JP5318756B2 - 研磨パッドの製造方法 - Google Patents
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Description
また、LSIを製造する際に、ウェハ表面にマスクのパターンを形成する技術としてリソグラフィ(投光露光)が行われているが、半導体集積回路の微細化に伴い、露光波長が短くなり露光の焦点深度が非常に浅くなっている。ウェハ表面に凹凸が存在するとマスクのパターンの解像度が低下してしまうため、この点からもウェハ表面の一層の平坦化が求められている。
[1]シート状に押出された樹脂の少なくとも一部を圧縮し、当該圧縮部分における波長780nmの光の透過率を厚さ1.5mmあたり30%以上としたシートを得る工程、および当該シートから研磨層を形成する工程を含む、研磨パッドの製造方法であって、
前記樹脂が高分子ジオール、有機ジイソシアネートおよび鎖伸長剤から製造される熱可塑性ポリウレタンであり、前記熱可塑性ポリウレタンにおけるイソシアネート基由来の窒素原子の含有率が4.8〜6.0質量%である、研磨パッドの製造方法、
[2]上記高分子ジオールの数平均分子量が1400〜3600である上記[1]の製造方法、
[3]上記圧縮において、圧縮部分における圧縮前の厚さに対する圧縮後の厚さの比率が70〜95%である上記[1]または[2]の製造方法、
[4]圧縮前の樹脂の温度が当該樹脂の軟化温度以上である上記[1]〜[3]のいずれかの製造方法、
[5]研磨層が、波長780nmの光の透過率が厚さ1.5mmあたり30%以上である部分と、波長780nmの光の透過率が厚さ1.5mmあたり30%未満である部分とを有する上記[1]〜[4]のいずれかの製造方法、
[6]研磨層が無発泡構造である上記[1]〜[5]のいずれかの製造方法、
[7]上記[1]〜[6]のいずれかの製造方法により製造された研磨パッドを用いるシリコンウェハまたは半導体ウェハの研磨方法、
[8]上記[1]〜[7]のいずれかの製造方法により製造された研磨パッドを用いる半導体デバイスの製造方法、
に関する。
本発明の研磨パッドの製造方法は、シート状に押出された樹脂の少なくとも一部を圧縮し、当該圧縮部分における波長780nmの光の透過率を厚さ1.5mmあたり30%以上としたシートを得る工程、および当該シートから研磨層を形成する工程を含む。また本発明のシートの製造方法は、シート状に押出された樹脂の少なくとも一部を圧縮し、当該圧縮部分における波長780nmの光の透過率を厚さ1.5mmあたり30%以上とする工程を含む。なお、以下特に断りのない限り、「本発明の製造方法」には「本発明の研磨パッドの製造方法」および「本発明のシートの製造方法」が包含されるものとする。
上記のポリエーテルジオールとしては、例えば、ポリ(エチレングリコール)、ポリ(プロピレングリコール)、ポリ(テトラメチレングリコール)、ポリ(メチルテトラメチレングリコール)、グリセリンベースポリアルキレンエーテルグリコールなどが挙げられる。これらの中でも、ポリ(エチレングリコール)、ポリ(テトラメチレングリコール)が好ましい。
高分子ジオールの数平均分子量としては、得られる熱可塑性ポリウレタンを圧縮した際に当該部分を透明にする相分離構造を形成させることができ、また得られる研磨パッドやシートが適度な弾性率を有するものとなり、さらにはシート状に押出す際に成形機中における増粘現象の発生を抑制することができることから、1400〜3600の範囲内であることが好ましく、2000〜3500がより好ましい。なお、本明細書でいう高分子ジオールの数平均分子量はJIS K1557に準拠して測定した水酸基価に基いて算出した数平均分子量を意味する。
また研磨層には必要に応じて、格子状溝、同心円状溝、螺旋状溝等の溝や、貫通孔等の穴を形成してもよい。
研磨層の形状としては、直径が30〜170cmの円盤状であることが好ましく、直径が50〜140cmの円盤状であることがより好ましい。
なお、研磨層の一部に透明な部分が形成された研磨パッドを製造する場合には、当該透明な部分とそれ以外の部分とは、厚さは異なっていてもよいし、同じであってもよい。ただし、研磨性能の観点から、研磨層の研磨側表面では、両部分が平坦である(同一平面上にある)ことが好ましい。
また研磨層やシートは発泡構造を有さない無発泡構造であることが好ましい。研磨層が無発泡構造であることにより、圧縮部分における透明性に一層優れた研磨パッドが得られる。
以下の製造例1〜3において得られた熱可塑性ポリウレタンを用いて厚さ2.0mmの押出し成形シートを作製し、該シートを90℃で5時間熱処理した試験片を用いて、動的粘弾性測定装置(「DVEレオスペクトラー」、株式会社レオロジー製)を使用して、周波数11Hz、昇温速度3℃/分の条件で各温度における貯蔵弾性率を測定した。貯蔵弾性率が2×106Paとなる温度を当該熱可塑性ポリウレタンの軟化温度とした。
