JP2003165049A - 研磨パッド - Google Patents
研磨パッドInfo
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- JP2003165049A JP2003165049A JP2001366003A JP2001366003A JP2003165049A JP 2003165049 A JP2003165049 A JP 2003165049A JP 2001366003 A JP2001366003 A JP 2001366003A JP 2001366003 A JP2001366003 A JP 2001366003A JP 2003165049 A JP2003165049 A JP 2003165049A
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Abstract
加工面の傷付きが発生し難い研磨パッドを提供しようと
するもの。 【解決手段】 研磨作業面に略同心円状の溝部2を有
し、前記溝部2の外周側3は円周方向に傾斜され、研磨
回転時の遠心力により前記溝部2の傾斜からスラリーが
流出し易いようにした。この研磨パッドは、その研磨作
業面の溝部2の外周側3は円周方向に傾斜されて研磨回
転時の遠心力によりスラリーが流出し易いようにしたの
で、スラリーと一緒にパッド表面や被研磨物表面に付着
した研磨屑が洗い出され易い。またスラリーが溝部2か
らパッド表面に容易に排出され、砥粒や液が多く存在す
るため研磨能力が高まり研磨レートが向上する。さらに
スラリーが多く排出され、パッドや被研磨物に付着した
研磨屑を洗い流す効果が高くなるので被研磨物にキズが
付き難くなる。
Description
磨物の平坦化処理を行うときなどに使用される研磨パッ
ド(研磨布)に関するものである。
Pプロセス)等によりウエハ等の被研磨物の平坦化処理
を行うため研磨パッドが使用されている。
ド21には、新たに供給されたスラリーが被研磨物(図示
せず)との間の研磨作業面に浸入し易くするための複数
本の同心円状で断面矩形状の溝加工が施されており、こ
の溝22から浸入したスラリーにより研磨効率が向上する
という利点がある。
研磨屑などがパッドや被研磨物の表面に残り易くなり、
被研磨物の加工面の傷付きの発生の原因と成り易いとい
う問題があった。
来よりも研磨効率が向上し且つ被研磨物の加工面の傷付
きが発生し難い研磨パッドを提供しようとするものであ
る。
この発明では次のような技術的手段を講じている。 この発明の研磨パッドは、研磨作業面に略同心円状
の溝部を有し、前記溝部の外周側は円周方向に傾斜さ
れ、研磨回転時の遠心力により前記溝部の傾斜からスラ
リーが流出し易いようにしたことを特徴とする。
の外周側は円周方向に傾斜されて研磨回転時の遠心力に
よりスラリーが流出し易いようにしたので、スラリーと
一緒にパッド表面や被研磨物表面に付着した研磨屑が洗
い出され易い。
に排出され、砥粒や液が多く存在するため研磨能力が高
まり研磨レートが向上する。さらにスラリーが多く排出
され、パッドや被研磨物に付着した研磨屑を洗い流す効
果が高くなるので被研磨物にキズが付き難くなる。 前記溝部の底部を、略角状としたこととしてもよ
い。
るという利点がある。 前記溝部の底面を、略平面状としたこととしてもよ
い。
ーを常にパッド表面に排出することができるという利点
がある。
面を参照して説明する。 (実施形態1)この実施形態の研磨パッドは、化学的機
械的研磨加工(CMPプロセス)によりウエハ等の被研
磨物の平坦化処理を行うためのものである。
ド1は、新たに供給されたスラリーが被研磨物(図示せ
ず)との間の研磨作業面に浸入し易くするため、研磨作
業面に複数本の略同心円状の溝部2を有する。よって、
被研磨物との間にスラリーを円滑に供給することがで
き、溝部2に浸入したスラリーにより研磨効率が向上す
る。
周側3は円周方向に傾斜され、研磨回転時の遠心力によ
り前記溝部2の傾斜からスラリーが流出し易いようにし
ている。尚、前記各溝部2の内周側4は垂直方向に形成
している。更に前記溝部2の底部5は、略角状としてい
る。
態を説明する。
リーが供給されて広がり、研磨作業面には十分な量のス
ラリーが保持される。
部2の外周側3は円周方向に傾斜されて研磨回転時の遠
心力によりスラリーが流出し易いようにしたので、スラ
リーと一緒にパッド表面や被研磨物表面に付着した研磨
屑が洗い出され易い。
易に排出され、砥粒や液が多く存在するため研磨能力が
高まり研磨レートが向上するという利点がある。さらに
スラリーが多く排出され、パッドや被研磨物に付着した
研磨屑を洗い流す効果が高くなるので被研磨物にキズが
付き難くなるという利点がある。
形状の溝部2の形状よりスラリーの排出が容易なため、
パッドや被研磨物表面に付着している研磨屑を洗い流す
機能が高いので被研磨物にキズが入り難いという利点が
ある。特に、銅をCMP研磨する場合はキズが付き易い
のでこの研磨パッド1は非常に有効である。
で、溝加工が容易である。 (実施形態2)次に、実施形態2を実施形態1との相違
