KR101478414B1 - 홈이 있는 ｃｍｐ 연마 패드 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 CMP 공정에서 사용하기 위한 연마 패드를 제공한다. 일 실시양태에서, 패드는 복수의 홈을 규정하고 홈을 분리하는 활주 표면이 있는 표면을 포함하고, 활주 표면은 함께 실질적으로 동일 평면인 연마 표면을 규정하며, 각각의 홈은 폭 WG 및 10 mil 이상의 깊이를 갖고, 임의의 2개의 인접한 홈은 폭 WL을 갖는 활주 표면에 의해 분리되며, 몫 WL/WG가 3 이하이다. 바람직한 일 실시양태에서, 패드의 표면은 일련의 동심이며 실질적으로 원형인 홈을 규정한다. 별법의 일 실시양태에서, 패드의 표면은 폭 WG 및 10 mil 이상의 깊이를 갖는 나선형 홈 및 나선형 홈의 윤곽을 나타내는 폭 WL을 갖는 나선형 활주 표면을 규정하고, 여기서 나선형 활주 표면은 실질적으로 동일 평면인 연마 표면을 규정하고, 몫 WL/WG가 3 이하이다.

Description

홈이 있는 ＣＭＰ 연마 패드 {GROOVED CMP POLISHING PAD}
본 발명은 일반적으로 기판의 화학적 기계적 연마, 더욱 구체적으로 화학적 기계적 연마 시스템을 위한 홈 (groove)이 있는 패턴을 갖는 연마 패드에 관한 것이다.
기판의 표면의 화학적 기계적 연마를 위한 조성물 및 방법은 당업계에 잘 공지되어 있다. 반도체 기판 (예를 들어, 집적회로)의 표면의 CMP를 위한 연마 조성물 (또한 연마 슬러리, CMP 슬러리 및 CMP 조성물로서 공지됨)은 전형적으로 연마제, 다양한 첨가제 화합물 등을 함유한다.
화학적-기계적 연마 (CMP)는 표면의 동시 화학적 및 기계적 연마, 예를 들어 제1층이 상부에 형성되어 있는 비평면의 제2층의 표면이 노출되도록 상부에 놓인 제1층을 연마하는 것을 포함한다. 하나의 이러한 방법은 베이어 (Beyer) 등의 미국 특허 제4,789,648호에 기재되어 있다. 간략하게, 베이어 등은 상부에 놓인 제1 물질 층의 표면이 덮인 제2층의 상부 표면과 동일 평면 상이 될 때까지, 제2층보다 빠른 속도로 제1층이 제거되도록 연마 패드 및 슬러리를 사용하는 CMP 방법을 개시한다. 화학적 기계적 연마의 더욱 자세한 설명은 미국 특허 제4,671,851호, 제4,910,155호 및 제4,944,836호에 있다.
통상적인 CMP 기술에서, 기판 캐리어 또는 연마 헤드는 캐리어 조립체 상에 탑재되고 CMP 장치의 연마 패드와 접촉하여 배치된다. 캐리어 조립체는 기판을 연마 패드에 대해 가압하여 제어가능한 압력을 기판에 제공한다. 기판이 부착되어 있는 패드와 캐리어는 서로 상대적으로 움직인다. 패드와 기판의 상대적인 움직임은 기판 표면을 마모시켜 기판 표면으로부터 물질의 일부분을 제거하는 작용을 하며, 이에 따라 기판이 연마된다. 전형적으로, 기판 표면의 연마는 (예를 들면, CMP 조성물 중에 존재하는 산화제, 산, 염기 또는 다른 첨가제에 의한) 연마 조성물의 화학적 활성 및/또는 연마 조성물 중에 현탁된 연마제의 기계적 활성에 의해 추가로 촉진된다. 전형적인 연마제 물질은 이산화규소, 산화세륨, 산화알루미늄, 산화지르코늄 및 산화주석을 포함한다.
