JP2010045306A - 研磨パッド - Google Patents

Abstract

【課題】被加工物に対する研磨速度と研磨均一性に優れるとともに、研磨パッドの研磨面におけるバリ状物の形成を抑制することができスクラッチ傷の発生を低減することが可能となる研磨パッドの提供。
【解決手段】研磨面側に溝が形成された円盤形状の研磨パッドであって、当該溝は、（ｉ）開口部の長さａが最深部の長さｂよりも長く、（ii）研磨面が位置する直線１に対して垂直であり且つ最深部と直線１との距離ｄと実質的に同一の長さの垂直側面部２を備える断面形状（Ｘ）を有し、当該断面形状（Ｘ）において垂直側面部２が位置する直線と直線１との交点をＭおよび垂直側面部２と対向する側面部３と直線１との接点をＮとした際に、円盤形状の中心とＭとの距離が、円盤形状の中心とＮとの距離よりも長くなる溝の長さの合計が、研磨面側に形成された全ての溝の長さの合計に対して５０〜１００％である、研磨パッド。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体や集積回路等の被加工物の表面を平坦化するのに有用な研磨パッド、当該研磨パッドを用いる半導体基板表面の研磨方法および半導体デバイスの製造方法に関する。

半導体メモリに代表される大規模集積回路（ＬＳＩ）は、集積化や微細化が年々進行し、それに伴いその製造技術はより高度の高密度化に対応する必要が生じ、製造工程も複雑化している。半導体デバイスの積層数についても増加してきており、従来では問題とならなかった半導体デバイス製造時における絶縁膜や導電体膜等のウエハ表面の凹凸が、半導体デバイスの多層化により、断線や抵抗値のバラツキを引き起こす一因となっている。そのため、ウエハ表面の一層の平坦化が求められている。
また、ＬＳＩを製造する際に、ウエハ表面にマスクのパターンを形成する技術としてリソグラフィ（投光露光）が行われているが、半導体集積回路の微細化に伴い、露光波長が短くなり露光の焦点深度が非常に浅くなっている。ウエハ表面に凹凸が存在するとマスクのパターンの解像度が低下してしまうため、この点からもウエハ表面の一層の平坦化が求められている。

ウエハ表面の平坦化は、通常、化学的機械的研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ；ＣＭＰ）を利用した研磨装置によって行われる。ＣＭＰは、半導体基板（半導体ウエハ）等の被研磨面を研磨パッドの研磨面に押し付けた状態で、必要に応じて砥粒が分散されたスラリー状の研磨剤［以下、研磨スラリーという場合がある］を用いながら、研磨する技術である。このようなＣＭＰに使用される研磨パッドとして、これまで様々のものが開発され一部は実用化されている。

そのような研磨パッドの例として、表面に溝や穴等の加工が施された研磨パッドが開発されている。このような研磨パッドは、研磨パッド表面での研磨スラリーの保持性や流動性を向上させ、また研磨により生じた研磨屑を研磨パッド表面から効率的に除去することができることから、研磨速度の向上や被研磨面上に生じるスクラッチ傷の低減が期待されるものである。

従来の研磨パッド表面に施される溝としては、溝の開口部の幅と溝の最深部の幅とが同じ長さとなる断面形状（例えば矩形等）を有するものが主流であった（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、このような溝を有する研磨パッドを使用した場合には、研磨パッド表面での研磨スラリーの保持性や流動性、さらには研磨屑の研磨パッド表面からの除去効率が十分とはいえなかった。特に研磨パッドの研磨層を構成する素材として無発泡のものを使用した場合や長時間研磨を行った場合などにおいて、研磨前後や研磨中に行われるドレッシング等に起因して溝の上部にバリ状物が形成されやすく、これがスクラッチ傷の発生の一因となっていた。そのため、一層研磨速度を向上させ、またスクラッチ傷を低減させることを可能にする技術が求められていた。

特開２００４−１４０１３０号公報

本発明は、被加工物に対する研磨速度と研磨均一性に優れるとともに、研磨パッドの研磨面におけるバリ状物の形成を抑制することができスクラッチ傷の発生を低減することが可能となる研磨パッド、それを用いる半導体基板表面の研磨方法および半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記目的を達成すべく検討を重ねた結果、特定の断面形状を有する溝を特定の配向性を持たせて研磨パッドの研磨面に施すことにより上記課題が解決されることを見出し、さらに検討を重ねて本発明を完成させた。

すなわち、本発明は、
［１］ 研磨面側に溝が形成された円盤形状の研磨パッドであって、当該溝は、
（ｉ）開口部（Ａ）の長さ（ａ）が最深部（Ｂ）の長さ（ｂ）よりも長く、
（ii）研磨面が位置する直線（Ｃ）に対して垂直であり且つ最深部（Ｂ）と直線（Ｃ）との距離（ｄ）と実質的に同一の長さの垂直側面部（Ｄ）を備える
断面形状（Ｘ）を有し、当該断面形状（Ｘ）において垂直側面部（Ｄ）が位置する直線と直線（Ｃ）との交点を点（Ｍ）および垂直側面部（Ｄ）と対向する側面部（Ｅ）と直線（Ｃ）との接点を点（Ｎ）とした際に、円盤形状の中心と点（Ｍ）との距離が、円盤形状の中心と点（Ｎ）との距離よりも長くなる溝の長さの合計が、研磨面側に形成された全ての溝の長さの合計に対して５０〜１００％である、研磨パッド、
［２］ 長さ（ａ）／長さ（ｂ）が１．０５以上である上記［１］の研磨パッド、
［３］ 長さ（ａ）／長さ（ｂ）が１．０５〜２．００の範囲内である上記［１］の研磨パッド、
［４］ 研磨パッドを構成する研磨層のＪＩＳ−Ｄ硬度が４０以上である上記［１］〜［３］のいずれかの研磨パッド、
［５］ 研磨パッドを構成する研磨層が、数平均分子量が１４００〜３６００の高分子ジオール、有機ジイソシアネートおよび鎖伸長剤から製造され、かつイソシアネート基由来の窒素原子の含有率が４．８〜６．０質量％である熱可塑性ポリウレタンを含む上記［１］〜［４］のいずれかの研磨パッド、
［６］ 半導体基板表面を化学的機械的研磨するために使用される上記［１］〜［５］のいずれかの研磨パッド、
［７］ 上記［１］〜［６］のいずれかの研磨パッドを用いる半導体基板表面の研磨方法、
［８］ 上記［１］〜［６］のいずれかの研磨パッドを用いる半導体デバイスの製造方法、
に関する。

