JP4868840B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4868840B2 JP4868840B2 JP2005345790A JP2005345790A JP4868840B2 JP 4868840 B2 JP4868840 B2 JP 4868840B2 JP 2005345790 A JP2005345790 A JP 2005345790A JP 2005345790 A JP2005345790 A JP 2005345790A JP 4868840 B2 JP4868840 B2 JP 4868840B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- organic
- organic film
- hard mask
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
- H01L21/76807—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics for dual damascene structures
- H01L21/7681—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics for dual damascene structures involving one or more buried masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31058—After-treatment of organic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76835—Combinations of two or more different dielectric layers having a low dielectric constant
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に凹部を形成する工程と、
前記凹部が形成された前記絶縁膜上に、下層膜、中間層、およびレジスト膜を順次形成する工程と、
前記レジスト膜をパターン露光する工程と、
を含み、
前記下層膜を形成する工程は、
前記凹部が形成された前記絶縁膜上に、該凹部を埋め込むように有機膜を形成する工程と、
表面に官能基を有するポリマー粒子と、水溶性高分子と、を含む有機膜研磨用化学的機械的研磨スラリーを用いて前記有機膜を化学的機械的に研磨して前記有機膜を平坦化する工程と、
を含む。
基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に凹部を形成する工程と、
前記凹部が形成された前記絶縁膜上に、第1および第2の有機膜を含む下層膜、中間層、およびレジスト膜を順次形成する工程と、
前記レジスト膜をパターン露光する工程と、
を含み、
前記下層膜を形成する工程は、
前記凹部が形成された前記絶縁膜上に、該凹部を埋め込むように前記第1の有機膜を形成する工程と、
表面に官能基を有するポリマー粒子と、水溶性高分子と、を含む有機膜研磨用化学的機械的研磨スラリーを用いて前記第1の有機膜を化学的機械的に研磨して前記第1の有機膜を平坦化する工程と、
前記平坦化の後、前記絶縁膜および前記第1の有機膜の上方に、前記第2の有機膜を形成する工程と、を含む。
基板上に、有機材料を含む有機系絶縁膜を形成する工程と、
前記有機系絶縁膜上に、無機材料を含む第1および第2のハードマスクを順次積層する工程と、
前記第2のハードマスクに凹部を形成する工程と、
前記凹部が形成された第2のハードマスク上に、第1および第2の有機膜を含む下層膜、中間層およびレジスト膜を順次形成する工程と、
前記レジスト膜をパターン露光する工程と、
を含み、
前記下層膜を形成する工程は、
前記凹部が形成された前記第2のハードマスク上に、該凹部を埋め込むように前記第1の有機膜を形成する工程と、
表面に官能基を有するポリマー粒子と、水溶性高分子と、を含む有機膜研磨用化学的機械的研磨スラリーを用いて前記第1の有機膜を化学的機械的に研磨して前記第1の有機膜を平坦化する工程と、
前記平坦化の後、前記第2のハードマスクおよび前記第1の有機膜の上方に、前記第2の有機膜を形成する工程と、を含む。
基板上に、有機材料を含む有機系絶縁膜を形成する工程と、
前記有機系絶縁膜上に、無機材料を含む第1、第2、および第3のハードマスクを順次積層する工程と、
前記第3のハードマスクに凹部を形成する工程と、
前記凹部が形成された第3のハードマスク上に、第1および第2の有機膜を含む下層膜、中間層およびレジスト膜を順次形成する工程と、
前記レジスト膜をパターン露光する工程と、
を含み、
前記下層膜を形成する工程は、
前記凹部が形成された前記第3のハードマスク上に、該凹部を埋め込むように前記第1の有機膜を形成する工程と、
表面に官能基を有するポリマー粒子と、水溶性高分子と、を含む有機膜研磨用化学的機械的研磨スラリーを用いて前記第1の有機膜を化学的機械的に研磨して前記第1の有機膜を平坦化する工程と、
前記平坦化の後、前記第3のハードマスクおよび前記第1の有機膜の上方に、前記第2の有機膜を形成する工程と、を含む。
前記第1の有機膜を形成する工程は、
前記第1の有機膜を形成するための材料を塗布する工程と、
前記材料を90℃乃至160℃でベークする工程と、
を含み、
前記第1および第2の有機膜を250℃乃至400℃でベークする工程をさらに含むことができる。
本発明の一実施形態においては、表面に官能基を有するポリマー粒子と、水溶性高分子とを含む有機膜研磨用化学的機械的研磨スラリー(以下、「有機膜研磨用CMPスラリー」ともいう)が用いられる。有機膜研磨用化学的機械的研磨スラリーは、特に、高速ロジックLSI、システムLSI、メモリ・ロジック混載LSIなどの高速デバイスなどの製造に用いる場合に好適である。
ポリマー粒子は、樹脂をベースとする粒子である。ここで、ポリマー粒子は、例えば、PMMA(ポリメチルメタクリレート)等のアクリル系樹脂、PST(ポリスチレン)系樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリカーボネイト樹脂、およびこれらの複合樹脂からなる群から選択される少なくとも1種類以上の樹脂を含むことができる。特に、CMPに適した硬度および弾性を有することから、ポリマー粒子は、PMMA、PST、あるいはスチレンアクリル共重合体を含む粒子であるのが好ましい。
ヒドロキシメチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート等の2価アルコールのヒドロキシアルキルモノ(メタ)アクリレート類;
グリセリンのモノ−またはジ−(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンのモノ−またはジ−(メタ)アクリレート等の3価以上の多価アルコールの遊離水酸基含有(メタ)アクリレート類;
