊的中心增加到研磨墊的邊緣區。
第14I圖為具有被以螺旋圖案配置在基部特徵1404i上的分段研磨特徵1402i的研磨墊設計1400i之示意性像素圖。第14I圖的研磨墊類似於第14G圖的研磨墊,不同之處僅在於分段研磨特徵1402i的徑向間距改變。在一個實施例中,分段研磨特徵1402i的徑向間距從研磨墊的中心減小到研磨墊的邊緣區。
第14J圖為具有被以螺旋圖案配置在基部特徵1404j上的分段研磨特徵1402j的研磨墊設計1400j之示意性像素圖。第14J圖的研磨墊類似於第14I圖的研磨墊,不同之處僅在於分段研磨特徵1402j的徑向間距從研磨墊的中心增加到研磨墊的邊緣區。
第14K圖為具有複數個被形成在基部特徵1404k中的個別研磨特徵1402k的研磨墊設計1400k之
示意性像素圖。在一個實施例中,複數個研磨特徵1402k的每一個都可以是圓柱。在一個實施例中,複數個研磨特徵1402k可以在研磨表面的平面中具有相同的尺寸。在一個實施例中,複數個圓柱形研磨特徵1402k可以被配置成同心圓。在一個實施例中,複數個圓柱形研磨特徵1402k可以被相對於研磨表面的平面配置成規則的2D圖案。
第14L圖為具有複數個被形成在基部特徵1404l上方的個別研磨特徵1402l的研磨墊設計1400l之示意性像素圖。第14L圖的研磨墊類似於第14K圖的研磨墊,不同之處僅在於第14L圖的每個個別研磨特徵1402l可以是中空的圓柱,或相對於研磨表面在其中形成有凹陷。中空圓柱允許一些研磨漿被保留在其中。
第14M圖為具有複數個被形成在基部特徵1404m上方的個別研磨特徵1402m的研磨墊設計1400m之示意性像素圖。第14M圖的研磨墊類似於第14K圖的研磨墊,不同之處僅在於第14M圖的一些研磨特徵1402m可以被連接而形成一個或更多個封閉圓圈。該一個或更多個封閉圓圈可以形成一個或更多個在研磨過程中保留研磨漿的屏障。
第14N圖為具有複數個被形成在基部特徵1404n中的個別研磨特徵1402n的研磨墊設計1400n之示意性像素圖。第14N圖的研磨墊類似於第14M圖的研磨墊,不同之處僅在於第14N圖的一些研磨特徵1402n可以被連接而形成一個或更多個螺旋鏈。該一個或更多個螺旋
鏈可以引導研磨漿的流體流動,以幫助保留研磨漿和清洗研磨墊。
第14O圖為具有複數個個別研磨特徵1402o和基部特徵1404o的研磨墊設計1400o之示意性像素圖。第14O圖的研磨墊類似於第14K圖的研磨墊,不同之處僅在於第14O圖的每個個別研磨特徵1402o具有應用材料公司的標誌的形狀。第14O圖說明的是,本揭示的實施例涵括的研磨墊具有有任何適當設計、圖案及/或配置的研磨特徵。
第14A-14O圖的設計中的研磨特徵1402a-1402o可以由相同的材料或相同的材料組成物形成。或者,第14A-14O圖的設計中的研磨特徵1402a-1402o之材料組成物及/或材料性質可以隨著研磨特徵而改變。個別化的材料組成物及/或材料性質允許研磨墊可以依據特定需求來訂製。
當研磨特徵是由兩種不同的3D列印材料形成時,研磨特徵可以藉由使用兩個列印頭列印至少兩個重疊的影像來製造。第15A-15B圖至第18A-18B圖提供具有複合研磨特徵的研磨墊之設計實例。在第15-18圖中,白色像素標記是材料液滴分配之處,而黑色像素標記在一個或更多個用以形成研磨墊的層內沒有分配材料之處。藉由使用這些技術,可以在一個或更多個用以形成完整的研磨墊之至少一部分的列印層中形成材料組成物中的梯度。可
以使用研磨墊內的一個或更多個列印層之訂製組成物來調整和訂製研磨墊的整體機械性質。
藉由使用這些技術,在一些實施例中,理想的是在垂直於研磨墊之研磨表面的方向(例如垂直於第15-18圖圖示的圖之方向)上或在研磨墊之研磨表面的平面中(例如徑向方向)在材料組成物中形成梯度。在一個實施例中,理想的是在上面討論的硬及/或彈性特徵中、在垂直於研磨墊之研磨表面的方向上、在材料組成物中形成梯度。在一個實例中,理想的是在靠近研磨墊基部(例如與研磨表面相對)的列印層中具有較高濃度的、用以形成彈性特徵的材料,並且在靠近研磨墊之研磨表面的列印層中具有較高濃度的、用以形成硬特徵的材料。在另一個實例中,理想的是在靠近研磨墊基部的列印層中具有較高濃度的、用以形成硬特徵的材料,並且在靠近研磨墊之研磨表面的列印層中具有較高濃度的、用以形成彈性特徵的材料。
堆疊的3D列印層的材料組成物及/或材料性質中的梯度可以在一個方向上從高濃度變化到低濃度,或反之亦然。在一些情況下,一個或更多個具有研磨墊的區域可以包括更複雜的濃度梯度,例如高/低/高或低/高/低的濃度梯度。在一種配置中,濃度梯度可以藉由改變所形成的研磨墊之每個連續層中第一列印成分對第二列印成分的位置及/或量來形成。例如,第一層可以具有1:1的第一列印成分對第二列印成分比率,在第二層中具有2:1的第一
列印成分對第二列印成分比率,以及在第三層中具有3:1的第一列印成分對第二列印成分比率。也可以藉由調整列印液滴在沉積層平面內的配置而在單一層的不同部分內形成梯度。
第15A圖和第15B圖為照出具有複合特徵的研磨墊之像素圖的黑白位圖影像。在第15A圖、第15B圖中,白色像素標記是分配材料液滴之處,而黑色像素標記沒有分配材料之處。第15A圖是用於研磨墊的第一材料之像素圖1500a,而第15B圖是用於相同研磨墊的第二材料之像素圖1500b。第一材料可以依照像素圖1500a藉由第一列印頭分配,而第二材料可以依照像素圖1500b藉由第二列印頭分配。這兩個列印頭將像素圖1500a、1500b重疊在一起而形成複數個個別的研磨特徵。靠近研磨墊邊緣區的研磨特徵包括比第二材料多的第一材料。靠近研磨墊中心區的研磨特徵包括比第一材料多的第二材料。在本實例中,每個研磨特徵都具有獨特的、第一材料和第二材料的組成物。
第16A圖和第16B圖為具有複合特徵的研磨墊之示意性像素圖1600a、1600b。第16A圖是用於研磨墊的第一材料之像素圖1600a,而第16B圖是用於相同研磨墊的第二材料之像素圖1600b。依照第16A圖、第16B圖的研磨墊類似於第15A圖、第15B圖的研磨墊,不同之處僅在於第16A圖、第16B圖的研磨特徵較大。
第17A圖和第17B圖為具有複合特徵的研磨墊之示意性像素圖1700a、1700b。第17A圖是用於研磨墊的第一材料之像素圖1700a,而第17B圖是用於相同研磨墊的第二材料之像素圖1700b。依照第17A圖、第17B圖的研磨墊類似於第15A圖、第15B圖的研磨墊,不同之處僅在於研磨特徵的成分橫跨研磨墊從左邊變化到右邊。
第18A圖和第18B圖為具有複合特徵的研磨墊之示意性像素圖1800a、1800b。第18A圖是用於研磨墊的第一材料之像素圖1800a,而第18B圖是用於相同研磨墊的第二材料之像素圖1800b。依照第18A圖、第18B圖的研磨墊類似於第17A圖、第17B圖的研磨墊,不同之處僅在於第17A圖、第17B圖的研磨特徵較大。
應當注意的是,研磨特徵的成分可以在任何適當的圖案中改變。雖然上述的研磨墊被圖示為由兩種材料形成,但包括三種或更多種特徵的複合研磨墊也在本揭示的範圍內。
應當注意的是,在任何研磨墊設計(例如第14A-14O圖的研磨墊)中的研磨特徵之成分可以以與第15-18圖的研磨墊類似的方式改變。
第19圖繪示具有被定位在平臺組件1911上方的承載頭組件1900的例示性CMP站1902之剖視圖。承載頭組件1900通常包含耦接到承載頭1921的驅動系統1901。驅動系統1901可以被耦接到控制器(未圖示),
控制器提供訊號給驅動系統1901,用於控制承載頭1921的旋轉速度和方向。驅動系統1901通常至少對承載頭1921提供旋轉運動,而且還可以被朝向平臺組件1911致動,使得在處理過程中,被保持在承載頭1921的基板1914之特徵1904側可以被對著CMP站1902的襯墊組件1913之處理表面1925放置。典型情況下,基板1914和處理襯墊組件1913被相對於彼此轉動,以從基板1914的特徵側1904去除材料。視製程參數而定,承載頭1921被以大於、小於、或等於平臺組件1911之旋轉速度的旋轉速度轉動。承載頭組件1900也能夠保持固定,而且在處理期間可以在一個路徑上移動。在處理期間,承載頭組件1900還可以提供橫跨襯墊組件1913之處理表面1925的軌道運動或掃動。襯墊組件1913可適於使用黏著層1906可釋放地結合到平臺組件1911的上表面。襯墊組件1913通常包括處理表面1925、黏著層1906,而且可以包括可選的背托層1907。
平臺組件1911被轉動地設置在基座1908上,而且通常被軸承1938支撐在基座1908上,使得平臺組件1911可以被相對於基座1908轉動。平臺組件1911可以由剛性材料製造,例如金屬或剛性塑料,而且在一個實施例中,平臺組件1911具有由介電質材料(例如CPVC)製造或使用介電質材料塗佈的上表面。平臺組件1911可以具有圓形、矩形或其他的平面形狀。
可以從研磨流體源1948通過適當的配管和控制提供研磨流體到被定位在CMP站1902之處理襯墊組件1913上方的噴嘴1917。在第19圖圖示的實施例中,研磨流體1941是由噴嘴1917提供。研磨流體1941可以被平臺端緣1958圍阻。研磨流體1941可以是去離子水(DIW)或其他主要由水(例如DIW)組成的研磨流體、或是在DIW中夾帶有研磨顆粒的漿液。
襯墊組件1913的處理表面1925可以進一步包括形成在處理表面1925之上表面上的圖案化表面1951,以便利基板1914的研磨。圖案化表面1951的圖案可以包括複數個延伸於處理表面1925上方的小突出物。該等突出物可以採用任何幾何形狀,例如橢圓形、圓形、矩形、六邊形、八邊形、三角形、或上述形狀之組合,而且可以如本文所述藉由三維列印製程形成。圖案化表面1951可以使用被定位來與襯墊組件1913的處理表面1925互動的調理裝置1955維護及/或更新。在一個實施例中,調理裝置1955包含電磁能量源1959。在一個實施例中電磁能量源1959是雷射,並被用來朝向處理表面1925發射一個或更多個電磁能量束1960。一個或更多個電磁能量束1960被用來選擇性地加熱及/或剝離處理表面1925的多個區域,以更新或維護處理表面1925上的圖案化表面1951。在一些實施例中,電磁能量源1959可被用來藉由選擇性加熱處理表面1925的個別區域而調理襯墊組件1913的處理表面1925。
第20A圖為用於製備可被用在平臺組件上的襯墊組件的襯墊製造系統2000A之一個實施例的示意性等角視圖,該襯墊組件例如第19圖的平臺組件1911中使用的襯墊組件1913。在一個實施例中,襯墊製造系統2000A通常包括進料區段2002、列印區段2004及硬化區段2006。襯墊製造系統2000A被用來生產複數個列印墊2008,列印墊2008可被用作第19圖的平臺組件1911中的襯墊組件1913。雖然未圖示出,但襯墊製造系統2000A也可以被修改來列印輥對輥研磨系統中使用的襯墊。
襯墊製造系統2000A還包括輸送帶2010,輸送帶2010包括被配置在至少兩個輥2014之間的捲筒2012。一個或兩個輥2014可以被耦接到驅動馬達2015,驅動馬達2015在A指示的箭頭所繪示的方向上轉動輥2014及/或捲筒2012。進料區段2002、列印區段2004及硬化區段2006可以被操作地耦接到控制器2011。輸送帶2010可以被控制器2011操作以連續或間歇地移動。
進料區段2002可以包括供應輥2016,供應輥2016操作地耦接到輸送帶2010,供應輥2016可以是背托材料2017,這樣的聚合物材料,例如雙軸方向的聚對苯二甲酸乙二酯(BoPET)材料。供應輥2016可以被配置在進料輥2018上,進料輥2018被運動控制裝置2020驅動或控制。運動控制裝置2020可以是馬達及/或包括在供應輥2016上提供預定張力的制動系統,使得供應輥2016的展開速度是由驅動馬達2015及/或捲筒2012驅動。進料區段
2002還可以包括前處理裝置2022。在列印區段2004列印之前,前處理裝置2022可設以噴灑或以其他方式提供塗層到背托材料2017上。在一些實施例中,在列印區段2004列印之前,前處理裝置2022可被用於加熱背托材料2017。
列印區段2004包括被設置在進料區段2002下游的3D列印站2024。列印區段2004利用一個或更多個列印頭2027提供圖案化表面2028到背托材料2017上。列印區段2004可以包括耦接到運動控制裝置2032的可移動平台2030,運動控制裝置2032可被用於相對於背托材料2017和捲筒2012移動列印頭2027。
列印頭2027可以被耦接到具有列印材料的材料源2025,列印材料可被用來形成圖案化表面2028。列印材料可以包括聚合材料,例如聚氨甲酸乙酯、聚碳酸酯、氟聚合物、PTFE、PTFA、聚伸苯硫(PPS)、或上述聚合材料之組合。實例還包括聚乙烯醇、果膠、聚乙烯吡咯啶酮、羥乙基纖維素、甲基纖維素、氫丙基甲基纖維素、羧甲基纖維素、羥丙基纖維素、聚丙烯酸、聚丙烯醯胺、聚乙二醇、聚羥基醚丙烯酸酯、澱粉、馬來酸共聚物、聚氧化乙烯、聚氨甲酸乙酯及上述之組合、或任何上述的其他材料。
在一個實施例中,聚合材料可以被沉積為背托材料2017上的基料。所形成的聚合材料可以包含開孔或閉孔的聚氨甲酸乙酯材料,而且可以包括散佈在其中的奈米級顆粒。該等顆粒可以包括有機奈米顆粒。在一個實施例
中,奈米顆粒可以包括分子或元素環及/或奈米結構。實例包括碳(C)的同素異形體,例如奈米碳管和其他結構、具有5鍵(五邊形)、6鍵(六邊形)、或超過6鍵的分子碳環。其他實例包括富勒烯狀超分子。在另一個實施例中,奈米級顆粒可以是陶瓷材料、氧化鋁、玻璃(例如二氧化矽(SiO2))、及上述材料之組合或衍生物。在另一個實施例中,奈米級顆粒可以包括金屬氧化物,例如氧化鈦(IV)或二氧化鈦(TiO2)、氧化鋯(IV)或二氧化鋯(ZrO2)、上述材料之組合及上述材料之衍生物、以及其他氧化物。
由列印頭2027形成的圖案化表面2028可以包含複合基材,例如聚合基質,該聚合基質可以由氨甲酸乙酯、三聚氰胺、聚酯、聚碸、聚乙酸乙烯酯、氟化烴、及類似物、以及上述之混合物、共聚物及移植物形成。在一個實施例中,聚合基質包含可由聚醚類液體氨甲酸乙酯形成的氨甲酸乙酯聚合物。液體氨甲酸乙酯可以與多官能胺、二胺、三胺或多官能性羥基化合物或混合官能性化合物反應,例如氨甲酸乙酯/脲交聯組成物中的羥基/胺,氨甲酸乙酯/脲交聯組成物在硬化時形成脲鏈接和交聯的聚合物網絡。
硬化區段2006包括可以被設置在殼體2034中或上的硬化裝置2033。殼體2034被設置在捲筒2012上方,使得捲筒2012和背托材料2017上的圖案化表面2028可以從殼體2034下方通過。硬化裝置2033可以是熱烘箱、紫外(UV)光發射器、或上述之組合。在一個實施例
中,硬化裝置2033可以包括雷射光源2036和電子束發射器2038中之一者或兩者,雷射光源2036和電子束發射器2038可被用於硬化列印頭2027沉積的材料以形成圖案化表面2028。在一些實施例中,當使用電子束發射器時,襯墊製造系統2000A可以位在壓力可受控制的外殼中。雷射光源2036和電子束發射器2038可被單獨使用或與熱或UV能量組合使用。在一些實施例中,雷射光源2036和電子束發射器2038可被用於針對圖案化表面2028之特定部分的點硬化製程。由雷射光源2036或電子束發射器2038針對的點可以加熱圖案化表面2028的個別區域,以形成可比周邊部分更硬或較不可壓縮的個別區域表面。雷射光源2036也可被用於剝離部分的圖案化表面2028,以在圖案化表面2028上形成細微的紋理。
第20B圖為襯墊製造系統2000B的另一個實施例之示意性側視圖。襯墊製造系統2000B可以類似於第20A圖的襯墊製造系統2000A包括具有進料區段2002、列印區段2004及硬化區段2006的輸送帶2010。襯墊製造系統2000B還可以包括捲繞區段2009,用於製造輥對輥系統中使用的研磨物件2029。捲繞區段2009包括捲取輥2040,可以將上面列印有圖案化表面2028的研磨物件2029捲繞在捲取輥2040上。捲取輥2040可以被從襯墊製造系統2000A中移出,以被用作輥對輥平臺組件中的供應輥2018。在製造過程中,捲取輥2040可以被耦接到運動控制裝置2042。運動控制裝置2042可以是馬達及/或包括
控制捲取輥2040之捲繞速度的制動系統。在一些實施例中,襯墊製造系統2000B被用來列印複數個列印墊2008(圖示於第20A圖),列印墊2008可被用來作為第19圖的平臺組件1911中的襯墊組件1913。
襯墊製造系統2000B包括供應輥2016,供應輥2016可控制地展開捲筒2012,捲筒2012在輸送帶2010上方移動到捲取輥2040。捲筒2012可以是類似於第20A圖描述的背托材料2017的背托材料。與第20A圖描述的襯墊製造系統2000A類似,捲筒2012以及輸送帶2010和捲取輥2040的移動可以由運動控制裝置和控制器控制,而且為了簡潔的緣故,在第20B圖省略相關的描述。
襯墊製造系統2000B包括位於進料區段2002和列印區段2004之間的可選前處理區段2044。可以使用前處理區段2044來將黏著或釋放層形成在捲筒2012上。或者,可以在列印區段2004使用3D列印站2024形成黏著或釋放層。當使用前處理區段2044時,可以使用狹縫/模具塗佈機2046來沉積一個層或多個層到捲筒2012上。此外,可以使用利用紫外光或加熱元件的硬化站2048來硬化由狹縫/模具塗佈機2046沉積的材料。
在此實施例中,3D列印站2024包含列印頭2026的陣列。列印頭2026可被用於可選地在捲筒2012上形成黏著或釋放層以及在捲筒2012上形成圖案化表面2028。在一個實例中,多列和多行的列印頭2026可以橫跨輸送帶2010的寬度和輸送帶2010的部分長度。在一些
實施例中,一個或更多個列印頭2026可以相對於輸送帶2010移動。列印頭2026將可被耦接到材料源2025,如第20A圖所述。
硬化區段2006可以包括可選的電磁能量源2050和熱硬化裝置2052中之一者或兩者。電磁能量源2050可以是如第20A圖所述的雷射源或電子束發射器中之一者或組合。熱硬化裝置2052可以是烘箱或UV光陣列。
襯墊捲繞區段2009包括可以捲繞研磨物件2029的捲取輥2040。捲取輥2040可以被從襯墊製造系統2000A中移出,以被用作輥對輥平臺組件中的供應輥。
第21A圖為可被用於第20A圖的襯墊製造系統2000A或第20B圖的襯墊製造系統2000B的3D列印站2024A之一個實施例的示意性剖視圖。第21A圖圖示使用3D列印製程製造的研磨墊2102之一個實施例的一部分。研磨墊2102可以是第19圖描述的襯墊組件1913、列印墊2008(圖示於第20A圖)、或研磨物件2029(圖示於第20B圖)。3D列印提供方便且高度可控的製程來生產在研磨層內的特定位置中內嵌有研磨料的研磨物件。研磨墊2102可以被列印在支座2100上,支座2100可以是第20A圖的背托材料2017或第20B圖的捲筒2012。
參照第21A圖,研磨墊2102的至少一個研磨層2105是使用3D列印製程製造的。在製造製程中,薄的材料層被逐步沉積和熔合在支座2100上,同時支座被沿著由A指示的箭頭(在X方向上)移動。例如,可以從液滴噴射
列印機2115的噴嘴2126噴射出襯墊前驅物材料(來自第20A圖的材料源2025)的液滴2110,以形成複數個層2120A、2120B及2122。該等層可以形成包含襯墊前驅物材料的固化材料2125,使得能夠在固化材料2125上相繼沉積其他的層。液滴噴射列印機2115可以類似於噴墨列印機,但使用襯墊前驅物材料而不是油墨。在製造過程中,噴嘴2126可以在X和Y方向中的一個或兩個方向上平移,同時支座2100在X方向上連續或間歇地移動。
在一個實例中,第一層2120A可以藉由噴射液滴2110到支座2100上來沉積。在固化之後可以將後續的層,例如層2120B和2122(為了簡潔起見未說出之間的其他層)沉積在第一層2120A上。在每一層被固化之後,新的層隨後被沉積在先前沉積的層上面,直到製造出完整的3維研磨層2105。固化可以藉由聚合來完成。例如,襯墊前驅物材料層可以是單體,而且該單體可以藉由UV硬化或熱原位聚合。襯墊前驅物材料可以在沉積後被立即有效地硬化,或是可以沉積整個襯墊前驅物材料層,然後可以同時硬化所有的沉積層。
每個層都可以藉由噴嘴2126以儲存在3D繪圖電腦程式中的圖案施加,3D繪圖電腦程式被提供在控制器2111上。每個層2120A、2120B及2122都可以小於50%的研磨層2105總厚度或小於研磨層2105的總厚度。在一個實例中,每個層2120A、2120B及2122都可以小於10%的研磨層2105總厚度,例如小於5%的研磨層2105總
厚度,例如約小於1%的研磨層2105總厚度。在一個實施例中,每個層的厚度可以包括約30微米至約60微米或更小的厚度,例如在奈米的量級上(例如1至100奈米),甚至到皮級的尺寸(例如10-12米)。
支座2100可以是剛性的基座或是撓性薄膜,例如聚四氟乙烯(PTFE)層。假使支座2100是薄膜,則支座2100可以可選地形成研磨墊2102的一部分。例如,支座2100可以是背托層2017或是在背托層2017和研磨層2105之間的層。或者,研磨層2105可以被從支座2100移除,並且層2120A和2120B可以形成背托層2017。
在一些實施例中,研磨顆粒可以被分散在襯墊前驅物材料的液滴2110中。在形成每個層的過程中,研磨顆粒可以被局部分散到研磨層2105中。局部分散研磨顆粒可以有助於最少化結塊。在一些實施例中,研磨顆粒可以與液體熱固性聚合物前驅物預混。連續攪拌熱固性聚合物前驅物和研磨顆粒的混合物可防止顆粒結塊,類似用以均勻化噴墨印表機中使用的油墨顏料的設備。另外,連續攪拌混合物可確保研磨顆粒相當均勻地分散在前驅物材料中。這可導致顆粒在研磨層各處更均勻地分散,從而導致改良的研磨均勻性,也可以有助於避免結塊。
預混的混合物可以依據特定圖案被從單一噴嘴(例如噴嘴2126)分配。例如,預混的混合物可以被均勻地分配,以產生在整個研磨層2105的厚度具有均勻分佈的嵌入研磨顆粒的均勻研磨層2105。
第21B圖為可用於第20A圖的襯墊製造系統2000A或第20B圖的襯墊製造系統2000B的3D列印站2024B之一個實施例的示意性剖視圖。第21B圖示使用3D列印製程製造的研磨墊2132之另一個實施例的一部分之剖視圖。研磨墊2132可以是第19圖描述的襯墊組件1913、列印墊2008(圖示於第20A圖)、或研磨物件2029(圖示於第20B圖)。
如第21B圖所圖示,研磨墊2132是依據來自CAD程式的指令藉由液滴噴射列印機2115形成為包括複數個被凹槽2155分離的結構2150。結構2150和凹槽2155可以形成研磨層2105。子層2130也可以藉由液滴噴射列印機2115使用研磨物件形成。子層2130可以是背托層2017(圖示於第20A圖)。例如,子層2130和研磨層2105可以藉由液滴噴射列印機2115以不中斷的操作製造。子層2130可以藉由使用不同的前驅物及/或不同的硬化量(例如不同的紫外線輻射強度或持續時間)而被提供與研磨層2105不同的硬度。在其他的實施例中,子層2130是藉由傳統的製程製造,然後被固定於研磨層2105。例如,研磨層2105可以藉由薄的黏著層(例如壓敏黏著劑)被固定於子層2130。
在第21B圖中,可以使用具有噴嘴2135的列印頭2126A來分配純液體熱固性聚合物前驅物,而具有噴嘴2135的列印頭2126B可被用於液體熱固性聚合物前驅物或其中含有研磨顆粒2145的熔融熱塑性塑膠。研磨顆粒
2145的液滴2140可以只被分配在研磨墊2132上的選定位置。這些選定位置共同形成研磨顆粒的目標列印圖案,而且可以被儲存為CAD相容檔案,然後該CAD相容檔案被控制液滴噴射列印機2115的電子控制器(例如控制器2111)讀取。然後電子控制訊號被發送到液滴噴射列印機2115,以只在噴嘴2135被平移到該CAD相容檔案指定的位置時分配預混的混合物。
或者,取代使用液體熱固性聚合物前驅物的是,可以將研磨顆粒2145與熔融熱塑性塑膠預混。在本實施例中,具有研磨顆粒2145的混合物在被分配之前也被不斷攪拌。在依照目標列印圖案從液滴噴射列印機2115分配混合物之後,混合物的熔融部分冷卻並固化,並且研磨顆粒2145被原地凍結。連續攪拌混合物可確保研磨顆粒2145相當均勻地分佈在前驅物材料中。這可以導致顆粒2145更均勻地分佈在研磨層各處,從而可以改良研磨均勻性,也可以最少化結塊。
類似於使用液體熱固性聚合物前驅物的情況,可以均勻地分配熱塑性混合物,以在整個研磨層2105各處產生均勻分佈的研磨顆粒2145。或者,含有研磨顆粒的熱塑性混合物可以按照研磨顆粒2145的目標列印圖案只被分配在研磨層2105的選定位置,該目標列印圖案被儲存為CAD相容的檔案,並由用以驅動液滴噴射列印機2115的電子控制器讀取。
不是從耦接到列印頭2126B的噴嘴2135分配在懸浮液中的研磨顆粒,而是可以以粉末的形式從列印頭2126B的噴嘴2135直接分配研磨顆粒,同時使用列印頭2126A的噴嘴2135來分配襯墊聚合物前驅物。在一個實施例中,在將研磨顆粒2145分配到沉積的聚合物材料中之前分配聚合物前驅物,隨後並將該混合物硬化。
雖然3D列印對於使用研磨顆粒2145(例如氧化鋁、二氧化鈰及其他將容易結塊者)建構研磨墊2132是特別有用的,但此作法亦可被用於分配其他的研磨顆粒。因此,研磨顆粒可以包括二氧化矽、陶瓷氧化物、金屬及硬聚合物。
液滴噴射列印機2115可以沉積固體的顆粒2145或空心的顆粒2145。液滴噴射列印機2115也可以分配不同類型的顆粒,其中有一些類型的顆粒可以在CMP處理過程中進行化學反應,以在研磨墊2132的一個層或多個層上產生目標變化,以及與正被研磨的基板進行化學反應。CMP處理中使用的化學反應之實例包括在10-14的鹼性酸鹼度範圍內發生的、涉及氫氧化鉀、氫氧化銨中之一者或更多者的化學製程、及其他由漿料的製造商使用的專利化學製程。CMP處理中也使用在2-5的酸性酸鹼度範圍內發生的、涉及諸如乙酸、檸檬酸等有機酸的化學製程。涉及過氧化氫的氧化反應也是CMP處理中使用的化學反應之實例。研磨顆粒2145也可被用來提供機械研磨功能。顆粒2145可以具有高達1毫米、或更小例如10微米、或更小
例如1微米、或更小的尺寸。顆粒2145可以具有不同的形態,例如顆粒2145可以是圓的、細長的或多刻面的。
由於逐層列印的作法,3D列印作法允許在研磨層2105的圖案中實現嚴密的公差,並在被嵌入研磨層2105的研磨顆粒2145之分佈中實現高的公差。
第22圖圖示研磨墊2200的一個實施例之一部分,研磨墊2200可被用作第19圖描述的襯墊組件1913、列印墊2008(圖示於第20A圖)、或研磨物件2029(圖示於第20B圖)。研磨墊2200包括形成第20A圖和第20B圖之圖案化表面2028的研磨表面2205。研磨表面2205包括複數個形成在研磨材料2270中的孔2232。研磨材料2270可以藉由適當的黏著劑2219結合於背托材料2222,選擇可抵抗CMP製程中使用的化學和物理元素的黏著劑2219。研磨墊2200中的孔2232大致上是圓形或橢圓形的形狀,但也可以包含其他的環狀幾何形狀,例如圓錐體或中空截頭錐體,即在大致上平行的平面之間的圓錐體。研磨墊2200也可以被形成為匹配第14A-14O圖中圖示的任何研磨墊設計或本文描述的其他設計。
在一個實施例中,孔2232可以是中空的(即空的空間),孔2232可被依尺寸製作及/或間隔開,以增進漿料保留並有助於研磨墊2200的旋轉。在其他實施例中,孔2232可被至少部分使用第一材料2210填充,第一材料2210與研磨材料2270(第二材料2212)不同。第一材料
2210可以是與第二材料2212相比對硬化方法具有不同反應性的聚合物材料。例如,在一個實施例中,第二材料2212可以使用UV能量硬化,而第一材料2210並不明顯受到紫外線能量影響。然而,在一個實施例中,第一材料2210可以被熱硬化。在其他實施例中,第一材料2210和第二材料2212可被以不同速率硬化。在一個實施例中,研磨墊2200可使用第一材料2210和第二材料2212而被差別硬化。在一個差別硬化的實例中,研磨墊2200的第一材料2210和第二材料2212可以使用不硬化第一材料2210的UV能量硬化。這可以使第二材料2212比第一材料2210更硬,從而可以對研磨墊2200添加壓縮性及/或可撓性,因為第一材料2210比第二材料2212更黏稠。
在一個實施例中,第一材料2210被熱固化以使孔2232中配置有較硬的第一材料2210,但仍比第二材料2212更軟且更可壓縮。在另一個實施例中,孔2232中的第一材料2210是藉由基板研磨製程期間的摩擦所產生的熱熱硬化的。在本實施例中,第一材料2210可以被硬化成比第二材料2212更硬,從而在研磨表面2205上形成比周圍的第二材料2212更硬的區域。
在其他實施例中,當與第二材料2212相比時,第一材料2210可以具有不同的、與電磁能量的反應性,該電磁能量例如來自電磁能量源1959(圖示於第19圖)的一個能量束或多個能量束。可以利用不同的反應性在研磨表面2205上形成微紋理。第一材料2210和第二材料2212之
間的不同反應性可以提供的是第一材料2210將被以比第二材料2212更快的速率剝離,或反之亦然。孔2232可以是在研磨墊2200的研磨表面2205內形成微米尺寸或奈米尺寸區域的微米尺寸或奈米尺寸材料。在一個實施例中,孔2232可以包括小於約150微米至約10微米、或更小的平均直徑。
本揭示的一個實施例提供一種包括複合襯墊主體的研磨墊。該複合襯墊主體包括一個或更多個由第一聚合物材料形成的第一特徵,以及一個或更多個由第二聚合物材料形成的第二特徵。該一個或更多個第一特徵和該一個或更多個第二特徵是藉由沉積複數個包含第一聚合物材料和第二聚合物材料的層所形成的。第一特徵或第二特徵其中一者被差別硬化,以在其間提供差別的硬度或其他有用的材料性質。在一個實施例中,該一個或更多個第一特徵和該一個或更多個第二特徵被交替配置在襯墊主體各處。在一個實施例中,該一個或更多個第一特徵比該一個或更多個第二特徵更厚,使得凹槽及/或通道被形成在複合襯墊主體的頂表面上。在一個實施例中,該一個或更多個第一特徵包含複數個被該一個或更多個第二特徵分隔的同心環。在一個實施例中,該一個或更多個第一特徵包含複數個被該一個或更多個第二特徵包圍的圓柱。在一個實施例中,該一個或更多個第一特徵和該一個或更多個第二特徵係藉由3D列印形成。在一個實施例中,研磨墊進一步包括兩個或更多個邊緣結合在一起的複合襯墊主體。在一個
實施例中,研磨墊進一步包括子襯墊主體,其中複合襯墊主體被形成在該子襯墊主體上方。在一個實施例中,該一個或更多個第一特徵包含其中配置有第三材料的孔。第三材料是熱硬化的材料。在一個實施例中,該第一聚合物材料具有第一楊氏模數,並且該第二聚合物材料具有第二楊氏模數。在一個實施例中,該第一材料具有比該第二材料更高的彈性模數。
雖然本文所述的研磨墊形狀為圓形,但依據本揭示的研磨顆粒可以包括任何適當的形狀,例如設以在研磨過程中線性移動的研磨捲筒。
雖然前述內容是針對本揭示的實施例,但可以在不偏離本揭示之基本範圍下設計出本揭示的其他和進一步實施例,而且本揭示之範圍係由隨後的申請專利範圍所決定。
Claims (20)
- 一種研磨墊,包含:一複合研磨襯墊主體,包含:由一第一材料形成的一個或更多個第一特徵,其中該第一材料包含一第一材料組成物,該第一材料組成物係藉由在複數個層內沉積一第二材料和一第三材料的液滴而形成,該複數個層形成該一個或更多個第一特徵中每個特徵的至少一部份;及由一第四材料形成的一基部材料層,其中該第四材料包含一第二材料組成物,該第二材料組成物係藉由在複數個層內沉積一第五材料和一第六材料的液滴而形成,該複數個層形成該基部材料層的至少一部份,其中該一個或更多個第一特徵從該基部材料層延伸,以及該一個或更多個第一特徵中每個特徵的一表面形成該複合研磨襯墊主體的一研磨表面。
- 如請求項1所述之研磨墊,其中該第一材料具有一第一硬度,並且該第四材料具有與該第一硬度不同的一第二硬度。
- 如請求項2所述之研磨墊,其中該第一硬度大於該第二硬度。
- 如請求項1所述之研磨墊,其中設置該一個或更多個第一特徵及該基部材料層以在該複合研磨襯墊主體各處實現一預定的楊氏模數或一預定的存儲模數及損耗模數。
- 如請求項1所述之研磨墊,其中該第一材料具有一比該第四材料更高的楊氏模數。
- 如請求項1所述之研磨墊,其中該一個或更多個第一特徵包含複數個被該基部材料層分隔的同心環。
- 如請求項1所述之研磨墊,其中該一個或更多個第一特徵包含複數個被該基部材料層包圍的柱。
- 如請求項1所述之研磨墊,其中該一個或更多個第一特徵和該基部材料層係藉由列印該複數個所形成的層中的每個層而形成。
- 如請求項1所述之研磨墊,更包含一或更多個觀察窗,其中該一個或更多個觀察窗是通過及/或鄰接該一個或更多個第一特徵或該基部材料層而形成。
- 如請求項1所述之研磨墊,其中該第一材料以及該第四材料各包含一聚合物材料。
- 如請求項10所述之研磨墊,其中該聚合物材料包含一丙烯酸酯。
- 如請求項1所述之研磨墊,其中該第一材料包含一丙烯酸酯。
- 一種研磨墊,包含:一複合研磨襯墊主體,包含:由一第一材料形成的一個或更多個第一特徵,其中該一個或更多個第一特徵形成一研磨表面,該第一材料具有一第一硬度,以及該第一材料包含一第一聚合物材料及一第二聚合物材料;以及由一第二材料形成的一基部材料層,其中該第二材料具有一第二硬度,該第二硬度小於該第一硬度,以及該第二材料包含該第一聚合物材料及一第三聚合物材料,其中該一個或更多個第一特徵從該基部材料層延伸,以及其中該第一材料中的該第一聚合物材料的濃度大於該第二材料中該第一聚合物材料的濃度。
- 如請求項13所述之研磨墊,其中該一個或更多個第一特徵及該基部材料層係藉由沉積包含該第一材料及該第二材料的複數個層而形成。
- 如請求項13所述之研磨墊,其中設置該一個或更多個第一特徵及該基部材料層以在該複合研磨襯墊主體各處實現一預定的楊氏模數或一預定的存儲模數及損耗模數。
- 如請求項13所述之研磨墊,其中該一個或更多個第一特徵和該基部材料層係藉由列印形成。
- 如請求項13所述之研磨墊,更包含一或更多個觀察窗,其中該一個或更多個觀察窗是通過及/或鄰接該一個或更多個第一特徵或該基部材料層而形成。
- 如請求項13所述之研磨墊,其中該第一聚合物材料包含一丙烯酸酯。
- 如請求項13所述之研磨墊,其中該第一材料係藉由沉積該第一聚合物材料及該第二聚合物材料的液滴而形成。
- 如請求項13所述之研磨墊,其中該第二材料係藉由沉積該第一聚合物材料及該第三聚合物材料的液滴而形成。
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201462065193P | 2014-10-17 | 2014-10-17 | |
US201462065270P | 2014-10-17 | 2014-10-17 | |
US62/065,193 | 2014-10-17 | ||
US62/065,270 | 2014-10-17 | ||
US14/695,299 | 2015-04-24 | ||
US14/695,299 US9873180B2 (en) | 2014-10-17 | 2015-04-24 | CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201615341A TW201615341A (zh) | 2016-05-01 |
TWI652141B true TWI652141B (zh) | 2019-03-01 |
