JP5186738B2

JP5186738B2 - 研磨パッドの製造方法及び被研磨体の研磨方法

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Application number: JP2006189424A
Authority: JP
Inventors: 弘昌長瀬; 昭夫横更; 洋三澤
Original assignee: Fujitsu Semiconductor Ltd
Current assignee: Fujitsu Semiconductor Ltd
Priority date: 2006-07-10
Filing date: 2006-07-10
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Description

本発明は、研磨パッド、研磨パッドの製造方法、及び被研磨体の研磨方法に関し、特に
化学的機械研磨（化学機械的研磨、ＣＭＰ）用研磨パッドに於いて、その製造時に取り込
まれる異物などの欠陥部位の影響を除去して、被研磨体に於ける損傷の発生が防止される
研磨パッド、当該研磨パッドの製造方法、並びに当該研磨パッドを用いての被研磨体の研
磨方法に関する。

半導体集積回路素子などの半導体装置の製造工程にあっては、半導体基板（半導体ウェ
ハ）の一方の主面にＭＩＳトランジスタなどの能動素子、容量素子などの受動素子、及び
これらの機能素子を相互に接続して電子回路を形成するための配線層が形成される。

当該機能素子、配線層ならびにこれらの間を絶縁分離する絶縁層などを形成する際、その薄形化・平坦化を行うために、化学的機械研磨（化学機械的研磨、ＣＭＰ）法が適用されている。

当該ＣＭＰ処理にあっては、円盤状研磨テーブル（定盤・プラテン）上に配設された研
磨パッド（研磨布）の表面に研磨剤（スラリー）を供給しつつ、当該研磨テーブルを回転
させると共に、回転する被研磨体即ち前記半導体基板の被研磨面を研磨パッドに接触させ
て、当該被研磨面を研磨する。

この様なＣＭＰ処理に於いて、研磨テーブル上に配設される研磨パッドは、研磨レート
を高めると共に当該研磨レートの均一化を図る為に、その表面（研磨面）に供給される研
磨剤の保持力が高く、且つ当該研磨剤が当該研磨パッドの全面に効率的に移動可能であり、更に研磨時に生じた生成物を効率的に排出することが可能な構造とされる必要がある。

この為、当該研磨パッドは、その表面（研磨面）が発泡構造とされるか、ドレッシング
処理により当該表面が荒らされて、研磨剤の保持力を高めることがなされている。

当該発泡部位は微小孔を形成し、研磨剤に於ける砥粒を保持する。

当該発泡構造を有する研磨パッドとしては、独立発泡構造を有する発泡ポリウレタンの
如く、例えばイソシアネート基含有化合物、活性水素含有化合物及び発泡剤を混合・攪拌
し、これを整形型に注入し、加熱・硬化させて整形体を得、当該整形体を所定の厚さに裁
断することにより形成されるものがある。（特許文献１、２）
また、連続発泡構造を有する研磨パッドとして、例えばフェルト状ポリエステル繊維に
ウレタンを含浸させ、溶媒を除去し、更にウレタンを加熱・硬化させる方法によって形成
されるものがある。

更に、無発泡構造を有する研磨パッドとして、ポリウレタン等の均質重合体或いは光硬
化性樹脂からなる研磨パッドが提案されている。かかる無発泡構造の研磨パッドは、その
表面部にドレッシング処理が施されて当該表面が荒らされ、研磨剤の保持が可能とされる。

一方、シート状に形成された研磨パッドの表面、即ち研磨面には複数個の凹部（孔）を
配設して、研磨剤の保持することが提案されている。（特許文献３、５）
当該凹部（孔）は、研磨パッドの研磨面に於いて、所定の開口寸法（孔径）、並びに所定の間隔をもって配設される。この為、かかる凹部（孔）は、シート状研磨パッドに対し、プレス加工等により一括して形成される。

また、当該研磨パッドの研磨面に溝を配設して、研磨剤の流動性を高めると共に、研磨
時に生じた生成物を効率的に排出する構成が提案されている。（特許文献４、５）
当該溝は、研磨パッドの研磨面に於いて、単一リング状、同心円状、スパイラル状、円
弧状、平行する直線状、或いは交差する直線状（碁盤目状）に配設され、更にはこれらの
形状の組み合わせパターンをもって配設される場合もある。また、その形成方法としては、一般的には切削加工が適用される。

