JP2006068853A - 研磨パッド - Google Patents
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Abstract
【課題】 半導体製造装置の製造工程において被加工物の平坦化処理等を行うときに用いる研磨パッドに関し、研磨特性を悪化させることなく、研磨スラリーの使用量を低減することができる。
【解決手段】 表面に半導体ウェハ13を研磨する研磨面18を有した研磨パッド10であって、研磨面18において、半導体ウェハ13が当接する研磨範囲のみに研磨スラリーを保持するスラリー保持溝19を形成したものである。研磨面18は円形であり、その中心から外周に向かって順に内側領域20、中間領域21、外側領域22を構成し、内側領20には研磨スラリーが供給され、中間領域21は半導体ウェハ13が当接する研磨範囲となり、研磨時に半導体ウェハ13が揺動し、研磨範囲が当該揺動範囲を含むものである。
【選択図】 図2
【解決手段】 表面に半導体ウェハ13を研磨する研磨面18を有した研磨パッド10であって、研磨面18において、半導体ウェハ13が当接する研磨範囲のみに研磨スラリーを保持するスラリー保持溝19を形成したものである。研磨面18は円形であり、その中心から外周に向かって順に内側領域20、中間領域21、外側領域22を構成し、内側領20には研磨スラリーが供給され、中間領域21は半導体ウェハ13が当接する研磨範囲となり、研磨時に半導体ウェハ13が揺動し、研磨範囲が当該揺動範囲を含むものである。
【選択図】 図2
Description
本発明は、半導体製造装置の製造工程において被加工物の平坦化処理等を行うときに用いる研磨パッドに関する。
近年、半導体製造分野における平坦化技術は、高集積化に伴い必要不可欠な技術となっている。その代表的な技術である化学的機械研磨装置(CMP装置)は、表面に研磨パッドが接着された研磨プレートと、研磨パッドの表面を目立てするためのドレッサと、被加工物を保持するキャリアと、研磨スラリーを研磨パッド上に供給する研磨スラリー供給装置とを備えている。そして、研磨パッドをドレッサによりドレッシング(研削)した後に、研磨プレートおよびキャリアを回転させるとともに、研磨スラリー供給装置のノズルから研磨パッドの中央部に研磨スラリーを供給し、被加工物を研磨パッド上に押圧することで被加工物表面の研磨を行う。
このような化学的機械研磨方法では、研磨パッドの中央部に供給された研磨スラリーが、研磨プレートの回転に伴う遠心力によって研磨面を流れて外部へ排出されることから、研磨スラリーを絶えず供給する。このように、絶えず供給される研磨スラリーによって、被加工物が研磨されるとともに、研磨パッドのドレッシング時に発生する削り屑や被加工物の研磨屑を研磨パッドの外へ排出するようにしている。
ところで、被加工物を効率良く研磨できるように、研磨パッドの研磨面に外部へ排出される研磨スラリーを保持するための溝加工を施したものが提案されている(特許文献1参照)。
特開2002−160153
しかし、溝加工を施した研磨パッドは、溝のない研磨パッドに比べ、より多くの研磨スラリーを必要とする。これは、研磨パッドに供給された研磨スラリーの一部が溝を流れる分、研磨パッドの研磨面を流れて研磨に使用される研磨スラリーが少なくなるためである。このように、研磨スラリーの使用量が多くなると、研磨コストが高くなるという問題が生じる。
したがって、本発明においては、研磨特性を悪化させることなく、研磨スラリーの使用量を低減することを解決しようとする課題とする。
本発明は、表面に被加工物を研磨する研磨面を有した研磨パッドであって、研磨面において、被加工物が当接する研磨範囲のみに研磨スラリーを保持するスラリー保持溝を形成したものである。
具体的には、研磨面が円形であり、その中心から外周に向かって順に内側領域、中間領域、外側領域を構成し、内側領域には研磨スラリーが供給され、中間領域は前記被加工物が当接する研磨範囲となり、研磨時に被加工物が揺動し、研磨範囲が当該揺動範囲を含むものである。
スラリー保持溝は、研磨面に、例えば格子状に形成されている。
なお、スラリー保持溝は、研磨範囲の全面に形成されているものに限らず、研磨範囲内の一部に形成されているものであってもよい。