本発明によれば、ＣＭＰに有用な研磨パッドを提供することができ、半導体基板表面等の研磨時において、被加工物に対する研磨速度と研磨均一性に優れるとともに、研磨パッドの研磨面におけるバリ状物の形成を抑制することができスクラッチ傷の発生を低減することが可能となるなど、半導体基板表面等を高精度に研磨することが可能な研磨パッド、それを用いる半導体基板表面の研磨方法および半導体デバイスの製造方法が提供される。

以下、本発明について詳細に説明する。
本発明の研磨パッドの研磨面側には特定の断面形状、すなわち、（ｉ）開口部（Ａ）の長さ（ａ）が最深部（Ｂ）の長さ（ｂ）よりも長く、（ii）研磨面が位置する直線（Ｃ）に対して垂直であり且つ最深部（Ｂ）と直線（Ｃ）との距離（ｄ）と実質的に同一の長さの垂直側面部（Ｄ）を備える断面形状（Ｘ）を有する溝が形成されている。
溝の断面において、開口部（Ａ）の長さ（ａ）が最深部（Ｂ）の長さ（ｂ）よりも長いことにより、研磨パッド表面での研磨スラリーの保持性や流動性、および研磨屑の研磨パッド表面からの除去効率が向上し、研磨速度の向上やスクラッチ傷の低減を図ることができる。
なお本明細書において、溝の断面とは溝の進行方向に対して垂直に切断（溝が直線状でない場合には、研磨パッドの研磨面が位置する平面上に存在する溝の開口部の中心線に対する接線と垂直になるように切断）したときに現れる面を意味し、溝の断面形状とは、当該断面に現れる溝の形状を意味する。また、上記開口部（Ａ）とは研磨面と同一面上にあって溝が開口した部分に対応する断面部分である。そして、上記最深部（Ｂ）とは研磨面が位置する直線（Ｃ）との距離が最大となる溝の断面部分であり、当該最深部（Ｂ）は、点である場合もあれば、直線（Ｃ）と平行する直線である場合もある。

溝の断面において、開口部（Ａ）の長さ（ａ）の具体的な値としては、あまりに大きすぎると研磨面積が狭くなり研磨スラリーの排出性がよくなり過ぎて研磨速度が低下する傾向があり、またあまりに小さすぎると研磨面積が広くなり研磨速度は向上するものの、研磨屑の排出性が低下して、スクラッチ傷の発生の原因となる傾向があることから、０．１〜３．０ｍｍの範囲内であることが好ましく、０．２〜２．９ｍｍの範囲内であることがより好ましく、０．３〜２．８ｍｍの範囲内であることがさらに好ましい。
一方、溝の断面において、最深部（Ｂ）の長さ（ｂ）の具体的な値としては、あまりに大きすぎると研磨スラリーの排出性がよくなり過ぎて研磨速度が低下する傾向があり、またあまりに小さすぎると研磨屑の排出性が低下して、スクラッチ傷の発生の原因となる傾向があることから、０〜２．９ｍｍの範囲内であることが好ましく、０．１〜２．８ｍｍの範囲内であることがより好ましく、０．２〜２．７ｍｍの範囲内であることがさらに好ましい。
また、開口部（Ａ）の長さ（ａ）と最深部（Ｂ）の長さ（ｂ）との比［長さ（ａ）／長さ（ｂ）］は、研磨スラリーを適度に保持して安定した研磨速度を得るとともに、研磨屑の十分な排出性を維持することができ、しかも溝の上部でのバリ状物の形成を十分に抑制することができることから、１．０５以上であることが好ましく、１．０５〜２．００の範囲内であることがより好ましく、１．１０〜１．９０の範囲内であることがさらに好ましい。

また、溝の断面において、研磨面が位置する直線（Ｃ）に対して垂直であり且つ最深部（Ｂ）と直線（Ｃ）との距離（ｄ）と実質的に同一の長さの垂直側面部（Ｄ）を備えることにより、高い研磨速度を安定して得ることができ、平坦化性能を向上させることができる。これは、当該垂直側面部（Ｄ）に対応する溝の側面付近において研磨スラリーが乱流して、これにより研磨スラリーが効率よく研磨に使用されることに起因すると考えられる。上記距離（ｄ）の具体的な値としては、得られる研磨パッドの研磨速度および平坦化性能に影響を与えるので半導体チップ（別称：ダイ）等の被加工物の研磨への要求特性から決定されるべきものであるが、高い研磨速度を安定して得ることができ、平坦化性能を向上させることができるとともに、スクラッチ傷の発生も十分に抑制することができることから、０．０５〜３ｍｍの範囲内であることが好ましく、０．０８〜２ｍｍの範囲内であることがより好ましく、０．１〜１ｍｍの範囲内であることがさらに好ましい。なお、垂直側面部（Ｄ）の長さの、距離（ｄ）に対する割合としては、９０〜１００％の範囲内であることが好ましく、９５〜１００％の範囲内であることがより好ましく、１００％であることがさらに好ましい。

