JP4193096B2 - 研磨パッド - Google Patents
研磨パッド Download PDFInfo
- Publication number
- JP4193096B2 JP4193096B2 JP2001366003A JP2001366003A JP4193096B2 JP 4193096 B2 JP4193096 B2 JP 4193096B2 JP 2001366003 A JP2001366003 A JP 2001366003A JP 2001366003 A JP2001366003 A JP 2001366003A JP 4193096 B2 JP4193096 B2 JP 4193096B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- groove
- polishing pad
- slurry
- peripheral wall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、ウエハ等の被研磨物の平坦化処理を行うときなどに使用される研磨パッド(研磨布)に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、化学的機械的研磨加工(CMPプロセス)等によりウエハ等の被研磨物の平坦化処理を行うため研磨パッドが使用されている。
【0003】
図5及び図6に示すように、この研磨パッド21には、新たに供給されたスラリーが被研磨物(図示せず)との間の研磨作業面に浸入し易くするための複数本の同心円状で断面矩形状の溝加工が施されており、この溝22から浸入したスラリーにより研磨効率が向上するという利点がある。
【0004】
しかし、研磨効率が向上する分、削られた研磨屑などがパッドや被研磨物の表面に残り易くなり、被研磨物の加工面の傷付きの発生の原因と成り易いという問題があった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
そこでこの発明は、従来よりも研磨効率が向上し且つ被研磨物の加工面の傷付きが発生し難い研磨パッドを提供しようとするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するためこの発明では次のような技術的手段を講じている。
(1)この発明の研磨パッドは、研磨作業面に、外周壁と内周壁と底部とから構成された略同心円状の複数本の溝部を有し、前記溝部の外周側に位置する外周壁は円周方向に傾斜させて形成し、前記溝部の内周側に位置する内周壁は略垂直方向に形成すると共に、前記溝部の外周壁及び内周壁につながる底部は断面アール状に形成し、研磨回転時の遠心力により前記溝部の傾斜からスラリーが流出し易いようにしたことを特徴とする。
【0007】
この研磨パッドは、その研磨作業面の溝部の外周側は円周方向に傾斜されて研磨回転時の遠心力によりスラリーが流出し易いようにしたので、スラリーと一緒にパッド表面や被研磨物表面に付着した研磨屑が洗い出され易い。
【0008】
またスラリーが溝部からパッド表面に容易に排出され、砥粒や液が多く存在するため研磨能力が高まり研磨レートが向上する。さらにスラリーが多く排出され、パッドや被研磨物に付着した研磨屑を洗い流す効果が高くなるので被研磨物にキズが付き難くなる。また溝部の底部を断面アール状の略角状とすることで溝加工が容易となる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
(実施形態1)
この実施形態の研磨パッドは、化学的機械的研磨加工(CMPプロセス)によりウエハ等の被研磨物の平坦化処理を行うためのものである。
【0012】
図1及び図2に示すように、この研磨パッド1は、新たに供給されたスラリーが被研磨物(図示せず)との間の研磨作業面に浸入し易くするため、研磨作業面に複数本の略同心円状の溝部2を有する。よって、被研磨物との間にスラリーを円滑に供給することができ、溝部2に浸入したスラリーにより研磨効率が向上する。
【0013】
また図2に示すように、前記各溝部2の外周側3は円周方向に傾斜され、研磨回転時の遠心力により前記溝部2の傾斜からスラリーが流出し易いようにしている。尚、前記各溝部2の内周側4は垂直方向に形成している。更に前記溝部2の底部5は、略角状としている。
【0014】
次に、この実施形態の研磨パッドの使用状態を説明する。
【0015】
研磨パッド1と被研磨物との間に順次スラリーが供給されて広がり、研磨作業面には十分な量のスラリーが保持される。
【0016】
この研磨パッド1は、その研磨作業面の溝部2の外周側3は円周方向に傾斜されて研磨回転時の遠心力によりスラリーが流出し易いようにしたので、スラリーと一緒にパッド表面や被研磨物表面に付着した研磨屑が洗い出され易い。
【0017】
またスラリーが溝部2からパッド表面に容易に排出され、砥粒や液が多く存在するため研磨能力が高まり研磨レートが向上するという利点がある。さらにスラリーが多く排出され、パッドや被研磨物に付着した研磨屑を洗い流す効果が高くなるので被研磨物にキズが付き難くなるという利点がある。
【0018】
すなわち従来の研磨パッドのような断面矩形状の溝部2の形状よりスラリーの排出が容易なため、パッドや被研磨物表面に付着している研磨屑を洗い流す機能が高いので被研磨物にキズが入り難いという利点がある。特に、銅をCMP研磨する場合はキズが付き易いのでこの研磨パッド1は非常に有効である。
【0019】
また溝部2の底部5は略角状としているので、溝加工が容易である。
(実施形態2)
次に、実施形態2を実施形態1との相違点を中心に説明する。
【0020】
図3及び図4に示すように、この研磨パッド1は、新たに供給されたスラリーが被研磨物(図示せず)との間の研磨作業面に浸入し易くするため、研磨作業面に複数本の略同心円状の溝部2を有する。
【0021】
また前記各溝部2の外周側3は円周方向に傾斜され、研磨回転時の遠心力により前記溝部2の傾斜からスラリーが流出し易いようにしている。尚、前記各溝部2の内周側4は垂直方向に形成している。
【0022】
そして前記溝部2の底面6を、略平面状としている。したがって、溝部2の幅をそれ程大きくしなくても十分な量のスラリーをパッド表面に排出することができるという利点がある。
【0023】
