JP2002160153A - 研磨パッド - Google Patents
研磨パッドInfo
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Abstract
し、さらに複数の溝が形成された溝処理領域を有するこ
とにより、ウエハ面内の平坦化と研磨レートを向上す
る。 【解決手段】 研磨パッド1は、円板状の研磨パッド本
体2の略全面に多数の貫通孔が設けられ、研磨パッド本
体2の半径方向の略中央部付近に複数の溝7が形成され
た溝処理領域4が設けられている。
Description
製造工程において、化学的機械的研磨加工(CMPプロ
セス)等によりウエハ等の被加工物の平坦化処理などを
行うときに用いる研磨パッドに関する。
磨パッドが接着された研磨プレートと、研磨パッドの表
面を目立てするためのドレッサーと、被加工物を保持す
るキャリアと、研磨スラリーを研磨パッド上に供給する
研磨スラリー供給装置と、を備えている。そして、研磨
パッドをドレッサーによりドレッシング(研削)した後
に、研磨プレート及びキャリアを回転させると共に、該
研磨スラリー供給装置のノズルから研磨パッドの中央部
に研磨スラリーを供給し、被加工物を研磨パッド上に押
圧することで被加工物表面の研磨を行う。
パッドのドレッシング時に発生する研磨パッドの削り屑
や、被加工物の研磨屑等を研磨パッドの外へ排出する必
要があるので、研磨作業中に、研磨スラリーを研磨パッ
ドの中央部に絶えず供給し、これらの不純物を研磨スラ
リーにより研磨パッドの外部へ排出するようにしてい
る。
に、パッド表面に格子状の溝を付けたものや、同心円状
の複数の溝を設けた研磨パッドが提案されている(例え
ば、特開平11−216663号公報、特開平11−3
33699号公報)。
も、研磨レートを増加する点、および均一にウエハ表面
を研磨する点において、さらに改良の余地があった。
着目してなされたものであって、その目的とするところ
は、ウエハ面内の均一な平坦化と研磨レートのウエハ面
内の均一性を向上させる研磨パッドを提供することにあ
る。
円板状の研磨パッド本体の略全面に多数の貫通孔が設け
られ、該研磨パッド本体の半径方向の略中央部付近に複
数の溝が形成された溝処理領域が設けられており、その
ことにより上記目的が達成される。
の中心部付近に設けられた中心部処理領域における貫通
孔の内径が1〜3mm、該貫通孔の密度が2〜5個/c
m2、該中心部処理領域の面積比率が研磨パッドに対し
て7〜29%である。
径方向における幅寸法が30〜150mm、研磨パッド
の非溝加工面に対する溝加工面の面積比率が1%〜10
%である。
の外周部付近に設けられた外周部処理領域における貫通
孔の内径が0.5〜3mm、該貫通孔の密度が2〜5個
/cm2、該外周部処理領域の面積比率が研磨パッドに
対して50〜80%である。
略全面に貫通孔が形成され、研磨パッド本体の半径方向
の略中央部付近にさらに溝が形成されていることによ
り、スラリーの保持性と排出性を適正にし、かつ被加工
物の研磨面が最も摺接する研磨パッド本体の半径方向中
央部付近に複数本の溝を形成することで、研磨レートを
増加しながら研磨の均一性を向上することができる。特
に、内周部処理領域、溝処理領域および外周部処理領域
の3つの処理領域によってウエハ等の被加工物の中心部
分を積極的に研磨することができる。
に、ポリウレタン等の発泡性樹脂を発泡硬化させて得ら
れる発泡体の表面をバフすることにより形成されてい
る。研磨パッド1の表面には多数の空孔を有しており、
ウエハ等の被加工物10と研磨パッド1との間に供給さ
れた研磨スラリーが均一分散され、均一研磨が行えるよ
うにされている。
状の研磨パッド本体2の略全面に貫通孔を形成し、さら
に研磨パッド本体2の表面の半径方向の中央部付近に同
心円状の溝を設けて構成され、研磨パッド本体2の表面
に、中心位置から中心部処理領域3、溝処理領域4およ
び外周部処理領域5がそれぞれ順に設けられている。
心部処理領域3の直径は160〜320mmが好まし
い。溝処理領域4のパッド半径方向における幅寸法は3
0〜150mmが好ましい。さらに好ましくは50〜1
00mmである。また、外周部処理領域5のパッド半径
方向における幅寸法は70〜120mmが好ましい。
ッド本体表面に対する面積比率は7〜29%が好まし
い。溝処理領域4のパッド本体表面に対する面積比率は
1〜10%が好ましい。さらに好ましくは2〜8%であ
る。また、外周部処理領域5のパッド本体表面に対する
面積比率は50〜80%が好ましい。
形成された貫通孔6の内径は1〜3mmが好ましい。ま
た、その貫通孔6の密度は2〜5個/cm2が好まし
い。
澪処理領域に形成された貫通孔の内径、および密度は上
記中心部処理領域と同じにすることができる。
の断面形状は矩形状、U字状、台形等であってもよい。
溝本数N(本)は多い方がより均一性、研磨レートを向
上することができる。
%が好ましく、溝幅は200μm〜5mmが好ましく、
また溝本数は3〜100本が好ましい。
ッドの厚みの40〜60%であり、溝幅は0.25mm
〜2mmであり、溝本数は5〜30本である。
保持性が期待できず、5mmを超えるとスラリーが溝に
滞留するだけで実施アセンブリの研磨の仕事に寄与しな
い。
加工面の面積比率は1%〜20%が好ましい。ここで、
研磨パッドの溝加工面の面積とは、研磨パッド表面に形
成されている全ての溝の底面の合計面積をいい、非溝加
工面の面積とは、その溝部分を除いた研磨パッド表面の
面積をいう。さらに好ましい研磨パッドの非溝加工面に
対する溝加工面の面積比率は2%〜6%である。
成された貫通孔の内径および密度は上記中心部処理領域
と同じようにすることができる。
通孔8の内径は0.5〜3mmが好ましい。また、その
貫通孔8の密度は2〜5個/cm2が好ましい。
に形成された貫通孔の内径、密度を、上記の範囲内とす
ることにより、研磨パッド上に供給される研磨スラリー
の循環を良くし、研磨屑等の不純物の排出を良くするこ
とができる。
域4を形成するには、従来より公知の方法で行うことが
できる。例えば、研磨パッド本体2を溝加工機の定盤表
面に吸引固定し、定盤を回転させながらパッド本体2の
表面に切削刃を押し付けることで同心円状の溝が形成さ
れる。
領域5に貫通孔6,8を形成するには、打ち抜き機によ
って行うことができる。
造プロセスにおいて化学的機械的研磨加工(CMPプロ
セス)によりウエハ等の被加工物の平坦化処理を行うと
きに用いる以外に、以下の用途にも用いることができ
る。
ubaパッド、MHパッド)、二次研磨(特にSuba
パッド、MHパッド)、ファイナル研磨用パッド、アル
ミ磁気ディスク研磨用パッド、液晶用ガラス研磨用パッ
ド(特にMHパッド)等。
る。 (1)シリコン 具体的には、ポリッシュドウエハ、拡散ウエハ、エピウ
エハがあり、これらの主用途としては、IC基板、ディ
スクリートがある。
生ウエハ、バックサイドポリッシュドウエハがあり、こ
れらの主用途としては、テスト用ウエハ、パターン付き
ICあがる。
間膜があり、これらの主用途としては、上述したCMP
がある。
ンジウム燐(InP)があり、これらの主用途として
は、可視LED、赤外LED、FET、ICがある。
り、これらの主用途としてはSAWフィルターがある。
ラットガラス、TVフェイス(テレビフラウン管)があ
り、これらの主用途としては、カラー液晶基板、液晶基
板、半導体基板、ステッパー用プリズム、カラーテレビ
がある。
主用途としては、ハードディスクがある。
水晶、カラーフィルタがあり、これらの主用途として
は、半導体基板、電子基板、振動子、カラー液晶があ
る。
研磨パッド本体の、被加工物が摺接する部分に溝処理領
域を有するので、研磨スラリーの分散性を良くし、研磨
レートを増加し、研磨の均一性を向上することができ
る。時に、中心部処理涼気、溝処理領域および外周部処
理領域によってウエハの中心部分を積極的に研磨するこ
とができる。
る。
ある。
ある。
Claims (4)
- 【請求項1】 円板状の研磨パッド本体の略全面に多数
の貫通孔が設けられ、該研磨パッド本体の半径方向の略
中央部付近に複数の溝が形成された溝処理領域が設けら
れている研磨パッド。 - 【請求項2】 前記研磨パッド本体の中心部付近に設け
られた中心部処理領域における貫通孔の内径が1〜3m
m、該貫通孔の密度が2〜5個/cm2、該中心部処理
領域の面積比率が研磨パッドに対して7〜29%である
請求項1に記載の研磨パッド。 - 【請求項3】 前記溝処理領域の半径方向における幅寸
法が30〜150mm、研磨パッドの非溝加工面に対す
る溝加工面の面積比率が1%〜10%である請求項1ま
たは2に記載の研磨パッド。 - 【請求項4】 前記研磨パッド本体の外周部付近に設け
られた外周部処理領域における貫通孔の内径が0.5〜
3mm、該貫通孔の密度が2〜5個/cm2、該外周部
処理領域の面積比率が研磨パッドに対して50〜80%
である請求項1〜3のいずれかに記載の研磨パッド。
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2000
- 2000-11-27 JP JP2000360366A patent/JP4454833B2/ja not_active Expired - Lifetime
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