上記断面形状（Ｘ）の具体的な例の概略図を図１および図２に示す。図１および２の断面１、３、５および７に示される断面形状は、最深部（Ｂ）の長さ（ｂ）が０よりも大きいものである。断面１、３、５および７のいずれにおいても、研磨面が位置する直線（Ｃ）に対して垂直であり且つ最深部（Ｂ）と直線（Ｃ）との距離（ｄ）と長さの等しい垂直側面部（Ｄ）を有している。そして、上記垂直側面部（Ｄ）と対向する側面部（Ｅ）は、断面１においては直線状であり、断面３においては研磨パッドの内部に向かって凹状に曲面を形成するような曲線状であり、断面５においては研磨パッドの内部から凸状に曲面を形成するような曲線状であり、断面７においては、階段状である。
一方、図２の断面２、４および６に示される断面形状は、最深部（Ｂ）の長さ（ｂ）が０であるものである。断面２、４および６のいずれにおいても、研磨面が位置する直線（Ｃ）に対して垂直であり且つ最深部（Ｂ）と直線（Ｃ）との距離（ｄ）と長さの等しい垂直側面部（Ｄ）を有している。そして、上記垂直側面部（Ｄ）と対向する側面部（Ｅ）は、断面２においては直線状であり、断面４においては研磨パッドの内部に向かって凹状に曲面を形成するような曲線状であり、断面６においては研磨パッドの内部から凸状に曲面を形成するような曲線状である。

本発明の研磨パッドの研磨面側に形成された溝は、１種類の断面形状（Ｘ）を有するものであっても、各部において異なる断面形状（Ｘ）を有する溝のように、２種類以上の断面形状（Ｘ）を有するものであってもよい。
また、本発明の研磨パッドの研磨面側に形成された溝は、上記した断面形状（Ｘ）を有する溝のみからなっていてもよいが、その他の断面形状を有する溝が併せて形成されていてもよい。本発明の研磨パッドの研磨面側に形成された全ての溝の長さの合計に対して、上記した断面形状（Ｘ）を有する溝の長さの合計の占める割合としては、５５〜１００％の範囲内であることが好ましく、８５〜１００％の範囲内であることがより好ましく、９８〜１００％の範囲内であることがさらに好ましい。なお、本明細書において、溝の長さとは、研磨パッドの研磨面が位置する平面上に存在する溝の開口部の中心線の長さを意味する。

研磨面側から見た溝パターンとしては、特に制限はないが、格子状、同心円状、螺旋状、三角格子状、放射状等が挙げられる。研磨面側に形成された溝パターンは１種単独でも、２種以上の溝パターンが組み合わされたものであってもよい。これらの溝パターンの中でも、格子状、同心円状、螺旋状が好ましく、格子状がより好ましい。

本発明の研磨パッドの形状は円盤形状（円形のシート状）である。そして、被加工物に対する研磨速度と研磨均一性に一層優れ、またスクラッチ傷の発生をさらに低減させることができることから、断面形状（Ｘ）において垂直側面部（Ｄ）が位置する直線と直線（Ｃ）との交点を点（Ｍ）および垂直側面部（Ｄ）と対向する側面部（Ｅ）と直線（Ｃ）との接点を点（Ｎ）とした際に、円盤形状の中心と点（Ｍ）との距離が、円盤形状の中心と点（Ｎ）との距離よりも長くなるように研磨面側に溝が形成されている［以下、研磨面側に形成されたこのような溝を「内向き溝」という場合がある］。

本発明の研磨パッドの研磨面側に形成された溝は、全てが内向き溝であってもよいが、内向き溝でない溝が形成されていてもよい。本発明の研磨パッドにおいて、研磨面側に形成された全ての溝の長さの合計に対して、内向き溝の長さの合計の占める割合としては、５０〜１００％の範囲内であり、８０〜１００％の範囲内であることが好ましく、９５〜１００％の範囲内であることがより好ましい。ここで、一本の溝について、一部のみが上記内向き溝の規定を満たす場合には当該規定を満たす部分のみを内向き溝とするものとする。また、断面形状（Ｘ）を有するものの、円盤形状の中心を通る直線状の溝のように、円盤形状の中心と点（Ｍ）との距離、および円盤形状の中心と点（Ｎ）との距離のいずれが長いのか判別できない場合には、当該溝の判別できない部分については、内向き溝に含めないものとする。

円盤形状の研磨パッドに格子状の溝パターンを有する内向き溝が全面に亘り形成された研磨パッドの概略図を図３に示す。図３の４−４’間で切断した際に現れる研磨パッドの断面形状の概略図（図４）および５−５’間で切断した際に現れる研磨パッドの断面形状の概略図（図５）から明らかなとおり、図３の研磨パッドには、各溝の断面形状において、円盤形状の中心と点（Ｍ）との距離が、円盤形状の中心と点（Ｎ）との距離よりも長くなるように、内向き溝が研磨面側に形成されている。

本発明の研磨パッドにおいて、少なくともその研磨面側を構成する研磨層の素材としては特に限定されるものではなく、公知の合成または天然の高分子を、１種単独で使用してまたは２種類以上を併用して、当該研磨層を構成することができる。研磨層の素材として使用される高分子としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブタジエン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ブチラール樹脂、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリエステル、ポリアミドなどが挙げられる。これらの中でも、得られる研磨パッドの引張物性、耐摩耗性、耐薬品性の観点から、ポリウレタンが好ましく、特に数平均分子量が１４００〜３６００の高分子ジオール、有機ジイソシアネートおよび鎖伸長剤から製造され、かつイソシアネート基由来の窒素原子の含有率が４．８〜６．０質量％である熱可塑性ポリウレタンがより好ましい。

上記の熱可塑性ポリウレタンを製造する際に使用される高分子ジオールとしては、例えば、ポリエーテルジオール、ポリエステルジオール、ポリカーボネートジオールなどが挙げられる。

上記のポリエーテルジオールとしては、例えば、ポリ（エチレングリコール）、ポリ（プロピレングリコール）、ポリ（テトラメチレングリコール）、ポリ（メチルテトラメチレングリコール）、グリセリンベースポリアルキレンエーテルグリコールなどが挙げられる。これらの中でも、ポリ（エチレングリコール）、ポリ（テトラメチレングリコール）が好ましい。