Family
ID=55747459
Family Applications (9)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW112118072A TWI838251B (zh) | 2014-10-17 | 2015-06-08 | 研磨墊以及製造其之方法 |
TW111126883A TWI804387B (zh) | 2014-10-17 | 2015-06-08 | 研磨墊以及製造其之方法 |
TW104118517A TWI652141B (zh) | 2014-10-17 | 2015-06-08 | 使用積層製造製程的具複合材料特性的cmp襯墊建構 |
TW108102209A TWI688451B (zh) | 2014-10-17 | 2015-06-08 | 積層製造系統以及形成研磨墊的方法 |
TW109112154A TWI753400B (zh) | 2014-10-17 | 2015-06-08 | 研磨墊以及複合研磨墊 |
TW110148066A TWI775699B (zh) | 2014-10-17 | 2015-06-08 | 研磨墊以及製造其之方法 |
TW110117869A TW202146601A (zh) | 2014-10-17 | 2015-10-19 | 用於積層製造製程所生產的研磨墊的前驅物調配物 |
TW109103156A TWI730610B (zh) | 2014-10-17 | 2015-10-19 | 用於積層製造製程所生產的研磨墊的前驅物調配物 |
TW104134235A TWI687312B (zh) | 2014-10-17 | 2015-10-19 | 由積層製造製程所生產之研磨墊 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW112118072A TWI838251B (zh) | 2014-10-17 | 2015-06-08 | 研磨墊以及製造其之方法 |
TW111126883A TWI804387B (zh) | 2014-10-17 | 2015-06-08 | 研磨墊以及製造其之方法 |
Family Applications After (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW108102209A TWI688451B (zh) | 2014-10-17 | 2015-06-08 | 積層製造系統以及形成研磨墊的方法 |
TW109112154A TWI753400B (zh) | 2014-10-17 | 2015-06-08 | 研磨墊以及複合研磨墊 |
TW110148066A TWI775699B (zh) | 2014-10-17 | 2015-06-08 | 研磨墊以及製造其之方法 |
TW110117869A TW202146601A (zh) | 2014-10-17 | 2015-10-19 | 用於積層製造製程所生產的研磨墊的前驅物調配物 |
TW109103156A TWI730610B (zh) | 2014-10-17 | 2015-10-19 | 用於積層製造製程所生產的研磨墊的前驅物調配物 |
TW104134235A TWI687312B (zh) | 2014-10-17 | 2015-10-19 | 由積層製造製程所生產之研磨墊 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US9873180B2 (zh) |
EP (2) | EP3712926A1 (zh) |
JP (5) | JP6673912B2 (zh) |
KR (4) | KR102456130B1 (zh) |
CN (8) | CN110142688B (zh) |
SG (4) | SG11201703113RA (zh) |
TW (9) | TWI838251B (zh) |
WO (1) | WO2016061544A1 (zh) |
Families Citing this family (87)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BR112014017050B1 (pt) | 2012-01-10 | 2021-05-11 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | partícula abrasiva moldada |
US9200187B2 (en) | 2012-05-23 | 2015-12-01 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Shaped abrasive particles and methods of forming same |
PL2978566T3 (pl) | 2013-03-29 | 2024-07-15 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Cząstki ścierne o określonych kształtach i sposoby formowania takich cząstek |
US9771507B2 (en) | 2014-01-31 | 2017-09-26 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Shaped abrasive particle including dopant material and method of forming same |
KR101890106B1 (ko) | 2014-04-14 | 2018-08-22 | 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드 | 형상화 연마 입자들을 포함하는 연마 물품 |
US9873180B2 (en) * | 2014-10-17 | 2018-01-23 | Applied Materials, Inc. | CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes |
US10875145B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-12-29 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads produced by an additive manufacturing process |
US10875153B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-12-29 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pad materials and formulations |
US10399201B2 (en) | 2014-10-17 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pads having compositional gradients by use of an additive manufacturing process |
US9776361B2 (en) | 2014-10-17 | 2017-10-03 | Applied Materials, Inc. | Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles |
US10821573B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-11-03 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads produced by an additive manufacturing process |
KR102295988B1 (ko) | 2014-10-17 | 2021-09-01 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 애디티브 제조 프로세스들을 이용한 복합 재료 특성들을 갖는 cmp 패드 구성 |
US11745302B2 (en) | 2014-10-17 | 2023-09-05 | Applied Materials, Inc. | Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process |
US9914864B2 (en) | 2014-12-23 | 2018-03-13 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Shaped abrasive particles and method of forming same |
TWI634200B (zh) | 2015-03-31 | 2018-09-01 | 聖高拜磨料有限公司 | 固定磨料物品及其形成方法 |
NL2014678B1 (en) * | 2015-04-20 | 2017-01-20 | Bond High Performance 3D Tech B V | Fused deposition modeling. |
CA3118262C (en) | 2015-06-11 | 2023-09-19 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Abrasive article including shaped abrasive particles |
CN205703794U (zh) * | 2015-06-29 | 2016-11-23 | 智胜科技股份有限公司 | 研磨垫的研磨层 |
US10476164B2 (en) | 2015-10-28 | 2019-11-12 | Rogers Corporation | Broadband multiple layer dielectric resonator antenna and method of making the same |
US11367959B2 (en) * | 2015-10-28 | 2022-06-21 | Rogers Corporation | Broadband multiple layer dielectric resonator antenna and method of making the same |
WO2017074773A1 (en) | 2015-10-30 | 2017-05-04 | Applied Materials, Inc. | An apparatus and method of forming a polishing article that has a desired zeta potential |
US10593574B2 (en) | 2015-11-06 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables |
CN117283450A (zh) | 2016-01-19 | 2023-12-26 | 应用材料公司 | 多孔化学机械抛光垫 |
US10391605B2 (en) | 2016-01-19 | 2019-08-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process |
US10537973B2 (en) | 2016-03-09 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Correction of fabricated shapes in additive manufacturing |
KR102481559B1 (ko) | 2016-05-10 | 2022-12-28 | 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드 | 연마 입자 및 이의 형성 방법 |
KR102313436B1 (ko) | 2016-05-10 | 2021-10-19 | 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드 | 연마 입자들 및 그 형성 방법 |
TWI593511B (zh) | 2016-06-08 | 2017-08-01 | 智勝科技股份有限公司 | 研磨墊及研磨方法 |
US20180093411A1 (en) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | Applied Materials, Inc. | Additive manufacturing of polishing pads on a conveyor |
US11135829B2 (en) * | 2016-09-30 | 2021-10-05 | The Boeing Company | System and method for making pin reinforced sandwich panel and resulting panel structure |
CN107053030A (zh) * | 2017-01-06 | 2017-08-18 | 浙江工业大学 | 一种具有梯度功能的扇形组合式研抛盘 |
US10563105B2 (en) | 2017-01-31 | 2020-02-18 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Abrasive article including shaped abrasive particles |
WO2018160297A1 (en) * | 2017-02-28 | 2018-09-07 | 3M Innovative Properties Company | Metal bond abrasive articles and methods of making metal bond abrasive articles |
CN108655946B (zh) * | 2017-03-31 | 2021-06-18 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 研磨头及研磨半导体晶片的背侧的方法 |
KR101849876B1 (ko) * | 2017-04-18 | 2018-04-18 | 엠.씨.케이 (주) | 연마 패드 수지 제조용 조성물 |
US10596763B2 (en) | 2017-04-21 | 2020-03-24 | Applied Materials, Inc. | Additive manufacturing with array of energy sources |
US11876295B2 (en) | 2017-05-02 | 2024-01-16 | Rogers Corporation | Electromagnetic reflector for use in a dielectric resonator antenna system |
US11283189B2 (en) | 2017-05-02 | 2022-03-22 | Rogers Corporation | Connected dielectric resonator antenna array and method of making the same |
US11059149B2 (en) | 2017-05-25 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | Correction of fabricated shapes in additive manufacturing using initial layer |
US10967482B2 (en) | 2017-05-25 | 2021-04-06 | Applied Materials, Inc. | Fabrication of polishing pad by additive manufacturing onto mold |
US11471999B2 (en) * | 2017-07-26 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods |
US11072050B2 (en) * | 2017-08-04 | 2021-07-27 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with window and manufacturing methods thereof |
WO2019032286A1 (en) | 2017-08-07 | 2019-02-14 | Applied Materials, Inc. | ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME |
DE102017216579B4 (de) * | 2017-09-19 | 2019-06-19 | Ford Global Technologies, Llc | Verfahren zur Herstellung einer Fertigungsvorrichtung |
US10465097B2 (en) * | 2017-11-16 | 2019-11-05 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Aliphatic UV cured polyurethane optical endpoint detection windows with high UV transparency for CMP polishing pads |
US11616302B2 (en) | 2018-01-15 | 2023-03-28 | Rogers Corporation | Dielectric resonator antenna having first and second dielectric portions |
WO2019152222A1 (en) | 2018-02-05 | 2019-08-08 | Applied Materials, Inc. | Piezo-electric end-pointing for 3d printed cmp pads |
JP7186508B2 (ja) * | 2018-03-15 | 2022-12-09 | マクセル株式会社 | モデル材用組成物 |
JP7141230B2 (ja) * | 2018-03-30 | 2022-09-22 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド及びその製造方法 |
JP7067228B2 (ja) | 2018-04-17 | 2022-05-16 | Dic株式会社 | 構造体の製造方法 |
US11878442B2 (en) * | 2018-06-08 | 2024-01-23 | Lockheed Martin Corporation | Additive manufacture of complex intermetallic and ceramic structures |
WO2020021774A1 (ja) * | 2018-07-27 | 2020-01-30 | 昭和電工株式会社 | 研磨パッド |
US20210362407A1 (en) * | 2018-08-07 | 2021-11-25 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Three-dimensional (3d) printing |
CN210140927U (zh) * | 2018-08-10 | 2020-03-13 | 上海大学 | 一种智能调控刚度阻尼的转动摩擦型支撑 |
US11167375B2 (en) | 2018-08-10 | 2021-11-09 | The Research Foundation For The State University Of New York | Additive manufacturing processes and additively manufactured products |
WO2020050932A1 (en) | 2018-09-04 | 2020-03-12 | Applied Materials, Inc. | Formulations for advanced polishing pads |
US11552390B2 (en) | 2018-09-11 | 2023-01-10 | Rogers Corporation | Dielectric resonator antenna system |
DE102018216304A1 (de) * | 2018-09-25 | 2020-03-26 | Siltronic Ag | Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe |
CN113056496B (zh) * | 2018-11-19 | 2023-09-08 | 应用材料公司 | 用于3d打印的低粘度uv可固化配方 |
KR20210093275A (ko) * | 2018-11-20 | 2021-07-27 | 에코 에스코 에이/에스 | 3d 인쇄 구조물 |
JP2022510892A (ja) | 2018-12-04 | 2022-01-28 | ロジャーズ コーポレーション | 誘電体電磁構造およびその製造方法 |
WO2020123203A1 (en) * | 2018-12-12 | 2020-06-18 | Corning Incorporated | Grinding wheels and methods of producing the same |
WO2020123204A2 (en) | 2018-12-13 | 2020-06-18 | Corning Incorporated | Conveying apparatus and methods for conveying ribbon |
CN109605236B (zh) * | 2019-01-27 | 2023-08-01 | 浙江工业大学 | 基于弹性模量连续变化研抛盘的层积式制备装置及方法 |
US11851570B2 (en) | 2019-04-12 | 2023-12-26 | Applied Materials, Inc. | Anionic polishing pads formed by printing processes |
TWI738323B (zh) | 2019-05-07 | 2021-09-01 | 美商Cmc材料股份有限公司 | 化學機械拋光墊及化學機械拋光晶圓之方法 |
WO2020242110A1 (ko) * | 2019-05-29 | 2020-12-03 | 한국생산기술연구원 | 연마면에 형성된 패턴 구조를 갖는 연마 패드, 이를 포함하는 연마 장치 및 연마 패드의 제조 방법 |
WO2020243429A1 (en) | 2019-05-30 | 2020-12-03 | Rogers Corporation | Photocurable compositions for stereolithography, stereolithography methods using the compositions, polymer components formed by the stereolithography methods, and a device including the polymer components |
CN110231405B (zh) * | 2019-06-19 | 2021-12-17 | 中汽研(天津)汽车工程研究院有限公司 | 一种粘弹性材料弹性模量及阻尼损耗因子的测试方法 |
US12006442B2 (en) | 2019-09-11 | 2024-06-11 | Applied Materials, Inc. | Additive manufacturing of polishing pads |
JP2021053760A (ja) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド、その製造方法及び研磨加工物の製造方法 |
WO2021116859A1 (en) * | 2019-12-12 | 2021-06-17 | 3M Innovative Properties Company | Polymer bond abrasive articles including continuous polymer matrix, and methods of making same |
US11813712B2 (en) | 2019-12-20 | 2023-11-14 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads having selectively arranged porosity |
WO2021133901A1 (en) | 2019-12-27 | 2021-07-01 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Abrasive articles and methods of forming same |
CN111136593A (zh) * | 2020-01-15 | 2020-05-12 | 河南科技学院 | 一种具有复杂流道结构的固结研抛垫制备装置及制备方法 |
KR102206485B1 (ko) * | 2020-03-17 | 2021-01-22 | 에스케이씨 주식회사 | 연마패드 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
US11482790B2 (en) | 2020-04-08 | 2022-10-25 | Rogers Corporation | Dielectric lens and electromagnetic device with same |
US11612978B2 (en) | 2020-06-09 | 2023-03-28 | Applied Materials, Inc. | Additive manufacturing of polishing pads |
US11638979B2 (en) | 2020-06-09 | 2023-05-02 | Applied Materials, Inc. | Additive manufacturing of polishing pads |
US11738517B2 (en) | 2020-06-18 | 2023-08-29 | Applied Materials, Inc. | Multi dispense head alignment using image processing |
US11806829B2 (en) | 2020-06-19 | 2023-11-07 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pads and related polishing pad manufacturing methods |
US11878389B2 (en) | 2021-02-10 | 2024-01-23 | Applied Materials, Inc. | Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ |
WO2022210264A1 (ja) * | 2021-03-30 | 2022-10-06 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド及び研磨加工物の製造方法 |
US11951590B2 (en) | 2021-06-14 | 2024-04-09 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads with interconnected pores |
USD1022364S1 (en) | 2022-06-03 | 2024-04-09 | Entegris, Inc. | Polyvinyl alcohol pad |
USD1027345S1 (en) | 2022-06-03 | 2024-05-14 | Entegris, Inc. | Polyvinyl alcohol pad |
CN115255366A (zh) * | 2022-07-29 | 2022-11-01 | 中南大学 | 一种梯度结构电子封装外壳及其制备加工方法 |
Family Cites Families (710)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2001911A (en) | 1932-04-21 | 1935-05-21 | Carborundum Co | Abrasive articles |
US3357598A (en) | 1965-09-21 | 1967-12-12 | Dole Valve Co | Adjustable liquid dispenser |
US3741116A (en) | 1970-06-25 | 1973-06-26 | American Screen Process Equip | Vacuum belt |
JPS5279624A (en) * | 1975-12-25 | 1977-07-04 | Omron Tateisi Electronics Co | Chinese character display equipment |
US4459779A (en) * | 1982-09-16 | 1984-07-17 | International Business Machines Corporation | Fixed abrasive grinding media |
US4575330A (en) | 1984-08-08 | 1986-03-11 | Uvp, Inc. | Apparatus for production of three-dimensional objects by stereolithography |
US4836832A (en) * | 1986-08-11 | 1989-06-06 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method of preparing coated abrasive having radiation curable binder |
EP0304645B1 (en) * | 1987-08-25 | 1993-08-25 | Rodel, Inc. | Inverted cell pad material for grinding, lapping, shaping and polishing |
US4841680A (en) | 1987-08-25 | 1989-06-27 | Rodel, Inc. | Inverted cell pad material for grinding, lapping, shaping and polishing |
US4942001A (en) | 1988-03-02 | 1990-07-17 | Inc. DeSoto | Method of forming a three-dimensional object by stereolithography and composition therefore |
DE3808951A1 (de) | 1988-03-17 | 1989-10-05 | Basf Ag | Photopolymerisierbare, zur herstellung von druckformen geeignete druckplatte |
US4985340A (en) | 1988-06-01 | 1991-01-15 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Energy curable compositions: two component curing agents |
US4844144A (en) | 1988-08-08 | 1989-07-04 | Desoto, Inc. | Investment casting utilizing patterns produced by stereolithography |
JPH07102724B2 (ja) | 1988-08-31 | 1995-11-08 | ジューキ株式会社 | 印字装置 |
US5121329A (en) | 1989-10-30 | 1992-06-09 | Stratasys, Inc. | Apparatus and method for creating three-dimensional objects |
US5387380A (en) | 1989-12-08 | 1995-02-07 | Massachusetts Institute Of Technology | Three-dimensional printing techniques |
DE3942859A1 (de) | 1989-12-23 | 1991-07-04 | Basf Ag | Verfahren zur herstellung von bauteilen |
US5626919A (en) | 1990-03-01 | 1997-05-06 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Solid imaging apparatus and method with coating station |
