JP2003165049A - 研磨パッド - Google Patents

研磨パッド

Info

Publication number
JP2003165049A
JP2003165049A JP2001366003A JP2001366003A JP2003165049A JP 2003165049 A JP2003165049 A JP 2003165049A JP 2001366003 A JP2001366003 A JP 2001366003A JP 2001366003 A JP2001366003 A JP 2001366003A JP 2003165049 A JP2003165049 A JP 2003165049A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
groove
slurry
polishing pad
pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001366003A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4193096B2 (ja
Inventor
Hirohisa Hiraki
博久 平木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitta DuPont Inc
Original Assignee
Rodel Nitta Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rodel Nitta Inc filed Critical Rodel Nitta Inc
Priority to JP2001366003A priority Critical patent/JP4193096B2/ja
Publication of JP2003165049A publication Critical patent/JP2003165049A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4193096B2 publication Critical patent/JP4193096B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来よりも研磨効率が向上し且つ被研磨物の
加工面の傷付きが発生し難い研磨パッドを提供しようと
するもの。 【解決手段】 研磨作業面に略同心円状の溝部2を有
し、前記溝部2の外周側3は円周方向に傾斜され、研磨
回転時の遠心力により前記溝部2の傾斜からスラリーが
流出し易いようにした。この研磨パッドは、その研磨作
業面の溝部2の外周側3は円周方向に傾斜されて研磨回
転時の遠心力によりスラリーが流出し易いようにしたの
で、スラリーと一緒にパッド表面や被研磨物表面に付着
した研磨屑が洗い出され易い。またスラリーが溝部2か
らパッド表面に容易に排出され、砥粒や液が多く存在す
るため研磨能力が高まり研磨レートが向上する。さらに
スラリーが多く排出され、パッドや被研磨物に付着した
研磨屑を洗い流す効果が高くなるので被研磨物にキズが
付き難くなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、ウエハ等の被研
磨物の平坦化処理を行うときなどに使用される研磨パッ
ド(研磨布)に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、化学的機械的研磨加工(CM
Pプロセス)等によりウエハ等の被研磨物の平坦化処理
を行うため研磨パッドが使用されている。
【0003】図5及び図6に示すように、この研磨パッ
ド21には、新たに供給されたスラリーが被研磨物(図示
せず)との間の研磨作業面に浸入し易くするための複数
本の同心円状で断面矩形状の溝加工が施されており、こ
の溝22から浸入したスラリーにより研磨効率が向上する
という利点がある。
【0004】しかし、研磨効率が向上する分、削られた
研磨屑などがパッドや被研磨物の表面に残り易くなり、
被研磨物の加工面の傷付きの発生の原因と成り易いとい
う問題があった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】そこでこの発明は、従
来よりも研磨効率が向上し且つ被研磨物の加工面の傷付
きが発生し難い研磨パッドを提供しようとするものであ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
この発明では次のような技術的手段を講じている。 この発明の研磨パッドは、研磨作業面に略同心円状
の溝部を有し、前記溝部の外周側は円周方向に傾斜さ
れ、研磨回転時の遠心力により前記溝部の傾斜からスラ
リーが流出し易いようにしたことを特徴とする。
【0007】この研磨パッドは、その研磨作業面の溝部
