JP4454833B2 - 研磨パッド - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置の製造工程において、化学的機械的研磨加工(CMPプロセス)等によりウエハ等の被加工物の平坦化処理などを行うときに用いる研磨パッドに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の化学的機械研磨装置は、表面に研磨パッドが接着された研磨プレートと、研磨パッドの表面を目立てするためのドレッサーと、被加工物を保持するキャリアと、研磨スラリーを研磨パッド上に供給する研磨スラリー供給装置と、を備えている。そして、研磨パッドをドレッサーによりドレッシング(研削)した後に、研磨プレート及びキャリアを回転させると共に、該研磨スラリー供給装置のノズルから研磨パッドの中央部に研磨スラリーを供給し、被加工物を研磨パッド上に押圧することで被加工物表面の研磨を行う。
【0003】
このような化学的機械研磨方法では、研磨パッドのドレッシング時に発生する研磨パッドの削り屑や、被加工物の研磨屑等を研磨パッドの外へ排出する必要があるので、研磨作業中に、研磨スラリーを研磨パッドの中央部に絶えず供給し、これらの不純物を研磨スラリーにより研磨パッドの外部へ排出するようにしている。
【0004】
そして、ウエハを効果的に研磨できるように、パッド表面に格子状の溝を付けたものや、同心円状の複数の溝を設けた研磨パッドが提案されている(例えば、特開平11−216663号公報、特開平11−333699号公報)。
【0005】
しかし、このような研磨パッドにおいても、研磨レートを増加する点、および均一にウエハ表面を研磨する点において、さらに改良の余地があった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記の実状に着目してなされたものであって、その目的とするところは、ウエハ面内の均一な平坦化と研磨レートのウエハ面内の均一性を向上させる研磨パッドを提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明の研磨パッドは、円板状の研磨パッド本体の略全面に多数の貫通孔が設けられ、被加工物が接触する研磨パッド本体の半径方向の略中央部付近にスラリーを保持する同心円状の複数の溝が形成された溝処理領域が設けられ、溝処理領域の各溝の溝幅が0.2mm以上で且つ5mm以下に設定されており、そのことにより上記目的が達成される。
【0008】
一つの実施態様では、前記研磨パッド本体の中心部付近に設けられた中心部処理領域における貫通孔の内径が1〜3mm、該貫通孔の密度が2〜5個/cm2、該中心部処理領域の面積比率が研磨パッドに対して7〜29%である。
【0009】
一つの実施態様では、前記溝処理領域の半径方向における幅寸法が30〜150mm、研磨パッドの非溝加工面に対する溝加工面の面積比率が1%〜10%である。
【0010】
一つの実施態様では、前記研磨パッド本体の外周部付近に設けられた外周部処理領域における貫通孔の内径が0.5〜3mm、該貫通孔の密度が2〜5個/cm2、該外周部処理領域の面積比率が研磨パッドに対して50〜80%である。
【0011】
本発明の作用は次の通りである。
【0012】
本発明の研磨パッドは、研磨パッド本体の略全面に貫通孔が形成され、研磨パッド本体の半径方向の略中央部付近にさらに溝が形成されていることにより、スラリーの保持性と排出性を適正にし、かつ被加工物の研磨面が最も摺接する研磨パッド本体の半径方向中央部付近に複数本の溝を形成することで、研磨レートを増加しながら研磨の均一性を向上することができる。特に、内周部処理領域、溝処理領域および外周部処理領域の3つの処理領域によってウエハ等の被加工物の中心部分を積極的に研磨することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下本発明を詳細に説明する。
【0014】
本発明で使用する研磨パッド1は、一般に、ポリウレタン等の発泡性樹脂を発泡硬化させて得られる発泡体の表面をバフすることにより形成されている。研磨パッド1の表面には多数の空孔を有しており、ウエハ等の被加工物10と研磨パッド1との間に供給された研磨スラリーが均一分散され、均一研磨が行えるようにされている。
【0015】
図1に示すように、研磨パッド1は、円板状の研磨パッド本体2の略全面に貫通孔を形成し、さらに研磨パッド本体2の表面の半径方向の中央部付近に同心円状の溝を設けて構成され、研磨パッド本体2の表面に、中心位置から中心部処理領域3、溝処理領域4および外周部処理領域5がそれぞれ順に設けられている。
【0016】
パッドの直径が600mmである場合、中心部処理領域3の直径は160〜320mmが好ましい。溝処理領域4のパッド半径方向における幅寸法は30〜150mmが好ましい。さらに好ましくは50〜100mmである。また、外周部処理領域5のパッド半径方向における幅寸法は70〜120mmが好ましい。
【0017】
言い換えると、該中心部処理領域3の、パッド本体表面に対する面積比率は7〜29%が好ましい。溝処理領域4のパッド本体表面に対する面積比率は1〜10%が好ましい。さらに好ましくは2〜8%である。また、外周部処理領域5のパッド本体表面に対する面積比率は50〜80%が好ましい。
【0018】
(中心部処理領域)
該中心部処理領域3に形成された貫通孔6の内径は1〜3mmが好ましい。また、その貫通孔6の密度は2〜5個/cm2が好ましい。
【0019】
(溝処理領域)
図1〜図3に示すように、溝処理領域に形成された貫通孔の内径、および密度は上記中心部処理領域と同じにすることができる。
【0020】
各溝7は同心円状に形成されている。溝7の断面形状は矩形状、U字状、台形等であってもよい。溝本数N(本)は多い方がより均一性、研磨レートを向上することができる。
【0021】
溝7の深さは研磨パッド厚みの10〜80%が好ましく、溝幅は200μm〜5mmが好ましく、また溝本数は3〜100本が好ましい。