本発明の研磨パッドによると、研磨スラリーを保持するスラリー保持溝を、被加工物が当接する研磨範囲のみに形成したので、研磨範囲外の余分な箇所にて研磨スラリーが保持されることはなく、研磨スラリーの使用量を削減でき、かつ、研磨スラリーを保持するスラリー保持溝を形成したことで被加工物を効果的に研磨できる。
本発明によれば、研磨特性を悪化させることなく、研磨スラリーの使用量を低減することができる。
本発明の最良の実施形態を図1および図2に基づいて説明する。
図1はCMP装置の概略構成図、図2は研磨パッドの平面図である。
CMP装置は、表面に研磨パッド10が接着された研磨プレート11と、研磨パッド10の表面を目立てするためのドレッサ12と、被加工物13を保持するキャリア14と、研磨スラリー15を研磨パッド10上に供給する研磨スラリー供給装置16とからなる。そして、研磨パッド10をドレッサ12によりドレッシングした後に、研磨プレート11およびキャリア14をそれぞれ矢印A,B方向に回転させるとともに、研磨スラリー供給装置16のノズルから研磨パッド10の中央部に研磨スラリー15を供給し、被加工物となる半導体ウェハ13を研磨パッド10上に押圧(矢印C方向)することで半導体ウェハ表面の研磨を行う。
図1に示したCMP装置は単一回転型CMP装置であって、研磨プレート11とキャリア14の2つの回転機構を有する。両者の回転数が同じであれば、原理的には均一に加工できるが、実際上、微妙なポリシングマークが発生し易く、研磨プレート11もしくはキャリア14に揺動(矢印D方向)を与えて研磨している。
研磨パッド10は、一般に、ポリウレタン等の発泡性樹脂を発泡硬化させて得られる発泡体の表面をバフすることにより形成されている。研磨面18には多数の空孔を有しており、半導体ウェハ13と研磨パッド10との間に供給された研磨スラリー15が均一分散され、均一研磨が行えるようにされている。
また、研磨面18は円形であり、その中心から外周に向かって順に内側領域20、中間領域21、外側領域22を構成している。内側領域20には研磨スラリー15が供給される。中間領域21は半導体ウェハ13が当接し研磨される研磨範囲となる。研磨範囲は、半導体ウェハ13が揺動する揺動範囲(矢印D参照)を含んでいる。外側領域22は研磨面18の外周の非研磨範囲に相当する。
また、研磨面18の中間領域21には、スラリー保持溝19が格子状に形成されている。なお、スラリー保持溝19の形状は格子状に限らず、例えば、同心円状、螺旋状、放射状等であってもよい。また、溝の断面形状は、矩形状、U字状、台形状等に形成されている。
そして、研磨スラリー供給装置16のノズルから研磨パッド10の内側領域20に供給された研磨スラリー15は、研磨パッド10の回転による遠心力で研磨面18を外向きに流れるとともに、一部はスラリー保持溝19に保持される。回転かつ揺動しながら研磨面18に押圧された半導体ウェハ13は、研磨面18を流れる研磨スラリー15によって研磨されるとともに、スラリー保持溝19に保持された研磨スラリー15によって効率良く研磨される。
このように構成された研磨パッド10によると、研磨スラリー15を保持するスラリー保持溝19を、半導体ウェハ1が当接する研磨範囲のみに形成したので、研磨範囲外の余分な箇所にて研磨スラリー15が保持されることはなく、研磨スラリー15の使用量を削減でき、かつ、研磨スラリー15を保持するスラリー保持溝19を形成したことで半導体ウェハ13を効率良く研磨できる。よって、研磨特性を悪化させることなく、研磨スラリー15の使用量を低減でき、研磨コストの低減が図れる。
なお、本発明の研磨パッド10は、半導体製造プロセスにおいてCMPプロセスにより半導体ウェハ等の被加工物の平坦化処理を行うときに用いる以外に、シリコンウェハに対する一次研磨(特にSubaパッド、MHパッド)、二次研磨(特にSubaパッド、MHパッド)、ファイナル研磨用パッド、アルミ磁気ディスク研磨用パッド、液晶用ガラス研磨用パッド(特にMHパッド)等の用途にも用いることができる。
また、被研磨物としては、シリコン、化合物、酸化物、ガラス、磁気ディスク等が挙げられる。
シリコンとしては、ポリッシュドウェハ、拡散ウェハ、エピウェハがあり、これらの主用途としては、IC基板、ディスクリートがある。また、ダミーまたはモニターウェハ、再生ウェハ、バックサイドポリッシュドウェハがあり、これらの主用途としては、テスト用ウェハ、パターン付きICあがる。さらに、SiO2、ポリシリコン、金属層間膜があり、これらの主用途としては、上述したCMPがある。
化合物としては、ガリウム砒素(GaAs)、ガリウム燐(GaP)、インジウム燐(InP)があり、これらの主用途としては、可視LED、赤外LED、FET、ICがある。
酸化物としては、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、GGGがあり、これらの主用途としてはSAWフィルターがある。
ガラスとしては、TFT、STN、SOG、フォトマスク、オプチカルフラットガラス、TVフェイス(テレビフラウン管)があり、これらの主用途としては、カラー液晶基板、液晶基板、半導体基板、ステッパー用プリズム、カラーテレビがある。
磁気ディスクとしては、アルミニウム、強化ガラス、カーボンがあり、これらの主用途としては、ハードディスクがある。
その他に、サファイヤ、セラミックス、フェライト、ステンレス、水晶、カラーフィルタがあり、これらの主用途としては、半導体基板、電子基板、振動子、カラー液晶がある。
本発明は、化学的機械的研磨加工により半導体ウェハ等の被加工物の平坦化処理等を行うときに用いる研磨パッドとして有用である。
10 研磨パッド
13 半導体ウェハ(被加工物)
18 研磨面
19 スラリー保持溝
20 内側領域
21 中間領域
22 外側領域
13 半導体ウェハ(被加工物)
18 研磨面
19 スラリー保持溝
20 内側領域
21 中間領域
22 外側領域
Claims (4)
- 表面に被加工物を研磨する研磨面を有した研磨パッドであって、
前記研磨面において、前記被加工物が当接する研磨範囲のみに研磨スラリーを保持するスラリー保持溝を形成した、ことを特徴とする研磨パッド。 - 前記研磨面が円形であり、その中心から外周に向かって順に内側領域、中間領域、外側領域を構成し、前記内側領域には研磨スラリーが供給され、前記中間領域は前記被加工物が当接する前記研磨範囲となる、ことを特徴とする請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記被加工物の研磨時に前記被加工物が揺動し、前記研磨範囲が当該揺動範囲を含む、ことを特徴とする請求項2に記載の研磨パッド。
- 前記スラリー保持溝は、前記研磨面に格子状に形成されている、ことを特徴とする請求項1ないし3に記載の研磨パッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004255363A JP2006068853A (ja) | 2004-09-02 | 2004-09-02 | 研磨パッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004255363A JP2006068853A (ja) | 2004-09-02 | 2004-09-02 | 研磨パッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2006068853A true JP2006068853A (ja) | 2006-03-16 |
Family
ID=36149983
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2004255363A Pending JP2006068853A (ja) | 2004-09-02 | 2004-09-02 | 研磨パッド |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2006068853A (ja) |
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2004
- 2004-09-02 JP JP2004255363A patent/JP2006068853A/ja active Pending
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