以下の製造例1〜3において得られた熱可塑性ポリウレタンを10mg精秤したものを測定サンプルとして用いて、示差走査熱量計(「DSC30」、メトラー・トレド株式会社製)を使用して、窒素を100ml/分の速度で流しながら、0℃から250℃まで10℃/分の昇温速度で昇温することにより熱可塑性ポリウレタンの融点を測定した。
分光透過率測定機(「U−4000 Spectrometer」、株式会社日立製作所製)を使用してシートの室温下(25℃)における波長780nmの光の透過率を測定した。
熱可塑性ポリウレタン(PU−1)の製造
数平均分子量2000のポリ(テトラメチレングリコール)[略号:PTMG2000]、数平均分子量2000のポリ(2−メチル−1,8−オクタメチレン−co−ノナメチレン アジペート)[略号:PNOA2000、ノナメチレン単位と2−メチル−1,8−オクタメチレン単位とのモル比=7対3]、1,4−シクロヘキサンジメタノール[略号:CHDM]、1,4−ブタンジオール[略号:BD]および4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート[略号:MDI]を、PTMG2000:PNOA2000:CHDM:BD:MDIの質量比が20.1:8.4:5.7:14.2:51.6(イソシアネート基由来の窒素原子の含有率:5.8質量%)となる割合で用い、かつそれらの合計供給量が300g/分になるようにして、定量ポンプにより同軸で回転する2軸押出し機(30mmφ、L/D=36、シリンダー温度:75〜260℃)に連続的に供給して、連続溶融重合を行って熱可塑性ポリウレタンを製造した。生成した熱可塑性ポリウレタンの溶融物をストランド状に水中に連続的に押出した後、ペレタイザーでペレット状に細断し、得られたペレットを70℃で20時間除湿乾燥することにより熱可塑性ポリウレタン(以下、これをPU−1という)を製造した。PU−1の軟化温度は150℃であり、融点は180℃であった。
熱可塑性ポリウレタン(PU−2)の製造
数平均分子量1400のポリ(テトラメチレングリコール)[略号:PTMG1400]、CHDM、BDおよびMDIを、PTMG1400:CHDM:BD:MDIの質量比が46.5:3.7:9.3:40.5(イソシアネート基由来の窒素原子の含有率:4.5質量%)となる割合で用い、かつそれらの合計供給量が300g/分になるようにして、定量ポンプにより同軸で回転する2軸押出し機(30mmφ、L/D=36、シリンダー温度:75〜260℃)に連続的に供給して、連続溶融重合を行って熱可塑性ポリウレタンを製造した。生成した熱可塑性ポリウレタンの溶融物をストランド状に水中に連続的に押出した後、ペレタイザーでペレット状に細断し、得られたペレットを70℃で20時間除湿乾燥することにより熱可塑性ポリウレタン(以下、これをPU−2という)を製造した。PU−2の軟化温度は159℃であり、融点は175℃であった。
熱可塑性ポリウレタン(PU−3)の製造
数平均分子量3000のポリ(テトラメチレングリコール)[略号:PTMG3000]、CHDM、BDおよびMDIを、PTMG3000:CHDM:BD:MDIの質量比が21.1:6.3:15.8:56.8(イソシアネート基由来の窒素原子の含有率:6.4質量%)となる割合で用い、かつそれらの合計供給量が300g/分になるようにして、定量ポンプにより同軸で回転する2軸押出し機(30mmφ、L/D=36、シリンダー温度:75〜260℃)に連続的に供給して、連続溶融重合を行って熱可塑性ポリウレタンを製造した。生成した熱可塑性ポリウレタンの溶融物をストランド状に水中に連続的に押出した後、ペレタイザーでペレット状に細断し、得られたペレットを70℃で20時間除湿乾燥することにより熱可塑性ポリウレタン(以下、これをPU−3という)を製造した。PU−3の軟化温度は172℃であり、融点は184℃であった。
製造例1で得られたPU−1を単軸押出し成形機(90mmφ)に仕込み、シリンダー温度215〜225℃、ダイス温度225℃にてリップ幅2.3mmのT−ダイより押出し速度40cm/分で下向きに押出し、さらにT−ダイより下方6cm離れた位置に設置された一対のロールを通過させた。このロールは、一方が直径22cmの80℃に調温された金属製ロールであり、別の一方が表面にゴム層を有する直径17cmのゴムロールであり、いずれのロール面にもパターンを有さず、金属製ロールとゴムロールとのギャップ間隔は1.9mmであった。