上記のポリエステルジオールとしては、例えば、常法に従い、ジカルボン酸またはそのエステル、酸無水物等のエステル形成性誘導体と、低分子ジオールとを直接エステル化反応またはエステル交換反応させることにより製造されるものを使用することができる。

上記のジカルボン酸としては、例えば、シュウ酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ドデカンジカルボン酸、２−メチルコハク酸、２−メチルアジピン酸、３−メチルアジピン酸、３−メチルペンタン二酸、２−メチルオクタン二酸、３，８−ジメチルデカン二酸、３，７−ジメチルデカン二酸等の炭素数２〜１２の脂肪族ジカルボン酸；トリグリセリドの分留により得られる不飽和脂肪酸を二量化した炭素数１４〜４８の二量化脂肪族ジカルボン酸（ダイマー酸）またはこれらの水素添加物（水添ダイマー酸）；１，４−シクロヘキサンジカルボン酸等の脂環式ジカルボン酸；テレフタル酸、イソフタル酸、オルトフタル酸等の芳香族ジカルボン酸などが挙げられる。これらのジカルボン酸は１種類を単独で使用してもよいし、２種類以上を併用してもよい。これらの中でも、炭素数２〜１２の脂肪族ジカルボン酸が好ましく、アジピン酸がより好ましい。

上記の低分子ジオールとしては、例えば、エチレングリコール、１，３−プロパンジオール、１，２−プロパンジオール、２−メチル−１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、ネオペンチルグリコール、１，５−ペンタンジオール、３−メチル−１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、１，７−ヘプタンジオール、１，８−オクタンジオール、２−メチル−１，８−オクタンジオール、１，９−ノナンジオール、１，１０−デカンジオール等の脂肪族ジオール；シクロヘキサンジメタノール、シクロヘキサンジオール等の脂環式ジオールなどを挙げることができる。これらの低分子ジオールは１種類を単独で使用してもよいし、２種類以上を併用してもよい。これらの中でも、炭素数６〜１２のジオールが好ましく、炭素数８〜１０のジオールがより好ましく、炭素数９のジオールがさらに好ましい。

上記のポリカーボネートジオールとしては、低分子ジオールとジアルキルカーボネート、アルキレンカーボネート、ジアリールカーボネート等のカーボネート化合物との反応により得られるものを使用することができる。ポリカーボネートジオールを構成する低分子ジオールとしては、ポリエステルジオールを製造する際に使用される成分として先に例示した低分子ジオールを用いることができる。ジアルキルカーボネートとしては、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート等が挙げられる。アルキレンカーボネートとしてはエチレンカーボネート等が挙げられる。ジアリールカーボネートとしてはジフェニルカーボネート等が挙げられる。

高分子ジオールは１種類を単独で使用しても２種類以上を併用してもよい。
高分子ジオールの数平均分子量としては、得られる研磨パッドが適度な弾性率を有するものとなり、さらにはシート状に押出す際に成形機中における増粘減少の発生を抑制することができることから、１４００〜３６００の範囲内であることが好ましく、２０００〜３５００の範囲内であることがより好ましい。なお、本明細書でいう高分子ジオールの数平均分子量はＪＩＳ Ｋ１５５７に準拠して測定した水酸基価に基づいて算出した数平均分子量を意味する。

上記の熱可塑性ポリウレタンを製造する際に使用される有機ジイソシアネートとしては、通常のポリウレタンの製造に従来から使用されている有機ジイソシアネートのいずれを使用してもよい。有機ジイソシアネートとしては、例えば、エチレンジイソシアネート、テトラメチレンジイソシアネート、ペンタメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、２，４，４−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、ドデカメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、イソプロピリデンビス（４−シクロヘキシルイソシアネート）、４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、２，６−ジイソシアナトメチルカプロエート、ビス（２−イソシアナトエチル）フマレート、ビス（２−イソシアナトエチル）カーボネート、シクロヘキシレンジイソシアネート、メチルシクロヘキシレンジイソシアネート、ビス（２−イソシアナトエチル）−４−シクロへキセン等の脂肪族または脂環式ジイソシアネート；２，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、ｍ−フェニレンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、ｍ−キシリレンジイソシアネート、ｐ−キシリレンジイソシアネート、１，５−ナフチレンジイソシアネート、４，４’−ジイソシアナトビフェニル、３，３’−ジメチル−４，４’−ジイソシアナトビフェニル、３，３’−ジメチル−４，４’−ジイソシアナトジフェニルメタン、クロロフェニレン−２，４−ジイソシアネート、テトラメチルキシリレンジイソシアネート等の芳香族ジイソシアネートなどを挙げることができる。これらの有機ジイソシアネートは１種類を単独で使用してもよいし、２種類以上を併用してもよい。これらの中でも、得られる研磨パッドの耐摩耗性などの点から４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネートが好ましく、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネートがより好ましい。

