JP2005340325A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】表面に凹凸が存在する被研磨膜の表面を研磨パッド104を用いて研磨する工程を有する半導体装置の製造方法であって、被研磨膜の表面を研磨する工程では、被研磨膜の表面に存在する凸部の面積率が65%以上の場合には、研磨砥粒に界面活性剤より成る添加剤が添加されて成る研磨剤126と、水128とを、研磨パッド上に供給しながら、被研磨膜の表面を研磨する。研磨剤と純水とを供給しながら被研磨膜を研磨するため、被研磨膜に対する研磨が界面活性剤より成る添加剤により阻害されるのを抑制することができる。このため、被研磨膜の表面に存在する凸部の面積率が比較的大きい場合であっても、被研磨膜の表面を平坦化することができる。
【選択図】 図8
Description
図1は、提案されている研磨剤の特性を示すグラフである。横軸は研磨圧力を示している。縦軸は研磨速度を示している。
本発明の一実施形態による半導体装置の製造方法を説明するに先立って、本実施形態で用いられる研磨装置について図7乃至図9を用いて説明する。図7は、研磨装置を示す平面図である。図8は、図7に示す研磨装置の一部を示す側面図である。図9は、図7に示す研磨装置の一部を示す拡大側面図である。
本発明の一実施形態による半導体装置の製造方法を図10乃至図11を用いて説明する。図10及び図11は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の評価結果を図13及び図14を用いて説明する。
また、シリコン酸化膜の膜厚を測定する際には、KLA−Tencor社製の膜厚測定装置(型番:ASET−F5x)を用いた。
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
表面に凹凸が存在する被研磨膜の表面を研磨パッドを用いて研磨する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記被研磨膜の表面を研磨する工程では、前記被研磨膜の表面に存在する凸部の面積率が65%以上の場合には、研磨砥粒に界面活性剤より成る添加剤が添加されて成る研磨剤と、水とを、前記研磨パッド上に供給しながら、前記被研磨膜の表面を研磨する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
表面に凹凸が存在する被研磨膜の表面を研磨パッドを用いて研磨する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記被研磨膜の表面を研磨する工程では、前記被研磨膜の表面に存在する凸部の面積率が65%以上の場合には、研磨砥粒に界面活性剤より成る添加剤が添加されて成る研磨剤と、水との混合物を、前記研磨パッド上に供給しながら、前記被研磨膜の表面を研磨する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
付記1又は2記載の半導体装置の製造方法において、
前記被研磨膜の表面を研磨する工程では、前記研磨剤の量に対する前記水の量の比を2以上に設定する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
付記1乃至3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記被研磨膜の表面を研磨する工程では、研磨テーブル又は研磨ヘッドの駆動電圧、駆動電流又はトルクの変化に基づいて、研磨の終点を検出する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
付記1乃至4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記被研磨膜の表面を研磨する工程の後に、少なくとも前記被研磨膜の表面を更に所定時間研磨する工程を更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
付記1乃至5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記被研磨膜は、溝が形成された半導体基板上に形成されている
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
付記1乃至6のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記研磨砥粒は、酸化セリウム又は酸化シリコンより成る
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
付記1乃至7のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記添加剤は、ポリアクリル酸アンモニウム塩より成る
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
付記8記載の半導体装置の製造方法において、
前記研磨剤に含まれている前記添加剤の濃度は、3重量%以下である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
12…シリコン酸化膜
13…シリコン窒化膜
14…シリコン酸化膜
15…積層膜
16…開口部
18…トレンチ
20…シリコン酸化膜、被研磨膜
21…素子分離領域
22…素子領域
24…研磨砥粒
26…添加剤
100…基台
102a〜102c…研磨テーブル
104…研磨パッド
108a〜108d…アーム
110…カルーセル
112a〜112d…研磨ヘッド
114a〜114c…目立て装置
116…ダイヤモンドディスク
118…台金
120…ダイヤモンド
122…ニッケルめっき層
124a、124b…ノズル
126…研磨剤
128…純水
210…半導体基板
212…シリコン酸化膜
214…シリコン窒化膜
216…開口部
218…トレンチ
220…シリコン酸化膜、被研磨膜
221…素子分離領域
222…素子領域
Claims (5)
- 表面に凹凸が存在する被研磨膜の表面を研磨パッドを用いて研磨する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記被研磨膜の表面を研磨する工程では、前記被研磨膜の表面に存在する凸部の面積率が65%以上の場合には、研磨砥粒に界面活性剤より成る添加剤が添加されて成る研磨剤と、水とを、前記研磨パッド上に供給しながら、前記被研磨膜の表面を研磨する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 表面に凹凸が存在する被研磨膜の表面を研磨パッドを用いて研磨する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記被研磨膜の表面を研磨する工程では、前記被研磨膜の表面に存在する凸部の面積率が65%以上の場合には、研磨砥粒に界面活性剤より成る添加剤が添加されて成る研磨剤と、水との混合物を、前記研磨パッド上に供給しながら、前記被研磨膜の表面を研磨する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1又は2記載の半導体装置の製造方法において、
前記被研磨膜の表面を研磨する工程では、研磨テーブル又は研磨ヘッドの駆動電圧、駆動電流又はトルクの変化に基づいて、研磨の終点を検出する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記研磨砥粒は、酸化セリウム又は酸化シリコンより成る
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記添加剤は、ポリアクリル酸アンモニウム塩より成る
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004154215A JP2005340325A (ja) | 2004-05-25 | 2004-05-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004154215A JP2005340325A (ja) | 2004-05-25 | 2004-05-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2005340325A true JP2005340325A (ja) | 2005-12-08 |
Family
ID=35493575
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2004154215A Pending JP2005340325A (ja) | 2004-05-25 | 2004-05-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2005340325A (ja) |
-
2004
- 2004-05-25 JP JP2004154215A patent/JP2005340325A/ja active Pending
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