WO2014103484A1 - 積層研磨パッドの製造方法 - Google Patents

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Definitions

  • the present invention is a laminate for performing planarization processing of optical materials such as lenses and reflection mirrors, silicon wafers, glass substrates for hard disks, aluminum substrates, and materials that require high surface flatness such as general metal polishing processing.
  • the present invention relates to a method for manufacturing a polishing pad.
  • a step of forming a conductive layer on the wafer surface and forming a wiring layer by photolithography, etching, or the like, or a step of forming an interlayer insulating film on the wiring layer cause irregularities made of a conductor such as metal or an insulator on the wafer surface.
  • miniaturization of wiring and multilayer wiring have been advanced for the purpose of increasing the density of semiconductor integrated circuits, and along with this, technology for flattening the irregularities on the wafer surface has become important.
  • a polyurethane resin foam sheet is generally used as a polishing pad used for high-precision polishing.
  • the polyurethane resin foam sheet is excellent in local flattening ability, it is difficult to apply a uniform pressure to the entire wafer surface because of insufficient cushioning properties. For this reason, usually, a soft cushion layer is separately provided on the back surface of the polyurethane resin foam sheet, and used as a laminated polishing pad for polishing (Patent Document 1).
  • a semiconductor wafer polishing pad has been developed in which a polishing layer, a second layer having a higher elastic modulus than the polishing layer, and a third layer having a lower elastic modulus than the second layer are stacked in this order (patent).
  • Reference 2 a semiconductor wafer polishing pad has been developed in which a polishing layer, a second layer having a higher elastic modulus than the polishing layer, and a third layer having a lower elastic modulus than the second layer are stacked in this order (patent).
  • the laminated polishing pad having concentric grooves for holding and renewing the slurry manufactured by the conventional manufacturing method has a problem that the polishing layer and the support layer such as the cushion layer are easily peeled off.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a method for producing a polishing pad in which the polishing layer and the support layer are difficult to peel off.
  • the present invention includes a step of forming concentric circular grooves and an outer peripheral region having a width of 1 ⁇ 2 or more of the groove pitch of the concentric circular grooves on a circular polishing sheet, and laminating the circular polishing sheet and a support layer together with an adhesive member. It is a manufacturing method of the lamination
  • the present invention provides a laminated circular polishing pad in which a circular polishing layer and a support layer are laminated via an adhesive member, wherein the polishing layer has concentric grooves, and the polishing layer has the concentric grooves.
  • the laminated circular polishing pad is characterized by having an outer peripheral region in which is not formed, and the width of the outer peripheral region is 1/2 or more of the groove pitch of the concentric circular grooves.
  • the present invention also relates to a method for manufacturing a semiconductor device including a step of polishing a surface of a semiconductor wafer using the laminated circular polishing pad.
  • the method for producing a laminated circular polishing pad of the present invention includes a step of forming concentric grooves on the circular polishing sheet and an outer peripheral region having a width of 1/2 or more of the groove pitch of the concentric grooves. Therefore, when the circular polishing sheet and the support layer are pressed and bonded together in the step of manufacturing the laminated polishing sheet by bonding the circular polishing sheet and the support layer via an adhesive member, the groove pitch of the concentric groove is 1 Since the pressure can be firmly applied to the ends of the circular polishing sheet and the support layer through the outer peripheral region having a width of 1 ⁇ 2 or more, a sufficient adhesive force can be secured to the ends of the laminated circular polishing pad. Therefore, according to this invention, the manufacturing method of the lamination
  • the polishing layer has an outer peripheral region in which the concentric grooves are not formed, and the width of the outer peripheral region is 1/2 or more of the groove pitch of the concentric grooves. Therefore, when attaching the laminated circular polishing pad to the platen or the like of the polishing apparatus, it is possible to apply pressure firmly to the end of the laminated circular polishing pad, so that sufficient adhesive force is secured to the end of the laminated polishing pad. Can do. Therefore, according to the present invention, it is possible to provide a laminated polishing pad that is difficult to peel from the polishing apparatus.
  • the manufacturing method of the laminated polishing pad of this embodiment includes a step of forming concentric grooves on the circular polishing sheet and an outer peripheral region having a width of 1/2 or more of the groove pitch of the concentric grooves, and bonding the circular polishing sheet and the support layer. It includes a step of producing a laminated abrasive sheet by bonding through a member.
  • the circular polishing sheet is not particularly limited as long as it is a foam having fine bubbles.
  • polyurethane resin polyurethane resin, polyester resin, polyamide resin, acrylic resin, polycarbonate resin, halogen resin (polyvinyl chloride, polytetrafluoroethylene, polyvinylidene fluoride, etc.), polystyrene, olefin resin (polyethylene, polypropylene, etc.), epoxy resin 1 type, or 2 or more types of mixtures, such as a photosensitive resin, is mentioned.
  • Polyurethane resin is a particularly preferable material for forming the polishing layer because it has excellent wear resistance and a polymer having desired physical properties can be easily obtained by variously changing the raw material composition.
  • the polyurethane resin will be described on behalf of the foam.
  • the polyurethane resin is composed of an isocyanate component, a polyol component (high molecular weight polyol, low molecular weight polyol), and a chain extender.
  • the isocyanate component a known compound in the field of polyurethane can be used without particular limitation.
  • the isocyanate component 2,4-toluene diisocyanate, 2,6-toluene diisocyanate, 2,2′-diphenylmethane diisocyanate, 2,4′-diphenylmethane diisocyanate, 4,4′-diphenylmethane diisocyanate, 1,5-naphthalene diisocyanate, aromatic diisocyanates such as p-phenylene diisocyanate, m-phenylene diisocyanate, p-xylylene diisocyanate, m-xylylene diisocyanate; ethylene diisocyanate, 2,2,4-trimethylhexamethylene diisocyanate, 1,6-hexamethylene diisocyanate, etc.
  • Aliphatic diisocyanate 1,4-cyclohexane diisocyanate, 4,4'-dicyclohexylmethane diisocyanate, isophorone diisocyanate Isocyanate, alicyclic diisocyanates such as norbornane diisocyanate. These may be used alone or in combination of two or more.
  • Examples of the high molecular weight polyol include those usually used in the technical field of polyurethane. Examples include polyether polyols typified by polytetramethylene ether glycol, polyethylene glycol, etc., polyester polyols typified by polybutylene adipate, polycaprolactone polyols, reactants of polyester glycols such as polycaprolactone and alkylene carbonate, etc. Polyester polycarbonate polyol obtained by reacting ethylene carbonate with polyhydric alcohol and then reacting the obtained reaction mixture with organic dicarboxylic acid, polycarbonate polyol obtained by transesterification of polyhydroxyl compound and aryl carbonate Etc. These may be used alone or in combination of two or more.
  • low molecular weight polyamines such as ethylenediamine, tolylenediamine, diphenylmethanediamine, and diethylenetriamine
  • alcohol amines such as monoethanolamine, 2- (2-aminoethylamino) ethanol, and monopropanolamine can be used in combination.
  • These low molecular weight polyols and low molecular weight polyamines may be used alone or in combination of two or more.
  • the blending amount of the low molecular weight polyol, the low molecular weight polyamine or the like is not particularly limited, and is appropriately determined depending on the properties required for the polishing pad (polishing layer) to be produced.
  • a chain extender is used for curing the prepolymer.
  • the chain extender is an organic compound having at least two active hydrogen groups, and examples of the active hydrogen group include a hydroxyl group, a primary or secondary amino group, and a thiol group (SH).
  • the ratio of the isocyanate component, the polyol component, and the chain extender can be variously changed depending on the molecular weight of each, the desired physical properties of the polishing pad, and the like.
  • the number of isocyanate groups of the isocyanate component relative to the total number of active hydrogen groups (hydroxyl group + amino group) of the polyol component and the chain extender is 0.80 to 1.20. Is more preferable, and 0.99 to 1.15 is more preferable. When the number of isocyanate groups is outside the above range, curing failure occurs and the required specific gravity and hardness cannot be obtained, and the polishing characteristics tend to be deteriorated.
  • the polyurethane resin foam can be produced by applying a known urethanization technique such as a melting method or a solution method, but is preferably produced by a melting method in consideration of cost, working environment, and the like.
  • the polyurethane resin foam can be produced by either the prepolymer method or the one-shot method.
  • an isocyanate-terminated prepolymer is synthesized beforehand from an isocyanate component and a polyol component, and this is reacted with a chain extender.
  • the polymer method is preferred because the resulting polyurethane resin has excellent physical properties.
  • Examples of the method for producing a polyurethane resin foam include a method of adding hollow beads, a mechanical foaming method, and a chemical foaming method.
  • a mechanical foaming method using a silicon surfactant which is a copolymer of polyalkylsiloxane and polyether and does not have an active hydrogen group is preferable.
  • stabilizers such as antioxidants, lubricants, pigments, fillers, antistatic agents, and other additives may be added.
  • the polyurethane resin foam may be a closed cell type or an open cell type.
  • Polyurethane resin foam can be manufactured by batch feeding each component into a container and stirring, or by continuously supplying each component and non-reactive gas to the stirring device and stirring, It may be a continuous production method in which a dispersion is sent out to produce a molded product.
  • the prepolymer that is the raw material of the polyurethane resin foam is placed in a reaction vessel, and then a chain extender is added and stirred, and then poured into a casting mold of a predetermined size to produce a block, and the block is shaped like a bowl or a band saw.
  • a thin sheet may be used.
  • a raw material resin may be dissolved and extruded from a T-die to directly obtain a sheet-like polyurethane resin foam.
  • the thickness of the circular abrasive sheet is not particularly limited, but is usually about 0.8 to 4 mm, preferably 1.2 to 2.5 mm.
  • the average cell diameter of the polyurethane resin foam is preferably 30 to 80 ⁇ m, more preferably 30 to 60 ⁇ m. When deviating from this range, the polishing rate tends to decrease, or the planarity of the polished material (wafer) after polishing tends to decrease.
  • the specific gravity of the polyurethane resin foam is preferably 0.5 to 1.3.
  • the specific gravity is less than 0.5, the surface strength of the polishing layer decreases, and the planarity of the material to be polished tends to decrease.
  • the ratio is larger than 1.3, the number of bubbles on the surface of the polishing layer is reduced and planarity is good, but the polishing rate tends to decrease.
  • the hardness of the polyurethane resin foam is preferably 40 to 75 degrees as measured by an Asker D hardness meter.
  • Asker D hardness is less than 40 degrees, the planarity of the material to be polished is lowered, and when it is larger than 75 degrees, the planarity is good, but the uniformity (uniformity) of the material to be polished is lowered. There is a tendency.
  • the method for forming concentric circular grooves in the circular polishing sheet is not particularly limited.
  • a method of machine cutting using a jig such as a tool of a predetermined size, a resin in a mold having a predetermined surface shape, and the like.
  • FIG. 2 and 3 are schematic configuration diagrams of a circular polishing sheet having a concentric circular groove and an outer peripheral region having a width larger than 1/2 of the groove pitch of the concentric circular groove.
  • a circular polishing sheet 8 is used for the polishing layer of the polishing pad
  • the polishing surface that comes into contact with the material to be polished has concentric grooves (recesses) 10 for holding and updating the slurry.
  • the polishing layer has concentric grooves on the polishing surface, the slurry can be efficiently held and renewed, and the material to be polished can be prevented from being broken due to adsorption with the material to be polished.
  • the groove width, groove depth, and groove pitch of the groove 10 are not particularly limited, but usually the groove width is about 0.1 to 5 mm, the groove depth is about 0.1 to 2 mm, and the groove pitch is 0.8 to 5
  • the thickness is about 0.0 mm, preferably 1.5 to 4.0 mm.
  • the width of the outermost peripheral portion 9 of the circular polishing sheet 8 of the present embodiment is 1/2 or more of the groove pitch of the concentric circular grooves 10, preferably the groove pitch or more, and more preferably wider than the groove pitch. When the width of the outermost peripheral portion 9 of the circular polishing sheet 8 of the present embodiment is less than 1 ⁇ 2 of the groove pitch of the concentric circular grooves 10, the outermost peripheral portion is easily deformed, so that the polishing sheet and the support layer are pressed.
  • the top part of the outermost peripheral part 9 of the circular polishing sheet 8 of this embodiment exists on the same plane as the top part of the convex part between concentric circular grooves.
  • the groove pitch of the grooves 10 is generally constant, the groove pitch, groove width, groove depth, etc. may be changed for each range in order to make the slurry retention and renewability desirable. it can.
  • the width of the outermost peripheral portion 9 is 1/2 or more of the groove pitch closest to the outermost peripheral portion 9, and preferably equal to or larger than the groove pitch. More preferably, it is wider than the groove pitch.
  • the upper limit of the width of the outermost peripheral portion 9 is not particularly limited, but is preferably not more than twice the groove pitch of the concentric circular grooves 10 from the viewpoint of not impairing the effect of holding and updating the slurry of the grooves 10.
  • the width of the outermost peripheral part 9 is such that when pressing and bonding the polishing sheet and the support layer, pressure is firmly applied to the ends of the polishing sheet and the support layer, and when the polishing pad is attached to the surface plate, the polishing pad From the viewpoint of applying pressure firmly to the end of the groove, it is preferable that the groove is larger than the groove depth of adjacent grooves.
  • the support layer supplements the characteristics of the polishing layer.
  • a layer having a lower elastic modulus than the polishing layer (cushion layer) may be used, or a layer having a higher elastic modulus than the polishing layer (high elastic layer) may be used.
  • the cushion layer is necessary in order to achieve both planarity and uniformity in a trade-off relationship in CMP. Planarity refers to the flatness of a pattern portion when a material having fine irregularities generated during pattern formation is polished, and uniformity refers to the uniformity of the entire material to be polished.
  • the planarity is improved by the characteristics of the polishing layer, and the uniformity is improved by the characteristics of the cushion layer.
  • the high elastic layer is used for improving the planarization characteristics of the polishing pad when a soft polishing layer is used in CMP to suppress the occurrence of scratches.
  • a highly elastic layer it is possible to suppress excessive cutting of the edge portion of the material to be polished.
  • the cushion layer examples include fiber nonwoven fabrics such as polyester nonwoven fabric, nylon nonwoven fabric, and acrylic nonwoven fabric; resin-impregnated nonwoven fabrics such as polyester nonwoven fabric impregnated with polyurethane; polymer resin foams such as polyurethane foam and polyethylene foam; butadiene rubber And rubber resins such as isoprene rubber; and photosensitive resins.
  • the highly elastic layer examples include polyester films such as polyethylene terephthalate film and polyethylene naphthalate film; polyolefin films such as polyethylene film and polypropylene film; nylon films and the like.
  • the method of laminating the circular abrasive sheet and the support layer through an adhesive layer is not particularly limited as long as the circular abrasive sheet and the support layer are laminated together, and supports, for example, a hot melt adhesive sheet.
  • the pressing pressure is not particularly limited, but is about 0.1 to 1.0 MPa.
  • double-sided tape may be used instead of the adhesive layer made of hot melt adhesive.
  • the said double-sided tape what has the general structure which provided the adhesive layer on both surfaces of a base material can be used.
  • the base material can prevent the slurry from penetrating to the support layer side, and can prevent peeling between the support layer and the adhesive layer.
  • the substrate examples include polyester films such as polyethylene terephthalate film and polyethylene naphthalate film; polyolefin films such as polyethylene film and polypropylene film; nylon film and the like. Among these, it is preferable to use a polyester film having excellent properties for preventing water permeation.
  • the composition of the adhesive layer include rubber adhesives and acrylic adhesives.
  • the surface of the substrate may be subjected to easy adhesion treatment such as corona treatment or plasma treatment.
  • the thickness of the substrate is not particularly limited, but is preferably 10 to 180 ⁇ m from the viewpoint of transparency, flexibility, rigidity, and the like.
  • the thickness of the adhesive layer is preferably 10 to 200 ⁇ m, more preferably 30 to 100 ⁇ m.
  • the laminated circular polishing pad may be provided with a double-sided tape on the surface to be bonded to the platen.
  • the support layer and the double-sided tape may be the same size as the adhesive layer, and may be bonded to the polishing layer, or the sheet-like support layer and double-sided tape may be bonded to the polishing layer and then the size of the polishing layer. You may cut together.
  • the semiconductor device is manufactured through a step of polishing the surface of the semiconductor wafer using the polishing pad.
  • a semiconductor wafer is generally a laminate of a wiring metal and an oxide film on a silicon wafer.
  • the method and apparatus for polishing the semiconductor wafer are not particularly limited. For example, as shown in FIG. 1, a polishing surface plate 2 that supports the polishing pad 1, a support table (polishing head) 5 that supports the semiconductor wafer 4, and the wafer. This is performed using a backing material for performing uniform pressurization and a polishing apparatus equipped with a polishing agent 3 supply mechanism.
  • the polishing pad 1 is attached to the polishing surface plate 2 by attaching it with a double-sided tape, for example.
  • the polishing surface plate 2 and the support base 5 are disposed so that the polishing pad 1 and the semiconductor wafer 4 supported on each of the polishing surface plate 2 and the support table 5 face each other, and are provided with rotating shafts 6 and 7 respectively. Further, a pressurizing mechanism for pressing the semiconductor wafer 4 against the polishing pad 1 is provided on the support base 5 side. In polishing, the semiconductor wafer 4 is pressed against the polishing pad 1 while rotating the polishing surface plate 2 and the support base 5, and polishing is performed while supplying slurry.
  • the flow rate of the slurry, the polishing load, the polishing platen rotation speed, and the wafer rotation speed are not particularly limited and are appropriately adjusted.
  • a semiconductor device is manufactured by dicing, bonding, packaging, or the like.
  • the semiconductor device is used for an arithmetic processing device, a memory, and the like.
  • a glass substrate for a lens or hard disk can be finished and polished by the same method as described above.
  • the produced polyurethane foam was cut as thin as possible to a thickness of 1 mm or less in parallel with a microtome cutter, and used as a sample for measuring the average cell diameter.
  • the sample was fixed on a glass slide and observed at 100 times using SEM (S-3500N, Hitachi Science Systems, Ltd.).
  • SEM S-3500N, Hitachi Science Systems, Ltd.
  • the image analysis software WinRoof, Mitani Shoji Co., Ltd.
  • the polishing load was 5 psi
  • the polishing platen rotation speed was 120 rpm
  • the wafer rotation speed was 120 rpm.
  • a dresser M100 type, manufactured by Asahi Dia Co., Ltd.
  • the surface of the polishing layer was dressed for 20 seconds at predetermined intervals under the conditions of a dress load of 50 g / cm 2 , a dresser rotation speed of 15 rpm, and a platen rotation speed of 30 rpm.
  • ⁇ No floating or peeling.
  • X Floating or peeling is observed.
  • a groove processing machine (manufactured by Techno Co.) is used for the buffed sheet to perform concentric groove processing on the surface with a groove width of 0.25 mm, a groove pitch of 1.5 mm, and a groove depth of 0.45 mm.
  • the outer periphery was cut so that the convex portion had the width shown in Table 1, and a polishing layer having an outer diameter of about 61 cm was produced.
  • double-sided tape is attached to the other side of the cushion sheet using a laminator, and the layers other than the polishing layer (double-sided tape + cushion sheet + double-sided tape) are cut according to the size of the polishing layer, and laminated polishing A pad was prepared.
  • Example 1 Comparative Example 1
  • Example 1 The same operation as in Example 1 was performed except that the width of the convex portion at the outermost peripheral portion of the laminated polishing pad was changed to the width shown in Table 1.
  • Example 2 The same operation as in Example 1 was performed except that the shape of the outermost peripheral portion of the laminated polishing pad was concave.
  • the method for producing a laminated polishing pad of the present invention requires high surface flatness such as optical materials such as lenses and reflecting mirrors, silicon wafers, glass substrates for hard disks, aluminum substrates, and general metal polishing processes. It can be used in a method for manufacturing a polishing pad that performs planarization of a material.

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Abstract

　本発明の積層円形研磨パッドの製造方法は、円形研磨シートに同心円溝及び前記同心円溝の溝ピッチの１/２以上の外周領域を形成する工程、前記円形研磨シートと支持層とを接着部材を介して貼り合わせて積層研磨シートを作製する工程を含む。当該積層円形研磨パッドの製造方法は、研磨層と支持層とが剥離しにくい積層円形研磨パッドの製造方法を提供することができる。

Description

積層研磨パッドの製造方法
　本発明はレンズ、反射ミラー等の光学材料やシリコンウエハ、ハードディスク用のガラス基板、アルミ基板、及び一般的な金属研磨加工等の高度の表面平坦性を要求される材料の平坦化加工を行う積層研磨パッドの製造方法に関する。
　半導体装置を製造する際には、ウエハ表面に導電性膜を形成し、フォトリソグラフィー、エッチング等をすることにより配線層を形成する形成する工程や、配線層の上に層間絶縁膜を形成する工程等が行われ、これらの工程によってウエハ表面に金属等の導電体や絶縁体からなる凹凸が生じる。近年、半導体集積回路の高密度化を目的として配線の微細化や多層配線化が進んでいるが、これに伴い、ウエハ表面の凹凸を平坦化する技術が重要となってきた。
　従来、高精度の研磨に使用される研磨パッドとしては、一般的にポリウレタン樹脂発泡体シートが使用されている。しかし、ポリウレタン樹脂発泡体シートは、局部的な平坦化能力には優れているが、クッション性が不足しているためにウエハ全面に均一な圧力を与えることが難しい。このため、通常、ポリウレタン樹脂発泡体シートの背面に柔らかいクッション層が別途設けられ、積層研磨パッドとして研磨加工に使用されている（特許文献１）。
　また、研磨層、研磨層よりも弾性率が大きい第２層、及び第２層よりも弾性率が低い第３層がこの順で積層されている半導体ウエハ研磨用パッドが開発されている（特許文献２）。
特開２００３―５３６５７号公報 特許第３７８８７２９号明細書
　しかし、従来の製造方法により製造された、スラリーを保持・更新するための同心円状の溝を有する積層研磨パッドは、研磨層とクッション層等の支持層とが剥離しやすいという問題があった。
　本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、研磨層と支持層とが剥離しにくい研磨パッドの製造方法を提供することを目的とする。
　本発明は、円形研磨シートに同心円溝及び前記同心円溝の溝ピッチの１/２以上の幅の外周領域を形成する工程、前記円形研磨シートと支持層とを接着部材を介して貼り合わせて積層研磨シートを作製する工程を含む積層円形研磨パッドの製造方法である。
　また、本発明は、円形研磨層と支持層とが接着剤部材を介して積層されている積層円形研磨パッドにおいて、前記研磨層には同心円溝が形成されており、前記研磨層は前記同心円溝が形成されていない外周領域を有しており、前記外周領域の幅は前記同心円溝の溝ピッチの１/２以上であることを特徴とする積層円形研磨パッドである。
　また、本発明は、前記積層円形研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を含む半導体デバイスの製造方法に関する。
　本発明の積層円形研磨パッドの製造方法は、円形研磨シートに同心円溝及び前記同心円溝の溝ピッチの１/２以上の幅の外周領域を形成する工程を有する。そのため、前記円形研磨シートと支持層とを接着部材を介して貼り合わせて積層研磨シートを作製する工程で円形研磨シートと支持層とを押さえて貼りあわせる際に、前記同心円溝の溝ピッチの１/２以上の幅の外周領域を介して円形研磨シート及び支持層の端部までしっかりと圧力をかけることができるため、積層円形研磨パッドの端部まで十分な接着力を確保することができる。従って、本発明によれば、研磨層と支持層とが剥離しにくい積層円形研磨パッドの製造方法を提供することができる。
　また、本発明の積層円形研磨パッドは、前記研磨層は前記同心円溝が形成されていない外周領域を有しており、前記外周領域の幅は前記同心円溝の溝ピッチの１/２以上であるため、積層円形研磨パッドを研磨装置のプラテン等に貼り付ける際に積層円形研磨パッドの端部までしっかりと圧力をかけることができるため、積層研磨パッドの端部まで十分な接着力を確保することができる。従って、本発明によれば、研磨装置から剥離しにくい積層研磨パッドを提供することができる。
ＣＭＰ研磨で使用する研磨装置の一例を示す概略構成図 研磨層の溝形状を示す概略図 研磨層の溝形状を示す概略図
　本実施形態の積層研磨パッドの製造方法は、円形研磨シートに同心円溝及び前記同心円溝の溝ピッチの１/２以上の幅の外周領域を形成する工程、前記円形研磨シートと支持層とを接着部材を介して貼り合わせて積層研磨シートを作製する工程を含む。
＜円形研磨シートの調整＞
　円形研磨シートは、微細気泡を有する発泡体であれば特に限定されるものではない。例えば、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ハロゲン系樹脂（ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデンなど）、ポリスチレン、オレフィン系樹脂（ポリエチレン、ポリプロピレンなど）、エポキシ樹脂、感光性樹脂などの１種または２種以上の混合物が挙げられる。ポリウレタン樹脂は耐摩耗性に優れ、原料組成を種々変えることにより所望の物性を有するポリマーを容易に得ることができるため、研磨層の形成材料として特に好ましい材料である。以下、前記発泡体を代表してポリウレタン樹脂について説明する。
　前記ポリウレタン樹脂は、イソシアネート成分、ポリオール成分（高分子量ポリオール、低分子量ポリオール）、及び鎖延長剤からなるものである。
　イソシアネート成分としては、ポリウレタンの分野において公知の化合物を特に限定なく使用できる。イソシアネート成分としては、２，４－トルエンジイソシアネート、２，６－トルエンジイソシアネート、２，２’－ジフェニルメタンジイソシアネート、２，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート、４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート、１，５－ナフタレンジイソシアネート、ｐ－フェニレンジイソシアネート、ｍ－フェニレンジイソシアネート、ｐ－キシリレンジイソシアネート、ｍ－キシリレンジイソシアネート等の芳香族ジイソシアネート；エチレンジイソシアネート、２，２，４－トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、１，６－ヘキサメチレンジイソシアネート等の脂肪族ジイソシアネート；１，４－シクロヘキサンジイソシアネート、４，４’－ジシクロへキシルメタンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ノルボルナンジイソシアネート等の脂環式ジイソシアネートが挙げられる。これらは１種で用いても、２種以上を混合しても差し支えない。
　高分子量ポリオールとしては、ポリウレタンの技術分野において、通常用いられるものを挙げることができる。例えば、ポリテトラメチレンエーテルグリコール、ポリエチレングリコール等に代表されるポリエーテルポリオール、ポリブチレンアジペートに代表されるポリエステルポリオール、ポリカプロラクトンポリオール、ポリカプロラクトンのようなポリエステルグリコールとアルキレンカーボネートとの反応物などで例示されるポリエステルポリカーボネートポリオール、エチレンカーボネートを多価アルコールと反応させ、次いでえられた反応混合物を有機ジカルボン酸と反応させたポリエステルポリカーボネートポリオール、ポリヒドロキシル化合物とアリールカーボネートとのエステル交換反応により得られるポリカーボネートポリオールなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　ポリオール成分として上述した高分子量ポリオールの他に、エチレングリコール、１，２－プロピレングリコール、１，３－プロピレングリコール、１，２－ブタンジオール、１，３－ブタンジオール、１，４－ブタンジオール、２，３－ブタンジオール、１，６－ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール、１，４－シクロヘキサンジメタノール、３－メチル－１，５－ペンタンジオール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、１，４－ビス（２－ヒドロキシエトキシ）ベンゼン、トリメチロールプロパン、グリセリン、１，２，６－ヘキサントリオール、ペンタエリスリトール、テトラメチロールシクロヘキサン、メチルグルコシド、ソルビトール、マンニトール、ズルシトール、スクロース、２，２，６，６－テトラキス（ヒドロキシメチル）シクロヘキサノール、ジエタノールアミン、Ｎ－メチルジエタノールアミン、及びトリエタノールアミン等の低分子量ポリオールを併用することができる。また、エチレンジアミン、トリレンジアミン、ジフェニルメタンジアミン、及びジエチレントリアミン等の低分子量ポリアミンを併用することもできる。また、モノエタノールアミン、２－（２－アミノエチルアミノ）エタノール、及びモノプロパノールアミン等のアルコールアミンを併用することもできる。これら低分子量ポリオール、低分子量ポリアミン等は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。低分子量ポリオールや低分子量ポリアミン等の配合量は特に限定されず、製造される研磨パッド（研磨層）に要求される特性により適宜決定される。
　ポリウレタン樹脂発泡体をプレポリマー法により製造する場合において、プレポリマーの硬化には鎖延長剤を使用する。鎖延長剤は、少なくとも２個以上の活性水素基を有する有機化合物であり、活性水素基としては、水酸基、第１級もしくは第２級アミノ基、チオール基（ＳＨ）等が例示できる。具体的には、４，４’－メチレンビス（ｏ－クロロアニリン）（ＭＯＣＡ）、２，６－ジクロロ－ｐ－フェニレンジアミン、４，４’－メチレンビス（２，３－ジクロロアニリン）、３，５－ビス（メチルチオ）－２，４－トルエンジアミン、３，５－ビス（メチルチオ）－２，６－トルエンジアミン、３，５－ジエチルトルエン－２，４－ジアミン、３，５－ジエチルトルエン－２，６－ジアミン、トリメチレングリコール－ジ－ｐ－アミノベンゾエート、ポリテトラメチレンオキシド－ジ－ｐ－アミノベンゾエート、４，４’－ジアミノ－３，３’，５，５’－テトラエチルジフェニルメタン、４，４’－ジアミノ－３，３’－ジイソプロピル－５，５’－ジメチルジフェニルメタン、４，４’－ジアミノ－３，３’，５，５’－テトライソプロピルジフェニルメタン、１，２－ビス（２－アミノフェニルチオ）エタン、４，４’－ジアミノ－３，３’－ジエチル－５，５’－ジメチルジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ’－ジ－ｓｅｃ－ブチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，３’－ジエチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、ｍ－キシリレンジアミン、Ｎ，Ｎ’－ジ－ｓｅｃ－ブチル－ｐ－フェニレンジアミン、ｍ－フェニレンジアミン、及びｐ－キシリレンジアミン等に例示されるポリアミン類、あるいは、上述した低分子量ポリオールや低分子量ポリアミンを挙げることができる。これらは１種で用いても、２種以上を混合しても差し支えない。
　前記イソシアネート成分、ポリオール成分、及び鎖延長剤の比は、各々の分子量や研磨パッドの所望物性などにより種々変え得る。所望する研磨特性を有する研磨パッドを得るためには、ポリオール成分と鎖延長剤の合計活性水素基（水酸基＋アミノ基）数に対するイソシアネート成分のイソシアネート基数は、０．８０～１．２０であることが好ましく、さらに好ましくは０．９９～１．１５である。イソシアネート基数が前記範囲外の場合には、硬化不良が生じて要求される比重及び硬度が得られず、研磨特性が低下する傾向にある。
　ポリウレタン樹脂発泡体は、溶融法、溶液法など公知のウレタン化技術を応用して製造することができるが、コスト、作業環境などを考慮した場合、溶融法で製造することが好ましい。
　ポリウレタン樹脂発泡体の製造は、プレポリマー法、ワンショット法のどちらでも可能であるが、事前にイソシアネート成分とポリオール成分からイソシアネート末端プレポリマーを合成しておき、これに鎖延長剤を反応させるプレポリマー法が、得られるポリウレタン樹脂の物理的特性が優れており好適である。
　ポリウレタン樹脂発泡体の製造方法としては、中空ビーズを添加させる方法、機械的発泡法、化学的発泡法などが挙げられる。
　特に、ポリアルキルシロキサンとポリエーテルの共重合体であって活性水素基を有しないシリコン系界面活性剤を使用した機械的発泡法が好ましい。
　なお、必要に応じて、酸化防止剤等の安定剤、滑剤、顔料、充填剤、帯電防止剤、その他の添加剤を加えてもよい。
　ポリウレタン樹脂発泡体は独立気泡タイプであってもよく、連続気泡タイプであってもよい。
　ポリウレタン樹脂発泡体の製造は、各成分を計量して容器に投入し、撹拌するバッチ方式であっても、また撹拌装置に各成分と非反応性気体を連続して供給して撹拌し、気泡分散液を送り出して成形品を製造する連続生産方式であってもよい。
　また、ポリウレタン樹脂発泡体の原料となるプレポリマーを反応容器に入れ、その後鎖延長剤を投入、撹拌後、所定の大きさの注型に流し込みブロックを作製し、そのブロックを鉋状、あるいはバンドソー状のスライサーを用いてスライスする方法、又は前述の注型の段階で、薄いシート状にしても良い。また、原料となる樹脂を溶解し、Ｔダイから押し出し成形して直接シート状のポリウレタン樹脂発泡体を得ても良い。
　円形研磨シートの厚みは特に限定されるものではないが、通常０．８～４ｍｍ程度であり、１．２～２．５ｍｍであることが好ましい。
　前記ポリウレタン樹脂発泡体の平均気泡径は、３０～８０μｍであることが好ましく、より好ましくは３０～６０μｍである。この範囲から逸脱する場合は、研磨速度が低下したり、研磨後の被研磨材（ウエハ）のプラナリティ（平坦性）が低下する傾向にある。
　前記ポリウレタン樹脂発泡体の比重は、０．５～１．３であることが好ましい。比重が０．５未満の場合、研磨層の表面強度が低下し、被研磨材のプラナリティが低下する傾向にある。また、１．３より大きい場合は、研磨層表面の気泡数が少なくなり、プラナリティは良好であるが、研磨速度が低下する傾向にある。
　前記ポリウレタン樹脂発泡体の硬度は、アスカーＤ硬度計にて、４０～７５度であることが好ましい。アスカーＤ硬度が４０度未満の場合には、被研磨材のプラナリティが低下し、また、７５度より大きい場合は、プラナリティは良好であるが、被研磨材のユニフォーミティ（均一性）が低下する傾向にある。
＜円形研磨シートに同心円溝及び前記同心円溝の溝ピッチの１/２以上の幅の外周領域を形成する工程＞
　円形研磨シートに同心円溝を形成する方法は特に限定されるものではないが、例えば、所定サイズのバイトのような治具を用い機械切削する方法、所定の表面形状を有した金型に樹脂を流しこみ、硬化させることにより作製する方法、所定の表面形状を有したプレス板で樹脂をプレスし作製する方法、フォトリソグラフィを用いて作製する方法、印刷手法を用いて作製する方法、炭酸ガスレーザーなどを用いたレーザー光による作製方法などが挙げられる。
　以下、当該工程で形成する同心円溝及び前記同心円溝の溝ピッチの１/２よりも大きい幅の外周領域について、図面を参照しつつ説明する。
　図２及び図３は、同心円溝及び前記同心円溝の溝ピッチの１/２よりも大きい幅の外周領域を有する円形研磨シートの概略構成図である。図２に示すように、円形研磨シート８を研磨パッドの研磨層に用いた場合に被研磨材と接触する研磨表面は、スラリーを保持・更新するための同心円状の溝（凹部）１０を有する。研磨層は、研磨表面に同心円状の溝を有することにより、スラリーの保持と更新を効率よく行うことができ、また被研磨材との吸着による被研磨材の破壊を防ぐことができる。
　溝１０の溝幅及び溝深さ、並びに溝ピッチは特に制限されないが、通常、溝幅は０．１～５ｍｍ程度、溝深さは０．１～２ｍｍ程度、溝ピッチは０．８～５．０ｍｍ程度、好ましくは１．５～４．０ｍｍである。本実施形態の円形研磨シート８の最外周部９の幅は、同心円溝１０の溝ピッチの１／２以上であり、溝ピッチ以上が好ましく、溝ピッチよりも広いことがより好ましい。本実施形態の円形研磨シート８の最外周部９の幅が同心円溝１０の溝ピッチの１／２未満である場合、当該最外周部が変形しやすくなるため、研磨シートと支持層とを押さえて貼りあわせる際及び／又は研磨パッドを定盤に貼り付ける際にかける圧力が逃げやすくなり、円形研磨シート及び支持層の端部までしっかりと圧力をかけることが困難になる。なお、本実施形態の円形研磨シート８の最外周部９の頂部は、同心円溝間の凸部の頂部と同一平面上にある。なお、溝１０の溝ピッチは、一般的には一定であるが、スラリーの保持・更新性を望ましいものにするため、ある範囲ごとに溝ピッチ、溝幅、溝深さ等を変化させることができる。ある範囲ごとに溝ピッチ、溝幅、溝深さ等を変化させた場合、最外周部９の幅は、最外周部９に最も近い溝ピッチの１／２以上であり、溝ピッチ以上が好ましく、溝ピッチよりも広いことがより好ましい。最外周部９の幅の上限は特に限定は無いが、溝１０のスラリーを保持・更新する効果を損なわない観点から、同心円溝１０の溝ピッチの２倍以下が好ましい。
　最外周部９の幅は、研磨シートと支持層とを押さえて貼りあわせる際に研磨シート及び支持層の端部までしっかりと圧力をかける観点、並びに研磨パッドを定盤に貼り付ける際に研磨パッドの端までしっかりと圧力をかける観点から、隣接する溝の溝深さよりも大きい方が好ましい。
＜円形研磨シートと支持層とを接着部材を介して貼り合わせて積層研磨シートを作製する工程＞
＜支持層＞
　支持層は、研磨層の特性を補うものである。支持層としては、研磨層より弾性率が低い層（クッション層）を用いてもよく、研磨層より弾性率が高い層（高弾性層）を用いてもよい。クッション層は、ＣＭＰにおいて、トレードオフの関係にあるプラナリティとユニフォーミティの両者を両立させるために必要なものである。プラナリティとは、パターン形成時に発生する微小凹凸のある被研磨材を研磨した時のパターン部の平坦性をいい、ユニフォーミティとは、被研磨材全体の均一性をいう。研磨層の特性によって、プラナリティを改善し、クッション層の特性によってユニフォーミティを改善する。高弾性層は、ＣＭＰにおいて、スクラッチの発生を抑制するために柔らかい研磨層を用いた場合に、研磨パッドの平坦化特性を向上させるために用いられる。また、高弾性層を用いることにより、被研磨材のエッジ部の削り過ぎを抑制することが可能である。
　前記クッション層としては、例えば、ポリエステル不織布、ナイロン不織布、及びアクリル不織布などの繊維不織布；ポリウレタンを含浸したポリエステル不織布のような樹脂含浸不織布；ポリウレタンフォーム及びポリエチレンフォームなどの高分子樹脂発泡体；ブタジエンゴム及びイソプレンゴムなどのゴム性樹脂；感光性樹脂などが挙げられる。
　前記高弾性層としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、及びポリエチレンナフタレートフィルムなどのポリエステルフィルム；ポリエチレンフィルム、及びポリプロピレンフィルムなどのポリオレフィンフィルム；ナイロンフィルムなどが挙げられる。
＜研磨層と支持層とを粘着層を介して貼り合わせる工程＞
　前記円形研磨シートと支持層とを接着層を介して貼り合わせる方法は、前記円形研磨シートと支持層とを押さえて貼りあわせる方法であれば特に制限されず、例えば、ホットメルト接着剤シートを支持層（又は前記円形研磨シート）上に積層し、ヒーターにより接着剤を加熱溶融させ、その後、溶融した接着剤上に前記円形研磨シート（又は支持層）を積層してプレスする方法が挙げられる。プレス圧力は特に制限されないが、０．１～１．０ＭＰａ程度である。
　また、ホットメルト接着剤からなる接着剤層の代わりに両面テープを用いてもよい。当該両面テープとしては、基材の両面に接着層を設けた一般的な構成を有するものを用いることができる。基材により支持層側へのスラリーの浸透を防止し、支持層と接着剤層との間での剥離を防止することができる。
　基材としては、例えばポリエチレンテレフタレートフィルム及びポリエチレンナフタレートフィルムなどのポリエステルフィルム；ポリエチレンフィルム及びポリプロピレンフィルムなどのポリオレフィンフィルム；ナイロンフィルムなどが挙げられる。これらのうち、水の透過を防ぐ性質に優れるポリエステルフィルムを用いることが好ましい。接着層の組成としては、例えば、ゴム系接着剤やアクリル系接着剤等が挙げられる。
　基材の表面には、コロナ処理、プラズマ処理などの易接着処理を施してもよい。
　基材の厚みは特に制限されないが、透明性、柔軟性及び剛性等の観点から１０～１８０μｍであることが好ましい。
　両面テープを用いる場合、前記接着剤層の厚みは１０～２００μｍであることが好ましく、より好ましくは３０～１００μｍである。
　積層円形研磨パッドは、プラテンと接着する面に両面テープが設けられていてもよい。
　なお、支持層及び両面テープは、接着層と同じ大きさのものを研磨層と貼り合わせても良いし、シート状の支持層及び両面テープを研磨層に貼り合わせた後に研磨層の大きさに合わせて切断しても良い。
＜半導体デバイスの製造方法＞
　半導体デバイスは、前記研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を経て製造される。半導体ウエハとは、一般にシリコンウエハ上に配線金属及び酸化膜を積層したものである。半導体ウエハの研磨方法、研磨装置は特に制限されず、例えば、図１に示すように研磨パッド１を支持する研磨定盤２と、半導体ウエハ４を支持する支持台（ポリシングヘッド）５とウエハへの均一加圧を行うためのバッキング材と、研磨剤３の供給機構を備えた研磨装置などを用いて行われる。研磨パッド１は、例えば、両面テープで貼り付けることにより、研磨定盤２に装着される。研磨定盤２と支持台５とは、それぞれに支持された研磨パッド１と半導体ウエハ４が対向するように配置され、それぞれに回転軸６、７を備えている。また、支持台５側には、半導体ウエハ４を研磨パッド１に押し付けるための加圧機構が設けてある。研磨に際しては、研磨定盤２と支持台５とを回転させつつ半導体ウエハ４を研磨パッド１に押し付け、スラリーを供給しながら研磨を行う。スラリーの流量、研磨荷重、研磨定盤回転数、及びウエハ回転数は特に制限されず、適宜調整して行う。
　これにより半導体ウエハ４の表面の表面粗さが改善され、スクラッチが除去される。その後、ダイシング、ボンディング、パッケージング等することにより半導体デバイスが製造される。半導体デバイスは、演算処理装置やメモリー等に用いられる。また、レンズやハードディスク用のガラス基板も前記と同様の方法で仕上げ研磨することができる。
　以下、本発明を実施例を上げて説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
　［測定、評価方法］
　（数平均分子量）
　数平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィ）にて測定し、標準ポリスチレンにより換算した。
ＧＰＣ装置：島津製作所製、ＬＣ－１０Ａ
カラム：Ｐｏｌｙｍｅｒ　Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ社製、（ＰＬｇｅｌ、５μｍ、５００Å）、（ＰＬｇｅｌ、５μｍ、１００Å）、及び（ＰＬｇｅｌ、５μｍ、５０Å）の３つのカラムを連結して使用
流量：１．０ｍｌ／ｍｉｎ
濃度：１．０ｇ／ｌ
注入量：４０μｌ
カラム温度：４０℃
溶離液：テトラヒドロフラン
　（平均気泡径）
　作製したポリウレタン発泡体を厚み１ｍｍ以下になるべく薄くミクロトームカッターで平行に切り出したものを平均気泡径測定用試料とした。試料をスライドガラス上に固定し、ＳＥＭ（Ｓ－３５００Ｎ、日立サイエンスシステムズ（株））を用いて１００倍で観察した。得られた画像を画像解析ソフト（ＷｉｎＲｏｏｆ、三谷商事（株））を用いて、任意範囲の全気泡径を測定し、平均気泡径を算出した。
　（比重）
　ＪＩＳ　Ｚ８８０７－１９７６に準拠して行った。作製したポリウレタン発泡体を４ｃｍ×８．５ｃｍの短冊状（厚み：任意）に切り出したものを比重測定用試料とし、温度２３℃±２℃、湿度５０％±５％の環境で１６時間静置した。測定には比重計（ザルトリウス社製）を用い、比重を測定した。
　（硬度）
　ＪＩＳ　Ｋ６２５３－１９９７に準拠して行った。作製したポリウレタン発泡体を２ｃｍ×２ｃｍ（厚み：任意）の大きさに切り出したものを硬度測定用試料とし、温度２３℃±２℃、湿度５０％±５％の環境で１６時間静置した。測定時には、試料を重ね合わせ、厚み６ｍｍ以上とした。硬度計（高分子計器社製、アスカーＤ型硬度計）を用い、硬度を測定した。
（積層研磨パッドの剥がれ評価）
　作製した積層研磨パッドを用いて、８０００Åの膜厚のタングステンウエハを下記研磨条件にて６０時間研磨を行い、その後、積層研磨パッドを目視にて観察し、層間に浮き又は剥離が発生したか否かを確認した。研磨装置としてＳＰＰ６００Ｓ（岡本工作機械社製）を用いた。研磨条件としては、スラリーとして、Ｗ２０００（キャボット社製）を超純水で２倍に希釈した希釈液に過酸化水素水を２重量％添加した水溶液を用い、当該水溶液を研磨中に流量１５０ｍｌ／ｍｉｎにて添加した。研磨荷重は５ｐｓｉ、研磨定盤回転数は１２０ｒｐｍ、ウエハ回転数は１２０ｒｐｍとした。また、ドレッサー（旭ダイヤ社製、Ｍ１００タイプ）を用い、ドレス荷重５０ｇ／ｃｍ２、ドレッサー回転数１５ｒｐｍ、プラテン回転数３０ｒｐｍの条件にて、所定間隔で２０秒間研磨層の表面をドレス処理した。
○：浮き又は剥離は見られない。
×：浮き又は剥離が見られる。
（研磨層の作製）
　ポリエーテル系プレポリマー（ユニロイヤル社製、アジプレンＬ－３２５、ＮＣＯ濃度：２．２２ｍｅｑ／ｇ）１００重量部、及びシリコーン系界面活性剤（東レ・ダウコーニングシリコーン社製、ＳＨ－１９２）３重量部を重合容器内に加えて混合し、８０℃に調整して減圧脱泡した。その後、撹拌翼を用いて、回転数９００ｒｐｍで反応系内に気泡を取り込むように激しく約４分間撹拌を行った。そこへ予め１２０℃で溶融した４，４’－メチレンビス（ｏ－クロロアニリン）（イハラケミカル社製、イハラキュアミンＭＴ）２６重量部を添加した。その後、約１分間撹拌を続けてパン型のオープンモールドへ反応溶液を流し込んだ。この反応溶液の流動性がなくなった時点でオーブン内に入れ、８０℃で１２時間ポストキュアを行い、ポリウレタン樹脂発泡体ブロックを得た。約８０℃に加熱した前記ポリウレタン樹脂発泡体ブロックをスライサー（アミテック社製、ＶＧＷ－１２５）を使用してスライスし、ポリウレタン樹脂発泡体シート（平均気泡径：５０μｍ、比重：０．８６、硬度：５２度）を得た。次に、バフ機（アミテック社製）を使用して、厚さ１．２７ｍｍになるまで該シートの表面バフ処理をし、厚み精度を整えたシートとした。このバフ処理をしたシートに溝加工機（テクノ社製）を用いて表面に溝幅０．２５ｍｍ、溝ピッチ１．５ｍｍ、溝深さ０．４５ｍｍの同心円の溝加工を行い、最外周部の凸部が表１に記載の幅になるよう外周をカットし外径約６１ｃｍの研磨層を作製した。
（研磨層と支持層とを粘着層を介して貼り合わせる工程）
（実施例１）
　前記研磨層の溝加工面と反対側の面にラミ機を使用して、両面テープ（積水化学工業社製、＃５７８２ＰＧＷ－Ａ２、基材：ポリエステル系不織布、接着層：アクリル系接着剤、厚さ６０μｍ、せん断応力：７５０ｋＰａ）を貼りつけた。更に、コロナ処理をしたクッションシート（東レ社製、ポリエチレンフォーム、トーレペフ、厚み０．８ｍｍ）の表面をバフ処理し、それをラミ機を使用して前記両面テープに貼り合わせた。さらに、クッションシートの他面にラミ機を使用して前記両面テープを貼り合わせ、研磨層以外の層（両面テープ＋クッションシート＋両面テープ）を研磨層の大きさに合わせて切断し、積層研磨パッドを作製した。
（実施例２、３、比較例１）
　積層研磨パッドの最外周部の凸部の幅を表１に記載の幅に変更したこと以外は実施例１と同様に行った。
（比較例２）
　積層研磨パッドの最外周部の形状が凹状であること以外は実施例１と同様に行った。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１から、実施例１～３の研磨パッドでは、長時間研磨に用いた場合でも浮き及び剥離は見られなかった。
　本発明の積層研磨パッドの製造方法は、レンズ、反射ミラー等の光学材料やシリコンウエハ、ハードディスク用のガラス基板、アルミ基板、及び一般的な金属研磨加工等の高度の表面平坦性を要求される材料の平坦化加工を行う研磨パッドの製造方法に用いることができる。
１：積層研磨パッド２：研磨定盤３：研磨剤（スラリー）４：被研磨材（半導体ウエハ）５：支持台（ポリシングヘッド）６、７：回転軸８：円形研磨シート９：最外周部の凸部１０：溝（凹部）

Claims (4)

  1. 　円形研磨シートに同心円溝及び前記同心円溝の溝ピッチの１/２以上の幅の外周領域を形成する工程、
    　前記円形研磨シートと支持層とを接着部材を介して貼り合わせて積層研磨シートを作製する工程を含む積層円形研磨パッドの製造方法。
  2. 　請求項１に記載の積層円形研磨パッドの製造方法によって製造された積層円形研磨パッド。
  3. 　円形研磨層と支持層とが接着剤部材を介して積層されている積層円形研磨パッドにおいて、
    　前記研磨層には同心円溝が形成されており、
    　前記研磨層は前記同心円溝が形成されていない外周領域を有しており、
    　前記外周領域の幅は前記同心円溝の溝ピッチの１/２以上であることを特徴とする積層円形研磨パッド。
  4. 　請求項２又は３に記載の積層円形研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を含む半導体デバイスの製造方法。
     
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