TWI490084B - A circular polishing pad and a method for manufacturing the same, and a method for manufacturing the semiconductor element - Google Patents

A circular polishing pad and a method for manufacturing the same, and a method for manufacturing the semiconductor element Download PDF

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Description

圓形研磨墊和其製造方法、及半導體元件之製造方法 發明領域
本發明是有關於一種於研磨反射鏡等光學材料、矽晶圓、硬碟用之玻璃基板、及鋁基板等之表面之際使用的研磨墊(粗磨用或拋光用)。
 發明背景
於製造半導體裝置之際，進行藉於晶圓表面形成導電性膜並進行光刻、蝕刻等而形成配線層之製程及於配線層上形成層間絕緣膜之製程等，因該等製程，而於晶圓表面產生由金屬等導電體或絕緣體形成之凹凸。近年，以半導體積體電路之高密度化為目的，發展了配線之細微化及多層配線化，伴隨此，將晶圓表面之凹凸平坦化之技術日趨重要。
將晶圓表面之凹凸平坦化之方法一般採用化學機械研磨(以下稱為CMP)。CMP是在將晶圓之被研磨面按壓於研磨墊之研磨面之狀態下使用磨料分散之漿狀研磨劑(以下稱為漿劑)來研磨的技術。一般在CMP使用之研磨裝置如圖1所示，包含有支撐研磨墊1之研磨平台2、支撐被研磨 材(半導體晶圓)4之支撐台(研磨頭)5、用以進行晶圓之均一加壓之支材及漿劑之供給設備。研磨墊1藉例如以雙面膠帶貼附而裝設於研磨平台2。研磨平台2與支撐台5配置成各自所支撐之研磨墊1與被研磨材4對向，並分別具有旋轉軸6、7。又，於支撐台5側設有用以將被研磨材4按壓於研磨墊1之加壓設備。
通常，研磨墊之與被研磨材接觸之研磨表面具有用以保持、更新漿劑之溝。習知之研磨墊之溝形狀可舉放射狀、同心圓狀、XY格子狀及螺旋狀等為例。在CMP程序中，供至研磨墊之中心部之漿劑藉因研磨墊之旋轉而產生之離心力從中心往外側順著溝流動，最後排出至研磨墊外。
通常研磨表面之溝為了將漿劑均一地供至研磨表面，乃有規律地配置。舉例言之，為XY格子狀時，配置成X溝與Y溝之交點與研磨墊之中心點一致。又，為螺旋狀時，配置成螺旋之起點與研磨墊之中心點一致。
然而，當有規律地配置研磨表面之溝時，因溝圖形之影響，有於被研磨材之表面產生研磨不均(研磨痕)之情形。習知，為使此研磨不均減低，一面使研磨支撐台(研磨頭)5於研磨平台2之半徑方向來回移動，一面進行CMP。此來回移動一般稱為「搖動」或「振盪」。
然而，使支撐台5來回移動時，被研磨材位置偏移，或易損傷。又，必須使用具有振盪設備之高價CMP裝置。又，因使用之CMP裝置，而有振盪設備之差異，振盪之調整繁雜。又，長時間進行CMP時，僅振盪，並不易抑 制研磨不均。
為抑制此研磨不均，在專利文獻1中，提出了一種研磨墊，該研磨墊為圓形之研磨墊，該圓形之研磨墊於表面具有螺旋狀之溝圖形之溝，前述溝圖形之中心點從該圓形研磨墊之中心點偏移。
又，專利文獻2中，提出了一種溝圖形之對稱軸從研磨墊表面之中心點偏移之研磨墊。
然而，習知之研磨墊之研磨不均的抑制效果並不夠。
先行技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利公開公報2008-290197號
專利文獻2：美國專利申請公開第2009/0081932號說明書
 發明概要
本發明是以提供可有效地抑制被研磨材表面之研磨不均之圓形研磨墊為目的。
本案發明人等為解決前述課題，反覆致力檢討，結果，發現藉以下所示之研磨墊可達成上述目的，而臻至完成本發明。