上記の熱可塑性ポリウレタンを製造する際に使用される鎖伸長剤としては、通常のポリウレタンの製造に従来から使用されている鎖伸長剤のいずれを使用してもよい。鎖伸長剤としては、イソシアネート基と反応し得る活性水素原子を分子中に２個以上有する分子量３００以下の低分子化合物を使用することが好ましく、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオール、ネオペンチルグリコール、２，２−ジエチル−１，３−プロパンジオール、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、２，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、３−メチル−１，５−ペンタンジオール、１，４−ビス（β−ヒドロキシエトキシ）ベンゼン、１，４−シクロヘキサンジオール、１，４−シクロヘキサンジメタノール、ビス（β−ヒドロキシエチル）テレフタレート、１，９−ノナンジオール、ｍ−キシリレングリコール、ｐ−キシリレングリコール等のジオール類；エチレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、ウンデカメチレンジアミン、ドデカメチレンジアミン、２，２，４−トリメチルヘキサメチレンジアミン、２，４，４−トリメチルヘキサメチレンジアミン、３−メチルペンタメチレンジアミン、１，２−シクロヘキサンジアミン、１，３−シクロヘキサンジアミン、１，４−シクロヘキサンジアミン、１，２−ジアミノプロパン、ヒドラジン、キシリレンジアミン、イソホロンジアミン、ピペラジン、ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、トリレンジアミン、キシレンジアミン、アジピン酸ジヒドラジド、イソフタル酸ジヒドラジド、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルスルフォン、３，４−ジアミノジフェニルスルフォン、３，３’−ジアミノジフェニルスルフォン、４，４’−メチレン−ビス（２−クロロアニリン）、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、２，６−ジアミノトルエン、２，４−ジアミノクロロベンゼン、１，２−ジアミノアントラキノン、１，４−ジアミノアントラキノン、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、３，４−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノビベンジル、２，２’−ジアミノ−１，１’−ビナフタレン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）アルカン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）アルカン、１，５−ビス（４−アミノフェノキシ）アルカン等の１，ｎ−ビス（４−アミノフェノキシ）アルカン（ｎは３〜１０）、１，２−ビス［２−（４−アミノフェノキシ）エトキシ］エタン、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン、４，４’−ジアミノベンズアニリド等のジアミン類などが挙げられる。これらの鎖伸長剤は単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、ネオペンチルグリコール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、１，４−シクロヘキサンジメタノールが好ましく、１，４−ブタンジオール、１，４−シクロヘキサンジメタノールがより好ましい。

上記の熱可塑性ポリウレタンの具体的な例としては、例えば、ポリ（エチレングリコール）、ポリ（テトラメチレングルコール）、ポリ（ノナメチレン アジペート）、ポリ（２−メチル−１，８−オクタメチレン アジペート）、ポリ（２−メチル−１，８−オクタメチレン−ｃｏ−ノナメチレン アジペート）、ポリ（メチルペンタメチレン アジペート）からなる群から選ばれる少なくとも１種の高分子ジオールと、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネートからなる群から選ばれる少なくとも１種の有機ジイソシアネートと、１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、ネオペンチルグリコール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、１，４−シクロヘキサンジメタノールからなる群から選ばれる少なくとも１種の鎖伸長剤とを反応させて得られるものなどが挙げられる。

上記の熱可塑性ポリウレタンにおけるイソシアネート基由来の窒素原子の含有率は４．８〜６．０質量％であることが好ましい。当該含有率が４．８質量％未満の場合には、得られる熱可塑性ポリウレタンからなる研磨層が柔らかくなりすぎ、被研磨面の平坦性や研磨効率が低下する傾向がある。一方、当該含有率が６．０質量％を超える場合には、スクラッチが発生しやすくなる傾向がある。被研磨面の平坦性、研磨効率およびスクラッチ抑制の観点から、熱可塑性ポリウレタンにおけるイソシアネート基由来の窒素原子の含有率は４．９〜５．８質量％の範囲内であることがより好ましく、５．０〜５．８質量％の範囲内であることがさらに好ましい。

上記の熱可塑性ポリウレタンは、上記の高分子ジオール、有機ジイソシアネートおよび鎖伸長剤を原料として使用し、プレポリマー法やワンショット法などの公知の方法により製造することができるが、実質的に溶媒の不存在下に上記の高分子ジオール、有機ジイソシアネートおよび鎖伸長剤を所定の比率で溶融混練することにより製造することが好ましく、多軸スクリュー型押出機を使用して連続溶融重合する方法により製造することがより好ましい。各成分の使用比率は、耐摩耗性等、熱可塑性ポリウレタンからなる研磨層に付与すべき物性などを考慮して適宜決定されるが、高分子ジオールおよび鎖伸長剤に含まれる活性水素原子１モルに対して、有機ジイソシアネートに含まれるイソシアネート基が０．９５〜１．３モルとなる割合で各成分を使用することが好ましい。上記割合が０．９５モル未満であると、得られる熱可塑性ポリウレタンからなる研磨層の機械的強度および耐摩耗性が低下する傾向があり、１．３モルを超えると熱可塑性ポリウレタンの生産性や保存安定性が低下する傾向がある。得られる研磨層の機械的強度や耐摩耗性および熱可塑性ポリウレタンの生産性や保存安定性の観点から、高分子ジオールおよび鎖伸長剤に含まれる活性水素原子１モルに対して、有機ジイソシアネートに含まれるイソシアネート基が０．９６〜１．１モルとなる割合で各成分を使用することがより好ましく、０．９７〜１．０５モルとなる割合で各成分を使用することがさらに好ましい。

研磨層は得られる研磨パッドが本発明の効果を奏する限り、上記した高分子以外の他の成分を含有していてもよい。このような他の成分としては、例えば、架橋剤、充填剤、架橋促進剤、架橋助剤、軟化剤、粘着付与剤、老化防止剤、発泡剤、加工助剤、密着性付与剤、無機充填剤、有機フィラー、結晶核剤、耐熱安定剤、耐候安定剤、帯電防止剤、着色剤、滑剤、難燃剤、難燃助剤（酸化アンチモンなど）、ブルーミング防止剤、離型剤、増粘剤、酸化防止剤、導電剤などが挙げられる。研磨層における上記他の成分の含有量は５０質量％以下であることが好ましく、２０質量％以下であることがより好ましく、５質量％以下であることがさらに好ましい。

また、研磨層は発泡構造を有するものであっても、無発泡構造を有するものであってもよいが、溝の端部においてバリの発生が少ないことから、無発泡構造を有するものが好ましい。

研磨層の製造方法は、特に制限されるものではなく、上記した１種類もしくは２種類以上の高分子もしくは高分子組成物または必要に応じてこれらにさらに上記した他の成分を配合した高分子組成物からなるシートを製造し、当該シートから研磨層を製造することができる。当該シートは上記高分子または高分子組成物を押出機により押出して製造することができ、具体的には、例えば、Ｔ−ダイを装着した押出機を使用して、上記高分子または高分子組成物を溶融押出する方法を採用することができる。押出機としては、単軸押出機、二軸押出機等を使用することができる。また上記シートは、上記した高分子または高分子組成物からなるブロックを予め製造しておき、これをスライスして製造することもできる。
上記シートの厚さとしては、目的とする研磨層の厚さに応じて適宜設定することができ、１．０〜４．０ｍｍの範囲内であることが好ましく、１．５〜３．０ｍｍの範囲内であることがより好ましく、２．０〜２．５ｍｍの範囲内であることがさらに好ましい。