更に、研磨パッドの研磨面に、前記凹部（孔）と溝の両者を配設することも提案されて
いる。（特許文献６、７）
特開２００２−１９４１０４号特開２００６−７７０４４号特開２００４−３４１７５号特開２００３−１０３４７０号特開平８−２２９８０５号特開２００２−１６０１５３号特開２００４−１４０１７８号特開２００２−９２５９３号特開２００５−１９８８６号特開２００２−２２４９４６号特開２００５−９１２６４号

前述の如く、研磨パッドの表面（研磨面）は、発泡構造、或いは荒らされた構造とされ
る。

発泡構造を有する研磨パッド材として、前記発泡ポリウレタンが多用されている。

当該発泡ポリウレタンからなるシート状研磨パッドを形成する際には、前述の如く、例
えばイソシアネート基含有化合物、活性水素含有化合物及び発泡剤などを攪拌・混合し、
これを整形型に注入し、加熱・硬化させて整形体を得て、当該整形体を所定の厚さに裁断
することにより形成する工程が執られる。

ところが、その材料構成、攪拌条件、或いは処理温度条件などにより、均質な研磨パッ
ドを形成できない場合がある。（特許文献８、９）
また、攪拌・混合、或いは整形等処理の際に、異物が混入してしまう場合がある。

形成された研磨パッドに於けるこの様な不均質な状態は研磨剤の保持力の不均一化を招
き、また異物の存在は研磨パッドの硬度に局部的な変化を生じてしまう。

この様に研磨剤の保持力、或いは硬度の局部的な変化を生じた部位を含む研磨パッドを
ＣＭＰ工程に適用すると、研磨レートの不均一化を招き、また被研磨体に対し損傷（スク
ラッチ）を与えてしまう。

この様に研磨剤の保持力の異なる部位、或いは硬度の局部的な変化を生じた部位は、研
磨パッドの内部或いは表面部に内包された状態で、研磨パッドの特定されない位置に不特
定の数発生する。

以下これらの問題が発生した部位を欠陥部位と称する。

この為、この様な欠陥部位を含む研磨パッドは、ＣＭＰ工程には適用することが難しい。

特に被研磨体である前記半導体基板は大口径化する方向にあり、当該大口径半導体基板
に対してＣＭＰ処理を施す工程にあっては、研磨パッド自体もより大きな面積が必要とさ
れる。

大きな面積となれば、当該研磨パッドに前記欠陥部位が含まれる確率はより高まる。

この様な問題に対応する為に、ＣＭＰ処理を実施する際、研磨パッドを研磨テーブル上
に配置した状態に於いて、当該研磨パッドの表面状態を光学的に検査し、その検査結果に
基づいて作業者が欠陥部位を除去することが提案されている。（特許文献１０）
しかしながら、かかるＣＭＰ処理に於いて作業者が除去することができる欠陥は、その
殆どが研磨パッドの表面に付着した異物である場合に限られる。

製造工程に於いて発生し、当該研磨パッドの内部或いは表面部に内包された欠陥部位等、除去することができない欠陥部位が存在した場合には、当該研磨パッドは廃棄されていた。

従って、当該研磨パッドの有効活用を行うことができず、半導体装置の製造工程の非効
率化・高コスト化を招来していた。

かかる課題を解決するために、本発明によれば、シート状研磨パッド部材に、当該シート状研磨パッド部材を透過する放射線を照射し、当該研磨パッドを検査する工程、前記検査により検出された当該シート状研磨パッド部材に於ける欠陥部位を選択的に除去する工程を具備することを特徴とする研磨パッドの製造方法が提供される。
また、本発明によれば、シート状研磨パッド部材に、所定の間隔をもって規則的に複数個の凹部或いは少なくとも一つの溝を配設する工程、前記シート状研磨パッド部材に当該シート状研磨パッド部材を透過する放射線を照射して、当該研磨パッド部材を検査する工程、前記検査により検出された当該シート状研磨パッド部材に於ける欠陥部位を選択的に除去する工程を具備することを特徴とする研磨パッドの製造方法が提供される。

