KR20180037113A - 웨이퍼의 가공 방법 및 연마 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 연마한 후 조속하게 게터링층 형성으로 이행할 수 있어, 설계대로의 웨이퍼로 가공할 수 있는 웨이퍼의 가공 방법 및 연마 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
웨이퍼의 가공 방법은 연마 패드를 사용하여 웨이퍼의 이면에 게터링층을 형성하는 방법으로서, 척 테이블에 웨이퍼의 표면에 점착된 BG 테이프를 유지하는 웨이퍼 유지 공정(ST1)과, 연마 패드에 연마액을 공급하면서 연마 패드와 척 테이블을 회전시키면서 웨이퍼의 이면에서 왜곡층을 제거하는 왜곡층 제거 공정(ST4)과, 왜곡층 제거 공정(ST4)의 실시 후에 연마 패드를 향하여 노즐로부터 린스액을 공급하여 잔존 연마액을 제거하는 연마액 제거 공정(ST5)과, 연마 패드 및 웨이퍼에 지립을 포함하지 않는 액을 공급하면서 연마 패드와 척 테이블을 회전시키면서 웨이퍼의 이면에 게터링층을 형성하는 게터링층 형성 공정(ST6)을 포함한다.

Description

웨이퍼의 가공 방법 및 연마 장치{WAFER PROCESSING METHOD AND POLISHING APPARATUS}
본 발명은 웨이퍼의 가공 방법 및 연마 장치에 관한 것이다.
전자 디바이스 제조 공정에 있어서는, 대략 원판형인 실리콘 기판 등의 표면에 격자형으로 배열된 스트리트라고 불리는 분할 예정 라인에 의해 복수의 영역을 구획하고, 그 영역의 각각에 IC(Integrated Circuit), LSI(Large-Scale Integration) 등의 디바이스를 형성한다. 이와 같이 복수의 디바이스가 형성된 웨이퍼를 스트리트를 따라 분할함으로써, 개개의 디바이스를 형성한다. 디바이스의 소형화 및 경량화를 도모하기 위해, 통상, 웨이퍼를 스트리트를 따라 절단하여 개개의 영역을 분할하는 데 앞서, 웨이퍼의 이면을 연삭하여 소정의 두께로 형성하고 있다.
전술한 바와 같은 웨이퍼의 이면을 연삭하면, 디바이스의 이면에 마이크로 크랙으로 이루어지는 1㎛ 정도의 연삭 왜곡층이 생성된다. 또한, 연삭 왜곡층에 의해 디바이스의 항절 강도가 저하하기 때문에, 웨이퍼의 이면을 연삭하여 미리 정해진 두께로 형성한 후에, 웨이퍼의 이면에 연마 가공, 에칭 가공 등을 실시하여, 웨이퍼의 이면에 생성된 연삭 왜곡층을 제거하여, 디바이스의 항절 강도의 저하를 막고 있다.
한편, 이면의 왜곡층이 제거되면 게터링 효과가 저하하여 웨이퍼의 내부에 함유된 구리 등의 금속 이온이 디바이스가 형성된 표면측으로 이동함으로써 전류 누설이 발생할 우려가 생긴다. 이러한 문제를 해소하기 위해, 웨이퍼의 이면에 연삭 왜곡층(게터링층)을 형성하는 것이 행해진다.
그러나, 상기를 실시하기 위해서는 연마 수단과 게터링층 형성 수단이 필요로 되어, 장치 구성이 복잡해진다고 하는 문제가 있다. 이 문제점에 대하여, 특허문헌 1에서는, 연마 기능과 게터링층 형성 기능을 겸비한 연마 패드를 구비하는 연마 장치가 제안되어 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2015-046550호 공보
생산성 향상의 관점에서는 연마한 후 곧바로 게터링층 형성으로 이행하고 싶지만, 연마 후의 연마 패드에는, 연마액이 포함되어 있어, 즉각 게터링층의 형성이 행해지는 것은 아니다. 또한, 설계대로의 값으로 연마 완료되어도 연마액을 포함하는 연마 패드가 웨이퍼에 접함으로써, 설계값을 넘어 웨이퍼가 침식될 우려가 있다.
그래서, 본 발명의 목적은 연마한 후 조속하게 게터링층 형성으로 이행할 수 있어, 설계대로의 웨이퍼로 가공할 수 있는 웨이퍼의 가공 방법 및 연마 장치를 제공하는 것이다.
전술한 과제를 해결하여 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 웨이퍼의 가공 방법은 웨이퍼보다 모스 경도가 높은 지립을 갖는 연마 패드를 사용하여, 상기 웨이퍼의 표면에 디바이스가 형성된 웨이퍼의 이면에 게터링층을 형성하는 웨이퍼의 가공 방법으로서, 웨이퍼의 표면에 보호 부재를 점착하여, 척 테이블의 유지면에 보호 부재측을 유지하는 웨이퍼 유지 공정과, 상기 연마 패드에 연마액을 공급하면서 상기 연마 패드를 회전시키며 상기 척 테이블을 회전시키면서 상기 연마 패드에 의해 웨이퍼의 이면을 연마함으로써 웨이퍼의 이면으로부터 왜곡층을 제거하는 왜곡층 제거 공정과, 상기 왜곡층 제거 공정의 실시 후에 상기 연마 패드를 향하여 노즐로부터 린스액을 공급하여 상기 연마 패드에 포함되는 잔존 연마액을 제거하는 연마액 제거 공정과, 상기 연마 패드 및 웨이퍼에 지립을 포함하지 않는 액을 공급하면서 상기 연마 패드를 회전시키며 상기 척 테이블을 회전시키면서 상기 연마 패드에 의해 웨이퍼의 이면을 연마함으로써 이면에 게터링층을 형성하는 게터링층 형성 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 게터링층 형성 공정은, 상기 척 테이블을 상기 연마 패드에 대하여 수평 이동시키면서 행하여도 좋다.
본 발명의 연마 장치는, 웨이퍼를 연마하는 연마 장치로서, 웨이퍼를 회전 가능하게 유지하는 척 테이블과, 상기 척 테이블에 유지된 웨이퍼를 연마하여, 상기 연마한 웨이퍼에 게터링층을 형성하는 연마 패드를 갖는 연마 수단과, 웨이퍼 및 상기 연마 패드에 연마액을 공급하는 연마액 공급원과, 웨이퍼 및 상기 연마 패드에 연마액과는 상이한 지립을 포함하지 않는 액을 공급하는 액 공급원과, 적어도 상기 연마 수단과 상기 척 테이블을 제어하여, 연마액을 공급하면서 웨이퍼를 연마하고, 이어서 상기 지립을 포함하지 않는 액을 공급하면서 게터링층을 형성하는 제어 수단과, 상기 척 테이블에 인접하여 마련되어, 연마액을 제거하기 위한 린스액을 상기 연마 패드를 향하여 공급하는 노즐을 구비하고, 상기 제어 수단은 또한 웨이퍼를 연마한 후 게터링층 형성으로 이행할 때, 상기 노즐로부터 상기 연마 패드를 향하여 린스액을 공급하여 상기 연마 패드에 잔존하는 연마액을 제거하도록 제어하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 연마로부터 게터링층 형성으로 이행하는 시간을 단축함으로써 생산성을 향상시키며 설계한 대로 가공할 수 있다.
도 1은 실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 가공 대상의 웨이퍼를 나타내는 사시도이다.
도 2는 실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법에 이용되는 연삭 연마 장치의 구성예의 사시도이다.
도 3은 도 2에 표시된 연삭 연마 장치의 연마 수단의 구성예를 나타내는 사시도이다.
도 4는 실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 흐름을 나타내는 흐름도이다.
도 5는 실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 웨이퍼 유지 공정의 표면에 BG 테이프가 점착된 웨이퍼의 단면도이다.
도 6은 실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 왜곡층 제거 공정을 나타내는 도면이다.
도 7은 실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 연마액 제거 공정을 나타내는 도면이다.
도 8은 실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 게터링층 형성 공정을 나타내는 도면이다.
도 9는 실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 개편화 공정을 나타내는 도면이다.
도 10은 실시형 웨이퍼의 가공 방법의 왜곡층 제거 공정을 나타내는 도면이다.
도 11은 실시형태 2에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 연마액 제거 공정을 나타내는 도면이다.
도 12는 실시형태 2에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 게터링층 형성 공정을 나타내는 도면이다.
도 13은 실시형태 2의 변형예 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 연마액 제거 공정을 나타내는 도면이다.
본 발명을 실시하기 위한 형태(실시형태)에 대해서, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 이하의 실시형태에 기재한 내용에 의해 본 발명이 한정되는 것이 아니다. 또한, 이하에 기재한 구성 요소에는, 당업자가 용이하게 상정할 수 있는 것, 실질적으로 동일한 것이 포함된다. 또한, 이하에 기재한 구성은 적절하게 조합하는 것이 가능하다. 또한, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성의 여러 가지의 생략, 치환 또는 변경을 행할 수 있다.
〔실시형태 1〕
본 발명의 실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 1은 실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 가공 대상의 웨이퍼를 나타내는 사시도이다. 도 2는 실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법에 이용되는 연삭 연마 장치의 구성예의 사시도이다. 도 3은 도 2에 나타낸 연삭 연마 장치의 연마 수단의 구성예를 나타내는 사시도이다.
실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법은, 웨이퍼(W)의 이면(WR)에 게터링층(G)을 형성하며, 웨이퍼(W)를 디바이스 칩(DT)(도 1 중에 점선으로 나타냄)으로 분할하는 방법이다. 웨이퍼(W)는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 실리콘을 모재로 하는 원판형의 반도체 웨이퍼나 광 디바이스 웨이퍼이다. 웨이퍼(W)는, 표면(WS)에 격자형으로 형성되는 복수의 스트리트(S)에 의해 구획된 영역에 디바이스(DV)가 형성되어 있다. 즉, 웨이퍼(W)는, 표면(WS)에 복수의 디바이스(DV)가 형성되어 있다. 웨이퍼(W)는, 표면(WS)의 이면의 이면(WR)에 연삭 가공 등이 실시되어, 미리 정해진 두께까지 박화된 후에, 이면(WR)측에 게터링층(G)이 형성된다. 게터링층(G)은, 웨이퍼(W)의 이면(WR), 즉 각 디바이스(DV)의 이면(WR)에 결정 결함, 왜곡 등(게터링 사이트라고 함)이 형성된 층이고, 이 게터링 사이트에 금속 오염을 야기하는 불순물을 포획, 고착하는 층이다. 실시형태 1에 있어서, 웨이퍼(W)는, 이면(WR)측에 게터링층(G)이 형성된 후, 디바이스(DV)를 포함하는 디바이스 칩(DT)으로 분할되는데, 연삭 연마 장치(1)에 의해 연삭 가공되기 전에 표면(WS)측으로부터 이면(WR)에 이르지 않는 홈이 형성되어, 연삭 연마 장치(1)에 의해 디바이스 칩(DT)으로 분할된 후에, 이면(WR)측에 게터링층(G)이 형성되어도 좋다.
실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법은, 적어도 도 2에 나타내는 연마 장치로서의 연삭 연마 장치(1)를 이용한다. 연삭 연마 장치(1)는, 웨이퍼(W)의 이면(WR)을 박형화하기 위해 연삭 가공하며, 연삭 가공된 웨이퍼(W)의 이면(WR)을 고정밀도로 평탄화하고 또한 웨이퍼(W)의 이면(WR)측에 게터링층(G)을 형성하기 위해 연마 가공하는 것이다. 연삭 연마 장치(1)는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 장치 본체(2)와, 제1 연삭 수단(3)과, 제2 연삭 수단(4)과, 연마 수단(5)과, 턴테이블(6) 상에 설치된 예컨대 4개의 척 테이블(7)과, 카세트(8, 9)와, 위치 맞춤 수단(10)과, 반입 수단(11)과, 세정 수단(13)과, 반출입 수단(14)과, 제어 수단(100)을 주로 구비하고 있다.
제1 연삭 수단(3)은, 스핀들의 하단에 장착된 연삭 지석을 갖는 연삭 휠(31)이 회전되면서 조연삭 위치(B)의 척 테이블(7)에 유지된 웨이퍼(W)의 이면(WR)에 연직 방향과 평행한 Z축 방향을 따라 압박됨으로써, 웨이퍼(W)의 이면(WR)을 조연삭 가공하기 위한 것이다. 마찬가지로, 제2 연삭 수단(4)은, 스핀들의 하단에 장착된 연삭 지석을 갖는 연삭 휠(41)이 회전되면서 마무리 연삭 위치(C)에 위치하는 척 테이블(7)에 유지된 조연삭 완료된 웨이퍼(W)의 이면(WR)에 Z축 방향을 따라 압박됨으로써, 웨이퍼(W)의 이면(WR)을 마무리 연삭 가공하기 위한 것이다.
연마 수단(5)은, 척 테이블(7)에 유지된 웨이퍼(W)를 연마하여, 웨이퍼(W)에 게터링층(G)을 형성하는 연마 패드(51)를 갖는 것이다. 실시형태 1에 있어서, 연마 수단(5)은, 도 3에 나타내는 바와 같이, 스핀들(54)의 하단에 장착된 연마 패드(51)를 척 테이블(7)의 유지면(7a)에 대향하여 배치시킨다. 연마 수단(5)은, 연마 패드(51)가 회전되면서, 연마 위치(D)에 위치하는 척 테이블(7)의 유지면(7a)에 유지된 마무리 연삭 완료된 웨이퍼(W)의 이면(WR)에 Z축 방향을 따라 연마 이송 수단(53)에 의해 압박된다. 연마 수단(5)은, 연마 패드(51)가 웨이퍼(W)의 이면(WR)에 Z축 방향을 따라 압박됨으로써, 웨이퍼(W)의 이면(WR)을 연마 가공하기 위한 것이다.
연마 수단(5)의 연마 패드(51)는, 평균 입경 0.35∼1.7(㎛)[중앙값]의 지립을 20∼50 중량％ 포함한다. 평균 입경은, 레이저 회절·산란법에 따라 구한 입도 분포에 있어서의 적산값 50％에서의 입경을 의미한다. 적산값 50％에서의 입경이란, 입자 사이즈가 작은 것부터 입자수를 카운트하여, 전체 입자수의 50％가 된 데에서의 입경을 의미한다. 연마 패드(51)에 포함되는 지립은, 웨이퍼(W)를 구성하는 실리콘보다 모스 경도가 높은 것이며, 게터링층(G)을 형성하는 데 적합한 지립으로서, 예컨대, GC(녹색 탄화규소), WA(화이트 알런덤), 다이아몬드를 이용할 수 있다. 또한, 연마 패드(51)에 포함되는 지립은, 연마 가공에 적합한 지립으로서, 예컨대, 실리카(SiO2), 지르코니아(ZrO2) 또는 산화세륨(CeO2)을 이용할 수 있다. 실시형태 1에 있어서, 연마 패드(51)는, GC 등의 게터링층(G)을 형성하는 데 적합한 지립과, 실리카 등의 연마 가공에 적합한 지립의 쌍방을 포함하고 있다.
연마 수단(5)은, 전환 밸브(12)를 통해 연마액 공급원(15)으로부터의 알칼리성을 갖는 연마액(GL)을 연마 패드(51)와는 별개의 노즐(16)로부터 웨이퍼(W)의 이면(WR)에 공급하면서, 연마 패드(51)를 이용하여 연마 가공을 웨이퍼(W)의 이면(WR)에 실시한 후, 전환 밸브(12)를 통해 액 공급원(17)으로부터의 지립을 함유하지 않는 액(L)(실시형태 1에 있어서는, 순수)을 노즐(16)로부터 웨이퍼(W)의 이면(WR)에 공급하면서, 연마 패드(51)를 이용하여 웨이퍼(W)의 이면(WR)측에 게터링층(G)을 형성한다. 그때, 웨이퍼(W)의 항절 강도가 유지된다. 실시형태 1에 있어서, 웨이퍼(W)의 항절 강도는, 1000 ㎫ 이상으로 유지되지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 원하는 디바이스 강도를 얻을 수 있는 값을 설정하면 좋다. 여기서, 지립을 함유하지 않는 액으로서는, 웨이퍼(W)와 반응하지 않는 액체이면 좋고, 웨이퍼(W)가 실리콘으로 이루어지는 경우에는, 순수나 순수에 첨가물을 포함하여도 좋으며 실질적으로 웨이퍼(W)와 반응하지 않는 액체이면 좋다.
전술한 바와 같이, 연마액 공급원(15)은, 웨이퍼(W) 및 연마 패드(51)에 연마액(GL)을 공급하는 것이다. 액 공급원(17)은, 웨이퍼(W) 및 연마 패드(51)에 연마액(GL)과는 상이한 지립을 포함하지 않는 액(L)을 공급하는 것이다.
연마 수단(5)은, 연마 가공을 웨이퍼(W)의 이면(WR)에 실시한 후, 린스액 공급원(19)으로부터의 연마 패드(51)로부터 연마액(GL)을 제거하기 위한 린스액(CL)(실시형태 1에 있어서는, 순수)을 노즐(20)로부터 회전 중인 연마 패드(51)에 공급한다. 린스액(CL)으로서는, 웨이퍼(W)와 반응하지 않는 액체이면 좋고, 웨이퍼(W)가 실리콘으로 이루어지는 경우에는, 순수나 순수에 첨가물을 포함하여도 좋으며 실질적으로 웨이퍼(W)와 반응하지 않는 액체이면 좋다. 또한, 연마 수단(5)은, 도 3에 나타내는 바와 같이, 연마 패드(51)를 스핀들(54)과 함께, Z축 방향과 직교하며 또한 장치 본체(2)의 폭 방향과 평행한 X축 방향으로 이동시키는 X축 이동 수단(52)을 구비한다. 노즐(20)은, 연마 위치(D)의 척 테이블(7)에 인접하여 마련되어, 린스액(CL)을 연마 패드(51)를 향하여 공급하는 것으로, 토출 형상이 슬릿형이다.
실시형태 1에 있어서, 연마 패드(51)가, GC 등의 게터링층(G)을 형성하는 데 적합한 지립과, 실리카 등의 연마 가공에 적합한 지립의 쌍방을 포함하고 있지만, 본 발명에서는, 연마 패드(51)가, GC 등의 게터링층(G)을 형성하는 데 적합한 지립과, 실리카 등의 연마 가공에 적합한 지립 중 적어도 한쪽을 포함하고 있으면 좋다. 연마 패드(51)가, 지립으로서 GC 등의 게터링층(G)을 형성하는 데 적합한 지립만을 포함하고 있는 경우에는, 연마액 공급원(15)으로부터 공급되는 연마액(GL)에 실리카 등의 연마 가공에 적합한 지립을 함유시켜도 좋고, 연마 패드(51)가, 지립으로서 실리카 등의 연마 가공에 적합한 지립만을 포함하고 있는 경우에는, 액 공급원(17)으로부터 공급되는 액(L)에 GC 등의 게터링층(G)을 형성하는 데 적합한 지립을 함유시키면 좋다.
또한, 실시형태 1에 있어서, 린스액 공급원(19)으로부터 공급하는 린스액(CL)은, 순수이지만, 본 발명에서는, 순수와 고압 기체를 혼합한 2유체여도 좋다.
턴테이블(6)은, 장치 본체(2)의 상면에 마련된 원반형의 테이블이고, 수평면 내에서 회전 가능하게 마련되어, 미리 정해진 타이밍에 회전 구동된다. 이 턴테이블(6) 상에는, 예컨대 4개의 척 테이블(7)이, 예컨대 90도의 위상각으로 등간격으로 배치되어 있다. 이들 4개의 척 테이블(7)은, 웨이퍼(W)를 회전 가능하게 유지하는 것으로, 유지면(7a)에 진공 척을 구비한 척 테이블 구조의 것이며, 유지면(7a) 상에 배치된 웨이퍼(W)를 진공 흡착하여 유지한다. 이들 척 테이블(7)은, 연삭 가공 시 및 연마 가공 시에는, 연직 방향과 평행한 축을 회전축으로 하여, 회전 구동 기구에 의해 수평면 내에서 회전 구동된다. 이와 같이, 척 테이블(7)은, 피가공물로서의 웨이퍼(W)를 회전 가능하게 유지하는 유지면(7a)을 가지고 있다. 이러한 척 테이블(7)은, 턴테이블(6)의 회전에 의해, 반입 반출 위치(A), 조연삭 위치(B), 마무리 연삭 위치(C), 연마 위치(D), 반입 반출 위치(A)로 순차 이동된다.
카세트(8, 9)는, 복수의 슬롯을 갖는 웨이퍼(W)를 수용하기 위한 수용기이다. 한쪽의 카세트(8)는, 연삭 연마 가공 전의 표면(WS)에 보호 부재인 BG(Back Grind) 테이프(T)(도 5에 나타냄)가 점착된 웨이퍼(W)를 수용하고, 다른쪽의 카세트(9)는, 연삭 연마 가공 후의 웨이퍼(W)를 수용한다. 또한, 위치 맞춤 수단(10)은, 카세트(8)로부터 취출된 웨이퍼(W)가 가배치되며, 그 중심 위치 맞춤을 행하기 위한 테이블이다.
반입 수단(11)은, 흡착 패드를 가지며, 위치 맞춤 수단(10)에서 위치 맞춤된 연삭 연마 가공 전의 웨이퍼(W)를 흡착 유지하여 반입 반출 위치(A)에 위치하는 척 테이블(7) 상에 반입한다. 반입 수단(11)은, 반입 반출 위치(A)에 위치하는 척 테이블(7) 상에 유지된 연삭 연마 가공 후의 웨이퍼(W)를 흡착 유지하여 세정 수단(13)에 반출한다.
반출입 수단(14)은, 예컨대 U자형 핸드(14a)를 구비하는 로보트 픽이며, U자형 핸드(14a)에 의해 웨이퍼(W)를 흡착 유지하여 반송한다. 구체적으로는, 반출입 수단(14)은, 연삭 연마 가공 전의 웨이퍼(W)를 카세트(8)로부터 위치 맞춤 수단(10)에 반출하며, 연삭 연마 가공 후의 웨이퍼(W)를 세정 수단(13)으로부터 카세트(9)에 반입한다. 세정 수단(13)은, 연삭 연마 가공 후의 웨이퍼(W)를 세정하여, 연삭 및 연마된 가공면에 부착하고 있는 연삭 부스러기 및 연마 부스러기 등의 콘터미네이션을 제거한다.
제어 수단(100)은, 연삭 연마 장치(1)를 구성하는 전술한 구성 요소를 각각 제어하는 것이다. 즉, 제어 수단(100)은, 웨이퍼(W)에 대한 가공 동작을 연삭 연마 장치(1)에 실행시키는 것으로, 적어도 연마 수단(5)과 척 테이블(7)을 제어하여, 연마액(GL)을 공급하면서 웨이퍼(W)를 연마하고, 이어서 지립을 포함하지 않는 액(L)을 공급하면서 게터링층(G)을 형성하는 것이다. 제어 수단(100)은, 컴퓨터 프로그램을 실행 가능한 컴퓨터이다. 제어 수단(100)은, CPU(central processing unit)와 같은 마이크로 프로세서를 갖는 연산 처리 장치와, ROM(read only memory) 또는 RAM(random access memory)과 같은 메모리를 갖는 기억 장치와, 입출력 인터페이스 장치를 갖는다. 제어 수단(100)의 CPU는, ROM에 기억되어 있는 컴퓨터 프로그램을 RAM 상에서 실행하여, 연삭 연마 장치(1)를 제어하기 위한 제어 신호를 생성한다. 제어 수단(100)의 CPU는, 생성한 제어 신호를 입출력 인터페이스 장치를 통해 연삭 연마 장치(1)의 각 구성 요소에 출력한다. 또한, 제어 수단(100)은, 가공 동작의 상태나 화상 등을 표시하는 액정 표시 장치 등에 의해 구성되는 도시하지 않는 표시 수단이나, 오퍼레이터가 가공 내용 정보 등을 등록할 때에 이용하는 입력 수단과 접속되어 있다. 입력 수단은, 표시 수단에 마련된 터치 패널과, 키보드 등 중 적어도 하나에 의해 구성된다.
다음에, 실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법에 대해서 설명한다. 도 4는 실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 흐름을 나타내는 흐름도이다. 도 5는 실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 웨이퍼 유지 공정의 표면에 BG 테이프가 점착된 웨이퍼의 단면도이다. 도 6은 실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 왜곡층 제거 공정을 나타내는 도면이다. 도 7은 실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 연마액 제거 공정을 나타내는 도면이다. 도 8은 실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 게터링층 형성 공정을 나타내는 도면이다. 도 9는 실시형태 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 개편화 공정을 나타내는 도면이다.
웨이퍼의 가공 방법(이하, 단순히 가공 방법이라고 기재함)은, 도 4에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 유지 공정(ST1)과, 조연삭 공정(ST2)과, 마무리 연삭 공정(ST3)과, 왜곡층 제거 공정(ST4)과, 연마액 제거 공정(ST5)과, 게터링층 형성 공정(ST6)과, 개편화 공정(ST7)을 포함한다.
웨이퍼 유지 공정(ST1)은, 웨이퍼(W)의 표면(WS)에 BG 테이프(T)를 점착하여, 척 테이블(7)의 유지면(7a)에 BG 테이프(T)측을 흡인 유지하는 공정이다. 웨이퍼 유지 공정(ST1)에서는, 오퍼레이터는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 연삭 연마 가공 전의 웨이퍼(W)의 표면(WS)에 BG 테이프(T)를 점착하고, BG 테이프(T)를 하향으로 하여, 웨이퍼(W)를 카세트(8) 내에 수용한다. 오퍼레이터는, 연삭 연마 가공 전의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(8)와, 웨이퍼(W)를 수용하지 않는 카세트(9)를 장치 본체(2)에 부착하고, 가공 정보를 제어 수단(100)에 등록한다. 오퍼레이터는, 연삭 연마 장치(1)에 가공 동작의 개시 지시를 입력하고, 제어 수단(100)이, 연삭 연마 장치(1)의 가공 동작을 개시한다.
웨이퍼 유지 공정(ST1)에서는, 연삭 연마 장치(1)의 제어 수단(100)은, 반출입 수단(14)이 카세트(8)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여, 위치 맞춤 수단(10)에 반출하고, 위치 맞춤 수단(10)이, 웨이퍼(W)의 중심 위치 맞춤을 행하고, 반입 수단(11)이 위치 맞춤된 웨이퍼(W)의 표면(WS)측을 반입 반출 위치(A)에 위치하는 척 테이블(7) 상에 반입하고, 척 테이블(7)이 웨이퍼(W)를 흡인 유지한다. 이렇게 하여, 웨이퍼 유지 공정(ST1)에서는, BG 테이프(T)를 척 테이블(7)에서 흡인 유지함으로써, 웨이퍼(W)의 이면(WR)을 노출시킨다. 연삭 연마 장치(1)의 제어 수단(100)은, 턴테이블(6)로 웨이퍼(W)를 조연삭 위치(B), 마무리 연삭 위치(C), 연마 위치(D) 및 반입 반출 위치(A)에 순서대로 반송한다. 또한, 연삭 연마 장치(1)의 제어 수단(100)은, 턴테이블(6)이 90도 회전할 때마다, 연삭 연마 가공 전의 웨이퍼(W)가 반입 반출 위치(A)의 척 테이블(7)에 반입된다.
조연삭 공정(ST2)에서는, 연삭 연마 장치(1)의 제어 수단(100)은, 조연삭 위치(B)에서 웨이퍼(W)의 이면(WR)에 제1 연삭 수단(3)을 이용하여 조연삭 가공하고, 마무리 연삭 공정(ST3)에서는, 마무리 연삭 위치(C)에서 웨이퍼(W)의 이면(WR)에 제2 연삭 수단(4)을 이용하여 마무리 연삭 가공한다.
왜곡층 제거 공정(ST4)은, 연마 패드(51)에 연마액(GL)을 공급하면서 연마 패드(51)를 회전시키며 척 테이블(7)을 회전시키면서 연마 패드(51)에 의해 웨이퍼(W)의 이면(WR)을 연마함으로써 웨이퍼(W)의 이면(WR)으로부터 왜곡층을 제거하는 공정이다. 왜곡층 제거 공정(ST4)에서는, 연삭 연마 장치(1)의 제어 수단(100)은, 연마 위치(D)에서 척 테이블(7)과 연마 패드(51)를 회전시키며, 도 6에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 이면(WR)에 전환 밸브(12)를 통해 연마액 공급원(15)으로부터의 연마액(GL)을 노즐(16)로부터 공급하면서 연마 패드(51)를 웨이퍼(W)의 이면(WR)에 접촉시켜, 웨이퍼(W)의 이면(WR)을 연마 가공한다. 또한, 실시형태 1에 있어서, 왜곡층 제거 공정(ST4)에서는, 연삭 연마 장치(1)의 제어 수단(100)은, 척 테이블(7)을 505 rpm의 회전수로 회전시키고, 연마 패드(51)를 500 rpm의 회전수로 척 테이블(7)과 동일한 방향으로 회전시키며, 연마 이송 수단(53)에 웨이퍼(W)의 이면(WR)에 300 g/㎠의 연마 압력이 작용하도록 연마 패드(51)를 압박시키는데, 연마 가공의 가공 조건은 이것에 한정되지 않는다.
연마액 제거 공정(ST5)은, 왜곡층 제거 공정(ST4)의 실시 후에 연마 패드(51)를 향하여 노즐(20)로부터 린스액(CL)을 공급하여 연마 패드(51)에 포함되는 잔존 연마액(GL)을 제거하는 공정이다. 연마액 제거 공정(ST5)에서는, 연삭 연마 장치(1)의 제어 수단(100)은, 연마 위치(D)에서 척 테이블(7)과 연마 패드(51)를 회전시키며, 도 7에 나타내는 바와 같이, 연마 패드(51)의 웨이퍼(W)의 이면(WR)으로부터 비어져 나온 부분에 린스액 공급원(19)으로부터 공급된 린스액(CL)을 노즐(20)로부터 공급하며, 웨이퍼(W)의 이면(WR)에 전환 밸브(12)를 통해 액 공급원(17)으로부터 공급된 액(L)을 노즐(16)로부터 공급하면서, 연마 패드(51)를 웨이퍼(W)의 이면(WR)에 접촉시킨다.
게터링층 형성 공정(ST6)은, 연마 패드(51) 및 웨이퍼(W)에 지립을 포함하지 않는 액(L)을 공급하면서 연마 패드(51)를 회전시키며 척 테이블(7)을 회전시키면서 연마 패드(51)에 의해 웨이퍼(W)의 이면(WR)을 연마함으로써 이면(WR)에 게터링층(G)을 형성하는 공정이다.
게터링층 형성 공정(ST6)에서는, 연삭 연마 장치(1)의 제어 수단(100)은, 연마 위치(D)에서 척 테이블(7)과 연마 패드(51)를 회전시키며, 도 8에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 이면(WR)에 전환 밸브(12)를 통해 액 공급원(17)으로부터 공급된 지립을 함유하지 않는 액(L)을 노즐(16)로부터 공급하며, 연마 패드(51)의 웨이퍼(W)의 이면(WR)으로부터 비어져 나온 부분에 린스액 공급원(19)으로부터 공급된 린스액(CL)을 노즐(20)로부터 공급하면서, 연마 패드(51)를 웨이퍼(W)의 이면(WR)에 접촉시켜, 웨이퍼(W)의 이면(WR)측에 게터링층(G)을 생성한다. 게터링층 형성 공정(ST6)을 실시한 후의 웨이퍼(W)의 이면(WR)의 산술 평균 거칠기(Ra)는, 0.8∼4.5 ㎚이다.
이와 같이, 제어 수단(100)은, 연마액 제거 공정(ST5)과 게터링층 형성 공정(ST6)에 있어서, 린스액(CL)을 공급함으로써, 웨이퍼(W)를 연마한 후 게터링층(G)의 형성으로 이행할 때, 노즐(20)로부터 연마 패드(51)를 향하여 린스액(CL)을 공급하여 연마 패드(51)에 잔존하는 연마액(GL)을 제거하도록 연삭 연마 장치(1)를 제어한다. 또한, 실시형태 1에 있어서, 게터링층 형성 공정(ST6)에서는, 연삭 연마 장치(1)의 제어 수단(100)은, 척 테이블(7)을 505 rpm의 회전수로 회전시키고, 연마 패드(51)를 500 rpm의 회전수로 척 테이블(7)과 동일한 방향으로 회전시키며, 연마 이송 수단(53)에 웨이퍼(W)의 이면(WR)에 50 g/㎠의 연마 압력이 작용하도록 연마 패드(51)를 압박시키지만, 게터링층(G)을 형성하기 위한 가공 조건은 이에 한정되지 않는다.
실시형태 1에 있어서, 연마액 제거 공정(ST5)은, 액(L)을 웨이퍼(W)의 이면(WR)에 공급하였지만, 본 발명에서는 액(L)을 공급하지 않아도 좋다. 또한, 실시형태 1에서는, 웨이퍼(W)의 외직경이 300 ㎜이고, 연마 패드(51)의 외직경이 450 ㎜이다. 왜곡층 제거 공정(ST4) 및 게터링층 형성 공정(ST6)에서는, 연마 패드(51)의 외주가 웨이퍼(W)의 중심을 덮고, 또한 웨이퍼(W)의 바깥 가장자리로부터 비어져 나오도록 연마 패드(51)를 위치시킨다.
연삭 연마 장치(1)의 제어 수단(100)은, 게터링층 형성 공정(ST6) 후에, 게터링층 형성 공정(ST6)이 실시된 웨이퍼(W)를 반입 반출 위치(A)에 위치시키고, 반입 수단(11)에 의해 세정 수단(13)에 반입하여, 세정 수단(13)으로 세정하고, 세정 후의 웨이퍼(W)를 반출입 수단(14)으로 카세트(9)에 반입한다.
개편화 공정(ST7)에서는, 카세트(9) 내로부터 웨이퍼(W)를 취출하여, 표면(WS)으로부터 BG 테이프(T)를 벗긴 후, 웨이퍼(W)의 표면(WS)에 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol: PVA) 또는 폴리비닐피롤리돈(polyvinyl pyrrolidone: PVP) 등을 포함하는 수용성 수지에 의해 구성되는 도시하지 않는 보호막을 형성하여, 웨이퍼(W)의 이면(WR)측을 도 9에 나타내는 레이저 가공기(30)의 척 테이블(33)에 유지한다. 개편화 공정(ST7)은, 도 9에 나타내는 바와 같이, 레이저 가공기(30)의 레이저 광 조사 유닛(32)을 스트리트(S)를 따라 상대적으로 이동시키면서 레이저 광 조사 유닛(32)으로부터 레이저 광(LR)을 스트리트(S)에 조사하여, 스트리트(S)에 어블레이션 가공을 실시하여, 웨이퍼(W)를 스트리트(S)를 따라 개개의 디바이스 칩(DT)으로 개편화한다. 개편화 공정(ST7)은, 웨이퍼(W)를 개개의 디바이스 칩(DT)으로 개편화한 후, 도시하지 않는 보호막을 제거하여, 웨이퍼(W)의 표면(WS)을 세정하고, 보호막을 세정하여 데브리와 함께 제거한다. 또한, 실시형태 1에 있어서, 웨이퍼(W)는, 이면(WR)이 직접 척 테이블(33)에 흡인 유지되었지만, 본 발명에서는, 이면(WR)에 도시하지 않는 링 프레임의 안쪽 둘레에 고정된 다이싱 테이프에 점착되어, 다이싱 테이프를 통해 척 테이블(33)에 흡인 유지되어도 좋다.
실시형태 1에 있어서, 개편화 공정(ST7)은, 레이저 광(LR)을 이용한 어블레이션 가공에 의해 웨이퍼(W)를 개개의 디바이스 칩(DT)으로 개편화하였지만, 본 발명에서는, 개편화 공정(ST7)은, 레이저 광을 조사하여 웨이퍼(W)의 내부에 개질층을 형성하여 웨이퍼(W)를 개개의 디바이스 칩(DT)으로 개편화하여도 좋고, 레이저 광(LR)을 이용한 어블레이션 가공에 의해 웨이퍼(W)를 개개의 디바이스 칩(DT)으로 개편화하는 경우에 있어서, 어블레이션 가공에 의해 하프 컷트한 후, 외력을 더하여 개개의 디바이스 칩(DT)으로 개편화하여도 좋다. 절삭 블레이드를 이용한 절삭 가공에 의해 웨이퍼(W)를 개개의 디바이스 칩(DT)으로 개편화하여도 좋다.
이상과 같이, 실시형태 1에 따른 가공 방법은, 왜곡층 제거 공정(ST4)의 실시 후에, 연마 패드(51)를 향하여 노즐(20)로부터 린스액(CL)을 공급하는 연마액 제거 공정(ST5)을 실시하기 때문에, 게터링층 형성 공정(ST6)에 있어서, 연마 패드(51)에 잔류한 연마액(GL)을 효율적으로 제거할 수 있기 때문에, 연마액(GL)에 의한 웨이퍼(W)의 이면(WR)의 과도한 침식을 억제할 수 있어, 조속하게 게터링층(G)의 형성으로 이행할 수 있다.
〔실시형태 2〕
본 발명의 실시형태 2에 따른 웨이퍼의 가공 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 10은 실시형태 2에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 왜곡층 제거 공정을 나타내는 도면이다. 도 11은 실시형태 2에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 연마액 제거 공정을 나타내는 도면이다. 도 12는 실시형태 2에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 게터링층 형성 공정을 나타내는 도면이다. 도 10 내지 도 12는 실시형태 1와 동일 부분에 동일 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
실시형태 2에 따른 웨이퍼의 가공 방법(이하, 단순히 가공 방법이라고 기재함)은, 왜곡층 제거 공정(ST4), 연마액 제거 공정(ST5) 및 게터링층 형성 공정(ST6)을 실시하는 연마 수단(5)의 구성이 실시형태 1과 상이한 것 이외에, 실시형태 1과 동일하다.
실시형태 2에 따른 가공 방법은, 왜곡층 제거 공정(ST4), 연마액 제거 공정(ST5) 및 게터링층 형성 공정(ST6)을 실시하는 연마 수단(5)은, 도 10, 도 11 및 도 12에 나타내는 바와 같이, 연마액 공급원(15)으로부터의 연마액(GL) 또는 액 공급원(17)으로부터의 액(L)을, 연마 패드(51)의 웨이퍼(W)의 이면(WR)에 접촉하는 연마면의 중앙에 공급하는 공급 통로(18)를 중심으로 마련하고 있다. 또한, 실시형태 2에 따른 가공 방법에서는, 웨이퍼(W)의 외직경은 300 ㎜이고, 연마 패드(51)의 외직경은 300 ㎜ 이상이면 좋고, 이 예에서는 450 ㎜이다. 왜곡층 제거 공정(ST4) 및 연마액 제거 공정(ST5)에 있어서, 연마 패드(51)의 전체에서 웨이퍼(W)의 이면(WR) 전체를 덮도록, 연마 패드(51)를 위치시킨다.
또한, 실시형태 2에 따른 가공 방법에서는, 게터링층 형성 공정(ST6)은, 도 12에 나타내는 바와 같이 연마 패드(51)의 바깥 가장자리부가 웨이퍼(W)의 바깥 가장자리로부터 비어져 나오는 위치와, 도 11에 나타내는 바와 같이 연마 패드(51)의 전체에서 웨이퍼(W)의 이면(WR) 전체를 덮는 위치에 걸쳐, 척 테이블(7)을 연마 패드(51)에 대하여 수평 이동시키면서 행한다. 실시형태 2에 있어서, 게터링층 형성 공정(ST6)에서는, 연삭 연마 장치(1)의 제어 수단(100)은, X축 이동 수단(52)에 연마 패드(51)를 스핀들(54)과 함께 수평 방향인 X축 방향으로 이동시켜, 척 테이블(7)을 연마 패드(51)에 대하여 수평 이동시킨다.
실시형태 2에 따른 가공 방법은, 실시형태 1과 마찬가지로, 왜곡층 제거 공정(ST4)의 실시 후에, 연마 패드(51)를 향하여 노즐(20)로부터 린스액(CL)을 공급하는 연마액 제거 공정(ST5)을 실시하기 때문에, 게터링층 형성 공정(ST6)에 있어서, 연마 패드(51)에 잔류한 연마액(GL)을 억제할 수 있기 때문에, 연마액(GL)에 의한 웨이퍼(W)의 이면(WR)의 과도한 침식을 억제할 수 있어, 조속히 게터링층(G)을 형성할 수 있다. 그 결과, 실시형태 1에 따른 가공 방법은, 연마한 후 조속하게 게터링층(G)의 형성으로 이행할 수 있어, 설계대로의 게터링층(G)을 형성할 수 있고, 설계대로의 웨이퍼(W)로 가공할 수 있다.
〔변형예〕
본 발명의 실시형태 2의 변형예 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 13은 실시형태 2의 변형예 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 연마액 제거 공정을 나타내는 도면이다. 도 13은 실시형태 2와 동일 부분에 동일 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
실시형태 2의 변형예 1에 따른 웨이퍼의 가공 방법(이하, 단순히 가공 방법이라고 기재함)은, 연마액 제거 공정(ST5)에 있어서, 도 13에 나타내는 바와 같이, 연마 패드(51)에 공급 통로(18)를 통하여 흡인원(40)의 흡인력을 작용시켜, 연마 패드(51)의 잔존 연마액(GL)을 흡인하는 것 이외에, 실시형태 2와 동일하다.
실시형태 2의 변형예 1에 따른 가공 방법은, 실시형태 2와 마찬가지로, 왜곡층 제거 공정(ST4)의 실시 후에, 연마 패드(51)를 향하여 노즐(20)로부터 린스액(CL)을 공급하는 연마액 제거 공정(ST5)을 실시하기 때문에, 연마한 후 조속하게 게터링층(G)의 형성으로 이행할 수 있어, 설계대로의 게터링층(G)을 형성할 수 있고, 설계대로의 웨이퍼(W)로 가공할 수 있다.
또한, 도 13의 구성의 또한 변형예 2로서, 공급 통로(18)에 연통하는 바이패스 라인을 마련하여, 액 공급원(17)으로부터 액(L)을 공급하여 연마액(GL)을 바이패스 라인으로부터 밀어내고, 또한 린스액 공급원(19)으로부터 린스액(CL)을 연마 패드(51)에 공급하여 연마액을 연마 패드(51)로부터 제거하도록 구성하여도 좋다.
각 실시형태에 따르면, 이하의 디바이스 칩의 제조 방법을 얻을 수 있다.
(부기)
연마 장치의 연마 패드에 연마액을 공급하면서 상기 연마 패드를 회전시키며 상기 연마 장치의 척 테이블을 회전시키면서 상기 연마 패드에 의해 연삭 가공 후의 웨이퍼의 이면을 연마함으로써 웨이퍼의 이면으로부터 왜곡층을 제거하는 왜곡층 제거 공정과,
상기 왜곡층 제거 공정의 실시 후에 상기 연마 패드를 향하여 노즐로부터 린스액을 공급하여 상기 연마 패드에 포함되는 잔존 연마액을 제거하는 연마액 제거 공정과,
상기 연마 패드 및 웨이퍼에 지립을 포함하지 않는 액을 공급하면서 상기 연마 패드를 회전시키며 상기 척 테이블을 회전시키면서 상기 연마 패드에 의해 웨이퍼의 이면을 연마함으로써 이면에 게터링층을 형성하는 게터링층 형성 공정과,
웨이퍼를 스트리트를 따라 개개의 디바이스 칩으로 개편화하는 개편화 공정을 포함하는,
디바이스 칩의 제조 방법.
또한, 본 발명은 상기 실시형태, 변형예에 한정되는 것이 아니다. 즉, 본 발명의 골자를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변형하여 실시할 수 있다.
1 연삭 연마 장치(연마 장치)
5 연마 수단
7 척 테이블
7a 유지면
15 연마액 공급원
17 액 공급원
20 노즐
51 연마 패드
100 제어 수단
W 웨이퍼
WS 표면
WR 이면
DV 디바이스
G 게터링층
T BG 테이프(보호 부재)
GL 연마액
CL 린스액
L 액
ST1 웨이퍼 유지 공정
ST4 왜곡층 제거 공정
ST5 연마액 제거 공정
ST6 게터링층 형성 공정

Claims (3)

  1. 웨이퍼보다 모스 경도가 높은 지립(砥粒)을 갖는 연마 패드를 사용하여, 상기 웨이퍼의 표면에 디바이스가 형성된 웨이퍼의 이면에 게터링층을 형성하는 웨이퍼의 가공 방법에 있어서,
    웨이퍼의 표면에 보호 부재를 점착하여, 척 테이블의 유지면에 보호 부재측을 유지하는 웨이퍼 유지 공정과,
    상기 연마 패드에 연마액을 공급하면서 상기 연마 패드를 회전시키며 상기 척 테이블을 회전시키면서 상기 연마 패드에 의해 웨이퍼의 이면을 연마함으로써, 웨이퍼의 이면으로부터 왜곡층을 제거하는 왜곡층 제거 공정과,
    상기 왜곡층 제거 공정의 실시 후에 상기 연마 패드를 향하여 노즐로부터 린스액을 공급하여 상기 연마 패드에 포함되는 잔존 연마액을 제거하는 연마액 제거 공정과,
    상기 연마 패드 및 웨이퍼에 지립을 포함하지 않는 액을 공급하면서 상기 연마 패드를 회전시키며 상기 척 테이블을 회전시키면서 상기 연마 패드에 의해 웨이퍼의 이면을 연마함으로써 이면에 게터링층을 형성하는 게터링층 형성 공정
    을 포함하는, 웨이퍼의 가공 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 게터링층 형성 공정은, 상기 척 테이블을 상기 연마 패드에 대하여 수평 이동시키면서 행하는 것인, 웨이퍼의 가공 방법.
  3. 웨이퍼를 연마하는 연마 장치에 있어서,
    웨이퍼를 회전 가능하게 유지하는 척 테이블과,
    상기 척 테이블에 유지된 웨이퍼를 연마하여, 상기 연마된 웨이퍼에 게터링층을 형성하는 연마 패드를 갖는 연마 수단과,
    웨이퍼 및 상기 연마 패드에 연마액을 공급하는 연마액 공급원과,
    웨이퍼 및 상기 연마 패드에 연마액과는 상이한 지립을 포함하지 않는 액을 공급하는 액 공급원과,
    적어도 상기 연마 수단과 상기 척 테이블을 제어하여, 연마액을 공급하면서 웨이퍼를 연마하고, 이어서 상기 지립을 포함하지 않는 액을 공급하면서 게터링층을 형성하는 제어 수단과,
    상기 척 테이블에 인접하여 마련되어, 연마액을 제거하기 위한 린스액을 상기 연마 패드를 향하여 공급하는 노즐
    을 포함하고,
    상기 제어 수단은 또한, 웨이퍼를 연마한 후 게터링층 형성으로 이행할 때, 상기 노즐로부터 상기 연마 패드를 향하여 린스액을 공급하여 상기 연마 패드에 잔존하는 연마액을 제거하도록 제어하는 것인, 연마 장치.
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