この研磨パッド1は、半導体製造において化学的機械的研磨加工(CMPプロセス)によりウエハ等の被加工物の平坦化処理を行うときに以外に、シリコンウエハに対する一次研磨、二次研磨、ファイナル研磨用パッド、アルミ磁気ディスク研磨用パッド、液晶研磨用パッド等の場合にも用いることができる。被研磨物としては以下のものが例示できる。
(1)シリコンとして、具体的にはポリッシュドウエハ、拡散ウエハ、エピウエハがあり、これらの主用途としてはIC基板、ディスクリートがある。またダミー又はモニターウエハ、再生ウエハ、バックサイドポリッシュドウエハがあり、これらの主用途としてはテスト用ウエハ、パターン付きICがある。さらに、SiO2 、ポリシリコン、金属層間膜があり、これらの主用途としては上述したCMPがある。
(2)化合物として、ガリウム砒素(GaAs)、ガリウム燐(GaP)、インジウム燐(InP)があり、これらの主用途としては可視LED、赤外LED、FET、ICがある。
(3)酸化物として、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、GGGがあり、これらの主用途としてはSAWフィルターがある。
(4)ガラスとして、TFT、STN、SOG、フォトマスク、オプチカルフラットガラス、TVフェイス(テレビブラウン管)があり、これらの主用途としてはカラー液晶基板、液晶基板、半導体基板、ステッパー用プリズム、カラーテレビがある。
(5)磁気ディスクとして、アルミニウム、強化ガラス、カーボンがあり、これらの主用途としてはハードディスクがある。
(6)その他に、サファイヤ、セラミックス、フェライト、ステンレス、水晶、カラーフィルタがあり、これらの主用途としては半導体基板、電子基板、振動子、カラー液晶がある。
【0024】
【実施例】
次に、この発明の構成をより具体的に説明する。
(実施例1)
図1及び図2に示すように、厚さ1.27mmの研磨パッド1に、溝深さは0.76mm、溝幅は0.51mm、溝ピッチは3.05mmの溝加工を研磨パッド1の中心から同心円状に多数本(約70本程度)施した。また、溝部2の底部5の角度Rは45度とした。
(実施例2)
図3及び図4に示すように、厚さ1.27mmの研磨パッド1に、溝深さは0.76mm、溝幅は0.7mm、溝ピッチは3.05mmの溝加工を研磨パッド1の中心から同心円状に多数本(約70本程度)施した。
【0025】
また前記溝部2の底面6を略平面状にカットしているが、カットしなかった場合の溝部2の底の角度Rは45度とした。
(比較例)
図5及び図6に示すように、厚さ1.27mmの研磨パッド1に、溝深さは0.76mm、溝幅は0.51mm、溝ピッチは3.05mmの断面矩形状の溝加工を研磨パッド1の中心から同心円状に多数本(約70本程度)施した。
【0026】
そして前記各研磨パッドを用いて研磨時のスラリー流量を100ml/min、定盤回転数を60rpmとし、シリコンのウエハ表面の熱酸化膜を加工圧が7.0psi(per square inch)、定盤回転速度が80rpm、被研磨物回転速度が40rpm、研磨時間が60secの条件で研磨した。
【0027】
その結果、研磨速度については実施例1、2の研磨パッドの研磨レートは比較例の研磨パッドの約1.5倍であった。
【0028】
また、仕上がり加工面の平坦性については、実施例1、2の加工面の傷付きの度合いは比較例の研磨パッドの約40%であった。
【0029】
【発明の効果】
この発明は上述のような構成であり、次の効果を有する。
【0030】
スラリーと一緒にパッド表面や被研磨物表面に付着した研磨屑が洗い出され易いので、従来よりも研磨効率が向上し且つ被研磨物の加工面の傷付きが発生し難い研磨パッドを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の研磨パッドの実施形態1を説明する平面図。
【図2】図1の研磨パッドの溝部を説明する要部拡大断面斜視図。
【図3】この発明の研磨パッドの実施形態2を説明する平面図。
【図4】図3の研磨パッドの溝部を説明する要部拡大断面斜視図。
【図5】従来の研磨パッドを説明する平面図。
【図6】図5の研磨パッドの溝部を説明する要部拡大断面斜視図。
Claims (1)
- 研磨作業面に、外周壁と内周壁と底部とから構成された略同心円状の複数本の溝部を有し、前記溝部の外周側に位置する外周壁は円周方向に傾斜させて形成し、前記溝部の内周側に位置する内周壁は略垂直方向に形成すると共に、前記溝部の外周壁及び内周壁につながる底部は断面アール状に形成し、研磨回転時の遠心力により前記溝部の傾斜からスラリーが流出し易いようにしたことを特徴とする研磨用パッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001366003A JP4193096B2 (ja) | 2001-11-30 | 2001-11-30 | 研磨パッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001366003A JP4193096B2 (ja) | 2001-11-30 | 2001-11-30 | 研磨パッド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003165049A JP2003165049A (ja) | 2003-06-10 |
JP4193096B2 true JP4193096B2 (ja) | 2008-12-10 |
Family
ID=19175962
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001366003A Expired - Lifetime JP4193096B2 (ja) | 2001-11-30 | 2001-11-30 | 研磨パッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4193096B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7121938B2 (en) * | 2002-04-03 | 2006-10-17 | Toho Engineering Kabushiki Kaisha | Polishing pad and method of fabricating semiconductor substrate using the pad |