上記ロールを通過したシートを、上記金属製ロールの円周の約1/3程度に接触させた後、当該金属製ロールから離し、さらに別の金属製ロールに接触させることにより、PU−1からなり厚さが2.0mmの全面が透明なシートを得た。このシートの表面を研削して厚さ1.5mmで、厚さが均一なシートを作製し、さらに直径510mmの円盤状に切り出した。この円盤状のシート(厚さ1.5mm)の室温下における波長780nmの光のシート厚さ方向への透過率は45%であった。この円盤状のシートについて、さらに格子状の溝(深さ1.0mm、幅2.0mm、ピッチ15mm)を形成して単層型研磨パッドとした。
また、格子状の溝を形成していない面側に、クッション層として、ニッタ・ハース株式会社製「suba400」を貼り付けて複層型研磨パッドとした。
製造例1で得られたPU−1を単軸押出し成形機(90mmφ)に仕込み、シリンダー温度215〜225℃、ダイス温度225℃にてリップ幅2.3mmのT−ダイより押出し速度40cm/分で下向きに押出し、さらにT−ダイより下方6cm離れた位置に設置された一対のロールを通過させた。このロールは、一方が直径22cmの80℃に調温された金属製ロールであり、別の一方が表面にゴム層を有する直径17cmのゴムロールであり、金属製ロールには高さ0.2mmの凸状のパターン(シートに対して27mm×107mmの長方形の凹部を形成するためのパターン)が形成され、金属製ロールとゴムロールとのギャップ間隔は、パターンが形成されていない部分を基準として2.2mm(パターン部分については2.0mm)であった。
上記ロールを通過したシートを、上記金属製ロールの円周の約1/3程度に接触させた後、当該金属製ロールから離し、さらに別の金属製ロールに接触させることにより、PU−1からなり、パターンにより圧縮された部分(厚さ2.1mm)が透明で、それ以外の部分(厚さ2.3mm)が不透明なシートを得た。このシートの表面を研削して厚さ1.5mmで、厚さが均一なシートを作製し、さらに直径510mmの円盤状に切り出した。この円盤状のシート(厚さ1.5mm)の上記パターンにより圧縮された部分に対応する透明な部分の室温下における波長780nmの光のシート厚さ方向への透過率は45%であり、またそれ以外の不透明な部分の室温下における波長780nmの光のシート厚さ方向への透過率は25%であった。この円盤状のシートについて、さらに格子状の溝(深さ1.0mm、幅2.0mm、ピッチ15mm)を形成して単層型研磨パッドとした。
金属製ロールとゴムロールとのギャップ間隔を1.9mmから2.2mmに変更したこと以外は実施例1と同様の方法により、PU−1からなり厚さが2.3mmのシートを得た。このシートの表面を研削して厚さ1.5mmで、厚さが均一なシートを作製した。この厚さ1.5mmのシートの室温下における波長780nmの光のシート厚さ方向への透過率は25%であった。
PU−1を製造例2で得られたPU−2に代えたこと以外は実施例2と同様の方法により、PU−2からなり、パターンにより圧縮された部分(厚さ2.1mm)とそれ以外の部分(厚さ2.3mm)とを有するシートを得た。このシートは全面が不透明であった。
PU−1を製造例3で得られたPU−3に代えたこと以外は実施例2と同様の方法により、PU−3からなり、パターンにより圧縮された部分(厚さ2.1mm)とそれ以外の部分(厚さ2.3mm)とを有するシートを得た。このシートは全面が不透明であった。
Claims (8)
- シート状に押出された樹脂の少なくとも一部を圧縮し、当該圧縮部分における波長780nmの光の透過率を厚さ1.5mmあたり30%以上としたシートを得る工程、および当該シートから研磨層を形成する工程を含む、研磨パッドの製造方法であって、
前記樹脂が高分子ジオール、有機ジイソシアネートおよび鎖伸長剤から製造される熱可塑性ポリウレタンであり、前記熱可塑性ポリウレタンにおけるイソシアネート基由来の窒素原子の含有率が4.8〜6.0質量%である、研磨パッドの製造方法。 - 上記高分子ジオールの数平均分子量が1400〜3600である請求項1に記載の製造方法。
- 上記圧縮において、圧縮部分における圧縮前の厚さに対する圧縮後の厚さの比率が70〜95%である請求項1または2に記載の製造方法。
- 圧縮前の樹脂の温度が当該樹脂の軟化温度以上である請求項1〜3のいずれかに記載の製造方法。
- 研磨層が、波長780nmの光の透過率が厚さ1.5mmあたり30%以上である部分と、波長780nmの光の透過率が厚さ1.5mmあたり30%未満である部分とを有する請求項1〜4のいずれかに記載の製造方法。
- 研磨層が無発泡構造である請求項1〜5のいずれかに記載の製造方法。
- 請求項1〜6のいずれかに記載の製造方法により製造された研磨パッドを用いるシリコンウェハまたは半導体ウェハの研磨方法。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の製造方法により製造された研磨パッドを用いる半導体デバイスの製造方法。
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