得られたシートは、必要に応じて、裁断、打ち抜き、切削等により所望の寸法、形状に加工したり、研削等により所望の厚さに加工して研磨層とすることができる。また研磨層には、必要に応じて、貫通孔等の穴を形成してもよい。

研磨層の研磨面側への溝の形成方法は、特に限定されるものではない。具体的には、上記のシートを切削加工することにより溝を形成する方法；上記のシートに加熱された金型、熱線等を接触させ、接触部を溶解させることにより溝を形成する方法；溝を形成するための凸部を有する金型を使用し、これに上記高分子もしくは高分子組成物の溶融物を流し込んだのち固化させるか、または、未硬化の高分子原料を流し込んだのち硬化させるなどして、予め溝が形成されたシートを製造する方法；上記シートの表面に重合性化合物を部分的に膨潤させ、重合硬化させることにより、膨潤していない部分を溝として形成する方法などが挙げられる。

得られる研磨層の溝が形成されていない部分の厚さとしては、研磨パッドが後述の単層型研磨パッドである場合には、０．８〜４．０ｍｍの範囲内であることが好ましく、０．８〜３．０ｍｍの範囲内であることがより好ましい。一方、研磨パッドがクッション層を有する複層型研磨パッドである場合には、０．３〜２．０ｍｍの範囲内であることが好ましく、０．５〜１．８ｍｍの範囲内であることがより好ましい。研磨層の厚さがあまりに薄いと、研磨層の硬度の効果が十分に得られにくく研磨均一性が低下する場合がある。また特にクッション層を有する場合において、研磨層の厚さがあまりに厚いと、被加工物全体の反りやうねりに対するクッション層の追従効果が低下する場合がある。

研磨層の硬度（ＪＩＳ−Ｄ硬度）は、被加工物のローカル平坦性（被加工物の局所的な平坦性）向上の観点や、またあまりに硬度が高すぎると被研磨面にスクラッチ傷が発生しやすくなる傾向があることから、４０以上であることが好ましく、６０〜８０の範囲内であることがより好ましく、６５〜７５の範囲内であることがさらに好ましい。

本発明の研磨パッドは、上記の研磨層１層のみからなる単層型研磨パッドであってもよいが、さらにクッション層が積層された複層型研磨パッドであってもよい。複層型研磨パッドに使用されるクッション層は、その硬度が研磨層の硬度よりも低いことが好ましい。クッション層の硬度が研磨層の硬度よりも低いと、被加工物の局所的な凹凸には硬質の研磨層が作用し、一方、被加工物全体の反りやうねりに対しては柔軟なクッション層が追従することができるため、結果としてグローバル平坦性（被加工物の全体的な平坦性）とローカル平坦性を両立させることができる。

クッション層の硬度は、グローバル平坦性の観点や、あまりに硬度が低すぎると、研磨台（プラテン）に貼り付けて研磨を行う際に研磨台（プラテン）の回転を研磨層に十分に伝えることができず安定した研磨を行うことができなくなる場合があることから、ＪＩＳ−Ｃ硬度として２０〜８０の範囲内であることが好ましく、３０〜７０の範囲内であることがより好ましく、４０〜６５の範囲内であることがさらに好ましい。

クッション層の素材としては、特に限定されるものではなく、例えば、ポリエステル不織布、ナイロン不織布、アクリル不織布等の繊維不織布；ポリウレタンを含浸させた繊維不織布（例えば、ニッタ・ハース株式会社製「Ｓｕｂａ４００」等）のような樹脂含浸不織布；ポリウレタンフォーム、ポリエチレンフォーム等の高分子発泡体；天然ゴム、ニトリルゴム、ポリブタジエンゴム、イソプレンゴム、シリコーンゴム等のゴム；ポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、フッ素系熱可塑性エラストマー、熱可塑性ポリウレタンエラストマー等の熱可塑性エラストマー；ポリウレタン；感光性樹脂などが挙げられるが、クッション層に必要な柔軟性を有することから、高分子発泡体や熱可塑性エラストマーが好ましく、ポリウレタンフォーム、熱可塑性ポリウレタンエラストマーがより好ましい。

クッション層の厚さは０．５〜３ｍｍの範囲内であることが好ましい。クッション層の厚さが０．５ｍｍ未満の場合には、被加工物全体の反りやうねりに対する追従効果が低下する場合があり、一方、３ｍｍを越える場合には、研磨パッド全体が柔らかくなりすぎるため、研磨パッドを研磨台（プラテン）に貼り付けて研磨を行う際に研磨台（プラテン）の回転を研磨層に十分に伝えることができず安定した研磨を行うことができなくなる場合がある。クッション層の厚さとしては１〜２．５ｍｍの範囲内であることがより好ましい。

上記の複層型研磨パッドは、研磨層とクッション層とが直接接合しているものの他、接着剤や両面粘着テープ等により両層が接着されたものや、両層の間にさらに別の層が存在するものも含む。

上記の両面粘着テープとしては、基材の両面に粘着剤層を設けた一般的な構成を有するものを使用することができる。当該基材としては、例えば、不織布やフィルム等が挙げられる。これらの中でも、クッション層への研磨スラリーの浸透等を防ぐことを考慮すれば、基材としてはフィルムを用いることが好ましい。また、粘着剤層の組成としては、例えば、ゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤等が挙げられる。金属イオン含有量を考慮すると、アクリル系粘着剤は金属イオン含有量が少ないため好ましい。また、使用される両面粘着テープは、その使用前に一方または両方の粘着剤層上に離型性を有する剥離紙が備えられたものであってもよい。当該剥離紙としては、特に制限されるものではなく、公知のものを用いることができる。また、研磨層とクッション層は組成が異なることもあるため、両面粘着テープの各粘着剤層の組成を異なるものとし、各粘着剤層の粘着力を適正化することも可能である。また、研磨層とクッション層とを貼り合わせる両面粘着テープと、クッション層のプラテン側接着面に貼り付けることができる両面粘着テープとは、同種のものであってもよく、異種のものであってもよく、適宜適正化することができる。