CMP에서 한가지 문제점은 연마 패드 상의 연마 슬러리 분포에 관한 것이다. CMP 공정은 목적한 연마 결과를 얻기 위해서 연마 패드, 연마제 입자, 및 연마 조성물 중 임의의 반응성 작용제 또는 화학물질과 기판의 상호작용을 필요로 한다. 연마 패드 표면 상에 슬러리가 비효과적으로 분포되면 연마 효율이 감소할 수 있다. 패드 상에 비교적 균일하게 연마제 연마 슬러리를 분포시키는 것을 촉진하기 위해서 연마 패드는 일반적으로 일부 특징부, 예를 들어 천공 (perforation) 또는 텍스쳐 (texture) (예를 들어, 홈, 표면 함몰부 등)를 포함한다. 홈은 과잉 슬러리를 필요한 곳에 직접 보내도록 설계될 수 있기 때문에 종종 바람직한 텍스쳐 특징부이다. 홈이 있는 연마 패드는 종종 홈의 치수 (예를 들어, 폭 및 깊이) 및 홈 사이의 간격 ("피치 (pitch)"로 공지됨)으로 특징화된다. 홈이 있는 패드의 예로는 오스터헬드 (Osterheld) 등의 미국 특허 제5,921,855호, 오스터헬드 등의 미국 특허 제6,520,847호 및 제임스 (James) 등의 미국 특허 제6,736,847호에 개시된 것들이 포함된다.
통상적인 홈이 있는 CMP 패드는, 예를 들어 천공 패드보다 특규정 바람직한 성능 특성을 갖지만, 개선된 패드 성능 특징, 예를 들어 (예를 들어, 감소된 마모율로 인해) 개선된 패드 수명에 대한 필요성이 당업계에 여전히 존재한다. 본 발명은 이러한 필요성에 대한 것이다.
본 발명은 CMP 공정에서 사용하기 위한 연마 패드를 제공한다. 일 실시양태에서, 패드는 복수의 홈을 규정하며 홈을 분리하는 활주 표면 (landing surface)이 있는 표면을 포함하고, 활주 표면은 함께 실질적으로 평면인 연마 표면을 규정하며, 각각의 홈은 폭 WG 및 10 mil 이상의 깊이를 갖고, 폭 WL을 갖는 활주 표면에 의해 임의의 2개의 인접한 홈이 분리되며, 몫 WL/WG가 3 이하이다. 바람직한 일 실시양태에서, 패드의 표면은 동심이며 실질적으로 원형인 일련의 홈을 규정한다. 바람직하게는, 각각의 홈은 동일한 WG를 갖고, 각각의 활주 표면은 동일한 WL을 갖는다.
별법의 일 실시양태에서, 패드의 표면은 폭 WG 및 10 mil 이상의 깊이를 갖는 나선형 홈, 및 나선형 홈의 윤곽을 나타내는 나선형 활주 표면을 규정한다. 나선형 활주 표면은 폭 WL을 갖고, 실질적으로 평면인 연마 표면을 규정한다. 앞서 기술된 실시양태에서와 같이, 몫 WL/WG가 3 이하이다.
본 발명의 연마 패드의 연마 표면은 CMP 패드 구성에서 사용하기에 적합한 임의의 물질로부터 형성될 수 있다. 일부 바람직한 실시양태에서, 패드의 연마 표면은 열가소성 폴리우레탄 물질로부터 형성된다. 패드는 패드 물질의 단일층 또는 다중층 (예를 들어, 기저층 및 표면층)으로 구성될 수 있다.
본 발명의 연마 패드는 유사한 구성의 통상적인 홈이 있지만 WL/WG는 7인 패드와 비교하여 연장된 사용 (예를 들어, 최대 650개의 반도체 웨이퍼의 연마)에 대한 연마 제거율 균일성에서 예상하지 못한 개선을 제공한다.
도 1은 복수의 원형의 동심 홈을 포함하는 본 발명의 연마 패드의 일 실시양태의 상부 평면도를 예시한다.
도 2는 도 1의 패드의 부분 단면도를 제공한다.
도 3은 연마 표면에서 단일 나선형 홈을 포함하는 본 발명의 연마 패드의 일 실시양태를 예시한다.
도 4는 본 발명의 패드를 통상적인 기준 패드와 비교한 구리 제거율 대 연마된 웨이퍼의 수의 그래프를 나타낸다.