の外周側は円周方向に傾斜されて研磨回転時の遠心力に
よりスラリーが流出し易いようにしたので、スラリーと
一緒にパッド表面や被研磨物表面に付着した研磨屑が洗
い出され易い。
【0008】またスラリーが溝部からパッド表面に容易
に排出され、砥粒や液が多く存在するため研磨能力が高
まり研磨レートが向上する。さらにスラリーが多く排出
され、パッドや被研磨物に付着した研磨屑を洗い流す効
果が高くなるので被研磨物にキズが付き難くなる。 前記溝部の底部を、略角状としたこととしてもよ
い。
【0009】このように構成すると、溝加工が容易であ
るという利点がある。 前記溝部の底面を、略平面状としたこととしてもよ
い。
【0010】このように構成すると、十分な量のスラリ
ーを常にパッド表面に排出することができるという利点
がある。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面を参照して説明する。 (実施形態1)この実施形態の研磨パッドは、化学的機
械的研磨加工(CMPプロセス)によりウエハ等の被研
磨物の平坦化処理を行うためのものである。
【0012】図1及び図2に示すように、この研磨パッ
ド1は、新たに供給されたスラリーが被研磨物(図示せ
ず)との間の研磨作業面に浸入し易くするため、研磨作
業面に複数本の略同心円状の溝部2を有する。よって、
被研磨物との間にスラリーを円滑に供給することがで
き、溝部2に浸入したスラリーにより研磨効率が向上す
る。
【0013】また図2に示すように、前記各溝部2の外
周側3は円周方向に傾斜され、研磨回転時の遠心力によ
り前記溝部2の傾斜からスラリーが流出し易いようにし
ている。尚、前記各溝部2の内周側4は垂直方向に形成
している。更に前記溝部2の底部5は、略角状としてい
る。
【0014】次に、この実施形態の研磨パッドの使用状
態を説明する。
【0015】研磨パッド1と被研磨物との間に順次スラ
リーが供給されて広がり、研磨作業面には十分な量のス
ラリーが保持される。
【0016】この研磨パッド1は、その研磨作業面の溝
部2の外周側3は円周方向に傾斜されて研磨回転時の遠
心力によりスラリーが流出し易いようにしたので、スラ
リーと一緒にパッド表面や被研磨物表面に付着した研磨
屑が洗い出され易い。
【0017】またスラリーが溝部2からパッド表面に容
易に排出され、砥粒や液が多く存在するため研磨能力が
高まり研磨レートが向上するという利点がある。さらに
スラリーが多く排出され、パッドや被研磨物に付着した
研磨屑を洗い流す効果が高くなるので被研磨物にキズが
付き難くなるという利点がある。
【0018】すなわち従来の研磨パッドのような断面矩
形状の溝部2の形状よりスラリーの排出が容易なため、
パッドや被研磨物表面に付着している研磨屑を洗い流す
機能が高いので被研磨物にキズが入り難いという利点が
ある。特に、銅をCMP研磨する場合はキズが付き易い
のでこの研磨パッド1は非常に有効である。
【0019】また溝部2の底部5は略角状としているの
で、溝加工が容易である。 (実施形態2)次に、実施形態2を実施形態1との相違
点を中心に説明する。
【0020】図3及び図4に示すように、この研磨パッ
ド1は、新たに供給されたスラリーが被研磨物(図示せ
ず)との間の研磨作業面に浸入し易くするため、研磨作
業面に複数本の略同心円状の溝部2を有する。
【0021】また前記各溝部2の外周側3は円周方向に
傾斜され、研磨回転時の遠心力により前記溝部2の傾斜
からスラリーが流出し易いようにしている。尚、前記各
溝部2の内周側4は垂直方向に形成している。
【0022】そして前記溝部2の底面6を、略平面状と
している。したがって、溝部2の幅をそれ程大きくしな
くても十分な量のスラリーをパッド表面に排出すること
ができるという利点がある。
【0023】この研磨パッド1は、半導体製造において
化学的機械的研磨加工(CMPプロセス)によりウエハ
等の被加工物の平坦化処理を行うときに以外に、シリコ
ンウエハに対する一次研磨、二次研磨、ファイナル研磨
用パッド、アルミ磁気ディスク研磨用パッド、液晶研磨
用パッド等の場合にも用いることができる。被研磨物と
しては以下のものが例示できる。 (1)シリコンとして、具体的にはポリッシュドウエ
ハ、拡散ウエハ、エピウエハがあり、これらの主用途と
してはIC基板、ディスクリートがある。またダミー又
はモニターウエハ、再生ウエハ、バックサイドポリッシ
ュドウエハがあり、これらの主用途としてはテスト用ウ
エハ、パターン付きICがある。さらに、SiO2 、ポ
リシリコン、金属層間膜があり、これらの主用途として
は上述したCMPがある。 (2)化合物として、ガリウム砒素(GaAs)、ガリ
ウム燐(GaP)、インジウム燐(InP)があり、こ
れらの主用途としては可視LED、赤外LED、FE
T、ICがある。 (3)酸化物として、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リ