更に、本発明によれば、シート状研磨パッド部材に、当該シート状研磨パッド部材を透過する放射線を照射し、当該研磨パッドを検査する工程と、前記検査により検出された当該シート状研磨パッド部材に於ける欠陥部位を選択的に除去して研磨パッドを形成する工程と、前記研磨パッドを研磨テーブル上に配設する工程と、前記研磨パッド上に研磨剤を供給しつつ、当該研磨パッドに被研磨体を接触せしめる工程とを具備することを特徴とする被研磨体の研磨方法が提供される。
更に、本発明によれば、シート状研磨パッド部材に、所定の間隔をもって規則的に複数個の凹部或いは少なくとも一つの溝を配設する工程と、前記シート状研磨パッド部材に当該シート状研磨パッド部材を透過する放射線を照射して、当該研磨パッド部材を検査する工程と、前記検査により検出された当該シート状研磨パッド部材に於ける欠陥部位を選択的に除去して研磨パッドを形成する工程と、前記研磨パッドを研磨テーブル上に配設する工程と、前記研磨パッド上に研磨剤を供給しつつ、当該研磨パッドに被研磨体を接触せしめる工程とを具備することを特徴とする被研磨体の研磨方法が提供される。

この様な本発明によれば、不均質な部位或いは混入した異物が存在する部位からなる欠
陥部位が除去された研磨パッドが提供される。

即ち、ＣＭＰ処理に於いては、研磨パッドとして、これらの欠陥部位が予め除去された
研磨パッドが適用される。

この為、従来不良品として廃棄されていた研磨パッドの数を低減することができ、ＣＭ
Ｐ工程に適用可能な研磨パッドの数を増加させることができる。

これにより、当該研磨パッドの価格を低下させることができる。

従って、当該研磨パッドを適用するＣＭＰ工程を含む半導体装置の製造工程等に於いて
当該ＣＭＰ処理の信頼性を高めると共に、製造コストを大きく低減することができる。

本発明にあっては、ＣＭＰ処理工程の前に、当該ＣＭＰ処理工程に適用しようとする研
磨パッドに於ける欠陥部位の有無を検出して、欠陥部位が存在した場合には当該欠陥部位
を除去し、これにより当該研磨パッドのＣＭＰ処理工程への適用を可能とする。

即ち、研磨パッドの内部或いは表面部に内包された欠陥部位など、製造工程に於いて発
生した欠陥部位が存在した場合であっても、前記先行例の如く当該研磨パッドを廃棄する
のではなく、当該欠陥部位を選択的に除去することによりＣＭＰ処理工程への適用を可能
とする。

本発明を、実施例をもって詳細に説明する。
〔研磨パッド〕
本発明による研磨パッドの構成を、二つの実施例をもって示す。
（実施例１）
本発明による研磨パッドの第１の実施形態を、図１に示す。

図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の、Ｘ−Ｘ’断面を示す。

図１に於いて、研磨パッド１００は、ポリウレタン或いは不織布からなる基材１、当該
基材１の一方の主面上に接着剤２を介して配置された発泡ポリウレタンシートからなる研磨パッド層３を具備している。

前記基材１の他方の主面には、接着材４を介して離型紙５が配置されている。当該離型
紙５は、当該研磨パッド１００を研磨テーブル上に配置する際には剥離・除去される。

本実施例による研磨パッド１００にあっては、発泡ポリウレタンシートからなる研磨パ
ッド層３は、被研磨体に接する面に、所定の間隔をもって規則的に配設された複数個の凹
部５１と、当該凹部５１の規則的な配設に対応することなく配設された凹部７１を具備し
ている。

前記凹部５１は、当該研磨パッド表面に於いて研磨剤（スラリー）を収容・保持するこ
とにより、研磨レートの効率化・均一化を図るために配設される。

一方、凹部７１は、本発明思想に従い、当該発泡ポリウレタンの形成の際に生じたとこ
ろの、不均質な部位或いは混入した異物が存在する部位からなる欠陥部位が選択的に除去
された結果形成されたものである。

従って、当該凹部７１の配設される位置、大きさ、形状、数は一定ではない。またその
深さも、当該欠陥部位を除去することができる深さであれば良く、当該研磨パッドを貫通
するものでなくても良い。
（実施例２）
本発明による研磨パッドの第２の実施形態を、図２に示す。