即，本發明有關於一種圓形研磨墊，該圓形研磨 墊包含有於研磨表面具有XY格子溝之圓形研磨層，其特徵在於，圓形研磨層之中心點偏移至以以下3個假想直線A、B及C包圍之區域Z內(包含假想直線上)。
假想直線A：連結使X溝或Y溝上之點往垂直相交於該X溝或Y溝之方向移動溝間距之5%之點的直線；假想直線B：連結使XY格子溝之其中一對角線D上之點往垂直相交於該對角線D之方向移動溝間距之5%之點的直線；假想直線C：連結使XY格子溝之另一對角線E上之點往垂直相交於該對角線E之方向移動溝間距之5%之點的直線。
如本發明般，藉將圓形研磨層之中心點偏移至區域Z內(包含假想直線上)，在研磨時，可使被研磨面與溝之對向狀態不均一。藉此，由於溝不致一直對向於被研磨面之特定部份，可均一地研磨被研磨面整面，故可有效地抑制研磨不均之產生。
圓形研磨層之中心點配置於偏移區域Z外時，具體言之，配置成X溝與Y溝之交點一致時、配置於X溝或Y溝上時、配置於XY格子溝之對角線上時、或偏移之程度不到溝間距之5%時，在研磨時，無法使被研磨面與溝之對向狀態充分地不均一。結果，溝一直對向於被研磨面之特定部份，不均一地研磨被研磨面，而易產生研磨不均。特別是被研磨面之中心部份過度研磨或研磨不足，而易於被研磨面之中心部份產生研磨不均。
又，本發明有關於一種圓形研磨墊之製造方法，該圓形研磨墊之製造方法為前述圓形研磨墊之製造方法，其包含有以下製程：(1)於研磨片形成XY格子溝；(2)以偏移至區域Z內之中心點為基準，將研磨片切斷成圓形，以製作圓形研磨層。
再者，本發明有關於一種半導體元件之製造方法，包含有使用前述圓形研磨墊來研磨半導體晶圓之表面之製程。
本發明之圓形研磨墊如上述，由於圓形研磨層之中心點偏移至特定之區域內，故可有效地抑制被研磨材表面之研磨不均。
1‧‧‧研磨墊(圓形研磨墊)
2‧‧‧研磨平台
3‧‧‧研磨劑(漿劑)
11‧‧‧假想直線C
12‧‧‧X溝
13‧‧‧Y溝
4‧‧‧被研磨材(半導體晶圓)
5‧‧‧支撐台(研磨頭)
6，7‧‧‧旋轉軸
8‧‧‧偏移區域Z
9‧‧‧假想直線A
10‧‧‧假想直線B
14‧‧‧對角線D
15‧‧‧對角線E
16‧‧‧假想直線F
17‧‧‧中央線G
18‧‧‧X溝與Y溝之交點
圖1是顯示在CMP研磨使用之研磨裝置之一例的概略結構圖。
圖2是顯示本發明之偏移區域Z之概略圖。
圖3是顯示本發明之偏移區域Z之較佳範圍的概略圖。
圖4是顯示使用第1實施例之圓形研磨墊來研磨晶圓後之被研磨面之狀態的照片。
圖5是使用第1比較例之圓形研磨墊來研磨晶圓後之被研磨面之狀態的照片。
 用以實施發明之形態
本發明之圓形研磨層之材料未特別限定，可舉聚 氨酯樹脂、聚酯樹脂、聚醯胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂、鹵素系樹脂(聚氯乙烯、聚四氟乙烯、聚偏二氟乙烯等)、聚苯乙烯、烯烴系樹脂(聚乙烯、聚丙烯等)、環氧樹脂及感光性樹脂等為例。聚氨酯樹脂之耐磨性優異，藉將原料組成作各種改變，可調整成所期之物性，故宜作為圓形研磨層之材料。
圓形研磨層可為發泡體，亦可為非發泡體，以以聚氨酯樹脂發泡體形成為佳。
聚氨酯樹脂發泡體之製造方法可舉添加中空微珠之方法、機械發泡法、化學發泡法等為例。
聚氨酯樹脂發泡體之平均氣泡徑以30~80μm為佳，較佳為30~60μm。超出此範圍時，有研磨速度降低或研磨後之被研磨材(晶圓)之平面性(平坦性)降低之傾向。
聚氨酯樹脂發泡體之比重以0.5~1.3為佳。當比重不到0.5時，有圓形研磨層之表面強度降低且被研磨材之平面性降低之傾向。又，當大於1.3時，有圓形研磨層表面之氣泡數減少且平面性良好但研磨速度降低之傾向。
聚氨酯樹脂發泡體之硬度藉ASKER-D型硬度計，以45~70度為佳。當ASKER-D型硬度不到45度時，被研磨材之平面性降低，又，當大於70度時，有平面性良好但被研磨材之均勻性(均一性)降低之傾向。