本発明の研磨パッドは、それ自体公知の研磨スラリーと共に、ＣＭＰに使用することができる。研磨スラリーは、例えば、水やオイル等の液状媒体；酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、炭化ケイ素等の研磨剤；塩基、酸、界面活性剤などの成分を含有している。またＣＭＰを行うに際し、必要に応じ、研磨スラリーと共に、潤滑油、冷却剤などを併用してもよい。

ＣＭＰは、公知のＣＭＰ用装置を使用して、研磨スラリーを介して、被加工物と研磨パッドとを、加圧下、一定速度で、一定時間接触させることによって行うことができる。研磨前や研磨中には、ダイヤモンドドレッサー等のドレッサーを使用して研磨パッドをコンディショニングすることも可能である。研磨の対象となる物品（被加工物）としては、特に制限はないが、例えば、水晶、シリコン、ガラス、光学基板、電子回路基板、多層配線基板、ハードディスクなどが挙げられる。特に、研磨の対象としては、半導体基板表面であることが好ましい。半導体基板の具体例としては、例えば、酸化シリコン、酸化フッ化シリコン、有機ポリマー等の絶縁膜；銅、アルミニウム、タングステン等の配線材金属膜；タンタル、チタン、窒化タンタル、窒化チタン等のバリアメタル膜などを表面に有するものが挙げられる。

以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例によって何ら限定されるものではない。なお、研磨層のＪＩＳ−Ｄ硬度は以下のようにして測定した。

研磨層のＪＩＳ−Ｄ硬度の測定
ＪＩＳ Ｋ６２５３−１９９７に準拠して行った。２ｃｍ×２ｃｍ（厚さ：研磨層の厚さと同一）の大きさに切り出した研磨層を硬度測定用試料とし、温度２３℃±２℃、湿度５０％±５％の環境で１６時間静置した。測定時には、試料を重ね合わせ、厚さ６ｍｍ以上とした。硬度計（高分子計器社製、アスカーＤ型硬度計）を用い、硬度を測定した。

［製造例］
熱可塑性ポリウレタン（ＰＵ−１）の製造
数平均分子量２０００のポリ（テトラメチレングリコール）［略号：ＰＴＭＧ２０００］、数平均分子量２０００のポリ（２−メチル−１，８−オクタメチレン−ｃｏ−ノナメチレン アジペート）［略号：ＰＮＯＡ２０００、ノナメチレン単位と２−メチル−１，８−オクタメチレン単位とのモル比＝７対３］、１，４−シクロヘキサンジメタノール［略号：ＣＨＤＭ］、１，４−ブタンジオール［略号：ＢＤ］および４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート［略号：ＭＤＩ］を、ＰＴＭＧ２０００：ＰＮＯＡ２０００：ＣＨＤＭ：ＢＤ：ＭＤＩの質量比が２０．１：８．４：５．７：１４．２：５１．６（イソシアネート基由来の窒素原子の含有率：５．８質量％）となる割合で用い、かつそれらの合計供給量が３００ｇ／分になるようにして、定量ポンプにより同軸で回転する２軸押出機（３０ｍｍφ、Ｌ／Ｄ＝３６、シリンダー温度：７５〜２６０℃）に連続的に供給して、連続溶融重合を行って熱可塑性ポリウレタンを製造した。生成した熱可塑性ポリウレタンの溶融物をストランド状に水中に連続的に押出した後、ペレタイザーでペレット状に細断し、得られたペレットを７０℃で２０時間除湿乾燥することにより熱可塑性ポリウレタン［以下、これをＰＵ−１という］を製造した。

［実施例１］
製造例で得られたＰＵ−１を単軸押出成形機（９０ｍｍφ）に仕込み、シリンダー温度２１５〜２２５℃、ダイス温度２２５℃にてリップ幅２．３ｍｍのＴ−ダイより押出速度４０ｃｍ／分で下向きに押出し、さらにＴ−ダイより下方６ｃｍ離れた位置に設置された一対のロールを通過させた。このロールは、一方が直径２２ｃｍの８０℃に調温された金属製ロールであり、別の一方が表面にゴム層を有する直径１７ｃｍのゴムロールであり、金属製ロールとゴムロールとのギャップ間隔は２．０ｍｍであった。
上記ロールを通過させることにより得られた厚さが２．１ｍｍのＰＵ−１のシートの表面を研削して、厚さ１．５ｍｍで、厚さが均一なシートを作製し、さらに直径５１０ｍｍの円盤状に切り出した。得られた円盤状のシートの片面に、縦および横のピッチがいずれも１５ｍｍであるＸ−Ｙ格子状の溝パターンを有し、図１に断面１として記載した概略図と同様の断面形状（垂直側面部（Ｄ）の長さ：１．０ｍｍ（距離（ｄ）と同一）、最深部（Ｂ）の長さ（ｂ）：１．０ｍｍ、開口部（Ａ）の長さ（ａ）：２．０ｍｍ）を有する溝を、全ての溝が上記内向き溝となるように形成して、ＪＩＳ−Ｄ硬度が６５の研磨層を得た。さらに、溝を形成していない面側に、積水化学株式会社製「♯２５００ＰＦ１」をクッション層（厚さ：１．３ｍｍ）として貼り付けて、複層型研磨パッドを作製した。
上記の複層型研磨パッドをＣＭＰ用研磨装置（株式会社野村製作所製「ＰＰＯ―６０Ｓ」）に設置し、三菱マテリアル株式会社製ダイヤモンドドレッサー「ＴＲＤ−ＭＥＣ１００」（番手：♯１００）を用いて、ドレッサー回転数１１０ｒｐｍ、研磨圧力２４ｋＰａ、ヘッド回転数４９ｒｐｍ、プラテン回転数５０ｒｐｍでシリコン酸化膜ウエハを２００枚連続研磨した。その結果、研磨パッドの研磨面にバリの発生は見られなかった。