図２（Ｂ）は、図２（Ａ）の、Ｘ−Ｘ’断面を示す。

図２に於いて、研磨パッド２００は、不織布或いはポリウレタンからなる基材１、当該
基材１の一方の主面上に接着剤２を介して配置された発泡ポリウレタンシートからなる研
磨パッド層３を具備している。

本実施例による研磨パッド２００にあっては、発泡ポリウレタンシートからなる研磨パ
ッド層３は、被研磨体に接する面に、同心円状に配設された溝６１と、当該溝６１の配設
に対応することなく配設された凹部７１を具備している。

前記溝６１は、当該研磨パッド表面に於ける研磨剤（スラリー）の流動を容易とするこ
とにより、研磨レートの均一化を図るために配設される。

一方、凹部７１は、本発明思想に従い、当該発泡ポリウレタンの形成の際に生じたとこ
ろの、不均質一な部位或いは混入した異物が存在する部位からなる欠陥部位が選択的に除
去された結果形成されたものである。

従って、当該凹部７１の配設される位置、大きさ、形状、数は一定ではない。またその
深さも、当該欠陥部位を除去することができる深さであれば良く、当該研磨パッドを貫通
するものでなくても良い。

尚、前記研磨パッド１００、研磨パッド２００に於いてそれぞれ配設された凹部５１及
び溝６１を、一枚の研磨パッドに於いて組み合わせて配設する場合（図示せず）にも、本
発明思想による欠陥部位の除去にかかる凹部７１は、当該凹部５１、溝６１に対応するこ
となく配設される。

また、当該研磨パッド１００、研磨パッド２００に於いてそれぞれ配設された凹部５１
及び溝６１の配置数、配置位置、形状、組み合わせは必要に応じて任意に選択される。

更に、前記実施例にあっては、発泡ポリウレタン用いた独立発泡型研磨パッドを掲げた
が、本発明は勿論この様な独立発泡構造を有する研磨パッドに限られるものではなく、前
記連続発泡構造を有する研磨パッド、或いは無発泡構造を有する研磨パッドに於いても適
用することができる。
〔研磨パッドの製造方法〕
本発明による研磨パッドの製造方法を以下に記す。

当該研磨パッドの製造工程（ステップ）を、図３に示す。

ここでは、前記発泡ポリウレタンをもって研磨パッドを形成する例を掲げている。

イソシアネート基含有化合物、活性水素含有化合物、及び発泡剤を混合・攪拌し、これ
を整形型に注入して、加熱・硬化させて整形体を形成し、更に当該整形体を所定の厚さに
裁断することによってシート状の発泡ポリウレタンを形成する。（ステップＳ１）
これは、先に掲げた先行例などに開示される周知技術を適用することができる。

次いで、当該発泡ポリウレタンシートに対して、所定の間隔をもって規則的に配置され
た凹部（前記凹部５１）或いは溝（前記溝６１）を配設する。（ステップＳ２）
当該凹部５１或いは溝６１は、プレスによる打ち抜き、切削加工、レーザー加工、或い
は選択的溶融処理を適用して形成することができる。

本発明にあっては、次いで、当該発泡ポリウレタンシートに対して、これを透過する放
射線を照射し、当該発泡ポリウレタンシートに於ける欠陥部位を検出する。（ステップＳ３）
放射線としては、可視光、紫外線、赤外線、レーザー光、電子線、或いはＸ線などから
適宜選択して適用することができる。（特許文献１1)
例えば、被検査発泡ポリウレタンシートの一方の面に沿って可視光源ランプを走査し、
他方の面に於いてその透過光の状況（強度）を検出することにより、欠陥部位を検出する。

即ち、当該発泡ポリウレタンシート中に於ける不均質な部位にあっては、透過光量が変
化する。

また、当該発泡ポリウレタンシート中に異物が存在すれば、その存在箇所に於いて透過
光の強度が局所的に低下する。

この様に、透過する放射線の量が変化する部位は、欠陥部位即ち不均質な部位、或いは
混入した異物が存在する部位からなる欠陥部位と見做すことができる。

本発明にあっては、この様な手段により検出された欠陥部位に対して、その除去処理を
施す。

即ち、当該欠陥部位に対し、プレスによる打ち抜き、切削加工、レーザー加工、或いは
選択的溶融処理を適用して、これを選択的に除去する。（ステップＳ４）
この結果、当該除去部には凹部（凹部７１）が形成される。

当該欠陥部位の除去処理は、前記透過する放射線により検出されたデータに基づき、自
動化することもできる。

かかる欠陥部位の選択的な除去処理により形成された凹部（凹部７１）は、当該欠陥部
位の存在箇所に対応することから、前記所定の間隔をもって規則的に配設された凹部（凹
部５１）或いは溝（溝６１）に対応するものではない。

そして、当該凹部７１の形状、面積、深さは、対象となる欠陥部位に対応して選択され
る。

即ち、その形状は円形に限られず、楕円形、多角形等となる場合もあり、またその面積
も欠陥部位の除去に必要な面積とされる。

またその深さも、当該欠陥部位を除去することができる深さであれば、当該発泡ポリウ
レタンシートを貫通するものとする必要はない。

尚、欠陥部位の存在する位置によっては、結果として、当該凹部７１は、その一部が所
定の間隔をもって規則的に配設された凹部（凹部５１）或いは溝（溝６１）に重複してし
まう場合も生ずる。

この様に、所定の凹部（凹部５１）或いは溝（溝６１）と共に、選択的に凹部（凹部７
１）が形成され、前記構成材料に於ける不均質な部位、或いは混入した異物が存在する部
位等の欠陥部位が除去された発泡ポリウレタンシートを、接着材（接着材２）を介してウ
レタンシート或いは不織布からなる基材（基材１）に貼り付け一体化する。（ステップＳ５）
この結果、形成された研磨パッドには、その表面に於ける発泡ポリウレタン部に、不均
質な部位、或いは混入した異物が存在する部位などの欠陥部位が存在しない。

従って、かかる研磨パッドをＣＭＰ工程に適用すれば、被研磨体に損傷（スクラッチ）
を生ずることなく、均一な研磨処理を行うことができる。

尚、前述の工程に於いて、発泡ポリウレタンシートに対し所定の間隔をもって規則的に
配置される凹部（凹部５１）及び／或いは溝（溝６１）の配設工程（ステップＳ２）と、欠陥部位を除去する工程（ステップＳ４）を、入れ換えても良い。

即ち、前記欠陥部位の検出処理（ステップＳ３）後、先ず当該欠陥部位の除去処理を行って凹部（凹部７１）を形成し、しかる後所定の間隔をもって規則的に配置された凹部（凹部５１）或いは溝（溝６１）を配設する工程をとっても良い。

また、本発明による欠陥部位が除去された発泡ポリウレタンシートは、前記基材（基材
１）への貼り付け・一体化を行わず、その裏面に直接接着層を配設することにより、単体
でＣＭＰ処理に適用することもできる。
〔ＣＭＰ処理方法〕
前記本発明による研磨パッドを用いてのＣＭＰ処理方法について説明する。

当該ＣＭＰ処理を実施する研磨装置の要部構成を、図４に示す。

同図に於いて、研磨装置の基台３０１には、円盤状研磨テーブル（定盤・プラテン）３
０２が、回転軸３０３を介して回転可能に支持されている。

そして、本発明にあっては、所定の間隔をもって規則的に配置された凹部（凹部５１）
及び／又は溝（溝６１）と共に、本発明思想に従って欠陥部位（研磨パッド３０４の製造
時に生じていた不均質部位、或いは混入した異物が存在する部位）を除去した結果形成さ
れた凹部（凹部７１）を具備する研磨パッド３０４が準備される。

当該研磨パッド３０４は、前記研磨テーブル３０２上に、両面接着テープを用いて貼り
付けられ、固定される。

一方、被研磨体である半導体基板３０５は、研磨ヘッド３０６に保持されて、当該研磨
ヘッド３０６を支持する回転軸３０７を介して回転可能に支持されている。

また、前記研磨パッド３０４上には、ノズル３０８を通して研磨剤（スラリー）３０９
が供給される。

更に、当該研磨パッド３０４上には、ノズル３１０を通して純水３１１が供給される。

この様な構成を備えたＣＭＰ装置に於いて、前記研磨パッド３０４上に前記ノズル３０
８から研磨剤３０９を供給すると共に、ノズル３１０から純水３１１を供給する。

そして、前記研磨テーブル３０２を回転しつつ、当該研磨テーブル３０２に保持された
研磨パッド３０４に対して、研磨ヘッド３０６に保持され回転する被研磨半導体基板３０
５の被研磨部を押し付け、当該被研磨部を研磨する。