アリルグリシジルエーテル、グリシジル(メタ)アクリレート等の不飽和エポキシ化合物;
(メタ)アクリルアミド、N−メトキシメチル(メタ)アクリルアミド、マレイン酸アミド、マレイミド等の不飽和カルボン酸のアミドあるいはイミド類;
N−メチロール(メタ)アクリルアミド、N、N−ジメチロール(メタ)アクリルアミド等のN−メチロール化不飽和カルボン酸アミド類;
2−ジメチルアミノエチルアクリルアミド、2−ジエチルアミノエチルアクリルアミド、2−ジメチルアミノプロピルアクリルアミド等のアミノアルキル基含有アクリルアミド類;
2−ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート、2−ジエチルアミノエチル(メタ)アクリレート、2−ジメチルアミノプロピル(メタ)アクリレート等のアミノアルキル基含有(メタ)アクリレート類;
などが挙げられる。
本実施形態に係る有機膜研磨用CMPスラリーに含有される水溶性高分子としては、限定されないが、例えば、メチルセルロース、メチルヒドロキシエチルセルロース、メチルヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、カルボキシメチルセルロース、カルボキシエチルセルロース、カルボキシメチルヒドロキシエチルセルロース等の水溶性セルロース類;、キトサン、ヒアルロン酸、コンドロイチン、コンドロイチン硫酸、コンドロイチンポリ硫酸、デルマタン硫酸、ヘパリン、ケラタン硫酸、ケラタンポリ硫酸、デンプン、デキストリン、ポリデキストロース、キサンタンガム、グアーガム等の水溶性多糖類;の他、ポリエチレングリコール、ポリエチレンイミン、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸およびその塩、ポリアクリルアミド、ポリエチレンオキシド等の水溶性高分子が挙げられ、これらのうち、高い平坦性が得られる、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドンが好ましい。これらの水溶性高分子は、単独で使用することができ、また、2種以上を混合して使用することができる。
本実施形態にかかる有機膜研磨用CMPスラリー中には、酸化剤、有機酸あるいは界面活性剤といった添加剤を、通常用いられている量で必要に応じて配合してもよい。
1−4−1.従来技術
本実施形態の有機膜研磨用CMPスラリーの作用効果を説明するにあたり、まず、比較対照として、従来技術における有機膜の研磨について説明する。
これに対して、本実施形態の有機膜研磨用化学的機械的研磨スラリーは、表面に官能基を有するポリマー粒子と、水溶性高分子と、を含む。このように、表面に官能基を有するポリマー粒子と、水溶性高分子と、を含むスラリーで研磨を行なうことにより、配線パターンに対する第1の有機膜9のディッシングを20nm以下にまで抑制することが可能となり、第1の有機膜9の平坦性を格段に改善することができる。
以下、有機膜研磨用CMPスラリーの具体例およびその製造方法について説明するが、本発明の有機膜研磨用CMPスラリーはこれらに限定されない。
まず、スチレン92重量部、メタクリル酸4重量部、ヒドロキシエチルアクリレート4重量部、ラウリル硫酸アンモニウム0.1重量部、過硫酸アンモニウム0.5重量部、およびイオン交換水400重量部を、容量2リットルのフラスコに収容した。窒素ガス雰囲気下で攪拌しながら70℃に昇温して、6時間重合させた。これによって、表面にカルボキシル基及びヒドロキシル基を有する平均粒子径200nmのポリスチレン系粒子(PST系粒子)が得られた。得られたPST系粒子のトルエン不溶分は10重量%であった。
上記方法にて、平均粒子径200nmのPST系粒子を得た後、このPST系粒子を0.83重量%の濃度で純水に分散させ、分子量120000のポリビニルピロリドン(水溶性高分子)を0.16重量%添加して、有機膜研磨用CMPスラリー2を得た。
まず、スチレン77重量部、アクリル酸3重量部、ジビニルベンゼン20重量部、ドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウム2.0重量部、過硫酸アンモニウム1.0重量部、およびイオン交換水400重量部を、容量2リットルのフラスコに収容した。窒素ガス雰囲気下で攪拌しながら70℃に昇温して、6時間重合させた。これによって、表面にカルボキシル基を有する平均粒子径50nmの架橋PST系粒子(架橋ポリマー粒子)が得られた。得られた架橋PST系粒子のトルエン不溶分は98重量%であった。
まず、メチルメタクリレート35重量部、スチレン35重量部、メタクリル酸5重量部、トリメチロールプロパントリメタクリレート25重量部、ドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウム0.5重量部、過硫酸アンモニウム0.5重量部、およびイオン交換水400重量部を、容量2リットルのフラスコに収容した。窒素ガス雰囲気下で攪拌しながら70℃に昇温して、6時間重合させた。これによって、表面にカルボキシル基を有する平均粒子径100nmの架橋スチレンアクリル系粒子(架橋ポリマー粒子)が得られた。得られた架橋スチレンアクリル系粒子のトルエン不溶分は97重量%であった。
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は以下の実施例に限定されない。以下の実施例では、具体的には、図3乃至図11を参照して、本実施形態の有機膜研磨用CMPスラリーを用いた化学的機械的研磨方法および半導体装置の製造方法について説明する。
本実施例では、CMPによる有機膜の平坦化を導入した、ArFエキシマレーザーを用いるデュアルハードマスク法によるハイブリッドデュアルダマシン加工方法について説明する。
本比較例では、下層膜の平坦化を行なわない従来の手法により、ハイブリッドデュアルダマシン配線の形成を試みた。
本実施例では、実施例1と同様に、CMPによる有機膜の平坦化を導入した、ArFエキシマレーザーを用いるデュアルハードマスク法によるハイブリッドデュアルダマシン加工を行なった。
本比較例では、実施例1で述べた方法により、第2のハードマスク6に配線溝パターン8a,8bを形成し、第1の有機膜9を形成するための材料としてIX370Gを塗布により形成し、130℃で60秒間ソフトベークを行なった後、300℃で60秒間ハードベークを行なうことにより、第1の有機膜9を得た。
本比較例においては、上記比較例2において、CMPスラリーとして、平均粒子径200nmのPST系粒子のかわりに、分子量17600のポリビニルアルコールを用いた以外は、上記比較例2と同様の操作を行なった。
本比較例においては、CMPスラリーとして、平均粒子径200nmのPST系粒子のかわりに、1次粒子径30nmのγアルミナ粒子を用いた以外は、上記比較例2と同様の方法により第1の有機膜9の研磨を行なった。