圓形研磨層之大小非特別限定，通常為直徑30~100cm左右。
亦可於圓形研磨層設有光學終點檢測用窗(光透 過區域)。
圓形研磨層之厚度非特別限定，通常為0.8~4mm左右，以1.5~2.5mm為佳。製作前述厚度之圓形研磨層之方法可舉使用帶鋸方式或刨方式之切片機將發泡體塊切成預定厚度之方法、使樹脂流入具有預定厚度之模穴之模具並使其硬化之方法、及使用塗布技術或板成形技術之方法等。
以下，就圓形研磨層之中心點偏移至區域Z內(包含假想直線上)之圓形研磨墊詳細地說明。
圖2是顯示本發明之偏移區域Z之概略圖。
如圖2所示，偏移區域Z(8)是以下述3條假想直線A(9)、B(10)及C(11)包圍之區域，於1個XY格子溝內存在4處。
假想直線A(9)：連結使X溝12或Y溝13上之點往垂直相交於該X溝12或Y溝13之方向移動溝間距之5%之點的直線
假想直線B(10)：連結使XY格子溝之其中一對角線D(14)上之點往垂直相交於對角線D(14)之方向移動溝間距之5%之點的直線
假想直線C(11)：連結使XY格子溝之另一對角線E(15)上之點往垂直相交於對角線E(15)之方向移動溝間距之5%之點的直線
假想直線B(10)以連結使XY格子溝之其中一對角線D(14)上之點往垂直相交於對角線D(14)之方向移動溝間距之10%之點的直線為佳，以15%為更佳。
假想直線C(11)以連結使XY格子溝之另一對角線E(15)上之點往垂直相交於對角線E(15)之方向移動溝間距之10%之點的直線為佳，以15%為更佳。
圖3是顯示本發明之偏移區域Z之較佳範圍的概略圖。
如圖3所示，偏移區域Z(8)是以3條假想直線A(9)、B(10)或C(11)、及F(16)包圍之區域，於1個XY格子溝內存在8處。假想直線F(16)是使通過相鄰之2個X溝(12)或相鄰之2個Y溝(13)之中央的中央線G(17)平行地移動溝間距之5%(較佳為10%，更佳為15%)的直線。藉使圓形研磨層之中心點偏移至上述範圍，可更有效地抑制被研磨材表面之研磨不均。
溝間距未特別限制，通常為5~50mm，較佳為10~45mm，更佳為15~40mm。
溝寬度亦未特別限制，通常為0.8~7mm，較佳為1~4mm，更佳為1.2~2mm。
溝深度按圓形研磨層之厚度適直調整，通常為0.2~1.2mm，較佳為0.4~1mm，更佳為0.5~0.8mm。
可藉例如於製作成預定厚度之研磨片形成XY格子溝，之後，以偏移至區域Z內之中心點為基準，將研磨片切斷成圓形，製造本發明之圓形研磨層。
本發明之圓形研磨墊可僅為前述圓形研磨層，亦可為圓形研磨層與其他層(例如緩衝層、支撐薄膜、接著層、黏著層等)之積層體。
緩衝層是補充圓形研磨層之特性之層。緩衝層是在CMP中為使有互償之關係之平面性與均勻性兩者並立所需之層。平面性是指研磨有形成圖形時產生之微小凹凸之被研磨材時的圖形部之平坦性，均勻性是指被研磨材整體之均一性。藉圓形研磨層之特性，改善平面性，藉緩衝層之特性，改善均勻性。在本發明之圓形研磨墊，緩衝層以使用較圓形研磨層柔軟之層為佳。
緩衝層可舉聚酯不織布、尼龍不織布、丙烯酸不織布等纖維不織布、諸如浸滲有聚氨酯之聚酯不織布之樹脂浸滲不織布、聚氨酯發泡體、聚乙烯發泡體等高分子樹脂發泡體、丁二烯橡膠、異戊二烯橡膠等橡膠性樹脂、感光性樹脂等為例。
使圓形研磨層與緩衝層貼合之手段可舉以雙面膠帶夾壓圓形研磨層與緩衝層之方法為例。
雙面膠帶是具有於不織布或薄膜等基材之兩面設有接著層之一般結構的膠帶。當考慮防止漿劑對緩衝層之浸透等時，宜於基材使用薄膜。又，接著層之組成可舉橡膠系接著劑或丙烯酸系接著劑等為例。當考慮金屬離子之含有量時，丙烯酸系接著劑因金屬離子含有量少，故較佳。又，由於亦有圓形研磨層與緩衝層組成不同之情形，故亦可使雙面膠帶之各接著層之組成不同，而將各層之接著力適當化。
本發明之圓形研磨墊亦可於與平台板接著之面設雙面膠帶。雙面膠帶與上述同樣地可使用於基材之兩面 設有接著層之一般結構的膠帶。基材可舉例如不織布或薄膜等為例。若考慮圓形研磨墊使用後從平台板之剝離，宜於基材使用薄膜。又，接著層之組成可舉例如橡膠系接著劑或丙烯酸系接著劑等為例。當考慮金屬離子之含有量時，丙烯酸系接著劑由於金屬離子含有量少，故較佳。
半導體元件經由使用前述圓形研磨墊來研磨半導體晶圓之表面的製程製造。半導體晶圓為一般於矽晶圓上積層有配線金屬及氧化膜之半導體晶圓。半導體晶圓之研磨方法、研磨裝置未特別限制，舉例言之，如圖1所示，使用下述研磨裝置等來進行，前述研磨裝置包含有支撐圓形研磨墊(圓形研磨層)1之研磨平台2、支撐半導體晶圓4之支撐台(研磨頭)5、用以進行對晶圓之均一加壓之支材及研磨劑3之供給設備。圓形研磨墊1藉例如以雙面膠帶貼附而裝設於研磨平台2。研磨平台2與支撐台5分別配置成各自所支撐之圓形研磨墊1與半導體晶圓4對向，並分別具有旋轉軸6、7。又，於支撐台5側設有用以將半導體晶圓4按壓至圓形研磨墊1之加壓設備。研磨之際，一面使研磨平台2與支撐台5旋轉，一面將半導體晶圓4按壓至圓形研磨墊1，供給漿劑，同時進行研磨。漿劑之流量、研磨載重、研磨平台轉速及晶圓轉速未特別限制，適宜地調整進行。
藉此，去除半導體晶圓4之表面之突出之部份而研磨成平坦狀。之後，藉切割、結合、封裝等，製造半導體元件。半導體元件用於運算處理裝置或記憶體等。
實施例
以下，舉實施例為例來說明本發明，本發明不限於該等實施例。
第1實施例
將聚醚系預聚合物(Uniroyal公司製、Adiprene L-325、NCO濃度：2.22meq/g)100重量部、及矽系界面活性劑(Dow Corning Toray公司製、SH-192)3重量部加入聚合容器內混合，調整成80℃後減壓除氣。之後，使用動葉輪，以轉速900rpm強力地進行攪拌約4分鐘，以將氣泡取入反應系統內。將業經預先以120℃熔融之4,4’-亞甲雙(鄰氯苯胺)(Ihara Chemical公司製、IHARACUAMINE-MT)26重量部添加至該反應系統。之後，持續攪拌約1分鐘，將反應溶液流入皿型敞模。在此反應溶液之流動性消失之時間點，放入爐內，以110℃進行後硬化6小時，而獲得了聚氨酯樹脂發泡塊。
使用切片機(AMITEC公司製、VGW-125)將加熱至約80℃之前述聚氯酯樹脂發泡塊切片，而獲得了由聚氨酯樹脂發泡體構成之研磨片(平均氣泡徑：50μm、比重：0.86、硬度：52度)。接著，使用擦光機(AMITEC公司製)，進行研磨片之表面擦光處理至形成為厚度1.27mm為止，而調整了厚度精確度。然後，使用溝加工機(TECHNO公司製)，對研磨片之表面進行溝寬度2mm、溝間距25mm、溝深度0.6mm之XY格子狀的溝加工。
之後，以X溝與Y溝之交點(座標(0mm、0mm))為基準，將座標(2.5mm、10mm)之位置作為偏移中心點。然後，以偏移中心點為基準，將研磨片切斷成直徑61cm之圓形，製 作了圓形研磨層。使用貼合機，將雙面膠帶(積水化學工業公司製、雙面黏性帶(double tack tape))貼附於圓形研磨層之溝加工面之反側之面。進一步，將業經進行電暈放電處理之緩衝片(Toray公司製、聚乙烯發泡體、TORAYPEF、厚度0.8mm)之表面進行擦光處理，使用貼合機，將此貼合於前述雙面膠帶。接著，使用貼合機，將雙面膠帶貼合於緩衝片之另一面而製作了圓形研磨墊。
第2~第5實施例、第1~第4比較例
除了將溝間距及圓形研磨層之中心點之座標變更成表1之值以外，其餘以與第1實施例同樣之方法，製作了圓形研磨墊。
評價方法
研磨不均之評價
使用SPP600S(岡本工作機械公司製)作為研磨裝置，使用所製作之圓形研磨墊，將於8吋之矽晶圓上製作了熱氧化膜10000Å之晶圓每1片研磨2分鐘。之後，目視觀察晶圓之被研磨面之研磨不均，以下述基準評價。
○：無同心圓狀之條紋圖案的不均。
×：有同心圓狀之條紋圖案的不均。
此外，研磨條件為將以超純水將SS-25(卡博特公司製)稀釋成2倍之漿劑於研磨中以流量150ml/min添加，研磨載重為254g/cm2 ，研磨平台轉速為90rpm及晶圓轉速為91rpm。又，於研磨前，使用修整器(旭鑽石工業公司製、M100型)，將圓形研磨墊之表面進行修整處理20秒。修整條 件為修整載重10g/cm2 、研磨平台轉速30rpm、及修整轉速15rpm。
圖4是顯示使用第1實施例之圓形研磨墊來研磨晶圓後之被研磨面之狀態的照片。可知被研磨面無同心圓狀之研磨不均，均一地被研磨。圖5是顯示使用第1比較例之圓形研磨墊來研磨晶圓後之被研磨面之狀態的照片。可知被研磨面之中心部份有同心圓狀之研磨不均。
產業上之可利用性
本發明之圓形研磨墊可穩定且以高研磨效率進行要求透鏡、反射鏡等光學材料或矽晶圓、鋁基板及一般金屬研磨加工等之高度表面平坦性之材料的平坦化。本發明之圓形研磨墊可特別適合用於將矽晶圓、以及於其上形成有氧化物層、金屬層等之元件、還有積層、形成該等氧化物層及金屬層前平坦化的製程。
8‧‧‧偏移區域Z
9‧‧‧假想直線A
10‧‧‧假想直線B
11‧‧‧假想直線C
12‧‧‧X溝
13‧‧‧Y溝
14‧‧‧對角線D
15‧‧‧對角線E
18‧‧‧X溝與Y溝之交點

Claims (3)

  1. 一種圓形研磨墊，包含有於研磨表面具有XY格子溝之圓形研磨層，其特徵在於：圓形研磨層之中心點偏移至以以下3個假想直線A、B及C包圍之區域Z內(包含假想直線上)，假想直線A：連結使X溝或Y溝上之點往垂直相交於該X溝或Y溝之方向移動溝間距之5%之點的直線；假想直線B：連結使XY格子溝之其中一對角線D上之點往垂直相交於該對角線D之方向移動溝間距之5%之點的直線；假想直線C：連結使XY格子溝之另一對角線E上之點往垂直相交於該對角線E之方向移動溝間距之5%之點的直線。
  2. 一種圓形研磨墊之製造方法，是如請求項1之圓形研磨墊之製造方法，其包含有以下製程：(1)於研磨片形成XY格子溝；及(2)以偏移至區域Z內之中心點為基準，將研磨片切斷成圓形，以製作圓形研磨層。
  3. 一種半導體元件之製造方法，包含有使用如請求項1之圓形研磨墊來研磨半導體晶圓之表面之製程。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI549781B (zh) * 2015-08-07 2016-09-21 智勝科技股份有限公司 研磨墊、研磨系統及研磨方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5650039A (en) * 1994-03-02 1997-07-22 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with improved slurry distribution
TWI228768B (en) * 2002-08-08 2005-03-01 Jsr Corp Processing method of polishing pad for semiconductor wafer and polishing pad for semiconductor wafer
JP2007144532A (ja) * 2005-11-24 2007-06-14 Nitta Haas Inc 研磨パッド
TW200933719A (en) * 2008-01-30 2009-08-01 Iv Technologies Co Ltd Polishing method, polishing pad and polishing system
JP2010045306A (ja) * 2008-08-18 2010-02-25 Kuraray Co Ltd 研磨パッド
TW201021972A (en) * 2008-09-17 2010-06-16 Kuraray Co Polishing pad
TW201235154A (en) * 2011-01-26 2012-09-01 Nexplanar Corp Polishing pad with concentric or approximately concentric polygon groove pattern
TW201242714A (en) * 2011-02-15 2012-11-01 Toray Industries Polishing pad

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7059948B2 (en) * 2000-12-22 2006-06-13 Applied Materials Articles for polishing semiconductor substrates
JP2004146704A (ja) * 2002-10-25 2004-05-20 Jsr Corp 半導体ウェハ用研磨パッドの加工方法及び半導体ウェハ用研磨パッド
JP2007201449A (ja) * 2005-12-28 2007-08-09 Jsr Corp 化学機械研磨パッドおよび化学機械研磨方法
JP2008290197A (ja) * 2007-05-25 2008-12-04 Nihon Micro Coating Co Ltd 研磨パッド及び方法
US9180570B2 (en) * 2008-03-14 2015-11-10 Nexplanar Corporation Grooved CMP pad

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5650039A (en) * 1994-03-02 1997-07-22 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with improved slurry distribution
TWI228768B (en) * 2002-08-08 2005-03-01 Jsr Corp Processing method of polishing pad for semiconductor wafer and polishing pad for semiconductor wafer
JP2007144532A (ja) * 2005-11-24 2007-06-14 Nitta Haas Inc 研磨パッド
TW200933719A (en) * 2008-01-30 2009-08-01 Iv Technologies Co Ltd Polishing method, polishing pad and polishing system
JP2010045306A (ja) * 2008-08-18 2010-02-25 Kuraray Co Ltd 研磨パッド
TW201021972A (en) * 2008-09-17 2010-06-16 Kuraray Co Polishing pad
TW201235154A (en) * 2011-01-26 2012-09-01 Nexplanar Corp Polishing pad with concentric or approximately concentric polygon groove pattern
TW201242714A (en) * 2011-02-15 2012-11-01 Toray Industries Polishing pad

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