【0022】
さらに好ましくは、溝7の深さは、研磨パッドの厚みの40〜60%であり、溝幅は0.25mm〜2mmであり、溝本数は5〜30本である。
【0023】
溝幅が0.2mm未満であるとスラリーの保持性が期待できず、5mmを超えるとスラリーが溝に滞留するだけで実施アセンブリの研磨の仕事に寄与しない。
【0024】
また、研磨パッドの非溝加工面に対する溝加工面の面積比率は1%〜20%が好ましい。ここで、研磨パッドの溝加工面の面積とは、研磨パッド表面に形成されている全ての溝の底面の合計面積をいい、非溝加工面の面積とは、その溝部分を除いた研磨パッド表面の面積をいう。さらに好ましい研磨パッドの非溝加工面に対する溝加工面の面積比率は2%〜6%である。
【0025】
(外周部処理領域)
外周部処理領域5に形成された貫通孔の内径および密度は上記中心部処理領域と同じようにすることができる。
【0026】
特に、該外周部処理領域5に形成された貫通孔8の内径は0.5〜3mmが好ましい。また、その貫通孔8の密度は2〜5個/cm2が好ましい。
【0027】
中心部処理領域3および外周部処理領域5に形成された貫通孔の内径、密度を、上記の範囲内とすることにより、研磨パッド上に供給される研磨スラリーの循環を良くし、研磨屑等の不純物の排出を良くすることができる。
【0028】
本発明の研磨パッド1において、溝処理領域4を形成するには、従来より公知の方法で行うことができる。例えば、研磨パッド本体2を溝加工機の定盤表面に吸引固定し、定盤を回転させながらパッド本体2の表面に切削刃を押し付けることで同心円状の溝が形成される。
【0029】
また、中心部処理領域3および外周部処理領域5に貫通孔6,8を形成するには、打ち抜き機によって行うことができる。
【0030】
なお、本発明の研磨パッド1は、半導体製造プロセスにおいて化学的機械的研磨加工(CMPプロセス)によりウエハ等の被加工物の平坦化処理を行うときに用いる以外に、以下の用途にも用いることができる。
【0031】
シリコンウエハに対する一次研磨(特にSubaパッド、MHパッド)、二次研磨(特にSubaパッド、MHパッド)、ファイナル研磨用パッド、アルミ磁気ディスク研磨用パッド、液晶用ガラス研磨用パッド(特にMHパッド)等。
【0032】
また、被研磨物としては以下があげられる。
(1)シリコン
具体的には、ポリッシュドウエハ、拡散ウエハ、エピウエハがあり、これらの主用途としては、IC基板、ディスクリートがある。
【0033】
さらに、ダミーまたはモニターウエハ、再生ウエハ、バックサイドポリッシュドウエハがあり、これらの主用途としては、テスト用ウエハ、パターン付きICあがる。
【0034】
さらに、SiO2、ポリシリコン、金属層間膜があり、これらの主用途としては、上述したCMPがある。
【0035】
(2)化合物
ガリウム砒素(GaAs)、ガリウム燐(GaP)、インジウム燐(InP)があり、これらの主用途としては、可視LED、赤外LED、FET、ICがある。
【0036】
(3)酸化物
タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、GGGがあり、これらの主用途としてはSAWフィルターがある。
【0037】
(4)ガラス
TFT、STN、SOG、フォトマスク、オプチカルフラットガラス、TVフェイス(テレビフラウン管)があり、これらの主用途としては、カラー液晶基板、液晶基板、半導体基板、ステッパー用プリズム、カラーテレビがある。
【0038】
(5)磁気ディスク
アルミニウム、強化ガラス、カーボンがあり、これらの主用途としては、ハードディスクがある。
【0039】
(6)その他
サファイヤ、セラミックス、フェライト、ステンレス、水晶、カラーフィルタがあり、これらの主用途としては、半導体基板、電子基板、振動子、カラー液晶がある。
【0040】
【発明の効果】
本発明によれば、前面に貫通孔を有する研磨パッド本体の、被加工物が摺接する部分に溝処理領域を有するので、研磨スラリーの分散性を良くし、研磨レートを増加し、研磨の均一性を向上することができる。時に、中心部処理領域、溝処理領域および外周部処理領域によってウエハの中心部分を積極的に研磨することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の研磨パッドの一実施例の平面図である。
【図2】図1に示す研磨パッドの要部断面図である。
【図3】図2に示す研磨パッドの貫通孔部分の断面図である。
【図4】図1に示す研磨パッドの貫通孔部分の平面図である。
【符号の説明】
1 研磨パッド
2 パッド本体
3 中心部処理領域
4 溝処理領域
5 外周部処理領域
6 貫通孔
7 溝
8 貫通孔
Claims (4)
- 円板状の研磨パッド本体の略全面に多数の貫通孔が設けられ、被加工物が接触する研磨パッド本体の半径方向の略中央部付近にスラリーを保持する同心円状の複数の溝が形成された溝処理領域が設けられ、溝処理領域の各溝の溝幅が0.2mm以上で且つ5mm以下に設定されている研磨パッド。
- 前記研磨パッド本体の中心部付近に設けられた中心部処理領域における貫通孔の内径が1〜3mm、該貫通孔の密度が2〜5個/cm2、該中心部処理領域の面積比率が研磨パッドに対して7〜29%である請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記溝処理領域の半径方向における幅寸法が30〜150mm、研磨パッドの非溝加工面に対する溝加工面の面積比率が1%〜10%である請求項1または2に記載の研磨パッド。
- 前記研磨パッド本体の外周部付近に設けられた外周部処理領域における貫通孔の内径が0.5〜3mm、該貫通孔の密度が2〜5個/cm2、該外周部処理領域の面積比率が研磨パッドに対して50〜80%である請求項1〜3のいずれかに記載の研磨パッド。
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