本比較例では、実施例1で述べた方法と同様の方法にて、第2ハードマスク6(SiN膜)に配線溝パターン8a,8bを形成し、IX370Gを塗布し、130℃で60秒間ソフトベークを行なうことにより、第1の有機膜9を得た。
本比較例においては、CMPスラリーとして、平均粒子径200nmのPST系粒子のかわりに、分子量17600のポリビニルアルコールを0.01重量%の濃度で用いた以外は、上記比較例5と同様の操作を行なった。このときの第1の有機膜9の研磨速度は、80nm/min程度しか得られなかった。
本比較例においては、上記比較例5において、CMPスラリーとして、平均粒子径200nmのPST系粒子のかわりに、1次粒子径30nmのγアルミナ粒子を用いた以外は、上記比較例5と同様の操作を行なった。
本実施例では、CMPによる有機膜の平坦化を導入した、ArFエキシマレーザーを用いるデュアルハードマスク法によるハイブリッドデュアルダマシン加工を行なった。
2−11.実施例4
図13乃至図21を参照して、本実施例における方法を説明する。本実施例では、CMPによる有機膜の平坦化を導入した、ArFエキシマレーザーを用いるトリプルハードマスク法によるハイブリッドデュアルダマシン加工を行なった。
本比較例では、下層膜の平坦化を行なわない従来の手法により、ハイブリッドデュアルダマシン配線の形成を試みた。
本実施例では、CMPによる有機膜の平坦化を導入した、ArFエキシマレーザーを用いるトリプルハードマスク法によるハイブリッドデュアルダマシン加工を行なった。
本実施例では、CMPによる有機膜の平坦化を導入した、ArFエキシマレーザーを用いるトリプルハードマスク法によるハイブリッドデュアルダマシン加工を行なった。
Claims (3)
- トレンチマスクファーストのデュアルダマシンプロセスによって、配線溝パターンである凹部を形成する半導体装置の製造方法であって、
基板上に、有機材料を含む有機系絶縁膜を形成する工程と、
前記有機系絶縁膜上に、無機材料を含む第1および第2のハードマスクを順次積層する工程と、
前記第2のハードマスク上にレジストパターンを形成してドライエッチングすることにより前記第2のハードマスクに前記配線溝パターンである凹部を形成する工程と、
前記凹部が形成された第2のハードマスク上に、第1および第2の有機膜を含む下層膜、中間層およびレジスト膜を順次形成する工程と、
前記レジスト膜をパターン露光する工程と、
を含み、
前記下層膜を形成する工程は、
前記凹部が形成された前記第2のハードマスク上に、該凹部を埋め込むようにノボラック樹脂を主成分とする材料を塗布して90℃乃至160℃でベークを行うことにより前記第1の有機膜を形成する工程と、
表面に官能基を有し、前記凹部の幅よりも小さな径を有するポリマー粒子と、ポリビニルアルコールおよびポリビニルピロリドンから選択される1種の水溶性高分子とを含むスラリーを用いて前記第1の有機膜を化学的機械的に研磨して前記第1の有機膜を平坦化する工程と、
前記平坦化の後、前記第2のハードマスクおよび前記第1の有機膜の上方に、前記第2の有機膜を形成する工程と、
を含む、半導体装置の製造方法。 - トレンチマスクファーストのデュアルダマシンプロセスによって、配線溝パターンである凹部を形成する半導体装置の製造方法であって、
基板上に、有機材料を含む有機系絶縁膜を形成する工程と、
前記有機系絶縁膜上に、無機材料を含む第1、第2、および第3のハードマスクを順次積層する工程と、
前記第3のハードマスク上にレジストパターンを形成してドライエッチングすることにより前記第3のハードマスクに前記配線溝パターンである凹部を形成する工程と、
前記凹部が形成された第3のハードマスク上に、第1および第2の有機膜を含む下層膜、中間層およびレジスト膜を順次形成する工程と、
前記レジスト膜をパターン露光する工程と、
を含み、
前記下層膜を形成する工程は、
前記凹部が形成された前記第3のハードマスク上に、該凹部を埋め込むようにノボラック樹脂を主成分とする材料を塗布して90℃乃至160℃でベークを行うことにより前記第1の有機膜を形成する工程と、
表面に官能基を有し、前記凹部の幅よりも小さな径を有するポリマー粒子と、ポリビニルアルコールおよびポリビニルピロリドンから選択される1種の水溶性高分子とを含むスラリーを用いて前記第1の有機膜を化学的機械的に研磨して前記第1の有機膜を平坦化する工程と、
前記平坦化の後、前記第3のハードマスクおよび前記第1の有機膜の上方に、前記第2の有機膜を形成する工程と、
を含む、半導体装置の製造方法。 - 請求項1または請求項2において、
前記第2の有機膜を形成する工程において、前記下層膜を250℃乃至400℃でベークする工程をさらに含む、半導体装置の製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005345790A JP4868840B2 (ja) | 2005-11-30 | 2005-11-30 | 半導体装置の製造方法 |
US11/563,414 US20070128874A1 (en) | 2005-11-30 | 2006-11-27 | Chemical mechanical polishing method and method of manufacturing semiconductor device |
CN2006101606141A CN1974636B (zh) | 2005-11-30 | 2006-11-29 | 化学机械研磨浆料、化学机械研磨法及半导体装置的制法 |
KR1020060118781A KR20070057009A (ko) | 2005-11-30 | 2006-11-29 | 유기막 연마용 화학적 기계적 연마 슬러리, 화학적 기계적연마 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
TW095144121A TW200734424A (en) | 2005-11-30 | 2006-11-29 | Chemical mechanical polishing slurry for organic film, chemical mechanical polishing method, and method of manufacturing semiconductor device |
US12/477,332 US8119517B2 (en) | 2005-11-30 | 2009-06-03 | Chemical mechanical polishing method and method of manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005345790A JP4868840B2 (ja) | 2005-11-30 | 2005-11-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007150184A JP2007150184A (ja) | 2007-06-14 |