［実施例２］
実施例１において、開口部（Ａ）の長さ（ａ）を２．０ｍｍから１．５ｍｍに変更したこと以外は、実施例１と全て同じにして複層型研磨パッド（研磨層のＪＩＳ−Ｄ硬度は６５）を作製し、さらに実施例１と同様にしてシリコン酸化膜ウエハを２００枚連続研磨した。その結果、研磨パッドの研磨面にバリの発生は見られなかった。

［比較例１］
実施例１において、溝の断面形状を矩形状（深さ：１．０ｍｍ、溝幅：１．０ｍｍ）としたこと以外は、実施例１と全て同じにして複層型研磨パッド（研磨層のＪＩＳ−Ｄ硬度は６５）を作製し、さらに実施例１と同様にしてシリコン酸化膜ウエハを２００枚連続研磨した。その結果、研磨パッドの研磨面にバリの発生が多く見られた。

［比較例２］
実施例１において、溝の断面形状を矩形状（深さ：１．０ｍｍ、溝幅：２．０ｍｍ）としたこと以外は、実施例１と全て同じにして複層型研磨パッド（研磨層のＪＩＳ−Ｄ硬度は６５）を作製し、さらに実施例１と同様にしてシリコン酸化膜ウエハを２００枚連続研磨した。その結果、研磨パッドの研磨面にバリの発生が多く見られた。

本発明によれば、研磨時において、被加工物に対する研磨速度と研磨均一性に優れるとともに、研磨パッドの研磨面におけるバリ状物の形成を抑制することができスクラッチ傷の発生を低減することが可能となるなど、半導体基板表面等を高精度に研磨することが可能な研磨パッドが提供されることから、当該研磨パッドは、半導体デバイスの製造時におけるＣＭＰプロセスにおいて有用である。

溝の断面形状（Ｘ）の例を示すための概略図である。 溝の断面形状（Ｘ）の例を示すための概略図である。 内向き溝が形成された研磨パッドの例を示すための概略図である。 図３において、４−４’間で切断した際に現れる研磨パッドの断面形状を示すための概略図である。 図３において、５−５’間で切断した際に現れる研磨パッドの断面形状を示すための概略図である。

符号の説明

１…研磨面が位置する直線（Ｃ）、２…垂直側面部（Ｄ）、３…側面部（Ｅ）、６…研磨面が位置する直線（Ｃ）、７…垂直側面部（Ｄ）、８…側面部（Ｅ）、９…研磨面が位置する直線（Ｃ）、１０…垂直側面部（Ｄ）、１１…側面部（Ｅ）、１２…研磨面が位置する直線（Ｃ）、１３…垂直側面部（Ｄ）、１４…側面部（Ｅ）、１５…研磨面が位置する直線（Ｃ）、１６…垂直側面部（Ｄ）、１７…側面部（Ｅ）、１８…研磨面が位置する直線（Ｃ）、１９…垂直側面部（Ｄ）、２０…側面部（Ｅ）、２１…研磨面が位置する直線（Ｃ）、２２…垂直側面部（Ｄ）、２３…側面部（Ｅ）、２４…円盤形状の研磨パッド、２５…溝、２６…円盤形状の中心、ａ…開口部（Ａ）の長さ（ａ）、ｂ…最深部（Ｂ）の長さ（ｂ）、ｄ…最深部（Ｂ）と直線（Ｃ）との距離（ｄ）、Ｍ…点（Ｍ）、Ｎ…点（Ｎ）。

Claims (8)

1. 研磨面側に溝が形成された円盤形状の研磨パッドであって、当該溝は、
   （ｉ）開口部（Ａ）の長さ（ａ）が最深部（Ｂ）の長さ（ｂ）よりも長く、
   （ii）研磨面が位置する直線（Ｃ）に対して垂直であり且つ最深部（Ｂ）と直線（Ｃ）との距離（ｄ）と実質的に同一の長さの垂直側面部（Ｄ）を備える
   断面形状（Ｘ）を有し、当該断面形状（Ｘ）において垂直側面部（Ｄ）が位置する直線と直線（Ｃ）との交点を点（Ｍ）および垂直側面部（Ｄ）と対向する側面部（Ｅ）と直線（Ｃ）との接点を点（Ｎ）とした際に、円盤形状の中心と点（Ｍ）との距離が、円盤形状の中心と点（Ｎ）との距離よりも長くなる溝の長さの合計が、研磨面側に形成された全ての溝の長さの合計に対して５０〜１００％である、研磨パッド。
2. 長さ（ａ）／長さ（ｂ）が１．０５以上である請求項１に記載の研磨パッド。
3. 長さ（ａ）／長さ（ｂ）が１．０５〜２．００の範囲内である請求項１に記載の研磨パッド。
4. 研磨パッドを構成する研磨層のＪＩＳ−Ｄ硬度が４０以上である請求項１〜３のいずれかに記載の研磨パッド。
5. 研磨パッドを構成する研磨層が、数平均分子量が１４００〜３６００の高分子ジオール、有機ジイソシアネートおよび鎖伸長剤から製造され、かつイソシアネート基由来の窒素原子の含有率が４．８〜６．０質量％である熱可塑性ポリウレタンを含む請求項１〜４のいずれかに記載の研磨パッド。
6. 半導体基板表面を化学的機械的研磨するために使用される請求項１〜５のいずれかに記載の研磨パッド。
7. 請求項１〜６のいずれかに記載の研磨パッドを用いる半導体基板表面の研磨方法。
8. 請求項１〜６のいずれかに記載の研磨パッドを用いる半導体デバイスの製造方法。

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