チウム、GGGがあり、これらの主用途としてはSAW
フィルターがある。 (4)ガラスとして、TFT、STN、SOG、フォト
マスク、オプチカルフラットガラス、TVフェイス(テ
レビブラウン管)があり、これらの主用途としてはカラ
ー液晶基板、液晶基板、半導体基板、ステッパー用プリ
ズム、カラーテレビがある。 (5)磁気ディスクとして、アルミニウム、強化ガラ
ス、カーボンがあり、これらの主用途としてはハードデ
ィスクがある。 (6)その他に、サファイヤ、セラミックス、フェライ
ト、ステンレス、水晶、カラーフィルタがあり、これら
の主用途としては半導体基板、電子基板、振動子、カラ
ー液晶がある。
【0024】
【実施例】次に、この発明の構成をより具体的に説明す
る。 (実施例1)図1及び図2に示すように、厚さ1.27
mmの研磨パッド1に、溝深さは0.76mm、溝幅は
0.51mm、溝ピッチは3.05mmの溝加工を研磨
パッド1の中心から同心円状に多数本(約70本程度)
施した。また、溝部2の底部5の角度Rは45度とし
た。 (実施例2)図3及び図4に示すように、厚さ1.27
mmの研磨パッド1に、溝深さは0.76mm、溝幅は
0.7mm、溝ピッチは3.05mmの溝加工を研磨パ
ッド1の中心から同心円状に多数本(約70本程度)施
した。
【0025】また前記溝部2の底面6を略平面状にカッ
トしているが、カットしなかった場合の溝部2の底の角
度Rは45度とした。 (比較例)図5及び図6に示すように、厚さ1.27m
mの研磨パッド1に、溝深さは0.76mm、溝幅は
0.51mm、溝ピッチは3.05mmの断面矩形状の
溝加工を研磨パッド1の中心から同心円状に多数本(約
70本程度)施した。
【0026】そして前記各研磨パッドを用いて研磨時の
スラリー流量を100ml/min、定盤回転数を60
rpmとし、シリコンのウエハ表面の熱酸化膜を加工圧
が7.0psi(per square inch)、
定盤回転速度が80rpm、被研磨物回転速度が40r
pm、研磨時間が60secの条件で研磨した。
【0027】その結果、研磨速度については実施例1、
2の研磨パッドの研磨レートは比較例の研磨パッドの約
1.5倍であった。
【0028】また、仕上がり加工面の平坦性について
は、実施例1、2の加工面の傷付きの度合いは比較例の
研磨パッドの約40%であった。
【0029】
【発明の効果】この発明は上述のような構成であり、次
の効果を有する。
【0030】スラリーと一緒にパッド表面や被研磨物表
面に付着した研磨屑が洗い出され易いので、従来よりも
研磨効率が向上し且つ被研磨物の加工面の傷付きが発生
し難い研磨パッドを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の研磨パッドの実施形態1を説明する
平面図。
【図2】図1の研磨パッドの溝部を説明する要部拡大断
面斜視図。
【図3】この発明の研磨パッドの実施形態2を説明する
平面図。
【図4】図1の研磨パッドの溝部を説明する要部拡大断
面斜視図。
【図5】従来の研磨パッドを説明する平面図。
【図6】図5の研磨パッドの溝部を説明する要部拡大断
面斜視図。
【符号の説明】 2 溝部 3 外周側 5 底部 6 底面
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成13年12月21日(2001.12.
21)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の研磨パッドの実施形態1を説明する
平面図。
【図2】図1の研磨パッドの溝部を説明する要部拡大断
面斜視図。
【図3】この発明の研磨パッドの実施形態2を説明する
平面図。
【図4】図の研磨パッドの溝部を説明する要部拡大断
面斜視図。
【図5】従来の研磨パッドを説明する平面図。
【図6】図5の研磨パッドの溝部を説明する要部拡大断
面斜視図。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 研磨作業面に略同心円状の溝部を有し、
    前記溝部の外周側は円周方向に傾斜され、研磨回転時の
    遠心力により前記溝部の傾斜からスラリーが流出し易い
    ようにしたことを特徴とする研磨パッド。
  2. 【請求項2】 前記溝部の底部を、略角状とした請求項
    1記載の研磨パッド。
  3. 【請求項3】 前記溝部の底面を、略平面状とした請求
    項1記載の研磨パッド。
JP2001366003A 2001-11-30 2001-11-30 研磨パッド Expired - Lifetime JP4193096B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001366003A JP4193096B2 (ja) 2001-11-30 2001-11-30 研磨パッド