US5142828A (en) * | 1990-06-25 | 1992-09-01 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Correcting a defective metallization layer on an electronic component by polishing |
US5096530A (en) | 1990-06-28 | 1992-03-17 | 3D Systems, Inc. | Resin film recoating method and apparatus |
JP2929779B2 (ja) | 1991-02-15 | 1999-08-03 | トヨタ自動車株式会社 | 炭素被膜付撥水ガラス |
DE69215439T2 (de) | 1991-06-25 | 1997-05-22 | Eastman Kodak Co | Photographisches Element, enthaltend eine Spannung absorbierende, schützende Schicht |
US5212910A (en) | 1991-07-09 | 1993-05-25 | Intel Corporation | Composite polishing pad for semiconductor process |
US5193316A (en) * | 1991-10-29 | 1993-03-16 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor wafer polishing using a hydrostatic medium |
US5287663A (en) * | 1992-01-21 | 1994-02-22 | National Semiconductor Corporation | Polishing pad and method for polishing semiconductor wafers |
US5178646A (en) * | 1992-01-22 | 1993-01-12 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Coatable thermally curable binder presursor solutions modified with a reactive diluent, abrasive articles incorporating same, and methods of making said abrasive articles |
US6022264A (en) | 1997-02-10 | 2000-02-08 | Rodel Inc. | Polishing pad and methods relating thereto |
MY114512A (en) | 1992-08-19 | 2002-11-30 | Rodel Inc | Polymeric substrate with polymeric microelements |
US6099394A (en) | 1998-02-10 | 2000-08-08 | Rodel Holdings, Inc. | Polishing system having a multi-phase polishing substrate and methods relating thereto |
US6746225B1 (en) | 1992-11-30 | 2004-06-08 | Bechtel Bwtx Idaho, Llc | Rapid solidification processing system for producing molds, dies and related tooling |
CA2151932A1 (en) | 1992-12-17 | 1994-06-23 | Scott R. Culler | Reduced viscosity slurries, abrasive articles made therefrom, and methods of making said articles |
US5453312A (en) | 1993-10-29 | 1995-09-26 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Abrasive article, a process for its manufacture, and a method of using it to reduce a workpiece surface |
JPH07297195A (ja) * | 1994-04-27 | 1995-11-10 | Speedfam Co Ltd | 半導体装置の平坦化方法及び平坦化装置 |
US5906863A (en) | 1994-08-08 | 1999-05-25 | Lombardi; John | Methods for the preparation of reinforced three-dimensional bodies |
JPH08132342A (ja) * | 1994-11-08 | 1996-05-28 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造装置 |
KR100258802B1 (ko) * | 1995-02-15 | 2000-06-15 | 전주범 | 평탄화 장치 및 그를 이용한 평탄화 방법 |
US6719818B1 (en) * | 1995-03-28 | 2004-04-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations |
US5533923A (en) | 1995-04-10 | 1996-07-09 | Applied Materials, Inc. | Chemical-mechanical polishing pad providing polishing unformity |
US5645471A (en) | 1995-08-11 | 1997-07-08 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method of texturing a substrate using an abrasive article having multiple abrasive natures |
US5605760A (en) | 1995-08-21 | 1997-02-25 | Rodel, Inc. | Polishing pads |
JPH0976353A (ja) | 1995-09-12 | 1997-03-25 | Toshiba Corp | 光造形装置 |
JP3324643B2 (ja) | 1995-10-25 | 2002-09-17 | 日本電気株式会社 | 研磨パッド |
US5738574A (en) | 1995-10-27 | 1998-04-14 | Applied Materials, Inc. | Continuous processing system for chemical mechanical polishing |
US5905099A (en) | 1995-11-06 | 1999-05-18 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Heat-activatable adhesive composition |
US5609517A (en) * | 1995-11-20 | 1997-03-11 | International Business Machines Corporation | Composite polishing pad |
JP3566430B2 (ja) * | 1995-12-20 | 2004-09-15 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
US5624303A (en) | 1996-01-22 | 1997-04-29 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad and a method for making a polishing pad with covalently bonded particles |
US6095084A (en) | 1996-02-02 | 2000-08-01 | Applied Materials, Inc. | High density plasma process chamber |
US5778481A (en) | 1996-02-15 | 1998-07-14 | International Business Machines Corporation | Silicon wafer cleaning and polishing pads |
US5690540A (en) | 1996-02-23 | 1997-11-25 | Micron Technology, Inc. | Spiral grooved polishing pad for chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers |
US6090475A (en) * | 1996-05-24 | 2000-07-18 | Micron Technology Inc. | Polishing pad, methods of manufacturing and use |
JP3498881B2 (ja) | 1996-05-27 | 2004-02-23 | セントラル硝子株式会社 | 撥水性ガラスの製法 |
US5976000A (en) | 1996-05-28 | 1999-11-02 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad with incompressible, highly soluble particles for chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers |
US5748434A (en) | 1996-06-14 | 1998-05-05 | Applied Materials, Inc. | Shield for an electrostatic chuck |
GB2316414B (en) | 1996-07-31 | 2000-10-11 | Tosoh Corp | Abrasive shaped article, abrasive disc and polishing method |
US5795218A (en) | 1996-09-30 | 1998-08-18 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad with elongated microcolumns |
US6244575B1 (en) | 1996-10-02 | 2001-06-12 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for vaporizing liquid precursors and system for using same |
US5876490A (en) | 1996-12-09 | 1999-03-02 | International Business Machines Corporatin | Polish process and slurry for planarization |
WO1998028108A1 (en) | 1996-12-20 | 1998-07-02 | Unique Technology International Private Limited | Manufacture of porous polishing pad |
KR100210840B1 (ko) | 1996-12-24 | 1999-07-15 | 구본준 | 기계 화학적 연마 방법 및 그 장치 |
US5876268A (en) | 1997-01-03 | 1999-03-02 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method and article for the production of optical quality surfaces on glass |
KR100487455B1 (ko) | 1997-01-13 | 2005-05-09 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 | 사진석판술에 의해 유도된 표면 패턴(들)이 있는 연마용 중합체 패드 및 이에 관련된 방법 |
US5965460A (en) * | 1997-01-29 | 1999-10-12 | Mac Dermid, Incorporated | Polyurethane composition with (meth)acrylate end groups useful in the manufacture of polishing pads |
EP0964772A1 (en) | 1997-03-07 | 1999-12-22 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Abrasive article for providing a clear surface finish on glass |
US5910471A (en) | 1997-03-07 | 1999-06-08 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Abrasive article for providing a clear surface finish on glass |
US6231629B1 (en) | 1997-03-07 | 2001-05-15 | 3M Innovative Properties Company | Abrasive article for providing a clear surface finish on glass |
JPH10249709A (ja) | 1997-03-14 | 1998-09-22 | Chiyoda Kk | 研磨布 |
US5944583A (en) | 1997-03-17 | 1999-08-31 | International Business Machines Corporation | Composite polish pad for CMP |
US6287185B1 (en) * | 1997-04-04 | 2001-09-11 | Rodel Holdings Inc. | Polishing pads and methods relating thereto |
US6682402B1 (en) | 1997-04-04 | 2004-01-27 | Rodel Holdings, Inc. | Polishing pads and methods relating thereto |
US6648733B2 (en) * | 1997-04-04 | 2003-11-18 | Rodel Holdings, Inc. | Polishing pads and methods relating thereto |
US6062958A (en) | 1997-04-04 | 2000-05-16 | Micron Technology, Inc. | Variable abrasive polishing pad for mechanical and chemical-mechanical planarization |
US5940674A (en) | 1997-04-09 | 1999-08-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Three-dimensional product manufacture using masks |
US6126532A (en) | 1997-04-18 | 2000-10-03 | Cabot Corporation | Polishing pads for a semiconductor substrate |
KR20010006518A (ko) | 1997-04-18 | 2001-01-26 | 매튜 네빌 | 반도체 기판용 연마 패드 |
US8092707B2 (en) | 1997-04-30 | 2012-01-10 | 3M Innovative Properties Company | Compositions and methods for modifying a surface suited for semiconductor fabrication |
DE69841220D1 (de) * | 1997-04-30 | 2009-11-19 | Minnesota Mining & Mfg | Verfahren zum planarisieren der oberfläche eines halbleiterwafers |
US5945058A (en) | 1997-05-13 | 1999-08-31 | 3D Systems, Inc. | Method and apparatus for identifying surface features associated with selected lamina of a three-dimensional object being stereolithographically formed |
US6273806B1 (en) | 1997-05-15 | 2001-08-14 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing apparatus |
US5921855A (en) | 1997-05-15 | 1999-07-13 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing system |
US6692338B1 (en) | 1997-07-23 | 2004-02-17 | Lsi Logic Corporation | Through-pad drainage of slurry during chemical mechanical polishing |
US6736714B2 (en) | 1997-07-30 | 2004-05-18 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Polishing silicon wafers |
US5919082A (en) | 1997-08-22 | 1999-07-06 | Micron Technology, Inc. | Fixed abrasive polishing pad |
US6121143A (en) | 1997-09-19 | 2000-09-19 | 3M Innovative Properties Company | Abrasive articles comprising a fluorochemical agent for wafer surface modification |
US5888121A (en) | 1997-09-23 | 1999-03-30 | Lsi Logic Corporation | Controlling groove dimensions for enhanced slurry flow |
US5932040A (en) * | 1997-10-01 | 1999-08-03 | Bibielle S.P.A. | Method for producing a ring of abrasive elements from which to form a rotary brush |
US6950193B1 (en) | 1997-10-28 | 2005-09-27 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | System for monitoring substrate conditions |
US6039836A (en) | 1997-12-19 | 2000-03-21 | Lam Research Corporation | Focus rings |
US6231942B1 (en) | 1998-01-21 | 2001-05-15 | Trexel, Inc. | Method and apparatus for microcellular polypropylene extrusion, and polypropylene articles produced thereby |
JPH11254542A (ja) | 1998-03-11 | 1999-09-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 光造形装置のモニタリングシステム |
US6228133B1 (en) * | 1998-05-01 | 2001-05-08 | 3M Innovative Properties Company | Abrasive articles having abrasive layer bond system derived from solid, dry-coated binder precursor particles having a fusible, radiation curable component |
JPH11347761A (ja) | 1998-06-12 | 1999-12-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | レーザによる3次元造形装置 |
US6122564A (en) | 1998-06-30 | 2000-09-19 | Koch; Justin | Apparatus and methods for monitoring and controlling multi-layer laser cladding |
US6117000A (en) | 1998-07-10 | 2000-09-12 | Cabot Corporation | Polishing pad for a semiconductor substrate |
US6322728B1 (en) | 1998-07-10 | 2001-11-27 | Jeneric/Pentron, Inc. | Mass production of dental restorations by solid free-form fabrication methods |
DE19834559A1 (de) | 1998-07-31 | 2000-02-03 | Friedrich Schiller Uni Jena Bu | Verfahren zur Herstellung von Werkzeugen für die Bearbeitung von Oberflächen |
JP2000061817A (ja) | 1998-08-24 | 2000-02-29 | Nikon Corp | 研磨パッド |
US6095902A (en) | 1998-09-23 | 2000-08-01 | Rodel Holdings, Inc. | Polyether-polyester polyurethane polishing pads and related methods |
US6602380B1 (en) | 1998-10-28 | 2003-08-05 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for releasably attaching a polishing pad to a chemical-mechanical planarization machine |
US6325706B1 (en) | 1998-10-29 | 2001-12-04 | Lam Research Corporation | Use of zeta potential during chemical mechanical polishing for end point detection |
US6176992B1 (en) * | 1998-11-03 | 2001-01-23 | Nutool, Inc. | Method and apparatus for electro-chemical mechanical deposition |
US6390890B1 (en) | 1999-02-06 | 2002-05-21 | Charles J Molnar | Finishing semiconductor wafers with a fixed abrasive finishing element |
US6206759B1 (en) * | 1998-11-30 | 2001-03-27 | Micron Technology, Inc. | Polishing pads and planarizing machines for mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies, and methods for making and using such pads and machines |
JP3641956B2 (ja) | 1998-11-30 | 2005-04-27 | 三菱住友シリコン株式会社 | 研磨スラリーの再生システム |
US7425250B2 (en) | 1998-12-01 | 2008-09-16 | Novellus Systems, Inc. | Electrochemical mechanical processing apparatus |
JP2002535843A (ja) | 1999-01-21 | 2002-10-22 | ロデール ホールディングス インコーポレイテッド | 改良された研磨パッド、及び、これに関連する方法 |
US6994607B2 (en) | 2001-12-28 | 2006-02-07 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with window |
US6179709B1 (en) | 1999-02-04 | 2001-01-30 | Applied Materials, Inc. | In-situ monitoring of linear substrate polishing operations |
US6641463B1 (en) | 1999-02-06 | 2003-11-04 | Beaver Creek Concepts Inc | Finishing components and elements |
US6749714B1 (en) | 1999-03-30 | 2004-06-15 | Nikon Corporation | Polishing body, polisher, polishing method, and method for producing semiconductor device |
US6217426B1 (en) | 1999-04-06 | 2001-04-17 | Applied Materials, Inc. | CMP polishing pad |
JP2000301450A (ja) | 1999-04-19 | 2000-10-31 | Rohm Co Ltd | Cmp研磨パッドおよびそれを用いたcmp処理装置 |
US6213845B1 (en) | 1999-04-26 | 2001-04-10 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for in-situ optical endpointing on web-format planarizing machines in mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies and methods for making and using same |
US6338901B1 (en) | 1999-05-03 | 2002-01-15 | Guardian Industries Corporation | Hydrophobic coating including DLC on substrate |
US6328634B1 (en) | 1999-05-11 | 2001-12-11 | Rodel Holdings Inc. | Method of polishing |
US6277236B1 (en) * | 1999-06-17 | 2001-08-21 | National Semiconductor Corporation | Light sensitive chemical-mechanical polishing apparatus and method |
US6196899B1 (en) | 1999-06-21 | 2001-03-06 | Micron Technology, Inc. | Polishing apparatus |
JP2001018163A (ja) | 1999-07-06 | 2001-01-23 | Speedfam Co Ltd | 研磨用パッド |
US6319108B1 (en) | 1999-07-09 | 2001-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Metal bond abrasive article comprising porous ceramic abrasive composites and method of using same to abrade a workpiece |
JP2001105329A (ja) | 1999-08-02 | 2001-04-17 | Ebara Corp | 研磨用砥石 |
US6232236B1 (en) | 1999-08-03 | 2001-05-15 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for controlling plasma uniformity in a semiconductor wafer processing system |
US6328632B1 (en) | 1999-08-31 | 2001-12-11 | Micron Technology, Inc. | Polishing pads and planarizing machines for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic substrate assemblies |
US6257973B1 (en) * | 1999-11-04 | 2001-07-10 | Norton Company | Coated abrasive discs |
US6201208B1 (en) | 1999-11-04 | 2001-03-13 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Method and apparatus for plasma processing with control of ion energy distribution at the substrates |
JP3439402B2 (ja) | 1999-11-05 | 2003-08-25 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2001138212A (ja) | 1999-11-15 | 2001-05-22 | Toshiro Doi | 精密研磨装置 |
US6399501B2 (en) | 1999-12-13 | 2002-06-04 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for detecting polishing endpoint with optical monitoring |
WO2001043920A1 (en) | 1999-12-14 | 2001-06-21 | Rodel Holdings, Inc. | Method of manufacturing a polymer or polymer composite polishing pad |
US6368184B1 (en) | 2000-01-06 | 2002-04-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Apparatus for determining metal CMP endpoint using integrated polishing pad electrodes |
US6241596B1 (en) | 2000-01-14 | 2001-06-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for chemical mechanical polishing using a patterned pad |
US6506097B1 (en) | 2000-01-18 | 2003-01-14 | Applied Materials, Inc. | Optical monitoring in a two-step chemical mechanical polishing process |
WO2001053040A1 (en) | 2000-01-19 | 2001-07-26 | Rodel Holdings, Inc. | Printing of polishing pads |