被研磨部は、当該半導体基板３０５の主面に配設された絶縁物層、金属層或いは半導体
層が、その工程に応じて対象とされる。

また、半導体基板自体が被研磨部、即ちＣＭＰ処理の対象となる場合もある。

この様なＣＭＰ処理工程にあっては、研磨パッド３０４に於ける欠陥部位が予め除去さ
れていることから、被研磨体の被研磨部には、当該欠陥部位の存在を原因とするところの
研磨レートの不均一化、或いは損傷（スクラッチ）は生じない。

本発明による研磨パッド、及び当該研磨パッドを用いたＣＭＰ処理は、以下の実施例に
よりその有効性を確認することができた。
（実施例３）
研磨パッドとして、市販されている発泡ポリウレタン製研磨パッド（試料Ａ。厚さ２．
０３ｍｍ、直径約７６０ｍｍであって、その表面に幅０．４５ｍｍ、深さ０．７５ｍｍの
溝が３．０ｍｍのピッチで多重リング状に配設されている。）と、前記市販の研磨パッドの表面にその中心から６０ｍｍの領域に、直径３．５ｍｍφの貫通孔を２０ｍｍの間隔で円弧状に４個配設し、更に中心から３２０ｍｍの領域に直径３．５ｍｍφの貫通孔を２０ｍｍの間隔で円弧状に１０個配設した研磨パッド（試料Ｂ）を準備した。

ここで、試料Ｂに配設された貫通孔からなる凹部は、本発明思想に従って欠陥部位を除
去して形成される凹部（凹部７１）を想定して配設されたものである。

そして、これら２種の研磨パッドを用いて、半導体基板上に形成された二酸化シリコン
（ＳｉＯ２）膜に対してＣＭＰ処理を行い、その研磨レート、研磨の均一性を比較した。

研磨剤としては、市販のシリカ系スラリーを用いた。

その結果、試料Ａ（市販品）と、試料Ｂ（本発明による研磨パッド）との間に於いて、
研磨レート、均一性に殆ど差が無く、本発明による研磨パッドの如く特徴的凹部を具備し
た研磨パッドも実際のＣＭＰ処理工程に適用できるレベルを有していた。

即ち、本発明思想に従って欠陥部位が除去された研磨パッドが、実際のＣＭＰ処理工程
に適用することができることが確認された。

この様に、本発明によれば、製造過程に於いて欠陥部位が生じた研磨パッドであっても、その活用を図ることができ、半導体装置の製造工程の効率化・低コスト化を図ることができる。