도 5는 본 발명의 패드를 통상적인 기준 패드와 비교한 구리 제거율 균일성 안정성 대 연마된 웨이퍼의 수의 그래프를 나타낸다.
도 6은 본 발명의 패드를 통상적인 기준 패드와 비교한 패드 마모율의 그래프를 나타낸다.
일 실시양태에서, 본 발명의 연마 패드는 복수의 홈, 바람직하게는 동심이며 실질적으로 원형인 홈을 규정하는 표면을 포함하고, 활주 표면이 홈을 분리한다. 활주 표면은 함께 실질적으로 동일 평면인 연마 표면을 규정한다. 각각의 홈은 폭 WG 및 10 mil 이상의 깊이를 갖고, 임의의 2개의 인접한 홈은 폭 WL을 갖는 활주 표면에 의해 분리되며, 몫 WL/WG가 3 이하이다. 바람직하게는, 복수의 홈은 각각 실질적으로 깊이가 같고/거나 실질적으로 WG가 같다. 또한, 활주 표면은 각각 바람직하게는 실질적으로 WL이 같다. 비록 홈의 바닥이 둥그스름해서 홈의 바닥 부근의 폭이 감소하기는 하지만, 각각의 홈의 폭은 바람직하게는 홈 깊이의 대부분에 걸쳐 실질적으로 균일하다.
도 1은 본 발명의 연마 패드의 상부 평면도를 예시한다. 패드 (10)은 활주 표면 (16)에 의해 분리되는 원형의 동심 홈 (14)를 규정하는 표면층 (12)를 포함하고, 주변부 표면 (18)은 패드 표면의 테를 이룬다. 활주 표면 (16)은 서로 실질적으로 동일 평면이며, 주변부 표면 (18) 및 중앙 표면 (20)도 그러하다. 종합해서, 활주 표면 (16)은 실질적으로 동일 평면인 연마 표면을 규정한다.
도 2는 도 1의 면 2-2를 따른 표면 (12)의 부분 단면도를 나타낸다. 표면층 (12)는 기저층 (22)에 부착된다. 홈 (14)는 깊이 DG 및 폭 WG를 갖고, 활주 표면 (16)은 폭 WL을 갖는다. 하나의 홈의 시작에서 다음 홈의 시작까지의 거리는 WL과 WG의 합과 동일한 피치 P로 규정된다. 본 발명의 패드에서, WL/WG는 3 이하이다. 활주 표면 (16)은 실질적으로 동일 평면이어서 연마할 기판의 표면과 접촉시킬 동일 평면의 연마 표면을 형성하고, 홈 (14)는 연마제 연마 슬러리를 위한 저장고를 제공하며 패드 (10)의 전체 표면에 걸쳐 연마 슬러리를 공급 및 분배하는 것을 촉진한다.
별법의 실시양태에서, 본 발명의 연마 패드는 10 mil 이상의 깊이를 갖는 나선형 홈을 규정하며 나선형 홈의 윤곽을 나타내는 나선형 활주 표면이 있는 표면을 포함한다. 나선형 활주 표면은 실질적으로 평면인 연마 표면을 규정한다. 홈은 폭 WG를 갖고, 활주 표면은 폭 WL을 갖고, 여기서 몫 WL/WG는 3 이하이다. 도 3은 이러한 별법의 실시양태의 상부 평면도를 제공한다. 패드 (30)은 내포된 (nested) 나선형 활주 표면 (36)에 의해 윤곽이 나타나는 단일 나선형 홈 (34)이 그에 형성되어 있는 실질적으로 평면인 표면층 (32)를 포함한다. 또한, 홈 (34) 및 활주 표면 (36)의 폭의 합과 동일한 피치 P를 도 3에 표시하였다.
본 발명의 각각의 실시양태에서, 연마 패드의 표면에서 각각의 홈의 깊이는 바람직하게는 50 mil 이하이다. 일부 바람직한 실시양태에서, 각각의 홈의 깊이는 10 내지 50 mil, 더욱 바람직하게는 15 내지 40 mil 범위이다.