EP1666202A4 (en) * | 2003-09-26 | 2008-09-03 | Shinetsu Handotai Kk | POLISHING TAG, POLISHING TREATMENT PROCESS AND THIS USING SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD |
TWI449597B (zh) | 2008-07-09 | 2014-08-21 | Iv Technologies Co Ltd | 研磨墊及其製造方法 |
JP2010045306A (ja) * | 2008-08-18 | 2010-02-25 | Kuraray Co Ltd | 研磨パッド |
-
2001
- 2001-11-30 JP JP2001366003A patent/JP4193096B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003165049A (ja) | 2003-06-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101947614B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 제조 방법 | |
KR100206094B1 (ko) | 반도체 유리면웨이퍼의 제조방법 | |
US5821166A (en) | Method of manufacturing semiconductor wafers | |
EP0874390B1 (en) | Polishing method | |
KR100308138B1 (ko) | 화학기계적연마장치및그화학기계적연마장치용연마포 | |
CN1330797A (zh) | 处理半导体晶片内置后表面损伤的方法 | |
US20020016072A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor wafer | |
JP4193096B2 (ja) | 研磨パッド | |
JP4855571B2 (ja) | 研磨パッド及びその研磨パッドを用いた被加工物の研磨方法 | |
JP4454833B2 (ja) | 研磨パッド | |
JPH09270396A (ja) | 半導体ウェハの製法 | |
KR101334012B1 (ko) | 마스크 블랭크용 기판의 제조방법, 마스크 블랭크의제조방법 및 마스크의 제조방법 | |
JP3533046B2 (ja) | 半導体基板用研磨布のドレッサー | |
JP2000340571A (ja) | 高平坦度ウェーハの製造方法 | |
JP3618220B2 (ja) | 薄板の研磨方法および薄板保持プレート | |
JP2000233354A (ja) | ウェーハノッチ部ポリッシング加工装置 | |
JP2010040549A (ja) | 半導体ウェーハ及びその製造方法 | |
JP2007013012A (ja) | 太陽電池用シリコンウェーハの端面の面取り加工方法 | |
JP2002025950A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JPH04129656A (ja) | 半導体ウエハの面取加工装置 | |
CN110450046B (zh) | 研磨盘和化学机械研磨装置 | |
KR100883511B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 연마 방법 및 장치 | |
JP2002283201A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
KR20210152227A (ko) | 웨이퍼의 에지 연마 장치 | |
JP3521051B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040714 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060705 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060710 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060907 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070209 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070407 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070410 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20070416 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20070615 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20080711 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080714 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080910 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4193096 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111003 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121003 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131003 Year of fee payment: 5 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |