JP2007144532A - 研磨パッド - Google Patents
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Abstract
【解決手段】被研磨物を研磨する研磨面に形成される溝は、平面形状が三角波状の溝13の複数を交差させたものであって、かつ、三角波の各辺の中点を結ぶ仮想線S1が、研磨面を複数の正方形の仮想領域14に区画するものであり、これによって、直線状の溝に比べて、被研磨物の周縁が溝の壁に衝突するのを低減して面ダレを改善する一方、溝の交差部分における研磨用スラリーの流れを円滑にして研磨レートが低下しないようにしている。
【選択図】図1
Description
L<(1/cosθ)×(D−W)/4
であって、かつ、θ≧30°である。
L<(1/cosθ)×(D−W)/4
であって、かつ、θ≧30°としてもよい。
図1は、本発明の実施の形態に係る研磨パッドを示す図であり、同図(a)は平面図であり、同図(b)はその一部拡大図である。
L0=4Lcosθ
となる。
D−W>4Lcosθ ……(1)
これによって、図1(b)の破線で示すように、被研磨物5が、一つの実分割領域18内に位置して実分割領域18単位で沈み込んでしまうのを回避できることになる。
ここで、角度θは、30°以上であり、45°未満であるのが好ましい。
図5は、本発明の他の実施の形態に係る研磨パッドを示す図であり、同図(a)は平面図であり、同図(b)はその一部拡大図である。
L<(1/cosθ)×(D−W)/4
とし、上述の実施形態1と同様に、図5(b)の破線で示すように、被研磨物5が、一つの実分割領域20内に位置して実分割領域20単位で沈み込んでしまうのを回避できるようにしている。
・研磨機:MD−200A(ムサシノ電子製)
・研磨圧力:120(g/cm2)
・研磨時間:30(min)
・ヘッド回転数:110(rpm)
・プラテン回転数:130(rpm)
・スラリー:酸化セリウム
・スラリー流量:50(ml/min)
・スラリー濃度:8(wt%)
なお、プラテンの直径は200mmで、被研磨物の中心位置は、プラテンの中心から50mmの位置であり、線速度は0.68m/sである。
8,10,13,16 溝
14,17 仮想分割領域
18,20 実分割領域
Claims (6)
- 被研磨物を研磨する研磨面に溝が形成されてなる研磨パッドであって、
前記溝は、平面形状が波の形状の溝の複数を交差させたものであって、かつ、前記波の形状の仮想の振動の中心が、前記研磨面を複数の矩形の仮想領域に区画することを特徴とする研磨パッド。 - 前記波の形状の隣り合う山の最大変位点同士または谷の最大変位点同士を結ぶ仮想線を底辺とし、前記底辺の両端と、前記底辺に対向する谷の最大変位点または山の最大変位点をそれぞれ結んで形成される仮想三角形において、前記底辺の一端の角度をθ、前記一端の角に対向する一辺の長さをL、前記被研磨物の直径をD、前記溝の幅をWとしたときに、
L<(1/cosθ)×(D−W)/4
であって、かつ、θ≧30°である請求項1に記載の研磨パッド。 - 前記波が三角波であって、前記仮想の振動の中心に代えて、前記三角波の各辺の中点を結ぶ仮想線とした請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記三角波の隣合う山の最大変位点同士または谷の最大変位点同士を結ぶ仮想線が、前記仮想線を底辺とする三角波の一辺と成す角度をθ、前記一辺の長さをL、前記被研磨物の直径をD、前記溝の幅をWとしたときに、
L<(1/cosθ)×(D−W)/4
であって、かつ、θ≧30°である請求項3に記載の研磨パッド。 - 前記矩形の仮想領域に代えて、矩形を除く多角形の仮想領域とした請求項1〜4のいずれか1項に記載の研磨パッド。
- 前記多角形が正六角形である請求項5に記載の研磨パッド。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI490084B (zh) * | 2012-12-28 | 2015-07-01 | Toyo Tire & Rubber Co | A circular polishing pad and a method for manufacturing the same, and a method for manufacturing the semiconductor element |
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-
2005
- 2005-11-24 JP JP2005339406A patent/JP4712539B2/ja active Active
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JP4712539B2 (ja) | 2011-06-29 |
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