JP2007150184A5 JP2007150184A5 (ja) | 2008-01-17 |
JP4868840B2 true JP4868840B2 (ja) | 2012-02-01 |
Family
ID=38119356
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005345790A Active JP4868840B2 (ja) | 2005-11-30 | 2005-11-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20070128874A1 (ja) |
JP (1) | JP4868840B2 (ja) |
KR (1) | KR20070057009A (ja) |
CN (1) | CN1974636B (ja) |
TW (1) | TW200734424A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10312074B2 (en) | 2014-10-31 | 2019-06-04 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Method of producing layer structure, layer structure, and method of forming patterns |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8003980B2 (en) * | 2007-01-30 | 2011-08-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Layered electro-organic devices with crosslinked polymer and methods of preparing the same |
JP2009123782A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2009146998A (ja) * | 2007-12-12 | 2009-07-02 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
CN101933124B (zh) * | 2008-02-06 | 2012-07-04 | Jsr株式会社 | 化学机械研磨用水系分散体以及化学机械研磨方法 |
WO2009104517A1 (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 |
US8741008B2 (en) * | 2008-02-18 | 2014-06-03 | Jsr Corporation | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing and chemical mechanical polishing method |
US8652350B2 (en) * | 2008-02-27 | 2014-02-18 | Jsr Corporation | Chemical mechanical polishing aqueous dispersion, chemical mechanical polishing method using the same, and method of recycling chemical mechanical polishing aqueous dispersion |
US8728341B2 (en) * | 2009-10-22 | 2014-05-20 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Polishing agent, concentrated one-pack type polishing agent, two-pack type polishing agent and method for polishing substrate |
US8288271B2 (en) * | 2009-11-02 | 2012-10-16 | International Business Machines Corporation | Method for reworking antireflective coating over semiconductor substrate |
JP5915843B2 (ja) * | 2010-02-01 | 2016-05-11 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体の製造方法 |
US9330974B2 (en) * | 2010-10-27 | 2016-05-03 | Infineon Technologies Ag | Through level vias and methods of formation thereof |
JP2014053502A (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-20 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
US20150021513A1 (en) | 2013-07-17 | 2015-01-22 | Yun-jeong Kim | Cmp slurry composition for polishing an organic layer and method of forming a semiconductor device using the same |
KR20150009914A (ko) * | 2013-07-17 | 2015-01-27 | 삼성전자주식회사 | 유기막 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법 |
US9873180B2 (en) | 2014-10-17 | 2018-01-23 | Applied Materials, Inc. | CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes |
CN107078048B (zh) | 2014-10-17 | 2021-08-13 | 应用材料公司 | 使用加成制造工艺的具复合材料特性的cmp衬垫建构 |
US10875153B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-12-29 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pad materials and formulations |