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001366003A JP4193096B2 (ja) 2001-11-30 2001-11-30 研磨パッド

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003165049A true JP2003165049A (ja) 2003-06-10
JP4193096B2 JP4193096B2 (ja) 2008-12-10

Family

ID=19175962

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001366003A Expired - Lifetime JP4193096B2 (ja) 2001-11-30 2001-11-30 研磨パッド

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4193096B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003083918A1 (fr) * 2002-04-03 2003-10-09 Toho Engineering Kabushiki Kaisha Tampon a polir et procede de fabrication de substrat a semi-conducteurs utilisant ce tampon a polir
US7591713B2 (en) 2003-09-26 2009-09-22 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Polishing pad, method for processing polishing pad, and method for producing substrate using it
JP2010045306A (ja) * 2008-08-18 2010-02-25 Kuraray Co Ltd 研磨パッド
US8303378B2 (en) 2008-07-09 2012-11-06 Iv Technologies Co., Ltd Polishing pad, polishing method and method of forming polishing pad

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003083918A1 (fr) * 2002-04-03 2003-10-09 Toho Engineering Kabushiki Kaisha Tampon a polir et procede de fabrication de substrat a semi-conducteurs utilisant ce tampon a polir
US7591713B2 (en) 2003-09-26 2009-09-22 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Polishing pad, method for processing polishing pad, and method for producing substrate using it
US7677957B2 (en) 2003-09-26 2010-03-16 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Polishing apparatus, method for providing and mounting a polishing pad in a polishing apparatus, and method for producing a substrate using the polishing apparatus
KR101128932B1 (ko) * 2003-09-26 2012-03-27 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 연마포와 연마포의 가공방법 및 그것을 이용한 기판의제조방법
US8303378B2 (en) 2008-07-09 2012-11-06 Iv Technologies Co., Ltd Polishing pad, polishing method and method of forming polishing pad
US8496512B2 (en) 2008-07-09 2013-07-30 Iv Technologies Co., Ltd. Polishing pad, polishing method and method of forming polishing pad
USRE46648E1 (en) * 2008-07-09 2017-12-26 Iv Technologies Co., Ltd. Polishing pad, polishing method and method of forming polishing pad
JP2010045306A (ja) * 2008-08-18 2010-02-25 Kuraray Co Ltd 研磨パッド

Also Published As

Publication number Publication date
JP4193096B2 (ja) 2008-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5821166A (en) Method of manufacturing semiconductor wafers
KR101947614B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 제조 방법
JP3169120B2 (ja) 半導体鏡面ウェーハの製造方法
JP3925580B2 (ja) ウェーハ加工装置および加工方法
KR20000017512A (ko) 웨이퍼 기판 재생방법 및 웨이퍼 기판 재생을 위한 연마액 조성물
CN1330797A (zh) 处理半导体晶片内置后表面损伤的方法
KR20070109839A (ko) 프로파일형 에지를 구비한 반도체 웨이퍼 제조 방법
JP2003165049A (ja) 研磨パッド
JPH0745485A (ja) 接着半導体基板の製造方法
JP4855571B2 (ja) 研磨パッド及びその研磨パッドを用いた被加工物の研磨方法
KR20180037113A (ko) 웨이퍼의 가공 방법 및 연마 장치
JP4454833B2 (ja) 研磨パッド
JP2018152456A (ja) ウェーハの製造方法
KR101334012B1 (ko) 마스크 블랭크용 기판의 제조방법, 마스크 블랭크의제조방법 및 마스크의 제조방법
JP2006120865A (ja) 半導体基板の製造方法及び半導体基板
JP3533046B2 (ja) 半導体基板用研磨布のドレッサー
JP2004006997A (ja) シリコンウエハの製造方法
JP2010040549A (ja) 半導体ウェーハ及びその製造方法
JP2007013012A (ja) 太陽電池用シリコンウェーハの端面の面取り加工方法
JP2000340571A (ja) 高平坦度ウェーハの製造方法
JP4154683B2 (ja) 高平坦度裏面梨地ウェーハの製造方法および該製造方法に用いられる表面研削裏面ラップ装置
JP2000233354A (ja) ウェーハノッチ部ポリッシング加工装置
KR100774824B1 (ko) Cmp공정에서의 스크래치 방지용 폴리싱 패드
CN117798811A (zh) 一种化学机械研磨方法
JP2006068853A (ja) 研磨パッド

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040714

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060705

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060710

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060907

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070209

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070407

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070410

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20070416

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20070615

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20080711

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080714

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080910

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4193096

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111003

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121003

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131003

Year of fee payment: 5

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

EXPY Cancellation because of completion of term