JP3524073B2 - 化学機械研磨パッド・コンディショナ、化学機械研磨ツール、化学機械研磨パッドをコンディショニングする方法及び化学機械研磨パッド - Google Patents

化学機械研磨パッド・コンディショナ、化学機械研磨ツール、化学機械研磨パッドをコンディショニングする方法及び化学機械研磨パッド

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  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、一般には、半導
体製造に関し、特に、化学機械研磨（ＣＭＰ）に用いら
れる研磨パッドのコンディショニングに関する。
【０００２】
【従来の技術】化学機械研磨（ＣＭＰ）は、半導体チッ
プ製造の重要な処理技術である。多くの場合、処理工程
の実行後に、ウェハ表面には、凹凸が多く存在する。以
降の処理工程での凹凸は、互いに積み重なって、多くの
理由により不所望な非平坦の面を形成する。ＣＭＰは、
研磨パッドと、化学的に活性な液体および研磨材よりな
るスラリーとを用いて、ウェハの表面を研削して、平坦
面にする。
【０００３】特に、ＣＭＰは、二酸化シリコンの金属間
誘電体層を平坦化する、または集積回路デバイス内の導
電層部分を除去するのに有用である。非平坦の誘電体表
面は、以降のフォトリソグラフィ処理工程の光学的分解
能と干渉して、高分解能のラインを描画するのを極めて
困難にする。大きなステップ状高さを有する金属間誘電
体層上に、第２の金属層を設けることは、不十分な金属
カバレジを生じ、最終的に開回路を形成する。
【０００４】図１は、リニアＣＭＰの一例を示す。半導
体ウェハ２０は、平坦な研磨パッド２２に対し、典型的
にフェイスダウンで保持される。平坦な研磨パッドは、
スラリー（図示せず）でコートされており、ウェハ２０
に対して、矢印Ａに沿って動く。長方形状のコンディシ
ョニング・パッド２６を用いて、ウェハ２０が研磨され
るときに、研磨パッド２２を連続的にコンディショニン
グする。
【０００５】図２に示す回転ＣＭＰプロセスの一例にお
いては、半導体ウェハ２０は、典型的にフェイスダウン
で保持され、平坦研磨パッド２４に対して、矢印Ｃに沿
って回転する。研磨パッドは、スラリーでコートされて
おり、矢印Ｂに沿って回転する。ウェハ２０とパッド２
４とは、典型的に、相対的に回転する。また図２には、
研磨パッド２４上の第１の基準位置３２と、位置３２の
半径方向内側にある研磨パッド２４上の第２の基準位置
３０とが、示されている。リニアＣＭＰプロセスに対す
るように、長方形状のコンディショニング・パッド２６
を用いて、回転ＣＭＰプロセスでウェハ２６が研磨され
るときに、研磨パッド２４を連続的にコンディショニン
グする。リニアＣＭＰプロセスおよび回転ＣＭＰプロセ
スの両方において、研磨プロセスは、研磨パッド２２ま
たは２４に接触するウェハ２０の表面が、ほぼ平坦にな
るまで続けられる。
【０００６】研磨パッド２２，２４も対するウェハ２０
の動き、およびウェハ２０を保持するために研磨パッド
に加えられる力は、ウェハ表面の材料を除去する働きを
する系に機械的なエネルギーを加える。さらに、フレッ
シュな化学液を供給し、使用された化学液を除去するプ
ロセスは、ウェハ表面から材料を除去する働きをする。
ウェハ２０の表面からの材料の均一な除去は、ウェハ表
面に対する研磨パッド速度，研磨パッドとウェハとの間
に加えられる力，スラリーの組成およびフローのよう
な、多くの変数を調整することにより行われる。
【０００７】時間が経過すると、研磨パッド２２，２４
の初期の粗い面は、すり切れ、研磨パッド面上にスラリ
ーおよび他の付着物が蓄積し、研磨力が低下する。研磨
力の低下およびすり切れに対処するには、研磨パッド２
２，２４は、周期的に面を機械的に荒す、すなわち“コ
ンディショニング（ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｉｎｇ）”す
る。コンディショニング・パッド２６は、研磨パッド２
２，２４上の蓄積物を除去し、研磨パッド２２，２４の
面を荒す。研磨パッド面の硬さ、および研磨に用いられ
る特定のスラリーによって、コンディショニングに対し
て異なる手法が、必要とされる。さらに、コンディショ
ニングは、用いられる特定のコンディショニング方法お
よび装置に依存して、個別のコンディショニング工程
で、またはウェハ研磨の際に、コンディショニング装置
によって行うことができる。図１および図２は、共に、
ウェハ２０が研磨されるときに、研磨パッド２２，２４
をコンディショニングするために用いることのできる長
方形状のコンディショニング・パッド２６を示してい
る。
【０００８】研磨パッドとスラリーとの組み合わせは、
スラリーが砂粒として作用し、研磨パッドが砂粒が付着
された紙として作用する一枚のサンドペーパであると考
えることができる。スラリーは、種々の粒子サイズを有
することができ、大きな砥粒のサンドペーパと小さな砥
粒のサンドペーパとの間の相異に類似するように、粒子
が大きいほど、小さい粒子よりも、ウェハ表面のより大
きな研削を与える。ウェハ表面に対して、多くのスラリ
ーが保持されればされるほど、より多くの研削が行われ
る。研磨パッド２２，２４の溝は、研磨パッドの表面か
らスラリーを引き込む。溝内のスラリーは、パッド表面
のスラリーよりも、研削が非効率的であり、すなわち研
削があまり効率的でない。
【０００９】したがって、研磨パッド２２，２４の溝の
形状および単位面積あたりの容積（容積／単位面積）
は、研磨量をある程度、制御する。例えば、大きな溝
は、表面から多くのスラリーを引き込むだけでなく、よ
り大きな粒子を全体的にまたは部分的に取り込むことが
できる。大きなスラリー粒子を取り込むことのできない
小さな溝は、大きな粒子をウェハ２０と接触したまま残
して、大きな粒子を取り込むのに十分なほど溝が大きい
研磨パッド２２，２４の部分よりも、より多くの研削を
与える。中間サイズの溝は、部分的に粒子を取り込ん
で、大きな粒子をはみ出すままに残し、小さな溝のみが
存在する部分よりも少ない研磨を与えるが、大きな溝が
存在する部分よりも多くの研磨を与える。溝の深さは、
いかに多くのスラリーを引き込むかをさらに制御するこ
とができ、深い溝は、浅い溝よりも研磨能力の小さい領
域を与える。
【００１０】したがって、ＣＭＰプロセスの研磨速度お
よび均一性は、スラリーを多少有効にする研磨パッド面
の特性によって大きく影響を受ける。したがって、コン
ディショニングの際にパッド面を最適化する能力は、極
めて必要とされる。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明は、複数のコン
ディショニング・エレメントと、少なくとも第１のセク
ションおよび第２のセクションとを有する不均一なコン
ディショニング面を備える化学機械研磨パッド・コンデ
ィショナを提供する。第１のセクションは、第１の切削
量／単位幅を有し、この第１の切削量／単位幅は、第２
のセクションの第２の切削量／単位幅より大きい。第１
のセクションは、少なくとも、第１の投影幅を有する第
１のコンディショニング・エレメントを有し、第２のセ
クションは、少なくとも、第１の投影幅と異なる第２の
投影幅を有する第２のコンディショニング・エレメント
を有する。第１のセクションは、さらにあるいは代わり
に、第１の密度を有する第１の複数のコンディショニン
グ・エレメントを有し、第２のセクションは、第１の密
度とは異なる第２の密度を有する第２の複数のコンディ
ショニング・エレメントを有する。第１のセクション
は、さらにあるいは代わりに、第１の切削深さを有する
少なくとも１つのコンディショニング・エレメントを有
し、第２のセクションは、第１の切削深さとは異なる第
２の切削深さを有する少なくとも１つのコンディショニ
ング・エレメントを有する。
【００１２】コンディショナは、リニアまたは回転ＣＭ
Ｐ処理に用いるように構成することができ、長方形とす
ることができ、またはローラ形コンディショナとするこ
とができる。回転ＣＭＰ処理における応用では、不均一
コンディショニング面は、半径方向内側位置での研磨パ
ッドの相対速度と、半径方向外側位置での研磨パッドの
相対速度との差を補償するように構成することができ
る。
【００１３】コンディショナは、さらに、第１のセクシ
ョンと第２のセクションとの間に、第３の遷移セクショ
ンを有する。第３のセクションは、第１の切削量／単位
幅と第２の切削量／単位幅との中間の第３の切削量／単
位幅を有する。第３のセクションは、また、第１の切削
量／単位幅と第２の切削量／単位幅との間の切削量／単
位幅の漸次遷移を有する。
【００１４】コンディショナは、研磨パッドと、コンデ
ィショナと、コンディショナに対して研磨パッドを動か
す機構とを備える化学機械研磨ツールにおける要素とす
ることができる。機構は、さらに、コンディショナに対
して研磨パッドをリニアにまたは回転して動かすように
構成することができる。
【００１５】コンディショナは、化学機械研磨パッドの
均一コンディショニングを与える方法を実行するために
用いることができる。この方法は、少なくとも、研磨パ
ッドの第１の領域を識別するステップを含み、第１の領
域は、研磨パッドの第２の領域とは、コンディショナに
より除去される材料の異なる量を必要とする。次に、コ
ンディショナに不均一コンディショニング面が設けら
れ、不均一コンディショニング面は、研磨パッドの第１
の領域に接触するように配置された、第１の切削量／単
位幅を有する第１のセクションと、研磨パッドの第２の
領域に接触するように配置された、第２の切削量／単位
幅を有する第２のセクションとを有する。次に、コンデ
ィショナを用いて、研磨パッドをコンディショニングす
る。
【００１６】この発明は、また、この発明のコンディシ
ョナの使用により得られる化学機械研磨パッドを含む。
このようなパッドは、複数の溝と、少なくとも第１の領
域および第２の領域とを有する不均一研磨面を備える。
第１の領域は、第１の溝容積／単位面積を有し、この第
１の溝容積／単位面積は、第２の領域の第２の溝容積／
単位面積とは異なる。
【００１７】前述した一般的な説明と、以下の詳細な説
明とは、この発明の例示であり、限定されるものではな
い。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照するが、これら
図面において、同一の参照番号は、同一の要素を示して
いる。図３は、複数のコンディショニング・エレメント
４４を有する不均一コンディショニング面４２を持つ化
学機械研磨パッド・コンディショナ４０の一例を示す。
不均一面４２は、３つの別個のセクション４６，４８，
５０を有している。セクション４６のコンディショニン
グ・エレメント４４ａは、幅Ｗ a を有し、この幅は、セ
クション５０のコンディショニング・エレメント４４ｃ
の幅Ｗc よりも大きい。セクション４８のコンディショ
ニング・エレメント４４ｂは、幅Ｗa と幅Ｗc の中間で
ある幅Ｗb を有している。
【００１９】コンディショニング・エレメントは、図５
に示すような技術上既知のいかなる断面形状をも有する
ことができる。これら断面形状は、正方形６０，楕円形
または長円形６２，長方形６４ａ，６４ｂ（長方形６４
ａでは長辺が切削面に対向し、または長方形６４ｂでは
短辺が切削面に対向している），円形６６，三角形６
８，菱形７０，またはあらゆる種類の多角形７２を含む
が、これらに限られるものではない。しかし、各断面形
状は、仮想面Ｉへの“投影幅（ｐｒｏｊｅｃｔｅｄ ｗ
ｉｄｔｈ）”を有している。この投影幅は、基本的に
は、図３に示されるような、コンディショナ４０の側面
から見たものである。したがって図５に示されるよう
に、コンディショニング・エレメントの各々は、その異
なる断面形状にかかわらず、同一の投影幅Ｗp を有する
ことができる。
【００２０】特定の断面形状は、エレメントの強度、ま
たは切削能力に対して、好ましい。例えば、仮想面Ｉに
対向するコーナを有する菱形断面または三角形断面は、
最適な切削を与えるのに理想的である。図５には、複数
の異なる形状のスタッドを有するコンディショナ４０が
説明のために示されているが、典型的に、コンディショ
ナは、一種類のスタッドのみを含んでいる。しかし、必
要ならば、一つのコンディショナに多くの形状を用いる
ことができる。
【００２１】セクション５０のコンディショニング・エ
レメント４４ｃのグループは、セクション４６のエレメ
ント４４ａのグループよりも大きい密度を有すると言う
ことができる。“密度”は、単位幅あたりの投影エレメ
ントの数を示している。単位幅は、図３の断面におい
て、矢印Ｘに沿って測定される。図３の側面図において
は、１列のみのエレメントが見えるけれども、コンディ
ショナ４０は、底面図である図５に示すように、数列の
エレメントを有することができる。各列のエレメント
は、列８０，８４のエレメントのように、仮想面Ｉから
見た他の列と直接に位置決めすることができ、または列
８２のエレメントが他の列８０，８４のギャップをふさ
ぐように、一列のエレメントは、他列のエレメント間の
ギャップをふさぐことができる。“投影エレメント”の
数は、側面から見えるエレメントの数である。したがっ
て、図５に示すように、３個のエレメントが列８０，８
４に配列され、列８２に２個のエレメントが配列されて
いるが、５個の投影エレメントがある。
【００２２】セクション５０のコンディショニング・エ
レメント４４ｃは、エレメント４４ａの切削深さよりも
大きい切削深さを有して示されている。“切削深さ”
は、コンディショニング・エレメントが研磨パッドを貫
通する深さを示している。各エレメントが研磨パッドを
貫通する程度は、コンディショニング・パッドが研磨パ
ッドと接触するときに、コンディショニング・パッドに
加えられる圧力の大きさによって制御される。しかし一
般的には、コンディショナ本体４１から、長い距離にわ
たって突出するエレメントは、長い切削深さを有してい
る。このように、ｄc の深さにわたって突出するエレメ
ント４４ｃは、本体４１から深さｄa にわたって突出す
るエレメント４４ａよりも長い切削深さを有している。
深さｄb にわたって突出するエレメント４４ｂは、エレ
メント４４ａの切削深さｄa とエレメント４４ｃの切削
深さｄc との間の中間切削深さを有している。
【００２３】コンディショニング・エレメントあたりの
深さ，密度，投影幅の相異、またはこれらの形状特徴の
組合わせは、単位幅あたり異なる切削量を各領域に与え
る。“単位幅あたりの切削量（切削量／単位幅）”は、
コンディショナの各単位幅あたりの、コンディショナに
よって除去される研磨パッドの量を示している。例え
ば、各コンディショニング・エレメント４４が、コンデ
ィショニング・パッド４０の本体４１から突出するスタ
ッドよりなる図３において、切削量／単位幅は、１列に
投影されるスタッドの全数と、各スタッドの投影幅と、
各スタッドの切削深さとを乗算し、これを領域の長さで
除算したものに等しい。
【００２４】ある実施例では、大きな投影幅と、大きな
密度と、大きな切削深さとの組合わせを用いて、より大
きな切削量／単位幅を与えることができる。他の実施例
では、唯一のそのような特徴の差異を用いて、異なる切
削量／単位幅を与えることができる。ある実施例では、
大きなエレメント投影幅は、小さい密度によって相殺す
ることができ、あるいは大きな密度は、小さなエレメン
ト投影幅によって相殺することができる。
【００２５】この発明の化学機械研磨パッド・コンディ
ショナは、リニアＣＭＰ処理または回転ＣＭＰ処理に使
用されるように構成することができる。回転ＣＭＰに用
いられるときには、半径方向外側の位置と半径方向内側
での、研磨パッドとウェハとの間の相対速度の差を補償
するように、不均一性を設計することができる。例え
ば、図２において、研磨パッド２４上の位置３０は、位
置３２の半径方向内側にある。外側位置３２での、研磨
パッド２４とウェハ２０との間の相対速度は、内側位置
３０での、研磨パッド２４とウェハ２０との間の相対速
度よりも大きい。その結果、研磨パッド２４の位置３２
での研削作用は、位置３０での研削作用よりも大きくな
る。
【００２６】速度のこの不均一性に対応するためには、
研磨パッド２４の面上に溝構造を設けて、位置３０にお
けるよりも、位置３２において、パッドの面から多くの
スラリー量を除去することが望ましい。パッド溝構造に
このような差異を与えるためには、研磨パッド２４の位
置３２をコンディショニングするコンディショナ４０の
セクションにおけるよりも、研磨パッド２４の位置３０
をコンディショニングするコンディショナ４０のセクシ
ョンにおける大きな切削量／単位幅を、コンディショナ
４０に与えることが望ましい。図３に示すように、セク
ション５０が位置３０に対して配置され、セクション４
６が位置３２に対して配置されるならば、コンディショ
ナ４０は、このような構造を与える。セクション５０と
セクション４６との間に、セクション４８が漸次遷移を
有することがさらに望ましく、あるいは、セクション４
８が、半径方向内側位置での最小コンディショニング・
エレメント４４ｃと、半径方向外側位置での最大コンデ
ィショニング・エレメント４４ａとの間で連続している
ことがさらに望ましい。
【００２７】一般に、コンディショナ４０における不均
一性を調整して、研磨パッドのすり切れまたはツール供
給圧力の不均一性を補償することができる。例えば、リ
ニアＣＭＰ処理では、研磨パッドのすり切れは異なり、
研磨パッドとウェハとの間に加えられる圧力は、中央部
におけるよりも周辺部で異なる。したがって、パッドの
研磨作用を、均一に保持するためには、中心部における
よりも周辺部において、異なる切削量／単位幅が必要と
される。
【００２８】図３は、長方形状を有するコンディショナ
４０を示しているが、技術上既知のいかなる形状とする
こともできる。一実施例では、図４に示すように、Ｚ軸
の周りに回転するようにされたシリンドリカルローラ形
のコンディショナ５２とすることができる。このような
コンディショナは、リニアＣＭＰ処理または回転ＣＭＰ
処理に用いることができ、長方形状コンディショナと同
様に配置される。シリンドリカルローラ形状は、ローラ
がＺ軸の周りに回転することを可能にし、研磨パッドと
コンディショナとの間の相対速度を増大または減少させ
る。ローラ形のコンディショナ５２は、Ｚ軸と同軸のシ
ャフト（図示せず）に設けることができ、技術上既知の
シャフトを回転させるいかなる機構によっても回転させ
ることができる。
【００２９】上述したコンディショナは、図１および図
２に示されるような、技術上既知のいかなる化学機械研
磨ツールに用いることができるが、このような構造に限
られるものではない。研磨パッドと、パッド・コンディ
ショナに対して研磨パッドを動かす機構とを有するツー
ルを、図示して説明したコンディショニング・パッド構
造と共に用いることができる。図４に示すようなシリン
ドリカルローラ・コンディショニング・パッドと共に用
いるツールは、技術上既知のように、Ｚ軸の回りにコン
ディショニング・パッドを回転させる構造をさらに有し
ている。
【００３０】したがって、上述したコンディショナを用
いて、化学機械研磨パッドをコンディショニングするこ
とができる。このようなコンディショニングを与える方
法は、研磨パッドの少なくとも第１の領域を識別するこ
とを含んでいる。研磨パッドの第１の領域は、研磨パッ
ドの第２の領域とは、異なる溝容積／単位面積を必要と
する。例えば、研磨パッドの第１の領域は、第２の領域
よりも広く深い溝を必要とする。回転ＣＭＰ処理では、
研磨パッド上での半径方向内側位置および外側位置で異
なる速度は、研磨パッドの内側セクションおよび外側セ
クションにおいて、異なる溝容積／単位面積を必要とす
る。
【００３１】次に、方法は、上述した構造によれば、研
磨パッドの第１の領域に対して配置される、第１の切削
量／単位幅で調整された第１のセクションと、第２の領
域に対して配置される、第２の切削量／単位幅で調整さ
れた第２のセクションとを有する不均一なコンディショ
ニング面を有するコンディショナを構成することを含
む。一領域と他領域とにおいて、より広いコンディショ
ニングが必要とされる例では、コンディショニング・パ
ッドは、第２のセクションが第２の領域をコンディショ
ニングする以上に、研磨パッドの第１の領域をコンディ
ショニングするように、第１のセクションを調整する。
このようにして与えられたコンディショナを用いて、研
磨パッドをコンディショニングする。
【００３２】この発明の範囲は、技術上知られている構
造の要素を含むコンディショナと、あらゆるサイズと断
面形状のコンディショニング・エレメントを有するコン
ディショナと、所望のコンディショニングの程度を与え
るように機能する密度を有するコンディショナとを含ん
でいる。
【００３３】図６において、上述したコンディショナで
コンディショニングされた回転研磨パッド９０のパイ形
状部は、一領域において対応する溝容積／単位面積を有
することができ、これは他領域の溝容積／単位面積とは
異なっている。例えば、図６に示すように、領域９２
は、領域９４におけるよりも大きい溝密度を有してい
る。領域９４は、領域９２よりも大きい溝幅Ｗg を有し
ている。また、図７に示されるリニア研磨パッド９６に
示されるように、コンディショニング・エレメントの切
削深さに応じて、溝深さｄg を変えることもできる。な
お、図７は、溝９５の深さｄg2よりも大きい深さｄg1を
有する溝９３を示している。
【００３４】研磨パッドをコンディショニングするため
に用いられるコンディショナに対するように、研磨パッ
ドは、異なる溝容積／単位面積を有する２つの領域９
２，９４を有することができ、領域９２と９４との間
に、中間の溝容積／単位面積を有する第３の領域９８を
さらに有することができる。第３の領域は、第１領域お
よび第２領域からの漸次遷移を与えることができる。こ
の発明のコンディショナを用いて作製されるように説明
したが、上記の構造的特徴を有する研磨パッドは、コン
ディショニングまたは研磨の前に、このような構造的特
徴を備えることができる。このような研磨パッドは、技
術上知られたプロセスで製造することができる。
【００３５】図６および図７には、連続した細長い溝が
示されているが、回転形コンディショナ５２でコンディ
ショニングされた研磨パッド９７は、図８に示される溝
９１および図９に示される溝９９のような、不連続な短
い溝を有することができる。各溝の長さは、２つの面間
の接触点での、研磨パッド９７の速度に対するローラ形
コンディショナ５２の速度に依存する。ほぼ同じ速度で
動く、ローラ形コンディショナ５２および研磨パッド９
７は、不連続溝９１を生じ、これら不連続溝は、図８に
示されるように、溝を形成するコンディショニング・エ
レメント４４よりも長くはない。研磨パッド９７よりも
低い速度で動くロール形コンディショナ５２は、細長い
不連続な溝９９となる。研磨パッド９７よりも速い速度
で動くローラ形コンディショナ５２は、不連続溝間の間
隔Ｓp を有する細長い溝を生じる。なお、間隔Ｓp は、
ローラ形コンディショナ５２の表面上のスタッド４４の
行１００間の間隔Ｓr よりも短い。
【００３６】図４に示すローラ形コンディショナ５２
は、ローラの一端から他端へ延びる軸Ｚに平行な、コン
ディショニング・エレメント４４の列１００を有する
が、ローラ形コンディショナは、ノンリニアなコンディ
ショニング・エレメント（例えばスタッド）パターン、
長手方向の一セクションと他セクションとで異なるコン
ディショニング・エレメント・パターン、一セクション
と他セクションとで異なる密度を有するコンディショニ
ング・エレメント・パターン、一端から他端へ延びてい
ないコンディショニング・エレメント・パターン、また
は、図３に示す非ローラ形コンディショナに関してのよ
うな構成の組合わせを有することができる。しかし、ロ
ーラ形のコンディショナは、“列密度（ｒｏｗ ｄｅｎ
ｓｉｔｙ）”−すなわち単位周長あたりの列の数−の追
加のパラメータを有している。したがって、長手方向一
セクションは、長手方向他セクションよりも、大きな列
密度を有することができる。
【００３７】ローラ形コンディショナは、また、非ロー
ラ形コンディショナに対して説明したコンディショニン
グ・エレメント・パラメータのすべての他の変化を有す
ることができる。一セクションから他セクションへの列
密度の変化と、コンディショニング・エレメントの幅お
よび高さ、または密度／単位幅の変化は、ローラの異な
る切削量／単位幅回転を与える。したがって、ローラの
一セクションにおける１単位幅の回転は、ローラの他セ
クションにおける１単位幅回転とは異なるコンディショ
ニング・パッドの量を切削する。
【００３８】例えば、図１０に示すローラ５３は、スタ
ッド１１０の列１００を９列有する第１の長手方向セク
ションを有し、各列は、図示の半周あたり第１の幅と高
さとを有している。他方、第２のセクションは、スタッ
ド１１１の列１０１を７列だけ有し、各列は、半周あた
り第２の幅と高さとを有している。異なるセクションが
存在する場合、多くのセクションを設けることができ、
あるいはセクション間に個々の分離を設けないこともで
きるが、一端の一パターンから他端の異なるパターンへ
の漸次遷移が設けられる。図１０に示すように、セクシ
ョン５６とセクション５８との間のセクション５７は、
スタッド１１２の列１０２を８列有する遷移セクション
を備えている。なお、各スタッドは、第１の幅および高
さと第２の幅および高さとの中間の第３の幅および高さ
を有している。ローラ形コンディショナの一端と他端と
における異なるパターンは、例えば、回転研磨パッドに
用いるローラ形コンディショナにおいて、有利である。
このような使用は、研磨パッドの外側半径と内側半径で
の、異なる半径方向速度を補償するために、スタッドの
異なるパターンを与えることができる。
【００３９】この発明を、特定の実施例に基づいて説明
したが、説明したものに限定することを意図するもので
はない。むしろ、請求項の発明と均等な範囲で、かつこ
の発明の趣旨から離れることなく、種々の変更を行うこ
とができる。
【００４０】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。 （１）化学機械研磨パッドをコンディショニングする化
学機械研磨パッド・コンディショナであって、複数のコ
ンディショニング・エレメントと、少なくとも第１のセ
クションおよび第２のセクションとを有する不均一なコ
ンディショニング面を備え、前記第１のセクションは、
第１の切削量／単位幅を定め、この第１の切削量／単位
幅は、前記第２のセクションの第２の切削量／単位幅と
は異なる、化学機械研磨パッド・コンディショナ。 （２）上記（１）に記載の化学機械研磨パッド・コンデ
ィショナであって、前記第１のセクションは、少なくと
も、第１の投影幅を有する第１のコンディショニング・
エレメントを有し、前記第２のセクションは、少なくと
も、前記第１の投影幅と異なる第２の投影幅を有する第
２のコンディショニング・エレメントを有する、化学機
械研磨パッド・コンディショナ。 （３）上記（１）に記載の化学機械研磨パッド・コンデ
ィショナであって、前記第１のセクションは、第１のコ
ンディショニング・エレメント密度を有し、前記第２の
セクションは、第１のコンディショニング・エレメント
密度とは異なる第２のコンディショニング・エレメント
密度を有する、化学機械研磨パッド・コンディショナ。 （４）上記（１）に記載の化学機械研磨パッド・コンデ
ィショナであって、前記第１のセクションは、少なくと
も、第１の切削深さを有する第１のコンディショニング
・エレメントを有し、前記第２のセクションは、少なく
とも、前記第１の切削深さとは異なる第２の切削深さを
有する第２のコンディショニング・エレメントを有す
る、化学機械研磨パッド・コンディショナ。 （５）上記（１）に記載の化学機械研磨パッド・コンデ
ィショナであって、前記コンディショニング・エレメン
トは、スタッドよりなる、化学機械研磨パッド・コンデ
ィショナ。 （６）上記（５）に記載の化学機械研磨パッド・コンデ
ィショナであって、前記スタッドは、正方形，長円形，
長方形，円形，三角形，楕円形，菱形，多角形，これら
形状の組合わせよりなる群から選ばれた断面形状を有す
る、化学機械研磨パッド・コンディショナ。 （７）上記（１）に記載の化学機械研磨（ＣＭＰ）パッ
ド・コンディショナであって、リニアＣＭＰ処理に用い
るように構成されている、化学機械研磨パッド・コンデ
ィショナ。 （８）上記（７）に記載の化学機械研磨パッド・コンデ
ィショナであって、前記第１のセクションは、研磨パッ
ドの中央領域をコンディショニングするように配置さ
れ、前記第２のセクションは、研磨パッドの周辺領域を
コンディショニングするように配置されている、化学機
械研磨パッド・コンディショナ。 （９）上記（１）に記載の化学機械研磨パッド・コンデ
ィショナであって、回転ＣＭＰ処理に用いるように構成
されている、化学機械研磨パッド・コンディショナ。 （１０）上記（９）に記載の化学機械研磨パッド・コン
ディショナであって、前記第１のセクションは、研磨パ
ッドの中央領域をコンディショニングするように配置さ
れ、前記第２のセクションは、研磨パッドの周辺領域を
コンディショニングするように配置されている、化学機
械研磨パッド・コンディショナ。 （１１）上記（９）に記載の化学機械研磨パッド・コン
ディショナであって、前記不均一コンディショニング面
は、半径方向内側位置での研磨パッドの速度と、半径方
向外側位置での研磨パッドの速度との差を補償する、化
学機械研磨パッド・コンディショナ。 （１２）上記（１）に記載の化学機械研磨パッド・コン
ディショナであって、前記第１のセクションと第２のセ
クションとの間に、第３の遷移セクションを有し、この
遷移セクションは、前記第１の切削量／単位幅と前記第
２の切削量／単位幅との中間の第３の切削量／単位幅を
有する、化学機械研磨パッド・コンディショナ。 （１３）上記（１２）に記載の化学機械研磨パッド・コ
ンディショナであって、前記第３のセクションは、第１
の切削量／単位幅と第２の切削量／単位幅との間の切削
量／単位幅の漸次遷移を有する、化学機械研磨パッド・
コンディショナ。 （１４）上記（１）に記載の化学機械研磨パッド・コン
ディショナであって、前記不均一コンディショニング面
は、研磨パッドのすり切れ、または研磨中のウェハに対
する研磨パッドの供給圧力の不均一性を補償する、化学
機械研磨パッド・コンディショナ。 （１５）上記（１）に記載の化学機械研磨パッド・コン
ディショナであって、前記コンディショナは、長方形状
を有する、化学機械研磨パッド・コンディショナ。 （１６）上記（１）に記載の化学機械研磨パッド・コン
ディショナであって、前記コンディショナは、シリンド
リカルローラをよりなる、化学機械研磨パッド・コンデ
ィショナ。 （１７）研磨パッドと、第１の切削量／単位幅を有する
第１のセクションと、前記第１の切削量／単位幅に等し
くない第２の切削量／単位幅を有する第２のセクション
とを有する不均一コンディショニング面を有するコンデ
ィショナと、前記コンディショナに対して前記研磨パッ
ドを動かす手段と、を備える化学機械研磨ツール。 （１８）上記（１７）に記載の化学機械研磨ツールであ
って、前記コンディショナに対して前記研磨パッドを動
かす手段は、リニア状に動かす、化学機械研磨ツール。 （１９）上記（１７）に記載の化学機械研磨ツールであ
って、前記コンディショナに対して前記研磨パッドを動
かす手段は、前記コンディショナに対して前記研磨パッ
ドを回転させる、化学機械研磨ツール。 （２０）上記（１７）に記載の化学機械研磨ツールであ
って、前記コンディショナは、軸を有するシリンドリカ
ルローラであり、前記軸を回転する手段をさらに備え
る、化学機械研磨ツール。 （２１）コンディショナを用いて化学機械研磨パッドを
コンディショニングする方法であって、（ａ）少なくと
も、前記研磨パッドの第１の領域を識別するステップを
含み、前記第１の領域は、前記研磨パッドの第２の領域
よりも大きい溝容積／単位面積を必要とし、（ｂ）前記
コンディショナに不均一コンディショニング面を設ける
ステップを含み、前記不均一コンディショニング面は、
前記研磨パッドの第１の領域に接触するように配置され
た、第１の切削量／単位幅を有する第１のセクション
と、前記研磨パッドの第２の領域に接触するように配置
された、第２の切削量／単位幅を有する第２のセクショ
ンとを有し、前記第１の切削量／単位幅は、前記第２の
切削量／単位幅よりも大きく、（ｃ）前記研磨パッドを
前記コンディショナでコンディショニングするステップ
を含む、化学機械研磨パッドをコンディショニングする
方法。 （２２）上記（２１）の調整方法によって作製された化
学機械研磨パッド。 （２３）複数の溝と、少なくとも第１の領域および第２
の領域とを有する不均一研磨面を備え、前記第１の領域
は、第１の溝容積／単位面積を有し、この第１の溝容積
／単位面積は、前記第２の領域の第２の溝容積／単位面
積とは異なる、化学機械研磨パッド。 （２４）上記（２３）に記載の化学機械研磨パッドであ
って、前記第１の領域は、少なくとも、第１の幅を有す
る第１の溝を有し、前記第２の領域は、少なくとも、前
記第１の幅とは異なる第２の幅を有する第２の溝を有す
る、化学機械研磨パッド。 （２５）上記（２３）に記載の化学機械研磨パッドであ
って、前記第１の領域は、第１の溝密度を有し、前記第
２の領域は、前記第１の溝密度とは異なる第２の溝密度
を有する、化学機械研磨パッド。 （２６）上記（２３）に記載の化学機械研磨パッドであ
って、前記第１の領域は、少なくとも、第１の深さを有
する第１の溝を有し、前記第２の領域は、少なくとも、
前記第１の深さとは異なる第２の深さを有する第２の溝
を有する、化学機械研磨パッド。 （２７）上記（２３）に記載の化学機械研磨（ＣＭＰ）
パッドであって、前記研磨パッドは、リニアＣＭＰ処理
用に構成されている、化学機械研磨パッド。 （２８）上記（２７）に記載の化学機械研磨パッドであ
って、前記第１の領域は、前記研磨パッドの中央領域を
有し、前記第２の領域は、前記研磨パッドの周辺領域を
有する、化学機械研磨パッド。 （２９）上記（２３）に記載の化学機械研磨パッドであ
って、前記研磨パッドは、回転化学機械研磨処理用に構
成されている、化学機械研磨パッド。 （３０）上記（２９）に記載の化学機械研磨パッドであ
って、前記第１の領域は、前記研磨パッドの中央領域を
有し、前記第２の領域は、前記研磨パッドの周辺領域を
有する、化学機械研磨パッド。 （３１）上記（３０）に記載の化学機械研磨パッドであ
って、前記研磨パッドの不均一研磨面は、半径方向内側
位置での前記研磨パッドの速度と、半径方向外側位置で
の前記研磨パッドの速度との差を補償する、化学機械研
磨パッド。 （３２）上記（２３）に記載の化学機械研磨パッドであ
って、前記第１の領域と第２の領域との間に、第３の遷
移領域を有し、この遷移領域は、第１の溝容積／単位面
積と第２の溝容積／単位面積との中間の第３の溝容積／
単位面積を有する、化学機械研磨パッド。 （３３）上記（３２）に記載の化学機械研磨パッドであ
って、前記第３の領域は、第１の溝容積／単位面積と第
２の溝容積／単位面積との間の溝容積／単位面積の漸次
遷移を有する、化学機械研磨パッド。 （３４）上記（２３）に記載の化学機械研磨パッドにお
いて、前記不均一研磨面は、前記研磨パッドのすり切
れ、または研磨中のウェハに対する研磨パッドの供給圧
力の不均一性を補償する、化学機械研磨パッド。 （３５）化学機械研磨パッドをコンディショニングする
化学機械研磨パッド・コンディショナであって、複数の
コンディショニング・エレメントを有するシリンドリカ
ルローラを備える、化学機械研磨パッド・コンディショ
ナ。 （３６）上記（３５）に記載の化学機械研磨パッド・コ
ンディショナであって、前記シリンドリカルローラは、
少なくとも、第１の長手方向セクションと、第２の長手
方向セクションとを有し、前記第１の長手方向セクショ
ンは、第１の切削量／単位幅回転を有し、この第１の切
削量／単位幅回転は、前記第２の長手方向セクションの
第２の切削量／単位幅回転とは異なる、化学機械研磨パ
ッド・コンディショナ。 （３７）上記（３６）に記載の化学機械研磨パッド・コ
ンディショナであって、前記第１の長手方向セクション
は、第１の列密度のコンディショニング・エレメントを
有し、前記第２の長手方向セクションは、第２の列密度
のコンディショニング・エレメントを有する、化学機械
研磨パッド・コンディショナ。 （３８）上記（３６）に記載の化学機械研磨パッド・コ
ンディショナであって、前記シリンドリカルローラは、
少なくとも、前記第１の長手方向セクションと第２の長
手方向セクションとの中間の第３の長手方向セクション
を有し、この第３の長手方向セクションは、前記第１の
切削量／単位幅回転と第２の切削量／単位幅回転との中
間の第３の切削量／単位幅回転を有する、化学機械研磨
パッド・コンディショナ。
【図面の簡単な説明】
【図１】典型的なリニアＣＭＰ処理を説明する平面図で
ある。
【図２】典型的な回転ＣＭＰ処理を説明する平面図であ
る。
【図３】この発明の長方形状パッド・コンディショナの
一例の側面図である。
【図４】この発明のシリンドリカルローラ・パッド・コ
ンディショナの一例の斜視図である。
【図５】同一の投影幅を有するコンディショニング・エ
レメントの種々の形状を示す、コンディショナの平面図
である。
【図６】この発明のコンディショナを用いることによっ
て作製された回転研磨パッドの一部の平面図である。
【図７】この発明のコンディショナを用いることによっ
て作製されたリニア研磨パッドの一部の部分断面斜視図
である。
【図８】コンディショナと研磨パッドとがほぼ同じ速度
で動く、この発明のローラ形コンディショナを用いるこ
とによって作製された研磨パッドの一部の平面図であ
る。
【図９】コンディショナが研磨パッドよりも低速で動
く、この発明のローラ形コンディショナを用いることに
よって作製された研磨パッドの一部の平面図である。
【図１０】異なる列密度を有するセクションを示すこの
発明のシリンドリカルローラ・パッド・コンディショナ
の一例の斜視図である。
【符号の説明】
２０ 半導体ウェハ ２２，２４，９７ 研磨パッド ２６ コンディショニング・パッド ３０ 第２の基準位置 ３２ 第１の基準位置 ４０ 化学機械研磨パッド・コンディショニング ４２ 不均一コンディショニング面 ４４ コンディショニング・エレメント ４６，４８，５０ セクション ５２，５３ ローラ形コンディショナ ５６，５７，５８ セクション ８０，８２，８４，１００ 列 ９０ 回転研磨パッド ９２，９４，９８ 領域 ９１，９３，９５，９９ 溝 １１０，１１１，１１２ スタッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｂ２４Ｂ 53/12 Ｂ２４Ｂ 53/12 Ｚ (72)発明者 アダム・ティックノア アメリカ合衆国 12590 ニューヨーク 州 ワッピンガーズ フォールズ アー ルティーイー ９ディー 751 (56)参考文献 特開 平11−300601（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−11117（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−267354（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−77517（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−254019（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−7982（ＪＰ，Ａ) 特開2000−94303（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 B24B 37/00 B24B 53/00 B24B 53/12

Claims (21)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】回転する円形の化学機械研磨パッドの半径
    方向に沿って配置され、該化学機械研磨パッドをコンデ
    ィショニングする化学機械研磨パッド・コンディショナ
    であって、前記化学機械研磨パッドの半径方向に沿って互いに間隔
    を置いて設けられそれぞれが前記化学機械研磨パッドに
    溝を形成する 複数のコンディショニング・エレメント
    と、 少なくとも第１のセクションおよび第２のセクションと
    を備え、 前記第１のセクションは、前記化学機械研磨パッドの半
    径方向内側領域をコンディショニングし、前記第１のセ
    クションの前記コンディショニング・エレメントは、第
    １のコンディショニング・エレメント密度で設けられて
    第１の切削量／単位幅を与え、前記第２のセクションは、前記化学機械研磨パッドの半
    径方向外側領域をコンディショニングし、前記第２のセ
    クションの前記コンディショニング・エレメントは、前
    記第１のコンディショニング・エレメント密度よりも小
    さい第２のコンディショニング・エレメント密度で設け
    られて、前記第１の切削量／単位幅とは異なる第２の切
    削量／単位幅を与えることを特徴とする、 化学機械研磨
    パッド・コンディショナ。
  2. 【請求項２】請求項１に記載の化学機械研磨パッド・コ
    ンディショナであって、 前記第１のセクションのコンディショニング・エレメン
    トは第１の投影幅を有し、前記第２のセクションのコン
    ディショニング・エレメントは前記第１の投影幅と異な
    る第２の投影幅を有する第２のコンディショニング・エ
    レメントを有し、前記化学機械研磨パッドの前記半径方
    向内側領域の溝の幅を前記半径方向外側領域の溝の幅と
    は異なる幅にする、化学機械研磨パッド・コンディショ
    ナ。
  3. 【請求項３】請求項２に記載の化学機械研磨パッド・コ
    ンディショナであって、 前記第１の投影幅は前記第２の投影幅よりも狭く、前記
    化学機械研磨パッドの前記半径方向内側領域の溝の幅を
    前記半径方向外側領域の溝の幅よりも狭くする、化学機
    械研磨パッド・コンディショナ。
  4. 【請求項４】請求項１に記載の化学機械研磨パッド・コ
    ンディショナであって、 前記第１のセクションのコンディショニング・エレメン
    トは第１の切削深さを有し、前記第２のセクションのコ
    ンディショニング・エレメントは前記第１の切削深さと
    は異なる第２の切削深さを有する、化学機械研磨パッド
    ・コンディショナ。
  5. 【請求項５】請求項１に記載の化学機械研磨パッド・コ
    ンディショナであって、 前記コンディショニング・エレメントは、スタッドより
    なる、化学機械研磨パッド・コンディショナ。
  6. 【請求項６】請求項５に記載の化学機械研磨パッド・コ
    ンディショナであって、 前記スタッドは、正方形，長円形，長方形，円形，三角
    形，楕円形，菱形，多角形，これら形状の組合わせより
    なる群から選ばれた断面形状を有する、化学機械研磨パ
    ッド・コンディショナ。
  7. 【請求項７】請求項１に記載の化学機械研磨パッド・コ
    ンディショナであって、 前記第１のセクションと第２のセクションとの間に、第
    ３の遷移セクションを有し、この遷移セクションは、前
    記第１の切削量／単位幅と前記第２の切削量／単位幅と
    の中間の第３の切削量／単位幅を有する、化学機械研磨
    パッド・コンディショナ。
  8. 【請求項８】請求項７に記載の化学機械研磨パッド・コ
    ンディショナであって、 前記第３のセクションは、第１の切削量／単位幅と第２
    の切削量／単位幅との間の切削量／単位幅の漸次遷移を
    有する、化学機械研磨パッド・コンディショナ。
  9. 【請求項９】請求項１に記載の化学機械研磨パッド・コ
    ンディショナであって、 前記コンディショナは、長方形状を有する、化学機械研
    磨パッド・コンディショナ。
  10. 【請求項１０】請求項１に記載の化学機械研磨パッド・
    コンディショナであって、 前記コンディショナは、軸を有するシリンドリカルロー
    ラであり、 前記軸を回転する手段をさらに備える 、化学機械研磨パ
    ッド・コンディショナ。
  11. 【請求項１１】請求項１に記載の化学機械研磨パッド・
    コンディショナであって、 前記コンディショナは、軸を有するシリンドリカルロー
    ラであり、前記軸を回転する手段をさらに備え、 前記シリンドリカルローラの表面に、スタッドからなる
    コンディショニング・エレメントが前記軸と平行な方向
    に沿って複数個互いに間隔を置いて設けられて１つのス
    タッド列を形成し、そして該スタッド列が複数列設けら
    れており、 前記第１セクションに設けられているスタッド列の数
    は、前記第２セクションに設けられているスタッド列の
    数よりも多い、化学機械研磨パッド・コンディショナ。
  12. 【請求項１２】円形の化学機械研磨パッドと、 前記化学機械研磨パッドの半径方向に沿って配置され、
    該化学機械研磨パッドをコンディショニングする化学機
    械研磨パッド・コンディショナと、 前記化学機械研磨パッドを回転させる手段とを備え、 前記化学機械研磨パッド・コンディショナは、 前記化学機械研磨パッドの半径方向に沿って互いに間隔
    を置いて設けられそれぞれが前記化学機械研磨パッドに
    溝を形成する複数のコンディショニング・エレメント
    と、 少なくとも第１のセクションおよび第２のセクションと
    を有し、 前記第１のセクションは、前記化学機械研磨パッドの半
    径方向内側領域をコンディショニングし、前記第１のセ
    クションの前記コンディショニング・エレメントは、第
    １のコンディショニング・エレメント密度で設けられて
    第１の切削量／単位幅を与え、 前記第２のセクションは、前記化学機械研磨パッドの半
    径方向外側領域をコンディショニングし、前記第２のセ
    クションの前記コンディショニング・エレメントは、前
    記第１のコンディショニング・エレメント密度よりも小
    さい第２のコンディショニング・エレメント密度で設け
    られて、前記第１の切削量／単位幅とは異なる第２の切
    削量／単位幅を与えることを特徴とする、 化学機械研磨
    ツール。
  13. 【請求項１３】請求項１２に記載の化学機械研磨ツール
    であって、 前記第１のセクションのコンディショニング・エレメン
    トは第１の投影幅を有し、前記第２のセクションのコン
    ディショニング・エレメントは前記第１の投影幅と異な
    る第２の投影幅を有する第２のコンディショニング・エ
    レメントを有し、前記化学機械研磨パッドの前記半径方
    向内側領域の溝の幅を前記半径方向外側領域の溝の幅と
    は異なる幅にする、化学機械研磨ツール。
  14. 【請求項１４】請求項１３に記載の化学機械研磨ツール
    であって、 前記第１の投影幅は前記第２の投影幅よりも狭く、前記
    化学機械研磨パッドの前記半径方向内側領域の溝の幅を
    前記半径方向外側領域の溝の幅よりも狭くする、化学機
    械研磨ツール。
  15. 【請求項１５】請求項１２に記載の化学機械研磨ツール
    であって、 前記第１のセクションのコンディショニング・エレメン
    トは第１の切削深さを有し、前記第２のセクションのコ
    ンディショニング・エレメントは前記第１の切削深さと
    は異なる第２の切削深さを有する、化学機械研磨ツー
    ル。
  16. 【請求項１６】請求項１２に記載の化学機械研磨ツール
    であって、 前記コンディショニング・エレメントは、スタッドより
    なる、化学機械研磨ツール。
  17. 【請求項１７】請求項１２に記載の化学機械研磨ツール
    であって、 前記コンディショナは、軸を有するシリンドリカルロー
    ラであり、 前記軸を回転する手段をさらに備える、化学機械研磨ツ
    ール。
  18. 【請求項１８】コンディショナを用いて円形の化学機械
    研磨パッドをコンディショニングする方法であって、 （ａ）互いに間隔を置いて設けられそれぞれが前記化学
    機械研磨パッドに溝を形成する複数のコンディショニン
    グ・エレメントと、少なくとも第１のセクションおよび
    第２のセクションとを備え、前記第１のセクションは、
    前記化学機械研磨パッドの半径方向内側領域をコンディ
    ショニングし、前記第１のセクションの前記コンディシ
    ョニング・エレメントは、第１のコンディショニング・
    エレメント密度で設けられて第１の切削量／単位幅を与
    え、前記第２のセクションは、前記化学機械研磨パッド
    の半径方向外側領域をコンディショニングし、前記第２
    のセクションの前記コンディショニング・エレメント
    は、前記第１のコンディショニング・エレメント密度よ
    りも小さい第２のコンディショニング・エレメント密度
    で設けられて、前記第１の切削量／単位幅とは異なる第
    ２の切削量／単位幅を与える、化学機械研磨パッド・コ
    ンディショナを前記化学機械研磨パッドの半径方向に沿
    って配置すると共に前記複数のコンディショニング・エ
    レメントを前記化学機械研磨パッドの表面に接触させる
    ステップと、 （ｂ）前記化学機械研磨パッドを回転させて、該化学機
    械研磨パッドを前記化学機械研磨パッド・コンディショ
    ナで コンディショニングするステップを含む、 化学機械研磨パッドをコンディショニングする方法。
  19. 【請求項１９】請求項１８の方法によってコンディショ
    ニングされた円形の化学機械研磨パッド。
  20. 【請求項２０】同心円状に設けられた複数の溝を備え、
    半径方向内側の第１の領域に設けられている溝の密度
    は、半径方向外側の第２の領域に設けられている溝の密
    度よりも大きく、前記第１の領域に設けられている溝の
    幅は、前記第２の領域に設けられている溝の幅よりも狭
    いことを特徴とする、化学機械研磨パッド。
  21. 【請求項２１】請求項２０に記載の化学機械研磨パッド
    であって、 前記第１の領域と第２の領域との間に、第３の遷移領域
    を有し、該第３の遷移領域に設けられている溝の密度
    は、前記第１の領域の溝の密度と前記第２の領域の溝の
    密度の中間の密度であり、前記第３の遷移領域に設けら
    れている溝の幅は、前記第１の領域の溝の幅と前記第２
    の領域の溝の幅の中間の幅である、化学機械研磨パッ
    ド。
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