US10821573B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-11-03 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads produced by an additive manufacturing process |
US10399201B2 (en) * | 2014-10-17 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pads having compositional gradients by use of an additive manufacturing process |
US11745302B2 (en) | 2014-10-17 | 2023-09-05 | Applied Materials, Inc. | Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process |
US10875145B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-12-29 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads produced by an additive manufacturing process |
KR101758437B1 (ko) | 2014-11-19 | 2017-07-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기막 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마방법 |
US10507563B2 (en) | 2015-04-22 | 2019-12-17 | Jsr Corporation | Treatment composition for chemical mechanical polishing, chemical mechanical polishing method, and cleaning method |
JP2017011225A (ja) * | 2015-06-25 | 2017-01-12 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨方法及び不純物除去用組成物並びに基板及びその製造方法 |
KR101900540B1 (ko) * | 2015-08-21 | 2018-09-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기막용 cmp 슬러리 조성물, 그 제조방법, 및 이를 이용한 유기막 연마 방법 |
CN113103145B (zh) | 2015-10-30 | 2023-04-11 | 应用材料公司 | 形成具有期望ζ电位的抛光制品的设备与方法 |
KR101922289B1 (ko) * | 2015-11-26 | 2018-11-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | Cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 유기막 연마방법 |
US10391605B2 (en) * | 2016-01-19 | 2019-08-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process |
JP6573575B2 (ja) * | 2016-05-02 | 2019-09-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 凹部の埋め込み方法 |
KR102040310B1 (ko) * | 2016-12-01 | 2019-11-04 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기막 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 유기막 연마 방법 |
CN106601670B (zh) * | 2016-12-30 | 2019-11-22 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 含无机物的有机抗反射层做双重图形硬掩模的工艺方法 |
US11471999B2 (en) | 2017-07-26 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods |
WO2019032286A1 (en) | 2017-08-07 | 2019-02-14 | Applied Materials, Inc. | ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME |
KR102210251B1 (ko) * | 2017-11-10 | 2021-02-01 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기막 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 |
CN112654655A (zh) | 2018-09-04 | 2021-04-13 | 应用材料公司 | 先进抛光垫配方 |
US11813712B2 (en) | 2019-12-20 | 2023-11-14 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads having selectively arranged porosity |
US11806829B2 (en) | 2020-06-19 | 2023-11-07 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pads and related polishing pad manufacturing methods |
US11878389B2 (en) | 2021-02-10 | 2024-01-23 | Applied Materials, Inc. | Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8819653D0 (en) * | 1988-08-18 | 1988-09-21 | Exxon Chemical Patents Inc | Coating compositions |
US5597786A (en) * | 1994-05-31 | 1997-01-28 | Nicca Chemical Co., Ltd. | Lubricant for plastic working |
EP0686684A1 (de) * | 1994-06-06 | 1995-12-13 | Bayer Ag | Sägesuspension |
US6740590B1 (en) * | 1999-03-18 | 2004-05-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Aqueous dispersion, aqueous dispersion for chemical mechanical polishing used for manufacture of semiconductor devices, method for manufacture of semiconductor devices, and method for formation of embedded writing |
EP1104778B1 (en) * | 1999-11-22 | 2004-11-03 | JSR Corporation | Method of production of composited particle for chemical mechanical polishing |
KR20010055971A (ko) * | 1999-12-13 | 2001-07-04 | 김진우 | 연마 패드 |
JP3872925B2 (ja) * | 2000-01-26 | 2007-01-24 | 株式会社東芝 | 研磨装置および半導体装置の製造方法 |
JP3925041B2 (ja) * | 2000-05-31 | 2007-06-06 | Jsr株式会社 | 研磨パッド用組成物及びこれを用いた研磨パッド |
JP4377040B2 (ja) * | 2000-07-24 | 2009-12-02 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体の製造方法 |
JP2003045964A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
KR100704690B1 (ko) * | 2001-10-31 | 2007-04-10 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 연마액 및 연마방법 |
JP2003297920A (ja) * | 2002-04-03 | 2003-10-17 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2004128211A (ja) * | 2002-10-02 | 2004-04-22 | Toshiba Corp | 樹脂粒子を用いた半導体基板上の有機膜の研磨方法とスラリー |
JP4104426B2 (ja) * | 2002-10-30 | 2008-06-18 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US7005382B2 (en) * | 2002-10-31 | 2006-02-28 | Jsr Corporation | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, chemical mechanical polishing process, production process of semiconductor device and material for preparing an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing |
JP2004247605A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | Toshiba Corp | Cmp用スラリーおよび半導体装置の製造方法 |
JP3757213B2 (ja) * | 2003-03-18 | 2006-03-22 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
WO2004097923A1 (ja) * | 2003-04-30 | 2004-11-11 | Fujitsu Limited | 半導体装置の製造方法 |
JP2004335978A (ja) * | 2003-05-12 | 2004-11-25 | Jsr Corp | 化学機械研磨方法 |
TWI241626B (en) * | 2003-06-02 | 2005-10-11 | Toshiba Corp | Chemical mechanical polishing method of organic film and method of manufacturing semiconductor device |
JP4202826B2 (ja) * | 2003-06-02 | 2008-12-24 | 株式会社東芝 | 有機膜の化学的機械的研磨方法および半導体装置の製造方法 |
JP4202955B2 (ja) * | 2004-03-17 | 2008-12-24 | 株式会社東芝 | 有機膜の化学的機械的研磨方法 |
KR100596865B1 (ko) * | 2004-01-05 | 2006-07-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 고평탄성 슬러리 조성물 및 이를 이용한 층간 절연막의cmp 방법 |
JP4160569B2 (ja) | 2004-05-31 | 2008-10-01 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
-
2005
- 2005-11-30 JP JP2005345790A patent/JP4868840B2/ja active Active
-
2006
- 2006-11-27 US US11/563,414 patent/US20070128874A1/en not_active Abandoned
- 2006-11-29 TW TW095144121A patent/TW200734424A/zh unknown
- 2006-11-29 CN CN2006101606141A patent/CN1974636B/zh active Active
- 2006-11-29 KR KR1020060118781A patent/KR20070057009A/ko not_active Application Discontinuation
-
2009
- 2009-06-03 US US12/477,332 patent/US8119517B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10312074B2 (en) | 2014-10-31 | 2019-06-04 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Method of producing layer structure, layer structure, and method of forming patterns |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1974636B (zh) | 2012-02-01 |
TW200734424A (en) | 2007-09-16 |
US8119517B2 (en) | 2012-02-21 |
CN1974636A (zh) | 2007-06-06 |
KR20070057009A (ko) | 2007-06-04 |
US20070128874A1 (en) | 2007-06-07 |
JP2007150184A (ja) | 2007-06-14 |
US20090239373A1 (en) | 2009-09-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4868840B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4160569B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4278020B2 (ja) | 研磨用粒子および研磨材の製造方法 | |
US7052373B1 (en) | Systems and slurries for chemical mechanical polishing | |
KR101224321B1 (ko) | 다마신 구조 내의 알루미늄/구리 및 티타늄 연마용 조성물 | |
US20100093585A1 (en) | Post-cmp treating liquid and manufacturing method of semiconductor device using the same | |
US20090061626A1 (en) | Method of manunfacturing semiconductor device | |
JP2001077060A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4202826B2 (ja) | 有機膜の化学的機械的研磨方法および半導体装置の製造方法 | |
US6746314B2 (en) | Nitride CMP slurry having selectivity to nitride | |
US6251788B1 (en) | Method of integrated circuit polishing without dishing effects | |
KR100693961B1 (ko) | 연마 패드 및 반도체 소자의 제조 방법 | |
US7985685B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
JP2014053502A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2009146998A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2001152135A (ja) | 化学機械研磨用水系分散体の製造方法 | |
US6150274A (en) | Method of enhancing CMP removal rate of polymer-like material and improving planarization in integrated circuit structure | |
US6375541B1 (en) | Polishing fluid polishing method semiconductor device and semiconductor device fabrication method | |
US20060084271A1 (en) | Systems, methods and slurries for chemical mechanical polishing | |
US6439972B2 (en) | Polishing fluid, polishing method, semiconductor device and semiconductor device fabrication method | |
JP2001015462A (ja) | スラリー、cmp法および半導体装置の製造方法 | |
JP2004031616A (ja) | 研磨スラリー、研磨方法および半導体装置の製造方法 | |
JP2003092300A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 | |
JP2007134424A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
KR20050073044A (ko) | 화학적기계연마 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071128 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071128 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100203 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100210 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100329 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100929 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101228 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110111 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20110128 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110928 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111115 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4868840 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141125 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |