JP2009241205A - 研磨パッド - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 研磨表面に溝を有する研磨層を含む研磨パッドにおいて、
前記溝は、第1矩形溝と、第1矩形溝の底部に形成された第2矩形溝とからなり、前記第1矩形溝の溝幅W1が2〜7mm、溝深さD1が0.1〜1mmであり、前記第2矩形溝の溝幅W2が1〜5mm、溝深さD2が0.1〜0.5mmであり、かつW1/W2が1.3〜7であり、D1/D2が0.3〜5であることを特徴とする研磨パッド。
【選択図】 図2
Description
前記溝は、第1矩形溝と、第1矩形溝の底部に形成された第2矩形溝とからなり、前記第1矩形溝の溝幅W1が2〜7mm、溝深さD1が0.1〜1mmであり、前記第2矩形溝の溝幅W2が1〜5mm、溝深さD2が0.1〜0.5mmであり、かつW1/W2が1.3〜7であり、D1/D2が0.3〜5であることを特徴とする研磨パッド、に関する。
(平均気泡径測定)
作製したポリウレタン発泡体を厚み1mm以下になるべく薄くミクロトームカッターで平行に切り出したものを平均気泡径測定用試料とした。試料をスライドガラス上に固定し、SEM(S−3500N、日立サイエンスシステムズ(株))を用いて100倍で観察した。得られた画像を画像解析ソフト(WinRoof、三谷商事(株))を用いて、任意範囲の全気泡径を測定し、平均気泡径を算出した。
JIS Z8807−1976に準拠して行った。作製したポリウレタン発泡体を4cm×8.5cmの短冊状(厚み:任意)に切り出したものを比重測定用試料とし、温度23℃±2℃、湿度50%±5%の環境で16時間静置した。測定には比重計(ザルトリウス社製)を用い、比重を測定した。
JIS K6253−1997に準拠して行った。作製したポリウレタン発泡体を2cm×2cm(厚み:任意)の大きさに切り出したものを硬度測定用試料とし、温度23℃±2℃、湿度50%±5%の環境で16時間静置した。測定時には、試料を重ね合わせ、厚み6mm以上とした。硬度計(高分子計器社製、アスカーD型硬度計)を用い、硬度を測定した。
研磨装置としてSPP600S(岡本工作機械社製)を用い、作製した研磨パッドを用いて、研磨特性の評価を行った。研磨速度は、8インチのシリコンウエハに熱酸化膜を1μm製膜したものを0.5μm研磨し、このときの時間から算出した。酸化膜の膜厚測定には、干渉式膜厚測定装置(大塚電子社製)を用いた。研磨条件としては、スラリーとして、シリカスラリー(SS12、キャボット社製)を研磨中に流量150ml/min添加した。研磨荷重としては350g/cm2、研磨定盤回転数35rpm、ウエハ回転数30rpmとした。
容器にトルエンジイソシアネート(2,4−体/2,6−体=80/20の混合物)1229重量部、4,4’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート272重量部、数平均分子量1018のポリテトラメチレンエーテルグリコール1901重量部、ジエチレングリコール198重量部を入れ、70℃で4時間反応させてイソシアネート末端プレポリマーを得た。
該プレポリマー100重量部及びシリコン系界面活性剤(東レダウコーニングシリコン製、SH−192)3重量部を重合容器内に加えて混合し、80℃に調整して減圧脱泡した。その後、撹拌翼を用いて、回転数900rpmで反応系内に気泡を取り込むように激しく約4分間撹拌を行った。そこへ予め70℃に温度調整したエタキュア300(アルベマール社製、3,5−ビス(メチルチオ)−2,6−トルエンジアミンと3,5−ビス(メチルチオ)−2,4−トルエンジアミンとの混合物)21重量部を添加した。該混合液を約1分間撹拌した後、パン型のオープンモールド(注型容器)へ流し込んだ。この混合液の流動性がなくなった時点でオーブン内に入れ、100℃で16時間ポストキュアを行い、ポリウレタン樹脂発泡体ブロックを得た。
約80℃に加熱した前記ポリウレタン樹脂発泡体ブロックをスライサー(アミテック社製、VGW−125)を使用してスライスし、ポリウレタン樹脂発泡体シート(平均気泡径:50μm、比重:0.86、硬度:52度)を得た。次に、バフ機(アミテック社製)を使用して、厚さ1.27mmになるまで該シートの表面バフ処理をし、厚み精度を整えた。そしてバフ処理をしたシートを直径61cmの大きさで打ち抜いて研磨シートを作製した。
作製した研磨シートの表面に、溝加工機(テクノ社製)を用いて図2記載の形状の二段構造溝を表1記載の寸法で形成して研磨層を作製した。研磨表面の溝パターンは同心円状とした。この研磨層の溝加工面と反対側の面にラミ機を使用して、両面テープ(積水化学工業社製、ダブルタックテープ)を貼りつけた。更に、コロナ処理をしたクッションシート(東レ社製、ポリエチレンフォーム、トーレペフ、厚み0.8mm)の表面をバフ処理し、それを前記両面テープにラミ機を使用して貼り合わせた。さらに、クッションシートの他面にラミ機を使用して両面テープを貼り合わせて研磨パッドを作製した。
作製した研磨シートの表面に、溝加工機(テクノ社製)を用いて図3記載の形状の一段構造溝を表1記載の寸法で形成して研磨層を作製した。研磨表面の溝パターンは同心円状とした。その後、実施例と同様の方法で研磨パッドを作製した。
2:研磨定盤
3:研磨剤(スラリー)
4:被研磨材(半導体ウエハ)
5:支持台(ポリシングヘッド)
6、7:回転軸
8:研磨層
9:第1矩形溝
10:第2矩形溝
11:二段構造溝
12:一段構造溝
Claims (2)
- 研磨表面に溝を有する研磨層を含む研磨パッドにおいて、
前記溝は、第1矩形溝と、第1矩形溝の底部に形成された第2矩形溝とからなり、前記第1矩形溝の溝幅W1が2〜7mm、溝深さD1が0.1〜1mmであり、前記第2矩形溝の溝幅W2が1〜5mm、溝深さD2が0.1〜0.5mmであり、かつW1/W2が1.3〜7であり、D1/D2が0.3〜5であることを特徴とする研磨パッド。 - 請求項1記載の研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を含む半導体デバイスの製造方法。
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JP2008091013A JP2009241205A (ja) | 2008-03-31 | 2008-03-31 | 研磨パッド |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5585081B2 (ja) * | 2008-05-16 | 2014-09-10 | 東レ株式会社 | 研磨パッド |
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JP2003163192A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-06-06 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 溝入り研磨布並びにワークの研磨方法及び研磨装置 |
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