목적하는 경우, 본 발명의 연마 패드의 임의의 주어진 실시양태에서 몫 WL/WG는 2 이하, 또는 1 이하일 수 있다.
바람직한 특정 실시양태에서, 각각의 활주 표면에 대한 WL은 80 mil 이하이다. 다른 바람직한 실시양태에서, 각각의 활주 표면에 대한 WL은 30 내지 60 mil 범위이다. 각각의 홈에 대한 WG는 바람직하게는 50 mil 이하이다. 일부 바람직한 실시양태에서, 각각의 홈에 대한 WG는 20 mil 내지 40 mil 범위이다.
표 1은 본 발명의 연마 패드에 적합한, 상이한 홈 치수의 일부 특정 예를 예시한다.
Figure 112012011993864-pct00001
본 발명의 연마 패드는 화학적-기계적 연마 장치와 함께 사용하기에 특히 적합하다. 전형적으로, CMP 장치는 사용시 움직이고 궤도, 선형 및/또는 원형의 운동으로 인한 속도를 갖는 플래튼 (platen), 플래튼과 접촉하고 있으며 움직일 때 플래튼에 대해 이동하는 연마 패드, 및 연마 패드의 표면과 접촉하고 연마 패드의 표면에 대해 이동함으로써 연마되는 기판을 보유하는 캐리어를 포함한다. 기판의 연마는 기판이 본 발명의 연마 패드와 접촉하도록 한 후 기판에 대해 연마 패드를 이동시킴으로써, 적어도 기판의 일부를 마모시켜 기판이 연마되는 식으로 실시된다.
본 발명의 연마 패드의 적어도 일부의 연마 패드를 형성하기에 적합한 물질은, 예를 들어 다양한 밀도, 경도, 두께, 압축도, 압축시 되튐 (rebound) 능력 및 압축 계수를 갖는 중합체를 포함한다. 이러한 중합체의 비제한적 예로는 폴리비닐클로라이드, 폴리비닐플루오라이드, 나일론, 플루오로카본, 폴리카보네이트, 폴리에스테르, 폴리아크릴레이트, 폴리에테르, 폴리에틸렌, 폴리아미드, 폴리우레탄, 폴리스티렌, 폴리프로필렌, 이들의 공형성된 생성물, 및 이들의 혼합물이 포함된다. 복수의 홈을 규정하는 연마 패드의 표면은 임의의 이러한 물질을 포함할 수 있다. 바람직한 일 실시양태에서, 복수의 홈 또는 나선형 홈을 규정하는 표면은 열가소성 폴리우레탄을 포함한다. 목적하는 경우, 본 발명의 패드는 물질의 단일층으로 구성되거나 또는 물질의 2개 이상의 층, 예를 들어 기저층 및 표면층을 포함할 수 있다.
바람직하게는, 본 발명의 CMP 패드는 패드로 연마할 작업편 (workpiece)의 표면으로부터 반사되는 광 또는 다른 방사선을 분석하여 연마 공정을 계내 (in situ) 점검 및 모니터링하기 위한 적어도 하나의 광 또는 다른 방사선-전달 윈도우 영역을 추가로 포함할 수 있다. 작업편의 표면으로부터 반사되는 광 또는 다른 방사선을 분석하여 연마 공정을 점검 및 모니터링하기 위한 많은 계내 연마 종결점 검출 시스템 및 기술이 당업계에 공지되어 있다. 이러한 방법은, 예를 들어 산드후 (Sandhu) 등의 미국 특허 제5,196,353호, 루스티그 (Lustig) 등의 미국 특허 제5,433,651호, 탕 (Tang)의 미국 특허 제5,949,927호 및 비랑 (Birang) 등의 미국 특허 제5,964,643호에 기재되어 있다. 바람직하게는, 연마할 작업편에 대한 연마 공규정 진행을 점검 또는 모니터링하는 것은 연마 종결점의 결정, 즉 특정 작업편에 대해 연마 공정을 언제 종결할 것인지를 결정할 수 있게 한다.
하기 실시예들은 본 발명을 추가로 설명하지만, 물론 어떠한 방식으로든 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 해석되어서는 안된다.
실시예 1
본 실시예는 본 발명의 연마 패드를 이용하는 구리 CMP에서 얻을 수 있는 우수한 제거율 안정성 및 제거 균일성 안정성을 예증한다.
연마 패드는 30 mil의 폭 WL을 갖는 동심 활주 표면에 의해 분리되며 30 mil의 폭 WG를 각각 갖는 (60 mil의 피치) 일련의 동심 원형 홈을 포함하는 열가소성 폴리우레탄 표면층을 포함하였다 (여기서, WL/WG는 1임). 미라 (Mirra) 연마기에서 상용 연마 슬러리 C8800 (캐봇 마이크로일렉트로닉스 코퍼레이션 (Cabot Microelectronics Corporation), 미국 일리노이주 오로라 소재)을 사용하여 하기 연마 조건 하에서 동일한 패드로 구리 블랭킷 웨이퍼에 대해 연마를 반복해서 실시하였다: 1 파운드/인치2 (psi)의 하향력, 93 분당 회전수 (rpm)의 플래튼 속도, 87 rpm의 캐리어 속도, 및 100 mL/분의 슬러리 공급 속도. 비교를 위해서, 동심 환상 활주 표면에 의해 분리되는 동심 환상 홈이 있으나 WL이 70 mil이고 WG가 10 mil이며 (80 mil의 피치) WL/WG가 7인 유사한 폴리우레탄 연마 패드로 동일한 조건 하에서 구리 블랭킷 웨이퍼를 또한 연마하였다.
도 4는 패드 각각에 대한 구리 제거율 대 연마된 웨이퍼의 수의 변화를 나타내며, 웨이퍼 수 150 및 웨이퍼 수 650에서 얻은 제거율을 보여준다. 도 4로부터 명백하듯이, 7 초과의 통상의 WL/WG를 갖는 패드는 Cu 제거율이 감소한 반면, WL/WG가 1인 본 발명의 패드는 Cu 제거율이 예상외로 증가하였다.
WIWNU 또는 면내 웨이퍼 불균일성 (with-in-wafer non-uniformity)으로 규정된, 각각의 패드로부터 얻은 관찰된 제거 균일성 안정성 백분율 (즉, 가장자리 5 mm를 제외한 전체 웨이퍼의 49 지점 직경 스캔에 걸친 Cu 제거의 상대 표준 편차)을 동일한 웨이퍼에 대해 도 5에 그래프로 나타냈다. 도 5에서 볼 수 있듯이, 본 발명의 패드는 통상적인 패드와 비교하여 예상외의 일관된 제거 균일성 안정성을 나타냈다.
실시예 2
본 실시예는 패드 마모율에 대한 홈 형성의 영향을 예증한다.
일련의 동심 원형 홈을 포함하는 열가소성 폴리우레탄 표면층을 포함하는 본 발명의 3개의 연마 패드를 사용하여 상대적 패드 마모 시험을 하였다. 7 피트-파운드 (ft-lb)의 조절 하향력, 105 rpm의 플래튼 속도 및 100 rpm의 조절기 회전 속도의 IPEC 연마기에서 시험을 실시하였다. 조절기는 3M사 (모델 A 188) 제품이었다. 탈이온수를 사용하였고, 시험은 40분간 지속되었다. 10분부터 40분까지의 데이타를 사용하여 마모율을 계산하였고, mil/시로 2배수로 정규화하였다. 패드는 다음과 같은 치수를 가졌다: 패드 60/20 - WG = 20 mil, WL = 40 mil, 피치 = 60 mil, WL/WG = 2; 패드 60/30 - WG = 30 mil, WL = 30 mil, 피치 = 60 mil, WL/WG = 1; 및 패드 40/20 - WG = 20 mil, WL = 20 mil, 피치 = 40 mil, WL/WG = 1. 비교를 위해서, 동심 환상 활주 표면에 의해 분리된 동심 환상 홈이 있으나, WL이 70 mil이고 WG가 10 mil이며 (80 mil의 피치) WL/WG가 7인 유사한 폴리우레탄 연마 패드 (패드 80/10)를 시험하였다.
도 6은 실험한 각각의 패드에 대한 패드 마모율 (mil/시)의 그래프를 제공한다. 도 6의 데이타가 나타내는 것과 같이, 소정의 홈 폭 (예를 들어, 20 mil)에서 WL/WG가 2에서 1로 감소함에 따라 (각각, 패드 60/20 및 패드 40/20), 패드 마모율이 증가하였다. 또한, 소정의 피치 (예를 들어, 60 mil)에서 홈 폭이 20 mil에서 30 mil로 증가함에 따라 (각각, 패드 60/20 및 패드 60/30), 마모율이 또한 증가하였다.
본 발명자들이 알고 있는, 본 발명을 실시하기 위한 최고의 방식을 포함하는 본 발명의 바람직한 실시양태를 본원에 기재하였다. 이러한 바람직한 실시양태의 변형은 상기 기재로부터 통상의 당업자들에게 명백할 수 있다. 본 발명자들은 숙련된 기술자들이 이러한 변형을 적절하게 사용할 것으로 예상하며, 본원에 명시적으로 기재된 것과는 다르게 본 발명이 실시될 것이라 생각한다. 따라서, 본 발명은, 준거법에 의해 허용되는, 본원에 부가된 청구 범위에 언급된 대상의 모든 변형 및 등가물을 포함한다. 또한, 본 발명의 모든 가능한 변형에서 상기 기재된 요소의 임의의 조합은 본원에 다르게 명시되거나 또는 문맥상 분명하게 모순되지 않는 한 본 발명에 포함된다.

Claims (20)

  1. 복수의 홈 (groove)을 규정하며 홈을 분리하는 활주 표면 (landing surface)이 있는 표면을 포함하고, 활주 표면들은 함께 동일 평면인 연마 표면을 규정하며, 각각의 홈은 20 mil 내지 40 mil의 폭 WG 및 10 mil 이상의 깊이를 갖고, 폭 WL을 갖는 활주 표면에 의해 임의의 2개의 인접한 홈이 분리되며, 몫 WL/WG가 1 이하이고, 각각의 활주 표면에 대한 WL이 30 mil 내지 60 mil 범위이며, 각각의 홈의 깊이가 동일한, 기판의 화학적-기계적 연마에서 사용하기 위한 연마 패드.
  2. 제1항에 있어서, 복수의 홈이 동심이며 원형인 홈을 포함하는 것인 연마 패드.
  3. 제1항에 있어서, 홈의 깊이가 50 mil 이하인 연마 패드.
  4. 제1항에 있어서, 각각의 홈의 깊이가 10 내지 50 mil 범위인 연마 패드.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 제1항에 있어서, 각각의 홈의 WG가 동일한 연마 패드.
  10. 제1항에 있어서, 각각의 활주 표면의 WL이 동일한 연마 패드.
  11. 나선형 홈을 규정하고 나선형 홈의 회전원 (turn)을 분리하는 나선형 활주 표면이 있는 표면을 포함하고, 나선형 활주 표면은 동일 평면인 연마 표면을 규정하며, 홈은 20 mil 내지 40 mil의 폭 WG 및 10 mil 이상의 깊이를 갖고, 활주 표면은 폭 WL을 가지며, 몫 WL/WG가 1 이하이고, 각각의 활주 표면에 대한 WL이 30 mil 내지 60 mil 범위이며, 각각의 홈의 깊이가 동일한, 기판의 화학적-기계적 연마에서 사용하기 위한 연마 패드.
  12. 제11항에 있어서, 나선형 홈의 깊이가 50 mil 이하인 연마 패드.
  13. 제11항에 있어서, 홈의 깊이가 10 내지 50 mil 범위인 연마 패드.
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009018434B4 (de) * 2009-04-22 2023-11-30 Ev Group Gmbh Aufnahmeeinrichtung zur Aufnahme von Halbleitersubstraten
DE102011082777A1 (de) * 2011-09-15 2012-02-09 Siltronic Ag Verfahren zum beidseitigen Polieren einer Halbleiterscheibe
JP2014124718A (ja) * 2012-12-26 2014-07-07 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 積層研磨パッドの製造方法
TWI599447B (zh) * 2013-10-18 2017-09-21 卡博特微電子公司 具有偏移同心溝槽圖樣之邊緣排除區的ｃｍｐ拋光墊
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
CN113579992A (zh) 2014-10-17 2021-11-02 应用材料公司 使用加成制造工艺的具复合材料特性的cmp衬垫建构
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
WO2017074773A1 (en) 2015-10-30 2017-05-04 Applied Materials, Inc. An apparatus and method of forming a polishing article that has a desired zeta potential
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
US10875146B2 (en) * 2016-03-24 2020-12-29 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings Debris-removal groove for CMP polishing pad
USD816774S1 (en) * 2016-03-25 2018-05-01 Craig Franklin Edevold Spiral pattern for cribbage board
SG11201906131WA (en) * 2017-01-20 2019-08-27 Applied Materials Inc A thin plastic polishing article for cmp applications
USD855110S1 (en) * 2017-01-31 2019-07-30 Gary Peterson Game board
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
KR20210042171A (ko) 2018-09-04 2021-04-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 진보한 폴리싱 패드들을 위한 제형들
CN112720282B (zh) * 2020-12-31 2022-04-08 湖北鼎汇微电子材料有限公司 一种抛光垫
US11878389B2 (en) 2021-02-10 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ
CN113829176B (zh) * 2021-08-31 2023-04-14 北京航天控制仪器研究所 一种用于铍材镜体研磨抛光的研磨平板及研磨抛光方法
CN114274043B (zh) * 2021-12-29 2023-02-24 湖北鼎汇微电子材料有限公司 一种抛光垫

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004009156A (ja) * 2002-06-03 2004-01-15 Jsr Corp 研磨パッド及び複層型研磨パッド
JP2004034176A (ja) * 2002-06-28 2004-02-05 Jsr Corp 研磨パッド
JP2004507077A (ja) * 2000-05-27 2004-03-04 ロデール　ホールディングス　インコーポレイテッド 化学機械平坦化用溝付き研磨パッド
KR20060129140A (ko) * 1997-05-15 2006-12-15 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 화학 기계적 연마 장치에 사용하기 위한 홈 패턴을 가지는연마 패드

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6736709B1 (en) * 2000-05-27 2004-05-18 Rodel Holdings, Inc. Grooved polishing pads for chemical mechanical planarization
JP3658591B2 (ja) * 2002-04-03 2005-06-08 東邦エンジニアリング株式会社 研磨パッドおよび該研磨パッドを用いた半導体基板の製造方法
US20040014413A1 (en) * 2002-06-03 2004-01-22 Jsr Corporation Polishing pad and multi-layer polishing pad
JP2004071985A (ja) * 2002-08-08 2004-03-04 Jsr Corp 半導体ウェハ用研磨パッドの加工方法及び半導体ウェハ用研磨パッド
JP2004167605A (ja) * 2002-11-15 2004-06-17 Rodel Nitta Co 研磨パッドおよび研磨装置
JP3872081B2 (ja) * 2004-12-29 2007-01-24 東邦エンジニアリング株式会社 研磨用パッド
CN101024260A (zh) * 2006-02-24 2007-08-29 三芳化学工业股份有限公司 具有表面纹路的抛光垫和其制造方法与制造装置
US8192257B2 (en) * 2006-04-06 2012-06-05 Micron Technology, Inc. Method of manufacture of constant groove depth pads

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060129140A (ko) * 1997-05-15 2006-12-15 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 화학 기계적 연마 장치에 사용하기 위한 홈 패턴을 가지는연마 패드
JP2004507077A (ja) * 2000-05-27 2004-03-04 ロデール　ホールディングス　インコーポレイテッド 化学機械平坦化用溝付き研磨パッド
JP2004009156A (ja) * 2002-06-03 2004-01-15 Jsr Corp 研磨パッド及び複層型研磨パッド
JP2004034176A (ja) * 2002-06-28 2004-02-05 Jsr Corp 研磨パッド

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