US7071041B2 (en) | 2000-01-20 | 2006-07-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
US6746311B1 (en) * | 2000-01-24 | 2004-06-08 | 3M Innovative Properties Company | Polishing pad with release layer |
US6309276B1 (en) | 2000-02-01 | 2001-10-30 | Applied Materials, Inc. | Endpoint monitoring with polishing rate change |
US6991528B2 (en) | 2000-02-17 | 2006-01-31 | Applied Materials, Inc. | Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing |
US20010046834A1 (en) | 2000-02-28 | 2001-11-29 | Anuradha Ramana | Pad surface texture formed by solid phase droplets |
KR100502268B1 (ko) | 2000-03-01 | 2005-07-22 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 플라즈마처리장치 및 방법 |
US6797623B2 (en) | 2000-03-09 | 2004-09-28 | Sony Corporation | Methods of producing and polishing semiconductor device and polishing apparatus |
US20030207959A1 (en) | 2000-03-13 | 2003-11-06 | Eduardo Napadensky | Compositions and methods for use in three dimensional model printing |
US6569373B2 (en) | 2000-03-13 | 2003-05-27 | Object Geometries Ltd. | Compositions and methods for use in three dimensional model printing |
US8481241B2 (en) | 2000-03-13 | 2013-07-09 | Stratasys Ltd. | Compositions and methods for use in three dimensional model printing |
US7300619B2 (en) | 2000-03-13 | 2007-11-27 | Objet Geometries Ltd. | Compositions and methods for use in three dimensional model printing |
US6860793B2 (en) | 2000-03-15 | 2005-03-01 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Window portion with an adjusted rate of wear |
US6423255B1 (en) | 2000-03-24 | 2002-07-23 | Rainer Hoechsmann | Method for manufacturing a structural part by deposition technique |
KR20010093677A (ko) | 2000-03-29 | 2001-10-29 | 추후기재 | 향상된 슬러리 분배를 위하여 특수 설계된 연마 패드 |
US6313038B1 (en) | 2000-04-26 | 2001-11-06 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for controlling chemical interactions during planarization of microelectronic substrates |
US20020058468A1 (en) | 2000-05-03 | 2002-05-16 | Eppert Stanley E. | Semiconductor polishing pad |
US6387289B1 (en) | 2000-05-04 | 2002-05-14 | Micron Technology, Inc. | Planarizing machines and methods for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies |
US8485862B2 (en) | 2000-05-19 | 2013-07-16 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad for endpoint detection and related methods |
US6267641B1 (en) * | 2000-05-19 | 2001-07-31 | Motorola, Inc. | Method of manufacturing a semiconductor component and chemical-mechanical polishing system therefor |
US6454634B1 (en) | 2000-05-27 | 2002-09-24 | Rodel Holdings Inc. | Polishing pads for chemical mechanical planarization |
US6749485B1 (en) | 2000-05-27 | 2004-06-15 | Rodel Holdings, Inc. | Hydrolytically stable grooved polishing pads for chemical mechanical planarization |
US6860802B1 (en) | 2000-05-27 | 2005-03-01 | Rohm And Haas Electric Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pads for chemical mechanical planarization |
US6736709B1 (en) | 2000-05-27 | 2004-05-18 | Rodel Holdings, Inc. | Grooved polishing pads for chemical mechanical planarization |
JP3925041B2 (ja) | 2000-05-31 | 2007-06-06 | Jsr株式会社 | 研磨パッド用組成物及びこれを用いた研磨パッド |
DE60131080T2 (de) | 2000-05-31 | 2008-07-31 | Jsr Corp. | Schleifmaterial |
US6478914B1 (en) | 2000-06-09 | 2002-11-12 | Micron Technology, Inc. | Method for attaching web-based polishing materials together on a polishing tool |
US6964604B2 (en) * | 2000-06-23 | 2005-11-15 | International Business Machines Corporation | Fiber embedded polishing pad |
US6656019B1 (en) | 2000-06-29 | 2003-12-02 | International Business Machines Corporation | Grooved polishing pads and methods of use |
JP2002028849A (ja) | 2000-07-17 | 2002-01-29 | Jsr Corp | 研磨パッド |
US20020016139A1 (en) | 2000-07-25 | 2002-02-07 | Kazuto Hirokawa | Polishing tool and manufacturing method therefor |
US6520834B1 (en) | 2000-08-09 | 2003-02-18 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatuses for analyzing and controlling performance parameters in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates |
US6776699B2 (en) | 2000-08-14 | 2004-08-17 | 3M Innovative Properties Company | Abrasive pad for CMP |
US6736869B1 (en) | 2000-08-28 | 2004-05-18 | Micron Technology, Inc. | Method for forming a planarizing pad for planarization of microelectronic substrates |
US6592443B1 (en) | 2000-08-30 | 2003-07-15 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for forming and using planarizing pads for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates |
US6638831B1 (en) | 2000-08-31 | 2003-10-28 | Micron Technology, Inc. | Use of a reference fiducial on a semiconductor package to monitor and control a singulation method |
JP3886712B2 (ja) | 2000-09-08 | 2007-02-28 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6477926B1 (en) | 2000-09-15 | 2002-11-12 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Polishing pad |
US6641471B1 (en) | 2000-09-19 | 2003-11-04 | Rodel Holdings, Inc | Polishing pad having an advantageous micro-texture and methods relating thereto |
WO2002026445A1 (en) | 2000-09-29 | 2002-04-04 | Strasbaugh, Inc. | Polishing pad with built-in optical sensor |
US6534128B1 (en) | 2000-11-09 | 2003-03-18 | 3M Innovative Properties Company | Inks and other compositions incorporating low viscosity, radiation curable, polyester urethane oligomer |
MXPA03003997A (es) | 2000-11-09 | 2004-02-12 | 3M Innovative Properties Co | Composiciones fluidas de tinta, eyectables, curables por radiacion, resistentes a la intemperie, particularmente adecuadas para aplicaciones exteriores. |
JP2002151447A (ja) * | 2000-11-13 | 2002-05-24 | Asahi Kasei Corp | 研磨パッド |
DE60118963T2 (de) * | 2000-11-29 | 2006-12-21 | Psiloquest, Inc., Orlando | Polierkissen aus vernetztem polyethylen zum chemisch-mechanischen polieren und poliervorrichtung |
US6684704B1 (en) | 2002-09-12 | 2004-02-03 | Psiloquest, Inc. | Measuring the surface properties of polishing pads using ultrasonic reflectance |
KR100857504B1 (ko) | 2000-12-01 | 2008-09-08 | 도요 고무 고교 가부시키가이샤 | 연마 패드용 쿠션층 |
JP2002200555A (ja) | 2000-12-28 | 2002-07-16 | Ebara Corp | 研磨工具および該研磨工具を具備したポリッシング装置 |
US6407669B1 (en) | 2001-02-02 | 2002-06-18 | 3M Innovative Properties Company | RFID tag device and method of manufacturing |
GB0103754D0 (en) | 2001-02-15 | 2001-04-04 | Vantico Ltd | Three-dimensional structured printing |
US20020112632A1 (en) | 2001-02-21 | 2002-08-22 | Creo Ltd | Method for supporting sensitive workpieces during processing |
US6840843B2 (en) | 2001-03-01 | 2005-01-11 | Cabot Microelectronics Corporation | Method for manufacturing a polishing pad having a compressed translucent region |
US6811680B2 (en) | 2001-03-14 | 2004-11-02 | Applied Materials Inc. | Planarization of substrates using electrochemical mechanical polishing |
US7955693B2 (en) | 2001-04-20 | 2011-06-07 | Tolland Development Company, Llc | Foam composition roller brush with embedded mandrel |
EP1381491B1 (en) * | 2001-04-24 | 2006-05-31 | Applied Materials, Inc. | Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing |
US6847014B1 (en) | 2001-04-30 | 2005-01-25 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for controlling the spatial temperature distribution across the surface of a workpiece support |
US6811937B2 (en) | 2001-06-21 | 2004-11-02 | Dsm Desotech, Inc. | Radiation-curable resin composition and rapid prototyping process using the same |
US6544373B2 (en) | 2001-07-26 | 2003-04-08 | United Microelectronics Corp. | Polishing pad for a chemical mechanical polishing process |
US6586494B2 (en) | 2001-08-08 | 2003-07-01 | Spectra Group Limited, Inc. | Radiation curable inkjet composition |
KR100646702B1 (ko) | 2001-08-16 | 2006-11-17 | 에스케이씨 주식회사 | 홀 및/또는 그루브로 형성된 화학적 기계적 연마패드 |
KR20030020658A (ko) | 2001-09-04 | 2003-03-10 | 삼성전자주식회사 | 화학적물리적 연마장치의 연마패드 콘디셔닝 디스크 |
US6866807B2 (en) | 2001-09-21 | 2005-03-15 | Stratasys, Inc. | High-precision modeling filament |
JP4077192B2 (ja) | 2001-11-30 | 2008-04-16 | 株式会社東芝 | 化学機械研磨方法および半導体装置の製造方法 |
US6599765B1 (en) * | 2001-12-12 | 2003-07-29 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for providing a signal port in a polishing pad for optical endpoint detection |
US6838149B2 (en) | 2001-12-13 | 2005-01-04 | 3M Innovative Properties Company | Abrasive article for the deposition and polishing of a conductive material |
JP2003188124A (ja) | 2001-12-14 | 2003-07-04 | Rodel Nitta Co | 研磨布 |
EP1326273B1 (en) | 2001-12-28 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US20030134581A1 (en) * | 2002-01-11 | 2003-07-17 | Wang Hsing Maw | Device for chemical mechanical polishing |
KR100442873B1 (ko) | 2002-02-28 | 2004-08-02 | 삼성전자주식회사 | 화학적 기계적 폴리싱 슬러리 및 이를 사용한 화학적기계적 폴리싱 방법 |
JP2003303793A (ja) * | 2002-04-12 | 2003-10-24 | Hitachi Ltd | 研磨装置および半導体装置の製造方法 |
US6773474B2 (en) | 2002-04-19 | 2004-08-10 | 3M Innovative Properties Company | Coated abrasive article |
JP4693024B2 (ja) * | 2002-04-26 | 2011-06-01 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨材 |
US6815570B1 (en) | 2002-05-07 | 2004-11-09 | Uop Llc | Shaped catalysts for transalkylation of aromatics for enhanced xylenes production |
US20050194681A1 (en) | 2002-05-07 | 2005-09-08 | Yongqi Hu | Conductive pad with high abrasion |
US20050276967A1 (en) | 2002-05-23 | 2005-12-15 | Cabot Microelectronics Corporation | Surface textured microporous polishing pads |
US6913517B2 (en) | 2002-05-23 | 2005-07-05 | Cabot Microelectronics Corporation | Microporous polishing pads |
DE60308946T2 (de) | 2002-06-03 | 2007-05-10 | Jsr Corp. | Polierkissen und Verfahren zur Herstellung eines Polierkissens |
DE10224981B4 (de) | 2002-06-05 | 2004-08-19 | Generis Gmbh | Verfahren zum schichtweisen Aufbau von Modellen |
WO2003103959A1 (en) | 2002-06-07 | 2003-12-18 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Controlled penetration subpad |
US8602851B2 (en) | 2003-06-09 | 2013-12-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Controlled penetration subpad |
JP3801100B2 (ja) | 2002-06-07 | 2006-07-26 | Jsr株式会社 | 光硬化造形装置、光硬化造形方法及び光硬化造形システム |
EP1375617A1 (en) | 2002-06-19 | 2004-01-02 | 3M Innovative Properties Company | Radiation-curable, solvent-free and printable precursor of a pressure-sensitive adhesive |
US7169014B2 (en) | 2002-07-18 | 2007-01-30 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses for controlling the temperature of polishing pads used in planarizing micro-device workpieces |
KR101016081B1 (ko) | 2002-07-26 | 2011-02-17 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 점착 시트와 그의 제조방법, 상기 점착 시트의 사용방법,및 상기 점착 시트에 사용되는 다층 시트와 그의 제조방법 |
TWI228768B (en) | 2002-08-08 | 2005-03-01 | Jsr Corp | Processing method of polishing pad for semiconductor wafer and polishing pad for semiconductor wafer |
US7579071B2 (en) | 2002-09-17 | 2009-08-25 | Korea Polyol Co., Ltd. | Polishing pad containing embedded liquid microelements and method of manufacturing the same |
KR100465649B1 (ko) * | 2002-09-17 | 2005-01-13 | 한국포리올 주식회사 | 일체형 연마 패드 및 그 제조 방법 |
US6896765B2 (en) | 2002-09-18 | 2005-05-24 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for the compensation of edge ring wear in a plasma processing chamber |
US20040058623A1 (en) | 2002-09-20 | 2004-03-25 | Lam Research Corporation | Polishing media for chemical mechanical planarization (CMP) |
US20070010169A1 (en) | 2002-09-25 | 2007-01-11 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Polishing pad with window for planarization |
US7267607B2 (en) | 2002-10-28 | 2007-09-11 | Cabot Microelectronics Corporation | Transparent microporous materials for CMP |
US7311862B2 (en) | 2002-10-28 | 2007-12-25 | Cabot Microelectronics Corporation | Method for manufacturing microporous CMP materials having controlled pore size |
US7435165B2 (en) | 2002-10-28 | 2008-10-14 | Cabot Microelectronics Corporation | Transparent microporous materials for CMP |
US7043330B2 (en) | 2002-10-31 | 2006-05-09 | Ehsan Toyserkani | System and method for closed-loop control of laser cladding by powder injection |
JP2004153193A (ja) | 2002-11-01 | 2004-05-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの処理方法 |
JP2004167605A (ja) | 2002-11-15 | 2004-06-17 | Rodel Nitta Co | 研磨パッドおよび研磨装置 |
DE10253445A1 (de) | 2002-11-16 | 2004-06-03 | Adam Opel Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Abdichten und Aufpumpen von Reifen bei Pannen sowie Dichtmittelbehälter als auch Adapter hierfür |
US8845852B2 (en) | 2002-11-27 | 2014-09-30 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad and method of producing semiconductor device |
JP2004235446A (ja) * | 2003-01-30 | 2004-08-19 | Toyobo Co Ltd | 研磨パッド |
JP4659338B2 (ja) | 2003-02-12 | 2011-03-30 | Hoya株式会社 | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法並びにそれに使用する研磨パッド |
WO2004077511A2 (en) | 2003-02-24 | 2004-09-10 | The Regents Of The University Of Colorado | (meth)acrylic and (meth)acrylamide monomers, polymerizable compositions, and polymers obtained |
DE10310385B4 (de) | 2003-03-07 | 2006-09-21 | Daimlerchrysler Ag | Verfahren zur Herstellung von dreidimensionalen Körpern mittels pulverbasierter schichtaufbauender Verfahren |
US7104773B2 (en) | 2003-03-07 | 2006-09-12 | Ricoh Printing Systems, Ltd. | Three-dimensional laminating molding device |
JP2004281685A (ja) | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体基板の研磨用パッドおよび半導体基板の研磨方法 |
US20060189269A1 (en) | 2005-02-18 | 2006-08-24 | Roy Pradip K | Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof |
US7704125B2 (en) | 2003-03-24 | 2010-04-27 | Nexplanar Corporation | Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof |
US7377840B2 (en) | 2004-07-21 | 2008-05-27 | Neopad Technologies Corporation | Methods for producing in-situ grooves in chemical mechanical planarization (CMP) pads, and novel CMP pad designs |
US8864859B2 (en) | 2003-03-25 | 2014-10-21 | Nexplanar Corporation | Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof |
CA2519942A1 (en) | 2003-03-25 | 2004-10-14 | Neopad Technologies Corporation | Chip customized polish pads for chemical mechanical planarization (cmp) |
US9278424B2 (en) | 2003-03-25 | 2016-03-08 | Nexplanar Corporation | Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof |
US20040209066A1 (en) | 2003-04-17 | 2004-10-21 | Swisher Robert G. | Polishing pad with window for planarization |
US7044836B2 (en) | 2003-04-21 | 2006-05-16 | Cabot Microelectronics Corporation | Coated metal oxide particles for CMP |
CN100548576C (zh) * | 2003-04-25 | 2009-10-14 | Jsr株式会社 | 抛光垫和化学机械抛光方法 |
US6783436B1 (en) | 2003-04-29 | 2004-08-31 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad with optimized grooves and method of forming same |
EP1628334A4 (en) | 2003-05-09 | 2006-08-02 | Sanyo Chemical Ind Ltd | POLISHING LIQUID FOR A CMP PROCESS AND POLISHING METHOD |
CN100490084C (zh) * | 2003-05-09 | 2009-05-20 | 三洋化成工业株式会社 | Cmp方法用研磨液及研磨方法 |
WO2004113042A2 (en) | 2003-05-21 | 2004-12-29 | Z Corporation | Thermoplastic powder material system for appearance models from 3d printing systems |
IL156094A0 (en) | 2003-05-25 | 2003-12-23 | J G Systems Inc | Fixed abrasive cmp pad with built-in additives |
CN1829587A (zh) * | 2003-06-06 | 2006-09-06 | 应用材料公司 | 用于电化学机械抛光的导电抛光物件 |
US7435161B2 (en) * | 2003-06-17 | 2008-10-14 | Cabot Microelectronics Corporation | Multi-layer polishing pad material for CMP |
US6998166B2 (en) | 2003-06-17 | 2006-02-14 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing pad with oriented pore structure |
US6884156B2 (en) | 2003-06-17 | 2005-04-26 | Cabot Microelectronics Corporation | Multi-layer polishing pad material for CMP |
JP4130614B2 (ja) * | 2003-06-18 | 2008-08-06 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US20050026542A1 (en) * | 2003-07-31 | 2005-02-03 | Tezer Battal | Detection system for chemical-mechanical planarization tool |
US7018560B2 (en) * | 2003-08-05 | 2006-03-28 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Composition for polishing semiconductor layers |
CN1802237A (zh) * | 2003-08-07 | 2006-07-12 | Ppg工业俄亥俄公司 | 具有边缘表面处理的抛光垫片 |
US20050032464A1 (en) | 2003-08-07 | 2005-02-10 | Swisher Robert G. | Polishing pad having edge surface treatment |
JP4965253B2 (ja) | 2003-08-08 | 2012-07-04 | インテグリス・インコーポレーテッド | 回転可能ベース上に鋳造されるモノリシック多孔性パッドを作製する方法および材料 |
US7120512B2 (en) | 2003-08-25 | 2006-10-10 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method and a system for solid freeform fabricating using non-reactive powder |
WO2005021248A1 (ja) | 2003-08-27 | 2005-03-10 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | 三次元造形物の製造方法 |
KR100590202B1 (ko) | 2003-08-29 | 2006-06-15 | 삼성전자주식회사 | 연마 패드 및 그 형성방법 |
JP2005074614A (ja) | 2003-09-03 | 2005-03-24 | Nitta Haas Inc | 研磨パッドの製造方法および研磨パッド |
JP2005085917A (ja) | 2003-09-08 | 2005-03-31 | Sharp Corp | プラズマプロセス装置 |
JP2005093785A (ja) * | 2003-09-18 | 2005-04-07 | Toshiba Corp | Cmp用スラリー、研磨方法、および半導体装置の製造方法 |
KR100640998B1 (ko) | 2003-09-19 | 2006-11-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 브라켓 구조 |
US20050060941A1 (en) | 2003-09-23 | 2005-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Abrasive article and methods of making the same |
US8066552B2 (en) | 2003-10-03 | 2011-11-29 | Applied Materials, Inc. | Multi-layer polishing pad for low-pressure polishing |
GB0323462D0 (en) | 2003-10-07 | 2003-11-05 | Fujifilm Electronic Imaging | Providing a surface layer or structure on a substrate |
US6855588B1 (en) * | 2003-10-07 | 2005-02-15 | United Microelectronics Corp. | Method of fabricating a double gate MOSFET device |
US20050109371A1 (en) | 2003-10-27 | 2005-05-26 | Applied Materials, Inc. | Post CMP scrubbing of substrates |
JP2005131732A (ja) | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Ebara Corp | 研磨装置 |
KR101152747B1 (ko) | 2003-10-31 | 2012-06-18 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 마찰 센서를 이용한 폴리싱 종료점 탐지 시스템 및 방법 |
US7264641B2 (en) | 2003-11-10 | 2007-09-04 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing pad comprising biodegradable polymer |
US20050101228A1 (en) | 2003-11-10 | 2005-05-12 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing pad comprising biodegradable polymer |
JP2005150235A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-06-09 | Three M Innovative Properties Co | 半導体表面保護シート及び方法 |
US7125318B2 (en) | 2003-11-13 | 2006-10-24 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad having a groove arrangement for reducing slurry consumption |
JP4555559B2 (ja) | 2003-11-25 | 2010-10-06 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨布及び研磨布の製造方法 |
US6984163B2 (en) | 2003-11-25 | 2006-01-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad with high optical transmission window |
KR100576465B1 (ko) | 2003-12-01 | 2006-05-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 연마입자 함침 조성물을 이용한 연마 패드 |
US7186164B2 (en) * | 2003-12-03 | 2007-03-06 | Applied Materials, Inc. | Processing pad assembly with zone control |
US6843711B1 (en) | 2003-12-11 | 2005-01-18 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc | Chemical mechanical polishing pad having a process-dependent groove configuration |
US20050153634A1 (en) | 2004-01-09 | 2005-07-14 | Cabot Microelectronics Corporation | Negative poisson's ratio material-containing CMP polishing pad |
US20050171224A1 (en) | 2004-02-03 | 2005-08-04 | Kulp Mary J. | Polyurethane polishing pad |
US7132033B2 (en) | 2004-02-27 | 2006-11-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of forming a layered polishing pad |
TWI450911B (zh) | 2004-03-11 | 2014-09-01 | Toyo Tire & Rubber Co | Production method of polishing pad and semiconductor device (1) |
US20050208234A1 (en) | 2004-03-19 | 2005-09-22 | Agfa-Gevaert | Ink-jet recording material |
US7195544B2 (en) | 2004-03-23 | 2007-03-27 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP porous pad with component-filled pores |
US7204742B2 (en) | 2004-03-25 | 2007-04-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing pad comprising hydrophobic region and endpoint detection port |
US6955588B1 (en) | 2004-03-31 | 2005-10-18 | Lam Research Corporation | Method of and platen for controlling removal rate characteristics in chemical mechanical planarization |
JP2005294661A (ja) | 2004-04-02 | 2005-10-20 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨パッド及びそれを用いる研磨方法 |
JP2004243518A (ja) | 2004-04-08 | 2004-09-02 | Toshiba Corp | 研摩装置 |
US20050227590A1 (en) | 2004-04-09 | 2005-10-13 | Chien-Min Sung | Fixed abrasive tools and associated methods |
TWI293266B (en) | 2004-05-05 | 2008-02-11 | Iv Technologies Co Ltd | A single-layer polishing pad and a method of producing the same |
WO2005114322A2 (en) | 2004-05-12 | 2005-12-01 | Massachusetts Institute Of Technology | Manufacturing process, such as three-dimensional printing, including solvent vapor filming and the like |
US20050260939A1 (en) * | 2004-05-18 | 2005-11-24 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Brazed diamond dressing tool |
KR20060046093A (ko) | 2004-05-20 | 2006-05-17 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 화학 기계 연마 패드 및 화학 기계 연마 방법 |
WO2005113220A1 (ja) | 2004-05-20 | 2005-12-01 | Bridgestone Corporation | シーリング剤注入装置、シーリング剤注入方法及びシーリング・ポンプアップ装置 |
US20050261150A1 (en) * | 2004-05-21 | 2005-11-24 | Battelle Memorial Institute, A Part Interest | Reactive fluid systems for removing deposition materials and methods for using same |
DE102004025374A1 (de) * | 2004-05-24 | 2006-02-09 | Technische Universität Berlin | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines dreidimensionalen Artikels |
US7438795B2 (en) | 2004-06-10 | 2008-10-21 | Cabot Microelectronics Corp. | Electrochemical-mechanical polishing system |
US7582127B2 (en) | 2004-06-16 | 2009-09-01 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition for a tungsten-containing substrate |
US7252871B2 (en) | 2004-06-16 | 2007-08-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad having a pressure relief channel |
US7822500B2 (en) | 2004-06-21 | 2010-10-26 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and polishing method |
JP4133945B2 (ja) | 2004-06-28 | 2008-08-13 | 住友ゴム工業株式会社 | タイヤのパンクシーリング剤送給、抜取り装置 |
WO2006003697A1 (ja) | 2004-06-30 | 2006-01-12 | Toho Engineering Kabushiki Kaisha | 研磨パッドおよびその製造方法 |
US20060014475A1 (en) | 2004-07-15 | 2006-01-19 | Disco Corporation | Grindstone tool |
US7709053B2 (en) | 2004-07-29 | 2010-05-04 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of manufacturing of polymer-coated particles for chemical mechanical polishing |
US7939003B2 (en) | 2004-08-11 | 2011-05-10 | Cornell Research Foundation, Inc. | Modular fabrication systems and methods |
US7153191B2 (en) | 2004-08-20 | 2006-12-26 | Micron Technology, Inc. | Polishing liquids for activating and/or conditioning fixed abrasive polishing pads, and associated systems and methods |
US8075372B2 (en) | 2004-09-01 | 2011-12-13 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing pad with microporous regions |
DE102004042911A1 (de) | 2004-09-02 | 2006-03-09 | Michael Stehle | Vorrichtung zum Ausbringen von Luft- und/oder Reifendichtmittel |
US20060079159A1 (en) | 2004-10-08 | 2006-04-13 | Markus Naujok | Chemical mechanical polish with multi-zone abrasive-containing matrix |
US20060096179A1 (en) | 2004-11-05 | 2006-05-11 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP composition containing surface-modified abrasive particles |
WO2006057713A2 (en) | 2004-11-29 | 2006-06-01 | Rajeev Bajaj | Electro-method and apparatus for improved chemical mechanical planarization pad with uniform polish performance |
WO2006057720A1 (en) | 2004-11-29 | 2006-06-01 | Rajeev Bajaj | Method and apparatus for improved chemical mechanical planarization pad with pressure control and process monitor |
US20080318505A1 (en) * | 2004-11-29 | 2008-12-25 | Rajeev Bajaj | Chemical mechanical planarization pad and method of use thereof |
US7815778B2 (en) | 2005-11-23 | 2010-10-19 | Semiquest Inc. | Electro-chemical mechanical planarization pad with uniform polish performance |
US7846008B2 (en) | 2004-11-29 | 2010-12-07 | Semiquest Inc. | Method and apparatus for improved chemical mechanical planarization and CMP pad |
CN102554766B (zh) * | 2004-12-10 | 2014-11-05 | 东洋橡胶工业株式会社 | 研磨垫及研磨垫的制造方法 |
JP4775881B2 (ja) | 2004-12-10 | 2011-09-21 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッド |
US7059949B1 (en) | 2004-12-14 | 2006-06-13 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | CMP pad having an overlapping stepped groove arrangement |
US7059950B1 (en) | 2004-12-14 | 2006-06-13 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | CMP polishing pad having grooves arranged to improve polishing medium utilization |
US7182677B2 (en) | 2005-01-14 | 2007-02-27 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing pad for controlling polishing slurry distribution |
KR101616535B1 (ko) * | 2005-02-18 | 2016-04-29 | 넥스플래너 코퍼레이션 | 화학적 기계적인 평탄화를 위해 적합화된 연마 패드와 그 연마 패드의 제조 및 사용 방법 |
WO2006089293A1 (en) | 2005-02-18 | 2006-08-24 | Neopad Technologies Corporation | Customized polishing pads for cmp and methods of fabrication and use thereof |
KR20070108546A (ko) | 2005-02-18 | 2007-11-12 | 네오패드 테크놀로지즈 코포레이션 | 화학적 기계적인 평탄화를 위해 적합화된 연마 패드와 그연마 패드의 제조 및 사용 방법 |
TWI385050B (zh) | 2005-02-18 | 2013-02-11 | Nexplanar Corp | 用於cmp之特製拋光墊及其製造方法及其用途 |
US7875091B2 (en) | 2005-02-22 | 2011-01-25 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Rapid tooling system and methods for manufacturing abrasive articles |
US7524345B2 (en) | 2005-02-22 | 2009-04-28 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Rapid tooling system and methods for manufacturing abrasive articles |
JP2006231464A (ja) | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Nitta Haas Inc | 研磨パッド |
US7829000B2 (en) | 2005-02-25 | 2010-11-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Core-shell solid freeform fabrication |
TWI410314B (zh) | 2005-04-06 | 2013-10-01 | 羅門哈斯電子材料Cmp控股公司 | 藉由反應-射出成形製造多孔化學機械研磨墊之裝置 |
EP1710324B1 (en) | 2005-04-08 | 2008-12-03 | STMicroelectronics S.r.l. | PVD process and chamber for the pulsed deposition of a chalcogenide material layer of a phase change memory device |
US7427340B2 (en) | 2005-04-08 | 2008-09-23 | Applied Materials, Inc. | Conductive pad |
US7435364B2 (en) | 2005-04-11 | 2008-10-14 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method for forming a porous polishing pad |
JP2006305650A (ja) * | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Inoac Corp | 研磨用吸着パッド及びその製造方法 |
US8398466B2 (en) | 2006-11-16 | 2013-03-19 | Chien-Min Sung | CMP pad conditioners with mosaic abrasive segments and associated methods |
US8393934B2 (en) | 2006-11-16 | 2013-03-12 | Chien-Min Sung | CMP pad dressers with hybridized abrasive surface and related methods |
KR101134432B1 (ko) | 2005-05-17 | 2012-04-10 | 도요 고무 고교 가부시키가이샤 | 연마 패드 |
KR100721196B1 (ko) | 2005-05-24 | 2007-05-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 연마패드 및 이를 이용한 화학적기계적연마장치 |
JP2007005612A (ja) | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨パッド及びその製造方法及び基板の研磨方法 |
CN1897226A (zh) * | 2005-07-11 | 2007-01-17 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 一种化学机械抛光机 |
JP4512529B2 (ja) | 2005-07-15 | 2010-07-28 | 住友精密工業株式会社 | エッチング方法及びエッチング装置 |
US8557351B2 (en) | 2005-07-22 | 2013-10-15 | Molecular Imprints, Inc. | Method for adhering materials together |
US7759407B2 (en) * | 2005-07-22 | 2010-07-20 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for adhering materials together |
KR100727485B1 (ko) | 2005-08-09 | 2007-06-13 | 삼성전자주식회사 | 연마 패드 및 이를 제조하는 방법, 그리고 화학적 기계적 연마 장치 및 방법 |
US20070049164A1 (en) | 2005-08-26 | 2007-03-01 | Thomson Clifford O | Polishing pad and method for manufacturing polishing pads |
US7594845B2 (en) | 2005-10-20 | 2009-09-29 | 3M Innovative Properties Company | Abrasive article and method of modifying the surface of a workpiece |
US20070117393A1 (en) | 2005-11-21 | 2007-05-24 | Alexander Tregub | Hardened porous polymer chemical mechanical polishing (CMP) pad |
CN101500756A (zh) | 2005-11-30 | 2009-08-05 | 应用材料公司 | 具有表面粗糙度的抛光垫 |
JP4868840B2 (ja) | 2005-11-30 | 2012-02-01 | Jsr株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN1851896A (zh) | 2005-12-05 | 2006-10-25 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种静电卡盘 |
US20070128991A1 (en) | 2005-12-07 | 2007-06-07 | Yoon Il-Young | Fixed abrasive polishing pad, method of preparing the same, and chemical mechanical polishing apparatus including the same |
US20070149094A1 (en) | 2005-12-28 | 2007-06-28 | Choi Jae Y | Monitoring Device of Chemical Mechanical Polishing Apparatus |
TW200744786A (en) | 2005-12-28 | 2007-12-16 | Jsr Corp | Chemical mechanical polishing pad and chemical mechanical polishing method |
KR20080087012A (ko) * | 2006-01-25 | 2008-09-29 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 화학 기계 연마 패드 및 그의 제조 방법 |
CN100580885C (zh) * | 2006-02-06 | 2010-01-13 | 东丽株式会社 | 研磨垫、研磨装置、研磨装置用保护膜以及研磨方法 |
CN101384426A (zh) * | 2006-02-09 | 2009-03-11 | 上游技术革新有限公司 | 结合了碳纳米结构的聚合物材料及其制备方法 |
US7935276B2 (en) | 2006-02-09 | 2011-05-03 | Headwaters Technology Innovation Llc | Polymeric materials incorporating carbon nanostructures |
KR101395513B1 (ko) | 2006-02-23 | 2014-05-15 | 피코데온 리미티드 오와이 | 플라스틱 기재 상의 코팅 및 코팅된 플라스틱 제품 |
JP2007235001A (ja) | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Mitsui Chemicals Inc | 研磨用スラリー |
US20070204420A1 (en) | 2006-03-06 | 2007-09-06 | Hornby David M | Polishing pad and method of making |
US7517488B2 (en) | 2006-03-08 | 2009-04-14 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of forming a chemical mechanical polishing pad utilizing laser sintering |
WO2007104063A1 (en) | 2006-03-09 | 2007-09-13 | Rimpad Tech Ltd. | Composite polishing pad |
WO2007111996A2 (en) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Clemson University | Conducting polymer ink |
US20070235133A1 (en) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Strasbaugh | Devices and methods for measuring wafer characteristics during semiconductor wafer polishing |
US20070235904A1 (en) | 2006-04-06 | 2007-10-11 | Saikin Alan H | Method of forming a chemical mechanical polishing pad utilizing laser sintering |
US7410413B2 (en) | 2006-04-27 | 2008-08-12 | 3M Innovative Properties Company | Structured abrasive article and method of making and using the same |
FR2900411B1 (fr) | 2006-04-27 | 2008-08-29 | Coatex Sas | Procede de traitement de matieres minerales par des polymeres amphoteres,matieres minerales obtenues,leur utilisation comme agent reducteur de la quantite de colloides dans la fabrication de papier. |
US7169030B1 (en) | 2006-05-25 | 2007-01-30 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad |
US7445847B2 (en) | 2006-05-25 | 2008-11-04 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad |
WO2007147221A1 (en) | 2006-06-20 | 2007-12-27 | Katholieke Universiteit Leuven | Procedure and apparatus for in-situ monitoring and feedback control of selective laser powder processing |
US7840305B2 (en) | 2006-06-28 | 2010-11-23 | 3M Innovative Properties Company | Abrasive articles, CMP monitoring system and method |
US20080220702A1 (en) | 2006-07-03 | 2008-09-11 | Sang Fang Chemical Industry Co., Ltd. | Polishing pad having surface texture |
JP5186738B2 (ja) | 2006-07-10 | 2013-04-24 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 研磨パッドの製造方法及び被研磨体の研磨方法 |
TWI409136B (zh) | 2006-07-19 | 2013-09-21 | Innopad Inc | 表面具微溝槽之化學機械平坦化墊 |
KR100804275B1 (ko) | 2006-07-24 | 2008-02-18 | 에스케이씨 주식회사 | 고분자 쉘로 둘러싸인 액상 유기물 코어를 포함하는 cmp연마패드 및 그 제조방법 |
EP2062932B1 (en) | 2006-07-28 | 2013-09-11 | Toray Industries, Inc. | Processes for producing an interpenetrating polymer network structure and a polishing pad |
US7267610B1 (en) | 2006-08-30 | 2007-09-11 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | CMP pad having unevenly spaced grooves |
US7300340B1 (en) | 2006-08-30 | 2007-11-27 | Rohm and Haas Electronics Materials CMP Holdings, Inc. | CMP pad having overlaid constant area spiral grooves |
KR101209420B1 (ko) | 2006-09-06 | 2012-12-07 | 니타 하스 인코포레이티드 | 연마 패드 |
JP2008084504A (ja) | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Hitachi Ltd | 光ディスク装置および光ディスクの再生方法 |
US7382959B1 (en) | 2006-10-13 | 2008-06-03 | Hrl Laboratories, Llc | Optically oriented three-dimensional polymer microstructures |
KR100842486B1 (ko) | 2006-10-30 | 2008-07-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Cmp 장비의 폴리싱패드와 이의 제조장치 |
US7234224B1 (en) | 2006-11-03 | 2007-06-26 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Curved grooving of polishing pads |
US7648645B2 (en) * | 2006-11-08 | 2010-01-19 | 3M Innovative Properties Company | Pre-polymer formulations for liquid crystal displays |
CN101199994A (zh) | 2006-12-15 | 2008-06-18 | 湖南大学 | 智能化激光熔覆成型金属零件 |
US7438636B2 (en) * | 2006-12-21 | 2008-10-21 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad |
EP2097247B1 (en) | 2006-12-21 | 2016-03-09 | Agfa Graphics NV | 3d-inkjet printing methods |
US7371160B1 (en) | 2006-12-21 | 2008-05-13 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc. | Elastomer-modified chemical mechanical polishing pad |
US7497885B2 (en) | 2006-12-22 | 2009-03-03 | 3M Innovative Properties Company | Abrasive articles with nanoparticulate fillers and method for making and using them |
US8083820B2 (en) | 2006-12-22 | 2011-12-27 | 3M Innovative Properties Company | Structured fixed abrasive articles including surface treated nano-ceria filler, and method for making and using the same |
US7520798B2 (en) | 2007-01-31 | 2009-04-21 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad with grooves to reduce slurry consumption |
US7311590B1 (en) | 2007-01-31 | 2007-12-25 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad with grooves to retain slurry on the pad texture |
WO2008093850A1 (ja) | 2007-02-01 | 2008-08-07 | Kuraray Co., Ltd. | 研磨パッド及び研磨パッドの製造方法 |
JP5204502B2 (ja) * | 2007-02-01 | 2013-06-05 | 株式会社クラレ | 研磨パッド及び研磨パッドの製造方法 |
JP5687837B2 (ja) | 2007-02-16 | 2015-03-25 | ナノグラム・コーポレイションNanoGram Corporation | 太陽電池構造体、光起電モジュール及びこれらに対応する方法 |
JP2008258574A (ja) | 2007-03-14 | 2008-10-23 | Jsr Corp | 化学機械研磨パッドおよび化学機械研磨方法 |
CN101678527B (zh) | 2007-03-20 | 2011-08-03 | 可乐丽股份有限公司 | 用于抛光垫的衬垫和使用该衬垫的抛光垫 |
JP4798713B2 (ja) | 2007-03-26 | 2011-10-19 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | 研磨パッドの製造方法 |
JP4954762B2 (ja) | 2007-03-27 | 2012-06-20 | 東洋ゴム工業株式会社 | ポリウレタン発泡体の製造方法 |
US9536711B2 (en) | 2007-03-30 | 2017-01-03 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for DC voltage control on RF-powered electrode |
US8784723B2 (en) | 2007-04-01 | 2014-07-22 | Stratasys Ltd. | Method and system for three-dimensional fabrication |
US20090011679A1 (en) | 2007-04-06 | 2009-01-08 | Rajeev Bajaj | Method of removal profile modulation in cmp pads |
FR2915016B1 (fr) | 2007-04-10 | 2009-06-05 | Siemens Vdo Automotive Sas | Systeme de creation automatisee d'une interface logicielle |
DE102007047629A1 (de) * | 2007-04-13 | 2008-10-16 | Stein, Ralf | Verfahren zum Aufbringen einer hochfesten Beschichtung auf Werkstücke und/oder Werkstoffe |
US8067814B2 (en) | 2007-06-01 | 2011-11-29 | Panasonic Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP5363470B2 (ja) | 2007-06-08 | 2013-12-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 窓付きの薄い研磨パッド及び成形プロセス |
US7455571B1 (en) | 2007-06-20 | 2008-11-25 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Window polishing pad |
US20080314878A1 (en) | 2007-06-22 | 2008-12-25 | General Electric Company | Apparatus and method for controlling a machining system |
US8563619B2 (en) | 2007-06-28 | 2013-10-22 | Lam Research Corporation | Methods and arrangements for plasma processing system with tunable capacitance |
US7758764B2 (en) | 2007-06-28 | 2010-07-20 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for substrate processing |
US7862320B2 (en) | 2007-07-17 | 2011-01-04 | Seiko Epson Corporation | Three-dimensional object forming apparatus and method for forming three dimensional object |
US8047899B2 (en) | 2007-07-26 | 2011-11-01 | Macronix International Co., Ltd. | Pad and method for chemical mechanical polishing |
TWI444248B (zh) * | 2007-08-15 | 2014-07-11 | 羅門哈斯電子材料Cmp控股公司 | 化學機械研磨方法 |
US7635290B2 (en) | 2007-08-15 | 2009-12-22 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Interpenetrating network for chemical mechanical polishing |
US7517277B2 (en) | 2007-08-16 | 2009-04-14 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Layered-filament lattice for chemical mechanical polishing |
US7828634B2 (en) | 2007-08-16 | 2010-11-09 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Interconnected-multi-element-lattice polishing pad |
CN101376234B (zh) * | 2007-08-28 | 2013-05-29 | 侯家祥 | 一种研磨工具磨料颗粒有序排列的方法 |
KR20100082770A (ko) | 2007-09-03 | 2010-07-19 | 세미퀘스트, 인코포레이티드 | 폴리싱 패드 |
US9028572B2 (en) | 2007-09-21 | 2015-05-12 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition and method utilizing abrasive particles treated with an aminosilane |
EP2042649B1 (en) | 2007-09-27 | 2012-05-30 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Coated base fabric for airbags |
JP5078527B2 (ja) | 2007-09-28 | 2012-11-21 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨布 |
FR2921667B1 (fr) | 2007-10-01 | 2012-11-09 | Saint Gobain Abrasives Inc | Composition resinique liquide pour articles abrasifs |
JP5143528B2 (ja) | 2007-10-25 | 2013-02-13 | 株式会社クラレ | 研磨パッド |
US8491360B2 (en) | 2007-10-26 | 2013-07-23 | Innopad, Inc. | Three-dimensional network in CMP pad |
TW200941582A (en) | 2007-10-29 | 2009-10-01 | Ekc Technology Inc | Methods of post chemical mechanical polishing and wafer cleaning using amidoxime compositions |
US8388410B2 (en) | 2007-11-05 | 2013-03-05 | P.R. Hoffman Machine Products, Inc. | RFID-containing carriers used for silicon wafer quality |
JP2009129970A (ja) | 2007-11-20 | 2009-06-11 | Ebara Corp | 研磨装置及び研磨方法 |
DE102007056984A1 (de) | 2007-11-27 | 2009-05-28 | Eos Gmbh Electro Optical Systems | Verfahren zum Herstellen eines dreidimensionalen Objekts mittels Lasersintern |
US8377623B2 (en) | 2007-11-27 | 2013-02-19 | 3D Systems, Inc. | Photocurable resin composition for producing three dimensional articles having high clarity |
KR101570732B1 (ko) | 2007-12-31 | 2015-11-20 | 에프엔에스테크 주식회사 | 화학-기계적 평탄화 패드 |
CN101925441B (zh) | 2007-12-31 | 2013-08-14 | 3M创新有限公司 | 经等离子处理的磨料制品及其制造方法 |
JP5248152B2 (ja) * | 2008-03-12 | 2013-07-31 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッド |
US9180570B2 (en) | 2008-03-14 | 2015-11-10 | Nexplanar Corporation | Grooved CMP pad |
CN101977755A (zh) | 2008-03-25 | 2011-02-16 | 住友橡胶工业株式会社 | 轮胎穿孔修补装置 |
JP5226359B2 (ja) * | 2008-04-02 | 2013-07-03 | 株式会社クラレ | 研磨パッド用クッションおよびそれを用いた研磨パッド |
US8684794B2 (en) | 2008-04-11 | 2014-04-01 | Fns Tech Co., Ltd. | Chemical mechanical planarization pad with void network |
KR101618273B1 (ko) | 2008-04-29 | 2016-05-04 | 세미퀘스트, 인코포레이티드 | 연마 패드 조성물, 및 이의 제조 방법 및 용도 |
EP2305454B1 (en) | 2008-05-26 | 2017-03-22 | Sony Corporation | Shaping apparatus and shaping method |
TW201005825A (en) | 2008-05-30 | 2010-02-01 | Panasonic Corp | Plasma processing apparatus and method |
US20090308739A1 (en) | 2008-06-17 | 2009-12-17 | Applied Materials, Inc. | Wafer processing deposition shielding components |
TWM347669U (en) | 2008-06-19 | 2008-12-21 | Bestac Advanced Material Co Ltd | Polishing pad and polishing device |
CN101612722A (zh) | 2008-06-25 | 2009-12-30 | 三芳化学工业股份有限公司 | 抛光垫及其制造方法 |
JP5596030B2 (ja) * | 2008-06-26 | 2014-09-24 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 多孔質エレメントを有する研磨パッド及びその製造方法と使用方法 |
US8282866B2 (en) | 2008-06-30 | 2012-10-09 | Seiko Epson Corporation | Method and device for forming three-dimensional model, sheet material processing method, and sheet material processing device |
US20100011672A1 (en) | 2008-07-16 | 2010-01-21 | Kincaid Don H | Coated abrasive article and method of making and using the same |
KR20110033277A (ko) * | 2008-07-18 | 2011-03-30 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 | 플로팅 요소를 구비한 연마 패드 및 이 연마 패드의 제작 방법과 이용 방법 |
US8734664B2 (en) | 2008-07-23 | 2014-05-27 | Applied Materials, Inc. | Method of differential counter electrode tuning in an RF plasma reactor |
US20100018648A1 (en) | 2008-07-23 | 2010-01-28 | Applied Marterials, Inc. | Workpiece support for a plasma reactor with controlled apportionment of rf power to a process kit ring |
US20140034239A1 (en) | 2008-07-23 | 2014-02-06 | Applied Materials, Inc. | Differential counter electrode tuning in a plasma reactor with an rf-driven workpiece support electrode |
US20140069584A1 (en) | 2008-07-23 | 2014-03-13 | Applied Materials, Inc. | Differential counter electrode tuning in a plasma reactor with an rf-driven ceiling electrode |
CN101642898B (zh) * | 2008-08-06 | 2011-09-14 | 财团法人工业技术研究院 | 抛光垫及其形成方法以及抛光方法 |
CN102119069B (zh) * | 2008-08-08 | 2015-04-15 | 可乐丽股份有限公司 | 抛光垫及抛光垫的制造方法 |
KR20100028294A (ko) * | 2008-09-04 | 2010-03-12 | 주식회사 코오롱 | 연마패드 및 그의 제조방법 |
KR101678114B1 (ko) | 2008-09-26 | 2016-11-21 | 로디아 오퍼레이션스 | 화학적 기계적 폴리싱용 연마제 조성물 및 그의 이용 방법 |
JP2010077288A (ja) | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Toray Ind Inc | 相互侵入高分子網目構造体、研磨パッドおよび相互侵入高分子網目構造体の製造方法 |
US8118641B2 (en) | 2009-03-04 | 2012-02-21 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad having window with integral identification feature |
TW201016387A (en) | 2008-10-22 | 2010-05-01 | jian-min Song | CMP Pad Dressers with Hybridized abrasive surface and related methods |
US20100112919A1 (en) | 2008-11-03 | 2010-05-06 | Applied Materials, Inc. | Monolithic linear polishing sheet |
US8292692B2 (en) | 2008-11-26 | 2012-10-23 | Semiquest, Inc. | Polishing pad with endpoint window and systems and method using the same |
DE102008060046A1 (de) | 2008-12-02 | 2010-06-10 | Eos Gmbh Electro Optical Systems | Verfahren zum Bereitstellen einer identifizierbaren Pulvermenge und Verfahren zur Herstellung eines Objekts |
US20100140850A1 (en) | 2008-12-04 | 2010-06-10 | Objet Geometries Ltd. | Compositions for 3D printing |
DE102008061311A1 (de) | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Doukas Ag | Vorrichtung zum Fördern eines Gases |
CN101428404A (zh) | 2008-12-22 | 2009-05-13 | 南京航空航天大学 | 固结磨料研磨抛光垫及其制备方法 |
US8057282B2 (en) | 2008-12-23 | 2011-11-15 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | High-rate polishing method |
US8062103B2 (en) | 2008-12-23 | 2011-11-22 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | High-rate groove pattern |
US8435099B2 (en) | 2009-01-27 | 2013-05-07 | Innopad, Inc. | Chemical-mechanical planarization pad including patterned structural domains |
US8053487B2 (en) | 2009-01-30 | 2011-11-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Multifunctional acrylates used as cross-linkers in dental and biomedical self-etching bonding adhesives |
EP2398577A2 (en) | 2009-02-19 | 2011-12-28 | Bonner, Alex Garfield | Porous interpenetrating polymer network |
WO2010116486A1 (ja) | 2009-04-07 | 2010-10-14 | トヨタ自動車株式会社 | ステータおよびその製造方法 |
US9951054B2 (en) | 2009-04-23 | 2018-04-24 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP porous pad with particles in a polymeric matrix |
CN201483382U (zh) * | 2009-05-14 | 2010-05-26 | 贝达先进材料股份有限公司 | 研磨垫以及研磨装置 |
JP2012528487A (ja) | 2009-05-27 | 2012-11-12 | ロジャーズ コーポレーション | 研磨パッド、それを用いた組成物および、その製造と使用方法 |
JP5357639B2 (ja) | 2009-06-24 | 2013-12-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
KR101750775B1 (ko) | 2009-06-29 | 2017-06-26 | 디아이씨 가부시끼가이샤 | 연마 패드용 2액형 우레탄 수지 조성물, 폴리우레탄 연마 패드, 및 폴리우레탄 연마 패드의 제조 방법 |
KR101478414B1 (ko) | 2009-07-16 | 2014-12-31 | 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 | 홈이 있는 cmp 연마 패드 |
TWI535527B (zh) | 2009-07-20 | 2016-06-01 | 智勝科技股份有限公司 | 研磨方法、研磨墊與研磨系統 |
US8712571B2 (en) | 2009-08-07 | 2014-04-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus for wireless transmission of diagnostic information |
US8676537B2 (en) | 2009-08-07 | 2014-03-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Portable wireless sensor |
US8889232B2 (en) | 2009-08-20 | 2014-11-18 | Electronics For Imaging, Inc. | Radiation curable ink compositions |
TWI410299B (zh) | 2009-08-24 | 2013-10-01 | Bestac Advanced Material Co Ltd | 研磨墊與其應用及其製造方法 |
EP2477768B1 (en) | 2009-09-17 | 2019-04-17 | Sciaky Inc. | Electron beam layer manufacturing |
CN102762657B (zh) * | 2009-10-16 | 2015-02-18 | Posco公司 | 可辐射固化的树脂组合物和包括其的耐指纹树脂组合物 |
US8598523B2 (en) | 2009-11-13 | 2013-12-03 | Sciaky, Inc. | Electron beam layer manufacturing using scanning electron monitored closed loop control |
JP5496630B2 (ja) | 2009-12-10 | 2014-05-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電チャック装置 |
US20130012108A1 (en) * | 2009-12-22 | 2013-01-10 | Naichao Li | Polishing pad and method of making the same |
KR101419156B1 (ko) * | 2009-12-28 | 2014-07-11 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | Cmp용 연마액 및 이것을 사용한 연마 방법 |
JP5671554B2 (ja) | 2009-12-30 | 2015-02-18 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 有機微粒子装填研磨パッド、並びにその製造及び使用方法 |
SG181678A1 (en) * | 2009-12-30 | 2012-07-30 | 3M Innovative Properties Co | Polishing pads including phase-separated polymer blend and method of making and using the same |
US9017140B2 (en) | 2010-01-13 | 2015-04-28 | Nexplanar Corporation | CMP pad with local area transparency |
US9089943B2 (en) | 2010-01-29 | 2015-07-28 | Ronald Lipson | Composite pads for buffing and polishing painted vehicle body surfaces and other applications |
DE102010007401A1 (de) | 2010-02-03 | 2011-08-04 | Kärcher Futuretech GmbH, 71364 | Vorrichtung und Verfahren zum automatisierten Formen und Abfüllen von Behältern |
WO2011103538A2 (en) | 2010-02-22 | 2011-08-25 | Entegris,Inc. | Post-cmp cleaning brush |
KR20110100080A (ko) | 2010-03-03 | 2011-09-09 | 삼성전자주식회사 | 화학적 기계적 연마 공정용 연마 패드 및 이를 포함하는 화학적 기계적 연마 설비 |
DE102010011059A1 (de) | 2010-03-11 | 2011-09-15 | Global Beam Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Bauteils |
JP5551479B2 (ja) | 2010-03-19 | 2014-07-16 | ニッタ・ハース株式会社 | 研磨装置、研磨パッドおよび研磨情報管理システム |
JP5620141B2 (ja) | 2010-04-15 | 2014-11-05 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッド |
JP5697889B2 (ja) * | 2010-04-19 | 2015-04-08 | 帝人コードレ株式会社 | 平滑加工用シート |
CN102892553B (zh) * | 2010-05-11 | 2016-04-27 | 3M创新有限公司 | 用于化学机械平面化的具有表面活性剂的固定磨料垫片 |
WO2011163070A1 (en) | 2010-06-25 | 2011-12-29 | 3M Innovative Properties Company | Semi-interpenetrating polymer network |
US20120000887A1 (en) | 2010-06-30 | 2012-01-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plasma treatment apparatus and plasma treatment method |
RU2555269C2 (ru) | 2010-07-02 | 2015-07-10 | Зм Инновейтив Пропертиз Компани | Покрытые абразивные изделия |
US9156124B2 (en) | 2010-07-08 | 2015-10-13 | Nexplanar Corporation | Soft polishing pad for polishing a semiconductor substrate |
JP5635957B2 (ja) | 2010-09-09 | 2014-12-03 | 日本碍子株式会社 | 被研磨物の研磨方法、及び研磨パッド |
WO2012040212A2 (en) | 2010-09-22 | 2012-03-29 | Interfacial Solutions Ip, Llc | Methods of producing microfabricated particles for composite materials |
US8257545B2 (en) | 2010-09-29 | 2012-09-04 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad with light stable polymeric endpoint detection window and method of polishing therewith |
US8702479B2 (en) | 2010-10-15 | 2014-04-22 | Nexplanar Corporation | Polishing pad with multi-modal distribution of pore diameters |
WO2012082576A1 (en) | 2010-12-16 | 2012-06-21 | 3M Innovative Properties Company | Interpenetrated polymer layer |
WO2012100297A1 (en) | 2011-01-26 | 2012-08-02 | Zydex Pty Ltd | A device for making an object |
US9211628B2 (en) | 2011-01-26 | 2015-12-15 | Nexplanar Corporation | Polishing pad with concentric or approximately concentric polygon groove pattern |
JP5893479B2 (ja) | 2011-04-21 | 2016-03-23 | 東洋ゴム工業株式会社 | 積層研磨パッド |
ES2808700T3 (es) | 2011-04-27 | 2021-03-01 | Henkel IP & Holding GmbH | Composiciones de elastómeros curables con capacidad de sellado a baja temperatura |
US8968058B2 (en) | 2011-05-05 | 2015-03-03 | Nexplanar Corporation | Polishing pad with alignment feature |
US20120302148A1 (en) * | 2011-05-23 | 2012-11-29 | Rajeev Bajaj | Polishing pad with homogeneous body having discrete protrusions thereon |
JP5851124B2 (ja) | 2011-06-13 | 2016-02-03 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 研磨用構造体 |
ES2441170T3 (es) | 2011-06-21 | 2014-02-03 | Agfa Graphics N.V. | Líquido eyectable curable para fabricar una matriz de impresión flexográfica |
JP2013018056A (ja) | 2011-07-07 | 2013-01-31 | Toray Ind Inc | 研磨パッド |
US10388493B2 (en) | 2011-09-16 | 2019-08-20 | Lam Research Corporation | Component of a substrate support assembly producing localized magnetic fields |
US8894799B2 (en) | 2011-09-22 | 2014-11-25 | Dow Global Technologies Llc | Method of forming layered-open-network polishing pads |
US8801949B2 (en) | 2011-09-22 | 2014-08-12 | Dow Global Technologies Llc | Method of forming open-network polishing pads |
US9108291B2 (en) | 2011-09-22 | 2015-08-18 | Dow Global Technologies Llc | Method of forming structured-open-network polishing pads |
CN103918063A (zh) | 2011-09-26 | 2014-07-09 | 恩特格里公司 | 化学机械抛光后清洁装置及方法 |
US20130107415A1 (en) | 2011-10-28 | 2013-05-02 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck |
TWI462797B (zh) | 2011-11-24 | 2014-12-01 | Univ Nat Taiwan Science Tech | Electric field assisted chemical mechanical polishing system and its method |
SG11201402224WA (en) | 2011-11-29 | 2014-09-26 | Nexplanar Corp | Polishing pad with foundation layer and polishing surface layer |
US9067298B2 (en) | 2011-11-29 | 2015-06-30 | Nexplanar Corporation | Polishing pad with grooved foundation layer and polishing surface layer |
US9067297B2 (en) | 2011-11-29 | 2015-06-30 | Nexplanar Corporation | Polishing pad with foundation layer and polishing surface layer |
EP2785797B1 (en) | 2011-11-30 | 2018-03-21 | Merck Patent GmbH | Particles for electrophoretic displays |
US8988848B2 (en) | 2011-12-15 | 2015-03-24 | Applied Materials, Inc. | Extended and independent RF powered cathode substrate for extreme edge tunability |
KR20130084932A (ko) | 2012-01-18 | 2013-07-26 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
US8721833B2 (en) | 2012-02-05 | 2014-05-13 | Tokyo Electron Limited | Variable capacitance chamber component incorporating ferroelectric materials and methods of manufacturing and using thereof |
US8486798B1 (en) | 2012-02-05 | 2013-07-16 | Tokyo Electron Limited | Variable capacitance chamber component incorporating a semiconductor junction and methods of manufacturing and using thereof |
KR20130095430A (ko) | 2012-02-20 | 2013-08-28 | 케이피엑스케미칼 주식회사 | 연마패드 및 그 제조방법 |
CN104487221B (zh) | 2012-03-01 | 2017-09-26 | 纳斯达克有限公司 | 阳离子可聚合组合物及其使用方法 |
DE102012203639A1 (de) | 2012-03-08 | 2013-09-12 | Evonik Industries Ag | Additiv zur Einstellung der Glasübergangstemperatur von viskoelastischen Polyurethanweichschaumstoffen |
US8709114B2 (en) | 2012-03-22 | 2014-04-29 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of manufacturing chemical mechanical polishing layers |
US8986585B2 (en) | 2012-03-22 | 2015-03-24 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of manufacturing chemical mechanical polishing layers having a window |
DE102012007791A1 (de) | 2012-04-20 | 2013-10-24 | Universität Duisburg-Essen | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Bauteilen in einer Strahlschmelzanlage |
US9067299B2 (en) * | 2012-04-25 | 2015-06-30 | Applied Materials, Inc. | Printed chemical mechanical polishing pad |
US9412579B2 (en) | 2012-04-26 | 2016-08-09 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for controlling substrate uniformity |
US9993873B2 (en) | 2012-05-22 | 2018-06-12 | General Electric Company | System and method for three-dimensional printing |
US9481134B2 (en) | 2012-06-08 | 2016-11-01 | Makerbot Industries, Llc | Build platform leveling with tactile feedback |
WO2013188296A1 (en) | 2012-06-11 | 2013-12-19 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition and method for polishing molybdenum |
JP5994183B2 (ja) | 2012-06-29 | 2016-09-21 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド及びその製造方法 |
US8778211B2 (en) | 2012-07-17 | 2014-07-15 | Cabot Microelectronics Corporation | GST CMP slurries |
US9174388B2 (en) | 2012-08-16 | 2015-11-03 | Stratasys, Inc. | Draw control for extrusion-based additive manufacturing systems |
US8888480B2 (en) | 2012-09-05 | 2014-11-18 | Aprecia Pharmaceuticals Company | Three-dimensional printing system and equipment assembly |
KR101572009B1 (ko) | 2012-09-05 | 2015-11-25 | 아프레시아 파마슈티칼스 컴퍼니 | 3차원 인쇄 시스템 및 장비 어셈블리 |
WO2014047014A1 (en) | 2012-09-21 | 2014-03-27 | 3M Innovative Properties Company | Incorporating additives into fixed abrasive webs for improved cmp performance |
JP6196858B2 (ja) | 2012-09-24 | 2017-09-13 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法および研磨装置 |
JP6300805B2 (ja) | 2012-09-25 | 2018-03-28 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 放射線硬化性インク組成物 |
KR102131604B1 (ko) | 2012-10-11 | 2020-07-09 | 다우 실리콘즈 코포레이션 | 수성 실리콘 폴리에테르 마이크로에멀젼 |
CN202825512U (zh) * | 2012-10-11 | 2013-03-27 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 研磨垫及化学机械研磨机台 |
US20140120196A1 (en) | 2012-10-29 | 2014-05-01 | Makerbot Industries, Llc | Quick-release extruder |
US9522426B2 (en) | 2012-11-08 | 2016-12-20 | Georgia Tech Research Corporation | Systems and methods for additive manufacturing and repair of metal components |
CN104853901B (zh) | 2012-12-17 | 2018-06-05 | 阿卡姆股份公司 | 添加材料制造方法和设备 |
US10357435B2 (en) | 2012-12-18 | 2019-07-23 | Dentca, Inc. | Photo-curable resin compositions and method of using the same in three-dimensional printing for manufacturing artificial teeth and denture base |
US11673155B2 (en) | 2012-12-27 | 2023-06-13 | Kateeva, Inc. | Techniques for arrayed printing of a permanent layer with improved speed and accuracy |
WO2014110679A1 (en) | 2013-01-17 | 2014-07-24 | Ehsan Toyserkani | Systems and methods for additive manufacturing of heterogeneous porous structures and structures made therefrom |
US9649742B2 (en) | 2013-01-22 | 2017-05-16 | Nexplanar Corporation | Polishing pad having polishing surface with continuous protrusions |
US9587127B2 (en) | 2013-02-06 | 2017-03-07 | Sun Chemical Corporation | Digital printing inks |
WO2014126837A2 (en) | 2013-02-12 | 2014-08-21 | Eipi Systems, Inc. | Continuous liquid interphase printing |
US9186772B2 (en) * | 2013-03-07 | 2015-11-17 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad with broad spectrum, endpoint detection window and method of polishing therewith |
CN105209241B (zh) | 2013-03-14 | 2018-07-13 | 斯特塔西有限公司 | 基于聚合物的模具和其制造方法 |
US9152340B2 (en) | 2013-05-28 | 2015-10-06 | Netapp, Inc. | System and method for managing and producing a dataset image across multiple storage systems |
JP5955275B2 (ja) | 2013-06-12 | 2016-07-20 | 富士フイルム株式会社 | 画像形成方法、加飾シートの製造方法、成形加工方法、加飾シート成形物の製造方法、インモールド成形品の製造方法 |
US20140370788A1 (en) | 2013-06-13 | 2014-12-18 | Cabot Microelectronics Corporation | Low surface roughness polishing pad |
US10183329B2 (en) | 2013-07-19 | 2019-01-22 | The Boeing Company | Quality control of additive manufactured parts |
US20150038066A1 (en) | 2013-07-31 | 2015-02-05 | Nexplanar Corporation | Low density polishing pad |
GB201313841D0 (en) | 2013-08-02 | 2013-09-18 | Rolls Royce Plc | Method of Manufacturing a Component |
KR20180110213A (ko) | 2013-08-06 | 2018-10-08 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 국부적으로 가열되는 다-구역 기판 지지부 |
US9855698B2 (en) | 2013-08-07 | 2018-01-02 | Massachusetts Institute Of Technology | Automatic process control of additive manufacturing device |
JP5992375B2 (ja) | 2013-08-08 | 2016-09-14 | 株式会社東芝 | 静電チャック、載置プレート支持台及び静電チャックの製造方法 |
WO2015023442A1 (en) | 2013-08-10 | 2015-02-19 | Applied Materials, Inc. | Cmp pads having material composition that facilitates controlled conditioning |
CN105518832B (zh) | 2013-08-22 | 2018-06-08 | 嘉柏微电子材料股份公司 | 具有多孔界面及实心核心的抛光垫、以及相关的装置和方法 |
US20150056895A1 (en) | 2013-08-22 | 2015-02-26 | Cabot Microelectronics Corporation | Ultra high void volume polishing pad with closed pore structure |
US20150065012A1 (en) | 2013-08-27 | 2015-03-05 | 3M Innovative Properties Company | Method of finishing a stone surface and abrasive article |
DE102013217422A1 (de) | 2013-09-02 | 2015-03-05 | Carl Zeiss Industrielle Messtechnik Gmbh | Koordinatenmessgerät und Verfahren zur Vermessung und mindestens teilweisen Erzeugung eines Werkstücks |
CN103465155B (zh) | 2013-09-06 | 2016-05-11 | 蓝思科技股份有限公司 | 一种环氧树脂型金刚石研磨垫及其制备方法 |
US9425121B2 (en) | 2013-09-11 | 2016-08-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Integrated fan-out structure with guiding trenches in buffer layer |
KR101405333B1 (ko) | 2013-09-12 | 2014-06-11 | 유비머트리얼즈주식회사 | 연마 입자, 연마 슬러리 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
US9308620B2 (en) | 2013-09-18 | 2016-04-12 | Texas Instruments Incorporated | Permeated grooving in CMP polishing pads |
US9053908B2 (en) | 2013-09-19 | 2015-06-09 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for controlling substrate DC-bias and ion energy and angular distribution during substrate etching |
GB201316815D0 (en) | 2013-09-23 | 2013-11-06 | Renishaw Plc | Additive manufacturing apparatus and method |
CN105579194B (zh) | 2013-09-25 | 2019-04-26 | 3M创新有限公司 | 多层抛光垫 |
CA3114978A1 (en) | 2013-09-30 | 2015-04-02 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Shaped abrasive particles and methods of forming same |
WO2015055550A1 (en) | 2013-10-17 | 2015-04-23 | Luxexcel Holding B.V. | Device for printing a three-dimensional structure |
CN203542340U (zh) * | 2013-10-21 | 2014-04-16 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 一种化学机械研磨垫 |
US8980749B1 (en) | 2013-10-24 | 2015-03-17 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method for chemical mechanical polishing silicon wafers |
US9831074B2 (en) | 2013-10-24 | 2017-11-28 | Applied Materials, Inc. | Bipolar collimator utilized in a physical vapor deposition chamber |
WO2015065816A1 (en) | 2013-10-30 | 2015-05-07 | Anocoil Corporation | Lithographic printing plate precursors and coating |
US9421666B2 (en) | 2013-11-04 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Printed chemical mechanical polishing pad having abrasives therein |
US9481069B2 (en) | 2013-11-06 | 2016-11-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chemical mechanical polishing apparatus and polishing method using the same |
CN104625945B (zh) | 2013-11-07 | 2017-03-01 | 三芳化学工业股份有限公司 | 抛光垫及其制造方法 |
US9352443B2 (en) | 2013-11-13 | 2016-05-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Platen assembly, chemical-mechanical polisher, and method for polishing substrate |
WO2015083730A1 (ja) | 2013-12-03 | 2015-06-11 | 旭硝子株式会社 | 液体プライマー組成物及びそれを用いた積層体 |
US9850402B2 (en) | 2013-12-09 | 2017-12-26 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP compositions and methods for selective removal of silicon nitride |
US9993907B2 (en) | 2013-12-20 | 2018-06-12 | Applied Materials, Inc. | Printed chemical mechanical polishing pad having printed window |
CN104742007B (zh) | 2013-12-30 | 2017-08-25 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 化学机械研磨装置和化学机械研磨方法 |
CN106414039B (zh) | 2014-01-23 | 2022-01-18 | 株式会社理光 | 三维物体及其形成方法 |
US20170173865A1 (en) | 2014-02-10 | 2017-06-22 | Stratasys Ltd. | Composition and method for additive manufacturing of an object |
WO2015120430A1 (en) | 2014-02-10 | 2015-08-13 | President And Fellows Of Harvard College | 3d-printed polishing pad for chemical-mechanical planarization (cmp) |
US20160346997A1 (en) | 2014-02-10 | 2016-12-01 | President And Fellows Of Harvard College | Three-dimensional (3d) printed composite structure and 3d printable composite ink formulation |
US9472410B2 (en) | 2014-03-05 | 2016-10-18 | Applied Materials, Inc. | Pixelated capacitance controlled ESC |
JP2015174272A (ja) | 2014-03-14 | 2015-10-05 | セイコーエプソン株式会社 | 三次元造形物の製造方法、三次元造形物製造装置および三次元造形物 |
US9259820B2 (en) | 2014-03-28 | 2016-02-16 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad with polishing layer and window |
WO2015153601A1 (en) | 2014-04-03 | 2015-10-08 | 3M Innovative Properties Company | Polishing pads and systems and methods of making and using the same |
WO2015161210A1 (en) | 2014-04-17 | 2015-10-22 | Cabot Microelectronics Corporation | Cmp polishing pad with columnar structure and methods related thereto |
US9314897B2 (en) | 2014-04-29 | 2016-04-19 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad with endpoint detection window |
US9333620B2 (en) | 2014-04-29 | 2016-05-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad with clear endpoint detection window |
US10144198B2 (en) | 2014-05-02 | 2018-12-04 | Corning Incorporated | Strengthened glass and compositions therefor |
CN104400998B (zh) | 2014-05-31 | 2016-10-05 | 福州大学 | 一种基于红外光谱分析的3d打印检测方法 |
US9259821B2 (en) | 2014-06-25 | 2016-02-16 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing layer formulation with conditioning tolerance |
US20150375361A1 (en) | 2014-06-25 | 2015-12-31 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing method |
JP2016023209A (ja) | 2014-07-17 | 2016-02-08 | 日立化成株式会社 | 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法 |
US9731398B2 (en) | 2014-08-22 | 2017-08-15 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holding, Inc. | Polyurethane polishing pad |
US9826630B2 (en) | 2014-09-04 | 2017-11-21 | Nxp Usa, Inc. | Fan-out wafer level packages having preformed embedded ground plane connections and methods for the fabrication thereof |
KR20170054447A (ko) | 2014-09-05 | 2017-05-17 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판들의 열적 프로세싱을 위한 서셉터 및 예열 링 |
CN104210108B (zh) | 2014-09-15 | 2017-11-28 | 宁波高新区乐轩锐蓝智能科技有限公司 | 3d打印机的打印缺陷弥补方法和系统 |
US9873180B2 (en) * | 2014-10-17 | 2018-01-23 | Applied Materials, Inc. | CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes |
WO2016057075A1 (en) | 2014-10-09 | 2016-04-14 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing pad with internal channels |
US10821573B2 (en) * | 2014-10-17 | 2020-11-03 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads produced by an additive manufacturing process |
US10875153B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-12-29 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pad materials and formulations |
KR102295988B1 (ko) | 2014-10-17 | 2021-09-01 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 애디티브 제조 프로세스들을 이용한 복합 재료 특성들을 갖는 cmp 패드 구성 |
US10875145B2 (en) * | 2014-10-17 | 2020-12-29 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads produced by an additive manufacturing process |
TWI689406B (zh) | 2014-10-17 | 2020-04-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 研磨墊及製造其之方法 |
US9776361B2 (en) | 2014-10-17 | 2017-10-03 | Applied Materials, Inc. | Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles |
US10399201B2 (en) | 2014-10-17 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pads having compositional gradients by use of an additive manufacturing process |
CN104385595B (zh) | 2014-10-20 | 2017-05-03 | 合肥斯科尔智能科技有限公司 | 一种三维打印次品修复系统 |
JP6422325B2 (ja) | 2014-12-15 | 2018-11-14 | 花王株式会社 | 半導体基板用研磨液組成物 |
US10086500B2 (en) | 2014-12-18 | 2018-10-02 | Applied Materials, Inc. | Method of manufacturing a UV curable CMP polishing pad |
JP6452449B2 (ja) | 2015-01-06 | 2019-01-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及び基板処理装置 |
CN104607639B (zh) | 2015-01-12 | 2016-11-02 | 常州先进制造技术研究所 | 一种用于金属3d打印的表面修复塑形装置 |
US20170263478A1 (en) | 2015-01-16 | 2017-09-14 | Lam Research Corporation | Detection System for Tunable/Replaceable Edge Coupling Ring |
US10946495B2 (en) | 2015-01-30 | 2021-03-16 | Cmc Materials, Inc. | Low density polishing pad |
US9505952B2 (en) | 2015-03-05 | 2016-11-29 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition containing ceria abrasive |
US9475168B2 (en) * | 2015-03-26 | 2016-10-25 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad window |
US10744714B2 (en) | 2015-04-30 | 2020-08-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Misalignment detection for a 3D printing device |
US10017857B2 (en) | 2015-05-02 | 2018-07-10 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling plasma near the edge of a substrate |
CN106206409B (zh) | 2015-05-08 | 2019-05-07 | 华邦电子股份有限公司 | 堆叠电子装置及其制造方法 |
CN205703794U (zh) | 2015-06-29 | 2016-11-23 | 智胜科技股份有限公司 | 研磨垫的研磨层 |
US10163610B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-12-25 | Lam Research Corporation | Extreme edge sheath and wafer profile tuning through edge-localized ion trajectory control and plasma operation |
US9761459B2 (en) | 2015-08-05 | 2017-09-12 | Lam Research Corporation | Systems and methods for reverse pulsing |
US9620376B2 (en) | 2015-08-19 | 2017-04-11 | Lam Research Corporation | Self limiting lateral atomic layer etch |
WO2017035007A1 (en) | 2015-08-21 | 2017-03-02 | Voxel8, Inc. | Calibration and alignment of additive manufacturing deposition heads |
US9984858B2 (en) | 2015-09-04 | 2018-05-29 | Lam Research Corporation | ALE smoothness: in and outside semiconductor industry |
EP3349971A4 (en) | 2015-09-16 | 2019-05-22 | Applied Materials, Inc. | SELECTIVE OPENING SUPPORT PLATE FOR ADDITIVE MANUFACTURE |
JP6584895B2 (ja) | 2015-09-30 | 2019-10-02 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド |
US10192751B2 (en) | 2015-10-15 | 2019-01-29 | Lam Research Corporation | Systems and methods for ultrahigh selective nitride etch |
CN112045556B (zh) | 2015-10-16 | 2022-06-28 | 应用材料公司 | 使用增材制造工艺形成先进抛光垫的方法和设备 |
US9881820B2 (en) | 2015-10-22 | 2018-01-30 | Lam Research Corporation | Front opening ring pod |
US10062599B2 (en) | 2015-10-22 | 2018-08-28 | Lam Research Corporation | Automated replacement of consumable parts using interfacing chambers |
US20170115657A1 (en) | 2015-10-22 | 2017-04-27 | Lam Research Corporation | Systems for Removing and Replacing Consumable Parts from a Semiconductor Process Module in Situ |
US10124492B2 (en) | 2015-10-22 | 2018-11-13 | Lam Research Corporation | Automated replacement of consumable parts using end effectors interfacing with plasma processing system |
WO2017074773A1 (en) | 2015-10-30 | 2017-05-04 | Applied Materials, Inc. | An apparatus and method of forming a polishing article that has a desired zeta potential |
US10450474B2 (en) | 2015-10-30 | 2019-10-22 | Konica Minolta, Inc. | Active light ray-curable inkjet ink composition and inkjet recording method |
GB201519187D0 (en) | 2015-10-30 | 2015-12-16 | Knauf Insulation Ltd | Improved binder compositions and uses thereof |
US10593574B2 (en) | 2015-11-06 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables |
US10229769B2 (en) | 2015-11-20 | 2019-03-12 | Xerox Corporation | Three phase immiscible polymer-metal blends for high conductivty composites |
US10189143B2 (en) * | 2015-11-30 | 2019-01-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Polishing pad, method for manufacturing polishing pad, and polishing method |
US9601319B1 (en) | 2016-01-07 | 2017-03-21 | Lam Research Corporation | Systems and methods for eliminating flourine residue in a substrate processing chamber using a plasma-based process |
US10391605B2 (en) | 2016-01-19 | 2019-08-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process |
CN117283450A (zh) | 2016-01-19 | 2023-12-26 | 应用材料公司 | 多孔化学机械抛光垫 |
US10685862B2 (en) | 2016-01-22 | 2020-06-16 | Applied Materials, Inc. | Controlling the RF amplitude of an edge ring of a capacitively coupled plasma process device |
US9956314B2 (en) | 2016-01-26 | 2018-05-01 | Modern Ideas LLC | Adhesive for use with bone and bone-like structures |
US10651015B2 (en) | 2016-02-12 | 2020-05-12 | Lam Research Corporation | Variable depth edge ring for etch uniformity control |
US10699878B2 (en) | 2016-02-12 | 2020-06-30 | Lam Research Corporation | Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring |
US10438833B2 (en) | 2016-02-16 | 2019-10-08 | Lam Research Corporation | Wafer lift ring system for wafer transfer |
US9966231B2 (en) | 2016-02-29 | 2018-05-08 | Lam Research Corporation | Direct current pulsing plasma systems |
CN109075057B (zh) | 2016-03-09 | 2023-10-20 | 应用材料公司 | 垫结构及制造方法 |
US10537973B2 (en) | 2016-03-09 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Correction of fabricated shapes in additive manufacturing |
US10589399B2 (en) | 2016-03-24 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Textured small pad for chemical mechanical polishing |
US10269566B2 (en) | 2016-04-29 | 2019-04-23 | Lam Research Corporation | Etching substrates using ale and selective deposition |
KR20170127724A (ko) | 2016-05-12 | 2017-11-22 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리 장치 |
US10340171B2 (en) | 2016-05-18 | 2019-07-02 | Lam Research Corporation | Permanent secondary erosion containment for electrostatic chuck bonds |
US9852889B1 (en) | 2016-06-22 | 2017-12-26 | Lam Research Corporation | Systems and methods for controlling directionality of ions in an edge region by using an electrode within a coupling ring |
US10283330B2 (en) | 2016-07-25 | 2019-05-07 | Lam Research Corporation | Systems and methods for achieving a pre-determined factor associated with an edge region within a plasma chamber by synchronizing main and edge RF generators |
JP6791680B2 (ja) | 2016-08-09 | 2020-11-25 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 表面処理組成物およびこれを用いた洗浄方法 |
US20180100073A1 (en) | 2016-10-11 | 2018-04-12 | Xerox Corporation | Ink composition for use in 3d printing |
US20180100074A1 (en) | 2016-10-11 | 2018-04-12 | Xerox Corporation | Ink composition for use in 3d printing |
US10259956B2 (en) | 2016-10-11 | 2019-04-16 | Xerox Corporation | Curable ink composition |
US10930535B2 (en) | 2016-12-02 | 2021-02-23 | Applied Materials, Inc. | RFID part authentication and tracking of processing components |
CN106810215B (zh) | 2017-01-18 | 2022-08-16 | 重庆摩方科技有限公司 | 一种陶瓷浆料的制备及3d打印光固化成型方法 |
KR102683416B1 (ko) | 2017-02-15 | 2024-07-23 | 삼성전자주식회사 | 화학 기계적 연마 장치 |
US20180323042A1 (en) | 2017-05-02 | 2018-11-08 | Applied Materials, Inc. | Method to modulate the wafer edge sheath in a plasma processing chamber |
US11059149B2 (en) | 2017-05-25 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | Correction of fabricated shapes in additive manufacturing using initial layer |
US10967482B2 (en) | 2017-05-25 | 2021-04-06 | Applied Materials, Inc. | Fabrication of polishing pad by additive manufacturing onto mold |
JP6826955B2 (ja) | 2017-06-14 | 2021-02-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
WO2018237038A1 (en) | 2017-06-21 | 2018-12-27 | Carbon, Inc. | ADDITIVE MANUFACTURING METHOD |
US10763081B2 (en) | 2017-07-10 | 2020-09-01 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for manipulating radio frequency power at an edge ring in plasma process device |
US11471999B2 (en) | 2017-07-26 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods |
US11072050B2 (en) | 2017-08-04 | 2021-07-27 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with window and manufacturing methods thereof |
WO2019032286A1 (en) | 2017-08-07 | 2019-02-14 | Applied Materials, Inc. | ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME |
JP7102724B2 (ja) | 2017-12-19 | 2022-07-20 | 株式会社リコー | 電極、非水系蓄電素子、塗布液及び電極の製造方法 |
JP7033907B2 (ja) | 2017-12-21 | 2022-03-11 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法 |
KR20200039840A (ko) | 2018-01-22 | 2020-04-16 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 전원식 에지 링을 이용한 프로세싱 |
WO2019152222A1 (en) | 2018-02-05 | 2019-08-08 | Applied Materials, Inc. | Piezo-electric end-pointing for 3d printed cmp pads |
WO2019190676A1 (en) | 2018-03-30 | 2019-10-03 | Applied Materials, Inc. | Integrating 3d printing into multi-process fabrication schemes |
SG11202010448TA (en) | 2018-05-07 | 2020-11-27 | Applied Materials Inc | Hydrophilic and zeta potential tunable chemical mechanical polishing pads |
US10790123B2 (en) | 2018-05-28 | 2020-09-29 | Applied Materials, Inc. | Process kit with adjustable tuning ring for edge uniformity control |
US10347500B1 (en) | 2018-06-04 | 2019-07-09 | Applied Materials, Inc. | Device fabrication via pulsed plasma |
US10847347B2 (en) | 2018-08-23 | 2020-11-24 | Applied Materials, Inc. | Edge ring assembly for a substrate support in a plasma processing chamber |
WO2020050932A1 (en) | 2018-09-04 | 2020-03-12 | Applied Materials, Inc. | Formulations for advanced polishing pads |
JP7455825B2 (ja) | 2018-11-09 | 2024-03-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 処理チャンバ用の高周波フィルタシステム |
US11289310B2 (en) | 2018-11-21 | 2022-03-29 | Applied Materials, Inc. | Circuits for edge ring control in shaped DC pulsed plasma process device |
CN118315254A (zh) | 2019-01-22 | 2024-07-09 | 应用材料公司 | 用于控制脉冲电压波形的反馈回路 |
US20200230781A1 (en) | 2019-01-23 | 2020-07-23 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads formed using an additive manufacturing process and methods related thereto |
US11530478B2 (en) | 2019-03-19 | 2022-12-20 | Applied Materials, Inc. | Method for forming a hydrophobic and icephobic coating |
US11851570B2 (en) | 2019-04-12 | 2023-12-26 | Applied Materials, Inc. | Anionic polishing pads formed by printing processes |
-
2015
- 2015-04-24 US US14/695,299 patent/US9873180B2/en active Active
- 2015-06-08 TW TW112118072A patent/TWI838251B/zh active
- 2015-06-08 TW TW111126883A patent/TWI804387B/zh active
- 2015-06-08 TW TW104118517A patent/TWI652141B/zh active
- 2015-06-08 TW TW108102209A patent/TWI688451B/zh active
- 2015-06-08 TW TW109112154A patent/TWI753400B/zh active
- 2015-06-08 TW TW110148066A patent/TWI775699B/zh active
- 2015-10-16 JP JP2017520508A patent/JP6673912B2/ja active Active
- 2015-10-16 EP EP20172985.2A patent/EP3712926A1/en active Pending
- 2015-10-16 CN CN201910522266.5A patent/CN110142688B/zh active Active
- 2015-10-16 WO PCT/US2015/056077 patent/WO2016061544A1/en active Application Filing
- 2015-10-16 SG SG11201703113RA patent/SG11201703113RA/en unknown
- 2015-10-16 CN CN201910516558.8A patent/CN110142687B/zh active Active
- 2015-10-16 SG SG10201903041XA patent/SG10201903041XA/en unknown
- 2015-10-16 CN CN201580069573.2A patent/CN107107305B/zh active Active
- 2015-10-16 KR KR1020177013333A patent/KR102456130B1/ko active IP Right Grant
- 2015-10-16 EP EP15850997.6A patent/EP3207560B1/en active Active
- 2015-10-16 CN CN202010531179.9A patent/CN111633554B/zh active Active
- 2015-10-16 KR KR1020227035729A patent/KR102599583B1/ko active IP Right Grant
- 2015-10-16 CN CN202010531656.1A patent/CN111633555B/zh active Active
- 2015-10-16 CN CN202010532089.1A patent/CN111633556B/zh active Active
- 2015-10-19 JP JP2017520496A patent/JP6659677B2/ja active Active
- 2015-10-19 CN CN201911339738.XA patent/CN110883682B/zh active Active
- 2015-10-19 TW TW110117869A patent/TW202146601A/zh unknown
- 2015-10-19 SG SG10201903036WA patent/SG10201903036WA/en unknown
- 2015-10-19 TW TW109103156A patent/TWI730610B/zh active
- 2015-10-19 TW TW104134235A patent/TWI687312B/zh active
- 2015-10-19 SG SG11201703112YA patent/SG11201703112YA/en unknown
- 2015-10-19 KR KR1020227036851A patent/KR102600388B1/ko active IP Right Grant
- 2015-10-19 KR KR1020177013345A patent/KR102459409B1/ko active IP Right Grant
- 2015-10-19 CN CN201580069624.1A patent/CN107107306B/zh active Active
-
2018
- 2018-01-22 US US15/876,436 patent/US10537974B2/en active Active
-
2019
- 2019-12-24 JP JP2019232420A patent/JP7003104B2/ja active Active
-
2020
- 2020-01-17 US US16/746,065 patent/US11958162B2/en active Active
- 2020-02-07 JP JP2020020115A patent/JP7221234B2/ja active Active
-
2021
- 2021-12-28 JP JP2021213633A patent/JP7288037B2/ja active Active
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI652141B (zh) | 使用積層製造製程的具複合材料特性的cmp襯墊建構 | |
JP6849731B2 (ja) | 付加製造プロセスを使用する、複合材料特性を有するcmpパッド構造 | |
US12023853B2 (en) | Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles |