CN117198870A - 晶片的加工方法和晶片的加工系统 - Google Patents

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Abstract

本发明提供晶片的加工方法和晶片的加工系统，能够去除附着于晶片的正面的加工屑。晶片的加工方法包含：外缘部去除步骤，将正面上形成有第1布线层的第1晶片的外缘部从正面去除；以及研磨步骤，在实施了外缘部去除步骤之后，对第1晶片的正面侧的第1布线层进行研磨。

Description

晶片的加工方法和晶片的加工系统
技术领域
本发明涉及晶片的加工方法和晶片的加工系统。
背景技术
公知使第1晶片的正面与第2晶片的正面接合而形成贴合晶片的方法(例如，参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2021-068744号公报
在将正面上形成有布线层的晶片的背面侧保持于保持工作台并实施将晶片的外缘部从正面侧去除的边缘修剪的工序中，存在加工屑残留于晶片的正面的可能性。特别是，在布线层露出于晶片的正面而在边缘修剪后将晶片的布线层与其他的晶片接合的情况下，当边缘修剪时的加工屑附着于布线层时可能会发生接合不良。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供晶片的加工方法和晶片的加工系统，能够去除附着于晶片的正面的加工屑。
根据本发明的一个方面，提供晶片的加工方法，该晶片的加工方法具有如下的步骤：外缘部去除步骤，将正面上形成有第1布线层的第1晶片的外缘部从正面去除；以及研磨步骤，在实施了该外缘部去除步骤之后，对该第1晶片的该正面进行研磨。
优选晶片的加工方法还具有如下的贴合步骤：使该第1晶片与正面上形成有第2布线层的第2晶片贴合，在该贴合步骤中，将该第1布线层与该第2布线层接合。
优选晶片的加工方法还具有如下的背面磨削步骤：在实施了该贴合步骤之后，将该第1晶片的背面磨削至完工厚度，在该外缘部去除步骤中从正面去除的厚度比该第1晶片的完工厚度深。
优选该研磨步骤是使用研磨液的湿式研磨。
优选该研磨步骤是在通过该外缘部去除步骤而提供的加工液残留在该第1晶片的正面上的状态下开始的。
根据本发明的另一方面，提供晶片的加工系统，该晶片的加工系统具有：保持工作台，其对正面上形成有布线层的第1晶片的背面侧进行保持；外缘部去除单元，其从该保持工作台所保持的该第1晶片的正面侧将外缘部去除；研磨单元，其对通过该外缘部去除单元去除了该外缘部的该第1晶片的正面进行研磨；清洗单元，其对通过该研磨单元进行了研磨的该第1晶片进行清洗；以及搬送单元，其在该外缘部去除单元、该研磨单元以及该清洗单元之间搬送该第1晶片。
优选该研磨单元包含：研磨垫，其与该第1晶片接触；以及研磨液提供单元，其向加工点提供研磨液。
优选该研磨单元在通过该外缘部去除单元提供的加工液残留在该第1晶片的正面上的状态下开始研磨。
本发明的晶片的加工方法在实施了外缘部去除步骤之后具有研磨步骤，从而能够将通过外缘部去除步骤而附着于第1布线层上的加工屑在第1布线层上干燥固定之前适当地去除加工屑。另外，在研磨步骤中去除附着于第1布线层的加工屑，并且去除异常氧化层和腐蚀层，使未发生异常氧化或腐蚀的面露出而贴合，因此能够降低产生第1布线层的由异常氧化层或腐蚀层引起的接合不良的可能性。
另外，在实施背面磨削步骤之前，在外缘部去除步骤中去除第1晶片的外缘部而形成比完工厚度深的修剪槽，因此能够防止实施背面磨削步骤时第1晶片形成尖锐边缘而缺损的可能性。进而，在研磨步骤中由研磨单元实施的研磨加工处理是使用了通过研磨液提供单元对加工点提供的研磨液的湿式研磨，因此能够通过研磨液去除形成于第1布线层的露出面的异常氧化层和腐蚀层，使未发生异常氧化或腐蚀的面露出，能够降低在第1布线层与第2晶片的第2布线层之间产生由第1布线层的异常氧化层或腐蚀层引起的接合不良的可能性。
本发明的晶片的加工系统具有：外缘部去除单元，其去除第1晶片的外缘部；研磨单元，其对第1布线层进行研磨；以及搬送单元，其在外缘部去除单元与研磨单元之间搬送第1晶片，因此，能够实施上述的本发明的晶片的加工方法，在利用外缘部去除单元去除外缘部时提供的加工液残留在第1晶片的第1布线层上的状态下，能够利用研磨单元对第1布线层进行研磨。因此，在去除外缘部时附着于第1布线层上的加工屑在第1布线层上干燥固定之前，能够适当地去除附着于第1布线层上的加工屑。由此，能够降低在第1布线层与第2晶片的第2布线层之间产生由加工屑引起的接合不良的可能性。
附图说明
图1是示出实施方式的晶片的加工方法的处理顺序的流程图。
图2是示出实施方式的晶片的加工系统的结构例的俯视图。
图3是示出图2的保持工作台和外缘部去除单元的剖视图。
图4是示出图2的研磨单元的剖视图。
图5是示出图2的清洗单元的剖视图。
图6是示出图1的贴合步骤的剖视图。
图7是示出图1的背面磨削步骤的剖视图。
标号说明
1：晶片的加工系统；10：保持工作台；20：外缘部去除单元；40：研磨单元；44：研磨垫；45：研磨液提供单元；49：研磨液；50：清洗单元；60：搬送单元；100：第1晶片；101、111、201、211：正面；102、112、202、212：背面；110：第1基板；120：第1布线层；140：修剪槽；150：精加工厚度；200：第2晶片；210：第2基板；220：第2布线层；300：贴合晶片。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。本发明不受以下的实施方式所记载的内容限定。另外，在以下记载的结构要素中包含本领域技术人员容易想到的内容以及实质上相同的内容。而且，以下记载的结构能够适当组合。而且，在不脱离本发明的主旨的范围内可以进行结构的各种省略、置换或变更。
根据附图对本发明的实施方式的晶片的加工方法和晶片的加工系统1进行说明。图1是示出实施方式的晶片的加工方法的处理顺序的流程图。如图1所示，实施方式的晶片的加工方法具有外缘部去除步骤1001、研磨步骤1002、清洗步骤1003、贴合步骤1004和背面磨削步骤1005。
图2是示出实施方式的晶片的加工系统1的结构例的俯视图。实施方式的晶片的加工方法的外缘部去除步骤1001、研磨步骤1002以及清洗步骤1003例如通过图2所示的晶片的加工系统1来实施。如图2所示，晶片的加工系统1具有保持工作台10、外缘部去除单元20、背面清洗单元30、研磨单元40、清洗单元50、搬送单元60、盒载置台70、暂放台75以及控制器80。
作为实施方式的晶片的加工方法和晶片的加工系统1的加工对象的第1晶片100在第1基板110上层叠有第1布线层120。第1基板110例如是以硅、蓝宝石、碳化硅(SiC)、砷化镓、玻璃等为母材的圆板状的半导体晶片或光器件晶片、玻璃、陶瓷、树脂、金属等圆板状的基板等。第1晶片100例如在第1基板110的正面111上形成的格子状的多条分割预定线划分的区域内形成有由芯片尺寸的第1布线层120构成的器件。第1布线层120例如由铜(Cu)等金属形成。这样，第1晶片100的正面101成为第1布线层120的露出面。第1晶片100的背面102在本实施方式中为第1基板110的背面112(露出面)，但在本发明中并不限于此，也可以支承于未图示的支承基板或粘接带等。
图3是对图2的保持工作台10和外缘部去除单元20进行说明的剖视图。保持工作台10在本实施方式中是所谓的卡盘工作台，具有形成有凹部的圆盘状的框体和嵌入凹部内的圆盘形状的吸附部。保持工作台10的吸附部具有由具有大量多孔的多孔陶瓷等形成的多孔部，经由未图示的真空吸引路与未图示的真空吸引源连接。保持工作台10的吸附部的上表面是供第1晶片100载置并利用从真空吸引源导入的负压对所载置的第1晶片100进行吸引保持的保持面11。如图3所示，在本实施方式中，保持面11将第1晶片100的正面101侧朝向上方载置，对所载置的第1晶片100的背面102侧进行吸引保持。保持面11和保持工作台10的框体的上表面配置在同一平面上，与作为水平面的XY平面平行地形成。
保持工作台10设置成通过搬送单元60的第3搬送部63(参照图2)在搬出搬入区域17与加工区域18之间沿与水平方向平行的X轴方向移动自如，并设置成通过未图示的旋转驱动源绕与水平面(XY平面)垂直且与铅垂方向平行的Z轴旋转自如。在此，搬出搬入区域17是由搬送单元60的第2搬送部62以及第4搬送部64搬出搬入第1晶片100的区域。另外，加工区域18是利用外缘部去除单元20对第1晶片100实施切削加工处理的区域。
如图2和图3所示，外缘部去除单元20设置于加工区域18，具有前端安装有切削刀具21的主轴22和加工液提供部23，外缘部去除单元20对定位于加工区域18的保持工作台10所保持的第1晶片100实施切削加工处理。外缘部去除单元20设置成通过Y轴方向移动单元25在与水平方向平行且与X轴方向垂直的Y轴方向上移动自如，并设置成通过Z轴方向移动单元26在Z轴方向上移动自如。
如图3所示，外缘部去除单元20一边利用加工液提供部23向第1晶片100的正面101(第1布线层120的露出面)上提供加工液29，一边将通过主轴22的旋转动作施加了绕与Y轴方向平行的轴心的旋转动作的切削刀具21在向保持于保持工作台10的第1晶片100的外缘部切入至距离正面101比第1晶片100的完工厚度150(参照图3和图7)深的规定的深度的位置上对齐，然后，控制旋转驱动源，使保持着第1晶片100的保持工作台10绕Z轴旋转移动，由此实施将第1晶片100的外缘部的整周呈圆环状按照比第1晶片100的完工厚度150深的深度切削去除而形成修剪槽140的外缘部去除加工处理(所谓的边缘修剪加工处理)。在此，加工液29例如为纯水。另外，第1晶片100的完工厚度150是指实施了背面磨削步骤1005之后的第1晶片100的厚度，在本实施方式中，例如比实施背面磨削步骤1005之前的第1基板110与第1布线层120的合计厚度薄。如图2所示，晶片的加工系统1是具有2组外缘部去除单元20的双主轴的切割机即所谓的面对式双轴型加工系统。
如图2所示，背面清洗单元30具有晶片支承部31和清洗部32。在本实施方式中，设置有多个(在图2所示的例子中按照90度间隔设置4个)晶片支承部31。多个晶片支承部31从外周侧夹持并支承第1晶片100的边缘的外周面。另外，通过多个晶片支承部31相互联动地旋转能够使第1晶片100旋转。清洗部32朝向上方设置在比晶片支承部31靠下方的位置，与由晶片支承部31支承的第1晶片100的背面102接触而对背面102进行清洗。清洗部32由比第1基板110柔软且能够变形的材料形成，能够按照第1基板110而变形从而以面进行接触，清洗部32例如是海绵或刷子。
图4是说明图2的研磨单元40的剖视图。如图2和图4所示，研磨单元40具有保持工作台41、主轴42、安装于安装座43的研磨垫44以及研磨液提供单元45。保持工作台41具有与保持工作台10同样的具有吸附部和多孔部的构造，利用保持面46对正面101侧朝向上方载置的第1晶片100的背面102侧进行吸引保持。保持工作台41通过未图示的旋转驱动源绕Z轴旋转自如地设置。
主轴42形成为圆柱状，在主轴42的下端固定有形成为圆板状的安装座43，在安装座43的下表面上安装有圆形状的研磨垫44。主轴42绕与作为铅垂方向的Z轴方向平行的轴心旋转。研磨单元40实施如下的研磨加工处理：通过主轴42的旋转动作对安装座43和研磨垫44施加绕与Z轴方向平行的轴心的旋转动作，研磨垫44与保持台41所保持的第1晶片100的正面101(第1布线层120的露出面)侧接触而被推压，由此利用研磨垫44对第1布线层120进行研磨。研磨液提供单元45通过从安装座43的内部到主轴42的内部沿Z轴方向延伸形成的研磨液流路47向加工点提供研磨液49。在此，加工点是指通过研磨垫44对第1晶片100的第1布线层120的露出面进行研磨加工处理的区域内的任意的位置。
主轴42设置成在固定于下端的安装座43以及安装于安装座43的研磨垫44相对于保持工作台41所保持的第1晶片100实施研磨加工处理的研磨位置和从保持工作台41上退避而能够进行第1晶片100向保持工作台41的搬入以及第1晶片100从保持工作台41搬出的搬出搬入位置之间移动自如。
在本实施方式中，研磨垫44例如使用由无纺布、聚氨酯等具有弹性的树脂等形成的研磨垫。另外，研磨垫44可以包含固定磨粒也可以不包含固定磨粒。在本实施方式中，研磨单元40可以一边从研磨液提供单元45提供研磨液49一边使用研磨垫44对第1布线层120实施湿式研磨，也可以不从研磨液提供单元45提供研磨液49而使用研磨垫44对第1布线层120实施干式研磨。作为湿式研磨，研磨单元40可以一边从研磨液提供单元45提供含有磨粒的浆料作为研磨液49一边利用研磨垫44对第1布线层120进行研磨，也可以一边从研磨液提供单元45提供纯水作为研磨液49一边使用包含固定磨粒的研磨垫44对第1布线层120进行研磨，海可以一边从研磨液提供单元45提供碱性的研磨液作为研磨液49一边使用研磨垫44实施化学机械研磨(CMP：Chemical Mechanical Polishing)。
图5是对图2的清洗单元50进行说明的剖视图。如图2以及图5所示，清洗单元50具有旋转工作台51和清洗液提供喷嘴52。旋转工作台51具有与保持工作台10、41同样的具有吸附部和多孔部的构造，利用保持面53对正面101侧朝向上方载置的第1晶片100的背面102侧进行吸引保持。旋转工作台51通过未图示的旋转驱动源绕Z轴旋转自如地设置。清洗液提供喷嘴52向旋转工作台51所保持的第1晶片100的正面101侧提供清洗液59。清洗液59例如是纯水、纯水与空气的混合流体等。清洗单元50一边使旋转工作台51旋转，一边由清洗液提供喷嘴52向旋转工作台51所保持的第1晶片100的正面101(第1布线层120的露出面)侧提供清洗液59，由此实施利用清洗液59清洗第1布线层120的清洗处理。
清洗液提供喷嘴52设置成在对旋转工作台51所保持的第1晶片100实施清洗处理的清洗位置和从旋转工作台51上退避并能够进行第1晶片100向旋转工作台51的搬入以及从旋转工作台51搬出第1晶片100的搬出搬入位置之间移动自如。
如图2所示，搬送单元60具有第1搬送部61、第2搬送部62、第3搬送部63、第4搬送部64以及第5搬送部65。第1搬送部61设置于盒载置台70所载置的盒73、暂放台75以及清洗单元50之间的区域，在盒载置台70所载置的盒73、暂放台75以及清洗单元50的旋转工作台51之间搬送第1晶片100。第2搬送部62设置成在暂放台75与搬出搬入区域17之间移动自如，在暂放台75与位于搬出搬入区域17的保持工作台10之间搬送第1晶片100。
第3搬送部63设置于跨越搬出搬入区域17与加工区域18的区域，通过使保持工作台10在搬出搬入区域17与加工区域18之间移动而搬送保持工作台10所保持的第1晶片100。第4搬送部64设置成在搬出搬入区域17与背面清洗单元30之间移动自如，在位于搬出搬入区域17的保持工作台10与背面清洗单元30之间搬送第1晶片100。第5搬送部65设置成在背面清洗单元30、研磨单元40以及清洗单元50之间移动自如，在背面清洗单元30、研磨单元40的保持工作台41以及清洗单元50的旋转工作台51之间搬送第1晶片100。
这样，搬送单元60通过第1搬送部61、第2搬送部62、第3搬送部63、第4搬送部64以及第5搬送部65将第1晶片100在盒载置台70所载置的盒73、暂放台75、设置于加工区域18的外缘部去除单元20、背面清洗单元30、研磨单元40的保持工作台41以及清洗单元50的旋转工作台51之间进行搬送。
盒载置台70是供收纳1张或多张第1晶片100的盒73载置的载置台，使所载置的盒73在Z轴方向上升降。暂放台75是供从盒载置台70所载置的盒73中取出的第1晶片100暂放而进行第1晶片100的中心对位的台。
控制器80对晶片的加工系统1的各构成要素的动作进行控制，使晶片的加工系统1实施实施方式的晶片的加工方法中的外缘部去除步骤1001、研磨步骤1002以及清洗步骤1003等动作处理。在本实施方式中，控制器80包含计算机系统。控制器80所包含的计算机系统具有：运算处理装置，其具有CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)那样的微处理器；存储装置，其具有ROM(Read Only Memory：只读存储器)或RAM(Random AccessMemory：随机存取存储器)那样的存储器；以及输入输出接口装置。控制器80的运算处理装置按照控制器80的存储装置中存储的计算机程序实施运算处理，将用于控制晶片的加工系统1的控制信号经由控制器80的输入输出接口装置输出到晶片的加工系统1的各构成要素。
在实施方式的晶片的加工方法中，在实施外缘部去除步骤1001之前，第1搬送部61和第2搬送部62将第1晶片100从盒载置台70所载置的盒73经暂放台75而搬送到定位于搬出搬入区域17的保持工作台10上，保持工作台10利用保持面11对搬送到保持工作台10上的第1晶片100进行吸引保持，第3搬送部63将保持着第1晶片100的保持工作台10定位于加工区域18。
外缘部去除步骤1001是将正面101上形成有第1布线层120的第1晶片100的外缘部从正面101去除的步骤。在外缘部去除步骤1001中，如图3所示，外缘部去除单元20对定位于加工区域18的保持工作台10所保持的第1晶片100实施外缘部去除加工处理，形成比完工厚度150深的修剪槽140。在外缘部去除步骤1001中，有时在利用切削刀具21从正面101侧对第1晶片100的外缘部进行加工时产生加工屑，加工屑附着于第1晶片100的正面101(第1布线层120的露出面)上。
在实施方式的晶片的加工方法中，在实施了外缘部去除步骤1001之后，在实施研磨步骤1002之前，第3搬送部63将保持着通过外缘部去除步骤1001而形成有修剪槽140的第1晶片100的保持工作台10定位于搬出搬入区域17，第4搬送部64将该第1晶片100从位于搬出搬入区域17的保持工作台10上搬送到背面清洗单元30。然后，背面清洗单元30对通过晶片支承部31搬送到背面清洗单元30的该第1晶片100进行支承，并利用清洗部32对晶片支承部31所支承的该第1晶片100的背面102侧进行清洗。然后，第5搬送部65将通过背面清洗单元30对背面102侧进行了清洗的第1晶片100从背面清洗单元30搬送到研磨单元40的保持工作台41上。该搬送维持通过外缘部去除步骤1001而提供的加工液29残留在第1晶片100的正面101(第1布线层120的露出面)上的状态，即维持第1布线层120上未完全干燥的状态而实施。
研磨步骤1002是在实施了外缘部去除步骤1001之后对第1晶片100的正面101(第1布线层120的露出面)进行研磨的步骤。在研磨步骤1002中，如图4所示，研磨单元40对保持工作台41所保持的第1晶片100实施研磨加工处理。在研磨步骤1002中，第1晶片100的正面101(第1布线层120的露出面)的研磨量为3nm以上且5nm以下的范围。
在研磨步骤1002中，在通过外缘部去除步骤1001而提供的加工液29残留在第1晶片100的正面101(第1布线层120的露出面)上的状态下开始研磨加工处理。在研磨步骤1002中，像这样实施研磨加工处理，因此能够将凭借提供纯水和空气的混合流体而实施的清洗和使用海绵或刷子进行的清洗难以去除的附着于第1布线层120上的加工屑去除。另外，在研磨步骤1002中，在加工液29残留在第1晶片100的正面101(第1布线层120的露出面)上的状态下开始研磨加工处理，因此能够在附着于第1布线层120上的加工屑在第1布线层120上干燥固定之前适当地去除加工屑。
另外，在本实施方式中，通过研磨步骤1002由研磨单元40实施的研磨加工处理是使用了通过研磨液提供单元45对加工点提供的研磨液49的湿式研磨，因此能够通过研磨液49去除形成于第1布线层120的露出面的异常氧化层和腐蚀层，使未发生异常氧化或腐蚀的面露出。
在实施方式的晶片的加工方法中，在实施了研磨步骤1002之后，在实施清洗步骤1003之前，第5搬送部65将通过研磨步骤1002实施了研磨加工处理的第1晶片100从研磨单元40的保持工作台41上搬送到清洗单元50的旋转工作台51上。
清洗步骤1003是对通过研磨步骤1002进行了研磨的第1晶片100的正面101(第1布线层120的露出面)进行清洗的步骤。在清洗步骤1003中，如图5所示，清洗单元50对旋转工作台51所保持的第1晶片100实施清洗处理，从第1晶片100的正面101(第1布线层120的露出面)去除通过研磨步骤1002而产生的研磨屑和残存的研磨液49。
在实施方式的晶片的加工方法中，在实施了清洗步骤1003之后，在实施贴合步骤1004之前，第1搬送部61将通过清洗步骤1003实施了清洗处理的第1晶片100从清洗单元50的旋转工作台51上搬送到盒载置台70所载置的盒73内，使搬入至盒73内的该第1晶片100移动到实施贴合步骤1004的规定的贴合装置。另外，在实施贴合步骤1004之前，准备第2晶片200(参照图6)，该第2晶片200是在贴合步骤1004中与实施了外缘部去除步骤1001、研磨步骤1002以及清洗步骤1003的第1晶片100贴合的对象。
图6是说明图1的贴合步骤1004的剖视图。如图6所示，在实施贴合步骤1004之前准备的第2晶片200具有第2基板210和第2布线层220。第2基板210在平坦的正面211上形成有第2布线层220。这样，第2晶片200的正面201成为第2布线层220的露出面，第2晶片200的背面202成为第2基板210的背面212(露出面)。优选第2晶片200经过与上述的研磨步骤1002和清洗步骤1003同样的处理而去除了形成在第2布线层220的露出面上的异常氧化层和腐蚀层而使未发生异常氧化或腐蚀的面露出并进行了清洗。
贴合步骤1004是使通过研磨步骤1002进行了研磨并通过清洗步骤1003对第1布线层120进行了清洗的第1晶片100与在第2基板210的正面211上形成有第2布线层220的第2晶片200贴合的步骤。在贴合步骤1004中，例如，从背面102侧对第1晶片100进行保持，从背面202侧对第2晶片200进行保持，使第1晶片100的第1布线层120的露出面与第2晶片200的第2布线层220的露出面相互面对而在面方向上进行了对位之后接近，如图6所示，使第1布线层120的露出面与第2布线层220的露出面接触而接合。这样，通过接合第1布线层120与第2布线层220，得到将第1晶片100与第2晶片200贴合的贴合晶片300。在贴合步骤1004中，既可以使第1布线层120的露出面与第2布线层220的露出面直接接触而直接接合，也可以隔着具有导电性的粘接剂而间接接合。在贴合步骤1004中，通过将第1布线层120与第2布线层220接合，第1布线层120与第2布线层220导通。
图7是对图1的背面磨削步骤1005进行说明的剖视图。背面磨削步骤1005是在实施贴合步骤1004之后将第1晶片100的背面102磨削至完工厚度150的步骤。背面磨削步骤1005例如通过图7所示的磨削装置90来实施。
如图7所示，实施背面磨削步骤1005的磨削装置90具有保持工作台91、主轴92以及呈环状配置有磨削磨具94的磨削磨轮93。保持工作台91具有与保持工作台10、41同样的具有吸附部和多孔部的构造，利用保持面96对第1晶片100的背面102侧朝向上方载置的贴合晶片300的第2晶片200的背面202侧进行吸引保持。保持工作台91通过未图示的旋转驱动源绕Z轴旋转自如地设置。主轴92形成为圆柱状，在下端朝向下方安装有磨削磨轮93。主轴92绕与Z轴方向平行的轴心旋转。主轴92设置成通过未图示的磨削进给单元在Z轴方向上移动自如。
在背面磨削步骤1005中，如图7所示，通过主轴92的旋转动作对磨削装置90的磨削磨轮93施加绕与Z轴方向平行的轴心的旋转动作，磨削磨轮93的磨削磨具94与位于下方的保持工作台91上所保持的贴合晶片300的第1晶片100的背面102侧接触而被推压，由此实施利用磨削磨具94将第1晶片100磨削至完工厚度150的磨削加工处理。
在实施背面磨削步骤1005之前，通过外缘部去除步骤1001将第1晶片100的外缘部去除而形成比完工厚度150深的修剪槽140，因此能够防止实施背面磨削步骤1005时第1基板110形成尖锐边缘而缺损的可能性。
具有以上那样的结构的实施方式的晶片的加工系统1具有：外缘部去除单元20，其将第1晶片100的外缘部去除；研磨单元40，其对第1布线层120进行研磨；以及搬送单元60(第3搬送部63、第4搬送部64以及第5搬送部65)，其在外缘部去除单元20与研磨单元40之间搬送第1晶片100，因此，能够实施实施方式的晶片的加工方法，即，该晶片的加工方法中，在通过外缘部去除单元20去除外缘部时提供的加工液29残留在第1晶片100的第1布线层120上的状态下，通过研磨单元40对第1布线层120进行研磨。因此，通过实施方式的晶片的加工系统1以及实施方式的晶片的加工系统1而实施的实施方式的晶片的加工方法起到如下的作用效果：在去除外缘部时附着于第1布线层120上的加工屑在第1布线层120上干燥固定之前，将凭借提供纯水与空气的混合流体而实施的清洗和使用海绵或刷子的清洗难以去除的、附着于第1布线层120上的加工屑适当地去除。由此，能够降低在第1布线层120与第2晶片200的第2布线层220之间产生由加工屑引起的接合不良的可能性。
另外，实施方式的晶片的加工系统1和晶片的加工方法中，在研磨步骤1002中由研磨单元40实施的研磨加工处理是使用了通过研磨液提供单元45对加工点提供的研磨液49的湿式研磨，因此能够通过研磨液49去除形成于第1布线层120的露出面的异常氧化层和腐蚀层，使未发生异常氧化或腐蚀的面露出，因此能够降低在第1布线层120与第2晶片200的第2布线层220之间产生由第1布线层120的异常氧化层或腐蚀层引起的接合不良的可能性。
另外，本发明不限于上述实施方式。即，可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种变形而实施。

Claims (8)

1.一种晶片的加工方法，其中，
该晶片的加工方法具有如下的步骤：
外缘部去除步骤，将正面上形成有第1布线层的第1晶片的外缘部从正面去除；以及
研磨步骤，在实施了该外缘部去除步骤之后，对该第1晶片的该正面进行研磨。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
该晶片的加工方法还具有如下的贴合步骤：使该第1晶片与正面上形成有第2布线层的第2晶片贴合，
在该贴合步骤中，将该第1布线层与该第2布线层接合。
3.根据权利要求2所述的晶片的加工方法，其中，
该晶片的加工方法还具有如下的背面磨削步骤：在实施了该贴合步骤之后，将该第1晶片的背面磨削至完工厚度，
在该外缘部去除步骤中从正面去除的厚度比该第1晶片的完工厚度深。
4.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
该研磨步骤是使用了研磨液的湿式研磨。
5.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
该研磨步骤是在通过该外缘部去除步骤而提供的加工液残留在该第1晶片的正面上的状态下开始的。
6.一种晶片的加工系统，其中，
该晶片的加工系统具有：
保持工作台，其对正面上形成有布线层的第1晶片的背面侧进行保持；
外缘部去除单元，其从该保持工作台所保持的该第1晶片的正面侧将外缘部去除；
研磨单元，其对通过该外缘部去除单元去除了该外缘部的该第1晶片的正面进行研磨；
清洗单元，其对通过该研磨单元进行了研磨的该第1晶片进行清洗；以及
搬送单元，其在该外缘部去除单元、该研磨单元以及该清洗单元之间搬送该第1晶片。
7.根据权利要求6所述的晶片的加工系统，其中，
该研磨单元包含：
研磨垫，其与该第1晶片接触；以及
研磨液提供单元，其向加工点提供研磨液。
8.根据权利要求6所述的晶片的加工系统，其中，
该研磨单元在通过该外缘部去除单元提供的加工液残留在该第1晶片的正面上的状态下开始研磨。
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