点を中心に説明する。
ド1は、新たに供給されたスラリーが被研磨物(図示せ
ず)との間の研磨作業面に浸入し易くするため、研磨作
業面に複数本の略同心円状の溝部2を有する。
傾斜され、研磨回転時の遠心力により前記溝部2の傾斜
からスラリーが流出し易いようにしている。尚、前記各
溝部2の内周側4は垂直方向に形成している。
している。したがって、溝部2の幅をそれ程大きくしな
くても十分な量のスラリーをパッド表面に排出すること
ができるという利点がある。
化学的機械的研磨加工(CMPプロセス)によりウエハ
等の被加工物の平坦化処理を行うときに以外に、シリコ
ンウエハに対する一次研磨、二次研磨、ファイナル研磨
用パッド、アルミ磁気ディスク研磨用パッド、液晶研磨
用パッド等の場合にも用いることができる。被研磨物と
しては以下のものが例示できる。 (1)シリコンとして、具体的にはポリッシュドウエ
ハ、拡散ウエハ、エピウエハがあり、これらの主用途と
してはIC基板、ディスクリートがある。またダミー又
はモニターウエハ、再生ウエハ、バックサイドポリッシ
ュドウエハがあり、これらの主用途としてはテスト用ウ
エハ、パターン付きICがある。さらに、SiO2 、ポ
リシリコン、金属層間膜があり、これらの主用途として
は上述したCMPがある。 (2)化合物として、ガリウム砒素(GaAs)、ガリ
ウム燐(GaP)、インジウム燐(InP)があり、こ
れらの主用途としては可視LED、赤外LED、FE
T、ICがある。 (3)酸化物として、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リ
チウム、GGGがあり、これらの主用途としてはSAW
フィルターがある。 (4)ガラスとして、TFT、STN、SOG、フォト
マスク、オプチカルフラットガラス、TVフェイス(テ
レビブラウン管)があり、これらの主用途としてはカラ
ー液晶基板、液晶基板、半導体基板、ステッパー用プリ
ズム、カラーテレビがある。 (5)磁気ディスクとして、アルミニウム、強化ガラ
ス、カーボンがあり、これらの主用途としてはハードデ
ィスクがある。 (6)その他に、サファイヤ、セラミックス、フェライ
ト、ステンレス、水晶、カラーフィルタがあり、これら
の主用途としては半導体基板、電子基板、振動子、カラ
ー液晶がある。
る。 (実施例1)図1及び図2に示すように、厚さ1.27
mmの研磨パッド1に、溝深さは0.76mm、溝幅は
0.51mm、溝ピッチは3.05mmの溝加工を研磨
パッド1の中心から同心円状に多数本(約70本程度)
施した。また、溝部2の底部5の角度Rは45度とし
た。 (実施例2)図3及び図4に示すように、厚さ1.27
mmの研磨パッド1に、溝深さは0.76mm、溝幅は
0.7mm、溝ピッチは3.05mmの溝加工を研磨パ
ッド1の中心から同心円状に多数本(約70本程度)施
した。
トしているが、カットしなかった場合の溝部2の底の角
度Rは45度とした。 (比較例)図5及び図6に示すように、厚さ1.27m
mの研磨パッド1に、溝深さは0.76mm、溝幅は
0.51mm、溝ピッチは3.05mmの断面矩形状の
溝加工を研磨パッド1の中心から同心円状に多数本(約
70本程度)施した。
スラリー流量を100ml/min、定盤回転数を60
rpmとし、シリコンのウエハ表面の熱酸化膜を加工圧
が7.0psi(per square inch)、
定盤回転速度が80rpm、被研磨物回転速度が40r
pm、研磨時間が60secの条件で研磨した。
2の研磨パッドの研磨レートは比較例の研磨パッドの約
1.5倍であった。
は、実施例1、2の加工面の傷付きの度合いは比較例の
研磨パッドの約40%であった。
の効果を有する。
面に付着した研磨屑が洗い出され易いので、従来よりも
研磨効率が向上し且つ被研磨物の加工面の傷付きが発生
し難い研磨パッドを提供することができる。
平面図。
面斜視図。
平面図。
面斜視図。
面斜視図。
21)
平面図。
面斜視図。
平面図。
面斜視図。
面斜視図。
Claims (3)
- 【請求項1】 研磨作業面に略同心円状の溝部を有し、
前記溝部の外周側は円周方向に傾斜され、研磨回転時の
遠心力により前記溝部の傾斜からスラリーが流出し易い
ようにしたことを特徴とする研磨パッド。 - 【請求項2】 前記溝部の底部を、略角状とした請求項
1記載の研磨パッド。 - 【請求項3】 前記溝部の底面を、略平面状とした請求
項1記載の研磨パッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001366003A JP4193096B2 (ja) | 2001-11-30 | 2001-11-30 | 研磨パッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001366003A JP4193096B2 (ja) | 2001-11-30 | 2001-11-30 | 研磨パッド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003165049A true JP2003165049A (ja) | 2003-06-10 |