以上詳述した本発明は、以下の様な特徴的構成を有する。
（付記１）被研磨体に接触する面に、所定の間隔をもって規則的に配設された複数個の凹
部、及び当該規則的に配設された複数個の凹部に一致することなく配設された凹部を具備
してなることを特徴とする研磨パッド。（１）
（付記２）付記１記載の研磨パッドに於いて、規則的に配設された複数個の凹部に対応す
ることなく配設された凹部は、欠陥部位が除去されて形成されたものであることを特徴と
する研磨パッド。
（付記３）被研磨体に接触する面に、少なくとも一つの連続する溝、及び当該溝の配設さ
れた位置に対応することなく配設された凹部を具備してなることを特徴とする研磨パッド。（２）
（付記４）付記３記載の研磨パッドに於いて、溝の配設された位置に対応することなく配
設された凹部は、欠陥部位が除去されて形成されたものであることを特徴とする研磨パッ
ド。
（付記５）付記１及び付記３記載の研磨パッドに於いて、被研磨体に接する面が、発泡構
造を有することを特徴とする研磨パッド。
（付記６）付記１及び付記３記載の研磨パッドに於いて、被研磨体に接する面が、無発泡
構造を有することを特徴とする研磨パッド。
（付記７）シート状研磨パッド部材に、当該シート状研磨パッド部材を透過する放射線を
照射し、当該研磨パッドを検査する工程、前記検査により検出された当該シート状研磨パッド部材に於ける欠陥部位を選択的に除去する工程を具備することを特徴とする研磨パッドの製造方法。（３）
（付記８）シート状研磨パッド部材に、所定の間隔をもって規則的に複数個の凹部或いは
少なくとも一つの溝を配設する工程、前記シート状研磨パッド部材に当該シート状研磨パッド部材を透過する放射線を照射して、当該研磨パッド部材を検査する工程、前記検査により検出された、当該シート状研磨パッド部材に於ける欠陥部位を選択的に除去する工程を具備することを特徴とする研磨パッドの製造方法。（４）
（付記９）付記７及び付記８記載の研磨パッドの製造方法に於いて、前記放射線は、可視
光、紫外線、赤外線、レーザー光、電子線、或いはＸ線から選択されることを特徴とする
研磨パッドの製造方法。
（付記１０）付記７及び付記８記載の研磨パッドの製造方法に於いて、前記欠陥部位は、
不均質な部位であることを特徴とする研磨パッドの製造方法。
（付記１１）付記７及び付記８記載の研磨パッドの製造方法に於いて、前記欠陥部位は、
異物を含む部位であることを特徴とする研磨パッドの製造方法。
（付記１２）被研磨体に接触する面に、所定の間隔をもって規則的に配設された複数個の
凹部或いは少なくとも一つの連続する溝、並びに前記規則的に配設された凹部或いは溝の
配設された位置に対応することなく配設された凹部を具備する研磨パッドを準備する段階、前記研磨パッドを研磨テーブル上に配設する段階、前記研磨パッド上に研磨剤を供給しつつ、当該研磨パッドに被研磨体を接触せしめる段階を具備することを特徴とする被研磨体の研磨方法。（５）
（付記１３）付記１２記載の被研磨体の研磨方法に於いて、被研磨体が、半導体基板、半
導体基板上に配設された絶縁物層、金属層、或いは半導体層の何れかであることを特徴と
する被研磨体の研磨方法。

本発明の第１実施例である研磨パッドの構成を示す平面図、及び断面図。本発明の第２実施例である研磨パッドの構成を示す平面図、及び断面図。本発明による研磨パッドの形成方法を示す工程図。本発明による研磨パッドを用いてのＣＭＰ処理方法を実施する研磨装置の要部の構成を示す図。

符号の説明

１００、２００研磨パッド
１基材
２接着層
３研磨パッド
４接着層
５離型紙
５１凹部
６１溝
７１凹部
３０１基台
３０２研磨テーブル（プラテン）
３０３回転軸
３０４研磨パッド
３０５被研磨体
３０６研磨ヘッド

Claims

シート状研磨パッド部材に、当該シート状研磨パッド部材を透過する放射線を照射し、当該研磨パッドを検査する工程、
前記検査により検出された当該シート状研磨パッド部材に於ける欠陥部位を選択的に除去する工程を具備することを特徴とする研磨パッドの製造方法。
シート状研磨パッド部材に、所定の間隔をもって規則的に複数個の凹部或いは少なくとも一つの溝を配設する工程、
前記シート状研磨パッド部材に当該シート状研磨パッド部材を透過する放射線を照射して、当該研磨パッド部材を検査する工程、
前記検査により検出された当該シート状研磨パッド部材に於ける欠陥部位を選択的に除去する工程を具備することを特徴とする研磨パッドの製造方法。
シート状研磨パッド部材に、当該シート状研磨パッド部材を透過する放射線を照射し、当該研磨パッドを検査する工程と、
前記検査により検出された当該シート状研磨パッド部材に於ける欠陥部位を選択的に除去して研磨パッドを形成する工程と、
前記研磨パッドを研磨テーブル上に配設する工程と、
前記研磨パッド上に研磨剤を供給しつつ、当該研磨パッドに被研磨体を接触せしめる工程と
を具備することを特徴とする被研磨体の研磨方法。
シート状研磨パッド部材に、所定の間隔をもって規則的に複数個の凹部或いは少なくとも一つの溝を配設する工程と、
前記シート状研磨パッド部材に当該シート状研磨パッド部材を透過する放射線を照射して、当該研磨パッド部材を検査する工程と、
前記検査により検出された当該シート状研磨パッド部材に於ける欠陥部位を選択的に除去して研磨パッドを形成する工程と、
前記研磨パッドを研磨テーブル上に配設する工程と、
前記研磨パッド上に研磨剤を供給しつつ、当該研磨パッドに被研磨体を接触せしめる工程と
を具備することを特徴とする被研磨体の研磨方法。