JP4193096B2 JP4193096B2 (ja) | 2008-12-10 |
Family
ID=19175962
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001366003A Expired - Lifetime JP4193096B2 (ja) | 2001-11-30 | 2001-11-30 | 研磨パッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4193096B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003083918A1 (fr) * | 2002-04-03 | 2003-10-09 | Toho Engineering Kabushiki Kaisha | Tampon a polir et procede de fabrication de substrat a semi-conducteurs utilisant ce tampon a polir |
US7591713B2 (en) | 2003-09-26 | 2009-09-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Polishing pad, method for processing polishing pad, and method for producing substrate using it |
JP2010045306A (ja) * | 2008-08-18 | 2010-02-25 | Kuraray Co Ltd | 研磨パッド |
US8303378B2 (en) | 2008-07-09 | 2012-11-06 | Iv Technologies Co., Ltd | Polishing pad, polishing method and method of forming polishing pad |
-
2001
- 2001-11-30 JP JP2001366003A patent/JP4193096B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
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US7591713B2 (en) | 2003-09-26 | 2009-09-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Polishing pad, method for processing polishing pad, and method for producing substrate using it |
US7677957B2 (en) | 2003-09-26 | 2010-03-16 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Polishing apparatus, method for providing and mounting a polishing pad in a polishing apparatus, and method for producing a substrate using the polishing apparatus |
KR101128932B1 (ko) * | 2003-09-26 | 2012-03-27 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 연마포와 연마포의 가공방법 및 그것을 이용한 기판의제조방법 |
US8303378B2 (en) | 2008-07-09 | 2012-11-06 | Iv Technologies Co., Ltd | Polishing pad, polishing method and method of forming polishing pad |
US8496512B2 (en) | 2008-07-09 | 2013-07-30 | Iv Technologies Co., Ltd. | Polishing pad, polishing method and method of forming polishing pad |
USRE46648E1 (en) * | 2008-07-09 | 2017-12-26 | Iv Technologies Co., Ltd. | Polishing pad, polishing method and method of forming polishing pad |
JP2010045306A (ja) * | 2008-08-18 | 2010-02-25 | Kuraray Co Ltd | 研磨パッド |
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